KR101669127B1 - 성막 장치 및 인젝터 - Google Patents

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KR101669127B1
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노조무 핫토리
나오마사 미야타케
야스나리 모리
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미쯔이 죠센 가부시키가이샤
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Abstract

성막 장치는, 성막 중의 기판을 반송하는 반송 기구, 성막용 가스를 상기 기판을 향해 공급하는 인젝터를 상기 기판의 반송 경로를 따라 복수개 설치한 인젝터 유닛, 반응 물질을 생성하는 반응 물질 공급 유닛을 포함한다. 상기 인적터 유닛은, 상기 인젝터 사이 각각의 간극으로부터 상기 반응 물질을 상기 성막 성분의 층에 공급한다. 상기 인젝터의 기판 대향면은, 상기 성막용 가스를 출력하는 성막용 가스 공급구, 상기 성막용 가스 공급구에 대하여 상기 기판의 반송 방향의 양측에 설치되억, 성막용 가스 등의 여분의 가스를 흡인하는 제1 가스 배기구, 및 상기 제1 가스 배기구의 각각에 대하여 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되어, 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급구를 포함한다.

Description

성막 장치 및 인젝터{LAYER-FORMING DEVICE AND INJECTOR}
본 발명은, 원자층 단위로 기판에 박막을 형성하는 성막 장치, 및 가스를 기판에 공급하는 인젝터에 관한 것이다.
최근, 기판에 박막을 형성할 때, 형성하려는 박막을 구성하는 원소를 주성분으로 하는 2종류의 전구체(前驅體)를 기판 상에 교호적(交互的)으로 공급함으로써, 즉, 기판 상에 원자층 단위로 박막을 형성하는 것을 복수회 반복함으로써, 원하는 두께의 막을 형성하는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기술이 널리 사용되고 있다.
이 ALD 기술을 사용한 성막 장치에서는, 상기 2종류의 전구체를 포함하는 가스를 공간적으로 분리하여 성막을 행하는 spatialALD가 알려져 있다. spatialALD에서는, 2종류의 전구체를 포함하는 가스가 기체 상태에서 혼합하여 반응하지 않도록, 불활성 가스를 흐르게 하여 이 불활성 가스를 2종류의 가스를 분리하는 배리어 가스로서 기능하게 한다. 또는, 가스 각각의 진공 배기에 의해 2종류의 가스의 혼합을 억제함으로써, 2종류의 가스를 분리하고 있다.
예를 들면, ALD 기술을 사용한 성막 장치에서는, 반송(搬送) 중의 기판에 대해서, 제1 전구체를 포함하는 제1 반응 가스와 제2 전구체를 포함하는 제2 반응 가스를 교호적으로 공급하는 복수의 출력 채널을 기판의 반송 방향으로 복수 설치한 공급 헤드가 사용된다(특허 문헌 1). 제1 반응 가스를 기판에 공급하는 출력 채널과 제2 반응 가스를 기판에 공급하는 출력 채널의 사이에는, 불활성 가스를 분사하는 출력 채널이 설치된다(상기 문헌 1의 도 5 참조). 이 불활성 가스가, 배리어 가스로서 기능한다.
[선행 기술 문헌]
특허 문헌 1 : 일본공개특허 제2011-501779호 공보
상기 성막 장치에서 성막의 단위 시간당 처리량을 향상시키기 위해서는, 기판의 반송 속도가 일정한 조건 하에서는, 출력 채널의 반송 방향에 따른 폭을 좁게 하고, 출력 채널을 다수 설치할수록 유리하다. 그러나, 상기 성막 장치와 같이, 출력 채널마다 불활성 가스, 제1 반응 가스, 불활성 가스, 및 제2 반응 가스 중 하나를 순차적으로 기판의 반송 방향에 배치한 구성에서는, 성막의 단위 시간당 처리량을 향상시키는 것은 어렵다. 불활성 가스, 제1 반응 가스, 불활성 가스, 제2 반응 가스의 분출구를 좁은 범위에 출력 채널을 설치하는 경우, 공급 헤드가 복잡한 구조로 되어, 성막 장치의 비용의 상승으로 연결되기 쉽다. 또, 공급 헤드는 복잡한 구조가 되므로, 각 가스의 분사량을 일정하게 유지하는 것도 어려워져, 성막 장치의 신뢰성(박막의 균일성)이 저하되기 쉽다.
그래서, 본 발명은, 반송하는 기판에 대해서 가스를 공급하는 때에, 성막의 단위 시간당 처리량을 향상시킬 수 있는 새로운 인젝터 및 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양은, 원자층 단위로 기판에 박막을 형성하는 성막 장치이다. 상기 성막 장치는, 기판의 성막 중, 상기 기판을 반송하는 반송 기구, 반송 중의 상기 기판에 성막용 가스의 성막 성분의 층을 형성하기 위해 상기 성막용 가스를 상기 기판을 향해 공급하는, 상기 기판의 반송 경로를 따라 간극을 두고 설치된 복수의 인젝터를 구비하는 인젝터 유닛, 및 상기 성막 성분과 반응하는 반응 물질을, 상기 간극으로부터 상기 기판을 향해 공급하는 반응 물질 공급 유닛을 포함한다.
상기 인젝터의 각각의 상기 기판에 대향하는 기판 대향면은, 상기 성막용 가스를 출력하는 성막용 가스 공급구, 상기 성막용 가스 공급구에 대해서 상기 기판의 반송 방향의 양측에 설치되고, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제1 가스 배기구, 및 상기 제1 가스 배기구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되고, 불활성인 가스를 출력하는 불활성 가스 공급구를 포함한다.
상기 인젝터의 각각은, 상기 인젝터 각각을 구성하는 인젝터 부재의 내부에, 상기 성막용 가스 공급구, 상기 제1 가스 배기구, 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍이 설치되고, 상기 연속 구멍의 각각은, 상기 인젝터 부재의 면에 개구를 구비하고, 상기 개구에서, 성막용 가스원과 접속된 성막용 가스 공급관, 배기 장치와 접속된 배기관, 및 불활성 가스원과 접속된 불활성 가스 공급관 중 어느 하나에 접속되고, 상기 제1 가스 배기구 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍은, 상기 인젝터 부재의 내부에서 환형을 이루고 있는 부분을 가지는 것이 바람직하다.
상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우, 상기 연속 구멍 중 상기 환형을 이루고 있는 부분은, 상기 인젝터 부재의 상기 높이 방향의 상이한 위치에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우, 상기 인젝터 부재는, 상기 높이 방향으로 적층된 복수개의 부재 요소를 포함하고, 상기 부재 요소의 각각은, 상기 연속 구멍을 형성하기 위한 연속 홈이 설치되고, 상기 연속 구멍의 각각은, 상기 연속 홈이 설치된 상기 부재 요소의 접합 부분에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 기판 대향면은, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제2 가스 배기구를 더 포함하고, 상기 제2 가스 배기구는, 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 반송 기구, 상기 인젝터 유닛, 고주파 전극을 내부 공간 내에 배치하는 성막 용기를 더 포함하고, 상기 반응 물질은, 상기 성막 용기 내에서 상기 고주파 전극을 사용하여 형성된 플라즈마로부터 생성되는 래디칼 원자 또는 래디칼 분자를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 일 태양은, 성막 장치에 사용되는 성막용 가스를 기판에 공급하는 인젝터이다. 상기 인젝터는, 상기 인젝터의 각각의 상기 기판에 대향하는 기판 대향면은, 상기 성막용 가스의 성막용 가스 공급구, 상기 성막용 가스 공급구에 대해서 상기 기판의 반송 방향의 양측에 설치되고, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제1 가스 배기구, 및 상기 제1 가스 배기구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되고, 상기 성막용 가스의 성막 성분에 대해서 불활성인 가스를 공급하는 불활성 가스 공급구를 포함한다.
상기 인젝터는, 인젝터 부재에 의해 구성되며, 상기 인젝터 부재의 내부에, 상기 제1 가스 배기구의 각각에 접속된 2개의 연속 구멍이 설치되고, 상기 제1 가스 배기구의 각각으로부터 연장되는 2개의 연속 구멍은, 상기 인젝터 부재의 내부에서 합류하는 것이 바람직하다.
상기 인젝터는, 인젝터 부재에 의해 구성되며, 상기 인젝터 부재의 내부에, 상기 성막용 가스 공급구, 상기 제1 가스 배기구, 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍이 설치되고, 상기 연속 구멍의 각각은, 상기 인젝터 부재의 면에 개구를 구비하고, 상기 개구에서, 성막용 가스원과 접속된 성막용 가스 공급관, 배기 장치와 접속된 배기관, 및 불활성 가스원과 접속된 불활성 가스 공급관 중 어느 하나에 접속되고, 상기 제1 가스 배기구 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍은, 상기 인젝터 부재의 내부에서 환형을 이루고 있는 부분을 가지는 것이 바람직하다.
상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우, 상기 연속 구멍 중 상기 환형을 이루고 있는 부분은, 상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면으로부터의 높이 방향의 상이한 위치에 설치되는 것이 바람직하다.
상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우, 상기 인젝터 부재는, 상기 높이 방향으로 적층되어 접합된 복수의 부재 요소에 의해 구성되며, 상기 부재 요소의 각각은, 상기 연속 구멍을 형성하기 위한 연속 홈이 설치되고, 상기 연속 구멍의 각각은, 상기 연속 홈이 설치된 상기 부재 요소의 접합 부분에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
상기 기판 대향면은, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제2 가스 배기구를 더 포함하고, 상기 제2 가스 배기구는, 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되는 것이 바람직하다.
전술한 인젝터 및 성막 장치는, 반송하는 기판에 대해서 가스를 공급하는 때에, 성막의 단위 시간당 처리량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 성막 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2의 (a)는, 본 실시형태의 인젝터의 개략 사시도이며, (b)는, 본 실시형태의 인젝터의 기판 대향면을 설명하는 도면이다.
도 3의 (a)은, 본 실시형태의 인젝터 내의 성막용 가스의 가스 유로와 불활성 가스의 가스 유로와 배기로를 나타낸 도면이며, (b)는, 도 3의 (a) 중의 X-X'선에 따른 인젝터의 단면도이다.
도 4의 (a)는, 본 실시형태의 인젝터의 최상층의 부재 요소의 상면도 및 저면도를 나타낸 도면이며, (b)는, 본 실시형태의 인젝터의 최상층의 부재 요소의 사시도이다.
도 5의 (a)는, 본 실시형태의 인젝터의 다른 부재 요소의 상면도 및 저면도이며, (b)는, 본 실시형태의 인젝터의 다른 부재 요소의 상면도 및 저면도이다.
도 6의 (a)는, 본 실시형태의 인젝터의 또 다른 부재 요소의 상면도 및 저면도이며, (b)는, 본 실시형태의 인젝터의 또 다른 부재 요소의 상면도 및 저면도이다.
도 7은 본 실시형태의 인젝터의 최하층의 부재 요소의 상면도 및 저면도이다.
이하, 본 발명의 인젝터 및 성막 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은, 본 실시형태의 성막 장치의 개략적인 구성도이다. 성막 장치(10)는, 성막 용기(12), 반송 기구(14), 플라즈마 생성 유닛(16), 인젝터 유닛(18), 가스 공급 유닛(20) 및 배기 유닛(22)을 가진다.
구체적으로는, 성막 장치(10)는, 원자층 단위로 기판에 박막을 형성하는 ALD 성막 장치이다.
반송 기구(14)는, 기판의 성막 중, 기판을 반송한다.
인젝터 유닛(18)은, 반송 중의 기판에 성막용 가스의 성막 성분의 층을 형성하기 위해 성막용 가스를 기판을 향해 공급하는 인젝터를 포함한다. 이 인젝터는 기판의 반송 경로를 따라 간극을 두고 복수개 설치되어 있다.
플라즈마 생성 유닛(16)은, 상기 성막 성분과 반응하는 반응 물질을 생성하는 유닛이며, 반응 물질 공급 유닛이다.
반응 물질 공급 유닛은, 인접하는 인젝터의 사이의 각각의 간극으로부터 반응 물질을 기판을 향해 공급하도록 구성되어 있다. 인젝터의 각각의 기판에 대향하는 기판 대향면은, 성막용 가스를 출력하는 성막용 가스 공급구, 성막용 가스 공급구에 대해서 기판의 반송 방향의 양측에 설치되고, 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제1 가스 배기구, 및 이 제1 가스 배기구의 각각에 대하여 반송 방향 중 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되고, 불활성인 가스를 출력하는 불활성 가스 공급구를 구비한다.
이하, 성막 장치(10)의 구성을 상세하게 설명한다. 그리고, 이하 설명하는 실시형태에서는, 성막용 기판으로서, 극히 얇은 유리판이나 수지 필름이며, 롤형으로 감을 수 있는 밴드형의 플렉시블한 기판을 대상으로 하여 설명한다. 그러나, 본 발명에서 사용하는 성막용 기판은, 밴드형의 플렉시블한 기판에 한정되지 않는다. 예를 들면, 판형의 딱딱한 한 개의 기판을 성막용 기판으로 하는 것도 가능하다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 성막 용기(12)의 성막 공간(내부 공간) 내에는, 반송 기구(14), 플라즈마 생성 유닛(16)에 속하는 고주파 전극(16a), 및 인젝터 유닛(18)이 주로 배치되어 있다. 성막 용기(12)는, 성막 용기(12) 내의 성막 공간을 소정의 압력으로 유지, 또는 감압하여 압력을 유지하고, 성막 공간 내에서 성막용 기판을 성막 처리하기 위한 용기이다. 성막 용기(12)의 외주의 벽면의 각각에는, 성막 공간 내의 분위기를 성막 처리에 적절한 온도로 하기 위해, 가열 히터(24)가 설치되어 있다.
반송 기구(14)가 반송하는 성막용 기판은, 롤에 감긴 밴드형의 플렉시블한 필름 F이다. 반송 기구(14)는, 회전 롤러(14a, 14b)를 구비한다. 회전 롤러(14a, 14b)는 도시하지 않은 구동 모터에 접속되고, 구동 모터의 회전에 의해, 회전 롤러(14a, 14b)가 회전하도록 구성되어 있다. 구동 모터의 회전 방향은 선택할 수 있다. 회전 롤러(14a, 14b)에는 필름 F가 돌려 감겨 있어, 필름 F는 롤형을 이루고 있다. 반송 기구(14)는, 성막하는 때에, 회전 롤러(14a, 14b) 중 어느 한쪽을 권취 롤러로 하고, 다른 쪽을 이송 롤러로 하여 회전시킨다. 즉, 반송 기구(14)는, 회전 롤러(14a, 14b)의 회전에 의해, 필름 F를 회전 롤러(14a) 또는 회전 롤러(14b)에 돌려 감긴 롤로부터 인출하여 필름 F의 성막을 위해 필름 F를 한 방향으로 반송한 후, 성막된 필름 F를 권취하여 성막 처리 롤로 한다. 도 1에서는, 필름 F가 회전 롤러(14b)로부터 회전 롤러(14a)에 반송되어, 회전 롤러(14a)에 권취되는 것이 도시되어 있다.
본 실시형태에서는, 필름 F에 형성되는 박막의 막두께를 두껍게 하기 위해, 필름 F에의 성막을 반복하여 행하는 것이 바람직하다. 이 때, 반송 기구(14)는, 성막 후의 필름 F를 회전 롤러(14a)에서 권취하여 얻어진 성막 처리 롤을 재차 인출하여, 회전 롤러(14a)로부터 회전 롤러(14b)를 향해, 즉, 앞의 성막 중인 반송 방향과 반대 방향으로 반송하는 것이 바람직하다. 반송 중, 필름 F는 성막되어 막두께가 두꺼워진다. 회전 롤러(14b)는, 성막된 필름 F를 권취하여 새로운 성막 처리 롤로 한다. 이 후, 막두께를 더 두껍게 하기 위해, 회전 롤러(14b)로부터 회전 롤러(14a)를 향해, 즉, 앞의 성막 중인 반송 방향과 반대 방향으로 필름 F를 반송한다. 반송 중, 필름 F는 성막되어 막두께가 두꺼워진다. 회전 롤러(14a)는, 성막된 필름 F를 권취하여 새로운 성막 처리 롤로 한다. 이와 같이, 필름 F의 상이한 방향으로의 반송을 반복하면서, 박막의 막두께를 두껍게 함으로써, 필름 F에 형성되는 박막의 막두께를 목표하는 두께로 하는 것이 바람직하다.
배기 유닛(22)은, 로터리 펌프 또는 드라이 펌프 등의 배기 장치(22a, 22b)를 포함한다. 배기 유닛(22)은, 성막 용기(12) 내의 성막 공간 및 플라즈마가 생성되는 플라즈마 생성 공간 내의 가스를 배기하여, 일정한 압력으로 유지한다. 배기 장치(22a)는, 후술하는 플라즈마 생성 공간 내의 반응성 가스를 배기한다. 배기 장치(22b)는, 고주파 전극(16a)보다 아래쪽의, 플라즈마 생성 공간을 포함하는 성막 공간 내의 가스를 배기한다.
플라즈마 생성 유닛(16)은, 고주파 전극(16a), 접지 전극(16b), 매칭 박스(16c), 및 고주파 전원(16d)을 가진다. 플라즈마 생성 유닛(16)은, 성막용 가스의 필름 F에 흡착한 성막 성분과 반응하는 반응 물질을 생성하는 반응 물질 생성 유닛이다. 접지 전극(16b)은, 성막 용기(12) 내의 단면을 횡단하도록 설치된 공간 격벽(17)의 면 상에 설치되어 있다. 성막 용기(12) 내의 고주파 전극(16a)은, 급전선에 의해, 성막 용기(12)의 천정면으로부터 매칭 박스(16c)를 통하여 고주파 전원(16d)에 접속되어 있다. 고주파 전원(16d)은, 예를 들면 13.56MHz의 고주파 전압을 고주파 전극(16a)에 공급한다. 고주파 전극(16a)은, 판형의 전극이다. 고주파 전극(16a)의 아래쪽에는, 고주파 전극(16a)의 평면에 대향하도록, 접지된 접지 전극(16b)이 설치되어 있다. 고주파 전극(16a)에 고주파 전압이 인가되는 것에 의해, 고주파 전극(16a)과 접지 전극(16b)과의 사이의 공간에 공급된 가스, 예를 들면 산소 가스를 사용하여 플라즈마 P가 생성된다. 즉, 고주파 전극(16a)과 접지 전극(16b)과의 사이의 공간은 플라즈마 생성 공간이 된다.
본 실시형태는, 고주파 전극(16a)과 접지 전극(16b)이 서로 대향하고, 전극 사이에서 플라즈마를 생성하는 용량 결합 플라즈마 방식을 사용하지만, 이외에, 유도 결합 플라즈마나 공지의 플라즈마 생성 방식을 사용할 수 있다.
그리고, 고주파 전극(16a)에 고주파 전력을 공급하는 급전선은, 성막 용기(12)의 천정면에 형성된 구멍을 통해 성막 용기(12) 외의 매칭 박스(16c)에 접속된다. 이 때, 구멍은, 절연체(16e)로 실링(sealing)된다. 또, 고주파 전극(16a)의 외주에는, 세라믹스판 등을 사용한 절연체 판(16f)이 설치되어 있다. 이로써, 플라즈마 생성 공간은 고주파 전극(16a)의 위쪽의 공간으로부터 구획된다.
본 실시형태에서는, 반응 물질 생성 유닛으로서 반응 물질을 플라즈마로부터 생성하는 플라즈마 생성 유닛(16)을 사용하지만, 반응 물질 생성 유닛은, 플라즈마 생성 유닛(16)에 한정되지 않는다. 예를 들면, 오존이나 H2O나 암모니아를 반응 물질로서 필름 F에 공급하는 반응 물질 생성 유닛을 사용할 수도 있다. 이 경우, 반응 물질의 반응 활성을 높이기 위해, 성막 공간 내의 온도를 100℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
플라즈마 생성 공간을 구획하는 성막 용기(12)의 측벽(도 1의 우측 측벽)에는, 관통 구멍이 설치되어 있다. 이 관통 구멍은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 후술하는 반응성 가스원(20a)과 접속한 가스 공급관과 접속되어 있다. 이 관통 구멍을 통해 반응성 가스가 플라즈마 생성 공간 내에 공급된다. 또, 플라즈마 생성 공간을 구획하는 성막 용기(12)의 측벽(도 1의 좌측 측벽)에는, 관통 구멍이 설치되어 있다. 이 관통 구멍은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 배기 장치(22a)와 접속된 배기관과 접속되어 있다.
공간 격벽(17)의 아래쪽이며, 플라즈마 생성 유닛(16)과 필름 F의 반송 경로와의 사이에, 또한 반송 경로의 위쪽에는, 인젝터 유닛(18)이 설치되어 있다. 인젝터 유닛(18)은, 필름 F의 반송 경로를 따라 간극을 두고 설치된 복수의 인젝터(18a)를 포함한다. 복수의 인젝터(18a)는 필름 F의 반송 경로를 따라 열을 이루고 있다. 복수의 인젝터(18a)의 열의 양측에는, 더미 인젝터(18b)가 설치되어 있다. 인젝터(18a)는, 성막용 가스를 출력함으로써 반송 중의 필름 F에 공급하고, 필름 F 상에 성막용 가스 중의 성막 성분의 층을 형성시킨다. 성막 성분은, 필름 F에 화학 흡착한다. 즉, 성막용 가스로서, 필름 F에 성막 성분이 화학 흡착하도록 한 가스가 선택되어 있다. 인젝터(18a)는, 서로 간극을 두고 배열되어 있다. 또한, 이 간극에 대응하는 필름 F의 반송 방향의 위치에서, 공간 격벽(17)에는, 필름 F의 반송 방향과 직교하는 방향으로 연장되는 슬릿형 관통 구멍이 설치되어 있다. 이로써, 반송 중의 필름 F에 흡착한 성막 성분의 층이, 그 직후의 인젝터 사이의 간극을 통과할 때, 전술한 플라즈마 생성 공간에서 생성된 플라즈마 P로부터 얻어지는 반응성 가스의 래디칼 원자나 래디칼 분자가 관통 구멍을 통해 필름 F를 향해 하강하여 공급된다. 즉, 성막 장치(10)에서는, 인젝터(18a)의 사이의 각각의 간극으로부터 래디칼 원자나 래디칼 분자가 필름 F에 형성된 성막 성분의 층에 공급되도록 구성되어 있다. 더미 인젝터(18b)는, 성막용 가스를 공급하는 기능을 가지고 있지 않다. 더미 인젝터(18b)는, 옆에 위치하는 인젝터(18a)와의 사이에, 인접하는 2개의 인젝터(18a, 18a) 사이에 만들어지는 간극과 동일한 간극을 만들고, 이 간극으로부터 래디칼 원자나 래디칼 분자를 필름 F에 공급하기 위해 설치되어 있다.
인젝터(18a)와 더미 인젝터(18b)의 상면에는, 접지 전극(16b)이 형성되어 있다.
공간 격벽(17)보다 아래쪽의 성막 용기(12)의 측벽(도 1의 우측 측벽)에는, 관통 구멍이 설치되어 있다. 이 관통 구멍에는, 후술하는 퍼지(purge) 가스원(20c)과 접속된 가스 공급관이 접속되어 있다. 퍼지 가스는, 필요가 없어진 성막용 가스, 반응성 가스, 래디칼 분자, 래디칼 원자 등을 효율적으로 배기하기 위해 사용하는 가스이다.
또한, 인젝터(18a)의 각각에는, 후술하는 성막용 가스원(20b)과 접속된 가스 공급관과 불활성 가스원(20d)과 접속된 가스 공급관이 접속되어 있다.
가스 공급 유닛(20)은, 반응성 가스원(20a), 성막용 가스원(20b), 퍼지 가스원(20c), 불활성 가스원(20d) 및 매스플로우(massflow) 컨트롤러(20e, 20f)(도 2 참조)를 가진다.
반응성 가스원(20a)이 공급하는 반응성 가스로서, 예를 들면, O2, O3, H2O, N2O, N2, NH3 등이 사용된다. 성막용 가스원(20b)이 공급하는 성막용 가스로서, 예를 들면 TMA(트리메틸알루미늄: TriMethylAluminum), TEMAZ(테트라키스에틸메틸아미노지르코늄: TetrakisEthylMethylAminoZirconium), TEMAHf(테트라키스에틸메틸아미노하프늄: TetrakisEthylMethylAminoHafnium), 아미노실란 등을 포함하는 유기 금속 화합물 가스가 사용된다. 퍼지 가스원(20c)이 공급하는 퍼지 가스로서, 질소 가스, 아르곤 가스, 네온 가스, 헬륨 가스 등의 불활성 가스가 사용된다. 불활성 가스원(20d)이 공급하는 불활성 가스로서, 질소 가스, 아르곤 가스, 네온 가스, 헬륨 가스 등의 불활성 가스가 사용된다. 불활성 가스란, 반응성 가스, 성막용 가스, 및 성막 장치(10)에서 형성되는 박막에 대해서 반응하지 않는 가스를 말한다.
이와 같은 성막 장치(10)에서는, 인젝터(18a)가 복수 간극을 두고 형성되어 있고, 반송되는 필름 F는, 각 인젝터(18a)를 통과할 때마다, 인젝터(18a)로부터 성막용 가스의 공급을 받아, 필름 F 상에 성막용 가스의 성막 성분이 원자층 단위로 화학 흡착한다.
한편, 필름 F의 반송시, 플라즈마 생성 공간에 반응성 가스가 공급되고, 고주파 전압이 인가된 고주파 전극(16a)과 접지 전극(16b)과의 사이에서 반응성 가스를 사용한 플라즈마 P가 생성된다. 이 플라즈마 P가 및 인젝터(18a) 사이의 간극을 통과함으로써, 필름 F 상에 도달한다. 이 때, 플라즈마의 대부분은 이온이 중성화하여, 래디칼 원자 또는 래디칼 분자의 상태가 되어 있다. 따라서, 인젝터(18a)에 의한 성막용 가스의 공급에 의해 필름 F 상에 흡착한 원자층 단위의 성막 성분과 상기 래디칼 분자, 또는 래디칼 원자가 반응하여 박막을 형성한다. 이웃하는 인젝터(18a)와 인젝터(18a) 사이의 간극은 복수 교호적으로 형성되어 있으므로, 필름 F의 반송 중, 서서히 필름 F에 형성되는 박막은 두꺼워진다.
이와 같이 하여, 성막 장치(10)는, 필름 F에 박막을 형성할 수 있다. 이상이, 성막 장치(10)의 설명이다. 이하, 인젝터(18a)의 구성을 상세하게 설명한다.
도 2의 (a)는, 인젝터(18a)의 개략 사시도이다. 도 2의 (a)는, 필름 F에 대향하는 기판 대향면(30)을 위쪽으로 향하도록 도시하고 있다. 도 2의 (b)는, 인젝터(18a)의 기판 대향면(30)을 설명하는 도면이다.
기판 대향면(30)에는, 복수의 슬릿형의 개구(32),타원 형상의 개구를 이루는 가스 공급 포트(34, 36) 및 가스 배기 포트(38, 40)가 설치되어 있다. 개구(32)의 길이는, 필름 F의 폭과 동일한 정도이다.
가스 공급 포트(34)에는, 불활성 가스 공급관(42)이 접속되어 있다. 불활성 가스 공급관(42)은, 매스플로우 컨트롤러(20f)를 통하여 불활성 가스원(20d)과 접속되어 있다. 매스플로우 컨트롤러(20f)는, 불활성 가스의 성막 공간 내로의 공급량을 제어한다.
가스 공급 포트(36)에는, 성막용 가스 공급관(44)이 접속되어 있다. 성막용 가스 공급관(44)은, 매스플로우 컨트롤러(20e)를 통하여 성막용 가스원(20b)과 접속되어 있다. 매스플로우 컨트롤러(20e)는, 성막용 가스의 성막 공간 내로의 공급량을 제어한다.
가스 배기 포트(38, 40)의 각각에는, 배기관(46, 48)이 접속되어 있다. 배기관(46, 48)은, 배기 장치(22b)와 접속되어 있다.
본 실시형태에서는, 가스 공급 포트(34, 36)와 가스 배기 포트(38, 40)는 인젝터(18a)의 기판 대향면(30)에 설치되어 있지만, 이에 한정되지 않는다. 가스 공급 포트(34, 36)와 가스 배기 포트(38, 40)는 인젝터(18a)의 다른 면에 설치되어도 된다.
기판 대향면(30)에 설치된 개구(32)는, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 성막용 가스 공급구(50), 제1 가스 배기구(52, 52), 불활성 가스 공급구(54, 54), 및 제2 가스 배기구(56, 56)를 포함한다.
성막용 가스 공급구(50)는, 성막용 가스를 출력하는 개구이다. 제1 가스 배기구(52, 52)는, 성막용 가스 공급구(50)에 대해서 필름 F의 반송 방향의 양측에 설치되고, 필름 F상의 여분의 가스를 흡인하는 개구이다. 여분의 가스는, 필름 F 상에서 생기는 반응에 대하여 여분이 된 가스이며, 예를 들면, 화학 흡착에 의해 성막 성분의 층이 필름 F 상에 형성되어 더 이상 성막 성분이 흡착되지 않는 여분의 성막용 가스, 및 필름 F 상의 반응에 의해 생성된 가스를 적어도 포함한다. 또, 후술하는 불활성인 가스나 퍼지 가스도 포함되어도 된다. 불활성 가스 공급구(54, 54)는, 제1 가스 배기구(52, 52)의 각각에 대하여 필름 F의 반송 방향 중 성막용 가스 공급구(50)로부터 멀어지는 쪽에 설치되어, 불활성 가스를 출력한다.
성막용 가스 공급구(50) 및 불활성 가스 공급구(54, 54)의 개구면에는, 개구의 일부를 막는 부재(50a, 54a)가 슬릿형의 개구의 길이 방향을 따라 설치되어 있다. 부재(50a, 54a)를 설치하는 것은, 성막용 가스 공급구(50) 및 불활성 가스 공급구(54, 54)로부터의 성막용 가스 및 불활성 가스의 분사 속도를 가능한 한 억제하여, 필름 F의 면에 잔잔하게 성막용 가스 및 불활성 가스를 공급하기 때문이다. 인젝터(18a)의 폭 W(도 2의 (b) 참조)는, 예를 들면 20~40mm 이며, 성막용 가스 공급구(50), 제1 가스 배기구(52, 52), 불활성 가스 공급구(54, 54), 및 제2 가스 배기구(56, 56)의 각각의 개구폭은 예를 들면 1~3mm이다.
그리고, 본 실시형태에서는, 제2 가스 배기구(56, 56)가 설치되어 있지만, 반드시 설치되지 않아도 된다. 그러나, 불활성 가스를 확실하게 배기하고, 인접하는 인젝터(18a)와의 사이의 간극에 불활성 가스가 흐르는 것에 의해, 성막에 필요한 래디칼 원자나 래디칼 분자의 필름 F에의 공급을 저해하지 않는 점에서, 제2 가스 배기구(56, 56)가 설치되는 것이 바람직하다.
도 3의 (a)는, 인젝터(18a) 내의 성막용 가스의 가스 유로, 불활성 가스의 가스 유로 및 배기로를 입체화하여 나타낸 도면이며, 도 3의 (b)는, 도 3의 (a) 중의 X-X'선에 따른 인젝터(18a)의 단면도이다.
도 3의 (a)에 나타낸 바와 같이, 인젝터(18a)의 내부에서, 성막용 가스 공급관(44)과 접속한 가스 공급 포트(36)로부터 연장되는 관형의 성막용 연속 구멍이 설치된다. 이 성막용 연속 구멍은, 인젝터(18a)의 높이 방향 H에 따라 상승하는 상승부(60a), 상승부(60a)와 접속되어, 인젝터(18a) 내부에서 인젝터(18a)의 폭 방향 L으로 연장되는 가늘고 긴 공간을 형성하는 수용부(60b), 및 수용부(60b)로부터 성막용 가스 공급구(50)를 향해, 높이 방향 H에 따라 하강하는 하강부(60c)(도 3의 (b) 참조)를 가진다. 높이 방향 H는, 인젝터(18a)의 인젝터 부재의, 필름 F에 대향하는 기판 대향면(30)에 대해서 수직 방향을 말한다.
또, 인젝터(18a)의 내부에서, 배기관(46)과 접속한 배기 포트(38)로부터 연장되는 배기용 연속 구멍이 설치된다. 이 배기용 연속 구멍은, 인젝터(18a)의 높이 방향 H에 따라 상승하는 상승부(62a), 상승부(62a)와 접속되어, 인젝터(18a) 내부에서 환형을 이루는 환형부(62b), 및 환형부(62b)로부터 2개의 제1 가스 배기구(52, 52)를 향해, 높이 방향 H에 따라 하강하는 하강부(62 c)(도 3의 (b) 참조)를 가진다. 반대로 말하면, 2개의 제1 가스 배기구(52, 52)로부터 연장되는 2개의 연속 구멍은, 인젝터 부재의 내부에서 합류해 배기 포트(38)에 이른다.
또한, 인젝터(18a)의 내부에서, 불활성 가스 공급관(42)과 접속한 가스 공급 포트(34)로부터 연장되는 관형의 불활성 가스용 연속 구멍이 설치된다. 이 불활성 가스용 연속 구멍은, 인젝터(18a)의 높이 방향 H에 따라 상승하는 상승부(64a), 상승부(64a)와 접속되어, 인젝터(18a) 내부의 상부로 환형을 이루는 환형부(64b), 및 환형부(64b)로부터 불활성 가스 공급구(54, 54)를 향해, 높이 방향 H에 따라 하강하는 하강부(64c)(도 3의 (b) 참조)를 가진다.
또, 인젝터(18a)의 내부에서, 배기관(48)과 접속한 배기 포트(40)로부터 연장되는 배기용 연속 구멍이 설치된다. 이 배기용 연속 구멍은, 인젝터(18a)의 높이 방향 H에 따라 상승하는 상승부(66a), 상승부(66a)와 접속되어, 인젝터(18a) 내부에서 환형을 이루는 환형부(66b), 및 환형부(66b)로부터 제2 가스 배기구(56, 56)를 향해, 높이 방향 H에 따라 하강하는 하강부(66c)(도 3의 (b) 참조)를 가진다. 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 환형부(62b, 64b, 66b) 및 수용부(60b)는, 높이 방향 H의 상이한 위치에 설치되어 있다.
이와 같이, 인젝터(18a)의 각각의 연속 구멍은, 인젝터(18a)의 면에 구비된 개구에서, 성막용 가스 공급관(44), 배기관(46, 48), 및 불활성 가스 공급관(42) 중 어느 하나와 접속되어 있다. 이와 같이 구성되는 복수개의 연속 구멍을, 한 개의 부재의 내부를 도려내어 제작하는 것은 어렵다. 그러므로, 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 분할선 A~E에 따라, 환형부나 수용부의 위치에서 분할한 구성으로 하는 것이 바람직하다. 이후, 인젝터(18a)의 인젝터 부재를 구성하는 부재 요소를 상부로부터 순차로 부재 요소 70, 72, 74, 76, 80으로 한다.
도 4의 (a)는, 최상층의 부재 요소(70)의 상면도 및 저면도를 나타내고, 도 4의 (b)는, 부재 요소(70)의 사시도이다. 도 5의 (a)는, 최상층으로부터 2번째의 부재 요소(72)의 상면도 및 저면도를 나타내고, 도 5의 (b)는, 최상층으로부터 3번째의 부재 요소(74)의 상면도 및 저면도를 나타내고, 도 6의 (a)는, 최상층으로부터 4번째의 부재 요소(76)의 상면도 및 저면도를 나타내고, 도 6(b)은, 최상층으로부터 5번째의 부재 요소(78)의 상면도 및 저면도를 나타내고, 도 7은, 최하층의 부재 요소(80)의 상면도 및 저면도를 나타낸다.
부재 요소(70~80)는, 접착제에 의한 접착 또는 용착(溶着)에 의해 서로 접합하여 인젝터(18a)를 구성하는 것이 바람직하다. 즉, 부재 요소의 각각은, 연속 홈이 설치된 부재 요소가 접합함으로써, 연속 홈끼리 조합되어 형성되는 것이 바람직하고, 연속 구멍은, 연속 홈이 설치된 부재 요소의 접합 부분에 설치되는 것이 바람직하다. 이 경우, 부재 요소(70~80)에 설치된 연속 홈의 접속 부분의 주위에는 필요에 따라 개스킷(gasket)이 이용되어 실링된다.
이와 같이 연속 구멍이 복잡하게 설치된 인젝터(18a)라도, 부재 요소의 표면으로부터 부재 요소마다 연속 홈을 파서 연속 홈을 형성할 수 있으므로, 내부에 연속 구멍을 구비하는 인젝터(18a)를 용이하게 제작할 수 있다.
본 실시형태의 인젝터(18a)의 필름 F에 대향하는 기판 대향면(30)은, 성막용 가스의 성막용 가스 공급구(50)와 성막용 가스 공급구(50)에 대해서 필름 F의 반송 방향의 양측에 설치되고, 여분의 성막용 가스를 흡인하는 제1 가스 배기구(52, 52), 및 제1 가스 배기구(52, 52)의 각각에 대하여 필름 F의 반송 방향 중 성막용 가스 공급구(50)로부터 멀어지는 쪽에 설치되고, 적어도 성막 성분 및 반응성 가스에 대해서 불활성인 가스를 공급하는 불활성 가스 공급구(54, 54)를 가진다. 즉, 1개의 인젝터(18a)에서 성막용 가스의 공급과 여분의 가스의 배기(흡인)가 완결되므로, 인젝터(18a)의 폭(필름 F의 반송 방향의 길이)을 짧게 할 수 있고, 필름 F의 반송 속도가 일정한 조건 하에서는, 성막의 단위 시간당 처리량을 향상시킬 수 있다.
제1 가스 배기구(52)의 각각에 대하여 성막용 가스 공급구(50)로부터 멀어지는 쪽에 불활성 가스 공급구(54, 54)가 설치되므로, 불활성 가스가 성막용 가스와 반응성 가스를 분리하는 배리어 가스로서 기능하고, 인접하는 2개의 인젝터(18a) 사이의 간극으로부터 반응성 가스의 래디칼 원자나 래디칼 분자와 성막용 가스가 혼합하여 반응하는 것을 방지한다. 또한, 불활성 가스 공급구(54, 54)의 각각에 대하여 성막용 가스 공급구(50)로부터 멀어지는 쪽에, 필름 F상의 여분의 가스를 흡인하는 제2 가스 배기구(56, 56)가 설치됨으로써, 불활성 가스를 제2 가스 배기구(56, 56)로부터 확실하게 회수할 수 있다.
제1 가스 배기구(52, 52) 및 불활성 가스 공급구(54, 54)의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍의 일부는, 인젝터(18a)의 부재의 내부에서 환형을 이루고 있다. 그러므로, 제1 가스 배기구(52, 52)의 배기는, 개구의 길이 방향의 위치에 의존하지 않는 균일한 배기 능력을 가진다. 또, 불활성 가스 공급구(54, 54)로부터의 불활성 가스의 공급량은, 개구의 길이 방향의 위치에 의존하지 않는 균일한 공급 능력을 가진다. 따라서, 필름 F에 성막용 가스의 성막 성분을 균일하게 흡착시킬 수 있다.
본 실시형태에서는, 제1 가스 배기구(52) 및 불활성 가스 공급구(54)의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍의 환형을 이루는 환형부는, 인젝터(18a)의 부재의 기판 대향면(30)으로부터의 높이 방향의 상이한 위치에 설치된다. 따라서, 성막용 가스 공급구(50), 제1 가스 배기구(52, 52), 및 불활성 가스 공급구(54)의 각각을 서로 근접시켜 설치할 수 있다. 그러므로, 인젝터(18a)의 폭(필름의 반송 방향의 길이)을 좁게 할 수 있다.
인젝터(18a)의 부재는, 높이 방향 H에 적층된 복수의 부재 요소(70~80)에 의해 구성되며, 부재 요소(70~80)의 각각에는, 연속 구멍을 형성하기 위한 연속 홈이 설치되어 있다. 연속 구멍의 각각은, 부재 요소(70~80) 중 2개 부재 요소의 연속 홈이 합쳐지는 것에 의해 형성된다. 즉, 연속 구멍의 각각은, 연속 홈이 설치된 부재 요소(70~80)의 접합 부분에 설치되어 있다. 따라서, 복잡한 배치의 연속 구멍의 구성이라도, 부재 요소(70~80)에 연속 홈을 설치함으로써 복잡한 배치의 연속 구멍을 용이하게 구성할 수 있다. 즉, 인젝터의 가격을 억제할 수 있다.
본 실시형태는, 불활성 가스 공급구(54, 54)의 각각에 대하여 필름 F의 반송 방향 중 성막용 가스 공급구(50)로부터 멀어지는 쪽에, 필름 F 상의 여분의 불활성 가스를 흡인하는 제2 가스 배기구(56, 56)이 설치된다. 그러므로, 불활성 가스를 제2 가스 배기구(56, 56)로부터 확실하게 흡수할 수 있다.
본 실시형태에서는, 반송 기구(14), 인젝터 유닛(18), 및 고주파 전극(16a)을 내부 공간 내에 배치하는 성막 용기(12)를 가지고, 반응 물질은, 성막 용기(12) 내에서 고주파 전극(16a)을 사용하여 형성된 플라즈마로부터 생성되는 래디칼 원자 또는 래디칼 분자를 포함한다. 그러므로, 100℃ 이하의 성막 공간의 온도에서, 필름 F 상에서 반응을 용이하게 일으키게 할 수가 있어 효율적으로 성막을 행할 수 있다.
이상, 본 발명의 인젝터 및 성막 장치에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명의 인젝터 및 성막 장치는 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 주지를 벗어나지 않는 범위에 있어서, 각종의 개량이나 변경을 해도 되는 것은 물론이다.
10 성막 장치
12 성막 용기
14 반송 기구
14a, 14b 회전 롤러
16 플라즈마 생성 유닛
16a 고주파 전극
16b 접지 전극
16c 매칭 박스
16d 고주파 전원
16e 절연체
16f 절연체 판
17 공간 칸막이벽
18 인젝터 유닛
18a 인젝터
18b 더미 인젝터
20 가스 공급 유닛
20a 반응성 가스원
20b 성막용 가스원
20c 퍼지 가스원
20d 불활성 가스원
22 배기 유닛
22a, 22b 배기 장치
24 가열 히터
30 기판 대향면
32 개구
34, 36 가스 공급 포트
38, 40 가스 배기 포트
42 불활성 가스 공급관
44 성막용 가스 공급관
46, 48 배기관
50 성막용 가스 공급구
50a, 54a 부재
52 제1 가스 배기구
54 불활성 가스 공급구
56 제2 가스 배기구
60a, 62a, 64a, 66a 상승부
60b 수용부
60c, 62c, 64c, 66c 하강부
62b, 64b, 66b 환형부

Claims (12)

  1. 원자층 단위로 기판에 박막을 형성하는 성막 장치로서,
    기판의 성막 중, 상기 기판을 반송하는 반송 기구,
    반송 중의 상기 기판에 성막용 가스의 성막 성분의 층을 형성하기 위해 상기 성막용 가스를 상기 기판을 향해 공급하는, 상기 기판의 반송 경로를 따라 간극을 두고 설치된 복수의 인젝터를 구비하는 인젝터 유닛, 및
    상기 성막 성분과 반응하는 반응 물질을, 상기 간극으로부터 상기 기판을 향해 공급하는 반응 물질 공급 유닛
    을 포함하고,
    상기 인젝터의 각각의 상기 기판에 대향하는 기판 대향면은, 상기 성막용 가스를 출력하는 성막용 가스 공급구, 상기 성막용 가스 공급구에 대해서 상기 기판의 반송 방향의 양측에 설치되고, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제1 가스 배기구, 및 상기 제1 가스 배기구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되고, 불활성인 가스를 출력하는 불활성 가스 공급구를 포함하는, 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인젝터의 각각은, 상기 인젝터 각각을 구성하는 인젝터 부재의 내부에, 상기 성막용 가스 공급구, 상기 제1 가스 배기구, 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍이 설치되고,
    상기 연속 구멍의 각각은, 상기 인젝터 부재의 면에 개구를 구비하고, 상기 개구에서, 성막용 가스원과 접속된 성막용 가스 공급관, 배기 장치와 접속된 배기관, 및 불활성 가스원과 접속된 불활성 가스 공급관 중 어느 하나에 접속되고,
    상기 제1 가스 배기구 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍은, 상기 인젝터 부재의 내부에서 환형을 이루고 있는 부분을 가지는, 성막 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우,
    상기 연속 구멍 중 상기 환형을 이루고 있는 부분은, 상기 인젝터 부재의 상기 높이 방향의 상이한 위치에 설치되는, 성막 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우,
    상기 인젝터 부재는, 상기 높이 방향으로 적층된 복수개의 부재 요소를 포함하고,
    상기 부재 요소의 각각은, 상기 연속 구멍을 형성하기 위한 연속 홈이 설치되고,
    상기 연속 구멍의 각각은, 상기 연속 홈이 설치된 상기 부재 요소의 접합 부분에 설치되어 있는, 성막 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 대향면은, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제2 가스 배기구를 더 포함하고, 상기 제2 가스 배기구는, 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되는, 성막 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 기구, 상기 인젝터 유닛, 고주파 전극을 내부 공간 내에 배치하는 성막 용기를 더 포함하고,
    상기 반응 물질은, 상기 성막 용기 내에서 상기 고주파 전극을 사용하여 형성된 플라즈마로부터 생성되는 래디칼 원자 또는 래디칼 분자를 포함하는, 성막 장치.
  7. 성막 장치에 사용되는 성막용 가스를 기판에 공급하는 인젝터로서,
    상기 인젝터의 각각의 상기 기판에 대향하는 기판 대향면은, 상기 성막용 가스의 성막용 가스 공급구, 상기 성막용 가스 공급구에 대해서 상기 기판의 반송 방향의 양측에 설치되고, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제1 가스 배기구, 및 상기 제1 가스 배기구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되고, 상기 성막용 가스의 성막 성분에 대해서 불활성인 가스를 공급하는 불활성 가스 공급구를 포함하고,
    상기 인젝터는, 인젝터 부재에 의해 구성되며, 상기 인젝터 부재의 내부에, 상기 제1 가스 배기구의 각각에 접속된 2개의 연속 구멍이 설치되고,
    상기 제1 가스 배기구의 각각으로부터 연장되는 2개의 연속 구멍은, 상기 인젝터 부재의 내부에서 합류하는, 인젝터.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 인젝터는, 인젝터 부재에 의해 구성되며, 상기 인젝터 부재의 내부에, 상기 성막용 가스 공급구, 상기 제1 가스 배기구, 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍이 설치되고,
    상기 연속 구멍의 각각은, 상기 인젝터 부재의 면에 개구를 구비하고, 상기 개구에서, 성막용 가스원과 접속된 성막용 가스 공급관, 배기 장치와 접속된 배기관, 및 불활성 가스원과 접속된 불활성 가스 공급관 중 어느 하나에 접속되고,
    상기 제1 가스 배기구 및 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 접속된 관형의 연속 구멍은, 상기 인젝터 부재의 내부에서 환형을 이루고 있는 부분을 가지는, 인젝터.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우,
    상기 연속 구멍 중 상기 환형을 이루고 있는 부분은, 상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면으로부터의 높이 방향의 상이한 위치에 설치되는, 인젝터.
  11. 제7항, 제9항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인젝터 부재의 상기 기판 대향면에 대해서 수직 방향을 높이 방향으로 한 경우,
    상기 인젝터 부재는, 상기 높이 방향으로 적층되어 접합된 복수의 부재 요소에 의해 구성되며,
    상기 부재 요소의 각각은, 상기 연속 구멍을 형성하기 위한 연속 홈이 설치되고,
    상기 연속 구멍의 각각은, 상기 연속 홈이 설치된 상기 부재 요소의 접합 부분에 형성되어 있는, 인젝터.
  12. 제7항, 제9항 또는 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 대향면은, 상기 기판 상의 여분의 가스를 흡인하는 제2 가스 배기구를 더 포함하고, 상기 제2 가스 배기구는, 상기 불활성 가스 공급구의 각각에 대하여 상기 반송 방향 중 상기 성막용 가스 공급구로부터 멀어지는 쪽에 설치되는, 인젝터.
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