KR101632271B1 - 플라즈마 처리 장치 및 방법 - Google Patents
플라즈마 처리 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101632271B1 KR101632271B1 KR1020107025494A KR20107025494A KR101632271B1 KR 101632271 B1 KR101632271 B1 KR 101632271B1 KR 1020107025494 A KR1020107025494 A KR 1020107025494A KR 20107025494 A KR20107025494 A KR 20107025494A KR 101632271 B1 KR101632271 B1 KR 101632271B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- chamber
- process chamber
- back plate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 262
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 81
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 30
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 284
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 47
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 40
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
본 발명은 전반적으로 가스 소스로부터 분리된 위치에서 후면판에 결합되는 RF 전력 소스를 구비하는 플라즈마 강화 기상 증착(PECVD) 처리 챔버를 포함하고 있다. 공정 챔버 내의 RF 전력으로부터 분리된 위치로 가스를 공급함으로써, 공정 챔버에 이르는 가스 튜브 내의 기생 플라즈마 형성이 감소될 수 있다. 가스는 챔버의 복수의 위치에 공급될 수 있다. 각 위치에서, 가스가 RF 초크 또는 RF 저항기뿐만 아니라 원격 플라즈마 소스를 통과하도록 함으로써, 가스가 가스 소스로부터 공정 챔버로 공급될 수 있다.
Description
본 발명의 실시예들은 전반적으로 가스 공급부로부터 분리된 위치에서 공정 챔버와 결합되는 전력 공급부를 구비하는 공정 챔버와 관련된 것이다.
더 큰 평판 디스플레이 및 태양전지 패널에 대한 요구가 계속하여 증대됨에 따라, 더 큰 기판, 그리고 더 큰 공정 챔버에 대한 요구 또한 증대되고 있다. 공정 챔버의 크기가 증가하면서, RF 전류가 RF 소스로부터 떨어져서 흐름에 따라 발생하는 RF 전류의 손실을 상쇄하기 위하여 때로는 더 높은 RF 전류가 요구된다. 평판 디스플레이 또는 태양전지 패널용 기판 상에 물질을 증착하는 한 가지 방법으로는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor depositon; 이하 PECVD)법이 있다. PECVD에서, 공정 가스는 샤워헤드를 통해 공정 챔버 내로 도입되며 샤워헤드에 인가된 RF 전류에 의하여 플라즈마가 되도록 점화될 수 있다. 기판의 크기가 증가함에 따라, 샤워헤드에 인가되는 RF 전류 또한 대응하여 증가할 수 있다. RF 전류가 증가하면서, 샤워헤드 위에서 기생(parasitic) 플라즈마 형성의 가능성이 증가하는 것처럼, 가스가 샤워헤드를 통과하기에 앞서 조기 가스 방전파괴(premature gas breakdown)의 가능성이 증가하고 있다.
이에 충분한 RF 전류의 운반이 가능토록 하는 한편 기생 플라즈마 형성을 감소시킬 수 있는 장치에 대한 필요성이 기술분야에 존재하고 있다.
본 발명은 전반적으로 가스 소스로부터 분리된 위치에서 후면판에 결합되는 RF 전력 소스를 구비하는 PECVD 공정 챔버를 포함하고 있다. 공정 챔버 내의 RF 전력으로부터 분리된 위치에 가스를 공급함으로써, 공정 챔버에 이르는 가스 튜브 내의 기생 플라즈마 형성이 감소될 수 있다. 가스는 챔버로 복수의 위치에서 공급될 수 있다. 각 위치에서, 가스는, RF 초크(choke) 또는 RF 저항기는 물론 원격 플라즈마 소스를 통과함으로써 가스 소스로부터 공정 챔버로 공급될 수 있다.
일 실시예에서, 플라즈마 공정 장치가 개시된다. 장치는 가스 분배판 및 대체로 직사각형 형상인 후면판을 구비하는 공정 챔버, 하나 또는 둘 이상의 제1 위치에서 후면판에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 전력 소스 및 하나 또는 둘 이상의 제1 위치로부터 각각 분리된 서로 다른 세 위치에서 후면판에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 가스 소스를 포함한다. 세 위치 중 첫번째 것은 후면판의 평행한 두 측면 사이에서 실질적으로 동일한 거리를 두고 배치된다.
다른 실시예에서, PECVD 장치가 개시된다. 장치는 하나 이상의 벽, 상세하게는 측벽을 관통하는 슬릿(slit) 밸브 개구를 구비하는 공정 챔버 및 공정 챔버 내부에 배치되며 기판 지지대로부터 이격된 가스 분배 샤워헤드를 포함한다. 장치는 또한 가스 분배 샤워헤드 배후에 배치되며 가스 분배 샤워 헤드로부터 이격된 후면판을 포함할 수 있다. 후면판은 세 위치에서 후면판을 관통하는 세 개의 개구를 구비할 수 있다. 세 위치 중 제1 위치는 다른 두 위치보다 슬릿 밸브 개구로부터 더 멀리 배치될 수 있다. 장치는 또한 세 위치에서 후면판에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 가스 소스 및 세 위치로부터 이격된 위치에서 후면판에 결합되는 RF 전력 소스를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서는, 방법이 개시된다. 방법은 제1 위치를 통해 챔버 내로 공정 가스를 도입하는 단계, 공정 가스를 플라즈마가 되도록 점화시키는 단계 및 기판 상에 물질을 증착하는 단계를 포함한다. 방법은 또한, 하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스 내로 세정 가스를 도입하는 단계, 하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스 내에서 세정 가스를 플라즈마가 되도록 점화시키는 단계 및 원거리에서 점화된 세정 가스 플라즈마로부터의 라디칼을 제1 위치 및 제1 위치와 분리된 하나 이상의 다른 위치를 통해 챔버로 유동시키는 단계를 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 특징이 상세히 이해될 수 있도록 하기 위하여, 위에서 간략히 요약한 본 발명의 더욱 구체적인 설명이 실시예를 참조하여 이루어지며, 이들 실시예 중 일부는 첨부된 도면에 도시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 전형적인 실시예를 도시할 뿐이며, 본 발명은 균등한 다른 실시예에 대해서도 허용하고 있으므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(100)에 결합되는 전력 소스(102) 및 가스 소스(104)를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(200)의 개략적인 횡단면도이다.
도 2b는 RF 전류의 경로를 개략적으로 표시한 도 2a의 공정 챔버(200)의 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(300)의 후면판(302)의 개략적인 등각 투영도(isometric view)이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버와 원격 플라즈마 소스 사이의 결합을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 공정 챔버(500)의 후면판(502)의 개략적인 등각 투영도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 가스 도입 통로에 대응하는 위치를 나타내는 기판 지지대의 개략적인 평면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 장치(700)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 장치(800)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 장치(900)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
이해를 돕기 위하여, 가능한, 도면 상의 공통적인 동일한 구성요소를 가리키기 위하여 동일한 참조 번호가 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 구성요소는 특별한 부가 설명 없이 다른 실시예에서 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(100)에 결합되는 전력 소스(102) 및 가스 소스(104)를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(200)의 개략적인 횡단면도이다.
도 2b는 RF 전류의 경로를 개략적으로 표시한 도 2a의 공정 챔버(200)의 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(300)의 후면판(302)의 개략적인 등각 투영도(isometric view)이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버와 원격 플라즈마 소스 사이의 결합을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 공정 챔버(500)의 후면판(502)의 개략적인 등각 투영도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 가스 도입 통로에 대응하는 위치를 나타내는 기판 지지대의 개략적인 평면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 장치(700)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 장치(800)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 장치(900)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
이해를 돕기 위하여, 가능한, 도면 상의 공통적인 동일한 구성요소를 가리키기 위하여 동일한 참조 번호가 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 구성요소는 특별한 부가 설명 없이 다른 실시예에서 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명은 전반적으로 가스 소스로부터 분리된 위치에서 후면판에 결합되는 RF 전력 소스를 구비하는 PECVD 공정 챔버를 포함하고 있다. RF 전력으로부터 분리된 위치에서 가스를 공정 챔버 내로 공급함으로써, 공정 챔버에서 유발되는 가스 튜브 내의 기생 플라즈마(parasitic plasma) 형성이 감소될 수 있다. 가스는 복수의 위치에서 챔버로 공급될 수 있다. 각 위치에서, 가스는, RF 초크 또는 RF 저항기는 물론 원격 플라즈마 소스를 통과함으로써, 가스 소스로부터 공정 챔버로 공급될 수 있다.
본 발명은 아래에서, 캘리포니아의 산타 클라라에 위치하는 어플라이드 머터리얼즈, Inc. 산하의 AKT America, Inc.에서 구입할 수 있고, 큰 면적의 기판을 처리하는, PECVD 시스템 같은 화학 기상 증착 시스템과 관련하여 설명적으로 개시된다. 그러나, 본 발명의 장치 및 방법이, 원형의 기판을 처리하도록 구성된 이러한 시스템을 포함하는 다른 시스템 구성에도 도움이 될 수 있음이 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(100)에 결합되는 전력 소스(102) 및 가스 소스(104)를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 전력 소스(102)는 가스 소스(104)가 공정 챔버(100)에 결합되는 위치(108A, 108B)와는 위치(106)에서 다른 공정 챔버(100)에 결합된다.
비록 도 1에서 두 위치(108A, 108B)에서 가스 소스(104)를 공정 챔버(100)에 결합하는 것으로 도시되어 있으나, 상기 위치(108A, 108B)의 개수가 두 개로 제한되지 아니함은 자명하다 할 것이다. 하나의 위치(108A, 108B)가 이용될 수도 있다. 대안적으로는, 두 개보다 많은 위치(108A, 108B)가 이용될 수도 있다. 복수의 위치(108A, 108B)가 가스 소스(104)를 공정 챔버(100)에 결합하는데 이용되는 경우, 가스는 공통의 가스 소스(104)로부터 공정 챔버(100)의 복수의 위치(108A, 108B)로 유동할 수 있다. 일 실시예에서, 가스가 공정 챔버(100)로 유동하는 각 위치(108A, 108B)는 자신만의 전용 가스 소스(104)를 구비할 수 있다.
비록 도 1에서 하나의 위치(106)에서 전력 소스(102)를 공정 챔버(100)에 결합하는 것으로 도시되어 있으나, 전력 소스(102)는 공정 챔버(100)에 복수의 위치(106)에서 결합될 수 있음이 이해될 것이다. 일 실시예에서, 전력 소스(102)는 RF 전력 소스를 포함할 수 있다. 추가적으로, 비록 도 1에서 전력 소스(102)가 공정 챔버(100)의 실질적인 중심에 상응하는 위치(106)에서 공정 챔버(100)에 결합되는 것으로 도시되어 있으나, 전력 소스(102)는 공정 챔버(100)의 실질적인 중심에 상응하지 아니하는 위치(106)에서 공정 챔버(100)에 결합될 수도 있다.
비록 도 1에서 가스 소스(104)가 공정 챔버(100)의 중심으로부터 실질적으로 떨어져서 배치되는 위치(108A, 108B)에서 공정 챔버(100)에 결합되는 것으로 도시되어 있으나, 그 위치(108A, 108B)는 특별하게 제한되지 아니한다. 그 위치(108A, 108B)는 전력 소스(102)가 공정 챔버(100)에 결합하는 위치(106) 보다 공정 챔버(100)의 중심에 더 가까이 위치될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(200)의 개략적인 횡단면도이다. 공정 챔버(200)는 PECVD 챔버이다. 공정 챔버(200)는 챔버 바디(208)를 구비한다. 챔버 바디 내에서, 서셉터(254)는 가스 분배 샤워헤드(210)에 대향하여 위치되도록 배치될 수 있다. 기판(256)은 서셉터(254) 상에 배치될 수 있다. 기판(256)은 슬릿 밸브 개구(222)를 통하여 공정 챔버(200)에 들어갈 수 있다. 기판(256)의 제거 및/또는 삽입 공정을 위해, 기판(256)은 서셉터(254)에 의하여 승강 및 하강될 수 있다.
샤워헤드(210)는 샤워헤드(210)의 상류 측면(218)에서부터 하류 측면(220)까지 관통하는 복수의 가스 통로(212)를 구비할 수 있다. 샤워헤드(210)의 하류 측면(220)은 공정 동안 기판(256)을 향해 있는 샤워헤드의 측면이다.
샤워헤드(210)는 기판(256)으로부터 공정 공간(216)을 가로질러 공정 챔버(200) 내에 배치된다. 샤워헤드(210) 배후에는, 플래넘(214)이 존재한다. 플래넘(214)은 샤워헤드(210)와 후면판(202) 사이에 위치된다.
샤워헤드(210)로의 전력은 공급 라인(226)을 경유하여 후면판(202)에 결합되는 전력 소스(224)에 의해서 공급될 수 있다. 도시된 실시예에서, 전력 소스(224)는 RF 전력 소스를 포함할 수 있다. 도시된 실시예에서, 공급 라인(226)은 후면판(202)의 실질적인 중심에 상응하는 위치에서 후면판(202)에 결합된다. 전력 소스(224)가 다른 위치에서도 후면판(202)에 결합될 수 있음이 이해될 것이다.
공정 가스는 가스 소스(234)로부터 후면판(202)을 통해 공정 챔버(200)로 운송될 수 있다. 가스 소스(234)로부터의 가스는, 공정 챔버(200)에 이르기에 앞서, 원격 플라즈마 소스(228)를 통해서 흐를 수 있다. 일 실시예에서, 공정 가스는 증착을 위해 원격 플라즈마 소스(228)를 통과할 수 있으며, 이로써 공정 가스는 원격 플라즈마 소스(228) 내에서 플라즈마가 되도록 점화되지 아니한다. 다른 실시예에서, 가스 소스(234)로부터의 가스는 원격 플라즈마 소스(228) 내에서 플라즈마가 되도록 점화되고 그 이후에 공정 챔버(200)로 보내질 수 있다. 원격 플라즈마 소스(228)로부터의 플라즈마는 공정 챔버(200) 및 공정 챔버(200) 내의 노출된 구성요소들을 세정할 수 있다. 추가적으로, 플라즈마는 냉각 블록(230) 및 가스가 원격 플라즈마 소스(228) 이후에 통과하는 초크 또는 저항기(232)를 세정할 수 있다
플라즈마가 원격 플라즈마 소스(228) 내에서 점화될 때, 원격 플라즈마 소스(228)는 상당히 고온의 상태로 될 수 있다. 따라서, 초크 또는 저항기(232)가 원격 플라즈마 소스(228)의 높은 온도로 인해 크래킹(craking) 되지 않도록 하기 위하여, 초크 또는 저항기(232)와 원격 플라즈마 소스(228) 사이에 냉각 블록(230)이 배치될 수 있다.
비록 도 2a에서 두 개의 분리된 가스 소스(234)가 도시되어 있으나, 원격 플라즈마 소스(228)가 공통의 가스 소스(234)를 공유할 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, 비록 도 2a에서 각 가스 소스(234)와 후면판 사이에 원격 플라즈마 소스(228)가 결합되는 것으로 도시되어 있으나, 공정 챔버(200)가 공정 챔버(200)에 결합되는 더 많거나 더 적은 개수의 원격 플라즈마 소스(228)를 구비할 수 있음이 이해될 것이다.
도 2b는 RF 전류의 경로를 개략적으로 표시한 도 2a의 공정 챔버(200)의 횡단면도이다. RF 전류는 "스킨 이펙트(skin effect)"를 가져서, RF 전류가 전기적 전도성이 있는 물체의 외측면 상에서 흐르고 특정한 깊이로 물체에 침투한다. 따라서, 충분히 두꺼운 물체의 경우, 물체 내부에서 탐지될 수 있는 RF 전류 값은 0(zero)이 되는 반면, 물체의 외측면은 그 위를 흐르는 RF 전류를 가질 수 있고, 물체의 외측면이 RF "핫(hot)" 상태가 될 수 있다.
화살표 A는 RF 전류가 전력 소스(224)로부터 샤워헤드(210)까지 취하는 경로를 나타내고 있다. RF 전류는 전력 소스(224)에서부터 공급 라인(226)을 따라 흐른다. 도 2b의 위치 236에서, RF 전류는 후면판(202)과 마주치고 후면판(202)의 후면을 따라서 샤워헤드(210)의 상류 표면(220) 아래로 유동한다.
가스는 위치(238)에서 후면판(202)을 통해 공정 챔버(200)로 들어간다. 화살표 B는, 가스가 공정 챔버(200)로 들어가는 위치(238)와 RF 전류가 후면판(202)과 마주치는 위치(236) 사이의 거리를 나타낸다. RF 전류가 흐름에 따라, RF 전류는 방산하는 경향이 있을 수 있다. 다시 말하여, 전력 소스(224)를 떠나는 RF 전류는 더 아래 라인의 전력 레벨과 비교해 볼 때 더 높은 전력 레벨을 가질 수 있다. 도 2b에 도시된 일 실시예에서, 가스가 공정 챔버(200)로 들어가는 위치(238)를 지남에 따라, 위치(236)에서의 RF 전류는 후면판(202)을 따라 유동하는 RF 전류와 비교해 볼 때 더 높은 전력 레벨을 가질 수 있다. 위치(236)에 비해 위치(238)에서 전력의 양이 더 낮음으로 인하여 공정 챔버(200)로 들어가는 가스를 보유하는 튜브(240) 내에서 가스가 점화될 가능성이 감소될 수 있다. 튜브(240) 내에서 공정 가스가 점화될 가능성이 감소되기 때문에 튜브(238), 초크 또는 저항기(232), 냉각 블록(230), 원격 플라즈마 소스(228) 및 샤워헤드(210) 배후의 플래넘(214) 내에서의 기생 플라즈마 형성이 감소될 수 있다. 일 실시예에서, 튜브(240)는 세라믹 물질을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(300)의 후면판(302)의 개략적인 등각 투영도(isometric view)이다. 위치(324)에서 RF 전력 소스(304)가 후면판(302)에 결합함으로써, RF 전력은 챔버(300)에 공급될 수 있다. 비록 도 3에서 위치(324)가 후면판(302)의 실질적인 중심과 상응하는 위치인 것으로 도시되어 있으나, 위치(324)가 후면판(302) 상의 다양한 다른 지점에 위치할 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, 하나보다 많은 위치(324)가 동시에 이용될 수도 있다.
공통의 가스 소스(308)는 공정 챔버(300)로 가스를 공급할 수 있다. 비록 도 3에서 하나의 가스 소스(308)가 도시되고 있으나, 다양한 개수의 가스 소스(308)가 이용될 수 있음이 이해될 것이다. 가스 소스(308)로부터의 가스는 가스 튜브(310)를 통해서 원격 플라즈마 소스(306)로 공급될 수 있다. 비록 도 3에서 원격 플라즈마 소스(306)가 네 개인 것으로 도시되고 있으나, 더 많거나 더 적은 개수의 원격 플라즈마 소스(306)가 이용될 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, 도 3에서 원격 플라즈마 소스(306)가 후면판(302) 위에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 원격 플라즈마 소스(306)가 후면판(302) 부근에 배치될 수 있음이 이해될 것이다.
가스 소스(308)로부터의 가스는 원격 플라즈마 소스(306)로 가스 튜브(310)를 통과한다. 공정 챔버(300)가 세정 모드로 작동하고 있다면, 원격 플라즈마 소스(306) 내의 가스는 플라즈마가 되도록 점화되고 냉각 블록(314)과 초크 또는 저항기(322)를 통해서 공정 챔버(300)로 공급될 수 있다. 그러나, 공정 챔버(300)가 증착 모드로 작동하고 있다면, 가스는 플라즈마가 되도록 점화되는 일 없이 원격 플라즈마 소스(306)를 통과할 것이다. 플라즈마가 되도록 점화되지 아니한다면, 세정 가스는 비-플라즈마 상태로 공정 챔버로 들어가게 되며, 이는 세정 비효율성을 야기할 수 있을 것이다.
하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스(306)가 작동 불능 되거나 효율적으로 작동하지 아니한다면, 원격 플라즈마 소스(306)는 가동 중단될 수 있다. 다른 원격 플라즈마 소스(306)가 원하는 대로 작동한다면, 비-기능 원격 플라즈마 소스(306)를 통해 공정 챔버(300) 내로 유동하는 세정 가스는 공정 챔버(300)에 들어가기에 앞서 점화되지 아니할 것이다. 이런 시나리오에서는, 공정 챔버(300) 세정은 효율적으로 진행되지 못할 수 있다.
표 1
표 1은 하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스(이하 RPS)가 작동하지 아니하는 때의 챔버 세정 효과를 나타내고 있다. 챔버는 SiN 증착 후에 세정된다. 표 1의 데이터에서, RPS가 작동하지 아니할 때, 가스는 챔버로 RPS 유닛을 통해서 계속 유동한다. 표 1로부터 알 수 있듯이. 하나 또는 둘 이상의 RPS 유닛이 기능하는 것을 중단하였으나 세정 가스가 RPS 유닛을 통해서 계속 유동할 때, 세정 시간은 증가된다. 그러나, RPS 유닛이 작동 불능 되었지만 작동 불능된 RPS 유닛으로의 가스가 공급 중단되었을 때, 세정 시간은 증가하지 않을 수 있다.
표 2
표 2에서 보여지는 바와 같이, 작동 불능된 RPS 유닛으로의 가스 공급을 중단함으로써, 세정 비율이 실질적으로 유지될 수 있다. 그러므로, 세정 가스가 비-작동 원격 플라즈마 소스(306)를 통해서 유동하고 원격 플라즈마 소스(306) 내에서 플라즈마가 되도록 점화되는 일 없이 공정 챔버(300)로 들어가는 것을 막기 위하여, 가스 라인(310) 내의 밸브(312)를 닫는 것은 유익할 수 있다. 따라서, 밸브(312)를 닫음으로써, 가스 유동이 비-작동 원격 플라즈마 소스(306)로부터 다른 곳으로 전환될 수 있다. 그러므로, 이후에 공정 챔버(300)는 후면판(302)에 결합되는 더 적은 개수의 원격 플라즈마 소스(306)를 이용하여 세정될 수 있다. 일 실시예에서, 밸브(312)는 원격 플라즈마 소스(306) 이후에 위치될 수 있다.
원격 플라즈마 소스(306)를 통과한 후에, 가스는 냉각 블록(314)을 통과할 수 있다. 냉각 블록(314)은 냉각 튜브(318)를 통하여 냉각 블록(314)으로 냉각 유체를 유동시키는 냉각 소스(316)에 결합될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 블록(314) 외부로 그리고 냉각 튜브(320)를 통해서 냉각 유체 소스(316)로 다시 유동할 수 있다. 냉각 블록(314)은, 초크 또는 저항기(322)의 크래킹이 감소될 수 있도록, 원격 플라즈마 소스(306)와 초크 또는 저항기(322) 사이에 인터페이스(interface)를 제공한다.
냉각 블록(314)을 통과한 후에, 가스는 초크 또는 저항기(322)를 통과한다. 일 실시예에서, 초크 또는 저항기(322)는 세라믹 같은 전기적 절연 물질을 포함할 수 있다. 전기적 절연 물질은 RF 전력이 가스가 유동하는 경로를 따라 흐르는 것을 방지할 수 있다. 가스는 위치(326)에서 후면판(302)을 통해 공정 챔버(300)로 들어갈 수 있다. 비록 도 3에서 위치(326)가 네 개인 것으로 도시되어 있으나, 더 많은 또는 더 적은 개수의 위치(326)가 공정 챔버(300)로 가스를 도입시키는데 이용될 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, 위치(326)는 후면판(302)의 코너 부근에 위치될 필요는 없다. 예를 들면, 위치(326)는 후면판(302)의 중심에 가까이 위치될 수 있다.
추가적으로, RF 전력이 후면판(302)에 결합하는 위치(324)와 가스가 공정 챔버(300)로 들어가는 위치(326)는 도 3에 도시된 위치로 한정되지 아니한다. 위치(324)는 후면판(302)의 에지에 가까이 위치될 수 있으며, 하나 또는 둘 이상의 가스 공급 위치(326)가 후면판(302)의 중심에 상응하는 영역에 위치될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버와 원격 플라즈마 소스 사이의 결합을 개략적으로 나타내는 도면이다. 초크 또는 저항기(400)는 냉각 블록(402)과 연결 블록(404) 사이에서 결합될 수 있다. 도 4에 저항기(400)가 도시되고 있는데, 이는 초크를 대신하여 이용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 초크를 구성하기 위해서, 구리 코일과 같은 금속 코일이 저항기(400) 외측 주위를 감싼다. 연결 블록(404)은 초크 또는 저항기(400)를 통해서 유동하는 가스를 후면판 내로 유동하게 하는 튜브(406)에 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 튜브(406)는 세라믹을 포함할 수 있다. 추가적으로, 일 실시예에서, 연결 블록(404)은 세라믹을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 연결 블록(404)은 스테인리스 스틸을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 연결 블록(404)은 알루미늄을 포함할 수 있다. 연결 블록(404)이 금속을 포함할 때, 전기적 절연 물질이 초크 또는 저항기(400)의 튜브(412)와 튜브(406)를 챔버에 연결시키는 튜브를 위해서 이용될 수 있다. 냉각 블록(402)은 금속을 포함할 수 있다.
초크 또는 저항기(400)는 가스가 챔버에까지 이르기 위하여 통과하는 내부 튜브(412)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 내부 튜브(412)는 전기적 절연 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 내부 튜브(412)는 세라믹을 포함할 수 있다. 내부 튜브(412)는 케이스(414) 내부에 존재할 수 있다. 일 실시예에서, 케이스(414)는 전기적 절연 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 케이스(414)는 세라믹을 포함할 수 있다. 전기적 절연 물질은 공정 가스가 RF 전류에 노출되는 일 없이 튜브 내부로 유동하도록 한다.
케이스(414) 및 튜브(412)는, 일 단부(410)에서 연결 블록(404)에 연결될 수 있으며, 다른 단부(408)에서 냉각 블록(402)에 연결될 수 있다. 도시되지는 않았으나, 몇몇 실시예에서 전기적 전도 물질이 케이스(414) 주위에 감겨질 수 있다. 전기적 전도 물질은, 필요에 따라 접지로의 추가적인 RF 전류 경로를 제공하는데 이용될 수 있다.
도 5는 가스 공급을 위한 세 위치를 보여주는 일 실시예에 따른 공정 챔버(500)의 후면판(502)의 개략적인 등각 투영도이다. 세 위치는 실질적으로 기판 위의 중심에 있을 수 있고, 상기 기판은 실질적으로 동등한 세 영역으로 가상적으로 분할된다. 도 5의 점선은 실질적으로 동등한 세 영역을 분할하고 있다. 위치(524)에서 RF 전력 소스(504)를 후면판(502)에 결합시킴으로써, RF 전력이 챔버(500)로 공급될 수 있다. 비록 도 5에서 위치(524)가 후면판(502)의 실질적인 중심에 상응하는 것으로 도시되어 있으나, 위치(524)가 후면판(502) 상의 다양한 다른 지점에 위치될 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, 하나 보다 많은 위치(524)가 동시에 이용될 수 있다.
공통의 가스 소스(508)는 공정 챔버(500)로 가스를 공급할 수 있다. 비록 도 5에서 가스 소스(508)가 하나인 것으로 도시되어 있으나, 복수의 가스 소스(508)가 이용될 수 있음이 이해될 것이다. 가스 소스(508)로부터의 가스는 가스 튜브(510)를 통해서 원격 플라즈마 소스(506)로 공급될 수 있다. 비록 도 5에서 원격 플라즈마 소스(506)가 후면판(502) 위에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 원격 플라즈마 소스(506)가 후면판(502) 부근에 배치될 수 있음이 이해될 것이다.
가스 소스(508)로부터의 가스는 가스 튜브(510)를 통해서 원격 플라즈마 소스(506)로 공급될 수 있다. 공정 챔버(500)가 세정 모드로 작동한다면, 원격 플라즈마 소스(506) 내의 가스는 플라즈마 및 라디칼로 점화되고 이후에 냉각 블록(514) 및 초크 또는 저항기(522)를 통해서 공정 챔버(500)로 공급될 수 있다. 그러나, 공정 챔버가 증착 모드로 작동한다면, 가스는 플라즈마가 되도록 점화되는 일 없이 원격 플라즈마 소스(506)를 통과할 것이다. 플라즈마가 되도록 점화되지 아니한다면, 세정 가스는 비-플라즈마 상태로 공정 챔버로 들어가게 되며, 이는 세정 비효율성을 야기할 수 있을 것이다.
세정 가스가 비-작동 원격 플라즈마 소스(506)를 통해서 유동하고 원격 플라즈마 소스(506) 내에서 플라즈마가 되도록 점화되는 일 없이 공정 챔버(500)로 들어가는 것을 막기 위하여, 가스 라인(510) 내의 밸브(512)를 닫는 것은 유익할 수 있다. 이로써, 밸브(512)를 닫음으로써, 가스 유동이 비-작동 원격 플라즈마 소스(506)로부터 다른 곳으로 전환될 수 있다. 그러므로, 이후에 공정 챔버(500)는 후면판(502)에 결합되는 더 적은 개수의 원격 플라즈마 소스(506)를 이용하여 세정될 수 있다. 일 실시예에서, 밸브(512)는 원격 플라즈마 소스(506) 이후에 위치될 수 있다.
원격 플라즈마 소스(506)를 통과한 후에, 가스는 냉각 블록(514)을 통과할 수 있다. 냉각 블록(514)은 냉각 튜브(518)를 통하여 냉각 블록(514)으로 냉각 유체를 유동시키는 냉각 소스(516)에 결합될 수 있다. 냉각 유체는 냉각 블록(514) 외부로 그리고 냉각 튜브(520)를 통해서 냉각 유체 소스(516)로 다시 유동할 수 있다. 냉각 블록(514)은, 초크 또는 저항기(522)의 크래킹이 감소될 수 있도록, 원격 플라즈마 소스(506)와 초크 또는 저항기(522) 사이에 인터페이스를 제공한다.
냉각 블록을(514)을 통과한 후에, 가스는 초크 또는 저항기(522)를 통과한다. 일 실시예에서, 초크 또는 저항기(522)는 세라믹 같은 전기적 절연 물질을 포함할 수 있다. 전기적 절연 물질은 RF 전력이 가스가 유동하는 경로를 따라 이동하는 것을 방지할 수 있다. 가스는 위치(526)에서 후면판(502)을 통해 공정 챔버(500)로 들어갈 수 있다.
추가적으로, RF 전력이 후면판(502)에 결합하는 위치(524)와 가스가 공정 챔버(500)로 들어가는 위치(526)는 도 5에 도시된 위치로 한정되지 아니한다. 위치(524)는 후면판(502)의 에지에 가까이 위치될 수 있으며, 하나 또는 둘 이상의 가스 공급 위치(526)가 후면판(502)의 중심에 상응하는 영역에 위치될 수도 있다.
도 6은 가스 도입 통로에 대응하는 위치를 나타내는 서셉터의 개략적인 도면이다. 도시된 바와 같이, 서셉터는 길이(L1-L3)와 넓이(W1-W3)가 실질적으로 동일한, 실질적으로 동등한 세 영역으로 분할되었다. 각 영역의 센터(602)는 상부에 가스 도입 통로가 후면판을 관통하여 형성되는 위치에 대응한다. 센터(602) 및 이로써 가스 도입 통로들은 가상의 삼각형(점선에 의하여 도시됨)이 실질적으로 동일한 두 개의 각도들(α) 그리고 각도(α)와 동일할 수도 혹은 동일하지 않을 수도 있는 다른 각도(β)를 가지도록 배열된다. 각도(β)가 각도(α)와 동일한지 여부는 서셉터의 레이아웃(layout)에 의해 결정될 것이다.
비록 도 6에서 서셉터에 대하여 도시하고 있으나, 가스 통로가 서셉터 상에 배치되는 기판의 실질적으로 동등한 세 영역 위의 중심에 위치하도록 위에서 설명된 배열이 기판에 동일하게 적용될 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 통로가 후면판의 실질적으로 동등한 세 영역의 중심을 관통하며 위치하도록 위에서 설명된 배열이 후면판 자체에 동일하게 적용될 수 있다. 추가적으로, 가스 통로가 샤워헤드 또는 전극의 실질적으로 동등한 세 영역 위의 중심에 위치하도록 위에서 설명된 배열이 샤워헤드 또는 전극에 동일하게 적용될 수 있다.
도 7은 다른 실시예에 따른 장치(700)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 장치(700)는 PECVD 장치일 수 있다. 장치(700)는 후면판(702)을 포함한다. 가스 소스(704)는 공정 챔버에 공정 가스뿐만 아니라 세정 가스도 공급한다. 비록 도 7에서 가스 소스(704)가 하나인 것으로 도시되고 있으나, 복수의 가스 소스가 이용될 수 있음이 이해될 것이다.
증착 동안, 공정 가스는 가스 소스(704)로부터 공정 챔버로 공급된다. 공정 가스는, 개구(724, 726, 728; 가상으로 표시됨)에서 후면판(702)을 통해서 공정 챔버로 들어가기 이전에, 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710), 냉각 블록(712, 714, 716) 및 가스 공급 블록(718, 720, 722)을 통해서 흐른다. 냉각 블록(712, 714, 716)은 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710)와 가스 공급 블록(718, 720, 722) 사이의 연결을 제공하는데 이용된다. 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710)는 플라즈마에 의해 너무 높은 온도에 이를 수 있어서, 가스 공급 블록(718, 720, 722)과 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710) 사이의 온도 차이는 어느 한쪽의 작동 불능을 야기시킬 수 있다. 냉각 블록(712, 714, 716)은 시스템 작동 불능의 가능성을 감소시킬 수 있다.
RF 전력은 매칭 네트워크(732)를 통하여 후면판(702)에 결합되는 전력 소스(730)로부터 공정 챔버에 제공될 수 있다. 도시된 바와 같이, RF 전력은 후면판(702)의 실질적인 중심(734)에서 후면판(702)에 결합될 수 있다. 전력 소스(730)가 후면판(702)의 중심(734) 외의 다른 위치에서 또는 후면판(702)의 중심(734)을 대체하는 다른 위치에서 후면판(702)에 결합될 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, RF 전력은 약 10MHz 내지 100MHz 사이의 주파수로 운반될 수 있다. RF 전력이 운반되는 위치는 가스가 운반되는 위치로부터 이격되어 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 가스가 후면판(702)을 통해서 공정 챔버로 들어오면서 통과하는 개구(724, 726, 728)는, 전력 소스(730)가 후면판(702)에 결합되는 위치로부터 분리된 공정 챔버의 위치로 가스가 들어가도록, 후면판(702)의 중심(734)으로부터 이격되어 있다. 도 7에 도시된 실시예에서, 개구(724, 726, 728)는 각각 후면판(702)의 중심(734)으로부터 실질적으로 동일하게 이격된다. 이로써, 개구(724, 726, 728)는 점선(740)에 의하여 도시된 공통 반지름(748, 750, 752)의 중심(734)으로부터 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 개구(724, 726, 728)는 후면판(702)의 중심(734)으로부터 약 25 내지 30 인치만큼 이격될 수 있다.
RF 공급 위치로부터 개구(724, 726, 728)를 이격시킴으로써, 공정 챔버의 외측에 위치하는 가스 공급 블록(718, 720, 722) 또는 냉각 블록(712, 714, 716) 내부에서 또는 근처에서 기생 플라즈마의 점화 가능성이 감소될 수 있다. RF 포텐셜 차이는 RF가 챔버로 들어가는 챔버 내의 위치에서 가장 큰데, 이는 RF 전류가 벽을 따라서 리턴함에 의하여 RF 리턴 경로가 매우 가깝기 때문이다. 가스가 챔버 내로 공급되는 위치로부터 멀어져서 RF 전력이 챔버에 결합되는 위치를 가짐으로써, 개구(724, 726, 728)는 RF 포텐셜 차이가 감소되는 위치에 있게 된다. 이에 따라, 기생 플라즈마의 형성에 대한 포텐셜이 감소된다.
추가적으로, 개구(724, 726, 728)는 미리 정하여진 각도(α)만큼 간격을 두고 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 각도(α)는 120°이다. 도 7의 화살표 C 및 D에 의하여 도시되는 바와 같이, 세 개의 개구(724, 726, 728) 중 제1 개구(724)가 후면판(702)의 두 측면(754, 756)으로부터 실질적으로 동일하게 이격되도록 도시된다. 제1 개구(724)는 중심(734)으로부터 이격되며, 따라서 측면(736)과 측면(738) 사이의 중심에 위치되지 아니한다. 다른 두 개구(726, 724)는 어떠한 측면들(736, 738, 754, 756) 사이의 중심에도 위치되지 아니한다.
세 개의 개구(724, 726, 728)가 있기 때문에 후면판(702)을 통해서 공정챔버 내로 흐르는 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디칼을 조절하는 것이 가능하다. 예를 들면, 밸브(742, 744, 746)는 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디칼이 미리 정하여진 방법으로 개구(724, 726, 728)를 통해서 공정 챔버로 들어가도록 선택적으로 개폐될 수 있다. 예를 들면, 공정 가스 및/또는 세정 가스는, 다른 개구(724, 726, 728)를 통해서 운반되는 일 없이 하나의 개구(724, 726, 728)를 통해서 선택적으로 운반될 수 있다. 본질적으로, 공정 챔버 내의 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디칼을 교반하기 위하여, 가스가 챔버로 들어갈 수 있을 때에 통과하는 개구(724, 726, 728)는 계속적으로 스위칭(switching) 될 수 있다. 공정 가스를 위하여, 챔버 내부에서 점화되는 플라즈마는 이러한 과정에 의하여 교반될 수 있다. 유사하게, 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710)로부터 운반될 수 있는 라디칼은 교반될 수 있다.
장치(700)는 공정 챔버 내부에 기판이 공정 챔버 내로 들어가고 나갈 수 있도록 하는 공정 챔버 내로의 슬릿 밸브 개구를 가질 것이다. 도 7에 도시된 실시예에서, 장치의 측면(736)은 슬릿 밸브 개구를 가진다. 그러므로, 개구(724)는 개구(726, 728)보다 슬릿 밸브 개구로부터 더 멀리 떨어져서 배치된다.
챔버 내의 슬릿 밸브 개구는 챔버 내부에서의 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 슬릿 밸브 개구를 구비하는 벽이 다른 세 개의 벽과는 다르기 때문에 슬릿 밸브 개구는 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 후면판(702)에 인가되는 RF 전류는 그것의 전력 소스(730)로 리턴하려고 한다. 그렇게 리턴할 때에, RF 전류는 챔버 벽을 따라서 다시 전력 소스(730)로 흐른다. 플라즈마의 RF 포텐셜 대 벽의 RF 포텐셜의 차이 때문에 챔버 벽을 따라서 다시 전력 소스(730)로 흐르는 RF 전류는 플라즈마에 영향을 줄 수 있다. 슬릿 밸브 개구를 구비하는 벽은 다른 벽과는 다르기 때문에 RF 포텐셜 차이로 인하여 슬릿 밸브 개구에 의해 플라즈마 분배는 영향을 받을 수 있다. 불균일한 플라즈마 분배는 기판 상에의 불균일한 증착을 야기할 수 있다.
챔버 내로의 공정 가스 유동 또한 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 플라즈마의 농도가 더 높을수록 물질의 증착은 더 커진다. 놀랍게도, 공정 가스가 세 개의 개구(724, 726, 728) 모두를 통해서 공정 챔버로 운반될 때에, 다른 영역에서보다 기판의 중심 영역 상에서 발생하는 증착 양이 더 크다는 사실이 발견되었다. 따라서, 증착 물질은 '센터 하이(center high)' 상태가 될 것이다. 그러나, 다른 개구(726, 728)를 통한 유동을 차단하고 공정 가스가 오직 하나의 개구(724)를 통해서 공정 챔버 내로 공급될 때에, 기판 상에서의 증착은 더 균일하다. 이로써, 다른 개구(726, 728)를 통하지 않고 오직 하나의 개구(724)를 통하는 공정 가스의 공급은 '센터 하이(center high)' 효과를 감소시킨다.
개구(726) 또는 개구(728)를 통하지 않고 개구(724)를 통하여 공급하는 것은, 개구(724)가 실질적으로, X 방향이 아닌 Y 방향의 측면들(754, 756) 사이의 중심에 위치되기 때문에 유익하다. 반면에, 개구(726, 728)는 X 및 Y 방향의 어느 중심에도 위치되지 아니한다. 개구(724)는 측면(754)과 측면(756) 사이의 중심에 위치되기 때문에 Y 방향으로의 가스 분배가 실질적으로 균일할 것이 예상된다. 개구(724)는 "X" 방향의 중심(734)에서 벗어나 있기 때문에 가스 분배가 X 방향으로 균일하지 아니할 수 있다. 이로써, 개구(726, 728)와는 대립적으로, 개구(724)는 하나 이상의 차원의 제어 가능성을 제공한다. 공정 가스가 오직 개구(724)를 통하여 운반되도록 하기 위하여, 밸브(742, 746)는 증착 동안 닫혀있을 수 있다.
반면에, 챔버를 세정하는 동안, 공정 챔버를 효율적으로 세정하기 위해, 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710) 내에서 생성된 플라즈마로부터 운반되는 라디칼은 세 개의 개구(724, 726, 728) 모두를 통하여 들어갈 수 있다.
일 실시예에서, 장치(700)는 아래와 같이 작동할 수 있다. 밸브(742 및 746)는 공정 가스가 개구(726, 728)를 통해서 공정 챔버 내로 들어가는 것을 방지하기 위해 닫힐 수 있다, 따라서, 공정 가스는 원격 플라즈마 소스(708, 710), 냉각 블록(714, 716) 또는 가스 공급 블록(722, 724)을 통과하지 아니한다. 밸브(744)는 개방될 것이고, 공정 가스는 원격 플라즈마 소스(706), 냉각 블록(712), 가스 공급 블록(718)을 통해서 그리고 개구(724)를 통해서 공정 챔버 내로 흐를 것이다. 공정 가스는 플라즈마가 되도록 점화되는 일 없이 원격 플라즈마 소스(706)를 통해서 흐를 것이다. 하나의 개구(724) 만을 통하여 공정 챔버 내로 가스를 공급함으로써, 공정 가스의 양은 제어되고 중심에서의 높은 증착의 포텐셜이 감소될 수 있다. 가스가 세 개의 개구(724, 726, 728) 모두를 통해서 공급된다면, 증착은 불균일할 수 있으며 중심에서 높은 증착이 발생될 수 있다.
RF 전류는, 전력 소스(730)로부터 공정 챔버로 매칭 네트워크(732)를 통해서 운반되어 후면판(702)으로, 개구(724, 726, 728)와 이격된 위치에서 제공될 것이다. RF 전류는 기판 상에 물질을 증착시키기 위하여 공정 가스를 플라즈마가 되도록 점화시킬 수 있다. 공정 이후에, 기판은 제거될 수 있으며 공정 가스는 배기될 수 있다. 이후에, 공정 챔버는 세정될 수 있다. 밸브(742 및 746)는 개방되며, 세정 가스는 가스 소스(704)로부터 세정 가스가 플라즈마가 되도록 점화되는 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710)로 운반된다. 원격 플라즈마 소스(706, 708, 710)로부터의 라디칼은 냉각 블록(712, 714, 716) 및 가스 공급 블록(718, 720, 722)을 통과한 이후에 개구(724, 726, 728)를 통해서 공정 챔버 내로 들어간다. 세정 가스는 이후에 공정 챔버의 노출된 표면으로부터 오염 물질을 제거하거나 에칭할 수 있다.
세정하는 동안, 세정 가스의 양은 큰 관심 사항이 아니다. 사실상, 더 많은 세정 가스가 챔버를 적절히 세정하도록 더 많을수록 더 좋다. 따라서, 세정 가스는 세 개의 개구(724, 726, 728) 모두를 통하여 공급될 수 있다. 증착에서와 같이, 균일성이 세정에서 요구될 수 있으나, 세정 시에, 챔버의 표면은 상대적으로 세정 가스 라디칼에 반응하지 않아 챔버 표면 상에 증착된 물질이 주로 제거될 수 있다. 챔버의 임의 부분이 제거될 가능성은 거의 없다. 따라서, 더 많은 세정 가스 라디컬이 더 좋다. 가능한 많은 세정 라디칼이 존재하는 것을 보장하기 위하여, 세 개의 개구(724, 726, 728) 모두가 이용된다. 지금 막 논의된 실시예에 따르면, 세정 동안, 공급 지점의 위치 및 개수 역시 챔버에 들어가는 가스를 위해 변경된다. 세정 이후에, 공정 챔버는 배기될 수 있으며, 공정 챔버는 다시 증착을 위하여 사용될 준비를 한다.
도 8은 다른 실시예에 따른 장치(800)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 장치(800)는 PECVD 장치일 수 있다. 장치(800)는 후면판(802)을 포함한다. 가스 소스(804)는 공정 챔버로 공정 가스뿐만 아니라 세정 가스도 제공한다. 비록 도 8에 가스 소스(804)가 하나인 것으로 도시되어 있으나, 복수의 가스 소스가 이용될 수 있음이 이해될 것이다.
증착 동안, 공정 가스는 가스 소스(804)로부터 공정 챔버로 공급된다. 공정 가스는, 개구(824, 826, 828; 가상으로 표시됨)에서 후면판(802)을 통해서 공정 챔버로 들어가기 이전에, 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810), 냉각 블록(812, 814, 816) 및 가스 공급 블록(818, 820, 822)을 통해서 흐른다. 냉각 블록(812, 814, 816)은 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810)와 가스 공급 블록(818, 820, 822) 사이의 연결을 제공하는데 이용된다. 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810)는 플라즈마에 의해 너무 높은 온도에 이를 수 있어서, 가스 공급 블록(818, 820, 822)과 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810) 사이의 온도 차이에 의해서 어느 한쪽의 작동 불능이 야기될 수 있다. 냉각 블록(812, 814, 816)은 시스템 작동 불능의 가능성을 감소시킬 수 있다.
RF 전력은 매칭 네트워크를 통하여 후면판(802)에 결합되는 복수의 전력 소스(830, 832, 860, 862)로부터 공정 챔버에 공급될 수 있다. 도시된 바와 같이, RF 전력 소스(830, 832, 860, 862)는 후면판(802)의 실질적인 중심(834)으로부터 이격된 위치에서 후면판에 결합된다. 전력 소스(830, 832, 860, 862)가 후면판(802)의 중심(834)을 포함함은 물론 후면판(802)의 다른 위치에서도 후면판(802)에 결합될 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, RF 전력은 약 10MHz 내지 약 100MHz 사이의 주파수로 운반될 수 있다. RF 전력이 운반되는 위치는 가스가 운반되는 위치로부터 이격되어 있다. 추가적으로, 다른 전력 소스(830, 832, 860, 862)에 의하여 운반되는 전력의 위상은 서로 다를 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 가스가 후면판(802)을 통해서 공정 챔버로 들어오면서 통과하는 개구(824, 826, 828)는, 전력 소스(830, 832, 860, 862)가 후면판(802)에 결합되는 위치로부터 분리된 공정 챔버의 위치로 가스가 들어가도록, 후면판(802)의 중심(834)으로부터 이격된다. 도 8에 도시된 실시예에서, 개구(824, 826, 828)는 각각 후면판(802)의 중심(834)으로부터 실질적으로 동일하게 이격된다. 이로써, 개구(824, 826, 828)는 점선(840)에 의하여 도시된 공통 반지름(848, 850, 852)의 중심(834)으로부터 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 개구(824, 826, 828)는 후면판(802)의 중심(834)으로부터 약 25 내지 약 30 인치만큼 이격될 수 있다.
RF 공급 위치로부터 개구(824, 826, 828)를 이격시킴으로써, 공정 챔버의 외측에 위치되는 가스 공급 블록(818, 820, 822) 또는 냉각 블록(812, 814, 816) 내부에서 또는 근처에서 기생 플라즈마의 점화 가능성이 감소될 수 있다. RF 포텐셜 차이는 챔버 내부의 RF가 챔버로 들어가는 위치에서 가장 큰데, 이는 RF 전류가 벽을 따라서 리턴함에 의하여 RF 리턴 경로가 매우 가깝기 때문이다. 가스가 챔버 내로 공급되는 위치로부터 멀어져서 RF 전력이 챔버에 결합되는 위치를 가짐으로써, 개구(824, 826, 828)는 RF 포텐셜 차이가 감소되는 위치에 있게 된다. 이에 따라, 기생 플라즈마의 형성에 대한 포텐셜이 감소된다.
추가적으로, 개구(824, 826, 828)는 미리 정하여진 각도(α)만큼 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 각도(α)는 120°이다. 도 8의 화살표 E 및 F에 의하여 도시되는 바와 같이, 세 개의 개구(824, 826, 828) 중 제1 개구(824)가 후면판(802)의 두 측면(854, 856)으로부터 실질적으로 동일하게 이격되도록 도시된다. 제1 개구(824)는 중심(834)으로부터 이격되며, 따라서 측면(836)과 측면(838) 사이의 중심에 위치되지 아니한다. 다른 두 개구(826, 824)는 어떠한 측면들(836, 838, 854, 856) 사이의 중심에도 위치되지 아니한다.
세 개의 개구(824, 826, 828)가 있기 때문에, 후면판(802)을 통해서 공정챔버 내로 흐르는 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디칼을 조절하는 것이 가능하다. 예를 들면, 밸브(842, 844, 846)는 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디컬이 미리 정하여진 방법으로 개구(824, 826, 828)를 통해서 공정 챔버로 들어가도록 선택적으로 개폐될 수 있다. 예를 들면, 공정 가스 및/또는 세정 가스는, 다른 개구(824, 826, 828)를 통해서 운반되는 일 없이 하나의 개구(824, 826, 828)를 통해서 선택적으로 운반될 수 있다. 본질적으로, 공정 챔버 내에서 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디칼을 교반하기 위하여, 가스가 챔버로 들어갈 수 있을 때에 통과하는 개구(824, 826, 828)는 계속적으로 스위칭(switching) 될 수 있다. 공정 가스를 위하여, 챔버 내에서 점화되는 플라즈마는 이러한 과정에 의하여 교반될 수 있다. 유사하게, 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810)로부터 운반될 수 있는 라디칼은 교반될 수 있다.
장치(800)는 공정 챔버 내부에 기판이 공정 챔버로 들어가고 나갈 수 있도록 하는 공정 챔버 내로의 슬릿 밸브 개구를 가질 것이다. 도 8에 도시된 실시예에서, 장치의 측면(836)은 슬릿 밸브 개구를 가진다. 그러므로, 개구(824)는 개구(826, 828)보다 슬릿 밸브 개구로부터 더 멀리 떨어져서 배치된다.
챔버 내의 슬릿 밸브 개구는 챔버 내에서의 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 슬릿 밸브 개구를 구비하는 벽이 다른 세 개의 벽과는 다르기 때문에, 슬릿 밸브 개구는 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 후면판(802)에 인가되는 RF 전류는 그것의 전력 소스(830, 832, 860, 862)로 리턴하려고 한다. 그렇게 리턴할 때에, RF 전류는 챔버 벽을 따라서 다시 전력 소스(830, 832, 860, 862)로 흐른다. 플라즈마의 RF 포텐셜 대 벽의 RF 포텐셜의 차이 때문에 챔버 벽을 따라서 다시 전력 소스(830, 832, 860, 862)로 흐르는 RF 전류는 플라즈마에 영향을 준다. 슬릿 밸브 개구를 구비하는 벽은 다른 벽과는 다르기 때문에, RF 포텐셜 차이로 인하여 슬릿 밸브 개구에 의해 플라즈마 분배는 영향을 받을 수 있다. 불균일한 플라즈마 분배는 기판 상에의 불균일한 증착을 야기할 수 있다.
챔버 내로의 공정 가스 유동 또한 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 플라즈마의 농도가 더 높을수록, 물질의 증착은 더 커진다. 놀랍게도, 공정 가스가 세 개의 개구(824, 826, 828) 모두를 통해서 공정 챔버로 운반될 때에, 다른 영역에서보다 기판의 중심 영역 상에서 발생하는 증착 양이 더 크다는 사실이 발견되었다. 따라서, 증착 물질은 '센터 하이(center high)' 상태일 것이다. 그러나, 다른 개구(826, 828)를 통하는 유동을 방지하고 공정 가스가 오직 하나의 개구(824)를 통해서 공정 챔버 내로 공급될 때에, 기판 상에서의 증착은 더 균일하다. 이로써, 다른 개구(826, 828)를 통하지 않고 오직 하나의 개구(824)를 통하는 공정 가스의 공급은 '센터 하이(center high)' 효과를 감소시킨다.
개구(826) 또는 개구(828)를 통하지 않고 개구(824)를 통하여 공급하는 것은, 개구(824)가 실질적으로, X 방향이 아닌 Y 방향으로의 측면(854, 856) 사이의 중심에 위치되기 때문에 유익하다. 반면에, 개구(826, 828)는 X 및 Y 방향으로의 어느 중심에도 위치되지 아니한다. 개구(824)는 측면(854)과 측면(856) 사이의 중심에 위치되기 때문에, Y 방향으로의 가스 분배는 실질적으로 균일할 것이 예상된다. 개구(824)는 X 방향으로의 중심(834)에서 벗어나 있기 때문에, 가스 분배는 "X" 방향으로 균일하지 아니할 수 있다. 이로써, 개구(826, 828)와는 대립적으로, 개구(824)는 하나 이상의 차원의 제어 가능성을 제공한다. 공정 가스가 오직 개구(824)를 통하여 운반되도록 하기 위하여, 밸브(842, 846)는 증착 동안 닫혀 있을 수 있다.
반면에, 챔버를 세정하는 동안, 공정 챔버를 효율적으로 세정하기 위해, 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810) 내에서 생성된 플라즈마로부터 운반되는 라디칼은 세 개의 개구(824, 826, 828) 모두를 통하여 들어갈 수 있다.
일 실시예에서, 장치(800)는 아래와 같이 작동할 수 있다. 밸브(842 및 846)는 공정 가스가 개구(826, 828)를 통해서 공정 챔버 내로 들어가는 것을 방지하기 위해 닫힐 수 있다, 따라서, 공정 가스는 원격 플라즈마 소스(808, 810), 냉각 블록(814, 816) 또는 가스 공급 블록(822, 824)을 통과하지 아니한다. 밸브(844)는 개방될 것이고, 공정 가스는 원격 플라즈마 소스(806), 냉각 블록(812), 가스 공급 블록(818)을 통해서 그리고 개구(824)를 통해서 공정 챔버 내로 흐를 것이다. 공정 가스는 플라즈마가 되도록 점화되는 일 없이 원격 플라즈마 소스(806)를 통해서 흐를 것이다. 하나의 개구(824)만을 통하여 공정 챔버 내로 가스를 공급함으로써, 공정 가스의 양은 제어되고 중심에서의 높은 증착에 대한 포텐셜이 감소된다. 가스가 세 개의 개구(824, 826, 828) 모두를 통해서 공급된다면, 증착은 불균일할 수 있으며 이후에 중심에서 높은 증착이 발생될 수 있다.
RF 전류는, 전력 소스(830, 832, 860, 862)로부터 공정 챔버로 매칭 네트워크를 통해서 운반되어 후면판(802)으로, 개구(824, 826, 828)와 이격된 위치에 제공될 것이다. RF 전류는 기판 상에 물질을 증착시키기 위하여 공정 가스를 플라즈마가 되도록 점화시킬 수 있다. 공정 이후에, 기판은 제거될 수 있으며 공정 가스는 배기될 수 있다. 이후에, 공정 챔버는 세정될 수 있다. 밸브(842 및 846)는 개방되며, 세정 가스는 가스 소스(804)로부터 세정 가스가 플라즈마가 되도록 점화되는 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810)로 운반된다. 원격 플라즈마 소스(806, 808, 810)로부터의 라디칼은 냉각 블록(812, 814, 816), 가스 공급 블록(818, 820, 822)을 통과한 이후에 개구(824, 826, 828)를 통해서 공정 챔버 내로 들어갈 수 있다. 세정 가스는 이후에 공정 챔버의 노출된 표면으로부터 오염 물질을 제거하거나 에칭할 수 있다.
세정하는 동안, 세정 가스의 양은 큰 관심 사항이 아니다. 사실상, 더 많은 세정 가스가 챔버를 적절히 세정하도록 더 많을수록 더 좋다. 따라서, 세정 가스는 세 개의 개구(824, 826, 828) 모두를 통하여 공급될 수 있다. 증착에서와 같이, 균일성이 세정에서 요구될 수 있으나, 세정 시에, 챔버의 표면은 상대적으로 세정 가스 라디칼에 반응하지 않아 챔버 표면 상에 증착된 물질이 주로 제거될 수 있다. 챔버의 임의 부분이 제거될 가능성은 거의 없다. 따라서, 더 많은 세정 가스 라디컬이 더 좋다. 가능한 많은 세정 라디칼이 존재하는 것을 보장하기 위하여, 세 개의 개구(824, 826, 828) 모두가 이용된다. 지금 막 논의된 실시예에 따르면, 세정 동안, 공급 지점의 위치 및 개수 역시 챔버에 들어가는 가스를 위해 변경된다. 세정 이후에, 공정 챔버는 배기될 수 있으며, 공정 챔버는 다시 증착을 위하여 사용될 준비를 한다.
도 9는 다른 실시예에 따른 장치(900)를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 장치(900)는 PECVD 장치일 수 있다. 장치(900)는 후면판(902)을 포함한다. 가스 소스(904)는 공정 챔버로 공정 가스뿐만 아니라 세정 가스도 제공한다. 비록 도 9에 가스 소스(904)가 하나인 것으로 도시되어 있으나, 복수의 가스 소스가 이용될 수 있음이 이해될 것이다.
증착 동안, 공정 가스는 가스 소스(904)로부터 공정 챔버로 공급된다. 공정 가스는, 개구(924, 926, 928; 가상으로 표시됨)에서 후면판(902)을 통해서 공정 챔버로 들어가기 이전에, 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910), 냉각 블록(912, 914, 916) 및 가스 공급 블록(918, 920, 922)을 통해서 흐른다. 냉각 블록(912, 914, 916)은 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910)과 가스 공급 블록(918, 920, 922) 사이의 연결을 제공하는데 이용된다. 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910)는 플라즈마에 의해 너무 높은 온도에 이를 수 있기 때문에, 가스 공급 블록(918, 920, 922)과 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910) 사이의 온도 차이에 의해서 어느 한쪽의 작동 불능이 야기될 수 있다. 냉각 블록(912, 914, 916)은 시스템 작동 불능의 가능성을 감소시킬 수 있다.
RF 전력은 매칭 네트워크(932)를 통하여 여러 위치에서 후면판(902)에 결합되는 전력 소스(930)로부터 공정 챔버에 제공된다. 도시된 바와 같이, RF 전력 소스(930)는 후면판(902)의 실질적인 중심(932)으로부터 이격된 위치에서 후면판(902)과 결합된다. 전력 소스(930)가 후면판(902)의 중심(934)을 포함함은 물론, 후면판(902)의 중심(934)과 다른 위치에서도 후면판(902)에 결합될 수 있음이 이해될 것이다. 추가적으로, RF 전력은 약 10MHz 내지 약 100MHz의 주파수로 운반될 수 있다. RF 전력이 운반되는 위치는 가스가 운반되는 위치로부터 이격되어 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 가스가 후면판(902)을 통해서 공정 챔버로 들어오면서 통과하는 개구(924, 926, 928)는, 전력 소스(930)가 후면판(902)에 결합되는 위치로부터 분리된 공정 챔버의 위치로 가스가 들어가도록, 후면판(902)의 중심(934)과 이격된다. 도 9에 도시된 실시예에서, 개구(924, 926, 928)는 각각 후면판(902)의 중심(934)으로부터 실질적으로 동일하게 이격된다. 이로써, 개구(924, 926, 928)는 점선(940)에 의하여 도시된 공통 반지름(948, 950, 952)의 중심(934)으로부터 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 개구(924, 926, 928)는 후면판(902)의 중심(934)으로부터 약 25 내지 약 30 인치만큼 이격될 수 있다.
RF 공급 위치로부터 개구(924, 926, 928)를 이격시킴으로써, 공정 챔버의 외측에 위치되는 가스 공급 블록(918, 920, 922) 또는 냉각 블록(912, 914, 916) 내부 또는 근처에서의 기생 플라즈마의 점화 가능성이 감소될 수 있다. RF 포텐셜 차이는 챔버 내부의 RF가 챔버로 들어가는 위치에서 가장 큰데, 이는 RF 전류가 벽을 따라서 리턴함에 의하여 RF 리턴 경로가 매우 가깝기 때문이다. 가스가 챔버 내로 공급되는 위치로부터 멀어져서 RF 전력이 챔버에 결합되는 위치를 가짐으로써, 개구(924, 926, 928)는 RF 포텐셜 차이가 감소되는 위치에 있게 된다. 이에 따라, 기생 플라즈마의 형성에 대한 포텐셜이 감소된다.
추가적으로, 개구(924, 926, 928)는 미리 정하여진 각도(α)만큼 이격될 수 있다. 일 실시예에서, 각도(α)는 120°이다. 도 9의 화살표 G 및 H에 의하여 도시되는 바와 같이, 세 개의 개구(924, 926, 928) 중 제1 개구(924)가 후면판(902)의 두 측면(954, 956)으로부터 실질적으로 동일하게 이격되도록 도시된다. 제1 개구(924)는 중심(934)으로부터 이격되며, 따라서 측면(936)과 측면(938) 사이의 중심에 위치되지 아니한다. 다른 두 개구(926, 924)는 어떠한 측면(936, 938, 954, 956) 사이의 중심에도 위치되지 아니한다.
세 개의 개구(924, 926, 928)가 있기 때문에, 후면판(902)을 통해서 공정챔버 내로 흐르는 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디칼을 조절하는 것이 가능하다. 예를 들면, 밸브(942, 944, 946)는 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디컬이 미리 정하여진 방법으로 개구(924, 926, 928)를 통해서 공정 챔버로 들어가도록 선택적으로 개폐될 수 있다. 예를 들면, 공정 가스 및/또는 세정 가스는, 다른 개구(924, 926, 928)를 통해서 운반되는 일 없이 하나의 개구(924, 926, 928)를 통해서 선택적으로 운반될 수 있다. 본질적으로, 공정 챔버 내에서 공정 가스 및/또는 세정 가스 라디칼을 교반하기 위하여, 가스가 챔버로 들어갈 수 있을 때에 통과하는 개구(924, 926, 928)는 계속적으로 스위칭(switching) 될 수 있다. 공정 가스를 위해, 챔버 내에서 점화되는 플라즈마는 이러한 과정에 의하여 교반될 수 있다. 유사하게, 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910)로부터 운반될 수 있는 라디칼은 교반될 수 있다.
장치(900)는 공정 챔버 내부에 기판이 공정 챔버로 들어가고 나갈 수 있도록 하는 공정 챔버 내로의 슬릿 밸브 개구를 가질 것이다. 도 9에 도시된 실시예에서, 장치의 측면(936)은 슬릿 밸브 개구를 가진다. 그러므로, 개구(924)는 개구(926, 928)보다 슬릿 밸브 개구로부터 더 멀리 떨어져서 배치된다.
챔버 내의 슬릿 밸브 개구는 챔버 내에서의 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 슬릿 밸브 개구를 구비하는 벽이 다른 세 개의 벽과는 다르기 때문에, 슬릿 밸브 개구는 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 후면판(902)에 인가되는 RF 전류는 그것의 전력 소스(930)로 리턴하려고 한다. 그렇게 리턴할 때에, RF 전류는 챔버 벽을 따라서 다시 전력 소스(930)로 흐른다. 플라즈마의 RF 포텐셜 대 벽의 RF 포텐셜의 차이 때문에 챔버 벽을 따라서 다시 전력 소스(930)로 흐르는 RF 전류는 플라즈마에 영향을 준다. 슬릿 밸브 개구를 구비하는 벽은 다른 벽과는 다르기 때문에, RF 포텐셜 차이로 인하여 슬릿 밸브 개구에 의해 플라즈마 분배는 영향을 받을 수 있다. 불균일한 플라즈마 분배는 기판 상에의 불균일한 증착을 야기할 수 있다.
챔버 내로의 공정 가스 유동 또한 플라즈마 분배에 영향을 줄 수 있다. 플라즈마의 농도가 더 높을수록, 물질의 증착은 더 커진다. 놀랍게도, 공정 가스가 세 개의 개구(924, 926, 928) 모두를 통해서 공정 챔버로 운반될 때에, 다른 영역에서보다 기판의 중심 영역 상에서 발생하는 증착 양이 더 크다는 사실이 발견되었다. 따라서, 증착 물질은 '센터 하이(center high)' 상태일 것이다. 그러나, 다른 개구(926, 928)를 통한 유동을 방지하고 공정 가스가 오직 하나의 개구(924)를 통해서 공정 챔버 내로 공급될 때에, 기판 상에서의 증착은 더 균일하다. 이로써, 다른 개구(926, 928)를 통하지 않고 오직 하나의 개구(924)를 통하는 공정 가스의 공급은 '센터 하이(center high)' 효과를 감소시킨다.
개구(926) 또는 개구(928)를 통하지 않고 개구(924)를 통하여 공급하는 것은, 개구(924)가 실질적으로, X 방향이 아닌 Y 방향으로의 측면(954, 956) 사이의 중심에 위치되기 때문에 유익하다. 반면에, 개구(926, 928)는 X 및 Y 방향으로의 어느 중심에도 위치되지 아니한다. 개구(924)는 측면(954)과 측면(956) 사이의 중심에 위치되기 때문에, Y 방향으로의 가스 분배가 실질적으로 균일할 것이 예상된다. 개구(924)는 X 방향으로의 중심(934)에서 벗어나 있기 때문에, 가스 분배는 "X "방향으로 균일하지 아니할 수 있다. 이로써, 개구(926, 928)와는 대립적으로, 개구(924)는 하나 이상의 차원의 제어 가능성을 제공한다. 공정 가스가 오직 개구(924)를 통하여 운반되도록 하기 위하여, 밸브(942, 946)는 증착 동안 닫혀 있을 수 있다.
반면에, 챔버를 세정하는 동안, 공정 챔버를 효율적으로 세정하기 위해, 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910) 내에서 생성된 플라즈마로부터 운반되는 라디칼은 세 개의 개구(924, 926, 928) 모두를 통하여 들어갈 수 있다.
일 실시예에서, 장치(900)는 아래와 같이 작동할 수 있다. 밸브(942 및 946)는 공정 가스가 개구(926, 928)를 통해서 공정 챔버 내로 들어가는 것을 차단하기 위해 닫힐 수 있다, 따라서, 공정 가스는 원격 플라즈마 소스(908, 910), 냉각 블록(914, 916) 또는 가스 공급 블록(922, 924)을 통과하지 아니한다. 밸브(944)는 개방될 것이고, 공정 가스는 원격 플라즈마 소스(906), 냉각 블록(912), 가스 공급 블록(918)을 통해 그리고 개구(924)를 통해 공정 챔버 내로 흐를 것이다. 공정 가스는 플라즈마가 되도록 점화되는 일 없이 원격 플라즈마 소스(906)를 통해서 흐를 것이다. 하나의 개구(924)만을 통하여 공정 챔버 내로 가스를 공급함으로써, 공정 가스의 양은 제어되고 중심에서의 높은 증착에 대한 포텐셜이 감소된다. 가스가 세 개의 개구(924, 926, 928) 모두를 통해서 공급된다면, 이후에 증착은 불균일할 수 있으며 중심에서 높은 증착이 발생될 수 있다.
RF 전류는, 전력 소스(930)로부터 공정 챔버로 매칭 네트워크를 통해서 운반되어 후면판(902)으로, 개구(924, 926, 928)와 이격된 위치에서 제공될 것이다. RF 전류는 기판 상에 물질을 증착시키기 위하여 공정 가스를 플라즈마가 되도록 점화시킬 수 있다. 공정 이후에, 기판은 제거될 수 있으며 공정 가스는 배기될 수 있다. 이후에, 공정 챔버는 세정될 수 있다. 밸브(942 및 946)는 개방되며, 세정 가스는 가스 소스(904)로부터 세정 가스가 플라즈마가 되도록 점화되는 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910)로 운반된다. 원격 플라즈마 소스(906, 908, 910)로부터의 라디칼은 냉각 블록(912, 914, 916), 가스 공급 블록(918, 920, 922)을 통과한 이후에 개구(924, 926, 928)를 통해서 공정 챔버 내로 들어갈 수 있다. 세정 가스는 이후에 공정 챔버의 노출된 표면으로부터 오염 물질을 제거하거나 에칭할 수 있다.
세정하는 동안, 세정 가스의 양은 큰 관심 사항이 아니다. 사실상, 더 많은 세정 가스가 챔버를 적절히 세정하도록 더 많을수록 더 좋다. 따라서, 세정 가스는 세 개의 개구(924, 926, 928) 모두를 통하여 공급될 수 있다. 증착에서와 같이, 균일성이 세정에서 요구될 수 있으나, 세정 시에 챔버의 표면은 상대적으로 세정 가스 라디칼에 반응하지 않아 챔버 표면 상에 증착된 물질이 주로 제거될 수 있다. 챔버의 임의 부분이 제거될 가능성은 거의 없다. 따라서, 더 많은 세정 가스 라디컬이 더 좋다. 가능한 많은 세정 라디칼이 존재하는 것을 보장하기 위하여, 세 개의 개구(924, 926, 998) 모두가 이용된다. 지금 막 논의된 실시예에 따르면, 세정 동안, 공급 지점의 위치 및 개수 역시 챔버에 들어가는 가스를 위해 변경된다. 세정 이후에, 공정 챔버는 배기될 수 있으며, 공정 챔버는 다시 증착을 위하여 사용될 준비를 한다.
RF 전류가 후면판에 결합되는 지점을 공정 가스가 후면판에 결합되는 위치로부터 분리함으로써, 공정 챔버로의 가스 공급 내에서의 기생 플라즈마 형성이 감소될 수 있다.
이상이 본 발명의 실시예들에서 전술된 것이었으나, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본 범위를 벗어나지 아니하면서 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 아래의 청구항에 의하여 결정된다.
Claims (20)
- 가스 분배 샤워헤드, 및 상기 가스 분배 샤워헤드의 배후에 배치되는 직사각형 형상인 후면판을 구비하는 공정 챔버;
하나 또는 둘 이상의 제1 위치에서 상기 후면판에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 RF 전력 소스; 및
상기 하나 또는 둘 이상의 제1 위치로부터 각각 분리된 서로 다른 세 위치에서 상기 후면판에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 가스 소스 - 상기 세 위치 중 하나는 상기 후면판의 평행한 두 측면 사이에서 동일한 거리에 있는 제2 위치에 배치됨 -; 를 포함하는 플라즈마 처리 장치로서,
상기 플라즈마 처리 장치는 상기 공정 챔버의 제1 측벽을 관통하는 슬릿 밸브 개구를 더 포함하고, 그리고
상기 제2 위치는 상기 하나 또는 둘 이상의 제1 위치보다 상기 슬릿 밸브 개구로부터 더 멀리 떨어져 배치되는,
플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 장치는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 장치인,
플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 하나 또는 둘 이상의 RF 전력 소스는 분리된 위치에서 상기 후면판에 각각 결합되는 복수의 RF 전력 소스를 포함하는,
플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 세 위치는 상기 제1 위치로부터 동일한 거리를 두고 상기 제 1 위치를 중심으로 120도의 간격으로 이격되는,
플라즈마 처리 장치.
- 제1항에 있어서,
하나 이상의 가스 소스에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스를 더 포함하는,
플라즈마 처리 장치.
- 제5항에 있어서,
상기 하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스는 세 개의 원격 플라즈마 소스를 포함하는,
플라즈마 처리 장치.
- 삭제
- 삭제
- 하나 이상의 벽을 관통하는 슬릿 밸브 개구를 구비하는 공정 챔버;
기판 지지대로부터 이격되며 상기 공정 챔버 내에 배치되는 가스 분배 샤워헤드;
상기 가스 분배 샤워헤드의 배후에 그리고 상기 가스 분배 샤워헤드로부터 이격되어 배치되는 후면판 - 상기 후면판은 세 위치에서 상기 후면판을 관통하는 세 개의 개구를 구비하고, 상기 세 위치 중 하나의 위치는 다른 두 위치보다 상기 슬릿 밸브 개구로부터 더 멀리 떨어져 배치됨 -;
상기 세 위치에서 상기 후면판에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 가스 소스; 및
상기 세 위치와 이격된 위치에서 상기 후면판에 결합되는 하나 또는 둘 이상의 RF 전력 소스; 를 포함하는,
플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
- 제9항에 있어서,
상기 하나 또는 둘 이상의 RF 전력 소스는 상기 후면판의 중심에서 상기 후면판에 결합되는 하나의 RF 전력 소스를 포함하는,
플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
- 제10항에 있어서,
상기 세 위치는 각각 상기 후면판의 중심으로부터 동일한 방사상 거리를 두고 배치되는,
플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
- 제11항에 있어서,
상기 세 위치는 상기 후면판의 중심을 중심으로 120도의 간격으로 이격되어 배열되는,
플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
- 제9항에 있어서,
상기 세 위치 각각에서 상기 후면판에 결합되는 원격 플라즈마 소스를 더 포함하는,
플라즈마 강화 화학 기상 증착 장치.
- 삭제
- 순차적으로,
제1 위치를 통해서 챔버 내로 공정 가스를 도입시키는 단계;
상기 공정 가스를 플라즈마가 되도록 점화시키는 단계;
기판 상에 물질을 증착시키는 단계;
하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스 내로 세정 가스를 도입하는 단계;
상기 하나 또는 둘 이상의 원격 플라즈마 소스 내에서 상기 세정 가스를 플라즈마가 되도록 점화시키는 단계; 및
원격적으로 점화된 세정 가스 플라즈마로부터의 라디칼(radical)을 상기 제1 위치를 통해 그리고 상기 제1 위치로부터 분리된 하나 이상의 제2 위치를 통해 상기 챔버 내로 유동시키는 단계; 를 포함하고,
상기 챔버는 상기 챔버의 제1 측벽을 관통하는 슬릿 밸브 개구를 구비하고, 상기 라디칼이 관통하여 유동되는 상기 제2 위치는 상기 제1 위치보다 상기 슬릿 밸브 개구에 더 가까운,
플라즈마 처리 방법.
- 제15항에 있어서,
상기 방법은 플라즈마 강화 화학 기상 증착법인,
플라즈마 처리 방법.
- 제16항에 있어서,
상기 챔버는 점화된 세정 가스 라디칼 및 공정 가스가 도입될 때에 통과하는 후면판을 구비하고, 상기 제1 위치는 상기 후면판의 중심으로부터 이격되는,
플라즈마 처리 방법.
- 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 제2 위치는 두 위치를 포함하고, 상기 두 위치 및 상기 제1 위치는 상기 후면판의 중심으로부터 동일하게 이격되는,
플라즈마 처리 방법.
- 제18항에 있어서,
상기 두 위치 및 상기 제1 위치는 상기 후면판의 중심을 중심으로 120도의 간격만큼 이격되는,
플라즈마 처리 방법.
- 삭제
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4448108P | 2008-04-12 | 2008-04-12 | |
| US61/044,481 | 2008-04-12 | ||
| US12/271,616 | 2008-11-14 | ||
| US12/271,616 US20090255798A1 (en) | 2008-04-12 | 2008-11-14 | Method to prevent parasitic plasma generation in gas feedthru of large size pecvd chamber |
| US13938408P | 2008-12-19 | 2008-12-19 | |
| US61/139,384 | 2008-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100137565A KR20100137565A (ko) | 2010-12-30 |
| KR101632271B1 true KR101632271B1 (ko) | 2016-06-21 |
Family
ID=43511150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020107025494A KR101632271B1 (ko) | 2008-04-12 | 2009-04-09 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5659146B2 (ko) |
| KR (1) | KR101632271B1 (ko) |
| CN (1) | CN101999158A (ko) |
| TW (1) | TWI563882B (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9793096B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Systems and methods for suppressing parasitic plasma and reducing within-wafer non-uniformity |
| JP6461979B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-01-30 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 基板をパターニングするシステム及び方法 |
| US10395918B2 (en) * | 2015-05-22 | 2019-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for controlling plasma in semiconductor fabrication |
| CN111705307A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-25 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 等离子体气相沉积设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323467A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Nippon Asm Kk | 遠隔プラズマ放電室を有する半導体処理装置 |
| JP3123767B2 (ja) * | 1991-05-15 | 2001-01-15 | 日本電子株式会社 | 核磁気共鳴測定におけるゴースト信号消去方法 |
| US20050011456A1 (en) * | 2001-11-30 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and gas discharge suppressing member |
| US20060016559A1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-01-26 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03123767A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | α・β―不飽和ニトリルの製造法 |
| US5273609A (en) * | 1990-09-12 | 1993-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for time-division plasma chopping in a multi-channel plasma processing equipment |
| US6098568A (en) * | 1997-12-01 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Mixed frequency CVD apparatus |
| JP2000260598A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Sharp Corp | プラズマ発生装置 |
| JP3527450B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2004-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| US6716302B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
| JP3527914B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2004-05-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | Ｃｖｄ装置およびそれを用いたｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| JP2006128485A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Asm Japan Kk | 半導体処理装置 |
| US20060266288A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | High plasma utilization for remote plasma clean |
| US20080050932A1 (en) * | 2006-08-23 | 2008-02-28 | Applied Materials, Inc. | Overall defect reduction for PECVD films |
-
2009
- 2009-04-09 JP JP2011504181A patent/JP5659146B2/ja active Active
- 2009-04-09 CN CN2009801125995A patent/CN101999158A/zh active Pending
- 2009-04-09 KR KR1020107025494A patent/KR101632271B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-10 TW TW098112045A patent/TWI563882B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3123767B2 (ja) * | 1991-05-15 | 2001-01-15 | 日本電子株式会社 | 核磁気共鳴測定におけるゴースト信号消去方法 |
| JP2000323467A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Nippon Asm Kk | 遠隔プラズマ放電室を有する半導体処理装置 |
| US20050011456A1 (en) * | 2001-11-30 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and gas discharge suppressing member |
| US20060016559A1 (en) * | 2004-07-26 | 2006-01-26 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200948219A (en) | 2009-11-16 |
| KR20100137565A (ko) | 2010-12-30 |
| JP2011517121A (ja) | 2011-05-26 |
| JP5659146B2 (ja) | 2015-01-28 |
| TWI563882B (en) | 2016-12-21 |
| CN101999158A (zh) | 2011-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20090258162A1 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| TWI787198B (zh) | 具有改良輪廓的雙通道噴淋頭 | |
| US7572337B2 (en) | Blocker plate bypass to distribute gases in a chemical vapor deposition system | |
| US7622005B2 (en) | Uniformity control for low flow process and chamber to chamber matching | |
| KR102208576B1 (ko) | 프로세싱 챔버 내에서의 퍼징 및 플라스마 억제를 위한 방법 및 장치 | |
| KR20050088454A (ko) | 챔버 에지에서의 세정율을 개선하는 차단기 플레이트우회로 설계 | |
| CN101304630B (zh) | 用于电感耦合高密度等离子体处理室的内部平衡线圈 | |
| EP0839217B1 (en) | A plasma enhanced chemical processing reactor and method | |
| US5882414A (en) | Method and apparatus for self-cleaning a blocker plate | |
| TWI390652B (zh) | 用於半導體製程室之氣體擋板與分配器 | |
| US11049755B2 (en) | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield | |
| CN102017122B (zh) | 低轮廓性的工艺套组 | |
| US20020078893A1 (en) | Plasma enhanced chemical processing reactor and method | |
| US20050221000A1 (en) | Method of forming a metal layer | |
| JP2008524852A (ja) | 高密度プラズマ適用のための高真空中での自己冷却ガス分配装置 | |
| KR101632271B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
| KR101125885B1 (ko) | 감소된 플라즈마 침투 및 아킹을 갖는 정전척을 제공하는 방법 및 장치 | |
| US20090255798A1 (en) | Method to prevent parasitic plasma generation in gas feedthru of large size pecvd chamber | |
| TW201802990A (zh) | 用於晶圓釋氣的電漿增強式退火腔室 | |
| JP6662998B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| WO2009126827A2 (en) | Plasma processing apparatus and method | |
| KR200494683Y1 (ko) | 개선된 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 시스템들, 장치, 및 방법들 | |
| US20230390811A1 (en) | Throttle valve and foreline cleaning using a microwave source | |
| CN112640078B (zh) | 用于基板处理腔室的气体输入系统 | |
| CN117203749A (zh) | 均匀的原位清洗和沉积 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |