JPS61120416A - 化学気相成長装置 - Google Patents

化学気相成長装置

Info

Publication number
JPS61120416A
JPS61120416A JP24197984A JP24197984A JPS61120416A JP S61120416 A JPS61120416 A JP S61120416A JP 24197984 A JP24197984 A JP 24197984A JP 24197984 A JP24197984 A JP 24197984A JP S61120416 A JPS61120416 A JP S61120416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
shower head
reaction gas
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24197984A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Tabuchi
明 田渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP24197984A priority Critical patent/JPS61120416A/ja
Publication of JPS61120416A publication Critical patent/JPS61120416A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置等の製造に使用される各種被膜の化
学気相成長（ＣＶ　Ｄ）装置の膜質と膜厚の均一性を向
上する改良に関する。
ＣＶＤ法による被膜は二酸化珪素（ＳｉＯ□）、窒化珪
素（ＳｉＪ＊）　、多結晶珪素（ポリＳｉ）　、燐珪酸
ガラス（ＰＳＧ）等があるが、これらの被膜は被膜の成
分を含む反応ガスを熱分解して基板表面に被着される。
近年半導体装置の大規模化、高集積化に対応して半導体
基板（ウェハ）は大口径化され、均一で良質な被膜を成
長することが困難となり、装置の面でも種々の改良が行
われている。
〔従来の技術〕
第３図は従来例によるＣＶＤ装置の模式的な断面図であ
る。
図において、１は真空容器で、この中に基板２を載せる
サセプタ３と、これに対向して反応ガスを吹き出すジャ
ワ４を設ける。
ＣＶＤはつぎのようの行われる。
ジャワ４より吹き出された反応ガスは、ヒータ５により
加熱された基板２の表面で熱分解して被膜を成長させな
がら、真空容器１に設けられた排気口６Ａ、　６Ｂより
排気される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のＣＶＤ装置では、反応ガスはジャワより出た後、
ウェハ面上をウェハの中心から外の方向へ向かって流れ
、排気口より排気される構造である。この構造ではウェ
ハの口径が大きくなるにつれ、ウェハの中心部と周辺部
ではウェハに当たるガスの濃度、履歴に差ができ、膜質
と膜厚の均一性は悪くなる。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、被膜を被着しようとする基板に対
向し、該基板に向かって反応ガスを吹き出す複数個の吹
き出し孔を有するシャワと、かつ該シャワ内に排気口を
具備する本発明による化学気相成長装置により達成され
る。
前記被膜の形成中に前記基板を回転させるようすると、
一層効果的である。
〔作用〕
本発明はガスの排気を、ウェハに対向したシャワの吹き
出し口と吹き出し口の中間の位置に設けることにより、
ガスが吹き出されてウェハに当たってからウェハ面上を
流れる距離を小さくして排気口に導くことができるため
、ガスの履歴の差を小さくし、従ってウェハ上のガス濃
度を均一に保って成長が行える。
さらにウェハを回転しながら成長することにより、被着
する膜の均一性を向上することができる。
〔実施例〕
第１図は本発明によるＣＶＤ装置の模式的な断面図であ
る。
図において、１１は真空容器で、この中に基板１２を載
せるサセプタ１３と、これに対向して反応ガスを吹き出
すジャワ１４を設ける。ジャワ１４の中には排気口１６
Ａ、１６Ｂ、・・・が設けられ、これらは一括して真空
容器１１の外に排気される。
ジャワ１４より吹き出された反応ガスは、ヒータ１５に
より加熱された基板１２の表面で熱分解して被膜を成長
させながら、ジャワ１４内に設けられた排気口１６Ａ、
　１６Ｂ、・・・より排気される。
基板１２はモータ１７により回転し、ヒータ１５はヒー
タ電源１８により加熱される。
例えば、ＰＳＧ成長の場合は反応ガスとしてモノシラン
（ＳｉＨ＊）、酸素（Ｏｔ）、フォスフイン（ＰＨ：Ｉ
）用い、こ、れらを窒素（Ｎｚ）で希釈して０．５〜１
０Ｔｏｒｒに減圧し、４００℃で熱分解して基板上に被
着する。
なお、この場合の被着速度は５０〜５００人／ｍｉｎで
ある。
第２図は本発明による排気口の付いた反応ガスジャワの
斜視図である。
図において、工４はシャワ本体、１６Ａ、１６Ｂ、・・
・。
１６Ｈは排気口、１９Ａ、　１９Ｂ、・・・はガス吹き
出し孔を示す。
被着された膜質は成長条件に太き（依存する。
例えば、５ｉ０２の場合は減圧成長すると被膜は耐湿性
を増すが、段差被覆の付は根の部分のエラチンブートが
大きくなる。またポリＳｔの場合は成長条件により、ポ
リＳｉ酸化膜の絶縁耐圧が異なる。
従来はウェハ内の膜厚分布を良（するために、成長圧力
、ガスの流量等を加減していたため、膜質を犠牲にする
こともあったが、本発明によると成長圧力は例えば、上
記の例では０．５〜１０Ｔｏｒｒとかなり広い範囲で膜
質に応じた圧力を選択することができる。
従って本発明は所望の膜質を維持することと、良い膜厚
分布を得ることを同時に満足することができる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば、ウェハの口
径が大きくなっても、ウェハの中心部と周辺部でのウェ
ハに当たるガスの濃度、履歴に差は小さくでき、膜質と
膜厚の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるＣＶＤ装置の模式的な断面図、 第２図は本発明による排気口の付いた反応ガスジャワの
斜視図、 第３図は従来例によるＣＶＤ装置の模式的な断面図なあ
る。 図において、 １は真空容器、　　　　２は基板、 ３はサセプタ、　　　　４はジャワ、 １は ５はヒータ、　　　　６Ａ、　６ｎｌ排気口、１１は真
空容器、　　　１２は基板、 １３はサセプタ、　　　１４はシャワ、１５はヒータ、 １６Ａ、　１６Ｂ、・・・、１６Ｈは排気口、１７はモ
ータ、　　　　　１８はヒータ電源、１９Ａ、　１９Ｂ
、・・・はガス吹き出し孔を示す。 革１　図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）被膜を被着しようとする基板に対向し、該基板に
    向かって反応ガスを吹き出す複数個の吹き出し孔を有す
    るシャワと、かつ該シャワ内に排気口を具備することを
    特徴とする化学気相成長装置。
  2. （２）前記被膜の形成中に前記基板を回転させるように
    したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化学
    気相成長装置。
JP24197984A 1984-11-16 1984-11-16 化学気相成長装置 Pending JPS61120416A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24197984A JPS61120416A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 化学気相成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24197984A JPS61120416A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 化学気相成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61120416A true JPS61120416A (ja) 1986-06-07

Family

ID=17082432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24197984A Pending JPS61120416A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 化学気相成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61120416A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02184022A (ja) * 1989-01-11 1990-07-18 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk Ｃｖｄ電極
KR100331544B1 (ko) * 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드
KR100960958B1 (ko) * 2007-12-24 2010-06-03 주식회사 케이씨텍 박막 증착 장치 및 증착 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02184022A (ja) * 1989-01-11 1990-07-18 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk Ｃｖｄ電極
KR100331544B1 (ko) * 1999-01-18 2002-04-06 윤종용 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드
US6478872B1 (en) 1999-01-18 2002-11-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of delivering gas into reaction chamber and shower head used to deliver gas
KR100960958B1 (ko) * 2007-12-24 2010-06-03 주식회사 케이씨텍 박막 증착 장치 및 증착 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3990792B2 (ja) 堆積プロセスにおけるＳｉＨ４ソーク及びパージの利用
KR100999336B1 (ko) 박막 제조장치
US20010007244A1 (en) Film forming apparatus and film forming method
JPH07201762A (ja) 半導体素子製造用ガス供給装置
WO2004066377A1 (ja) 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するｃｖｄ方法
WO2007020874A1 (ja) 薄膜形成方法および半導体デバイスの製造方法
JPH07507842A (ja) パターン化ウェーハ基体上の膜の化学蒸着（ｃｖｄ）法
JPH06151417A (ja) 半導体集積回路の製造方法
JPH05152208A (ja) 半導体製造装置
JPH07249618A (ja) 半導体装置の製造方法
US4781945A (en) Process for the formation of phosphosilicate glass coating
JPS61120416A (ja) 化学気相成長装置
JPH0835067A (ja) 成膜装置および成膜方法
JPH08255792A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100297733B1 (ko) 하부막질 의존성을 제거한 오존-ｔｅｏｓ 산화막 증착방법 및 다중 온도로 증착이 가능한 증착장치
JP2000340561A (ja) 成膜方法
JP7376693B2 (ja) 処理システムおよび反応体ガスを供給する方法
JP2002289615A (ja) 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP2001007097A (ja) シリコン窒化膜の成膜装置および成膜方法
JPH04278533A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05121337A (ja) 固体表面と気体とを反応させる方法
JPS6134933A (ja) プラズマ気相成長装置
JPH10144610A (ja) 半導体製造装置
JPH07116609B2 (ja) 化学気相成長装置
JPH08306676A (ja) 化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法