KR101555184B1 - 기판 처리 장치, 기판 반송 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에서의 더미 기판의 운용 방법 - Google Patents

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리사 호소카와
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

더미 기판의 사용 효율의 향상 및 유효한 더미 기판의 운용을 가능하게 한다.
제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판을 소정 매수 처리하는 복수의 처리실; 및 적어도 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 수단과, 상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 수단을 적어도 포함하는 제어부;를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 제품 기판을 복수 회 처리할 때, 각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우, 적어도 전회 처리까지 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여, 금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을 반송하도록 상기 매수 결정 수단에 결정시키고, 결정된 상기 처리실에 상기 설정 수단으로 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 더미 기판을 정해진 매수 반송하고, 상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 기판 반송 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에서의 더미 기판의 운용 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD FOR TRANSPORTING SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE, METHOD FOR APPLYING DUMMY SUBSTRATE IN THE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 복수의 기판을 일괄로 처리하는 처리실을 구비한 기판 처리 장치, 기판 반송 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에서의 더미 기판의 운용 방법에 관한 것이다.
반도체 기판(반도체 웨이퍼) 등의 기판을 일괄로 처리하는 처리실을 구비한 기판 처리 장치에서 더미 기판을 이용하는 경우의 일반적인 운용 방법으로서는 복수의 더미 기판을 수납한 기판 수납 수단을 기판 처리 장치에 상주시키고, 제품 기판이 처리실 내에서 처리 가능한 기판 매수를 만족시키지 못하는 경우, 기판 수납 수단으로부터 부족한 분량만큼의 더미 기판을 반출하여 처리실 내에서 1회에 처리되는 기판의 조합(이하, 뱃치라고 한다)을 구성한다. 기판 처리가 수행된 더미 기판은 기판 수납 수단 내로 되돌려져 반복해서 사용된다. 예컨대 특허문헌 1에 의하면 로트의 최후에 발생하는 기판 재치대의 빈 스페이스를 더미 기판으로 매립하는 것에 의해 처리실 내의 처리 품질의 향상이 도모된다.
또한 더미 기판은 반복해서 사용되기 때문에 예컨대 기판 처리가 성막 처리인 경우, 복수 회 사용되는 동안에 더미 기판 상에는 퇴적막이 누적한다. 거기서 누적막 두께값의 증대에 의한 막의 박리나 발진(發塵), 퇴적막의 응력에 의한 더미 기판의 휘어짐이나 변형을 미연에 방지하기 위하여 소정의 사용 회수 또는 소정의 누적막 두께값을 초과한 경우에는 더미 기판을 교환한다. 공장의 제조 라인에서는 복수 매의 더미 기판 중 어느 하나가 상기 소정값을 초과하면 기판 수납 수단마다 더미 기판이 교환되어 한결같이 폐기되거나 재생된다. 그렇기 때문에 예컨대 더미 기판의 누적막 두께값 등에 기초하여, 더미 기판을 선택하는 것에 의해 모든 더미 기판에 대해서 유효한 이용이 도모되었다(특허문헌 2. 참조).
1. 일본 특허 제3824835호 공보 2. 일본 특허 제4294972호 공보
종래의 더미 기판의 운용에 즈음하여 처리실을 복수 구비한 기판 처리 장치에서는 처리실 각각의 사이에서의 상호 오염 등을 억제하면서 처리실마다 사용하는 더미 기판을 나누는 것이 바람직하다. 하지만 예컨대 처리실마다 기판 처리의 내용이 다른 경우 등에 더미 기판의 사용 상황에 편향이 생기고, 누적막 두께값이 적은 더미 기판이어도 교환 시기에 달한 더미 기판과 함께 교환되어 폐기된다.
이와 같이 더미 기판의 사용 회수나 사용 매수의 편향은 더미 기판 전체에서의 사용 효율의 저하를 초래한다. 그렇기 때문에 본 발명자 등은 처리실마다 더미 기판의 할당, 더미 기판을 우선 사용하는 처리실이나 사용하는 더미 기판의 순위 매김, 기판 처리의 내용으로 묶은 그룹 단위마다의 뱃치 조성의 수법 등에 대하여 예의 연구를 중첩한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 또한 여기서는 뱃치를 구성하는 것을 뱃치 조성이라고 칭한다.
본 발명의 목적은 더미 기판의 사용 효율의 향상 및 교환 빈도의 증가의 억제가 가능한 기판 처리 장치, 기판 반송 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에서의 더미 기판의 운용 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판을 소정 매수 처리하는 복수의 처리실; 및 적어도 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 수단과, 상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값(threshold)을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 수단을 적어도 포함하는 제어부;를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 제품 기판을 복수 회 처리할 때, 각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우, 적어도 전회 처리까지 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여, 금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을 반송하도록 상기 매수 결정 수단에 결정시키고, 결정된 상기 처리실에 상기 설정 수단으로 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 더미 기판을 정해진 매수 반송하고, 상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 처리실마다 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판이 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용되는 상기 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정; 상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 공정; 및 상기 제품 기판 및 더미 기판 가운데 적어도 일방의 기판을 소정 매수가 될 때까지 상기 처리실에 반송하는 기판 반송 공정;을 포함하는 기판 반송 방법으로서, 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 상기 소정 매수씩 반송하여 복수 회 처리할 때, 각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우, 상기 매수 결정 공정에서는, 적어도 전회 처리까지 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여, 금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을, 상기 설정 공정에서 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 처리실이 소정 매수가 되도록 반송하고, 상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 결정하는 기판 반송 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 적어도 제품 기판을 반송하는 기판 반송 공정; 및 처리실마다 상기 제품 기판을 처리하는 기판 처리 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 기판 반송 공정은, 상기 처리실마다 상기 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 기판이 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용되는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정; 및 상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 공정;을 포함을 포함하고, 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 상기 소정 매수씩 반송하여 복수 회 처리할 때, 각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우, 상기 매수 결정 공정에서는, 적어도 전회 처리까지 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여, 금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을, 상기 설정 공정에서 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 처리실이 소정 매수가 되도록 반송하고, 상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 결정하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 소정 매수의 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판을 처리하는 복수의 처리실; 및 적어도 처리실마다 기판 매수가 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 수단과, 상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 수단을 적어도 포함하는 제어부;를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 제품 기판을 복수 회 처리할 때에, 각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우, 각 처리 시작 시에, 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 전회 처리까지 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여, 금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을 반송하도록 상기 매수 결정 수단에 결정시키고, 결정된 상기 처리실에 상기 설정 수단으로 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 더미 기판을 정해진 매수 반송하고, 상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하는 기판 처리 장치의 더미 기판 운용 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 소정 매수의 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판을 처리하는 복수의 처리실; 상기 처리를 시작하는 처리실을 지정하기 위한 조작 화면을 구비한 조작부; 및 상기 처리실에서 한 번에 처리 가능한 기판 처리에 제품 기판이 충족되지 않는 경우, 상기 더미 기판을 보충하도록 제어하는 제어부;를 구비하고, 상기 제어부가 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 제품 기판을 복수 회 처리할 때에, 적어도 전회 처리까지 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 각 처리실에서 비교하여, 금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 적은 처리실에 상기 더미 기판을 반송하고, 상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 상기 조작 화면 상에서 상기 처리를 시작하는 처리실이 지정되는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면 더미 기판의 사용 효율의 향상 및 유효한 더미 기판의 운용이 가능해지고, 더미 기판의 사용 회수나 사용 매수의 처리실 사이의 편향을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리를 관리하는 레시피와 잡(job)의 관계를 도시하는 클래스 관련도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 배분 처리를 수행할 때의 레시피와 잡의 관계를 도시하는 오브젝트 관련도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 병행 처리를 수행할 때의 레시피와 잡의 관계를 도시하는 오브젝트 관련도.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단에 의한 잡 생성의 일 예를 도시하는 설명도.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 제어 수단의 구성도.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 구비하는 표시 장치의 표시 화면의 일 예.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 제어 수단에 의해 실행되는 소프트웨어 상의 주된 클래스의 관계를 도시하는 클래스 관련도.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 제어 수단에 의해 실행되는 소프트웨어를 도시하는 기능 구성도.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에서의 기판 처리 공정의 개요를 도시하는 플로우도.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 재료 관리 수단에 의한 캐리어 카세트 수용(受容) 처리의 플로우도.
도 12는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 잡 제어 수단에 의한 잡 생성 처리 및 그룹 제어 수단에 의한 잡의 그룹화 처리의 플로우도.
도 13은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 그룹 제어 수단에 의한 뱃치 개시(開始) 요구 처리의 플로우도.
도 14는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 그룹 제어 수단에 의한 이번 회[今回] 실행 그룹 결정 처리의 플로우도.
도 15는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 뱃치 조성 수단에 의한 뱃치 조성 처리의 플로우도.
도 16은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 뱃치 조성 수단에 의한 기판 매수 결정 처리의 전반(前半)을 도시하는 플로우도.
도 17은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 뱃치 조성 수단에 의한 기판 매수 결정 처리의 후반(後半)을 도시하는 도면이며, 알고리즘 A1을 이용하였을 때의 플로우도.
도 18은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 뱃치 조성 수단에 의한 기판 매수 결정 처리의 후반을 도시하는 도면이며, 알고리즘 A2를 이용하였을 때의 플로우도.
도 19는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 뱃치 조성 수단에 의한 기판 매수 결정 처리의 후반을 도시하는 도면이며, 알고리즘 A3을 이용하였을 때의 플로우도.
도 20은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 뱃치 조성 수단에 의한 더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리의 플로우도.
도 21은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 그룹 제어 수단에 의한 뱃치 투입 처리의 플로우도.
도 22는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 제어 수단이 실행하는 PM 관리 수단에 의한 PM 스테이터스 갱신 처리 및 재료 관리 수단에 의한 더미 기판 스테이터스 갱신 처리의 플로우도.
도 23은 본 발명의 실시예1, 2 및 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서 다른 시퀀스 레시피에 의한 로트 내 처리의 결과를 도시하는 설명도.
도 24는 본 발명의 실시예1, 2 및 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서 다른 시퀀스 레시피에 의한 복수 로트 처리의 결과를 도시하는 설명도.
도 25는 본 발명의 실시예3 및 비교예2에 따른 기판 처리 장치에서 동일한 시퀀스 레시피에 의한 복수 로트 처리의 결과를 도시하는 설명도.
도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 시스템 커맨드를 선택하는 화면의 일 실시예를 도시하는 도면.
도 27은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 로트를 개시할 때, 처음에 제품 기판이 투입되는 프로세스 챔버(PM)를 선택하는 화면의 일 실시예를 도시하는 설명도.
도 28은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서의 데이터 처리의 결과를 도시하는 일 실시예를 도시하는 화면.
도 29는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 제어부(239)에 실현되는 기능 구성을 도시하는 도면.
도 30은 본 발명의 다른 실시예를 구체적으로 설명하기 위한 일 실시예를 도시하는 도면.
<본 발명의 일 실시 형태>
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
우선은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 다매엽식(多枚葉式)의 기판 처리 장치(10)의 개략 구성도다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(10)는 진공측과 대기측으로 나뉜다.
(진공측의 구성)
기판 처리 장치(10)의 진공측에는 진공 기밀 가능한 진공 반송실[TM(Transfer Module)]과, 예비실로서의 로드록 실(LM1, LM2)(Load Lock Module)과, 복수의 기판(W)을 일괄로 처리하는 처리실로서의 프로세스 챔버(PM1, PM2)(Process Module)가 설치된다. 로드록 실(LM1, LM2) 및 프로세스 챔버(PM1, PM2)는 진공 반송실(TM)의 외주를 둘러싸도록 배치된다.
진공 반송실(TM)은 진공 상태 등의 대기압 미만의 압력[부압(負壓)]을 견딜 수 있는 구조로 구성된다. 또한 본 실시 형태에서는 진공 반송실(TM)의 광체(筐體)는 평면시(平面視)가 오각형으로 형성되고, 상하 양단(兩端)이 폐색(閉塞)된 상자 형상으로 형성된다.
진공 반송실(TM) 내에는 반송 수단으로서의 진공 로봇(VR)이 설치된다. 진공 로봇(VR)은, 로드록 실(LM1, LM2) 및 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 실리콘(Si) 등으로 이루어지는 제품 기판이나 더미 기판 등의 기판(W)의 반송을, 기판 재치부인 2개의 암에 재치(載置)하는 것에 의해 상호적으로 수행한다. 또한 진공 로봇(VR)은 진공 반송실(TM)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 구성된다. 또한 2개의 암은 각각 수평 방향으로 신축할 수 있고, 이에 따른 수평면 내에서 회전 이동할 수 있도록 구성된다. 또한 진공 반송실(TM) 내이며 로드록 실(LM1, LM2) 및 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 각 앞의 위치에는, 도시되지 않는 기판 유무 센서가 설치되어, 암 상의 기판(W)의 존재를 검지할 수 있도록 구성된다.
프로세스 챔버(PM1, PM2)는 기판(W)이 재치되는 기판 재치대(ST11∼ST15 및 ST21∼ST25)를 각각 구비하고, 예컨대 기판(W)을 5장씩 일괄로 처리하는 다매엽식의 처리실로서 구성된다. 즉 프로세스 챔버(PM1, PM2)는 각각이 예컨대 플라즈마 등을 이용한 에칭이나 애싱, 화학 반응에 의한 성막(CVD: Chemical Vapor Deposition) 등, 기판(W)에 부가 가치를 부여하는 처리실로서 기능한다.
또한 프로세스 챔버(PM1, PM2)는 그 기능에 따른 각종의 구성, 예컨대 가스 도입ㆍ배기 기구나 온도 제어ㆍ플라즈마 방전 기구(모두 도시되지 않음)를 구비한다. 이 기구들은 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내로 공급하는 처리 가스의 유량을 제어하는 도시되지 않는 매스 플로우 컨트롤러, 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내의 압력을 제어하는 오토 프레셔 컨트롤러(APC) 등의 압력 컨트롤러(15); 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내의 온도를 제어하는 도시되지 않는 온도 조정기; 처리 가스의 공급이나 배기용 밸브의 온/오프를 제어하는 밸브 디지털 I/O(13); 및 각종 스위치(SW) 등의 온/오프를 제어하는 SW 디지털 I/O(14); 등을 구비한다. 상기 각 구성은 프로세서 챔버 컨트롤러(239p)에 전기적으로 접속된다. 프로세서 챔버 컨트롤러(239p)를 포함하는 제어 수단으로서의 제어부(239)의 구성에 대해서는 후술한다.
또한 프로세스 챔버(PM1, PM2)는 도시되지 않는 게이트 밸브를 개재하여 진공 반송실(TM)과 각각 연통(連通)한다. 따라서 게이트 밸브를 여는 것에 의해 진공 반송실(TM)과의 사이에서 기판(W)의 반송을 수행하는 것이 가능하다. 또한 게이트 밸브를 닫는 것에 의해, 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내의 압력이나 처리 가스 분위기를 보지한 상태로 기판(W)에 대하여 각종의 기판 처리를 수행하는 것이 가능하다.
로드록 실(LM1, LM2)은 진공 반송실(TM) 내에 기판(W)을 반입하는 예비실로서, 또는 진공 반송실(TM) 내로부터 기판(W)을 반출하는 예비실로서 기능한다. 로드록 실(LM1, LM2)의 내부에는 기판(W)을 반입 반출할 때, 기판(W)을 일시적으로 지지하는 기판 재치부로서의 도시되지 않는 버퍼 스테이지가 각각 설치된다. 버퍼 스테이지는 복수 매(예컨대 2장)의 기판(W)을 보지하는 다단형 슬롯으로서 각각 구성되어도 좋다.
또한 로드록 실(LM1, LM2)은 도시되지 않는 게이트 밸브를 개재하여 진공 반송실(TM)과 각각 연통하고, 또한 도시되지 않는 게이트 밸브를 개재하여 후술하는 대기 반송실(EFEM)과 각각 연통한다. 따라서 진공 반송실(TM)측의 게이트 밸브를 닫은 상태로 대기 반송실(EFEM)측의 게이트 밸브를 여는 것에 의해, 진공 반송실(TM) 내의 진공 기밀을 보지한 상태로 로드록 실(LM1, LM2)과 대기 반송실(EFEM) 사이에서 기판(W)의 반송을 수행하는 것이 가능하다.
또한 로드록 실(LM1, LM2)은 진공 상태 등의 대기압 미만의 부압을 견딜 수 있는 구조로 구성되고, 그 내부를 각각 진공 배기하는 것이 가능하다. 따라서 대기 반송실(EFEM)측의 게이트 밸브를 닫아서 로드록 실(LM1, LM2)의 내부를 진공 배기한 후에 진공 반송실(TM)측의 게이트 밸브를 여는 것에 의해, 진공 반송실(TM) 내의 진공 상태를 보지한 상태로 로드록 실(LM1, LM2)과 진공 반송실(TM) 사이에서 기판(W)의 반송을 수행하는 것이 가능하다.
(대기측의 구성)
또한 기판 처리 장치(10)의 대기(大氣)측에는 전술한 바와 같이, 로드록 실(LM1, LM2)에 접속된 프론트 모듈인 대기 반송실[EFEM(Equipment Front End Module)]; 및 대기 반송실(EFEM)에 접속되고, 예컨대 1로트 분량, 25장의 기판(W)을 수납한 기판 수납 수단으로서의 캐리어 카세트(CA1∼CA3)를 재치하는 기판 수용(收容)부로서의 로드 포트(LP1∼LP3);가 설치된다.
대기 반송실(EFEM) 내에는 반송 수단으로서의 대기 로봇(AR)이 예컨대 1대(臺) 설치된다. 대기 로봇(AR)은 로드록 실(LM1, LM2)과 로드 포트(LP1∼LP3) 사이에서 기판(W)의 반송을 상호적으로 수행한다. 대기 로봇(AR)도 진공 로봇(VR)과 마찬가지로 기판 재치부인 2개의 암을 포함한다. 또한 대기 반송실(EFEM) 내이며, 로드록 실(LM1, LM2)의 각 앞의 위치에는 도시되지 않는 기판 유무 센서가 설치되고, 암 상의 기판(W)의 존재를 검지할 수 있도록 구성된다.
또한 대기 반송실(EFEM) 내에는, 기판 위치 보정 장치로서 기판(W)의 결정(結晶) 방향의 위치 맞춤 등을 수행하는 도시되지 않는 오리엔테이션 플랫(Orientation Flat) 맞춤 장치가 설치된다. 기판(W)이 노치 타입일 때에는 기판 위치 보정 장치로서의 노치 맞춤 장치를 설치하는 것도 가능하다. 또한 대기 반송실(EFEM)에는 대기 반송실(EFEM)의 내부에 클린 에어를 공급하는 도시되지 않는 클린 에어 유닛이 설치된다.
각 로드 포트(LP1∼LP3)는 각 로드 포트(LP1∼LP3) 상에 복수 매의 기판(W)을 수납하는 기판 수납 수단으로서의 캐리어 카세트(CA1∼CA3)를 각각 재치하도록 구성된다. 캐리어 카세트(CA1∼CA3) 내에는 기판(W)을 각각 수납하는 수납부로서의 슬롯(도시되지 않음)이 예컨대 1로트 분량, 25슬롯 설치된다. 각 로드 포트(LP1∼LP3)는 캐리어 카세트(CA1∼CA3)가 재치되면, 캐리어 카세트(CA1∼CA3)에 첨부되며 캐리어 카세트(CA1∼CA3)를 식별하는 캐리어 ID를 도시하는 바코드 등을 독출(讀出)하여 기억하도록 구성된다.
또한 각 로드 포트(LP1∼LP3) 중, 예컨대 로드 포트(LP3)에는 더미 기판으로서의 기판(W)을 수납하는 캐리어 카세트(C3)가 상주된다. 제품 기판으로서의 기판(W)은 예컨대 캐리어 카세트(CA1) 또는 캐리어 카세트(CA2)에 수납되고, 로드 포트(LP1) 또는 로드 포트(LP2)에 재치되고, 기판 처리 장치(10) 내에 반송되어 각종의 기판 처리를 받게 된다. 또한 기판 처리 장치(10)의 기판 처리 능력의 향상을 도모하기 위하여, 또한 다품종 소(小)로트화에 따라 제품 기판용의 반송 스페이스를 다수 확보할 필요가 있기 때문에, 기판 처리 장치(10) 내에 상주되는 더미 기판의 캐리어 카세트는 1개에 그치는 것이 바람직하다.
이상, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(10)에 대하여 설명을 하였지만, 각(各) 실의 개수나 구성, 조합은 상기에 한정되지 않고, 적절하게 선택할 수 있다.
(2) 레시피 및 잡
상기의 기판 처리 장치(10)에서 수행되는 기판 처리는 각종 레시피와 잡에 의해 관리된다. 이하에 레시피 및 잡에 대하여 도 2∼도 5를 이용하여 설명한다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 기판 처리를 관리하는 레시피와 잡의 관계를 도시하는 클래스 관련도다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 배분 처리를 수행할 때의 레시피와 잡의 관계를 도시하는 오브젝트 관련도다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 병행 처리를 수행할 때의 레시피와 잡의 관계를 도시하는 오브젝트 관련도다. 도 5는 본 실시 형태에 따른 제어부(239)에 의한 잡 생성의 일 예를 도시하는 설명도다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 레시피에는 예컨대 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서의 기판 처리의 내용을 규정하는 프로세스 레시피와 제품 기판을 어느 프로세스 챔버로 처리할지를 규정하는 시퀀스 레시피가 있다. 잡은 제어부(239)에 의해 실행되는 소프트웨어 상의 오브젝트이며, 처리를 수행하는 제품 기판과 시퀀스 레시피에 관련지어진다. 예컨대 시퀀스 레시피가 다를 때마다, 또한 제품 기판의 로트가 다를 때마다, 제품 기판의 처리 요구와 함께 생성되고, 처리 완료와 함께 삭제되도록 구성된다. 잡은 동시에 복수 존재할 수 있고, 생성 순서대로 실행되도록 구성된다. 또한 이 이후, 잡을 잡 오브젝트라고 부르는 경우가 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 잡은 시퀀스 레시피를 1개 갖는다. 시퀀스 레시피는 1개 이상의 프로세스 레시피를 가지고, 프로세스 챔버(PM1, PM2… PMn)마다 프로세스 레시피를 0개 또는 1개 가진다.
다음으로 상기 2개의 프로세스 챔버(PM1, PM2)를 구비하는 기판 처리 장치(10)에서 배분 처리 및 병행 처리를 수행하는 경우에 대하여 설명한다.
양 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서의 기판 처리의 내용이 같으며 제품 기판을 어느 쪽에서 처리해도 좋을 경우의 처리를 배분 처리라고 한다. 이 경우, 도 3에 도시하는 바와 같이, 잡(Ja)은 시퀀스 레시피(Sa)를 가지고, 시퀀스 레시피(Sa)는 프로세스 챔버(PM1)의 프로세스 레시피(Pa)와 프로세스 챔버(PM2)의 프로세스 레시피(Pa)를 가진다. 이와 같은 잡(Ja)을 실행하면, 잡(Ja)에 관련지어진 제품 기판에는 프로세스 챔버(PM1) 또는 프로세스 챔버(PM2) 중 어느 하나에서 프로세스 레시피(Pa)에 의한 기판 처리가 수행되도록 구성된다.
프로세스 챔버(PM1, PM2)에서의 기판 처리의 내용이 각각 다른 경우의 처리를 병행 처리라고 한다. 이 경우, 도 4에 도시하는 바와 같이, 각각의 기판 처리의 내용에 따라 달라지는 잡(Ja, Jb)이 생성되고, 동시에 실행된다. 즉 예컨대 잡(Ja)은 시퀀스 레시피(Sa)를 가지고, 시퀀스 레시피(Sa)는 프로세스 챔버(PM1)의 프로세스 레시피(Pa)를 가진다. 또한 예컨대 잡(Jb)은 시퀀스 레시피(Sb)를 가지고, 시퀀스 레시피(Sb)는 프로세스 챔버(PM2)의 프로세스 레시피(Pb)를 가진다. 각각의 잡(Ja, Jb)은 프로세스 챔버가 경합(競合)하지 않기 때문에 동시에 실행 가능하다. 따라서 잡(Ja)에 관련지어진 제품 기판에는 프로세스 챔버(PM1)에서의 프로세스 레시피(Pa)에 의한 기판 처리가 잡(Jb)에 관련지어진 제품 기판에는 프로세스 챔버(PM2)에서의 프로세스 레시피(Pb)에 의한 기판 처리가 각각 동시에 수행되도록 구성된다.
또한 기판 재치대를 1개만 가지는 프로세스 챔버를 3개 이상 구비하는 매엽식의 기판 처리 장치에서는 배분 처리와 병행 처리가 동시에 실행되는 경우도 있다. 이 경우, 예컨대 2개의 프로세스 챔버에서 같은 프로세스 레시피에 의한 배분 처리를 실행하고, 또 하나의 프로세스 챔버에서는 이와 다른 프로세스 레시피에 의해 병행 처리를 실행하도록 구성된다.
다음으로 도 5에 도시하는 잡 생성 및 리스트화의 일 예에 대하여 설명한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 예컨대 캐리어 카세트 내에 제품 기판이 23장 수납되고, 이 중 7장의 제품 기판에 시퀀스 레시피(Sa)를 가지는 잡(Ja)을 배정하고, 다른 7장의 제품 기판에 시퀀스 레시피(Sb)를 가지는 잡(Jb)을 배정하고, 나머지 9장의 제품 기판에 시퀀스 레시피(Sc)를 가지는 잡(Jc)을 배정한다고 가정한다.
이 경우, 예컨대 잡(Ja, Jb, Jc)은 생성 순서대로 리스트화되어 실행된다. 우선, 잡(Ja)이 생성되고, 잡 큐(Q)에 리스트화된다. 다음으로 잡(Jb)이 생성되고, 잡 큐(Q)에 리스트화된다. 마지막으로 잡(Jc)이 생성되고, 잡 큐(Q)에 리스트화된다. 이와 같이 리스트화된 각 잡(Ja, Jb, Jc)은 잡 큐(Q)의 선두인 잡(Ja)으로부터 순서대로 실행된다. 각 잡의 생성 및 리스트화는 후술하는 제어부(239)에 의해 실행되도록 구성된다. 이와 같이 복수의 잡이 리스트화된 잡 큐(Q)를 잡 리스트라고 부르는 경우가 있다.
(3) 제어 수단의 구성
다음으로 기판 처리 장치(10)를 제어하는 제어 수단으로서의 제어부(239)에 대하여 주로 도 6을 이용하여 설명한다. 도 6은 기판 처리 장치(10)의 제어부(239)의 개략 구성의 일 예를 도시하는 블록도다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 제어부(239)에는 스위칭 허브(239h)를 개재하여 조작부 컨트롤러(236), GEM 컨트롤러(237), 반송 컨트롤러(239t) 및 프로세서 챔버 컨트롤러(239p)가 LAN 등의 통신 네트워크(20)로 상호적으로 접속되도록 설치된다. 또한 진공 반송실(TM)이 구비하는 진공 로봇(VR)과, 대기 반송실(EFEM)이 구비하는 대기 로봇(AR)을 제어하는 로봇 컨트롤러(11)가 LAN 등의 통신 네트워크(20)에 의해 스위칭 허브(239h)를 개재하여 설치된다.
제어 수단으로서의 제어부(239)는 기판 처리 장치(10)의 내부에 설치되고, 반송 컨트롤러(239t)와 프로세서 챔버 컨트롤러(239p)를 구비하는 것에 의해, 기판 처리 장치(10)의 각(各) 부(部)를 제어하도록 구성된다. 반송 컨트롤러(239t)와 프로세서 챔버 컨트롤러(239p)는 기판 처리 장치(10) 내에 설치하는 대신에, 기판 처리 장치(10) 외에 설치되어도 좋다.
또한 제어부(239)는 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 더미 기판을 할당하는 재료 관리 수단(56), 레시피가 동일한 소정의 잡끼리를 그룹으로서 관리하는 그룹 제어 수단(53), 제품 기판과 더미 기판을 조합시켜서 뱃치 조성을 하는 뱃치 조성 수단(54)(모두 도 9를 참조) 등의 기능을 구비하고, 더미 기판의 운용이나, 더미 기판 및 제품 기판 등의 기판(W)의 배분을 수행하도록 구성된다. 제어부(239)의 이들의 기능에 대해서는 후술한다.
조작부 컨트롤러(236)는 조작원(操作員)과의 인터페이스이며, 표시 장치(236s)나 도시되지 않는 입력 장치 등을 개재하여 조작원에 의한 조작을 접수하도록 구성된다. 또한 각 슬롯의 표시와 함께, 후술하는 더미 기판의 할당 PM(프로세스 챔버)이나 누적막 두께 등의 정보를 표시 장치(236s)에 표시하도록 구성된다. 이와 같은 표시 장치(236s)의 표시 화면의 일 예를 도 7에 도시한다.
도 7은 로드 포트(LP3)의 로드 포트 캐리어 정보의 일 예를 도시하는 도면이다. 도 7에 도시하는 바와 같이, 본 표시 화면예에서는 각 슬롯 정보의 표시와 함께, 반입원(元) 정보, 더미 누적막 두께값, 더미 할당(PM)의 정보가 표시되도록 구성된다. 각 슬롯 정보는 슬롯에 재치된 더미 기판의 속성을 알 수 있도록 명시된다. 본 로드 포트 캐리어 정보의 하측에 슬롯의 범례가 표시되기 때문에, 이 범례를 참조하는 것에 의해 각 슬롯에 재치된 더미 기판의 상태를 파악할 수 있도록 이루어진다. 예컨대 도 7에서 도시되는 표시예에서는 슬롯(18, 19)에 재치된 더미 기판은 미처리된 상태이며, 다른 슬롯에 재치된 더미 기판은 처리 완료된 상태인 것을 알 수 있다. 또한 반입원 정보(3-1, 3-2… 3-25)는 좌측의 “3”이 LP3을 나타내고 우측의 “1”, “2”… “25”가 각각 슬롯 번호를 나타낸다. 더미 누적막 두께 정보는 교환을 위한 한계값(역치, threshold)이 되는 정보다. 본 실시 형태에서는 더미 할당(PM)으로서 1(PM1) 또는 2(PM2)가 지정된다.
GEM 컨트롤러(237)는 고객의 호스트 컴퓨터(237u)에 접속되고, 공장 내의 자동화 시스템을 실현하도록 구성된다.
프로세서 챔버 컨트롤러(239p) 및 반송 컨트롤러(239t)는 예컨대 CPU 등으로 이루어진다. 또한 프로세서 챔버 컨트롤러(239p) 및 반송 컨트롤러(239t)에는 DeviceNet 등의 디지털 신호 회선(30)을 통해서, 처리 가스의 공급이나 배기용 밸브의 온/오프를 제어하는 밸브 디지털 I/O(13), 각종 스위치(SW) 등의 온/오프를 제어하는 SW 디지털 I/O(14)이 시퀀서(12)를 개재하여 각각 접속된다.
또한 프로세서 챔버 컨트롤러(239p)에는 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내의 압력을 제어하는 오토 프레셔 컨트롤러(APC) 등의 압력 컨트롤러(15)가 예컨대 시리얼 회선(40)을 통해서 접속된다. 프로세서 챔버 컨트롤러(239p)는 예컨대 조작부 컨트롤러(236)를 개재하여 조작원에 의해 작성 또는 편집된 프로세스 레시피에 기초하여, 제품 기판이나 더미 기판을 처리할 때의 제어 데이터(제어 지시)를 압력 컨트롤러(15)나, 처리 가스의 공급ㆍ배기용 밸브, 각종 스위치, 매스 플로우 컨트롤러, 온도 조정기 등에 대하여 출력하고, 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내에서의 기판 처리의 제어를 수행한다.
또한 반송 컨트롤러(239t)에는 로드 포트(LP1∼LP3)에 재치된 캐리어 카세트(CA1∼CA3)를 식별하는 캐리어 ID를 도시하는 바코드1, 2, 3…등이 기억되는 기억부(16)가 예컨대 시리얼 회선(40)을 통해서 접속된다. 반송 컨트롤러(239t)는 예컨대 조작부 컨트롤러(236)를 개재하여 조작원에 의해 작성 또는 편집된 시퀀스 레시피에 기초하여, 제품 기판이나 더미 기판을 반송할 때의 제어 데이터(제어 지시)를 진공 로봇(VR)이나 대기 로봇(AR), 각종 밸브, 스위치 등에 대하여 출력하고, 기판 처리 장치(10) 내에서의 기판(W)의 반송을 제어한다.
(4) 제어 수단에 의해 실현되는 소프트웨어
제어 수단으로서의 제어부(239)의 기능 설명에 앞서, 이와 같은 기능의 실현에 필요한 값, 상태 등을 관리하는 주된 클래스 및 각 클래스의 관계에 대해서 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 제어부(239)에 의해 실행되는 소프트웨어의 주된 클래스의 관계를 도시하는 클래스 관련도다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 제어부(239)에 따른 주된 클래스에는 기판 클래스(56c), 제품 기판 클래스(56p), 더미 기판 클래스(56f), 잡 클래스(52c), 뱃치 클래스(54c), 그룹 클래스(53c)가 있다. 이 각 클래스들은 인스턴스화되어 제어부(239)가 실행하는 소프트웨어 상의 오브젝트로서 존재할 수 있다.
기판 클래스(56c)는 멤버 변수로서 스테이터스와 「캐리어 ID」와 「슬롯 번호」를 가진다. 기판(W)의 상태를 도시하는 스테이터스에는 「미(未)뱃치」, 「투입 대기」 및 「투입 완료」가 있다. 「미뱃치」는 그 기판(W)이 아직 뱃치 조성이 되지 않은 상태를 나타낸다. 「투입 대기」는 뱃치 조성된 기판(W)이 로드록 실(LM1, LM2)로의 투입 대기가 된 상태를 나타내고, 「투입 완료」는 로드록 실(LM1, LM2)로의 반입 요구가 완료된 상태를 나타낸다. 「캐리어 ID」는 전술한 바코드 등의 캐리어 카세트(CA1∼CA3)를 특정 가능한 식별값이다. 「슬롯 번호」는 캐리어 카세트(CA1∼CA3)의 슬롯 위치를 나타낸다. 「캐리어 ID」와 「슬롯 번호」에 의해 어느 캐리어 카세트(CA1∼CA3)의 어느 슬롯 위치의 기판(W)인지를 특정할 수 있다.
제품 기판 클래스(56p) 및 더미 기판 클래스(56f)는 기판 클래스(56c)를 계승한다. 또한 더미 기판 클래스(56f)는 멤버 변수로서 「할당 PM」과 「누적막 두께값」을 가진다. 「할당 PM」은 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 사용하는 더미 기판을 할당한 경우의, 그 할당에 따른 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 식별값이다. 「누적막 두께값」은 반복해서 사용되는 더미 기판의 누적적인 막 두께값을 나타낸다.
잡 클래스(52c)는 멤버 변수로서 시퀀스 레시피명과 기판 리스트를 가진다. 또한 잡 클래스(52c)는 기판 클래스(56c)와 1대1 이상의 관련으로 이루어진다. 잡 클래스(52c)가 인스턴스화된 잡 오브젝트는 그 잡에 관련지은 기판 오브젝트의 참조 포인터를 기판 리스트로 격납하고, 기판 리스트를 개재하여 기판 오브젝트에 액세스 가능하도록 구성된다. 또한 잡 오브젝트는 0개 이상의 다른 잡 오브젝트와 관련지어지는 것에 의해 잡의 생성 순서를 도시하도록 구성된다.
뱃치 클래스(54c)는 기판(W)의 뱃치 조성을 관리하는 역할을 담당하고, 멤버 변수로서 기판 리스트와 「미투입 기판수」를 가진다. 또한 뱃치 클래스(54c)는 기판 클래스(56c)와 1대1 이상의 관련으로 이루어진다. 「미투입 기판수」는 뱃치 조성한 기판(W) 중 기판(W)의 스테이터스가 「투입 대기」로 된 기판(W)의 수다. 예컨대 1뱃치의 기판 매수가 5장의 경우, 「미투입 기판수」의 초기값은 5이며, 기판(W)이 투입됨에 따라 1씩 감산되도록 구성된다. 뱃치 클래스(54c)가 인스턴스화된 뱃치 오브젝트는 뱃치 조성한 기판 오브젝트의 참조 포인터를 기판 리스트에 격납하고, 기판 리스트를 개재하여 기판 오브젝트에 액세스 가능하도록 구성된다.
그룹 클래스(53c)는 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 잡끼리를 그룹으로서 관리하는 역할을 담당하고, 멤버 변수로서 스테이터스와 잡 리스트와 「미뱃치 기판수」를 가진다. 또한 그룹 클래스(53c)는 잡 클래스(52c)와 1대1 이상의 관련으로 이루어지고, 뱃치 오브젝트를 0개 또는 1개 가진다. 잡의 상태를 도시하는 스테이터스에는 「개시 대기」 및 「개시 완료」가 있다. 「개시 대기」는 잡 리스트의 선두의 잡이 개시 대기로 된 상태를 나타내고, 「개시 완료」는 적어도 잡 리스트의 선두의 잡이 개시 완료로 된 상태를 나타낸다. 「미뱃치 기판수」는 관련이 있는 각 잡에 관련지어진 기판 오브젝트 중 스테이터스가 「미뱃치」로 된 기판(W)의 총수다. 예컨대 2개의 잡을 관리하는 그룹이 있는 경우에 1개째의 잡에 관련지어진 기판(W) 중 스테이터스가 「미뱃치」의 기판(W)이 5장 있고 2개째의 잡에 관련지어진 기판(W) 중 스테이터스가 「미뱃치」의 기판(W)이 25장 있을 때에는, 그 그룹의 「미뱃치 기판수」는 30장이 된다. 그룹 클래스(53c)가 인스턴스화된 그룹 오브젝트는, 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 잡을 잡의 생성 순서에 따라 잡 리스트로 격납하고 잡 리스트를 개재하여 잡 오브젝트에 액세스 가능하도록 구성된다. 또한 그룹 오브젝트는 0개 이상의 다른 그룹 오브젝트와 관련지어지는 것에 의해, 그룹의 처리 순서를 도시하도록 구성된다.
(5) 제어 수단의 기능 구성
계속해서 제어 수단으로서의 제어부(239)의 기능 구성에 대하여 도 9를 이용하여 설명한다. 도 9는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 제어부(239)의 기능 구성도다.
제어부(239)에 의해 실현되는 소프트웨어는 도 9에 도시하는 바와 같이, 주로 메시지 해석 수단(51), 잡 제어 수단(52), 그룹 제어 수단(53), 뱃치 조성 수단(54), PM 관리 수단(55), 재료 관리 수단(56)에 의해 구성된다.
메시지 해석 수단(51)은 조작부 컨트롤러(236) 등의 각 컨트롤러 또는 제어부(239)가 구비하는 다른 수단으로부터의 요구나 통지 등의 메시지를 수신하고, 그 내용에 따라 다른 수단으로 이러한 메시지를 배정하도록 구성된다.
잡 제어 수단(52)은 잡 오브젝트를 생성하도록 구성된다. 또한 생성한 잡 오브젝트를 그룹 제어 수단(53)으로 넘기도록 구성된다. 잡 제어 수단(52)은 또한 잡 오브젝트끼리를 관련지어서 잡 리스트로서 잡 데이터(52d)에 격납하고, 갱신하도록 구성된다.
그룹 제어 수단(53)은 그룹 오브젝트를 생성하도록 구성된다. 또한 그룹 오브젝트끼리를 관련지어서 그룹 리스트로서 그룹 데이터(53d)로 격납하고 갱신하도록 구성된다. 또한 잡 데이터(52d)를 참조하여, 잡 제어 수단(52)으로부터 넘겨진 잡 오브젝트의 시퀀스 레시피와 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 잡이 있는지를 판정하도록 구성된다. 또한 그룹 오브젝트를 뱃치 조성 수단(54)으로 넘기고, 뱃치 조성 수단(54)에 의해 뱃치 조성된 기판(W)에 대하여 로드록 실(LM1, LM2) 내로의 반입 요구를 하고, 기판 데이터(56d)를 갱신하는 것에 의해, 기판 오브젝트의 스테이터스를 갱신하도록 구성된다. 또한 LM(로드록 실) 반입 가능 통지의 수신 시에는 투입 중의 뱃치가 있으면 다음 기판(W)에 대하여 로드록 실(LM1, LM2) 내로의 반입 요구를 하도록 구성된다.
뱃치 조성 수단(54)은 뱃치 오브젝트를 생성하고, 그룹 오브젝트에 소유시키기 위해서 그룹 데이터(53d)를 갱신하도록 구성된다. 또한 잡 데이터(52d)를 참조하여 잡 오브젝트를 취득하고, 잡 오브젝트의 기판 리스트를 기초로 기판 데이터(56d)를 참조하여 기판 오브젝트를 취득하도록 구성된다. 또한 더미 기판에 의한 매수 조정이 필요한지 아닌지를 판정하고, 필요하다고 판정한 경우에는 기판 데이터(56d)를 참조하여 사용하는 더미 기판을 결정한다.
PM 관리 수단(55)은 프로세스 챔버(PM1, PM2)로의 투입 순서를 도시하는 PM 투입 순서 리스트, 각 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 누적막 두께값인 「PM 누적막 두께값」, 각 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 기판 처리의 회수인 「PM 기판 처리 회수」를 PM 관리 데이터(55d)로 격납하거나 또는 갱신하도록 구성된다.
재료 관리 수단(56)은 기판 처리 장치(10) 내에 캐리어 카세트(CA1∼CA3)가 투입되면, 투입된 캐리어 카세트(CA1∼CA3) 내의 기판수를 판별하고, 기판 오브젝트를 생성하여 기판 데이터(56d)에 격납하거나 또는 갱신하도록 구성된다.
또한 기판(W)이 더미 기판일 때에는 「할당 PM」을 세트하여 「누적막 두께값」을 갱신한다.
(6) 기판 처리 장치의 동작
다음으로 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 동작에 대하여 도 1 및 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)에서의 기판 처리 공정의 개요를 도시하는 플로우도다. 이하의 설명에서 기판 처리 장치(10)의 각 부의 동작은 제어부(239)에 의해 제어된다. 이와 같은 동작 및 제어에 의해, 본 실시 형태에 따른 더미 기판의 운용 방법 또는 기판 배분 방법을 이용하여 수행되는 기판 처리 공정은 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 실시된다.
(대기 반송실 내로의 반송)
우선은 로드록 실(LM1, LM2)의 진공 반송실(TM)측의 게이트 밸브를 닫고, 대기 반송실(EFEM)측의 게이트 밸브를 열고, 진공 반송실(TM) 내 및 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내를 진공 배기한다. 또한 대기 반송실(EFEM) 내에는 대기 반송실(EFEM) 내가 대략 대기압이 되도록 클린 에어를 공급한다.
상기 각 부의 준비가 정돈된 후에 예컨대 복수 매의 기판(W)을 수납한 캐리어 카세트(CA1∼CA3) 중 어느 하나가 로드 포트(LP1∼LP3) 중 어느 하나에 재치(투입)되면, 캐리어 카세트를 식별하는 캐리어 ID가 독출된다. 또한 캐리어 카세트 투입 통지가 메시지 해석 수단(51)으로 송신된다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 캐리어 카세트 투입 통지를 수신한 메시지 해석 수단(51)은 이 캐리어 카세트 투입 통지를 재료 관리 수단(56)으로 송신한다. 재료 관리 수단(56)은 캐리어 카세트 투입 통지를 수신하면 캐리어 카세트 수용 처리를 실행한다. 즉 투입된 캐리어 카세트가 제품 기판, 더미 기판 중 어느 하나의 캐리어 카세트인지를 판정하고, 각각의 경우에 따라 기판 오브젝트를 생성하고, 또한 더미 기판의 캐리어 카세트라면 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 각 더미 기판의 할당을 수행한다. 이와 같은 「캐리어 카세트 수용」 처리의 플로우의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.
계속해서 호스트 컴퓨터(237u)로부터의 또는 조작부 컨트롤러(236)를 개재한 조작원에 의한 잡 생성 요구를 수신하면, 메시지 해석 수단(51)은 이 잡 생성 요구를 잡 제어 수단(52)으로 송신한다. 잡 제어 수단(52)은 잡 생성 요구를 수신하면 잡 생성 처리를 실행하고, 생성한 잡 오브젝트를 그룹 제어 수단(53)에 건넨다. 이와 같은 「잡 생성」 처리의 플로우의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.
이를 받아서, 그룹 제어 수단(53)은 그룹 오브젝트를 생성하여 잡의 그룹화 처리를 수행하고, 또한 뱃치 개시 요구 처리를 실행한다. 뱃치 개시 요구 처리 중에서는 그룹 제어 수단(53)으로부터 뱃치 조성 수단(54)으로 그룹 오브젝트가 건네지고, 뱃치 조성 수단(54)은 건네진 그룹 오브젝트의 정보에 따라 뱃치 조성 처리를 실행하여 뱃치 오브젝트를 생성한다. 그룹 제어 수단(53)은 뱃치 제어 수단(54)으로부터 뱃치 오브젝트를 수취하고, 그 정보에 따라 뱃치 개시 요구 처리를 계속하고, 뱃치의 선두의 기판(W)에 대하여 로드록 실(LM1, LM2)중 어느 하나에 반입 요구한다. 「잡의 그룹화」 처리, 「뱃치 개시 요구」 처리, 「뱃치 조성」 처리의 각 플로우의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.
그룹 제어 수단(53)에 의해 반입 요구가 이루어지면, 도 1에 도시하는 바와 같이, 대기 로봇(AR)이 그룹 제어 수단(53)으로부터 반입 요구가 있었던 뱃치의 선두의 기판(W)을 캐리어 카세트 내의 소정 슬롯으로부터 대기 반송실(EFEM) 내에 반송하고, 도시되지 않는 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치 상에 설치하고, 결정 방위(方位)의 위치 맞춤 등을 실시한다.
(진공 반송실 내로의 반송)
계속해서 대기 로봇(AR)에 의해 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치 상의 기판(W)을 픽업하여, 적어도 한 쪽의 로드록 실, 예컨대 로드록 실(LM1)의 대기 반송실(EFEM)측의 게이트 밸브가 개방된 상태로 로드록 실(LM1) 내에 반송하고, 도시되지 않는 버퍼 스테이지 상에 설치한다. 그리고 대기 반송실(EFEM)측의 게이트 밸브를 닫고, 로드록 실(LM1) 내부를 진공 배기한다. 로드록 실(LM1) 내를 소정의 압력까지 감압하면, 대기 반송실(EFEM)측의 게이트 밸브를 닫은 상태로 진공 반송실(TM)측의 게이트 밸브를 연다. 그리고 진공 로봇(VR)에 의해 로드록 실(LM1) 내에 설치된 기판(W)을 픽업하고, 진공 반송실(TM) 내에 반송한다.
그 사이, 로드록 실(LM2)을 이용한 진공 반송실(TM) 내로의 기판(W)의 반송도 동시 진행으로 수행된다. 즉 기판(W)이 반송된 로드록 실(LM1) 내를 감압하는 사이에 뱃치의 2장째의 기판(W)에 대해서도 반입 요구가 이루어지고, 상기와 마찬가지의 순서에 의해 로드록 실(LM2) 내로 그리고 진공 반송실(TM) 내로 반송한다.
이와 같이 기판(W)의 로드록 실(LM1, LM2) 내로의 반송 및 로드록 실(LM1, LM2)로부터 진공 반송실(TM) 내로의 반송이 완료하여 다시 로드록 실(LM1, LM2) 내로의 기판(W)의 반송이 가능해지면, 메시지 해석 수단(51)은 LM 반입 가능 통지를 수신하고, 그것을 그룹 제어 수단(53)으로 송신한다. LM 반입 가능 통지를 수신한 그룹 제어 수단(53)은 뱃치 투입 처리를 실행한다. 뱃치 투입 처리에서는 투입 중의 뱃치가 있으면 다음 기판(W)에 대하여 LM(로드록 실) 반입 요구를 하고, 로드록 실(LM1, LM2) 내 및 진공 반송실(TM) 내로의 기판(W)의 반송을 계속한다. 「뱃치 투입」 처리의 플로우의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.
(프로세스 챔버 내로의 반송)
진공 반송실(TM) 내로 기판(W)이 반송되면, 예컨대 프로세스 챔버(PM1)측의 게이트 밸브를 열여 프로세스 챔버(PM1) 내에 기판(W)을 반송하고, 기판 재치대(ST11)에 설치한다. 상기 뱃치 투입 처리에 기초하는 기판(W)의 프로세스 챔버(PM1) 내로의 반송은, 예컨대 프로세스 챔버(PM1) 내에서 처리 가능한 기판 매수의 기판(W)이 반송되고 프로세스 챔버(PM1) 내의 모든 기판 재치대(ST11∼ST15)가 매립될 때까지, 반복된다.
즉 그룹 제어 수단(53)은 뱃치 내의 모든 기판(W)의 투입이 완료할 때까지 뱃치 투입 처리를 계속한다. 또한 뱃치 투입 처리의 완료 후는 그룹 제어 수단(53)은 다시 뱃치 개시 요구 처리를 실행하여, 다음 뱃치의 투입 처리를 예컨대 프로세스 챔버(PM2)에 대하여 수행한다.
(프로세스 챔버 내에서의 처리)
소정의 기판 매수의 기판(W)이 프로세스 챔버(PM1) 내에 반송된 후, 프로세스 챔버(PM1) 내에 처리 가스를 공급하거나 기판(W)을 가열하는 등을 수행하여, 기판(W)에 대하여 소정의 처리, 예컨대 플라즈마 등을 이용한 성막 처리 등을 실시한다. 이 때, 프로세스 챔버(PM2) 내에서도 동일한 또는 다른 내용의 기판 처리가 동시에 진행되는 경우도 있다.
여기서 모든 기판 재치대가 메워지지 않고 1뱃치의 기판 매수에 만족시키지 못하는 상태로 기판 처리를 수행한 경우, 기판이 반입되지 않은 기판 재치대에는 기판 처리의 내용에 따라 불필요한 성막이나 에칭 처리 등이 수행된다. 특히 플라즈마를 이용한 기판 처리에서는 플라즈마 전극으로도 되는 기판 재치대에 전기적 특성의 변화나 그에 따른 기판 처리 성능의 변화가 생기고, 성막 특성이나 에칭 특성이 악화되는 경우가 있었다.
본 실시 형태에서는 모든 기판 재치대(ST11∼ST15)가 메워지도록 제품 기판과 더미 기판을 소정 매수 조합하여 1뱃치로 한다. 따라서 모든 기판 재치대(ST11∼ST15)에 기판(W)이 재치되고, 기판 재치대(ST11∼ST15)에 불필요한 기판 처리가 수행되는 것을 억제할 수 있다. 따라서 성막 특성이나 에칭 특성 등의 기판 처리 특성이 안정된다.
프로세스 챔버(PM1) 내에서의 기판(W)의 처리가 완료되면, 도 10에 도시하는 바와 같이, 메시지 해석 수단(51)은 PM(프로세스 챔버) 기판 처리 종료 통지를 수신한다. 메시지 해석 수단(51)은 이 PM 기판 처리 종료 통지를 PM 관리 수단(55)으로 송신한다. PM 기판 처리 종료 통지를 수신하면, PM 관리 수단(55)은 PM 스테이터스 갱신 처리를 수행하고, 프로세스 챔버(PM1) 내에 형성된 퇴적막의 누적막 두께값인 「PM 누적막 두께값」 등의 프로세스 챔버(PM1)의 스테이터스를 갱신한다. 또한 재료 관리 수단(56)에 이번 회의 막 두께값의 데이터를 건넨다. 재료 관리 수단(56)은 더미 기판 스테이터스 갱신 처리를 수행하여, 이 막 두께값을 이번 회 사용된 더미 기판의 누적막 두께값에 가산하는 갱신을 더미 기판 오브젝트에 추가한다. 이들, 「PM 스테이터스 갱신」 처리, 「더미 기판 스테이터스 갱신」 처리의 각 플로우의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.
(로드록 실 내로의 반송)
필요한 처리가 모두 완료되면, 진공 로봇(VR)에 의해 예컨대 프로세스 챔버(PM1) 내부의 기판 재치대(ST11∼ST15)에 설치된 처리 완료된 기판(W)을 픽업하여, 예컨대 로드록 실(LM1)의 진공 반송실(TM)측의 게이트 밸브를 열어 로드록 실(LM1) 내에 반송하고, 버퍼 스테이지 상에 배치한다. 그 후, 진공 반송실(TM)측의 게이트 밸브를 닫고, 로드록 실(LM1) 내에 클린 가스를 공급하여 로드록 실(LM1) 내를 대략 대기압으로 되돌리고, 대기 반송실(EFEM)측의 게이트 밸브를 연다.
(로드 포트에 재치된 캐리어 카세트로의 수납)
계속해서 대기 로봇(AR)에 의해 로드록 실(LM1) 내에 설치된 처리 완료된 제품 기판을 픽업하고, 예컨대 로드 포트(LP1)에 재치된 캐리어 카세트(CA1)에 반송하여 빈 슬롯에 수납한다. 또한 로드록 실(LM1) 내에 설치되는 더미 기판이 있으면 더미 기판을 픽업하고, 예컨대 로드 포트(LP3)에 재치된 캐리어 카세트(C3)에 반송하여 빈 슬롯에 수납한다. 처리 완료된 모든 기판(W)을 소정의 캐리어 카세트(CA1, C3) 등에 수납하면, 더미 기판을 수납한 캐리어 카세트(C3)는 로드 포트(LP3)에 상주시킨 상태로 처리 완료된 제품 기판을 수납한 캐리어 카세트(CA1)를 로드 포트(LP1)로부터 반출하여 자동 반송 처리를 완료한다.
(7) 캐리어 카세트의 수용 처리
계속해서 전술한 각 플로우에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다. 우선은 도 11을 이용하여 캐리어 카세트 수용 처리의 플로우에 대하여 설명한다. 도 11은 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 실행하는 재료 관리 수단(56)에 의한 캐리어 카세트 수용 처리의 플로우도다.
이하, 캐리어 카세트가 로드 포트에 재치되었을 때에 실시되는 각종 기판의 할당 수법에 대하여 도 11의 플로우도에 따라 설명한다.
우선은 기판 오브젝트를 생성하여 멤버 변수를 세트한다.
즉 도 11에 도시하는 바와 같이, 복수 매의 기판(W)을 수납한 캐리어 카세트가 어느 하나의 로드 포트(LP1∼LP3)에 재치되면(S1), 재료 관리 수단(56)은 재치된 캐리어 카세트의 종별을 판정한다(S2). 제품 기판의 전용 캐리어 카세트인 경우, 캐리어 카세트 내의 기판수를 판별하여 제품 기판 오브젝트를 생성한다(S3p). 더미 기판의 전용 캐리어 카세트인 경우, 캐리어 카세트 내의 기판수를 판별하여 더미 기판 오브젝트를 생성한다(S3d). 다음으로 각각의 기판 오브젝트의 스테이터스에 「미뱃치」를 세트하고(S4p, S4d), 기판(W)이 수납된 캐리어 카세트의 캐리어 ID를 기판 오브젝트의 「캐리어 ID」로 세트하고, 기판(W)이 적재된 슬롯의 번호를 「슬롯 번호」로 세트한다(S5p, S5d). 이상, S3p∼S5p 및 S3d∼S5d까지를 모든 기판(W)에 대하여 수행한다(S6p, S6d).
계속해서 프로세스 챔버마다 사용하는 더미 기판의 매수를 할당한다.
즉 투입된 캐리어 카세트가 더미 기판의 전용 캐리어 카세트인 경우, PM 관리 데이터(55d)를 참조하여 소정의 프로세스 챔버의 누적막 두께값(PM 누적막 두께값)을 이와 같은 프로세스 챔버의 기판 처리의 회수(PM 기판 처리 회수)로 나눗셈하여 PM 평균 막 두께값을 산출한다(S7d). PM 평균 막 두께값을 모든 프로세스 챔버(PM1, PM2)에 대하여 구한 후(S8d), 각 PM 평균 막 두께값의 비율을 산출하여(S9d), 그 비율에 따라 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 할당 매수를 결정한다(S10d). 즉 1회당의 처리에 의해 소정의 프로세스 챔버 내에 형성되는 퇴적막의 평균 막 두께값을 이 프로세스 챔버에 할당된 더미 기판의 매수로 나눗셈한 값이 각 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 대략 같은 값이 되도록 더미 기판의 매수를 할당한다.
다음으로 더미 기판 오브젝트의 멤버 변수를 세트한다.
즉 모든 더미 기판 오브젝트의 「누적막 두께값」을 초기화하여(S11d), 각 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 할당 매수에 따라 각각의 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 PM 식별값을 「할당 PM」로 세트한다(S12d). 이를 모든 더미 기판에 대하여 수행하고(S13d), 또한 모든 프로세스 챔버(PM1, PM2)에 대하여 수행한다(S14d). 이 때, 동일한 프로세스 챔버에 할당하는 더미 기판은 연속한 슬롯이 되도록 하고, 슬롯 번호가 작은 순서대로 PM 식별값이 작은 순서 또는 큰 순서가 되도록 한다.
마지막으로 제품 기판, 더미 기판과 함께, 모든 기판 오브젝트를 기판 데이터(56d)에 추가한다(S15). 이상으로, 캐리어 카세트 수용 처리가 종료한다.
본 실시 형태에서는 1회당의 처리에 의해 각 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내에 형성되는 퇴적막의 평균 막 두께값이 큰 프로세스 챔버에 대해서는 할당 매수가 많아지도록 더미 기판을 할당한다. 이에 의해 종래, 더미 기판을 캐리어 카세트마다의 로트에서 관리하는 운용에서는, 로트 내의 더미 기판 중 어느 하나가 소정의 누적막 두께값을 초과하였기 때문에 로트마다 더미 기판을 교환하면 누적막 두께값이 작은 더미 기판까지도 교환되어 폐기되기 때문에, 사용 효율이 저하하는 경우가 있었지만, 이와 같은 불비(不備)를 억제할 수 있다.
예컨대 2개의 프로세스 챔버를 구비한 기판 처리 장치에서 각각의 프로세스 챔버를 지정한 병행 처리의 시퀀스 레시피를 이용하여 기판 처리를 수행하는 경우에, 각 프로세스 챔버에서의 1회당의 막 두께값은 각각 200Å과 100Å로 한다. 또한 기판 처리 장치 내에 더미 기판 24장을 상주시켜, 12장씩을 각각의 프로세스 챔버에 균등하게 할당하고, 어느 하나의 누적막 두께값이 10,000Å에 달하면 더미 기판을 로트마다 교환하기로 한다.
상기 조건 하에서 각 프로세스 챔버 사이에서의 상호 오염 등을 억제하기 위하여, 사용하는 더미 기판을 프로세스 챔버마다 균등하게 할당한 경우, 각각의 프로세스 챔버에 할당한 더미 기판이 같은 수회(數回)씩 사용되었다고 하면, 일방(一方)의 할당의 더미 기판의 누적막 두께값이 10,000Å에 달해서 교환 시기가 왔을 때에 또 다른 일방의 할당의 더미 기판의 누적막 두께값은 5,000Å밖에 달하지 않는다. 즉 이 다른 일방의 더미 기판들은 규정의 누적막 두께값의 반으로 교환되고, 사용 효율이 저하하여 고비용이 된다. 하지만 본 실시 형태에 의하면, 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 기판 처리의 내용이 다른 경우 등에서도 각 더미 기판의 사용 상황을 대략 균등하게 맞출 수 있고, 더미 기판의 전체에서의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서 더미 기판의 소모를 억제하고, 교환 빈도를 저감하여 비용을 삭감하는 것이 가능하다. 또한 더미 기판의 교환 때문에 기판 처리가 정체하는 빈도가 저감하여 기판 처리 장치(10)의 생산 효율이 향상한다.
또한 프로세스 챔버마다 기판 처리의 내용이 다른 경우, 소정의 프로세스 챔버로 처리한 더미 기판을, 기판 처리가 다른 별도의 프로세스 챔버로 반입하면, 기판 처리의 특성에 영향을 끼치는 우려가 있었다. 또한 동일한 기판 처리를 수행하는 프로세스 챔버끼리라도 소정의 프로세스 챔버에서는 다른 프로세스 챔버에 비해 어떠한 요인에 의해 파티클이 많이 발생하는 경우가 있어, 파티클이 많은 프로세스 챔버로 처리한 더미 기판을 다른 프로세스 챔버로 반입하면, 파티클의 확산을 야기하는 우려가 있었다. 하지만 본 실시 형태에서는 예컨대 캐리어 카세트(C3) 내의 더미 기판을 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 할당하여, 할당의 프로세스 챔버에만 더미 기판을 반입하기로 하였기 때문에, 전술한 바와 같은 더미 기판에 의한 파티클의 확산(상호 오염)을 억제할 수 있다.
(8) 잡 생성 처리 및 그룹화 처리
다음으로 도 12를 이용하여 잡 생성 처리 및 잡의 그룹화 처리의 각 플로우에 대하여 설명한다. 도 12는 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 잡 제어 수단(52)에 의한 잡 생성 처리 및 그룹 제어 수단(53)에 의한 잡의 그룹화 처리의 플로우도다.
본 실시 형태에서는 이하에 설명하는 바와 같이, 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 다른 잡을 동일한 그룹으로 정리하는 잡의 그룹화 처리를 수행하고, 그룹 단위마다 뱃치 조성을 하여 기판 처리를 실행한다. 이에 의해 예컨대 복수의 로트를 동일한 시퀀스에서 처리하는 경우에, 로트의 다른 제품 기판끼리를 뱃치 조성하여, 일괄하여 처리할 수 있다. 따라서 더미 기판에 의한 로트마다의 매수 조정의 회수가 저감하여 더미 기판의 사용 빈도를 저감할 수 있다.
이하, 구체적인 잡의 그룹화의 수법에 대하여 도 12의 플로우도에 따라 설명한다.
우선은 잡 제어 수단(52)에 의해 잡을 생성한다.
즉 도 12에 도시하는 바와 같이, 잡 제어 수단(52)은 메시지 제어 수단(51)을 개재하여 잡 생성 요구를 수신하면(S16), 잡 오브젝트를 신규로 생성하고(S17), 또한 잡 데이터(52d)를 갱신하여, 생성한 잡 오브젝트를 그룹 제어 수단(53)으로 건넨다. 이상으로 잡 생성 처리가 종료한다.
계속해서 잡 오브젝트의 기존 그룹으로의 추가 가부의 판정을 수행하고, 기존 그룹으로의 추가 또는 신규 그룹 오브젝트의 생성을 수행한다.
즉 그룹 제어 수단(53)은 그룹 데이터(53d)를 참조하여 그룹 오브젝트끼리의 관련을 도시하는 그룹 리스트를 취득하고(S19), 그룹 오브젝트의 유무를 판정한다(S20). 즉 예컨대 기판 처리 장치(10)에 제품 기판의 캐리어 카세트가 투입되지 않은 상태에서 신규로 제품 기판의 캐리어 카세트가 투입되어 잡 생성 요구가 송신된 경우에는 그룹 오브젝트는 존재하지 않는다. 이 경우, 그룹 제어 수단(53)은 그룹 오브젝트를 신규로 생성하여(S25), 스테이터스에 「개시 대기」를 세트하여(S26), 건네진 잡 오브젝트의 포인터를 잡 리스트에 추가하여 신규 그룹으로 잡을 추가하여(S27), 「미뱃치 기판수」를 제로에 초기화한다(S28). 또한 생성한 그룹 오브젝트를 리스트화하여 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S29).
또한 예컨대 기판 처리 장치(10)에 제품 기판의 캐리어 카세트가 이미 투입되고, 그 잡이 실행 중일 때에 신규로 제품 기판의 캐리어 카세트가 투입되어 잡 생성 요구가 송신된 경우에는 그룹 오브젝트는 이미 존재한다. 또한 다른 시퀀스 레시피를 가지는 잡이 복수 있는 경우, 그룹 오브젝트는 복수 존재한다. 이 경우, 그룹 제어 수단(53)은 그룹 리스트의 선두로부터 그룹 오브젝트를 취출하고(S21), 취출한 그룹 오브젝트의 시퀀스 레시피명과, 잡 제어 수단(52)으로부터 건네진 잡 오브젝트의 시퀀스 레시피명을 비교하여(S22) 일치하는지 아닌지를 판정한다(S23).
그룹 제어 수단(53)은 시퀀스 레시피명이 불일치하는 경우, 그룹 리스트로부터 다음 그룹 오브젝트를 취출하여 마찬가지로 비교한다. 이와 같이 모든 그룹 오브젝트의 시퀀스 레시피명을 비교하여(S24), 불일치하는 경우, S25 이후의 처리를 수행한다. 시퀀스 레시피명이 일치하는 경우, 그 그룹 오브젝트의 잡 리스트의 말미에, 건네진 잡 오브젝트의 포인터를 추가하고(S23a), 잡에 관련지어진 기판수를 「미뱃치 기판수」에 가산하여 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S23b).
이상으로 잡의 그룹화 처리가 종료한다.
이와 같이 본 실시 형태에서는 제품 기판의 로트가 달라도 1개의 프로세스 챔버 내에서 일괄하여 처리할 수 있다. 따라서 더미 기판에 의한 잡마다, 로트마다의 매수 조정의 회수가 저감하여 더미 기판의 사용 빈도를 저감할 수 있다.
따라서 더미 기판의 소모를 억제하고, 교환 빈도를 저감해서 비용을 삭감하는 것이 가능해진다. 또한 기판 처리 장치(10)의 전체에서의 기판 처리 매수가 저감하고, 또한 더미 기판의 교환에 의한 기판 처리의 정체의 빈도가 저감하여 생산 효율이 향상한다.
(9) 뱃치 개시 요구 처리
다음으로 도 13을 이용하여 뱃치 개시 요구 처리의 플로우에 대하여 설명한다. 또한 뱃치 개시 요구 처리 중에서 실행되는 「이번 회 실행 그룹 결정」 처리에 대해서도 함께 설명한다. 도 13은 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 그룹 제어 수단(53)에 의한 뱃치 개시 요구 처리의 플로우도다.
잡의 그룹화 처리에 이어지는 뱃치 개시 요구 처리에서는 로드록 실(LM1, LM2) 내로의 반입 요구를 수행하여 뱃치의 선두의 기판(W)의 투입을 개시한다.
즉 도 13에 도시하는 바와 같이, 잡의 그룹화 처리를 완료한 그룹 제어 수단(53)은 어느 하나의 로드록 실(LM1, LM2)로의 기판(W)의 반입이 가능한지 아닌지를 판정한다(S31). 기판(W)의 반입이 가능하면, 뒤에 상세히 서술하는 이번 회 실행 그룹 결정 처리를 실행한다(S32).
그룹 제어 수단(53)은 실행 가능한 그룹이 있으면(S33), 그 그룹 오브젝트를 취득하여(S34), 뱃치 조성 수단(54)으로 건넨다. 그룹 오브젝트를 수도(受渡)한 뱃치 조성 수단(54)은 뒤에 상세히 서술하는 뱃치 조성 처리를 수행하여 뱃치 오브젝트를 생성하여(S40), 그룹 제어 수단(53)에 건넨다(S35).
그룹 제어 수단(53)은 뱃치 조성 수단(54)으로부터 취득한 뱃치 오브젝트의 기판 데이터(56d)를 참조하여 기판 리스트의 선두의 기판 오브젝트에 해당하는 기판(W)에 대하여 어느 하나의 로드록 실(LM1, LM2)에 대하여 반입 요구한다(S36). 다음으로 기판 오브젝트의 스테이터스에 「투입 완료」를 세트하여 기판 데이터(56d)를 갱신한다(S37). 또한 이에 해당하는 그룹 오브젝트의 스테이터스에 「개시 완료」를 세트하여 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S38). 또한 그 외에 반입 가능한 로드록 실이 있으면, 반입 가능한 모든 로드록 실(LM1, LM2)에 대하여 상기 (S36∼S38)까지의 처리를 반복한다(S39).
이상으로 뱃치 개시 요구 처리가 종료한다.
(이번 회 실행 그룹 결정 처리)
계속해서 뱃치 개시 요구 처리 중에서 실행되는 이번 회 실행 그룹 결정 처리에 대하여 도 14를 이용하여 설명한다. 도 14는 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 그룹 제어 수단(53)에 의한 이번 회 실행 그룹 결정 처리의 플로우도다.
이번 회 실행 그룹 결정 처리에서는 이미 기판 처리가 개시 완료된 다른 그룹의 유무나 개시 완료된 그룹과의 병행 처리의 가부에 따라 이번 회 실행 그룹을 결정한다.
즉 도 14에 도시하는 바와 같이, 그룹 제어 수단(53)은 그룹 데이터(53d)로부터 그룹 리스트를 취득하여(S32-1), 그룹 오브젝트의 유무를 판정한다(S32-2).
그룹 오브젝트가 없는 경우, 이번 회 실행 그룹은 없는 것으로 처리를 종료한다(S32-2a).
그룹 오브젝트가 있는 경우, 그룹 데이터(53d)를 참조하여 그룹 리스트의 선두의 그룹 오브젝트에 대하여 그 스테이터스가 「개시 대기」로 되어 있는지를 판정한다(S32-3). 스테이터스가 「개시 대기」 이외의 경우, 그룹 리스트의 다음 그룹 오브젝트를 참조하여 모든 그룹 오브젝트의 참조가 종료할 때까지 판정을 반복한다(S32-4).
참조한 그룹 오브젝트의 스테이터스가 「개시 대기」의 경우, 다른 모든 그룹 오브젝트의 스테이터스가 「개시 대기」로 되어 있는지를 판정하여(S32-3a), 「개시 대기」로 되어 있는 경우, 이번 회에 참조한 그룹 오브젝트를 이번 회 실행 그룹으로 결정한다(S32-3c). 또한 「개시 완료」의 그룹 오브젝트가 있는 경우, 모든 개시 완료된 그룹 오브젝트와 이번 회에 참조한 그룹 오브젝트의 병행 처리가 가능한지 아닌지를 판정한다(S32-3b). 병행 처리가 가능한 경우, 이번 회에 참조한 그룹 오브젝트를 이번 회 실행 그룹으로 결정한다(S32-3c). 병행 처리가 불가한 경우, 그룹 리스트의 다음 그룹 오브젝트를 참조하여 모든 그룹 오브젝트의 참조가 종료할 때까지 판정을 반복한다(S32-4).
여기까지의 처리에서 이번 회 실행 그룹이 결정되지 않는 경우, 전회(前回) 실행 그룹을 검색하여(S32-5), 전회 실행 그룹의 다음 그룹 오브젝트의 유무를 판정한다(S32-6). 다음 그룹 오브젝트가 없는 경우, 그룹 리스트의 선두의 그룹 오브젝트를 이번 회 실행 그룹으로 결정한다(S32-7).
다음 그룹 오브젝트가 있는 경우, 그것을 참조 그룹 오브젝트로 하고(S32-6a), 다른 모든 그룹 오브젝트의 스테이터스가 「개시 대기」로 되어 있는지를 판정하고(S32-6b), 「개시 대기」로 되어 있는 경우, 참조 그룹 오브젝트를 이번 회 실행 그룹으로 결정한다(S32-6d). 또한 「개시 완료」의 그룹 오브젝트가 있는 경우, 모든 개시 완료된 그룹 오브젝트와 참조 그룹 오브젝트의 병행 처리가 가능한지 아닌지를 판정한다(S32-6c). 병행 처리가 가능한 경우, 참조 그룹 오브젝트를 이번 회 실행 그룹으로 결정한다(S32-6d). 병행 처리가 불가한 경우, 그룹 리스트의 다음 그룹 오브젝트를 참조하여 말미의 그룹 오브젝트의 참조가 종료할 때까지 판정을 반복한다(S32-6e). 말미의 그룹 오브젝트까지 참조하여, 이번 회 실행 그룹이 결정되지 않은 경우, 그룹 리스트의 선두의 그룹 오브젝트를 이번 회 실행 그룹으로 결정한다(S32-7).
이상으로 이번 회 실행 그룹 결정 처리가 종료한다. 이와 같이 결정된 이번 회 실행 그룹에 대하여 상기와 같이 뱃치 조성이 수행되고, 뱃치 개시 요구 처리에 의해 뱃치의 투입이 개시된다. 뱃치의 투입 개시 후는 후술하는 뱃치 투입 처리에 의해 각 로드록 실(LM1, LM2)에 대한 2순(巡)째 이후의 기판(W)의 반송이 실행되고, 이 이후, 뱃치 개시 요구 처리와 뱃치 투입 처리를 반복하는 것에 의해 모든 뱃치의 반송이 실행된다.
(10) 뱃치 조성 처리
다음으로 도 15를 이용하여 뱃치 조성 처리의 플로우에 대하여 설명한다. 또한 뱃치 조성 처리 중에 실행되는 「기판 매수 결정」 처리와, 기판 매수 결정 처리 중에 실행되는 「더미 우선 사용 PM 순서 결정」 처리에 대해서도 함께 설명한다. 도 15는 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 뱃치 조성 수단(54)에 의한 뱃치 조성 처리의 플로우도다.
이하, 제품 기판과 더미 기판을 소정 매수씩 지정하여 수행되는 뱃치 조성 처리에 대하여 도 15의 플로우도에 따라 설명한다.
도 15에 도시하는 바와 같이, 뱃치 조성 수단(54)은 그룹 제어 수단(53)으로부터 건네진 그룹 오브젝트를 참조하여 그룹 오브젝트 내의 「미뱃치 기판수」를 「미투입 기판수」로 세트하고(S41), 뱃치 조성을 하는 제품 기판 및 더미 기판의 매수를 결정하는 기판 매수 결정 처리를 실행한다(S42). 「기판 매수 결정」 처리의 플로우의 상세한 설명에 대해서는 후술한다.
다음으로 제품 기판을 지정하여 뱃치에 추가한다.
즉 뱃치 조성 수단(54)은 뱃치 오브젝트를 신규로 생성하고, 그룹 오브젝트에 관련지어서 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S43). 다음으로 제품 기판에 대하여 이하의 플로우를 수행한다. 즉 그룹 오브젝트의 잡 데이터(52d)를 참조하여 잡 리스트의 선두의 잡 오브젝트를 취득한다(S44). 계속해서 이와 같은 잡 오브젝트의 기판 데이터(56d)를 참조하여 기판 리스트의 선두의 기판 오브젝트를 취득하고(S45), 이와 같은 기판 오브젝트의 스테이터스가 「미뱃치」로 되어 있는지를 판정한다(S46).
기판 오브젝트의 스테이터스가 「미뱃치」의 경우, 뱃치 오브젝트의 기판 리스트로 기판 오브젝트의 포인터를 추가하여 뱃치에 소정의 제품 기판을 추가하고, 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S46a). 다음으로 그 기판 오브젝트의 스테이터스에 「투입 대기」를 세트하여 기판 데이터(56d)를 갱신한다(S46b). 제품 기판 매수의 추가가 종료할 때까지 상기 (S45∼S46b)를 반복한 후(S46c), 미뱃치 기판수로부터 제품 기판 매수를 감산한 값을 「미뱃치 기판수」로 세트하고, 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S46d).
기판 오브젝트의 스테이터스가 「미뱃치」가 아닌 경우에는 기판 리스트의 다음 기판 오브젝트에 대하여 마찬가지의 처리를 수행하고, 제품 기판 매수에 달하는지, 기판 리스트 말미에 달할 때까지 반복한다(S47). 추가된 제품 기판이 소정 매수에 만족하지 못하는 경우에는 잡 리스트의 다음 잡 오브젝트를 취득하여 제품 기판 매수에 달하는지, 그룹 내의 모든 잡이 종료할 때까지 마찬가지의 처리를 반복한다(S48).
다음으로 필요에 따라 더미 기판을 지정하여 뱃치에 추가한다.
즉 뱃치 조성 수단(54)은 더미 기판의 추가가 필요한지 아닌지를 판정하고(S50), 필요가 없는 경우(더미 기판 매수=0)에는 뱃치 조성 처리를 종료한다. 더미 기판의 추가가 필요한 경우(더미 기판 매수>0)에는 이 뱃치가 투입되는 프로세스 챔버를 특정한다(S51). 그리고 기판 데이터(56d)를 참조하여 그 프로세스 챔버에 할당한 더미 기판 오브젝트를 모두 추출하여, 누적막 두께값이 최소의 더미 기판을 사용 기판으로서 결정한다(S52). 사용 기판이 결정하면, 뱃치 오브젝트의 기판 리스트에 사용하는 더미 기판의 기판 오브젝트의 포인터를 추가하여 뱃치에 그 더미 기판을 추가하여, 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S53). 또한 그 기판 오브젝트의 스테이터스에 「투입 대기」를 세트하여 기판 데이터(56d)를 갱신한다(S54). 이상의 처리를 더미 기판 매수에 달할 때까지 반복한다(S55).
이상으로 뱃치 조성 처리가 종료한다.
전술한 바와 같이, 본 실시 형태에서의 뱃치 조성 처리에서는 소정의 제품 기판과 더미 기판을 소정 매수씩 지정하여 뱃치 조성을 수행한다. 그 때 프로세스 챔버 내에서 사용되는 더미 기판이 될 수 있는 한 균등하게 사용되도록 누적막 두께값이 작은 순서대로 더미 기판을 지정한다. 이에 의해 각 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내에서의 더미 기판의 사용 상황의 편향이 저감되어, 더미 기판의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
종래, 제품 기판 1로트에 대하여 복수의 처리를 복수의 처리실 내에서 수행하는 경우, 더미 기판을 사용한 뱃치 조성은 1개의 처리에 대한 최후의 뱃치 또는 최초의 뱃치에 고정되었다. 이로 인해 복수의 처리실 사이에서 순서대로 복수의 뱃치를 처리하면, 더미 기판을 포함하는 뱃치에 맞은 처리실과 그 이외의 처리실에서 더미 기판의 사용 회수나 사용 매수에 편향이 생긴다. 또한 더미 기판을 사용한 뱃치 조성이 로트의 선두 또는 말미에 고정되어, 상기와 마찬가지로 복수의 처리실 사이에서의 편향이 생긴다. 뱃치 조성은 통상, 로트마다 수행되기 때문에 복수의 로트에 동일한 처리를 수행하는 경우도 마찬가지다. 또한 다품종 소 로트화에 따라 상기 구성에서는 더미 기판에 의한 매수 조정이 빈번해져서 더미 기판의 사용 빈도도 증가해버린다. 본 실시 형태에 의하면 이와 같은 더미 기판의 사용 회수나 사용 매수의 편향을 억제할 수 있다.
(기판 매수 결정 처리)
계속해서 뱃치 조성 처리 중에 실행되는 기판 매수 결정 처리에 대하여 도 16∼도 19를 이용하여 설명한다. 도 16은 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 뱃치 조성 수단(54)에 의한 기판 매수 결정 처리의 전반을 도시하는 플로우도다.
도 17∼도 19는 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 뱃치 조성 수단(54)에 의한 기판 매수 결정 처리의 후반을 도시하는 도면이며, 각각 알고리즘 A1, A2, A3을 이용하였을 때의 플로우도다.
기판 매수 결정 처리에서는 소정의 알고리즘에 기초하여 제품 기판 및 더미 기판의 뱃치 내의 매수를 결정한다. 이하에 몇 개의 알고리즘에 기초하는 기판 매수 결정 처리에 대하여 예시한다. 또한 도 16∼도 19 중 및 이하의 설명 중, 「U」는 미처리의 제품 기판수이며, 「B」는 뱃치 기판 매수이며, 「N」은 뱃치수이며, 「M」은 프로세스 챔버수이며, 「P」는 뱃치 내의 제품 기판 매수이며, 「D」는 뱃치 내의 더미 기판 매수다. 예컨대 전술한 기판 처리 장치(10)에서는 뱃치 기판 매수(B)는 「5」, 프로세스 챔버수M은 「2」이다.
우선은 더미 기판이 불필요하게 될 때의 처리에 대하여 설명한다.
즉 도 16에 도시하는 바와 같이, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치 기판 매수(B)로 나눗셈하여 나머지를 산출하고(S42-1), 나머지가 제로의 경우, 뱃치 기판 매수(B)를 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-4).
나머지가 제로 이외의 경우, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치 기판 매수(B)로 나눗셈한 값에 1을 가산한 값을 뱃치수(N)로 세트한다(S42-2). 뱃치수(N)과 프로세스 챔버수M을 비교하여(S42-3), 뱃치수(N)이 프로세스 챔버수M보다 큰 경우, 뱃치 기판 매수(B)를 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-4).
다음으로 더미 기판이 필요해질 때의 처리에 대하여 설명한다.
즉 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치 기판 매수(B)로 나눗셈한 나머지가 제로 이외의 경우이며, 뱃치수(N)가 프로세스 챔버수(M) 이하의 경우, 더미 기판이 필요해진다. 도 16의 처리에 이어 더미 기판의 필요 매수를 산출해내는 수법으로서, 알고리즘 A1, A2, A3에 따른 처리를 도 17, 도 18, 도 19에 예시하였다.
도 17에 알고리즘 A1을 이용한 플로우도를 도시한다.
알고리즘 A1을 이용한 플로우에서는 더미 기판을 우선 사용하는 프로세스 챔버 순서를 결정하고, 우선 순위가 높은 프로세스 챔버일수록 더미 기판의 투입 매수가 많아지도록 기판 매수를 결정한다. 즉 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치수(N)로 나눗셈하여 나머지를 산출하고(S42-5a), 나머지가 제로의 경우, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치수(N)로 나눗셈한 값을 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-10a).
나머지가 제로 이외의 경우, 뒤에 상세히 서술하는 더미 기판 우선 사용 PM 결정 처리를 실행하여, 더미 기판을 우선 사용하는 프로세스 챔버 순서를 결정한다(S42-6a).
다음으로 투입처의 프로세스 챔버와 더미 기판을 최우선 사용하는 프로세스 챔버를 비교하여(S42-7a), 양자가 일치하는 경우, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치수(N)로 나눗셈한 값을 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-10a). 양 프로세스 챔버가 일치하지 않는 경우, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치수(N)로 나눗셈한 값에 1을 가산한 값을 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-8a). 이상으로 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)가 결정된다.
뱃치 내의 더미 기판 매수(D)는 상기한 바와 같이, 결정된 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)를 뱃치 기판 매수(B)로부터 감산하는 것에 의해 결정된다(S42-9a).
도 18에 알고리즘 A2를 이용한 플로우도를 도시한다.
알고리즘 A2를 이용한 플로우에서는 더미 기판을 우선 사용하는 프로세스 챔버 순서를 결정하고, 도 17과는 다른 수법에 의해 우선 순위가 높은 프로세스 챔버일수록 더미 기판의 투입 매수가 많아지도록 기판 매수를 결정한다. 즉 미처리의 제품 기판수(U)와 뱃치 기판 매수(B)를 비교하여(S42-5b), 미처리의 제품 기판수(U)가 뱃치 기판 매수(B) 이하의 경우, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-1lb).
미처리의 제품 기판수(U)가 뱃치 기판 매수(B)보다 큰 경우, 뒤에 상세히 서술하는 더미 기판 우선 사용 PM 결정 처리를 실행하여, 더미 기판을 우선 사용하는 프로세스 챔버 순서를 결정한다(S42-6b).
다음으로 투입처의 프로세스 챔버와 더미 기판을 최우선 사용하는 프로세스 챔버를 비교하여(S42-7b), 양자가 일치하는 경우, 뱃치 기판 매수(B)를 미처리의 제품 기판수(U)로부터 감산하여 그 값을 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-10b). 양쪽 프로세스 챔버가 일치하지 않은 경우, 뱃치 기판 매수(B)를 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-8b). 이상으로 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)가 결정된다.
뱃치 내의 더미 기판 매수(D)는 상기한 바와 같이, 결정된 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)를 뱃치 기판 매수(B)로부터 감산하는 것에 의해 결정된다(S42-9b).
도 19에 알고리즘 A3을 이용한 플로우도를 도시한다.
알고리즘 A3을 이용한 플로우에서는 각 프로세스 챔버(PM1, PM2)로의 더미 기판의 투입수를 될 수 있는 한 균등하게 한다. 즉 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치수(N)로 나눗셈하여 나머지를 산출하고(S42-5c), 나머지가 제로의 경우, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치수(N)로 나눗셈한 값을 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-10c). 나머지가 제로 이외의 경우, 미처리의 제품 기판수(U)를 뱃치수(N)로 나눗셈한 값에 1을 가산한 값을 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)로 세트한다(S42-8c). 이상으로 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)가 결정된다.
뱃치 내의 더미 기판 매수(D)는 상기한 바와 같이, 결정된 뱃치 내의 제품 기판 매수(P)를 뱃치 기판 매수(B)로부터 감산하는 것에 의해 결정된다(S42-9c).
이상으로 소정의 알고리즘에 기초하는 기판 매수 결정 처리가 종료한다. 또한 상기에 도시하는 알고리즘 A1, A2, A3은 어디까지나 예시이며, 예컨대 더미 우선 사용 PM 순서에 따라 더미 기판의 투입수에 차이를 두고 뱃치 기판 매수 내에서 배분하는 등, 상기 이외의 알고리즘을 이용하는 것도 가능하다. 또한 상기와 같은 알고리즘을 복수 조합시켜서 이용해도 좋다.
(더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리)
다음으로 기판 매수 결정 처리 중에서 실행되는 더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리에 대하여 도 20을 이용하여 설명한다. 도 20은 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 뱃치 조성 수단(54)에 의한 더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리의 플로우도다.
전술한 바와 같이 뱃치 조성을 수행할 때, 제품 기판이 처리 매수에 만족시키지 못하고 더미 기판이 구비되는 뱃치는 1개의 처리 또는 1개의 로트에 대한 최후의 뱃치 또는 최초의 뱃치에 고정되었다. 이와 같이 뱃치 조성된 복수의 뱃치를 복수의 프로세스 챔버로 순차 처리하면, 더미 기판을 포함하는 뱃치에 맞기 쉬운 프로세스 챔버가 생기는 등으로 인해, 이와 같은 프로세스 챔버에 할당된 더미 기판의 사용 빈도가 증가하는 경우가 있었다.
본 실시 형태에서는 이하에 설명하는 바와 같이, 할당된 더미 기판의 누적막 두께값의 총계[總和]가 작은 프로세스 챔버로부터 순서대로, 더미 기판이 우선적으로 사용되는 프로세스 챔버 순서를 결정한다. 이에 의해 상기의 기판 매수 결정 처리에서 예컨대 우선 순위가 높은 프로세스 챔버, 즉 더미 기판의 누적막 두께값이 작고, 더미 기판이 그다지 사용되지 않는 프로세스 챔버일수록 더미 기판 매수가 많이 배분되어, 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 사용 상황의 편향을 더욱 저감할 수 있다.
이하, 구체적인 더미 우선 사용 PM 순서 결정의 수법에 대하여 도 20의 플로우도에 따라 설명한다.
도 20에 도시하는 바와 같이, 뱃치 조성 수단(54)은 기판 데이터(56d)를 참조하여 소정의 프로세스 챔버에 할당된 더미 기판을 순차 추출하고(S42-61), 이와 같은 더미 기판의 누적막 두께값을 가산하여(S42-62) 총계를 산출한다(S42-63). 또한 배분 가능한 모든 프로세스 챔버(PM1, PM2)에 대하여 S42-61∼S42-63까지를 반복한다(S42-64). 다음으로 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 할당된 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 비교하여(S42-65), 총계가 작은 순서대로 더미 기판을 우선 사용하는 프로세스 챔버 순서를 결정한다(S42-66). 총계가 같은 경우에는 예컨대 프로세스 챔버의 번호가 낮은 쪽(PM1과 PM2라면 PM1의 쪽)을 우선한다.
이상으로 더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리가 종료한다.
이상, 뱃치 조성 수단(54)은 뱃치 개시 처리와 뱃치 투입 처리를 반복하는 그룹 제어 수단(53)으로부터 그룹 오브젝트를 건네질 때마다, 더미 우선 사용 PM 순서에 따라 상기 뱃치 조성의 처리를 실행하고, 각 뱃치 내의 기판(W)이 순차, 투입된다.
또한 각 프로세스 챔버의 PM 평균 막 두께값을 상기와 마찬가지의 순서로 구하고, 모든 PM 평균 막 두께값이 같은 경우, 각 프로세스 챔버에 사용된 더미 기판의 매수(회수)로, 더미 우선 사용 PM 순서를 결정해도 좋다. 이에 의해, 전술한 기판 매수 결정 처리에서 더미 기판의 매수가 결정될 때, 1회당의 처리에 의해 형성되는 퇴적막의 평균 막 두께값을 결정한 더미 기판의 매수로 나눈 값이 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 대략 같은 값이 되도록 할 수 있다. 따라서 프로세스 챔버마다의 더미 기판의 누적막 두께값을 대략 같은 값에 맞출 수 있다.
(11) 뱃치 투입 처리
다음으로 뱃치 투입 처리의 플로우에 대하여 도 21을 이용하여 설명한다. 도 21은 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 그룹 제어 수단(53)에 의한 뱃치 투입 처리의 플로우도다.
뱃치 투입 처리에서는 뱃치 개시 요구에 의해 개시된 뱃치의 2순째 이후의 기판(W)을 뱃치 내의 모든 기판(W)의 반송이 종료할 때까지 순차 기판 처리 장치(10) 내에 투입한다.
즉 도 21에 도시하는 바와 같이, 그룹 제어 수단(53)은 그룹 데이터(53d)를 참조하여 그룹 오브젝트의 유무를 판정한다(S61). 그룹 오브젝트가 없는 경우, 뱃치 투입 처리를 종료한다. 그룹 오브젝트가 있는 경우, 뱃치 조성 수단(54)으로부터 취득한 뱃치 오브젝트의 기판 데이터(56d)를 참조하여, 그룹 오브젝트에 뱃치 오브젝트가 관련지어져 있는지 아닌지를 판정한다(S62). 뱃치 오브젝트가 관련지어지지 않은 경우, 뱃치 투입 처리를 종료한다. 뱃치 오브젝트가 관련지어져 있는 경우, 그 뱃치 오브젝트의 기판 데이터(56d)를 참조하여 기판 리스트의 선두의 기판 오브젝트를 취득하고(S63), 그 기판 오브젝트의 스테이터스가 「투입 대기」로 되어 있는지를 판정한다(S64). 스테이터스가 「투입 대기」 이외의 경우, 기판 리스트의 다음 기판 오브젝트를 참조하여, 뱃치 오브젝트 내의 모든 기판 오브젝트의 참조가 종료할 때까지 판정을 반복한다(S65).
스테이터스가 「투입 대기」로 되어 있는 경우, 그 기판 오브젝트에 해당하는 기판(W)에 대하여 로드록 실(LM1, LM2)에 대한 반입 요구를 한다(S66). 또한 기판 오브젝트의 스테이터스에 「투입 완료」를 세트하여 기판 데이터(56d)를 갱신한다(S67). 다음으로 그룹 데이터(53d)를 참조하여 그룹 오브젝트의 뱃치 내의 「미투입 기판수」의 수치로부터 1을 감산한 값을 신규로 「미투입 기판수」로서 세트하고, 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S68). 갱신 후, 「미투입 기판수」가 제로인지 아닌지를 판정하고(S69), 제로보다도 큰 경우에는 S63 이후의 처리를 반복한다.
갱신 후의 「미투입 기판수」가 제로의 경우, 뱃치 오브젝트 및 그 뱃치 오브젝트의 그룹 오브젝트의 관련을 삭제하고, 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S70). 또한 그룹 오브젝트의 「미뱃치 기판수」가 제로인지 아닌지를 판정하고(S71), 제로의 경우에는 그룹 오브젝트를 삭제하여, 그룹 데이터(53d)를 갱신한다(S72). 「미뱃치 기판수」가 제로보다도 큰 경우에는 그룹 오브젝트의 삭제는 수행하지 않고, 뱃치 투입 처리를 마친다.
이상으로 뱃치 투입 처리가 종료한다. 상기한 바와 같이, 뱃치 내의 모든 기판(W)의 반송이 종료하여 뱃치 투입 처리가 종료하면, 그룹 제어 수단(53)은 다시 뱃치 개시 요구를 실행하여 다음 뱃치의 투입을 개시한다. 이와 같이 뱃치 개시 요구 처리와 뱃치 투입 처리를 반복하여 모든 뱃치의 반송이 실행된다.
(12) PM 스테이터스 갱신 처리 및 더미 기판 스테이터스 갱신 처리
다음으로 도 22를 이용하여 PM 스테이터스 갱신 처리 및 더미 기판 스테이터스 갱신 처리의 각 플로우에 대하여 설명한다. 도 22는 본 실시 형태에 따른 제어부(239)가 포함하는 PM 관리 수단(55)에 의한 PM 스테이터스 갱신 처리 및 재료 관리 수단(56)에 의한 더미 기판 스테이터스 갱신 처리의 플로우도다.
PM 스테이터스 갱신 처리에서는 소정의 프로세스 챔버에서의 기판 처리가 종료하면, 이와 같은 프로세스 챔버의 누적막 두께값 등의 스테이터스를 갱신한다. 더미 기판 스테이터스 갱신 처리에서는 사용한 더미 기판의 누적막 두께값을 갱신한다.
즉 도 22에 도시하는 바와 같이, PM 관리 수단(55)은 이번 회 실행 그룹의 기판 처리가 종료한 프로세스 챔버의 식별값을 PM 투입 순서 리스트의 말미에 추가하여 PM 관리 데이터(55d)를 갱신한다(S81). 또한 그 프로세스 챔버의 「PM 누적막 두께값」에 이번 회의 기판 처리에서의 막 두께값을 가산하고(S82), 「기판 처리 회수」에 1을 가산하여(S83) PM 관리 데이터(55d)를 갱신한다. 또한 이번의 막 두께값을 재료 관리 수단(56)에 건넨다.
재료 관리 수단(56)은 이번 기판 처리에서 사용한 더미 기판이 있는 경우, 사용한 모든 더미 기판에 대하여 더미 기판 오브젝트의 「누적막 두께값」에 PM 관리 수단(55)으로부터 건네진 막 두께값을 가산하고, 기판 데이터(56d)를 갱신한다(S91).
이상으로 PM 스테이터스 갱신 처리 및 더미 기판 스테이터스 갱신 처리가 종료한다.
(13) 본 실시 형태에 따른 효과
본 실시 형태에 의하면 이하에 도시하는 1개 또는 복수의 효과를 갖는다.
(a) 본 실시 형태에 의하면, 기판 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(239)가 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 기판 매수가 소정 매수가 되도록 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정한다.
상기 구성에서 제어부(239)는 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 각종 기판을 배분하고, 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내에서의 최후의 1회당의 처리에 의해, 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 사용되는 더미 기판의 매수가 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 거의 동일한 매수가 되도록 더미 기판의 매수를 결정하도록 제어한다.
또한 상기 구성에서 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 각종 기판을 배분하여, 연속해서 로트 처리를 수행할 때에는 로트 처리마다 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 비교한 결과, 총계가 적은 프로세스 챔버에 더미 기판을 배분하여, 더미 기판이 각 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서 균등하게 사용되도록 제어한다.
이상으로 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 사용 상황의 편향이 저감하고, 더미 기판의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
(b) 또한 본 실시 형태에 의하면, 기판 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(239)가 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 사용하는 더미 기판의 매수를 할당한다. 이에 의해 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 사용 상황의 편향이 저감하여 더미 기판의 사용 효율을 향상시킬 수 있다. 특히, 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서 적어도 하나의 로트가 배분 처리되는 경우, 로트의 최후의 처리에서 처리실 내에 할당하는 더미 기판의 매수를 각 프로세스 챔버(PM)에서 거의 동일한 매수로 할 수 있다. 배분 처리에서는 기본적으로 같은 프로세스가 각 프로세스 챔버(PM)에서 실시되기 때문에 최저한 같은 매수로 조정하는 것이 중요하다. 또한 본 실시 형태에 의하면, 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서 적어도 하나의 로트가 배분 처리되는 경우, 로트의 최후의 처리에서 소정의 프로세스 챔버 내에서의 1회당의 처리에 의해 프로세스 챔버 내에 형성되는 퇴적막의 적산값을 배분된 더미 기판의 매수로 나눗셈한 값이 각 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 대략 같은 값이 되도록 더미 기판의 매수를 할당한다. 이에 의해 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 누적막 두께값이 대략 같은 값이 되어, 더미 기판의 사용 상황을 같은 정도로 맞출 수 있다. 또한 로트의 최후의 처리에서 소정의 프로세스 챔버 내에서의 1회당의 처리에 의해 프로세스 챔버 내에 사용되는 더미 기판의 퇴적막을 할당된 더미 기판의 매수로 적산한 값이 각 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 대략 같은 값이 되도록 더미 기판의 매수를 할당한다. 따라서 더미 기판의 전체에서의 사용 효율의 향상 및 사용 빈도의 저감을 도모하여 더미 기판의 소모를 억제하여, 교환 빈도를 저감하여 비용을 삭감할 수 있다.
(c) 또한 본 실시 형태의 상기 구성에 의하면, 기판 처리의 내용이 다른 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 더미 기판이 공유되는 경우가 없기 때문에, 기판 처리의 특성 변화를 억제할 수 있다. 또한 어떠한 요인으로 파티클이 많이 발생한 프로세스 챔버와 다른 프로세스 챔버 사이에서의 파티클의 확산을 억제할 수 있다.
(d) 또한 본 실시 형태에 의하면, 프로세스 챔버(PM1, PM2)에서 적어도 2개의 로트가 연속해서 배분 처리되는 경우, 로트의 최후의 처리에서 소정의 프로세스 챔버 내에서의 1회당의 처리에 의해 프로세스 챔버 내에 형성되는 퇴적막의 누적 적산값을 할당된 더미 기판의 누적 매수로 나눗셈한 값이 각 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 대략 같은 값이 되도록 더미 기판의 매수를 할당한다. 이에 의해 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 누적막 두께값이 대략 같은 값이 되어, 더미 기판의 사용 상황을 같은 정도로 맞출 수 있다. 또한 로트의 최후의 처리에서 소정의 프로세스 챔버 내에서의 1회당의 처리에 의해 프로세스 챔버 내에 사용되는 더미 기판의 퇴적막을 할당된 더미 기판의 매수로 적산한 누적값이 각 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 대략 같은 값이 되도록 더미 기판의 매수를 할당한다. 따라서 더미 기판의 전체에서의 사용 효율의 향상 및 사용 빈도의 저감을 도모하여 더미 기판의 소모를 억제하여, 교환 빈도를 저감하여 비용을 삭감할 수 있다.
(e) 또한 본 실시 형태에 의하면, 제어부(239)는 제품 기판과 더미 기판을 조합시켜서 복수의 기판(W)으로서 일괄로 처리한다. 이 때, 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 기판(W)에 대한 처리가 다를 때에는 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 할당되어 제품 기판과 조합된 더미 기판의 전체가 될 수 있는 한 균등하게 사용되도록 제어한다. 이에 의해 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 기판 처리의 차이에 의한 더미 기판의 사용 상황의 편향이 저감된다.
(f) 또한 본 실시 형태에 의하면, 제어부(239)는 제품 기판의 로트가 달라도 1개의 프로세스 챔버 내에서 일괄하여 처리하도록 제어한다. 이에 의해 더미 기판에 의한 로트마다의 매수 조정의 빈도가 저감된다. 따라서 더미 기판의 사용 빈도를 저감할 수 있다.
(g) 또한 본 실시 형태에 의하면, 상기 다른 로트의 제품 기판의 일괄 처리는 프로세스 챔버를 적어도 1개 구비한 기판 처리 장치에도 적용될 수 있다. 즉 소정 로트의 최후의 제품 기판을 프로세스 챔버 내의 소정 위치에 배치하였을 때에 프로세스 챔버 내에서 처리 가능한 기판 매수에 달하지 못하는 경우, 다음 로트의 제품 기판을 동일한 프로세스 챔버 내에 반입하여 보충하고, 일괄하여 처리한다. 이 때, 각 로트의 시퀀스 레시피는 동일하다.
(h) 또한 본 실시 형태에 의하면, 제품 기판과 더미 기판을 조합시킬 때에 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 다른 잡에서 지정된 제품 기판을 조합하여 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내에서 동시에 처리한다. 이에 의해 더미 기판에 의한 잡마다의 매수 조정의 빈도가 저감된다. 따라서 더미 기판의 사용 빈도를 저감할 수 있다.
(i) 또한 본 실시 형태에 의하면, 상기 잡마다의 매수 조정의 빈도 저감은, 다른 시퀀스 레시피를 가지는 잡을 복수 실행하는데 있어서 동일한 잡으로부터 이루어지는 그룹 단위마다 제품 기판과 더미 기판을 조합하여 이 그룹 단위마다 순차 프로세스 챔버 내에서 처리하는 것에 의해서도 실현된다.
(j) 또한 본 실시 형태에 의하면, 뱃치 조성 수단(54)은 동일한 프로세스 챔버 내에서 사용되는 더미 기판을 누적막 두께값이 작은 순서대로 지정한다. 이에 의해 동일한 프로세스 챔버 내에서의 더미 기판의 사용 상황의 편향이 저감되고, 더미 기판의 사용 효율을 향상시킬 수 있다.
(k) 또한 본 실시 형태에 의하면, 뱃치 조성 수단(54)은 할당된 더미 기판의 누적막 두께값의 총계가 작은 프로세스 챔버로부터 순서대로, 더미 기판이 우선적으로 사용되는 프로세스 챔버 순서를 결정한다. 이에 의해 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 사용 상황의 편향이 한층 더 저감된다.
(l) 또한 본 실시 형태에 의하면, 기판 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(239)가 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 기판 매수가 소정 매수가 되도록 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정한다. 이와 같은 구성에 의해 로트 처리가 연속이 아니라, 예컨대 로트(A)와 로트(B) 사이에 빈 시간이 비어 있다고 해도 더미 기판에 사용의 편향을 없앨 수 있다. 또한 로트(A)와 로트(B)에서 사용하는 시퀀스 레시피가 다른 경우에도, 로트마다 더미 기판의 사용을 조정하기 때문에 더미 기판의 사용의 편향을 없앨 수 있다. 상기 구성에서 제어부(239)는, 프로세스 챔버(PM1, PM2) 내에서의 1회당의 처리에 의해 형성되는 퇴적막의 평균 막 두께값을 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다 결정된 더미 기판의 매수로 나눗셈한 값이 프로세스 챔버(PM1, PM2) 사이에서 대략 같은 값이 되도록 더미 기판의 매수를 결정하도록 해도 좋다.
또한 본 명세서 중 더미 기판 상이나 처리실 내에 형성되는 퇴적막의 적산값을 더미 기판의 매수로 나눗셈한 값이나 적산한 값이 처리실 사이에서 「대략 같은」 등의 표현을 이용하였지만, 이들은 「실질적으로 동일한」값이라는 의미다. 즉 이들이 완전히 동일한 경우 외에 완전히 동일하지 않더라도 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 정도의 범위 내에 있는 것을 말한다. 또한 "더미 기판이 상기 처리실 사이에서 실질적으로 동일한 매수가 되도록" 등에서의 「실질적으로 동일한 매수」라는 표현도 완전히 동일한 매수인 경우 외에 완전히 동일한 매수가 아니더라도 본 발명의 효과를 얻을 수 있는 정도의 범위 내에 있는 것을 말한다.
[실시예]
(1) 다른 시퀀스 레시피에 의한 로트 내 처리
본 발명의 실시예1, 2 및 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서 23장의 제품 기판이 수납된 캐리어 카세트 1로트에 대하여, 다른 시퀀스 레시피에 의해 로트 내 처리를 수행하는 경우에 대하여 설명한다.
실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치는 전술한 기판 처리 장치(10)와 마찬가지로 1뱃치의 기판 매수를 각각 5장씩으로 하는 2개의 프로세스 챔버(PM1a, PM2a) 및 프로세스 챔버(PM1b, PM2b)를 각각 구비한다. 또한 전술한 제어부(239)와 마찬가지로 더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리를 수행하는 제어부를 포함한다. 또한 실시예1에 따른 제어부는 전술한 알고리즘 A1에 따라 기판 매수 결정 처리를 수행하고, 실시예2에 따른 제어부는 전술한 알고리즘 A2에 따라 기판 매수 결정 처리를 수행하도록 구성된다.
비교예1에 따른 기판 처리 장치는 상기와 마찬가지로 1뱃치의 기판 매수를 각각 5장씩으로 하는 2개의 프로세스 챔버(PM1c, PM2c)를 구비한다. 또한 복수의 뱃치를 프로세스 챔버의 번호가 낮은 순서대로 처리하는 제어부를 포함한다.
구체적인 처리 조건으로서는 도 23에 도시하는 바와 같이, 캐리어 카세트 내에 제품 기판이 23장 수납되고, 이 중 7장의 제품 기판에 시퀀스 레시피(Sa)를 가지는 잡(Ja)이 배정되고, 다른 7장의 제품 기판에 시퀀스 레시피(Sb)를 가지는 잡(Jb)이 배정되고, 나머지 9장의 제품 기판에 시퀀스 레시피(Sc)를 가지는 잡(Jc)이 배정된다.
어떠한 시퀀스 레시피(Sa, Sb, Sc)도 각 실시예 및 비교예가 구비하는 2개의 프로세스 챔버를 지정한 배분 처리의 시퀀스 레시피다. 또한 어떠한 시퀀스 레시피(Sa, Sb, Sc)도 1회의 기판 처리에서 각 프로세스 챔버 내에 형성되는 퇴적막의 막 두께값은 100Å이다. 각 프로세스 챔버에 할당한 더미 기판의 누적막 두께값의 총계는 초기값으로 0Å이다. 각 잡(Ja, Jb, Jc)은 생성 순서대로 실행되고, 잡(Ja, Jb, Jc)의 순서대로 실행된다.
이상의 조건 하에서 실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치에서 상기 23장의 제품 기판의 로트 내 처리를 수행한 경우의 각 뱃치 내의 제품 기판 매수의 내역, 사용된 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 각각 도 23의 (a) 및 (b)에 도시한다.
도 23의 (a)에 도시하는 바와 같이, 실시예1에 따른 기판 처리 장치에서는 잡(Ja, Jb, Jc)마다 뱃치 조성 처리가 수행되고, 그 중에서 더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리가 수행된다. 잡(Ja)에서는 양 프로세스 챔버(PM1a, PM2a) 모두 더미 기판의 누적막 두께값의 총계가 0Å로 같기 때문에 번호가 낮은 프로세스 챔버(PM1a)가 더미 기판을 최우선 사용하는 프로세스 챔버로 지정된다. 따라서 알고리즘 A1을 이용하여 프로세스 챔버(PM1a)에 대해서는 제품 기판 3장+더미 기판 2장의 뱃치 조성이 되고, 프로세스 챔버(PM2a)에 대해서는 제품 기판 4장+더미 기판 1장의 뱃치 조성이 된다. 잡(Ja)의 실행 후의 더미 기판의 누적막 두께값의 총계는 프로세스 챔버(PM1a, PM2a)로 각각 200Å 및 100Å이었다.
잡(Jb)에서는 더미 기판의 누적막 두께값의 총계가 작은 프로세스 챔버(PM2a)가 더미 기판의 최우선 사용 프로세스 챔버로 지정되고, 그에 따라 뱃치 조성이 되고, 각각 처리된다. 잡(Jc)에서는 더미 기판의 누적막 두께값의 총계가 300Å로 다시 같아졌기 때문에, 번호가 낮은 프로세스 챔버(PM1a)를 최우선 사용 프로세스 챔버로 하여 각각 처리를 수행한다.
또한 도 23의 (b)에 도시하는 바와 같이, 실시예2에 따른 기판 처리 장치에서는 실시예1의 경우와 마찬가지의 순서로 더미 우선 사용 PM 순서 결정 처리가 수행되고, 알고리즘 A2를 이용하여 뱃치 조성이 수행되고, 각 잡(Ja, Jb, Jc)이 실행된다.
이상의 기판 처리 후, 실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치 모두, 프로세스 챔버(PM1a, 1b)에서의 더미 기판의 사용 매수가 4장, 누적막 두께값의 총계가 400Å이며, 프로세스 챔버(PM2a, 2b)에서의 더미 기판의 사용 매수가 3장, 누적막 두께값의 총계가 300Å이었다. 이와 같이 실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치에서는 더미 기판의 사용 매수 및 누적막 두께값의 총계를 프로세스 챔버마다 거의 균등하게 할 수 있었다.
상기와 마찬가지의 조건 하에서 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서 상기 23장의 제품 기판의 로트 내 처리를 수행한 경우의 각 뱃치 내의 제품 기판 매수의 내역, 사용된 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 도 23의 (c)에 도시한다.
도 23의 (c)에 도시하는 바와 같이, 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서는 프로세스 챔버(PM1c)에서의 더미 기판의 사용 매수가 0장, 누적막 두께값의 총계가 0Å이며, 프로세스 챔버(PM2c)에서의 더미 기판의 사용 매수가 7장, 누적막 두께값의 총계가 700Å이었다. 이와 같이 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서는 복수의 뱃치를 프로세스 챔버의 번호가 낮은 순서대로 처리하기 때문에, 프로세스 챔버(PM2c)에 할당한 더미 기판에 편향한 사용이 되었다.
(2) 다른 시퀀스 레시피에 의한 복수 로트 처리
다음으로 상기와 마찬가지로 실시예1, 2 및 비교예1에 따른 기판 처리 장치(구성은 상기와 동일)에서 다른 시퀀스 레시피의 잡이 각각 배정된 복수의 로트의 처리를 수행하는 경우에 대하여 설명한다.
구체적인 처리 조건으로서는 도 24에 도시하는 바와 같이, 캐리어 카세트 내에 제품 기판이 25장 수납된 로트(A)와, 제품 기판이 21장 수납된 로트(B)와, 제품 기판이 25장 수납된 로트(C)와, 제품 기판이 21장 수납된 로트(D)와, 제품 기판이 25장 수납된 로트(E)가 순차 투입된다. 잡은 로트마다에 다르고, 구체적으로는 로트(A, B, C, D, E)의 제품 기판에 대하여 각각 시퀀스 레시피(Sa)를 가지는 잡(Ja), 시퀀스 레시피(Sb)를 가지는 잡(Jb), 시퀀스 레시피(Sc)를 가지는 잡(Jc), 시퀀스 레시피(Sd)를 가지는 잡(Jd), 시퀀스 레시피(Se)를 가지는 잡(Je)이 배정된다.
어떠한 시퀀스 레시피(Sa, Sb, Sc)도 배분 처리의 시퀀스 레시피이며, 1회의 기판 처리에서의 퇴적막의 막 두께값은 100Å이다. 더미 기판의 누적막 두께값의 총계는 초기값으로 0Å이다. 각 잡은 잡(Ja, Jb, Jc, Jd, Je)의 순서대로 실행된다.
이상의 조건 하에서 실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치에서 상기 복수 로트(A, B, C, D, E)의 처리를 수행한 경우의 각 뱃치 내의 제품 기판 매수의 내역, 사용된 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 각각 도 24의 (a), (b)에 도시한다.
도 24의 (a), (b)에 도시하는 바와 같이, 실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치 모두, 로트 내의 제품 기판 매수에 부족한 어떠한 로트(B, D)에 배정된 잡(Jb, Jd)에서 각각 알고리즘 A1, A2에 따라 더미 기판에 의한 매수 조정이 수행된다. 그 결과, 실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치 모두, 프로세스 챔버(PM1a, 1b)에서의 더미 기판의 사용 매수가 4장, 누적막 두께값의 총계가 400Å이며, 프로세스 챔버(PM2a, 2b)에서의 더미 기판의 사용 매수가 4장, 누적막 두께값의 총계가 400Å이었다. 이와 같이 실시예1, 2에 따른 기판 처리 장치에서는 다른 시퀀스 레시피에 의한 복수 로트 처리에서도 더미 기판의 사용 매수 및 누적막 두께값의 총계를 프로세스 챔버마다 균등하게 할 수 있었다.
상기와 마찬가지의 조건 하에서 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서 상기 복수 로트(A, B, C, D, E)의 처리를 수행한 경우의 각 뱃치 내의 제품 기판 매수의 내역, 사용된 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 도 24의 (c)에 도시한다.
도 24의 (c)에 도시하는 바와 같이, 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서는 프로세스 챔버(PM1c)에서의 더미 기판의 사용 매수가 0장, 누적막 두께값의 총계가 0Å이며, 프로세스 챔버(PM2c)에서의 더미 기판의 사용 매수가 8장, 누적막 두께값의 총계가 800Å이었다. 이와 같이 비교예1에 따른 기판 처리 장치에서는 다른 시퀀스 레시피에 의한 복수 로트 처리에서도, 프로세스 챔버(PM2c)에 할당한 더미 기판에 편향한 사용이 되었다.
(3) 동일한 시퀀스 레시피에 의한 복수 로트 처리
계속해서 실시예3 및 비교예2에 따른 기판 처리 장치에서 동일한 시퀀스 레시피의 잡이 각각 배정된 복수의 로트의 처리를 수행하는 경우에 대하여 설명한다.
실시예3에 따른 기판 처리 장치는 전술한 기판 처리 장치(10)와 마찬가지로 1뱃치의 기판 매수를 각각 5장씩으로 하는 2개의 프로세스 챔버(PM1d, PM2d)를 구비한다. 또한 전술한 제어부(239)와 마찬가지로 동일한 시퀀스 레시피의 잡마다 그룹화 처리를 수행하는 제어부를 포함한다.
비교예2에 따른 기판 처리 장치는 상기와 마찬가지로 1뱃치의 기판 매수를 각각 5장씩으로 하는 2개의 프로세스 챔버(PM1e, PM2e)를 구비한다. 또한 다른 잡마다 프로세스 챔버의 번호가 낮은 순서대로 처리하는 제어부를 포함한다.
구체적인 처리 조건으로서는 도 25에 도시하는 바와 같이, 제품 기판이 25장의 로트(A)와, 23장의 로트(B)와, 25장의 로트(C)와, 22장의 로트(D)와, 25장의 로트(E)에 대하여, 동일한 시퀀스 레시피(Sa)를 가지는 잡(Ja, Jb, Jc, Jd, Je)이 각각 배정된다. 시퀀스 레시피(Sa)는 배분 처리의 시퀀스 레시피이며, 각 잡은 잡(Ja, Jb, Jc, Jd, Je)의 순서대로 실행된다.
이상의 조건 하에서 실시예3에 따른 기판 처리 장치에서 상기 복수 로트(A, B, C, D, E)의 처리를 수행한 경우의 각 뱃치 내의 제품 기판 매수의 내역을 각각 도 25의 (a), (b)에 도시한다.
도 25의 (a)에 도시하는 바와 같이, 실시예3에 따른 기판 처리 장치에서는 로트 내의 제품 기판 매수에 부족한 어떠한 로트(B, D)에 배정된 잡(Jb, Jd)에서 로트(B, D) 사이의 로트(C)에 배정된 잡(Jc)과의 그룹화가 이루어진다. 그 결과, 실시예3에 따른 기판 처리 장치에서는 프로세스 챔버(PM1d, PM2d)에서의 더미 기판의 사용 매수가 0장이었다. 이와 같이 실시예3에 따른 기판 처리 장치에서는 제품 기판의 로트가 달라도 1개의 프로세스 챔버로 일괄하여 처리가 이루어지고, 더미 기판을 사용하지 않고 복수 로트의 처리를 수행할 수 있었다.
상기와 마찬가지의 조건 하에서 비교예2에 따른 기판 처리 장치에서 상기 복수 로트(A, B, C, D, E)의 처리를 수행한 경우의 각 뱃치 내의 제품 기판 매수의 내역을 도 25의 (b)에 도시한다.
도 25의 (b)에 도시하는 바와 같이, 비교예2에 따른 기판 처리 장치에서는 프로세스 챔버(PM1e)에서의 더미 기판의 사용 매수가 0장이며, 프로세스 챔버(PM2e)에서의 더미 기판의 사용 매수가 5장이었다. 이와 같이 비교예2에 따른 기판 처리 장치에서는 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 잡이 연속해도, 다른 잡을 배정된 로트끼리를 뱃치 조성할 수 없어서 더미 기판의 사용 빈도가 늘어버렸다. 또한 프로세스 챔버(PM2e)에 할당한 더미 기판에 편향한 사용이 되었다.
<다른 실시예>
이상, 전술한 실시 형태에서는 주로 복수의 로트가 연속해서 기판 처리되는(잡이 실행되는) 경우에 대하여 더미 기판을 효율적으로 사용할 수 있고, 또한 더미 기판 레스인 기판 처리를 실현할 수 있었다. 하지만 복수의 로트가 연속해서 처리된다고는 한정할 수 없다. 예컨대 로트(A)와 로트(B)의 사이에 빈 시간이 발생하는 가능성이 있다. 이 경우, 로트(A)와 로트(B)의 매수에 따라 기판 처리를 개시하는 처리실을 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 어느 하나에 선택할 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다. 한편 본 실시 형태(기타의 실시예)에서도, 장치 구성 및 컨트롤러 구성[제어 수단(239)의 구성]은 본 발명의 실시예1 내지 실시예3과 마찬가지기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
즉 본 실시 형태에서는 작업자가 기판 처리를 개시하는 위치를 변경하고, 변경 후의 상태를 확인할 수 있는 것을 특징으로 한다. 이하, 도 26로부터 도 28을 이용하여 설명한다.
도 26은 소정의 커맨드를 선택하기 위한 화면예를 도시하고, 도 27은 기판 처리를 개시하는 프로세스 챔버(PM1, PM2)를 선택하는 화면예를 도시하고, 도 28은 다음으로 기판 처리를 개시하는 프로세스 챔버(PM1, PM2)의 표시를 수행하는 화면예를 도시한다.
작업자는 타이틀 패널에 있는 「시스템 커맨드」 버튼을 눌러서 도 26로 도시하는 시스템 커맨드 선택 화면을 표시한다. 다음으로 시스템 커맨드 선택 화면으로부터 「배분 시간 개시 PM 지정」 버튼을 눌러서 개시 PM 선택 화면을 표시한다. 표시된 개시 PM 선택 화면으로부터 「PM1」 버튼 또는「PM2」 버튼의 어느 하나를 선택하거나, 「개시 PM 설정」 버튼을 누르는 것에 의해, 기판 처리 개시 시에 개시하고 싶은 프로세스 챔버(PM1, PM2)를 확정한다.
「개시 PM 설정」 버튼이 눌러지면 예컨대 도 28에 도시하는 바와 같이, 기판 처리를 개시하는 프로세스 챔버(PM1)에 대하여 「다음」(NEXT)이 표시된다.
도 29는 본 실시 형태에서의 제어부(239)에 실현되는 기능 구성을 도시하는 도면이다. 이하, 도 29를 이용하여 데이터 처리(플로우)에 관하여 설명한다.
화면 제어부는 예컨대 작업자가 「개시 PM 설정」 버튼을 누르는 것에 의해 소정의 지시를 접수하면, 상기 소정의 지시(기판 처리를 개시하는 PM을 도시하는 지시)를 배분 제어부에 통지한다. 또한 기억부로서의 기억 매체 내에서 기억된 상기 소정의 지시를 나타내는 설정값(개시 PM 위치)을 참조하여, 예컨대 소정의 화면에 「다음」(NEXT) 표시를 실시한다.
배분 제어부는 본 기능을 실행하는 메인 처리에서 화면 제어부로부터의(개시 PM 위치를 나타낸다) 지시를 접수하면, 기억부로서의 기억 매체에 보지된 설정값을 갱신한다. 갱신한 설정값은 프로세스 처리 요구가 수행된 경우에 참조되고, 지정된 개시 위치를 가지는 어플리케이션(프로세스 레시피 등)에 대하여 프로세스의 개시 지시를 수행한다.
<다른 실시예의 구체예>
다음으로 도 30을 이용하여 일 구체예를 설명한다. 도 30은 로트(A)가 18장, 로트(B)가 18이며, 또한 로트(A)와 로트(B)는 연속해서 실행되는 것이 아니라 빈 시간(T)를 개재하여 실행되는 경우를 도시한다.
로트(A)가 종료하였을 때에 기판 처리 개시를 하는 프로세스 챔버는 PM1이다. 하지만 그대로 PM1로 개시하면, 더미 기판을 프로세스 챔버(PM2)만으로 처리하기 때문에 더미 기판의 사용 상황에 편향이 생긴다. 거기서 본 실시 형태에 의하면, 로트(A) 종료 후, 빈 시간(T) 사이에 조작 화면 상에서 피처리체인 기판을 처음에 투입하는 프로세스 챔버를 PM1로부터 PM2로 변경할 수 있다. 따라서 로트(B)를 개시할 때에 작업자가 로트를 개시하는 프로세스 챔버(PM)를 선택할 수 있다.
따라서 본 실시 형태에 의하면, 더미 기판을 평등하게, 프로세스 챔버(PM1, PM2)에 할당할 수 있고, 더미 기판이 될 수 있는 한 균등하게 사용할 수 있다. 이에 의해 프로세스 챔버(PM1, PM2)마다의 더미 기판의 사용 상황의 편향이 저감된다.
본 실시 형태에서 작업자가 다음으로 개시하는 PM 위치를 정확하게 파악할 수 있고, 필요에 따라 프로세스 개시 위치를 자유롭게 변경할 수 있기 때문에 프로세스의 재현성; 및 이들에 기인하는 제품 비율;에 공헌할 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 변경이 가능하다.
예컨대 전술한 실시 형태에서는 기판 처리 장치(10)에서의 기판 처리의 내용이 주로 성막 처리인 경우에 대하여 설명하였지만, 기판 처리의 내용은 이에 한정되지 않고, 예컨대 에칭 처리 등이어도 좋다. 기판 처리가 에칭 처리인 경우, 프로세스 챔버나 더미 기판은 누적적으로 에칭 제거된 막 두께값 등으로 관리할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 산화막이나 질화막, 금속막 등의 각가지의 막을 형성하는 처리를 수행하는 경우에 적용할 수 있는 것 이외에 에칭 처리, 확산 처리, 어닐링 처리, 산화 처리, 질화 처리 등의 다른 기판 처리를 수행하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한 기판 처리 중 뿐만 아니라, 처리로(202) 내의 클리닝이나 컨디셔닝 때에 더미 기판을 사용하는 경우 등에도 적용할 수 있다. 또한 본 발명은 박막 형성 장치 이외에 에칭 장치, 어닐링 처리 장치, 산화 처리 장치, 질화 처리 장치, 도포 장치, 건조 장치, 가열 장치 등의 다른 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다.
또한 본 발명은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)와 같은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 반도체 제조 장치 등에 한정되지 않고, 유리 기판을 처리하는 LCD(Liquid Crystal Display) 제조 장치 등의 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다.
또한 본 발명은 제어부(239)가 기판 처리 장치(10) 내에 배치되는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 기판 처리 장치(10)의 본체를 클린 룸 내에 배치하는 것과 함께, 제어부의 적어도 일부를 사무소 내(클린 룸과는 다른 플로어 내)에 배치하여 기판 처리 장치(10)의 상태를 원격으로부터 감시하여 해석하도록 해도 좋다.
<본 발명의 바람직한 형태>
이하에 본 발명의 바람직한 형태에 대하여 부기(附記)한다.
본 발명의 일 형태는 소정 매수의 각종 기판을 일괄로 처리하는 처리실을 복수 구비한 기판 처리 장치로서, 상기 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하고, 상기 더미 기판이 균등하게 사용되도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치다.
바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 처리를 수행할 때에 상기 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정할 때, 상기 처리실 내에서의 최후의 1회당의 처리에 의한 상기 처리실마다 사용되는 상기 더미 기판의 매수가 상기 처리실 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정하도록 제어하는 기판 처리 장치.
바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 처리를 수행할 때에는 상기 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정할 때, 처리실 각각의 내에서의 1회당의 처리에 의해, 상기 더미 기판에 형성되는 퇴적막의 적산값을 상기 더미 기판의 매수로 나눗셈한 값이 상기 처리실 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정하도록 제어한다.
바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 처리를 수행할 때에는 상기 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정할 때, 상기 처리실 내에서의 1회당의 처리에 의해, 상기 처리실 내에 형성되는 퇴적막을 상기 처리실 내에서 사용된 상기 더미 기판의 매수로 적산한 값이 상기 처리실 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정하도록 제어한다.
바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 로트 처리를 수행할 때에는 상기 처리실마다의 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정할 때, 처리실 각각의 내에서의 1회당의 처리에 의한, 상기 더미 기판에 형성되는 퇴적막의 누적 적산값을 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 누적 매수로 나눗셈한 값이 상기 로트 처리마다 상기 처리실 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정하도록 제어한다.
바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 로트 처리를 수행할 때에는 상기 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정할 때, 상기 처리실 내에서의 1회당의 처리에 의해, 상기 처리실 내에 형성되는 퇴적막을 상기 처리실 내에서 사용된 상기 더미 기판의 매수로 적산한 값의 누적값이 상기 로트 처리마다 상기 처리실 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정하도록 제어한다.
또한 바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 상기 각종 기판을 복수 회 처리할 때, 적어도 전회 처리에서의 처리실마다 상기 더미 기판의 막 두께값을 비교하여 상기 막 두께값이 적은 처리실에 상기 더미 기판을 반송하도록 제어하는 기판 처리 장치.
또한 바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 연속해서 로트 처리를 수행할 때에는 상기 로트 처리 개시 시에 상기 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 비교한 결과, 상기 총계가 적은 처리실에 상기 더미 기판을 배분하고, 상기 로트 처리 종료까지 상기 더미 기판이 상기 처리실 각각에서 균등하게 사용되도록 제어한다.
또한 바람직하게는 상기 제어 수단은 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 연속해서 로트 처리를 수행할 때에는 상기 로트 처리 개시 시, 또는 각 로트의 처리 시에, 상기 처리실마다 상기 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 비교한 결과, 상기 총계가 적은 처리실에 상기 더미 기판을 반송하고, 상기 로트 처리 종료까지에 상기 더미 기판이 상기 처리실 각각에서 균등하게 사용되도록 제어한다.
본 발명의 다른 형태는 복수의 제품 기판을 처리하는 처리실을 복수 구비한 기판 처리 장치로서, 상기 처리실 각각의 내에 상기 제품 기판을 배분하여 로트 처리를 수행할 때에 상기 제품 기판의 로트가 달라도 1개의 처리실 내에서 일괄하여 처리하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치다.
본 발명의 또 다른 형태는 복수의 제품 기판을 처리하는 처리실을 적어도 1개 구비한 기판 처리 장치로서, 상기 처리실 내에서 복수의 로트로부터 이루어지는 상기 제품 기판을 연속해서 처리할 때에 소정 로트의 제품 기판을 상기 처리실 내의 소정 위치에 배치하였을 때에 상기 처리실 내에서 처리 가능한 기판 매수에 달하지 않는 경우, 다음 로트의 제품 기판을 동일한 처리실 내에 반입하여 보충하고, 상기 동일한 처리실 내에서 상기 복수의 제품 기판을 일괄하여 처리하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치다.
바람직하게는 상기 각 로트의 시퀀스 레시피가 동일하다.
본 발명의 또 다른 형태는 복수의 더미 기판과 복수의 제품 기판을 각각 별게로 수용하는 전용의 기판 수납 수단; 및 상기 더미 기판 또는 상기 제품 기판의 적어도 어느 하나로부터 구성되는 복수의 기판을 일괄하여 처리하는 처리실;을 구비한 기판 처리 장치로서, 상기 더미 기판이 될 수 있는 한 균등하게 사용 되도록 상기 기판 수납 수단 내의 상기 더미 기판을 상기 처리실마다 할당하여, 상기 복수의 기판을 상기 처리실 내에서 처리하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 기판 처리 장치다.
바람직하게는 상기 더미 기판을 할당할 때에 소정의 처리실 내에서의 1회당의 처리에 의해 상기 소정의 처리실 내에 형성되는 퇴적막의 평균 막 두께값을 상기 소정의 처리실에 분배된 상기 더미 기판의 매수로 나눗셈한 값이 상기 처리실 각각의 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 처리실마다 상기 더미 기판의 할당 매수를 결정한다.
또한 바람직하게는 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합시킬 때에 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 다른 잡에서 지정된 상기 제품 기판을 조합시켜서 상기 처리실 내에서 동시에 처리하는 상기 제품 기판을 결정한다.
또한 바람직하게는 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합시킬 때에 다른 시퀀스 레시피를 가지는 잡을 복수 실행하는데 있어서, 동일한 잡으로부터 이루어지는 그룹 단위마다 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합하시켜서 상기 그룹 단위마다 상기 복수의 처리실 내에서 병행 처리한다.
본 발명의 또 다른 형태는 제품 기판과 더미 기판을 포함하는 복수의 기판을 동시에 처리하는 처리실을 복수 구비한 기판 처리 장치로서, 상기 더미 기판을 상기 처리실마다 할당하여, 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합시켜서 상기 복수의 기판이으로 하고, 상기 처리실마다 할당된 상기 더미 기판이 될 수 있는 한 균등하게 사용 되도록, 상기 처리실 내에서 동시에 처리하는 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 결정하도록 구성되는 기판 처리 장치다.
바람직하게는 상기 더미 기판을 할당할 때에 소정의 처리실 내에서의 1회당의 처리에 의해 상기 소정의 처리실 내에 형성되는 퇴적막의 평균 막 두께값을 상기 소정의 처리실에 분배된 상기 더미 기판의 매수로 나눗셈한 값이 상기 처리실 각각의 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 처리실마다 상기 더미 기판의 할당 매수를 결정하도록 구성된다.
또한 바람직하게는 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합시킬 때에 동일한 시퀀스 레시피를 가지는 다른 잡에서 지정된 상기 제품 기판을 조합하여, 상기 처리실 내에서 동시에 처리하는 상기 제품 기판을 결정하도록 구성된다.
또한 바람직하게는 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합시킬 때에 다른 시퀀스 레시피를 가지는 잡을 복수 실행하는데 있어서, 동일한 잡으로부터 이루어지는 그룹 단위마다 상기 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합시켜서 상기 그룹 단위마다 상기 복수의 처리실 내에서 병행 처리하도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 형태는 복수의 기판을 처리하는 처리실을 복수 구비한 기판 처리 장치에서의 더미 기판의 운용 방법으로서, 상기 처리실마다 사용하는 상기 더미 기판의 매수를 할당하여, 제품 기판과 상기 더미 기판을 조합시켜서 상기 복수의 기판으로서, 상기 더미 기판을 될 수 있는 한 균등하게 사용하는 더미 기판의 운용 방법이다.
본 발명의 또 다른 형태는 복수의 제품 기판을 처리하는 처리실을 복수 구비한 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법으로서, 상기 처리실 각각의 내에 상기 제품 기판을 배분하여 반복해서 로트 처리할 때에 상기 제품 기판의 로트가 달라도 1개의 처리실 내에서 일괄하여 처리하는 기판 처리 방법이다.
본 발명의 또 다른 형태는 복수의 제품 기판을 처리하는 처리실을 적어도 1개 구비한 기판 처리 장치에서의 기판 처리 방법으로서, 상기 처리실 내에서 복수의 로트로부터 이루어지는 상기 제품 기판을 연속해서 처리할 때에 소정 로트의 최후의 제품 기판을, 상기 처리실 내의 소정 위치에 배치하였을 때에 상기 처리실 내에서 처리 가능한 기판 매수에 달하지 않는 경우, 다음 로트의 제품 기판을 동일한 처리실 내에 반입하여 보충하고, 상기 동일한 처리실 내에서 상기 복수의 제품 기판을 일괄하여 처리하는 기판 처리 방법이다.
본 발명의 또 다른 형태는 복수의 더미 기판과 복수의 제품 기판을 각각 별개로 수용하는 전용의 기판 수납 수단; 및 상기 더미 기판 또는 상기 제품 기판의 적어도 어느 하나로부터 구성되는 복수의 기판을 일괄하여 처리하는 처리실;을 구비한 기판 처리 장치에서의 더미 기판의 운용 방법으로서, 상기 더미 기판이 될 수 있는 한 균등하게 사용 되도록, 상기 기판 수납 수단 내의 상기 더미 기판을 상기 처리실마다 할당하여, 상기 복수의 기판을 상기 처리실 내에서 처리하는 더미 기판의 운용 방법이다.
본 발명의 또 다른 형태는 처리실마다 기판 매수가 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정; 및 상기 더미 기판을 포함하는 각종 기판을 반송하는 기판 반송 공정;을 포함하는 기판 반송 방법으로서, 상기 매수 결정 공정에서는 상기 처리실마다 사용되는 상기 더미 기판의 매수를, 상기 처리실 사이에서 거의 동일한 매수가 되도록 결정하는 기판 반송 방법이다.
본 발명의 또 다른 형태는 처리실마다 기판 매수가 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정; 및 상기 더미 기판을 포함하는 각종 기판을 상기 처리실이 상기 소정 매수가 되도록 반송하는 기판 반송 공정;을 포함하는 기판 반송 방법으로서, 상기 매수 결정 공정에서는 처리실 각각의 사이에서 상기 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 비교한 결과, 상기 총계가 적은 처리실에 상기 더미 기판을 배분하는 기판 반송 방법이다.
본 발명의 또 다른 형태는 처리실마다 기판 매수가 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정; 상기 더미 기판을 포함하는 각종 기판을 반송하는 기판 반송 공정; 및 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하여 처리하는 기판 처리 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 매수 결정 공정에서는 상기 처리실마다 사용되는 상기 더미 기판의 매수가 상기 처리실 사이에서 실질적으로 동일한 값이 되도록 상기 더미 기판의 매수를 결정하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명의 또 다른 형태는 처리실마다 기판 매수가 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정; 상기 더미 기판을 포함하는 각종 기판을 상기 처리실이 상기 소정 매수가 되도록 반송하는 기판 반송 공정; 및 상기 소정 매수의 상기 기판을 처리하는 기판 처리 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 처리실마다 상기 각종 기판을 배분하고, 연속해서 로트 처리를 수행할 때에는 상기 매수 결정 공정에서는 상기 로트 처리 개시 시에 처리실 각각의 사이에서 상기 더미 기판의 누적막 두께값의 총계를 비교한 결과, 상기 총계가 적은 처리실에 상기 더미 기판을 배분하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
10: 기판 처리 장치 239: 제어부(제어 수단)
PM1, PM2: 프로세스 챔버(처리실) W: 기판

Claims (16)

  1. 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판을 소정 매수 처리하는 복수의 처리실; 및
    적어도 처리실마다 기판 매수가 상기 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 수단과, 상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값(threshold)을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 수단을 적어도 포함하는 제어부;를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 제품 기판을 복수 회 처리할 때,
    각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우,
    적어도 전회 처리까지 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여,
    금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을 반송하도록 상기 매수 결정 수단에 결정시키고, 결정된 상기 처리실에 상기 설정 수단으로 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 더미 기판을 정해진 매수 반송하고,
    상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 제품 기판을 복수 회 로트 처리할 때,
    각 로트 처리 시작 전에 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 전회 로트까지 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여,
    금회 로트 처리에서는 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을 반송하도록 상기 매수 결정 수단에 결정시키고, 결정된 상기 처리실에 상기 설정 수단으로 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 더미 기판을 정해진 매수 반송하고,
    상기 복수 회 로트 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하는 기판 처리 장치.
  3. 처리실마다 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판이 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용되는 상기 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정;
    상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 공정; 및
    상기 제품 기판 및 더미 기판 가운데 적어도 일방의 기판을 소정 매수가 될 때까지 상기 처리실에 반송하는 기판 반송 공정;을 포함하는 기판 반송 방법으로서,
    상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 상기 소정 매수씩 반송하여 복수 회 처리할 때, 각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우,
    상기 매수 결정 공정에서는,
    적어도 전회 처리까지 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여,
    금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을, 상기 설정 공정에서 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 처리실이 소정 매수가 되도록 반송하고,
    상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 결정하는 기판 반송 방법.
  4. 적어도 제품 기판을 반송하는 기판 반송 공정;
    처리실마다 상기 제품 기판을 처리하는 기판 처리 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 기판 반송 공정은,
    상기 처리실마다 상기 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 기판이 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용되는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 공정; 및
    상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 공정;
    을 포함하고,
    상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 처리실마다 상기 제품 기판을 상기 소정 매수씩 반송하여 복수 회 처리할 때, 각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우,
    상기 매수 결정 공정에서는, 적어도 전회 처리까지 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여,
    금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을, 상기 설정 공정에서 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 처리실이 소정 매수가 되도록 반송하고,
    상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하도록 결정하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 소정 매수의 제품 기판과 더미 기판을 적어도 포함하는 각종 기판을 처리하는 복수의 처리실; 및
    적어도 처리실마다 기판 매수가 소정 매수가 되도록 상기 처리실마다 사용하는 더미 기판의 매수를 결정하는 매수 결정 수단과, 상기 더미 기판의 교환을 위한 누적막 두께값의 한계값을 지정하는 누적막 두께 정보 및 상기 더미 기판의 반입처인 처리실을 지정하는 할당 정보를 적어도 설정하는 설정 수단을 적어도 포함하는 제어부;를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 처리실마다 상기 제품 기판을 배분하여 상기 제품 기판을 복수 회 처리할 때에,
    각 처리실 내에서 처리되는 상기 제품 기판의 매수가 상기 각 처리실에서 한 번에 처리되는 상기 소정 매수보다 부족한 경우,
    각 처리 시작 시에, 상기 더미 기판의 표면 상으로의 1회의 처리에서의 막 두께값과 상기 더미 기판의 매수에 기초하여, 전회 처리까지 상기 처리실 내에서 처리된 상기 더미 기판의 표면 상에 퇴적된 상기 막 두께값의 총계를 상기 처리실마다 산출하고, 산출한 결과를 각 처리실 사이에서 비교하여,
    금회 처리에서는, 상기 막 두께값의 총계가 많다고 판정된 처리실에 상기 제품 기판을 반송하고, 상기 막 두께값의 총계가 적다고 판정된 처리실에 상기 더미 기판을 반송하도록 상기 매수 결정 수단에 결정시키고, 결정된 상기 처리실에 상기 설정 수단으로 지정된 상기 누적막 두께 정보 및 상기 할당 정보에 기초하여 상기 더미 기판을 정해진 매수 반송하고,
    상기 복수 회 처리된 후, 상기 처리실마다 사용된 상기 더미 기판의 매수를 동일하게 하는 기판 처리 장치의 더미 기판 운용 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 더미 기판의 상기 막 두께값의 총계는 각 처리실 사이에서 사용되는 상기 더미 기판의 매수를 상기 처리실 내에서의 1회당의 처리에 의해 상기 더미 기판 상에 퇴적되는 막 두께값으로 적산한 값인 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제어부는 상기 로트 처리가 종료된 후에 각 처리실에서 사용된 상기 더미 기판의 상기 막 두께값의 총계를 동등하게 하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 로트 처리를 시작하는 처리실을 지정하기 위한 조작 화면을 더 구비하고,
    상기 제어부는 각 로트 처리를 시작하기 전에 상기 조작 화면 상에서 지정된 처리실로 상기 로트 처리에서 처리되는 상기 제품 기판을 반송하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 조작 화면은 상기 로트 처리를 시작하는 처리실로 지정된 처리실을 명시하도록 구성된 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6144924B2 (ja) * 2012-03-21 2017-06-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、メンテナンス方法及びプログラム
JP2014116545A (ja) * 2012-12-12 2014-06-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP6343536B2 (ja) * 2014-09-25 2018-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP6089082B1 (ja) * 2015-09-29 2017-03-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
CN107871194B (zh) * 2016-09-28 2020-10-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种生产线设备的调度方法和装置
JP6586440B2 (ja) * 2017-07-11 2019-10-02 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6784848B2 (ja) * 2017-09-27 2020-11-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN109950187B (zh) 2017-12-20 2024-04-12 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质
JP6724120B2 (ja) * 2017-12-20 2020-07-15 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7080145B2 (ja) 2018-09-20 2022-06-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP7487024B2 (ja) 2020-06-30 2024-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US11442440B1 (en) * 2021-03-24 2022-09-13 Changxin Memory Technologies, Inc. Method and apparatus of handling control wafer, method of testing by using control wafer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3824835B2 (ja) * 2000-03-06 2006-09-20 株式会社日立国際電気 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法
JP4294972B2 (ja) * 2003-02-26 2009-07-15 株式会社日立国際電気 半導体製造装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62132321A (ja) * 1985-12-04 1987-06-15 Anelva Corp ドライエツチング装置
JP2992571B2 (ja) * 1990-03-02 1999-12-20 東京エレクトロン株式会社 バッチ処理方法及びバッチ処理装置
JP2003257649A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3824835B2 (ja) * 2000-03-06 2006-09-20 株式会社日立国際電気 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法
JP4294972B2 (ja) * 2003-02-26 2009-07-15 株式会社日立国際電気 半導体製造装置

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