JP2729115B2 - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
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- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は大気圧下で被成膜基板上
にＳｉＯ2 膜及びＰ2 Ｏ5 やＢ2 Ｏ3 等をＳｉＯ2 と一
緒に含むＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜を生成する常圧ＣＶＤ装
置に関する。
にＳｉＯ2 膜及びＰ2 Ｏ5 やＢ2 Ｏ3 等をＳｉＯ2 と一
緒に含むＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜を生成する常圧ＣＶＤ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の常圧ＣＶＤ装置は、図３の縦断面
図に示すように、トレー１３上に装填された被成膜基板
１を加熱する加熱部３と、２種類以上の反応ガスを被成
膜基板１の表面で反応させる為に被成膜基板１の表面真
近に位置する反応ガス導入部９及びその反応ガス導入部
９を囲む上方排気部１４と、加熱部下方に位置する下方
排気部１５とから成る。
図に示すように、トレー１３上に装填された被成膜基板
１を加熱する加熱部３と、２種類以上の反応ガスを被成
膜基板１の表面で反応させる為に被成膜基板１の表面真
近に位置する反応ガス導入部９及びその反応ガス導入部
９を囲む上方排気部１４と、加熱部下方に位置する下方
排気部１５とから成る。
【０００３】ここでトレー１３は搬送機構により進行方
向１６に沿って一定の速度で移動する構造となってお
り、複数の被成膜基板１上に一様に均一な膜を生成する
ことを目的とする。更に、上方排気部１４と下方排気部
１５は、反応ガスの外部流出防止と発塵防止の為に設け
ているが、これらの排気の非常に微妙なバランスをとる
ことにより、各々被成膜基板１の面内での膜厚均一性を
確保している。
向１６に沿って一定の速度で移動する構造となってお
り、複数の被成膜基板１上に一様に均一な膜を生成する
ことを目的とする。更に、上方排気部１４と下方排気部
１５は、反応ガスの外部流出防止と発塵防止の為に設け
ているが、これらの排気の非常に微妙なバランスをとる
ことにより、各々被成膜基板１の面内での膜厚均一性を
確保している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の常圧ＣＶＤ
装置では、大気中で成膜を行う為、装置周辺の圧力変動
の影響を敏感に受け、装置扉の開閉や装置周辺の僅かな
差圧のかかるような壁の扉の開閉等によっても、被成膜
基板表面に形成される膜厚の均一性が悪化するという問
題がある。
装置では、大気中で成膜を行う為、装置周辺の圧力変動
の影響を敏感に受け、装置扉の開閉や装置周辺の僅かな
差圧のかかるような壁の扉の開閉等によっても、被成膜
基板表面に形成される膜厚の均一性が悪化するという問
題がある。
【０００５】また、従来の常圧ＣＶＤ技術による生成膜
厚は、図４のグラフに示すように反応ガス導入部直下で
の被成膜基板の移動方向に沿って、反応ガス導入部の中
央付近をピークとして被成膜基板移動方向前後に広がる
分布をもち、その両端と中央部とでは膜質が異る為、特
にＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜を生成した場合には、膜の厚さ
方向での膜中のＰ（リン）或いはＢ（ボロン）の濃度が
図４中にも示したように大きく波打つ現象がみられ、膜
質が膜の厚さ方向で不均一になっているという問題があ
る。
厚は、図４のグラフに示すように反応ガス導入部直下で
の被成膜基板の移動方向に沿って、反応ガス導入部の中
央付近をピークとして被成膜基板移動方向前後に広がる
分布をもち、その両端と中央部とでは膜質が異る為、特
にＰＳＧ膜やＢＰＳＧ膜を生成した場合には、膜の厚さ
方向での膜中のＰ（リン）或いはＢ（ボロン）の濃度が
図４中にも示したように大きく波打つ現象がみられ、膜
質が膜の厚さ方向で不均一になっているという問題があ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の常圧ＣＶＤ装置
は、不活性ガス導入部及び反応ガス導入部と排気部につ
ながるスリット以外は閉じた系となっている反応室と、
反応室内の被成膜基板を反応室の下方から加熱する加熱
部と、反応室を貫通する回転軸により被成膜基板を載せ
て回転するサセプターと、被成膜基板の上方に設け被成
膜基板に反応ガスを吹きつける前記反応ガス導入部と、
反応ガス導入部のまわりを一定間隔をおいて囲み排気ガ
スを通す前記スリットとを有している。
は、不活性ガス導入部及び反応ガス導入部と排気部につ
ながるスリット以外は閉じた系となっている反応室と、
反応室内の被成膜基板を反応室の下方から加熱する加熱
部と、反応室を貫通する回転軸により被成膜基板を載せ
て回転するサセプターと、被成膜基板の上方に設け被成
膜基板に反応ガスを吹きつける前記反応ガス導入部と、
反応ガス導入部のまわりを一定間隔をおいて囲み排気ガ
スを通す前記スリットとを有している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の常圧ＣＶＤ装置の縦断面
図であり、図２は横断面図である。
る。図１は本発明の一実施例の常圧ＣＶＤ装置の縦断面
図であり、図２は横断面図である。
【０００８】本実施例の常圧ＣＶＤ装置は、反応室６が
不活性ガス導入部７及び反応ガス導入部９と排気部１１
につながる部分以外は閉じた系となっており、装置周辺
の大気或いは大気圧が全く干渉しない密閉型構造となっ
ている。
不活性ガス導入部７及び反応ガス導入部９と排気部１１
につながる部分以外は閉じた系となっており、装置周辺
の大気或いは大気圧が全く干渉しない密閉型構造となっ
ている。
【０００９】また、反応室には不活性ガスを反応室６の
周囲の不活性ガス導入部７より導入して、被成膜基板１
の移動方向に対して直角な方向に設けたスリット８より
排気される。スリット８は、反応ガス導入部９と、この
反応ガス導入部９のまわりを一定間隔をおいて囲むメッ
シュとで形成されている。
周囲の不活性ガス導入部７より導入して、被成膜基板１
の移動方向に対して直角な方向に設けたスリット８より
排気される。スリット８は、反応ガス導入部９と、この
反応ガス導入部９のまわりを一定間隔をおいて囲むメッ
シュとで形成されている。
【００１０】被成膜基板１は円形のサセプター２に装填
され、加熱部３により均熱板４を通して加熱される。こ
こでサセプター２は、被成膜基板１の表面温度及び生成
される膜厚を均一にする為に、回転軸５の回りに回転す
る構造となっている。サセプター２及び被成膜基板１は
反応室６で囲まれている。また反応室６内には不活性ガ
ス導入部７より不活性ガスが導入され、スリット８を経
て排気部１１より余分な不活性ガスが排出される。
され、加熱部３により均熱板４を通して加熱される。こ
こでサセプター２は、被成膜基板１の表面温度及び生成
される膜厚を均一にする為に、回転軸５の回りに回転す
る構造となっている。サセプター２及び被成膜基板１は
反応室６で囲まれている。また反応室６内には不活性ガ
ス導入部７より不活性ガスが導入され、スリット８を経
て排気部１１より余分な不活性ガスが排出される。
【００１１】反応ガスは酸素とその他の水素化合物系ガ
スとを不活性ガスによってある程度分離した状態で、加
熱された被成膜基板１の表面に到達して反応し成膜が行
われる。そして未反応ガスや気層中での反応生成物等は
反応室６内に残溜することなく不活性ガスの流れに沿っ
て、反応ガス導入部９とスリット壁面１０の間を通って
排気部１１に排気される。ここでスリット壁面１０及び
反応ガス流出部の壁面１２はメッシュ構造となってお
り、内部より不活性ガスを吹き出すことによって、スリ
ット壁面１０及び反応ガス流出部壁面１２に反応生成物
が堆積してスリット８と反応ガス導入部９との間隔が狭
くなることによる排気状態の変化を防止する。本実施例
によれば、密閉型の反応室を備えたことによって、外部
からは大気が流入しない構造であり、ほぼ大気圧に近い
圧力下で成膜を行うことができる。
スとを不活性ガスによってある程度分離した状態で、加
熱された被成膜基板１の表面に到達して反応し成膜が行
われる。そして未反応ガスや気層中での反応生成物等は
反応室６内に残溜することなく不活性ガスの流れに沿っ
て、反応ガス導入部９とスリット壁面１０の間を通って
排気部１１に排気される。ここでスリット壁面１０及び
反応ガス流出部の壁面１２はメッシュ構造となってお
り、内部より不活性ガスを吹き出すことによって、スリ
ット壁面１０及び反応ガス流出部壁面１２に反応生成物
が堆積してスリット８と反応ガス導入部９との間隔が狭
くなることによる排気状態の変化を防止する。本実施例
によれば、密閉型の反応室を備えたことによって、外部
からは大気が流入しない構造であり、ほぼ大気圧に近い
圧力下で成膜を行うことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、反応室が
大気の干渉のない密閉構造で、且つ反応室は不活性ガス
を流入させて反応ガス導入部直下以外の領域の余分な反
応ガスを不活性ガスの流れにより排気する構造としたの
で、装置周辺の大気圧変動や大気の流れ等の影響を全く
受けず非常に安定した均一な面内分布をもつ膜厚性能が
得られ、更に、反応ガス導入部直下以外の領域では被成
膜基板表面での膜生成がほとんど行われない為、膜の厚
さ方向での膜質プロファイルがより均一なものとなると
いう効果を有する。
大気の干渉のない密閉構造で、且つ反応室は不活性ガス
を流入させて反応ガス導入部直下以外の領域の余分な反
応ガスを不活性ガスの流れにより排気する構造としたの
で、装置周辺の大気圧変動や大気の流れ等の影響を全く
受けず非常に安定した均一な面内分布をもつ膜厚性能が
得られ、更に、反応ガス導入部直下以外の領域では被成
膜基板表面での膜生成がほとんど行われない為、膜の厚
さ方向での膜質プロファイルがより均一なものとなると
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の縦断面図である。
【図２】図１の横断面図である。
【図３】従来の常圧ＣＶＤ装置の縦断面図である。
【図４】従来の膜厚方向における膜質濃度を示すグラフ
である。
である。
１ 被成膜基板 ２ サセプター ３ 加熱部 ４ 均熱板 ５ 回転軸 ６ 反応室 ７ 不活性ガス導入部 ８ スリット ９ 反応ガス導入部 １０ スリット壁面 １１ 排気部 １２ 反応ガス導入部の壁面 １３ トレー １４ 上方排気部 １５ 下方排気部 １６ 進行方向
Claims (1)
- 【請求項１】 不活性ガス導入部及び反応ガス導入部と
排気部につながるスリット以外は閉じた系となっている
反応室と、反応室内の被成膜基板を反応室の下方から加
熱する加熱部と、反応室を貫通する回転軸により被成膜
基板を載せて回転するサセプターと、被成膜基板の上方
に設け被成膜基板に反応ガスを吹き付ける前記反応ガス
導入部と、反応ガス導入部のまわりを一定間隔をおいて
囲み排気ガスを通す前記スリットと、反応室の前記サセ
プターの周囲及び前記スリット部に設けた前記不活性ガ
ス導入部とを有することを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115219A JP2729115B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115219A JP2729115B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346669A JPH04346669A (ja) | 1992-12-02 |
| JP2729115B2 true JP2729115B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=14657315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115219A Expired - Fee Related JP2729115B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729115B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101331011B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2013-11-19 | 도요타 지도샤（주） | 성막 장치 및 성막 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193129A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS6365218U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3115219A patent/JP2729115B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101331011B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2013-11-19 | 도요타 지도샤（주） | 성막 장치 및 성막 방법 |
| US9873941B2 (en) | 2010-08-27 | 2018-01-23 | Nuflare Technology, Inc. | Film-forming manufacturing apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04346669A (ja) | 1992-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971118 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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