KR101535356B1 - 접합 장치 및 접합 처리 방법 - Google Patents

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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 기판을 유지하고, 기판이 처리에 적합한 형상이 되도록 할 수 있는 접합 장치 및 접합 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 접합 장치는, 유지된 기판에 대하여 처리를 실시하는 접합 장치로서, 본체부와, 상기 본체부의, 제1 기판을 유지하는 측의 면에 개구하는 노즐과, 상기 노즐에 가스를 공급하여, 상기 제1 기판을 흡인하고, 상기 제1 기판을 상기 본체부의 면으로부터 이격시키는 가스 공급부와, 상기 제1 기판과 정해진 간격을 두고 대치시킨 제2 기판의 주연부를 지지하는 기판 지지부를 구비하고 있다.

Description

접합 장치 및 접합 처리 방법{BONDING APPARATUS AND BONDING PROCESS METHOD}
본 발명의 실시형태는, 접합 장치 및 접합 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치나 플랫 패널 디스플레이 등의 전자 디바이스를 제조할 때에 이용되는 접합 장치에서는, 배치대에 설치된 정전척이나 진공척을 이용하여 기판을 흡인, 유지하고 있다(예컨대 특허문헌 1을 참조).
그러나, 배치대에 설치된 정전척이나 진공척을 이용하여 기판을 배치대의 배치면에 흡인하면, 기판이 배치면을 따르도록 흡인, 유지되게 된다.
이 때문에 기판이 처리에 적합하지 않는 형상으로 변형되어 버릴 우려가 있다. 특히, 실리콘 웨이퍼 등과 같이 기판의 두께가 얇아지면, 배치면의 상태의 영향이 현저해진다.
그리고, 기판이 처리에 적합하지 않는 형상으로 변형되어 버리면, 예컨대 기판의 접합 처리에서 적정한 위치로부터 어긋난 위치에 기판이 접합되거나 할 우려가 있다.
또한, 기판과, 배치대의 배치면이 접촉하기 때문에, 기판이 손상되거나, 파티클이 발생하거나 할 우려도 있다.
특허문헌 1 일본 특허 공개 제2012-156163호 공보
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 기판을 유지하고, 기판이 처리에 적합한 형상이 되도록 할 수 있는 접합 장치 및 접합 처리 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 접합 장치는, 유지된 기판에 대하여 처리를 실시하는 접합 장치로서, 본체부와, 상기 본체부의 제1 기판을 유지하는 측의 면에 개구하는 노즐과, 상기 노즐에 가스를 공급하여, 상기 제1 기판을 흡인하고, 상기 제1 기판을 상기 본체부의 면으로부터 이격시키는 가스 공급부와, 상기 제1 기판과 정해진 간격을 두고 대치시킨 제2 기판의 주연부를 지지하는 기판 지지부를 구비하고 있다.
본 발명의 실시형태에 의하면, 기판을 유지하고, 기판이 처리에 적합한 형상이 되도록 할 수 있는 접합 장치 및 접합 처리 방법이 제공된다.
도 1은 본 실시형태에 따른 접합 장치(1)를 예시하기 위한 모식도.
도 2는 노즐(12a2)의 배치를 예시하기 위한 모식도.
도 3은 노즐(12a2)의 작용을 예시하기 위한 모식도.
도 4는 접합 장치(1)의 작용에 대해서 예시하기 위한 모식 공정도.
도 5는 접합 장치(1)의 작용에 대해서 예시하기 위한 모식 공정도.
이하, 도면을 참조하면서, 실시형태에 대해서 예시를 한다. 또한 각 도면중, 같은 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명은 적절하게 생략한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 접합 장치(1)를 예시하기 위한 모식도이다.
도 1은 2장의 기판의 접합면끼리를 접합시켜 1장의 기판을 작성하는 접합 장치(1)를 예시하는 것이다.
접합 장치(1)는, 예컨대 2장의 실리콘 웨이퍼를 직접 접합시키는 것으로 할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 접합 장치(1)에는, 처리 용기(11), 기판 유지부(12), 기판 지지부(13), 압박부(14), 배기부(15), 측정부(16), 검출부(17)가 설치되어 있다.
처리 용기(11)는, 기밀 구조로 되어 있어 대기압보다 감압된 분위기를 유지할 수 있게 되어 있다. 처리 용기(11)의 측벽에는, 기판(W1)(제1 기판의 일례에 상당함), 기판(W2)(제2 기판의 일례에 상당함)의 반입 반출을 행하기 위한 개구부(11a)가 형성되고, 개구부(11a)를 기밀하게 개폐할 수 있는 개폐 도어(11b)가 설치되어 있다. 또한, 처리 용기(11)의 바닥부에는, 처리 용기(11)내를 배기하기 위한 개구부(11c)가 형성되어 있다.
처리 용기(11)의 내부에는, 접합되는 한쪽 기판(W1)을 유지하는 기판 유지부(12)가 설치되어 있다.
기판 유지부(12)는, 기판(W1)을 부상시킨 상태로 유지한다.
기판 유지부(12)에는, 본체부(12a), 가스 공급부(12b)가 설치되어 있다.
본체부(12a)는, 원기둥형을 나타내고, 기판(W1)을 유지하는 측의 면(12a1)에 개구하는 노즐(12a2)을 갖고 있다.
도 2는, 노즐(12a2)의 배치를 예시하기 위한 모식도이다.
또한 도 2는, 도 1에서의 화살표 A-A에서 본 도면이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 노즐(12a2)은, 면(12a1)의 기판(W1)의 중앙 영역에 대치하는 영역(12a1a), 면(12a1)의 기판(W1)의 둘레 가장자리 영역에 대치하는 영역(12a1b), 면(12a1)의 기판(W1)의 중앙 영역과 둘레 가장자리 영역 사이의 영역에 대치하는 영역(12a1c)에 각각 설치되어 있다.
또한, 노즐(12a2)의 배치나 수는 예시한 것에 한정되는 것이 아니라, 적절하게 변경할 수 있다. 예컨대 기판(W1)의 휘어짐이 발생하기 쉬운 영역이나, 기판(W1)을 변형시키는 것이 필요한 영역에 집중하여 노즐(12a2)을 배치할 수 있다.
또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 노즐(12a2)에는, 유로(12a3)의 한쪽 단부(端部)가 접속되어 있다. 유로(12a3)의 다른 쪽 단부에는, 개폐 밸브(12b4)가 접속되어 있다.
또한, 노즐(12a2)의 작용에 관한 세부 사항은 후술한다.
가스 공급부(12b)는, 노즐(12a2)에 가스를 공급하여, 사이클론 효과 및 베르누이 효과 중 적어도 어느 하나를 발현시켜 기판(W1)을 흡인하고, 기판(W1)을 본체부(12a)의 면(12a1)으로부터 이격시킨다. 즉, 기판(W1)은 본체부(12a)의 면(12a1)에 부상 흡착된다. 기판(W1)을 본체부(12a)의 면(12a1)으로부터 이격시킬 수 있으면, 면(12a1)의 상태의 영향을 받지 않기 때문에, 기판(W1)을 유지하고, 기판(W1)이 처리에 적합한 형상이 되도록 할 수 있다.
가스 공급부(12b)에는, 가스 공급원(12b1), 온도 제어부(12b2), 유량 제어부(12b3), 개폐 밸브(12b4)가 설치되어 있다.
가스 공급원(12b1), 온도 제어부(12b2), 유량 제어부(12b3), 개폐 밸브(12b4)는, 영역(12a1a 내지 12a1c)에 설치된 1군의 노즐(12a2)마다 각각 설치되어 있다. 이 때문에 영역(12a1a 내지 12a1c)마다 가스의 온도, 가스의 유량, 가스의 공급과 정지를 제어할 수 있게 되어 있다.
가스 공급원(12b1)은, 예컨대 고압의 가스를 수납한 압력 용기 등으로 할 수 있다. 가스 공급원(12b1)에 수납된 가스는, 온도 제어부(12b2), 유량 제어부(12b3), 개폐 밸브(12b4)를 통해 노즐(12a2)에 공급되어, 노즐(12a2)의 개구로부터 처리 용기(11)내에 방출된다. 이 때문에 가스 공급원(12b1)에 수납되는 가스는, 기판의 처리(기판의 접합)에 대한 영향이 적은 것이 된다. 가스 공급원(12b1)에 수납되는 가스는, 예컨대 질소 가스나, 아르곤 가스, 헬륨 가스 등의 희가스 등으로 할 수 있다.
온도 제어부(12b2)는, 가스 공급원(12b1)의 가스의 유출측에 접속되어 있다. 온도 제어부(12b2)는, 가스 공급원(12b1)으로부터 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 온도를 제어한다. 온도 제어부(12b2)는, 예컨대 히터나 냉각기, 또는 가열과 냉각을 행할 수 있는 기기 등으로 할 수 있다.
기판(W1)의 온도에 면내 분포가 있으면, 기판(W1)이 변형(예컨대 휘어짐)될 우려가 있다.
기판(W1)이 당초부터 변형되어 있지 않은 경우는, 기판(W1)의 면내 온도가 균일하게 되도록 영역(12a1a 내지 12a1c)마다 가스의 온도를 제어하여, 기판(W1)을 변형시키지 않도록 할 수 있다.
또한, 기판(W1)이 당초부터 변형되어 있는 경우도 있다. 이 경우, 기판(W1)의 변형이 작은 경우에는, 기판(W1)의 온도의 면내 분포가 작아지도록 영역(12a1a 내지 12a1c)마다 가스의 온도를 제어할 수 있다. 기판(W1)의 변형이 큰 경우에는, 기판(W1)의 변형이 작아지도록 영역(12a1a 내지 12a1c)마다 가스의 온도를 제어할 수 있다. 즉, 기판(W1)이 당초부터 변형되어 있는 경우는, 기판(W1)의 면내 온도를 균일하게 하여 기판(W1)이 더 변형되지 않도록 하거나, 국부적으로 가열 또는 냉각함으로써 변형되어 있는 기판(W1)을 교정하거나 할 수 있다.
유량 제어부(12b3)는, 온도 제어부(12b2)의 가스의 유출측에 접속되어 있다. 유량 제어부(12b3)는, 가스 공급원(12b1)으로부터 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량을 제어한다. 유량 제어부(12b3)는, 예컨대 매스 플로 컨트롤러(MFC: Mass Flow Controller) 등으로 할 수 있다.
후술하는 바와 같이, 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량을 제어함으로써, 기판(W1)을 흡인하는 힘을 제어할 수 있다. 예컨대 노즐(12a2) 내부에 공급하는 가스의 유량을 많게 하면, 기판(W1)을 흡인하는 힘을 크게 할 수 있다. 노즐(12a2) 내부에 공급하는 가스의 유량을 적게 하면, 기판(W1)을 흡인하는 힘을 작게 할 수 있다.
이 경우, 기판(W1)의 변형이 없는 경우, 또는 기판(W1)의 변형이 작은 경우에는, 영역(12a1a 내지 12a1c)에서의 흡인력이 균일하게 되도록 가스의 유량을 제어할 수 있다. 기판(W1)의 변형이 큰 경우에는, 기판(W1)의 변형이 작아지도록 영역(12a1a 내지 12a1c)마다 가스의 유량을 제어할 수 있다. 즉, 기판(W1)을 흡인하는 힘을 균일하게 하여 기판(W1)이 변형되지 않도록 하거나, 기판(W1)을 흡인하는 힘을 국부적으로 변화시켜 변형되어 있는 기판(W1)을 교정하거나 할 수 있다.
또한, 기판(W1)의 변형 상태는, 후술하는 측정부(16)에 의해 측정할 수 있다.
즉, 유량 제어부(12b3)는, 기판(W1)의 형상에 따라 가스의 유량을 제어한다.
이 경우, 유량 제어부(12b3)는, 복수의 노즐(12a2)마다, 및 복수의 노즐(12a2)의 일군마다 중 적어도 어느 하나에서 가스의 유량을 제어할 수도 있다.
또한, 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량이나 가스의 온도를 제어하여, 기판(W1)을 처리에 적합한 형상으로 변형시킬 수도 있다. 예컨대 기판(W1) 중앙 영역이 위쪽[기판(W2)측]으로 돌출한 형상으로 기판을 변형시킬 수도 있다. 이러한 기판(W1)의 형상으로 하면, 기판(W1)의 중앙 영역에 기판(W2)을 접촉시키기 쉬워지기 때문에, 접합이 용이해진다.
개폐 밸브(12b4)는, 유량 제어부(12b3)의 가스의 유출측에 접속되어 있다. 개폐 밸브(12b4)는, 가스 공급원(12b1)으로부터 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 공급과 정지를 제어한다.
개폐 밸브(12b4)의 가스의 유출측은, 유로(12a3)를 통해 노즐(12a2)에 접속되어 있다.
기판 지지부(13)는, 기판 유지부(12)에 유지된 기판(W1)과 정해진 간격을 두고 대치시킨 기판(W2)의 주연부를 지지한다. 즉, 기판 지지부(13)는, 기판(W1)에 접합되는 기판(W2)의 주연부를 지지한다.
기판 지지부(13)에는, 지지 클로(claw)(13a), 이동부(13b), 베이스부(13c), 위치 맞춤부(13d), 위치 맞춤부(13e)가 설치되어 있다.
지지 클로(13a)는, 기판(W2)의 주연부를 지지한다. 그리고, 지지 클로(13a)에 기판(W2)을 지지시킴으로써, 기판 유지부(12)에 유지된 기판(W1)과 대치하는 정해진 위치에 기판(W2)이 지지되도록 되어 있다.
이동부(13b)는, 기판(W2)을 지지하는 위치와, 기판(W2)의 직경 외방향으로 후퇴한 위치 사이에서 지지 클로(13a)를 이동시킨다. 이동부(13b)는, 예컨대 서보 모터나 펄스 모터 등의 제어 모터를 구성 요소로서 포함하는 것으로 할 수 있다.
베이스부(13c)는, 처리 용기(11)의 바닥면에 설치되어 있다. 베이스부(13c)의 상단부에는, 지지 클로(13a), 이동부(13b)가 설치되어 있다. 또한 지지 클로(13a), 이동부(13b)마다 베이스부(13c)가 설치되는 경우를 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 하나의 베이스부(13c)에 복수의 지지 클로(13a), 이동부(13b)가 설치되도록 할 수도 있다.
위치 맞춤부(13d)는, 후술하는 검출부(17)로부터의 위치 맞춤에 관한 정보에 기초하여, 기판(W1)과 기판(W2)의 상대적인 위치를 변화시킨다. 이 경우, 위치 맞춤부(13d)는, 기판(W2)의 수평면내에서의 위치를 맞춘다.
위치 맞춤부(13d)는, 예컨대 기판 유지부(12)에 유지된 기판(W1)에 대한 기판(W2)의 위치 맞춤을 행하는 것으로 할 수 있다. 이 경우, 위치 맞춤부(13d)로서는, 지지 클로(13a)에 지지된 기판(W2)의 외주 가장자리를 수평 방향으로 밀어 기판(W2)의 위치 맞춤을 행하는 것을 예시할 수 있다. 위치 맞춤부(13d)는, 예컨대 서보 모터나 펄스 모터 등의 제어 모터에 의해 구성된 도시하지 않는 이동부에 의해 동작하는 것으로 할 수 있다.
위치 맞춤부(13e)는, 기판(W2)의 회전 방향의 위치를 맞춘다. 위치 맞춤부(13e)는, 예컨대 기판(W1)의 둘레 가장자리에 형성된 노치에 핀을 삽입함으로써 기판(W2)의 회전 방향의 위치를 맞추는 것으로 할 수 있다. 위치 맞춤부(13e)는, 베이스부(13c)에 설치되고, 예컨대 서보 모터나 펄스 모터 등의 제어 모터에 의해 구성된 도시하지 않는 이동부에 의해 동작하는 것으로 할 수 있다.
또한, 지지 클로(13a)의 배치 수에는 특별히 한정은 없지만, 기판(W2)의 둘레 가장자리의 3지점 이상에 균등하게 할당되도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면 기판(W2)의 지지 상태를 안정시킬 수 있다.
압박부(14)는, 지지 클로(13a)에 지지된 기판(W2)의 대략 중앙부를 패드(14c)로 압박함으로써 기판(W2)을 휘게 하여, 기판(W1)의 접합면 일부와 기판(W2)의 접합면 일부를 접촉시킨다.
압박부(14)에는, 이동부(14a), 이동축(14b), 패드(14c)가 설치되어 있다.
압박부(14)는, 본체부(12a)의 면(12a1)과 대치시켜 설치되어 있다. 또한 압박부(14)는, 지지 클로(13a)에 지지된 기판(W2)의 대략 중앙부를 패드(14c)에 의해 압박할 수 있는 위치에 설치되어 있다.
이동부(14a)는, 처리 용기(11)의 외부로서 본체부(12a)의 면(12a1)과 대치하는 위치에 설치되어 있다. 이동부(14a)는, 서보 모터나 펄스 모터 등의 제어 모터를 구성 요소로서 포함하는 것으로 할 수 있다. 또한, 압력 제어된 유체에 의해 구동되는 요소(예컨대 에어 실린더 등)를 구성 요소로서 포함하는 것으로 할 수도 있다.
이동축(14b)은, 처리 용기(11)의 벽면을 관통하도록 하여 설치되고, 한쪽 단부가 이동부(14a)와 접속되어 있다. 또한, 다른 쪽 단부에는 패드(14c)가 부착되어 있다
패드(14c)의 선단 부분은 대략 반구형(半球形)을 나타내고, 그 베이스부는 원기둥형을 나타내고 있다. 패드(14c)는, 연질의 탄성체로 형성되어, 압박시에 접촉 부분을 점접촉으로부터 면접촉으로 변화시킬 수 있게 되어 있다. 이 때문에 압박점(접합점)에서의 응력을 완화시킬 수 있기 때문에, 기판(W2)의 손상을 억제할 수 있다. 또한, 보이드의 발생, 갈라짐이나 이지러짐의 발생, 찰과상의 발생, 슬립 등에 의한 위치 어긋남의 발생 등을 억제할 수도 있다. 패드(14c)는, 예컨대 실리콘 고무나 불소 고무 등의 연질 수지에 의해 형성할 수 있다. 이 경우, 패드(14c)를 실리콘 고무 또는 불소 고무로 형성하면, 기판(W2)이 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 이동부(14a), 이동축(14b), 패드(14c) 중 적어도 어느 하나에 로드셀 등의 검출 장치를 설치하여, 패드(14c)에 의한 압박력을 검출하여, 압박력이 원하는 값이 되도록 제어할 수 있다.
그리고, 패드(14c)에 의한 압박력을 제어하여, 기판(W1)과 기판(W2)을 접합시킬 때에, 본체부(12a)의 면(12a1)에 부상 흡착되어 있는 기판(W1)의 이면[기판(W2)과 접합시키는 면과는 반대측의 면]이 본체부(12a)의 면(12a1)과 접촉하지 않도록 할 수 있다.
즉, 압박부(14)는, 기판(W2)을 압박하여 기판(W1)의 일부와 기판(W2)의 일부를 접촉시키고, 기판(W1)의 이면과 본체부(12a)의 면(12a1)이 접촉하지 않도록 압박력을 제어하는 것으로 할 수 있다.
기판(W1)의 이면과 본체부(12a)의 면(12a1)이 접촉하지 않도록 함으로써, 예컨대 면(12a1)상에 파티클이 존재하고 있어도, 기판(W1)의 이면에 파티클을 부착시키지 않고 청정한 상태를 유지한 채로 접합을 행하도록 할 수 있다.
배기부(15)는, 배관(15a)을 통해 개구부(11c)에 접속되어 있다. 배기부(15)는, 처리 용기(11)의 내부를 배기한다. 배기부(15)는, 예컨대 드라이 펌프 등으로 할 수 있다.
이 경우, 가스 공급부(12b)에 의해 처리 용기(11)의 내부에 가스가 공급되게 된다. 이 때문에 배기부(15)에 의한 배기량이, 가스 공급부(12b)에 의한 가스의 공급량보다 많아지도록 되어 있다.
또한, 기판(W1)과 기판(W2)의 접합은, 반드시 감압 분위기하에서 행할 필요는 없고, 예컨대 대기압 분위기하에서 행할 수도 있다. 기판(W1)과 기판(W2)의 접합을 감압 분위기하에서 행하지 않는 경우에는, 배기부(15)를 설치할 필요는 없고, 또한 처리 용기(11)를 파티클 등의 침입이 억제되는 정도의 기밀 구조로 하면 좋다.
또한, 처리 용기(11)을 설치하지 않고, 본체부(12a)의 면(12a1)과 대치시켜 압박부(14)를 설치하기 위한 도시하지 않는 지지체를 설치할 수도 있다. 도시하지 않는 지지체로서는, 예컨대 대략 역 U자형을 나타내고, 본체부(12a)와 기판 지지부(13)를 걸치도록 하여 설치되는 것을 예시할 수 있다.
단, 기판(W1)과 기판(W2)의 접합을 감압 분위기하에서 행하도록 하면, 기판(W1)과 기판(W2) 사이에 공기가 휩쓸리게 되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 보이드의 발생을 보다 억제할 수 있다.
측정부(16)는, 기판(W1)의 변형 상태를 측정한다.
측정부(16)에는, 측정 헤드(16a), 이동부(16b), 연산부(16c)가 설치되어 있다.
측정 헤드(16a)는, 기판(W1)의 변형량을 전기 신호로 변환하는 것으로 할 수 있다. 측정 헤드(16a)는, 예컨대 레이저 변위계 등으로 할 수 있다.
이동부(16b)는, 측정 헤드(16a)와 기판(W1)의 상대적인 위치를 변화시킨다. 이동부(16b)는, 예컨대 서보 모터나 펄스 모터 등의 제어 모터를 구성 요소로서 포함하는 것으로 할 수 있다.
연산부(16c)는, 측정 헤드(16a)로부터의 전기 신호를 기판(W1)의 변형량으로 변환하고, 기판(W1)의 변형 상태를 구한다.
측정부(16)는, 예컨대 도 1과 같이, 처리 용기(11)의 천정 부분에 설치하여도 좋지만, 예컨대 본체부(12a)의 내부에 설치하여, 기판(W1)의 이면의 변위를 측정함으로써 기판(W1)의 변형 상태를 측정하도록 하여도 좋다.
검출부(17)는, 기판(W1) 및 기판(W2)의 주연부를 검출함으로써 기판(W1) 및 기판(W2)의 위치를 검출한다. 즉, 검출부(17)는, 기판 유지부(12)에 유지된 기판(W1)의 주연부와, 기판 지지부(13)에 지지된 기판(W2)의 주연부에서, 기판(W1)과 기판(W2)의 상대적인 위치를 검출한다.
또한, 검출부(17)는, 기판(W1) 및 기판(W2)의 둘레 가장자리에 각각 형성된 노치의 위치를 검출한다.
검출부(17)에는, 검출 헤드(17a), 연산부(17b)가 설치되어 있다.
검출 헤드(17a)는, 예컨대 처리 용기(11)의 천정 부분에 설치할 수 있다.
검출 헤드(17a)는, 예컨대 CCD 이미지 센서(Charge Coupled Device Image Sensor) 등으로 할 수 있다.
검출 헤드(17a)의 배치 수에는 특별히 한정은 없지만, 복수의 검출 헤드(17a)를 본체부(12a) 주변에 균등하게 할당하도록 하면, 검출 정밀도를 향상시킬 수 있다.
연산부(17b)는, 검출 헤드(17a)와 전기적으로 접속되어 있다. 연산부(17b)는, 검출 헤드(17a)로부터의 정보에 기초하여, 기판(W1)과 기판(W2)의 상대적인 위치를 연산하고, 위치 맞춤에 관한 정보를 작성한다. 연산부(17b)는, 예컨대 화상 처리 장치로 할 수 있다. 위치 맞춤에 관한 정보는, 기판 지지부(13)에 보내져, 기판(W1)과 기판(W2)의 상대적인 위치를 변화시켜 위치 맞춤을 행할 때에 이용된다. 예컨대 도 1에 예시한 것의 경우에는, 기판 유지부(12)에 유지된 기판(W1)에 대한 기판(W2)의 위치 맞춤을 행할 때에 이용된다.
다음에, 노즐(12a2)의 작용에 관해서 예시를 더 한다.
도 3은, 노즐(12a2)의 작용을 예시하기 위한 모식도이다.
또한 도 3의 (a)는 사이클론 효과를 이용하는 경우, 도 3의 (b)는 베르누이 효과를 이용하는 경우이다.
도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 바닥이 있는 원기둥형의 구멍인 노즐(12a2)의 측벽에는 유로(12a3)가 접속되어 있다. 유로(12a3)로부터 노즐(12a2)의 내부에 공급된 가스에 의해, 노즐(12a2)의 내부 측벽을 따르도록 가스의 흐름이 형성되어, 노즐(12a2)의 내부에 선회류가 형성된다. 그러면, 사이클론 효과[노즐(12a2) 내부의 중앙부와 주연부의 압력차]에 의해 기판(W1)을 흡인하는 힘(F1)이 발생한다. 한편, 유로(12a3)로부터 노즐(12a2)의 내부에 공급된 가스는, 노즐(12a2)의 개구로부터 유출하여, 본체부(12a)의 면(12a1)과, 기판(W1) 사이를 통과하여, 처리 용기(11)의 내부에 방출된다. 그 결과, 본체부(12a)의 면(12a1)으로부터 기판(W1)을 부상시킨 상태로 기판(W1)을 유지할 수 있다. 즉, 비접촉으로 기판(W1)을 유지할 수 있다.
도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 바닥이 있는 원기둥형의 구멍인 노즐(12a2)의 바닥면에는 유로(12a3)가 접속되어 있다. 유로(12a3)로부터 노즐(12a2)의 내부에 공급된 가스는, 노즐(12a2)의 개구로부터 유출하여, 본체부(12a)의 면(12a1)과 기판(W1) 사이를 통과하여, 처리 용기(11)의 내부에 방출된다. 이 때, 본체부(12a)의 면(12a1)과 기판(W1) 사이의 치수가 짧기 때문에, 본체부(12a)의 면(12a1)과 기판(W1) 사이를 흐르는 가스의 유속이 빨라진다. 그러면, 베르누이 효과에 의해 기판(W1)을 흡인하는 힘(F2)이 발생한다. 그 결과, 본체부(12a)의 면(12a1)으로부터 기판(W1)을 부상시킨 상태로 기판(W1)을 유지할 수 있다. 즉, 비접촉으로 기판(W1)을 유지할 수 있다.
또한, 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량을 제어함으로써, 기판(W1)을 흡인하는 힘(F1, F2)의 크기를 변화시킬 수 있다. 예컨대 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량을 많게 하면, 기판(W1)을 흡인하는 힘(F1, F2)을 크게 할 수 있다. 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량을 적게 하면, 기판(W1)을 흡인하는 힘(F1, F2)을 작게 할 수 있다. 그 결과, 기판(W1)을 흡인하는 힘(F, F2)을 균일하게 하여 기판(W1)이 변형되지 않도록 하거나, 기판(W1)을 흡인하는 힘(F1, F2)을, 예컨대 영역(12a1a 내지 12a1c)에 설치된 1군의 노즐(12a2)마다 변화시켜 변형되어 있는 기판(W1)을 교정하거나 할 수 있다.
또한, 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량을 제어하여, 기판(W1)을 처리에 적합한 형상으로 변형시킬 수도 있다. 예컨대 기판(W1)의 중앙 영역이 위쪽으로 돌출된 형상으로 기판을 변형시킬 수도 있다. 이와 같은 기판(W1)의 형상으로 하면, 기판(W1)의 중앙 영역에 기판(W2)을 접촉시키기 쉬워지기 때문에, 접합이 용이해진다.
또한, 기판(W1)의 중앙 영역이 위쪽으로 돌출한 형상으로 기판을 변형시키도록 하면, 기판(W2)과의 거리를 조정함으로써 기판(W2)의 중앙 영역을 압박부(14)에 의해 압박하지 않고도 기판(W1)에 접촉시킬 수도 있다. 이 경우, 압박부(14)는 설치할 필요는 없다.
또한, 기판(W1)의 둘레 가장자리 영역의 일부분을 위쪽으로 돌출시켜도 좋다. 이 경우는, 기판(W1)이 돌출한 부분에 대치하는 위치 또는 그 주변에 있는 지지 클로(13a)를, 다른 지지 클로(13a)보다 먼저 수평 방향으로 이동(후퇴)시켜, 기판(W2)을 자신의 중량에 의해 기판(W1)에 접합시키도록 할 수 있다.
또한, 사이클론 효과와 베르누이 효과로 나눠 예시했지만, 사이클론 효과와 베르누이 효과가 발현하는 경우도 있다. 또한, 사이클론 효과를 발현하는 노즐과, 베르누이 효과를 발현하는 노즐을 설치할 수도 있다. 이 때문에 사이클론 효과 및 베르누이 효과 중 적어도 어느 하나가 발현하도록 하면 좋다.
단, 기판(W1)을 부상 흡착할 수 있는 것이면 좋고, 사이클론 효과나 베르누이 효과를 발현시키는 것에 의해 기판(W1)을 부상 흡착하는 것에 한정되는 것이 아니다.
다음에, 접합 장치(1)의 작용과 함께 접합 처리 방법에 대해서 예시를 한다.
도 4는, 접합 장치(1)의 작용에 대해서 예시를 하기 위한 모식 공정도이다.
또한, 도 4의 (a), (c), (e), (g)는 측면도, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 평면도, 도 4의 (d)는 도 4의 (c)의 평면도, 도 4의 (f)는 도 4의 (e)의 평면도, 도 4의 (h)는 도 4의 (g)의 평면도이다.
도 5도, 접합 장치(1)의 작용에 대해서 예시를 하기 위한 모식 공정도이다.
또한 도 5의 (a), (b)는 도 4의 (g), (h)에 계속되는 모식 공정도이다.
도 5의 (a), (c)는 측면도, 도 5의 (b)는 도 5의 (a)의 평면도, 도 5의 (d)는 도 5의 (c)의 평면도이다.
우선, 도시하지 않는 반송 장치에 의해, 기판(W1)을 개구부(11a)로부터 처리 용기(11)의 내부에 반입한다. 또한 개폐 도어(11b)는 도시하지 않는 구동부에 의해 개방되어 있다.
처리 용기(11)의 내부에 반입된 기판(W1)은, 본체부(12a)의 면(12a1)상에 배치된다.
다음에, 기판(W1)을 부상시킨 상태로 유지한다.
가스 공급부(12b)로부터 가스를 노즐(12a2)에 공급하고, 사이클론 효과 및 베르누이 효과 중 적어도 어느 하나를 이용하여 기판(W1)을 부상시킨 상태로 유지한다.
또한, 도 4의 (a), (b)에 도시하는 바와 같이, 측정부(16)에 의해 기판(W1)의 변형 상태를 측정한다. 예컨대 이동부(16b)에 의해 측정 헤드(16a)를 이동시키면서 기판(W1)의 표면의 변위를 측정하여, 기판(W1)의 변형 상태를 측정한다.
그리고, 측정된 기판(W1)의 변형 상태에 기초하여, 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량이나 가스의 온도를 제어한다.
예컨대 노즐(12a2)의 내부에 공급하는 가스의 유량을 제어함으로써, 기판(W1)을 흡인하는 힘을 균일하게 하여 기판(W1)이 변형되지 않도록 하거나, 기판(W1)을 흡인하는 힘을, 예컨대 영역(12a1a 내지 12a1c)에 설치된 일군의 노즐(12a2)마다 변화시켜 변형되어 있는 기판(W1)을 교정하거나 한다. 또는, 일군이 아니라, 복수의 노즐(12a2) 중 어느 하나의 노즐(12a2)에 의한 흡인력을 변화시켜, 변형되어 있는 기판(W1)을 교정하거나 한다.
또한, 온도 제어부(12b2)에 의해 공급되는 가스의 온도를 제어하여, 기판(W1)의 면내 온도를 균일하게 하여 기판(W1)이 변형되지 않도록 하거나, 국부적으로 가열 또는 냉각함으로써 변형되어 있는 기판(W1)을 교정하거나 한다.
또한, 기판(W1)을 처리에 적합한 형상으로 변형시킬 수도 있다. 예컨대 기판(W1)의 중앙 영역이 위쪽으로 돌출된 형상으로 기판을 변형시킬 수도 있다. 이와 같은 기판(W1)의 형상으로 하면, 기판(W1)의 중앙 영역에 기판(W2)을 접촉시키기 쉬워지기 때문에, 접합이 용이해진다.
즉, 본 실시형태에 따른 접합 처리 방법은, 본체부(12a)의 기판(W1)을 유지하는 측의 면(12a1)에 개구하는 노즐(12a2)에 가스를 공급하여, 기판(W1)을 흡인하고, 기판(W1)을 본체부(12a)의 면(12a1)으로부터 이격시키는 공정과, 기판(W1)의 형상에 따라 가스의 유량을 제어하는 공정을 포함하고 있다.
또한, 기판(W1)의 형상에 따라 가스의 유량을 제어하는 공정에서, 복수의 노즐(12a2)마다, 및 영역(12a1a 내지 12a1c)에 설치된 복수의 노즐(12a2)의 일군마다 중 적어도 어느 하나에서 가스의 유량을 제어할 수 있다.
또한, 기판(W1)을 흡인하고, 기판(W1)을 본체부(12a)의 면(12a1)으로부터 이격시키는 공정에서, 본체부(12a)의 기판(W1)을 유지하는 측의 면(12a1)에 개구하는 노즐(12a2)에 가스를 공급함으로써, 사이클론 효과 및 베르누이 효과 중 적어도 어느 하나를 발현시키도록 할 수 있다.
또한, 기판(W1) 및 기판(W2) 중 적어도 어느 하나는 실리콘 웨이퍼로 할 수 있다.
다음에, 도 4의 (c), (d)에 도시하는 바와 같이, 검출부(17)에 의해 기판(W1)의 노치(W1a)의 위치를 검출한다.
다음에, 도 4의 (e), (f)에 도시하는 바와 같이, 기판(W2)을 지지하는 위치에 지지 클로(13a)를 이동시킨다.
다음에, 도시하지 않는 반송 장치에 의해, 기판(W2)을 개구부(11a)로부터 처리 용기(11)의 내부에 반입한다.
그리고, 도 4의 (g), (h)에 도시하는 바와 같이, 기판(W2)을 지지 클로(13a) 위에 배치한다.
계속해서, 위치 맞춤부(13d)에 의해 기판(W2)의 수평면내에서의 위치를 맞춘다.
계속해서, 기판(W2)의 둘레 가장자리에 형성된 노치(W2a)의 위치를 검출부(17)로 검출한다. 이 때, 기판(W1)은, 기판(W2)의 노치(W2a)의 위치를 검출하는 데 방해되지 않는 위치에 수평 방향으로 이동시켜 둔다. 노치(W2a)의 위치를 검출한 후, 기판(W1)을 수평 이동시켜, 기판(W2)과의 수평 위치에 맞춘다[도 4의 (g)의 위치에 복귀시킨다].
계속해서, 위치 맞춤부(13e)에 의해 기판(W1)의 회전 방향의 위치를 맞춘다. 예컨대 기판(W1)의 둘레 가장자리에 형성된 노치(W1a)에 핀을 삽입함으로써, 기판(W1)의 회전 방향의 위치를 기판(W2)의 회전 방향의 위치에 맞춘다.
다음에, 기판(W1)과 기판(W2)을 접합시킨다.
우선, 개폐 도어(11b)가 폐쇄되어 처리 용기(11)가 밀폐된다. 그리고, 처리 용기(11)내가 배기된다.
또한 대기중에서 접합을 행하는 경우에는, 처리 용기(11)내를 배기할 필요는 없다.
다음에, 도 5의 (a), (b)에 도시하는 바와 같이, 지지 클로(13a)에 지지된 기판(W2)의 대략 중앙부를 패드(14c)로 압박함으로써 기판(W2)을 휘게 하여, 기판(W1)의 접합면 일부와 기판(W2)의 접합면 일부를 접촉시킨다.
이 때, 접합의 진행과 함께 지지 클로(13a)를 후퇴 방향으로 서서히 이동시킨다. 지지 클로(13a)를 후퇴 방향으로 이동시키면, 지지 클로(13a)에 의해 지지되는 부분이 기판(W2)의 주연부측으로 이동하기 때문에, 기판(W2)의 주연부의 높이 방향의 위치가 내려가게 된다. 이 때문에 기판(W1)의 접합면과 기판(W2)의 접합면이 접촉하는 부분(접합된 부분)이 중앙부로부터 주연부를 향해 확대된다. 그리고, 기판(W2)의 주연부가 지지 클로(13a)로부터 벗어나면, 기판(W1)의 접합면과 기판(W2)의 접합면이 전체면에서 접촉하게 된다. 즉, 기판(W1)과 기판(W2)이 접합되어 기판(W)이 형성된다.
또한, 접합의 진행과 함께 위치 맞춤부(13d, 13e)에 의한 위치 맞춤을 해제한다.
또한, 기판(W2)의 대략 중앙부를 패드(14c)로 압박할 때에, 본체부(12a)의 면(12a1)에 부상 흡착되어 있는 기판(W1)의 이면[기판(W2)과 접합시키는 면과는 반대측의 면]이 본체부(12a)의 면(12a1)과 접촉하지 않도록, 패드(14c)에 의한 압박력이 제어된다.
다음에, 도 5의 (c), (d)에 도시하는 바와 같이, 패드(14c)를 상승시킨다.
접합된 기판(W)은, 도시하지 않는 반송 장치에 의해 처리 용기(11)의 외부에 반출된다. 이후, 필요에 따라 전술한 수순을 반복함으로써 기판(W1), 기판(W2)의 접합을 연속적으로 행할 수 있다.
이상, 실시형태에 대해서 예시하였다. 그러나, 본 발명은 이들 기술에 한정되는 것이 아니다.
전술한 실시형태에 관해서, 당업자가 적절하게, 구성 요소의 추가, 삭제 또는 설계 변경을 행한 것, 또는 공정의 추가, 생략 또는 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 특징을 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
예컨대 접합 장치(1) 등이 구비하는 각 요소의 형상, 치수, 재질, 배치, 수 등은, 예시한 것에 한정되는 것은 아니라, 적절하게 변경할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는 2장의 실리콘 웨이퍼의 직접 접합을 행하는 접합 장치를 예로 들어 설명했지만, 실리콘 웨이퍼와 지지 기판을 접착층을 개재하여 접합시키는 접합 장치나, 실리콘 웨이퍼 이외의 기판(예컨대 유리 기판)을 접합시키는 접합 장치 등에도 적용할 수 있다.
또한, 전술한 각 실시형태가 구비하는 각 요소는, 가능한 한에서 조합할 수 있고, 이들을 조합시킨 것도 본 발명의 특징을 포함하는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
1: 접합 장치, 11: 처리 용기, 12: 기판 유지부, 12a: 본체부, 12a1: 면, 12a1a 내지 12a1c: 영역, 12a2: 노즐, 12a3: 유로, 12b: 가스 공급부, 12b1: 가스 공급원, 12b2: 온도 제어부, 12b3: 유량 제어부, 12b4: 개폐 밸브, 13: 기판 지지부, 13a: 지지 클로, 13b: 이동부, 13c: 베이스부, 13d: 위치 맞춤부, 13e: 위치 맞춤부, 14: 압박부, 14a: 이동부, 14b: 이동축, 14c: 패드, 15: 배기부, 16: 측정부, 16a: 측정 헤드, 16b: 이동부, 16c: 연산부, 17: 검출부, 17a: 검출 헤드, 17b: 연산부, W: 기판, W1: 기판, W2: 기판

Claims (11)

  1. 유지된 기판에 대하여 처리를 실시하는 접합 장치로서,
    본체부와,
    상기 본체부의, 제1 기판을 유지하는 측의 면에 개구하는 노즐과,
    상기 노즐에 가스를 공급하여, 상기 제1 기판을 흡인하고, 상기 제1 기판을 상기 본체부의 면으로부터 이격시키는 가스 공급부와,
    상기 제1 기판과 정해진 간격을 두고 대치시킨 제2 기판의 주연부를 지지하는 기판 지지부와,
    제2 기판을 압박하여, 상기 본체부의 면으로부터 이격되어 있는 상기 제1 기판의 일부와 상기 제2 기판의 일부를 접촉시키는 압박부
    를 포함하는 접합 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 가스의 유량을 제어하는 유량 제어부를 가지고,
    상기 유량 제어부는, 상기 제1 기판의 형상에 따라 상기 가스의 유량을 제어하는 것인 접합 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 노즐은 복수 설치되고,
    상기 유량 제어부는, 상기 복수의 노즐마다, 및 상기 복수의 노즐의 일군마다 중 적어도 어느 하나에서 상기 가스의 유량을 제어하는 것인 접합 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나는 실리콘 웨이퍼인 것인 접합 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판의 변형 상태를 측정하는 측정부를 더 포함하는 접합 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 압박부는 상기 제1 기판과 상기 본체부의 면이 접촉하지 않도록 압박력을 제어하는 것인 접합 장치.
  8. 유지된 기판에 대하여 처리를 실시하는 접합 처리 방법으로서,
    본체부의, 제1 기판을 유지하는 측의 면에 개구하는 노즐에 가스를 공급하여, 상기 제1 기판을 흡인하고, 상기 제1 기판을 상기 본체부의 면으로부터 이격시키는 공정과,
    상기 제1 기판을 이격시킨 상태에서, 제1 기판과 제2 기판을 접합하는 접합 공정
    을 포함하는 접합 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 기판을 상기 본체부의 면으로부터 이격시키는 공정 이후에, 상기 제1 기판의 형상에 따라 상기 가스의 유량을 제어하는 공정을 더 포함하는 접합 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 노즐은 복수 설치되고,
    상기 제1 기판의 형상에 따라 상기 가스의 유량을 제어하는 공정에서,
    상기 복수의 노즐마다, 및 상기 복수의 노즐의 일군마다 중 적어도 어느 하나에서 상기 가스의 유량을 제어하는 것인 접합 처리 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 중 적어도 어느 하나는 실리콘 웨이퍼인 것인 접합 처리 방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2986175A1 (fr) * 2012-01-31 2013-08-02 St Microelectronics Tours Sas Procede et dispositif de decoupe d'une plaquette
US10118381B2 (en) * 2014-04-22 2018-11-06 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for embossing of a nanostructure
JP6271404B2 (ja) * 2014-11-27 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
KR102271993B1 (ko) * 2014-12-29 2021-07-02 주식회사 케이씨텍 부상식 기판 코터 장치
JP5797863B1 (ja) * 2015-05-29 2015-10-21 オリジン電気株式会社 接合部材製造装置及び接合部材の製造方法
JP6568773B2 (ja) * 2015-11-10 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び剥離システム
CN105702881B (zh) 2016-01-21 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种基板顶起装置、基板封装设备及方法
JP6596353B2 (ja) * 2016-02-17 2019-10-23 東京応化工業株式会社 貼付装置、貼付システム、及び貼付方法
CN108189521B (zh) * 2017-12-28 2021-01-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 贴合设备和贴合方法
CN109887860B (zh) * 2018-12-28 2020-12-25 上海集成电路研发中心有限公司 一种键合腔体结构及键合方法
KR20210023298A (ko) 2019-08-22 2021-03-04 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
CN112490175B (zh) * 2020-11-28 2023-06-30 扬州思普尔科技有限公司 面向晶圆显微检测的分级变吸力伯努利吸盘装置及其应用方法
JP7179391B1 (ja) 2022-07-07 2022-11-29 日本Ｗｓｔ合同会社 半導体処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070079924A (ko) * 2006-02-03 2007-08-08 캐논 가부시끼가이샤 마스크막형성방법 및 마스크막형성장치
KR20100057653A (ko) * 2007-11-08 2010-05-31 가부시키가이샤 아루박 접합 기판 제조 장치 및 접합 기판 제조 방법
KR20120101990A (ko) * 2011-03-07 2012-09-17 가부시키가이샤 산메이 비접촉 부상 반송 기능을 가지는 기판 처리 장치
KR20120120122A (ko) * 2010-12-13 2012-11-01 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 정렬 오류를 결정하기 위한 장치, 디바이스 및 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10296624A (ja) * 1997-02-27 1998-11-10 Takahiro Oishi 多孔質定盤へのウエハ貼付方法及び装置
DE19733215A1 (de) * 1997-08-01 1999-02-04 Hebenstreit Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur pneumatischen Handhabung von Waffelblättern
TW484184B (en) 1998-11-06 2002-04-21 Canon Kk Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
TW415406U (en) 1999-09-01 2000-12-11 Chen Peng Ren Hand supporting structure especially for motorcycle
JP2005150177A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
US20090181553A1 (en) 2008-01-11 2009-07-16 Blake Koelmel Apparatus and method of aligning and positioning a cold substrate on a hot surface
JP5314523B2 (ja) 2009-07-24 2013-10-16 東レエンジニアリング株式会社 基板の貼合せ装置及び方法、並びに、基板貼合せヘッド
JP5558953B2 (ja) 2010-07-27 2014-07-23 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP5323867B2 (ja) 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2012156163A (ja) * 2011-01-21 2012-08-16 Toshiba Corp 半導体製造装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070079924A (ko) * 2006-02-03 2007-08-08 캐논 가부시끼가이샤 마스크막형성방법 및 마스크막형성장치
KR20100057653A (ko) * 2007-11-08 2010-05-31 가부시키가이샤 아루박 접합 기판 제조 장치 및 접합 기판 제조 방법
KR20120120122A (ko) * 2010-12-13 2012-11-01 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 정렬 오류를 결정하기 위한 장치, 디바이스 및 방법
KR20120101990A (ko) * 2011-03-07 2012-09-17 가부시키가이샤 산메이 비접촉 부상 반송 기능을 가지는 기판 처리 장치

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