KR101568238B1 - 기판 가열 장치, 그것을 구비하는 액체 재료 도포 장치 및 기판 가열 방법 - Google Patents

기판 가열 장치, 그것을 구비하는 액체 재료 도포 장치 및 기판 가열 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 도포 작업의 전후에 걸쳐서, 반도체칩이 탑재된 기판의 온도 변화를 작게 하여, 접속부의 파괴를 방지할 수 있는 기판 가열 장치, 그것을 구비하는 도포 장치 및 기판 가열 방법을 제공한다.
일방향으로 반송되고, 반송 도중에 그 위에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업이 행해지는 기판을 하측으로부터 가열하기 위한 기판 가열 장치로서, 상기 기판의 바닥면에 맞닿고, 기판을 가열하는 평평한 상면, 및 상기 상면에 형성되고, 상기 기판의 바닥면에 가열용 기체를 분출하는 분출용 개구를 구비하는 가열 부재와, 가열 부재를 승강시키는 승강 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치, 그것을 구비하는 액체 재료 도포 장치 및 기판 가열 방법.

Description

기판 가열 장치, 그것을 구비하는 액체 재료 도포 장치 및 기판 가열 방법{SUBSTRATE HEATING APPARATUS, LIQUID MATERIAL APPLYING APPARATUS PROVIDED WITH SUBSTRATE HEATING APPARATUS, AND SUBSTRATE HEATING METHOD}
본 발명은, 액체 재료가 도포되는 기판을 가열하는 기판 가열 장치, 그것을 구비하는 도포 장치 및 기판 가열 방법에 관한 것이다. 특히, 반도체 패키징의 언더필(underfill) 공정에 있어서 기판이나 그 위에 탑재된 칩에 언더필 공정을 끝낼 때까지 손상을 주지 않도록 하는 기판 가열 장치, 그것을 구비하는 도포 장치 및 기판 가열 방법에 관한 것이다.
그리고, 본 명세서에서는, 반도체칩 등의 공작물이 탑재된 기판을 간단히 기판이라고 하는 경우가 있다.
반도체칩의 실장(實裝) 기술의 하나로 플립 칩 방식이라는 기술이 있다. 플립 칩 방식에서는 반도체칩(1)의 표면에 돌기 형상의 전극을 형성하고, 이것을 기판(2) 상의 전극 패드에 대하여 직접 접속한다.
플립 칩 패키지에서는, 반도체칩(1)과 기판(2)과의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하는 응력이, 접속부(3)에 집중하여 접속부(3)가 파괴되는 것을 방지하기 위하여, 반도체칩(1)과 기판(2)과의 간극에 수지(4)를 충전하여 접속부(3)를 보강한다. 이 공정을 언더필이라고 한다(도 1 참조).
언더필 공정은, 반도체칩(1)의 외주(外周)를 따라 액상(液狀) 수지(4)를 도포하고, 모세관 현상을 이용하여 수지(4)를 반도체칩(1)과 기판(2)과의 간극에 충전한 후, 오븐 등으로 가열하여 수지(4)를 경화시킴으로써 이루어진다.
최근에는, 제품의 소형화, 박형화가 더욱 진행되고, 그에 따라, 플립 칩 방식에서의 반도체칩(1)이나 기판(2) 자체도 소형화, 박형화가 진행되고 있다. 소형, 박형으로 되면 반도체칩(1)이나 기판(2)에 열이 전해지기 쉽기 때문에, 주위 온도의 영향을 받기 쉽고, 이에 따라 발생한 전술한 응력에 의해, 접속부(3)가 파괴되기 쉽다. 그래서, 언더필 공정에서의 보강을 확실하게 하고자, 수지의 점도를 낮추고, 충전하기 쉽게 하기 위해 기판을 가열하는 것이 행해지고 있다.
예를 들면, 특허 문헌 1에는, 가열된 가스를 분출함으로써 기판을 가열하는 기판 가열 장치로서, 기판의 바닥면을 향해 상측으로 돌출되어 설치된 돌출부를 가지고, 일단(一端)이 돌출부의 상면에 개구된 송풍공에, 타단이 가스 공급부에 연통된 가스 유로가 형성된 가열 유닛과, 가스 유로 내를 흐르는 가스를 가열하는 가스 가열 수단과, 가스 유로에 대한 가스의 유입을 ON/OFF하는 개폐 밸브와, 개폐 밸브의 개폐 동작을 제어함으로써 기판을 목표 온도로 가열하는 밸브 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치가 개시되어 있다.
또한, 특허 문헌 2에는, 언더필 공정에 있어서, IC 칩과 기판과의 사이에 수지를 주입할 때, IC 칩에 통전(通電)하여, IC 칩에만 가열된 열판을 접촉시키거나, 또는 IC 칩에만 진동을 가함으로써, IC 칩과 기판과의 대향하는 사이에서의 수지의 점성을 그 이외의 부위의 수지의 점성보다 낮추는 전자 부품의 실장 방법이 개시되어 있다.
특허 문헌 3에는, 반도체칩을 탑재한 TAB 테이프를 탑재하는 도포 스테이지를 가지고, 반도체칩과 TAB 테이프 사이에 수지를 공급하는 반도체 장치의 제조 장치에 있어서, 도포 스테이지 상에서 반도체칩과 TAB 테이프를 가열하는 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 장치가 개시되어 있다.
일본 특허출원 공개번호 2006-314861호 공보 일본 특허출원 공개번호 2005-45284호 공보 일본 특허출원 공개번호 2007-227558호 공보
전술한 각 특허 문헌에 기재된 바와 같이, 도포 시에만 기판을 가열하는 기판 가열 장치는 종래부터 존재하고 있었다. 그러나, 도포 전후에 걸쳐서 기판의 가열을 행하는 장치는, 출원인이 알고 있는 한 없었다. 즉, 종래의 기판 가열 장치에서는, 도포 전후의 반송(搬送) 시에는 비가열 상태로 되므로, 도포 시와 반송 시의 온도 변화가 커지고, 전술한 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하는 응력의 변화가 커지게 됨으로써, 접속부가 쉽게 파괴되는 문제점이 있었다.
이에, 본 발명은, 도포 작업의 전후에 걸쳐서, 반도체칩이 탑재된 기판의 온도 변화를 작게 하고, 접속부의 파괴를 방지할 수 있는 기판 가열 장치, 그것을 구비하는 도포 장치 및 기판 가열 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1 발명은, 일방향으로 반송되고, 반송 도중에 그 위에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업이 행해지는 기판을 하측에서 가열하기 위한 기판 가열 장치로서, 상기 기판의 바닥면에 맞닿고, 기판을 가열하는 평평한 상면, 및 상기 상면에 형성되고, 상기 기판의 바닥면에 가열용 기체를 분출하는 분출용 개구를 구비하는 가열 부재와, 가열 부재를 승강시키는 승강 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치이다.
제2 발명은, 제1 발명에 있어서, 상기 가열 부재는, 그 상면에 상기 기판의 바닥면에 흡인력을 작용시키는 흡인용 개구를 구비하고, 상기 승강 기구의 상승 위치에 있어서, 상기 흡인용 개구로부터 흡인력을 작용시켜, 상기 가열 부재의 상면을 상기 기판의 바닥면에 접촉시켜 상기 기판을 가열하고, 상기 승강 기구의 하강 위치에 있어서, 상기 분출용 개구로부터 가열된 기체를 분출시켜셔 상기 기판을 가열하는 것을 특징으로 한다.
제3 발명은, 제2 발명에 있어서, 상기 분출용 개구와 상기 흡인용 개구는 동일한 개구에 의해 구성되며, 상기 개구는 전환 밸브를 통하여 부압원(負壓源) 및 가압원(加壓源)에 접속되는 것을 특징으로 한다.
제4 발명은, 제1 발명 내지 제3 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 개구가 복수개 있는 것을 특징으로 한다.
제5 발명은, 제1 발명 내지 제4 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 복수개의 가열 부재가, 상기 기판의 반송 방향으로 연속하여 설치되는 것을 특징으로 한다.
제6 발명은, 제5 발명에 있어서, 상기 가열 부재가, 길이가 상이한 복수 종류의 가열 블록에 의해 구성되는 것을 특징으로 한다.
제7 발명은, 제1 발명 내지 제6 발명 중 어느 하나의 발명에 의한 기판 가열 장치와, 상기 액체 재료를 토출하는 토출 장치와, 상기 기판에 대하여, 상기 토출 장치를 상대 이동시키는 구동 기구와, 상기 기판을 일방향으로 반송하는 반송 기구와, 이들의 동작을 제어하는 제어부를 구비하는 액체 재료 도포 장치이다.
제8 발명은, 제7 발명에 있어서, 상기 제어부가, 기판 상에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업을 행할 때는 상기 승강 기구를 상승 위치로 하여 가열 부재의 상면을 기판의 바닥면에 접촉시키고, 기판의 반송 시에는 상기 승강 기구를 하강 위치로 하여 상기 분출구로부터 가열된 기체를 분출시키는 것을 특징으로 한다.
제9 발명은, 일방향으로 반송되고, 반송 도중에 그 위에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업이 이루어지는 기판을 하측에서 가열하기 위한 기판 가열 방법으로서, 승강 기구에 의해 상기 기판의 바닥면에 가열 부재의 평평한 상면을 맞닿게 하여, 기판을 가열하는 접촉 가열 공정과, 승강 기구에 의해 상기 기판의 바닥면과 가열 부재의 상기 상면을 이격시켜, 상기 가열 부재의 상면에 형성된 분출용 개구로부터 가열용 기체를 분출하는 비접촉 가열 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 방법이다.
제10 발명은, 제9 발명에 있어서, 상기 접촉 가열 공정에 있어서, 상기 가열 부재의 상면에 형성된 흡인용 개구로부터 흡인력을 작용시키는 것을 특징으로 한다.
제11 발명은, 제10 발명에 있어서, 상기 분출용 개구와 상기 흡인용 개구를 동일한 개구에 의해 구성하고, 상기 개구를 전환 밸브를 통하여 부압원 및 가압원에 접속하고, 상기 접촉 가열 공정에 있어서, 상기 개구와 부압원을 연통시키고, 상기 비접촉 가열 공정에 있어서, 상기 개구와 가압원을 연통시키는 것을 특징으로 한다.
제12 발명은, 제9 발명 내지 제11 발명 중 어느 하나의 발명에 있어서, 상기 기판 상에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업을 행할 때 상기 접촉 가열 공정을 실시하고, 상기 기판의 반송 시에 상기 비접촉 가열 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.
제13 발명은, 제12 발명에 있어서, 상기 도포 작업의 전후에 상기 비접촉 가열 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.
제14 발명은, 제12 발명 또는 제13발명에 있어서, 상기 도포 작업이, 언더필 공정인 것을 특징으로 한다.
제15 발명은, 제14 발명에 있어서, 상기 접촉 가열 공정 및 상기 비접촉 가열 공정에 있어서, 상기 기판의 바닥면 전체를 균등하게 가열하는 것을 특징으로 한다. 기판의 바닥면 전체를 균등하게 가열함으로써, 접속부를 더욱 효과적으로 보호할 수 있다.
본 발명의 기판 가열 장치를 다른 관점에서 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 기판 가열 장치는, 액체 재료가 도포되는 기판을 반송하는 반송 기구의 하측에 설치되어, 상기 기판을 가열하는 기판 가열 장치로서, 일단이 유통구에 연통되고, 타단이 부압원과 가압원과의 연통을 전환하는 전환 밸브에 연통되는 유로와, 상기 기판과 대향하는 면에 상기 유통구가 천설(穿設)되고, 상기 유로가 내설(內設)되는 가열 블록과, 상기 가열 블록에 내설되어, 상기 가열 블록을 가열하고, 또한 상기 유로 내의 기체를 가열하는 히터와, 상기 가열 블록에 내설되어, 상기 가열 블록의 온도를 검지하는 온도 센서와, 상기 온도 센서로부터의 신호에 기초하여 상기 히터를 제어하는 온도 제어부와, 액체 재료를 도포할 때 상기 기판을 바닥면에서부터 접촉하여 지지하는 상승 위치, 및 상기 기판을 반송할 때 상기 가열 블록의 상기 기판과 대향하는 면이 상기 기판과 이격되는 하강 위치 사이에서 상기 가열 블록을 승강 이동시키는 승강 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 가열 블록은, 상기 상승 위치에 있을 때는, 상기 전환 밸브에 의해 부압원과 연통되어 상기 유통구로부터 기체를 흡인하여, 상기 가열 블록에 바닥면으로부터 지지되는 상기 기판을 흡착하여, 상기 가열 블록을 상기 기판에 접촉시킴으로써 상기 기판을 가열하고, 상기 하강 위치에 있을 때는, 전환 밸브에 의해 가압원과 연통되어, 상기 가열 블록과 이격된 위치에 있는 상기 기판 바닥면을 향하여, 상기 히터에 의해 가열된 유로 내의 기체를 상기 유통구로부터 분출시킴으로써 상기 기판을 가열하는 것이 바람직하다. 여기에서, 상기 가열 블록에는, 복수개의 상기 유통구가 천설되고, 또한 복수개의 상기 유로가 내설되는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 유로는, 일단이 제1 유통구에 연통되고, 타단이 부압원과의 연통을 전환하는 제1 밸브에 연통되는 제1 유로와, 일단이 제2 유통구에 연통되고, 타단이 가압원과의 연통을 전환하는 제2 밸브에 연통되는 제2 유로로 나누어지고, 상기 가열 블록은, 기판과 대향하는 면에 상기 제1 유통구 및 상기 제2 유통구가 천설되어, 상기 제1 유로 및 상기 제2 유로가 내설되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 가열 블록은, 상기 상승 위치에 있을 때는, 상기 제1 밸브에 의해 부압원과 연통되어 상기 제1 유통구로부터 기체를 흡인하여, 상기 가열 블록에 바닥면으로부터 지지되는 상기 기판을 흡착하여, 상기 가열 블록을 상기 기판에 접촉시킴으로써 상기 기판을 가열하고, 상기 하강 위치에 있을 때는, 상기 제2 밸브에 의해 가압원과 연통되어, 상기 가열 블록과 이격된 위치에 있는 상기 기판 바닥면으로 향하여, 상기 히터에 의해 가열된 제2 유로 내의 기체를 상기 제2 유통구로부터 분출시킴으로써 상기 기판을 가열하는 것이 더욱 바람직하다.
여기서, 상기 가열 블록에는, 복수개의 상기 제1 유통구 및 상기 제2 유통구가 천설되면서, 또한 복수개의 상기 제1 유로 및 상기 제2 유로가 내설되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 도포 장치를 다른 관점에서 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 도포 장치는, 상기한 어느 하나의 기판 가열 장치와, 액체 재료를 토출하는 토출 장치와, 기판에 대하여, 상기 토출 장치를 상대 이동시키는 구동 기구와, 도포 장치 내로 연장되어 상기 기판을 반송하는 반송 기구와, 이들의 동작을 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 반송 기구는 복수개의 부분으로 나누어져 있고, 상기 반송 기구의 복수개의 부분 각각에 대하여 복수개의 상기 기판 가열 장치를 각각 설치하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 도포 시뿐만 아니라, 그 전후의 반송 시에도 가열을 행하므로, 예를 들면, 언더필 공정에 있어서, 반도체칩이 탑재된 기판의 온도 변화는 극히 작아, 접속부의 파괴를 방지할 수 있다.
또한, 도포 작업을 행하는 동안, 기판의 온도 변화를 극히 작게 할 수 있으므로, 액체 재료 상태가 안정되어, 도포를 안정적으로 행할 수 있다.
또한, 하나의 가열 기구에 의해 두가지의 상이한 가열 방식을 실시할 수 있으므로, 도포 시 및 비도포 시(반송 시)의 어떠한 가열도 하나의 가열 기구로 대응할 수 있다. 그러므로, 장치를 소형화할 수 있다.
도 1은 언더필 공정을 설명하는 설명도이다.
도 2는 본 발명에 따른 가열 기구의 개략적인 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 가열 기구의 주요부의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 가열 기구의 블록선도이다.
도 5는 본 발명에 따른 가열 블록 상승 위치에서의 가열 형태를 설명하는 설명도이다.
도 6은 본 발명에 따른 가열 블록 하강 위치에서의 가열 형태를 설명하는 설명도이다.
도 7은 실시예 1에 따른 도포 장치의 개략적인 사시도이다.
도 8은 실시예 1에 따른 도포 장치의 반송 기구를 설명하는 설명도이다.
도 9는 실시예 1에 따른 도포 장치에서의 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 실시예 1에 따른 도포 장치에서의 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 11은 실시예 1에 따른 도포 장치에서의 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 12는 실시예 1에 따른 도포 장치에서의 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 13은 실시예 2에 따른 가열 기구의 주요부 단면도이다.
도 14는 실시예 2에 따른 가열 기구의 블록선도이다.
본 발명을 실시하기 위한 하나의 형태를, 반도체칩이 배치된 기판에 대하여, 언더필 공정을 실시하는 경우를 예로 들어 설명한다.
[가열 기구 본체]
본 발명에 따른 기판 가열 기구(105)의 개략적인 사시도를 도 2에 나타낸다. 또한, 주요부의 단면도를 도 3, 블록선도를 도 4에 각각 나타낸다.
본 실시예에서의 가열 기구(105)의 주요 부분인 가열 블록(11)은, 대략 직육면체 형상을 하고 있으므로, 기판과 대향하는 상면(12)은 기판(2)의 크기와 대략 같은 넓이의 면으로 되어 있다.
상면(12)에는, 복수개의 제1 유통구(13) 및 복수개의 제2 유통구(14)가 일정한 간격으로 균등하게 배치되어 있다. 여기서, 도 2에 나타낸 유통구(13, 14)의 배치는 일례에 지나지 않고, 그 배치는 적절하게 변경 가능하지만, 본 실시예의 형태에 있어서는, 접속부를 보호한다는 관점에서, 기판(2)의 바닥면 전체에서 온도차가 없도록 균등한 배치를 채용하였다.
복수개의 제1 유통구(13)는 흡인용 개구이며, 가열 블록(11)에 내설되는 복수개의 제1 유로(15)에 연통되어 있다. 또한, 복수개의 제2 유통구(14)는 분출용 개구이며, 가열 블록(11)에 내설되는 복수개의 제2 유로(16)에 각각 연통되어 있다. 복수개의 제1 유로(15)는, 제1 밸브(17)를 통하여 부압원(19)과 연통되고, 복수개의 제2 유로(16)는 제2 밸브(18)를 통하여 가압원(20)과 연통된다. 제1 밸브(17) 및 제2 밸브(18)를 개폐함으로써 유로(15, 16) 내의 기체를 흡인하거나, 유로 내로 기체를 분출할 수 있다. 여기서, 제1 밸브(17) 및 제2 밸브(18)는, 가열 블록(11)과는 다른 장소에 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 제1 밸브(17) 및 제2 밸브(18)는, 부압원(19)이나 가압원(20)의 힘에 대응하여 복수개 설치해도 된다. 유로(15, 16)에는 작동 기체로서 공기가 흐르지만 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 불활성 기체가 바람직한 경우에는 질소 등을 사용할 수도 있다.
히터(21)는 가열 블록(11)의 내부에 설치되어 있고, 가열 블록(11) 및 제2 유로(16) 내의 기체를 가열한다. 본 실시예에서는 히터(21)로서 전열 히터를 사용하고 있지만 이에 한정되지 않고, 예를 들면, 펠티에(Peltier) 소자 등을 사용해도 된다. 그리고, 설치하는 히터의 수는 몇 개라도 가능하며, 그 배치도 적절하게 변경 가능하지만, 접속부를 보호한다는 관점에서는, 기판(2)의 바닥면 전체에서 온도차가 생기지 않는 개수 및 배치를 채용하는 것이 바람직하다.
또한, 히터(21)와 더불어, 가열 블록(11) 내부에는 온도 센서(22)가 설치되어 있다. 그리고, 히터(21) 및 온도 센서(22)는 온도 제어부(23)에 접속되고, 온도 제어부(23)는 온도 센서(22)로부터의 신호에 기초하여, 온도가 일정하게 되도록 히터(21)를 제어한다. 제어 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 온도 제어에 많이 사용되는 PID(비례, 적분, 미분) 제어나, 일반적인 피드백 제어, 간편한 온·오프 제어 등을 사용한다. 그리고, 온도 센서(22)의 배치 및 개수는, 적절하게 변경하여 적용할 수 있다.
기판(2)은 반송 기구(104)에 의해 일방향으로 반송된다. 반송 기구(104)는, 2개의 레일 형상의 부재(109)를 구비하고, 그 사이에 가열 기구(105)가 설치된다. 가열 기구(105)의 주요 부분인 가열 블록(11)은, 승강 기구(24)에 탑재된다(도 2 참조). 승강 기구(24)는, 가열 블록(11)의 상측에 위치하는 기판(2)을 바닥면으로부터 지지하는 상승 위치와, 가열 블록(11)을 기판(2)으로부터 이격되는 하강 위치를 가진다. 상승 위치에 있어서는, 기판(2)은, 갈고리 모양의 기판 누름 부재(106)와 가열 블록의 상면(12)에서 협착(狹着) 고정된다.
승강 기구(24)를 구동하는 장치로서는, 예를 들면, 압축 기체에 의해 피스톤이 구동되는 에어 실린더나, 모터와 볼 나사를 조합한 것 등을 사용할 수 있다. 가열 블록(11)은, 액체 재료(4)를 도포할 때는, 상승 위치로 이동하여 기판(2)을 바닥면으로부터 지지함으로써 도포 스테이지로서의 역할을 한다. 한편, 기판 반송 시에는, 기판 반송이 원활하게 행해지도록 가열 블록(11)이 기판(2)으로부터 이격된 하강 위치로 이동한다. 가열 기체에 의한 기판 온도의 유지를 효율적으로 행하기 위해서는, 가열 블록의 상면(12)과 기판(2)의 바닥면과의 거리는 너무 멀어지지 않는 것이 바람직하고, 예를 들면, 수mm로 한다. 반송 기구(104)의 상세한 것에 대해서는 실시예에서 설명한다.
[가열 태양]
본 발명에 따른 가열 기구(105)의 가열 태양은, 가열 블록(11)의 위치에 따라 크게 두가지로 나누어진다.
[1] 상승 위치에서의 가열(도 5)
가열 블록(11)이 상승 위치에 있을 때, 제1 밸브(17)는 가열 블록(11) 내의 제1 유로(15)와 부압원(19)에 연통된다. 이로써, 가열 블록(11) 내의 제1 유로(15)와, 다른 한쪽의 단(端)에서 연통되어 있는 제1 유통구(13)로부터 기체가 흡인된다(부호 26의 화살표 참조). 제1 유통구(13)의 바로 위쪽 가장 가까운 곳에는 기판(2)이 위치하고 있고, 제1 유통구(13)로부터의 흡인 작용에 의해, 기판(2)이 흡착되어 가열 블록의 상면(12)과 기판(2)의 바닥면이 밀접하게 맞닿는다. 이와 같이, 기판(2)의 바닥면은 가열 블록 상면(12)과 접촉하게 되므로, 히터(21)로부터의 열이 가열 블록(11)을 통하여 직접적으로 그리고 신속하게 전해진다. 그리고, 온도 제어부(23)에 의해 온도가 일정하게 되도록 히터(21)의 제어를 행함으로써, 기판(2)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.
상기한 가열 방법에 의하면, 기판(2)의 바닥면에 가열 블록의 상면(12)을 맞닿게 함으로써 히터(21)로부터의 열을 효율적으로 전할 수 있고, 또한 기판(2)의 온도를 안정적으로 제어할 수 있다. 온도를 안정적으로 제어하는 것은 접속부(3)의 파괴를 방지할 뿐만 아니라, 액체 재료(4)의 상태를 안정시켜 안정된 도포와도 결부된다. 또한, 기판면(12)에 걸쳐서 복수개의 개구된 제1 유통구(13)에 의해 균일하게 흡착 가능하므로, 기판(2)에 균일하게 접촉할 수 있으며, 또한 기판(2)의 평면도를 일정하게 유지할 수 있다.
[2] 하강 위치에서의 가열(도 6)
가열 블록(11)이 하강 위치에 있을 때, 제2 밸브(18)는 가열 블록(11) 내의 제2 유로(16)와 가압원(20)을 연통시킨다. 이렇게 하면, 가열 블록(11) 내의 제2 유로(16)와, 다른 한쪽의 단에서 연통되어 있는 제2 유통구(14)로부터 기체를 분출한다(27). 제2 유통구(14)는 기판(2)과 이격되어 있으므로, 기체를 기판(2)의 바닥면을 향해 분출하게 된다. 분출된 기체는 가열 블록(11) 내에서 히터(21)에 의해 가열되어 있고, 기판(2)에는 이 가열된 기체에 의해 열이 전해진다. 그리고, 온도 제어부(23)에 의해 온도가 일정하게 되도록 히터(21)의 제어를 행함으로써, 기판(2)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.
상기한 가열 방법에 의하면, 가열된 기체를 이격된 장소로부터 분출함으로써, 이동중인 기판(2)에도 열을 전할 수 있게 된다. 즉, 이동중인 기판(2)에 대해서도 온도를 제어할 수 있으므로, 언더필 공정 내에서의 온도 변화를 극히 작게 할 수 있다. 또한, 기판면(12)에 걸쳐서 복수개의 개구된 제2 유통구(14)로부터 가열된 기체를 분출하므로, 기판(2) 전체를 가열할 수 있다.
상기 [1]과 상기 [2]를 적절하게 조합함으로써, 기판(2)을 정지시켜 도포를 행할 때와, 기판(2)을 이동시켜 반송할 때에 관계없이 언더필 공정 내에서의 기판(2)의 온도를 일정하게 유지할 수 있어, 반도체칩(1)과 기판(2)과의 접속부(3)의 파괴를 방지할 수 있다. 상기 [2]의 하강 위치에서의 가열은, 도포 작업 공정의 전후에 행하는 것이 바람직하다. 도포 작업 공정 전의 가열은 예비 가열이며, 도포 작업 공정 후의 가열은 기판의 온도 변화를 소정 범위 내로 억제하는 온도 유지 가열이다.
상기에서는, 제1 유통구(13)에 흡인력을 작용시킴으로써 기판(2)의 바닥면과 가열 블록의 상면(12)을 접촉시키는 구성에 대하여 설명하였으나, 제1 유통구(13)를 형성하지 않고, 기판 가압구 부재(106)와 승강 기구(24)의 조합에 의해 기판(2)과 가열 블록의 상면(12)을 접촉시키는 구성으로 해도 된다. 그러나, 기판의 바닥면이 양호한 정밀도로 가공되어 있는 경우에는, 흡인력을 작용시키는 유통구를 형성함으로써, 가열 블록의 상면이 기판의 바닥면을 모방하도록 흡착하는 작용을 얻을 수 있다. 그러므로, 접촉 면적이 넓어져, 열전도가 효율적으로 이루어지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 가열 블록의 상면(12)을 도포 스테이지로 하는 경우에는, 기판(2)의 평면도가 양호하게 되고, 도포 정밀도가 향상되는 효과도 얻을 수 있다. 이들 효과는, 기판(2)이 얇은 경우에 특히 현저하게 된다. 한편, 흡인력을 작용시키는 유통구를 형성하지 않고, 기판 가압구 부재(106)에 의해 협착하는 구성에 있어서는, 기판의 중앙부가 휘어지는 문제가 생길 수 있다.
전술한 이유에 의해, 가열 블록(11)에 흡인력을 작용시키는 유통구를 형성하는 구성을 채용하는 것이 바람직하다.
이하에서는, 본 발명의 상세한 것을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 어떤 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
[도포 장치]
본 실시예에 따른 도포 장치(101)는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 토출 장치(102)와, 구동 기구(103)와, 반송 기구(104)와, 가열 기구(105)와, 이들을 제어하는 제어부(124)를 구비하고 있다.
토출 장치(102)는, 액체 재료(4)를 저류(貯留)하는 저류 용기(107)(도시하지 않음)와, 액체 재료(4)를 토출하기 위한 노즐(108)(도 1 참조)을 구비하고 있다. 이 토출 장치(102)가, 도포 대상 기판(2)의 도포면에 노즐(108)이 대향하도록 XYZ 구동 기구(103)에 장착되어 있고, 반송 기구(104)에 의해 반송되는 도포 대상 기판(2) 상으로 이동 가능하다.
반송 기구(104)는, 도포 장치(101)의 폭에 걸쳐서 설치되어 있고, 3개의 반송 유닛(114, 115, 116)에 의해 구성되며, 각각 독립적으로 동작 가능하게 되어 있다. 반송 기구(104)가 3개의 반송 유닛에 의해 구성되어 있으므로, 도포 동작중이라도 반입, 반출 동작을 개별적으로 행하는 것이 가능해져서, 공정 처리 시간을 단축할 수 있다. 본 실시예의 반송 기구(104)는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 반송하는 기판(2)의 폭으로 넓어진 2개의 레일형 부재(109)를 평행으로 설치한 구조를 하고 있으며, 레일형 부재(109)의 상측에 롤러(110)에 의해 회전하는 벨트(111)가 설치되어 있다. 롤러(110)를 회전 구동시킴으로써 벨트(111)가 회전하여, 벨트(111) 상에 탑재된 기판(2)이 반송된다. 2개의 레일형 부재(109)의 폭은, 기판(2)의 크기에 맞추어서 변경 가능하게 되어 있다. 여기서 기판(2)은, 도 7에 화살표로 도시한 바와 같이, 좌측 반송 기구(114)로부터 도포 장치(101) 내에 반입되고, 중앙 반송 기구(115)를 경유하고, 우측 반송 기구(116)로부터 도포 장치(101) 밖으로 반출된다.
가열 기구(105)는, 3개의 가열 유닛(121, 122, 123)에 의해 구성된다. 각 가열 유닛은, 반송 기구(104)를 구성하는 2개의 레일형 부재(109) 사이에 반송 유닛(114, 115, 116)에 대응하여 설치된다. 가열 기구(105)를 3개의 가열 유닛에 의해 구성함으로써, 개별적인 반송 동작에 대응하여 기판(2)의 가열을 행할 수 있다.
가열 블록(11)은, 기판(2)과 대략 같은 크기이므로, 반입측이나 반출측 등의 기판(2)의 크기에 미치지 못하는 공간에는 가열 유닛을 설치할 수 없는 경우가 있다. 그래서, 본 실시예에서는 가열 유닛보다 소형의 보조 가열 유닛(118, 119, 120)을 설치하는 구성으로 하고 있다. 보조 가열 유닛은, 승강 이동하지 않고 기판(2)으로부터 이격된 하강 위치에서 고정되어 있는 점, 제1 유통구(13)를 형성하지 않고 제2 유통구(14)로부터 가열된 기체를 분출하는 점만 전술한 가열 유닛과는 상이하다. 보조 가열 유닛(118, 119, 120)의 크기는, 3개의 가열 유닛(121, 122, 123)의 사이를 매립할 수 있는 크기이면 되고, 적절하게 변경하여 설치될 수 있다. 본 실시예에서는, 반입부의 위치에 보조 가열 유닛(118)을, 중앙 가열 유닛(122)과 우측 가열 유닛(123)과의 사이의 위치에 보조 가열 유닛(119)을, 반출부의 위치에 보조 가열 유닛(120)을 각각 설치하였다.
가열 기구(105)에서의 설정 온도는, 기판(2)의 사이즈나 반도체칩(1)의 개수 등에 따라 변화하지만, 대체로 섭씨 100℃로부터 150℃의 범위로 설정한다. 이 범위 내에서, 예비 가열, 도포 시의 최적 온도, 온도 유지 가열의 목적에 따라 가열을 하도록 제어해도 된다.
[작동]
본 실시예에 따른 도포 장치(101)의 작동을, 도 9로부터 도 12를 참조하면서 설명한다.
도포 장치(101)의 좌측에는, 도포되지 않은 기판(2)을 공급하는 로더 또는 전(前) 공정의 장치가 있다. 도포 장치(101)의 우측에는, 이미 도포된 기판(2)을 회수하는 언로더(unloader) 또는 후(後) 공정의 장치가 있다. 이하에서는 설명의 편의상, 가열 유닛 및 보조 가열 유닛 각각을 스테이지라고 한다.
동작을 개시하면, 기판(2)을 도포 장치(101) 내로 반입하기 전에 반입구 스테이지(118) 및 전 스테이지(121)의 온도를 판독하여(STEP 101), 설정 온도의 범위 내인지를 판정한다(STEP 102). 설정 온도에 도달하지 않은 경우, 다시 온도를 판독하고, 설정 온도에 도달할 때까지 반복한다. 설정 온도에 도달한 경우, 전 스테이지(121)에 기판(2)이 남아 있는지의 여부를 판정한다(STEP 103). 기판(2)이 남아 있는 경우, 기판(2)이 제거될 때까지 대기한다. 기판(2)이 남아 있지 않은 경우, 반입구 스테이지(118) 및 전 스테이지(121)로부터의 기체의 분출을 개시한다(STEP 104). 그리고, 기판(2)을 전 스테이지(121)의 위치까지 반송한다(STEP 105). 기판(2)이 전 스테이지(121)의 위치에 도달하면, 전 스테이지(121)로부터의 기체의 분출을 멈추고, 전 스테이지(121)가 상승하여 기판(2)을 지지하고, 전 스테이지(121)의 흡인을 개시하여 기판(2)을 흡착 고정한다(STEP 106).
전 스테이지(121)에 고정되면 도포 스테이지(122)의 온도를 판독하여(STEP 107), 설정 온도의 범위 내인지의 여부를 판정한다(STEP 108). 설정 온도에 도달하지 않은 경우, 전 스테이지(121)에 고정된 기판(2)에 대하여 온도가 일정하게 되도록 제어하면서(STEP 110), 다시 온도를 판독하고, 설정 온도에 도달할 때까지 반복한다. 설정 온도에 도달한 경우, 도포 스테이지(122)에 기판(2)이 남아 있는지의 여부를 판정한다(STEP 109). 기판(2)이 남아 있는 경우, 전 스테이지(121)에 고정된 기판(2)에 대하여 온도가 일정하게 되도록 제어하면서(STEP 110), 기판(2)이 제거될 때까지 대기한다. 기판(2)이 남아 있지 않은 경우, 도포 스테이지(122)로부터의 기체의 분출을 개시한다(STEP 111). 그리고, 전 스테이지(121)의 흡인을 멈추고, 전 스테이지(121)가 하강하고, 전 스테이지(121)로부터의 기체의 분출을 개시한다(STEP 112). 그 후, 기판(2)을 도포 스테이지(122)의 위치까지 반송한다(STEP 113). 기판(2)이 도포 스테이지(122)의 위치에 도달하면, 도포 스테이지(122)로부터의 기체의 분출을 멈추고, 도포 스테이지(122)가 상승하여 기판(2)을 지지하고, 도포 스테이지(122)의 흡인을 개시하여 기판(2)을 흡착 고정한다(STEP 114).
도포 스테이지(122)에서는, 토출 장치(102)에 의해 액체 재료(4)가 도포된다(STEP 115). 도포가 종료되면, 중간 스테이지(119) 및 후 스테이지(123)의 온도를 판독하여(STEP 116), 설정 온도의 범위 내인지의 여부를 판정한다(STEP 117). 설정 온도에 도달하지 않은 경우, 도포 스테이지(122)에 고정된 기판(2)에 대하여 온도가 일정하게 되도록 제어하면서(STEP 119), 다시 온도를 판독하고, 설정 온도에 도달할 때까지 반복한다. 설정 온도에 도달한 경우, 후 스테이지(123)에 기판(2)이 남아 있는지의 여부를 판정한다(STEP 118). 기판(2)이 남아 있는 경우, 도포 스테이지(122)에 고정된 기판(2)에 대하여 온도가 일정하게 되도록 제어하면서(STEP 119) 기판(2)이 제거될 때까지 대기한다. 기판(2)이 남아 있지 않은 경우, 중간 스테이지(119) 및 후 스테이지(123)로부터의 기체의 분출을 개시한다(STEP 120). 그리고, 도포 스테이지(122)의 흡인을 멈추고, 도포 스테이지(122)가 하강하고, 도포 스테이지(122)로부터의 기체의 분출을 개시한다(STEP 121). 그 후, 기판(2)을 후 스테이지(123)의 위치까지 반송한다(STEP 122). 기판(2)이 후 스테이지(123)의 위치에 도달하면, 후 스테이지(123)로부터의 기체의 분출을 멈추고, 후 스테이지(123)가 상승하여 기판(2)을 지지하고, 후 스테이지(123)의 흡인을 개시하여 기판(2)을 흡착 고정한다(STEP 123).
후 스테이지(123)에 고정되면 반출구 스테이지(120)의 온도를 판독하여 (STEP 124), 설정 온도의 범위 내인지의 여부를 판정한다(STEP 125). 설정 온도에 도달하지 않은 경우, 후 스테이지(123)에 고정된 기판(2)에 대하여 온도가 일정하게 되도록 제어하면서(STEP 127), 다시 온도를 판독하고, 설정 온도에 도달할 때까지 반복한다. 설정 온도에 도달한 경우, 기판(2)을 장치(101) 밖으로 반출 가능한 지의 여부를 판정한다(STEP 126). 반출할 수 없을 경우, 후 스테이지(123)에 고정된 기판(2)에 대하여 온도가 일정하게 되도록 제어하면서(STEP 127), 반출이 가능하게 될 때까지 대기한다. 반출이 가능한 경우, 반출구 스테이지(120)로부터의 기체의 분출을 개시한다(STPE 128). 그리고, 후 스테이지(123)의 흡인을 멈추고, 후 스테이지(123)가 하강하고, 후 스테이지(123)로부터의 기체의 분출을 개시한다(STEP 129). 그 후, 기판(2)을 장치(101)의 밖으로 반송한다(STEP 130).
전술한 동작은 1장의 기판(2)에 대한 흐름을 나타내었으나, 연속하여 복수개의 기판(2)에 대해서도 도포할 수 있는 것은 당연하다. 그럴 경우, STEP 101로부터 STEP 106까지, STEP 107로부터 STEP 114까지, STEP 115로부터 STEP 123까지, STEP 124로부터 STEP 130까지의 각각의 동작은 독립적으로 행할 수 있으므로, 각각의 동작을 병행하여 행할 수 있으므로, 공정 처리에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.
[실시예 2]
실시예 1에서는, 가열 블록(11) 내의 유로가 부압 계통(15)과 가압 계통(16)으로 별개로 구성되어 있지만, 이것을 하나의 유로로 구성할 수 있다. 도 13에 실시예 2에 따른 가열 기구의 주요부 단면도, 도 14에 블록선도를 각각 나타낸다.
실시예 2에서의 가열 블록(201)은, 대략 직육면체 형상을 하고 있으므로, 기판과 대향하는 상면(202)은 기판(2)의 크기와 대략 같은 넓이의 면으로 되어 있다. 상면(202)에는 복수개의 유통구(203)가, 일정한 간격으로 균등하게 개구되어 있다. 각 유통구(203)는, 가열 블록(201)에 내설되는 유로(204)에 연통되어 있다. 유로(204)는, 가열 블록(201)과는 다른 장소에 설치된 전환 밸브(205)에 연통하고 있고, 전환 밸브(205)를 통하여 부압원(206) 및 가압원(207)에 연통되어 있다. 이 전환 밸브(205)를 전환하여 부압원(206) 또는 가압원(207) 중 어느 한쪽을 유로(204)와 연통시킴으로써, 유로(204) 내의 기체를 흡인하거나, 유로 내로 기체를 분출할 수 있다. 부압원(206) 또는 가압원(207)의 압력의 강도에 대응하여 전환 밸브(205)를 복수개 설치해도 된다. 그 외의 히터(21), 온도 센서(22), 승강 기구(24) 등은 실시예 1과 동일하다.
가열 블록(201)이 상승 위치에 있을 때, 전환 밸브(205)는 가열 블록(201) 내의 유로(204)와 부압원(206)을 연통시킨다. 이로써, 가열 블록(201) 내의 유로(204)와, 다른 한쪽의 단에서 연통되어 있는 유통구(203)로부터 기체가 흡인된다. 유통구(203)의 바로 위쪽 가장 가까운 곳에는 기판(2)이 위치하고 있고, 유통구(203)로부터의 흡인 작용에 의해, 기판(2)이 흡착되어 가열 블록의 상면(202)과 기판(2)의 바닥면이 밀접하게 맞닿는다. 이와 같이, 기판(2)의 바닥면은 가열 블록의 상면(202)과 접촉하게 되므로, 히터로부터의 열이 가열 블록(201)을 통하여 직접적으로, 또한 신속하게 전해진다. 그리고, 온도 제어부(208)에 의해 온도가 일정하게 되도록 히터를 제어함으로써, 기판(2)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.
가열 블록(201)이 하강 위치에 있을 때, 전환 밸브(205)는 가열 블록(201) 내의 유로(204)와 가압원(207)을 연통시킨다. 그렇게 하면 가열 블록(201) 내의 유로(204)와, 다른 한쪽의 단에서 연통되어 있는 유통구(203)로부터 기체를 분출한다. 유통구(203)는 기판(2)과 이격되어 있으므로, 기체를 기판(2)의 바닥면을 향해 분출시키게 된다. 분출된 기체는 가열 블록(201) 내에서 히터에 의해 가열되고, 기판(2)에는 이 가열된 기체에 의해 열이 전해진다. 그리고, 온도 제어부(208)에 의해 온도가 일정하게 되도록 히터의 제어를 행함으로써, 기판(2)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 본 실시예의 가열 블록(201)에 의하면, 유로를 하나의 계통으로 함으로써 밸브나 거기에 통하는 배관 등을 줄일 수 있어 공간의 절약을 실현할 수 있다.
1: 공작물(반도체칩) 2: 기판
3: 접속부(돌기형 전극, 전극 패드) 4: 액상 수지, 액체 재료
11: 가열 블록 12: 기판과 대향하는 면(상면)
13: 제1 유통구(흡인용 개구) 14: 제2 유통구(분출용 개구)
15: 제1 유로 16: 제2 유로
17: 제1 밸브 18: 제2 밸브
19: 부압원 20: 가압원
21: 히터 22: 온도 센서
23: 온도 제어부 24: 승강 기구
25: 배관 이음매 26: 흡인하는 기체의 흐름
27: 분출하는 기체의 흐름 101: 도포 장치
102: 토출 장치 103: XYZ 구동 기구
104: 반송 기구 105: 기판 가열 기구
106: 기판 가압구 부재 107: 저류 용기
108: 노즐 109: 레일형 부재
110: 롤러 111: 벨트
112: 기판 반송 방향 113: 구동 방향
114: 좌측 반송 유닛 115: 중앙 반송 유닛
116: 우측 반송 유닛
118: 좌측 보조 가열 유닛(반입구 스테이지)
119: 중앙 보조 가열 유닛(중간 스테이지)
120: 우측 보조 가열 유닛(반출구 스테이지)
121: 좌측 가열 유닛(전 스테이지)
122: 중앙 가열 유닛(도포 스테이지)
123: 우측 가열 유닛(후 스테이지)
124: 제어부 201: 가열 블록
202: 기판과 대향하는 면(상면) 203: 유통구
204: 유로 205: 전환 밸브
206: 부압원 207: 가압원
208: 온도 제어부 209: 기체의 흐름

Claims (16)

  1. 일방향으로 반송(搬送)되고, 반송 도중에 그 위에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업이 행해지는 기판을 하측으로부터 가열하기 위한 기판 가열 장치로서,
    상기 기판의 바닥면에 맞닿고, 기판을 가열하는 평면으로 이루어진 상면, 및 상기 상면에 형성되고, 상기 기판의 바닥면에 가열용 기체를 분출하는 분출용 개구를 구비하는 가열 부재와, 상기 가열 부재를 승강시키는 승강 기구를 포함하는 기판 가열 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가열 부재는, 그 상면에 상기 기판의 바닥면에 흡인력을 작용시키는 흡인용 개구를 구비하고,
    상기 승강 기구의 상승 위치에 있어서, 상기 흡인용 개구로부터 흡인력을 작용시켜, 상기 가열 부재의 상면을 상기 기판의 바닥면에 접촉시켜 상기 기판을 가열하고, 상기 승강 기구의 하강 위치에 있어서, 상기 분출용 개구로부터 가열된 기체를 분출시켜서 상기 기판을 가열하는, 기판 가열 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 분출용 개구와 상기 흡인용 개구는 동일한 개구에 의해 구성되며, 상기 개구는 전환 밸브를 통하여 부압원(負壓源) 및 가압원(加壓源)에 접속되는, 기판 가열 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 분출용 개구가 복수개 있는, 기판 가열 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 흡인용 개구가 복수개 있는, 기판 가열 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수개의 상기 가열 부재는, 상기 기판의 반송 방향으로 연속하여 설치되는, 기판 가열 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가열 부재는, 길이가 상이한 복수 종류의 가열 블록에 의해 구성되는, 기판 가열 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 기재된 기판 가열 장치;
    액체 재료를 토출하는 토출 장치;
    상기 기판에 대하여, 상기 토출 장치를 상대 이동시키는 구동 기구;
    상기 기판을 일방향으로 반송하는 반송 기구; 및
    상기 기판 가열 장치, 상기 토출 장치, 상기 구동 기구 및 상기 반송 기구의 동작을 제어하는 제어부
    를 포함하는 액체 재료 도포 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어부는,
    기판 상에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업을 행할 때는 상기 승강 기구를 상승 위치로 하여 가열 부재의 상면을 기판의 바닥면에 접촉시키고,
    상기 기판의 반송 시에는 상기 승강 기구를 하강 위치로 하여 상기 분출용 개구로부터 가열된 기체를 분출시키는, 액체 재료 도포 장치.
  10. 일방향으로 반송되고, 반송 도중에 그 위에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업이 행해지는 기판을 하측으로부터 가열하기 위한 기판 가열 방법으로서,
    승강 기구에 의해 상기 기판의 바닥면에 가열 부재의 평면으로 이루어진 상면을 접촉시켜, 기판을 가열하는 접촉 가열 공정; 및
    상기 승강 기구에 의해 상기 기판의 바닥면과 상기 가열 부재의 상기 상면을 이격시켜, 상기 가열 부재의 상면에 형성된 분출용 개구로부터 가열용 기체를 분출하는 비접촉 가열 공정
    을 포함하는 기판 가열 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 접촉 가열 공정에 있어서, 상기 가열 부재의 상면에 형성된 흡인용 개구로부터 흡인력을 작용시키는, 기판 가열 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 분출용 개구와 상기 흡인용 개구를 동일한 개구에 의해 구성하고, 상기 개구를 전환 밸브를 통하여 부압원 및 가압원에 접속하고,
    상기 접촉 가열 공정에 있어서, 상기 개구와 상기 부압원을 연통시키고,
    상기 비접촉 가열 공정에 있어서, 상기 개구와 상기 가압원을 연통시키는, 기판 가열 방법.
  13. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 공작물에 대하여 도포 작업을 행할 때 상기 접촉 가열 공정을 실시하고, 상기 기판의 반송 시에 상기 비접촉 가열 공정을 행하는, 기판 가열 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 도포 작업의 전후에 상기 비접촉 가열 공정을 행하는, 기판 가열 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 도포 작업은, 언더필(underfill) 공정인, 기판 가열 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 접촉 가열 공정 및 상기 비접촉 가열 공정에 있어서, 상기 기판의 바닥면 전체를 균등하게 가열하는, 기판 가열 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9029740B2 (en) * 2013-01-15 2015-05-12 Nordson Corporation Air impingement heater
JP6933383B2 (ja) 2016-10-07 2021-09-15 武蔵エンジニアリング株式会社 温調装置付き液体材料吐出装置、その塗布装置および塗布方法
WO2023082170A1 (en) * 2021-11-12 2023-05-19 Illinois Tool Works Inc. Multi-pattern tooling plate
CN116504686B (zh) * 2023-06-28 2023-10-20 北京中科科美科技股份有限公司 一种基于液态均匀温控的半导体加热盘

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000013005A (ja) 1998-06-26 2000-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワークの熱圧着装置
JP2001267217A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3436116B2 (ja) * 1998-02-06 2003-08-11 松下電器産業株式会社 電子部品共晶ボンディング用ヒートブロック
JP3223283B2 (ja) * 1999-09-14 2001-10-29 カシオ計算機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3473543B2 (ja) * 2000-03-07 2003-12-08 松下電器産業株式会社 電子部品実装装置用の板状ワーク加熱装置
JP4120657B2 (ja) * 2005-05-10 2008-07-16 松下電器産業株式会社 液状物質の塗布装置および液状物質の塗布装置における基板加熱方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000013005A (ja) 1998-06-26 2000-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワークの熱圧着装置
JP2001267217A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

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