JPH02166735A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH02166735A JPH02166735A JP32233488A JP32233488A JPH02166735A JP H02166735 A JPH02166735 A JP H02166735A JP 32233488 A JP32233488 A JP 32233488A JP 32233488 A JP32233488 A JP 32233488A JP H02166735 A JPH02166735 A JP H02166735A
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- JP
- Japan
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- gas
- port
- susceptor
- exhaust
- inert gas
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は常圧下におけるＣＶＤ装置に関し、特にディス
パージョンヘッドの改良に関する。
パージョンヘッドの改良に関する。
従来の常圧ＣＶＤ装置は第２図に示すように、約４００
°Ｃ程度に加熱されたサセプタ１上に半導体装置２を搭
載し、サセプタ１を左右方向に移動させ、酸化膜等の絶
縁膜を半導体装置２上に堆積させるが、酸化膜を堆積さ
せるためには希釈シランガス３と酸素ガス４をディスパ
ージョンヘッド５に導入し、噴出口より吹き出させて反
応させ、半導体装置２上に酸化膜を堆積させるようにな
っていた。
°Ｃ程度に加熱されたサセプタ１上に半導体装置２を搭
載し、サセプタ１を左右方向に移動させ、酸化膜等の絶
縁膜を半導体装置２上に堆積させるが、酸化膜を堆積さ
せるためには希釈シランガス３と酸素ガス４をディスパ
ージョンヘッド５に導入し、噴出口より吹き出させて反
応させ、半導体装置２上に酸化膜を堆積させるようにな
っていた。
上述した従来の常圧ＣＶＤ装置は反応ガス（ＳｉＨ４゜
０２等）をディスパージョンヘッドに導入し、噴出口よ
り吹き出させて反応させ、余剰の反応ガスを前記噴出口
を取囲む領域で１ケないし３ケの排気口９より排気させ
る構造となっているため、サセプタ１上に残留したゴミ
を舞い上がらせて半導体装置２上にゴミを付着させたり
、余剰反応ガスが大気中に飛散して安全性に乏しいこと
や、排気口の排気風量のバランスから半導体装置が複数
搭載できるサセプタ上で膜厚の均一性が悪くなってしま
い、半導体装置への特性や外観に与える影響は大きい。
０２等）をディスパージョンヘッドに導入し、噴出口よ
り吹き出させて反応させ、余剰の反応ガスを前記噴出口
を取囲む領域で１ケないし３ケの排気口９より排気させ
る構造となっているため、サセプタ１上に残留したゴミ
を舞い上がらせて半導体装置２上にゴミを付着させたり
、余剰反応ガスが大気中に飛散して安全性に乏しいこと
や、排気口の排気風量のバランスから半導体装置が複数
搭載できるサセプタ上で膜厚の均一性が悪くなってしま
い、半導体装置への特性や外観に与える影響は大きい。
本発明の目的は前記課題を解決した常圧ＣｖＤ装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来の常圧ＣＶＤ装置に対し１本発明は反応ガ
スの吹出領域を大気中から遮断し、該領域に反応ガスを
吹き出し、余剰の反応ガスをマノメータを具備した少な
くても５つ以上の排気口から排気させ、排気風量をコン
トロールするという相違点を有する。
スの吹出領域を大気中から遮断し、該領域に反応ガスを
吹き出し、余剰の反応ガスをマノメータを具備した少な
くても５つ以上の排気口から排気させ、排気風量をコン
トロールするという相違点を有する。
前記目的を達成するため１本発明は半導体装置を搭載す
るサセプタと、該サセプタの真上に位置し、前記半導体
装置に反応ガスを吹き付けるディスパージョンヘッドと
を有する常圧ＣＶＤ装置において、ディスパージョンヘ
ッドの反応ガス噴出口を取囲む領域に大気を遮断する不
活性ガス噴出口を設け、さらに各噴出口から吹き出され
た不活性ガス及び余剰の反応ガスを排気風量を制御して
排気する排気口を装備したものである。
るサセプタと、該サセプタの真上に位置し、前記半導体
装置に反応ガスを吹き付けるディスパージョンヘッドと
を有する常圧ＣＶＤ装置において、ディスパージョンヘ
ッドの反応ガス噴出口を取囲む領域に大気を遮断する不
活性ガス噴出口を設け、さらに各噴出口から吹き出され
た不活性ガス及び余剰の反応ガスを排気風量を制御して
排気する排気口を装備したものである。
次に１本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す平面図、第１図
（ｂ）は同縦断面図である。
（ｂ）は同縦断面図である。
常圧下で酸化膜を成長するためには約４００°Ｃ程度に
加熱されたサセプタ１上に半導体装置２をのせ、ベルト
搬送にてサセプタ１を左右方向に移動し、反応ガスが吹
き出されるディスパージョンヘッド５の直下で酸化膜を
形成する（第２図参照）。
加熱されたサセプタ１上に半導体装置２をのせ、ベルト
搬送にてサセプタ１を左右方向に移動し、反応ガスが吹
き出されるディスパージョンヘッド５の直下で酸化膜を
形成する（第２図参照）。
本発明に係るディスパージョンヘッド５には反応ガス噴
出口６を取囲む領域に、Ｎ２等の不活性ガス７を流す噴
出口８を設けてあり、さらに外部に５つの排気口９を設
けてあり、バルブ１０を介してマノメータ１１にて排気
風量を管理、制御するようになっているＩＩＮＺ噴出口
８にて大気を遮断し、排気風量のバランスを取ることに
より、サセプタ１内で膜厚が均一にできるようになって
いる。
出口６を取囲む領域に、Ｎ２等の不活性ガス７を流す噴
出口８を設けてあり、さらに外部に５つの排気口９を設
けてあり、バルブ１０を介してマノメータ１１にて排気
風量を管理、制御するようになっているＩＩＮＺ噴出口
８にて大気を遮断し、排気風量のバランスを取ることに
より、サセプタ１内で膜厚が均一にできるようになって
いる。
なお、前実施例では、排気口９を５カ所としたが、排気
風量の均一性を考慮したパンチング板形状であれば、デ
ィスパージョンヘッドの上部に位置させて排気口を１カ
所にまとめることができるものである。
風量の均一性を考慮したパンチング板形状であれば、デ
ィスパージョンヘッドの上部に位置させて排気口を１カ
所にまとめることができるものである。
以上説明したように本発明の常圧ＣＶＤ装置は反応ガス
を吹き出すディスパージョンヘッドの噴出口を取囲む領
域に不活性ガスを吹き出させ、排気風量を制御できる排
気口を設けることにより、大気との反応を遮断させ、余
剰の反応ガスを排気させ、排気風量のバランス調整を行
うことにより、安全性に富み、サセプタ内、半導体装置
内間で膜厚の均一性が得られ、ゴミ付着を低減でき、半
導体装置への特性や外観を改善できる効果がある。
を吹き出すディスパージョンヘッドの噴出口を取囲む領
域に不活性ガスを吹き出させ、排気風量を制御できる排
気口を設けることにより、大気との反応を遮断させ、余
剰の反応ガスを排気させ、排気風量のバランス調整を行
うことにより、安全性に富み、サセプタ内、半導体装置
内間で膜厚の均一性が得られ、ゴミ付着を低減でき、半
導体装置への特性や外観を改善できる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の常圧ＣｖＤ装置を示す平面図、
第１図（ｂ）は同縦断面図、第２図は従来装置を示す縦
断面図である。 １・・・サセプタ ２・・・半導体装置３・
・・希釈ＳｉＨ，ガス ４・・・酸素ガス５・・
・ディスパージョンヘッド ６・・・反応ガス噴出口 ７・・・Ｎ２不活性ガス
８・・・噴出口 ９・・・排気口１０・・
・バルブ １１・・・マノメータ（ｃＬ） 第１図
第１図（ｂ）は同縦断面図、第２図は従来装置を示す縦
断面図である。 １・・・サセプタ ２・・・半導体装置３・
・・希釈ＳｉＨ，ガス ４・・・酸素ガス５・・
・ディスパージョンヘッド ６・・・反応ガス噴出口 ７・・・Ｎ２不活性ガス
８・・・噴出口 ９・・・排気口１０・・
・バルブ １１・・・マノメータ（ｃＬ） 第１図
Claims (1)
- （１）半導体装置を搭載するサセプタと、該サセプタの
真上に位置し、前記半導体装置に反応ガスを吹き付ける
ディスパージョンヘッドとを有する常圧ＣＶＤ装置にお
いて、ディスパージョンヘッドの反応ガス噴出口を取囲
む領域に大気を遮断する不活性ガス噴出口を設け、さら
に各噴出口から吹き出された不活性ガス及び余剰の反応
ガスを排気風量を制御して排気する排気口を装備したこ
とを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32233488A JPH02166735A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32233488A JPH02166735A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166735A true JPH02166735A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18142486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32233488A Pending JPH02166735A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166735A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166734A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置 |
| WO2014132892A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及びインジェクタ |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP32233488A patent/JPH02166735A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166734A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置 |
| WO2014132892A1 (ja) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及びインジェクタ |
| US10669630B2 (en) | 2013-02-28 | 2020-06-02 | Mitsui E&S Machinery Co., Ltd. | Layer-forming device and injector |
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