KR101511996B1 - 투명 도전 패턴의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

(과제) 펄스 광 조사에 의해 도전성이 향상된 투명 도전 패턴의 제조 방법을 제공한다.
(해결수단) 기판 상에 금속 나노와이어를 분산시킨 분산액을 도포, 건조시켜 퇴적하고, 상기 기판 상에 퇴적된 금속 나노와이어에 펄스 폭이 20마이크로초~50밀리초인 펄스 광을 조사하여 상기 금속 나노와이어의 교점을 접합함으로써 투명 도전 패턴을 제조한다.

Description

투명 도전 패턴의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE PATTERN}

본 발명은 투명 도전 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.

유리 기판 등의 유전체 표면에 투명 도전막을 형성하기 위해서 종래는 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 진공 증착 금속 산화물이 사용되고 있었다.

그러나 상기 ITO 등의 진공 증착 금속 산화물은 취약하며 벤딩 내성도 없다는 문제가 있다. 또한 박막 제작에는 진공 과정을 필요로 하기 때문에 제조 비용이 높아진다는 문제도 있다. 또한 박막 제작 시에 고온이 필요하며, 내열성이 낮은 플라스틱 필름 등의 수지 기판을 사용할 수 없다는 문제도 있다. 또한 박막을 소정의 패턴으로 가공하기 위해서는 에칭 공정이 필요로 되어 생산성이 열화된다.

그래서 진공, 고온 분위기 하에서의 처리가 불필요한 투명 도전 패턴의 형성 방법으로서 금속 나노와이어를 사용한 투명 도전막의 제조 방법이 여러가지 제안되고 있다. 예를 들면, 하기 특허문헌 1에는 금속 나노와이어를 액체에 분산시키고, 그 액체를 건조시킴으로써 금속 나노와이어 메쉬층을 그 기판 상에 형성하고, 투명 도전체를 제작하는 방법이 기재되어 있다. 또한 상기 금속 나노와이어 메쉬층에 압력 또는 열을 작용시켜 도전성을 향상시키는 점도 기재되어 있다.

또한 하기 특허문헌 2에는 직선상 금속 나노와이어가 서로 교점에서 접합하여 메쉬를 형성하고 있는 도전막이 기재되어 있다. 또한 상기 접합이 압착 또는 도금으로 되어 있는 점도 기재되어 있다.

또한 하기 비특허문헌 1에는 은의 나노와이어에 30w/㎠의 광을 10~120초 조사해서 네트워크화하는 기술이 기재되어 있다.

일본 특허 공표 2009-505358호 공보 국제 공개 제 2009/035059호 팜플렛

Self-limited plasmonic welding of silver nanowire junctions NATURE MATERIALS(2012)DOI:10.1038/NMAT3238 Eric C. Garnett, Wenshan Cai, et al.

그러나 상기 특허문헌 1에서는 압력 또는 열을 작용시키고, 특허문헌 2에서는 도금에 의해 금속 나노와이어 메쉬의 도전성을 향상시키고 있지만, 아직 투명성과 도전성은 트레이드 오프의 관계가 있어 양자를 동시에 향상시키는 것은 불충분했다. 또한 특허문헌 1의 경우, 열을 작용시키기 위해 건조로를 사용하지만, 수지 기판에는 적용이 어렵다는 문제도 있었다. 또한 비특허문헌 1에서는 고에너지의 광을 장시간 조사하기 때문에 은 나노와이어가 고온이 되어 수지 기판에는 적용이 어렵다는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은 내열성이 높지 않은 수지 기판에 대해서도 적용가능한 도전성이 향상된 투명 도전 패턴의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일실시형태는 투명 도전 패턴의 제조 방법으로서, 기판 상에 퇴적된 금속 나노와이어에 펄스 폭이 20마이크로초~50밀리초인 펄스 광을 조사해서 상기 금속 나노와이어의 교점을 접합하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 금속 나노와이어는 은 나노와이어이며, 상기 은 나노와이어의 직경은 10~300㎚, 길이는 3~500㎛인 것이 바람직하다.

또한 기판 상에의 금속 나노와이어의 퇴적은 기판 상에 금속 나노와이어를 분산시킨 분산액을 도포, 건조하는 것이 바람직하다. 이 분산액은 바인더 수지를 포함하고 있어도 좋다.

(발명의 효과)

본 발명에 의하면 펄스 광 조사에 의해 투명 도전 패턴의 도전성을 향상시킬 수 있다.

도 1은 펄스 광의 정의를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 실시예에서 제작한 은 나노와이어의 SEM상을 나타내는 도면이다.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태(이하, 실시형태라고 한다)를 설명한다.

본 실시형태에 의한 투명 도전 패턴은 금속 나노와이어를 포함하여 구성되어 있고, 기판 상에 퇴적된 금속 나노와이어에 펄스 광을 조사함으로써 금속 나노와이어 상호의 교점을 접합시켜 형성한다. 본 명세서 중에 있어서 「펄스 광」이란 광 조사 기간(조사 시간)이 단시간인 광이며, 광 조사를 복수회 반복하는 경우는 도 1에 나타낸 바와 같이 제 1 광 조사 기간(on)과 제 2 광 조사 기간(on) 사이에 광이 조사되지 않는 기간(조사 간격(off))을 갖는 광 조사를 의미한다. 도 1에서는 펄스 광의 광 강도가 일정하게 나타내어 있지만, 1회의 광 조사 기간(on) 내에서 광 강도가 변화해도 좋다. 상기 펄스 광은 크세논 플래시 램프 등의 플래시 램프를 구비하는 광원으로부터 조사된다. 이러한 광원을 사용하여 상기 기판에 퇴적된 금속 나노와이어에 펄스 광을 조사한다. n회 반복하여 조사하는 경우는 도 1에 있어서의 1사이클(on+off)을 n회 반복한다. 또한 반복하여 조사하는 경우에는 다음 펄스 광 조사를 행할 때에 기재를 실온 부근까지 냉각할 수 있도록 하기 위해 기재측부터 냉각하는 것이 바람직하다.

펄스 광의 1회의 조사 시간(on)은 광 강도에도 의하지만, 20마이크로초~50밀리초의 범위가 바람직하다. 20마이크로초보다 짧으면 소결이 진행되지 않아 도전 패턴의 성능 향상의 효과가 낮아진다. 또한 50밀리초보다 길면 광 열화, 열 열화에 의해 기재에 악영향을 미치는 경우가 있고, 또한 나노와이어가 날아가기 쉬워진다. 보다 바람직하게는 50마이크로초~10밀리초이다. 상기 이유에 의해 본 실시형태에서는 연속 광이 아니라 펄스 광을 사용한다. 펄스 광의 조사는 단발로 실시해도 효과는 있지만 상기와 같이 반복 실시할 수도 있다. 반복하여 실시하는 경우 조사 간격(off)은 20마이크로초~5초, 보다 바람직하게는 2000마이크로초~2초의 범위로 하는 것이 바람직하다. 20마이크로초보다 짧으면 연속 광과 가깝게 되어 버려 1회 조사 후에 방랭될 사이도 없이 조사되므로 기재가 가열되어 온도가 상당히 높아져 버린다. 5초보다 길면 프로세스 시간이 길어지므로 바람직하지 않다.

여기서, 금속 나노와이어란 재질이 금속인 나노미터 사이즈의 입자 중 형상이 봉 형상 또는 가늘고 긴 형상의 것을 나타낸다. 즉, 지름의 굵기가 나노미터 오더의 사이즈인 금속을 의미한다. 또한 본 명세서에 있어서 나노와이어는 포러스 또는 넌-포러스의 튜브상(중앙이 중공)의 형상의 금속 나노튜브도 포함한다. 본 발명에 있어서 사용하는 금속 나노와이어에는 분기되어 있는 형상이나 구상의 입자를 염주 위에 연결시킨 형상은 포함하지 않는다.

상기 금속 나노와이어 재료로서는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 카드뮴, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금을 들 수 있고, 도전성이 높은 점에서 구리, 은, 백금, 금이 바람직하고, 은이 보다 바람직하다. 또한 금속 나노와이어(은 나노와이어)의 직경은 10~300㎚, 길이는 3~500㎛, 보다 바람직하게는 직경이 30㎚~100㎚, 길이가 10~100㎛인 것이 바람직하다. 직경이 너무 가늘면 결합했을 때의 강도가 충분하지 않고, 너무 굵으면 투명도가 저하한다. 또한 길이가 너무 짧으면 효과적으로 교점이 겹쳐질 수 없고, 너무 길면 인쇄성이 저하한다.

상기 금속 나노와이어는 공지의 방법에 의해 합성할 수 있다. 예를 들면, 용액 중에서 질산 은을 환원하는 방법을 들 수 있다. 용액 중에서 질산 은을 환원하는 구체적인 방법으로서는 금속 복합화 펩티드 지질로 이루어지는 나노파이버를 환원하는 방법이나, 에틸렌 글리콜 중에서 과열하면서 환원하는 방법, 시트르산 나트륨 중에서 환원하는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도 에틸렌 글리콜 중에서 가열하면서 환원하는 방법이 가장 용이하게 금속 나노와이어를 제조할 수 있으므로 바람직하다.

본 실시형태에 의한 투명 도전 패턴을 제조하는 경우는 적당한 기판 상에 금속 나노와이어를 소정의 패턴 형상(베타상을 포함한다)으로 퇴적하고, 이 금속 나노와이어에 크세논식의 펄스식 조사 램프를 사용하여 펄스 폭이 20마이크로초~50밀리초, 보다 바람직하게는 50마이크로초~10밀리초인 펄스 광을 조사해서 금속 나노와이어 상호의 교점을 접합한다. 여기서, 접합이란 금속 나노와이어의 교점에 있어서 나노와이어 재료(금속)가 펄스 광 조사를 흡수하여 교차 부분에서 보다 효율적으로 내부 발열을 일으킴으로써 그 부분이 용접되는 것이다. 이 접합에 의해 교차 부분에서의 나노와이어 간의 접속 면적이 늘어나 표면 저항을 낮출 수 있다. 이렇게 펄스 광을 조사해서 금속 나노와이어의 교점을 접합함으로써 금속 나노와이어가 메쉬 형상이 된 도전 패턴이 형성된다. 이 때문에 투명 도전 패턴의 도전성을 향상시킬 수 있다. 또한 금속 나노와이어가 형성하는 메쉬는 간격을 두지 않고 밀집되어 있는 상태에서는 바람직하지 않다. 간격을 두지 않으면 광의 투과율이 저하하기 때문이다.

기판 상에 금속 나노와이어를 퇴적하는 방법은 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 웨트 코트 등을 들 수 있다. 웨트 코트란 기판 상에 액체(금속 나노와이어 분산액)를 도포함으로써 제막하는 프로세스를 가리킨다. 본 실시형태에 사용하는 웨트 코트는 공지의 방법이면 특별히 제한은 없고, 스프레이 코트, 바 코트, 롤 코트, 다이 코트, 잉크젯 코트, 스크린 코트, 딥 코트, 드롭 코트, 볼록판 인쇄법, 오목판 인쇄법, 그라비어 인쇄법 등을 사용할 수 있다. 또한 웨트 코트 후에 기판을 가열해서 사용한 용매를 제거하는 프로세스나, 분산제 등의 첨가물을 세정에 의해 씻어 버리는 프로세스 등이 포함되어 있어도 좋다. 또한 상기 웨트 코트는 1회뿐만 아니라 복수회 반복해도 좋다. 또한 그라비어 인쇄나 스크린 인쇄를 사용해서 패턴 인쇄를 행해도 좋다.

상기 웨트 코트에 사용하는 분산매로서는 예를 들면, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산온 등의 케톤계 화합물; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 에틸, 아세트산 메톡시에틸 등의 에스테르계 화합물; 디에틸에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 에틸 셀로솔브, 부틸 셀로솔브, 페닐 셀로솔브, 디옥산 등의 에테르계 화합물; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 화합물; 펜탄, 헥산 등의 지방족 화합물; 염화 메틸렌, 클로로벤젠, 클로로포름 등의 할로겐계 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 노르말프로판올, 이소프로판올, 1-메톡시-2-프로판올(PGME), 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 테르피네올, 글리세린, 디글리세린, 보르닐시클로헥산올, 보르닐페놀, 이소보르닐시클로헥산올, 이소보르닐페놀 등의 알코올 화합물, 물 또는 이들의 혼합 용매 등을 들 수 있다. 이상의 분산매 중에서는 수용성 용매가 바람직하고, 특히 알코올, 물이 바람직하다.

상기 금속 나노와이어 분산액에 있어서의 금속 나노와이어의 함유량은 금속 나노와이어의 양호한 분산성 및 얻어지는 도막의 양호한 패턴 형성성, 높은 도전성 및 양호한 광학 특성의 관점에서 분산액 총 질량에 대하여 금속 나노와이어가 0.01~10질량%의 양이며, 보다 바람직하게는 0.05~2질량%의 양이다. 금속 나노와이어가 0.01질량% 미만이면 소망의 도전성을 확보하기 어렵다. 복수회 퇴적(도포) 공정을 반복할 필요가 있다. 또한 10질량%를 초과하면 소망의 투명도를 확보하기 위해서는 매우 얇게 퇴적(도포)할 필요가 있어 작업성이 나쁘다.

또한 상기 금속 나노와이어 분산액에 그 특성을 손상시키지 않는 범위에서 필요에 따라 바인더 수지, 부식 방지제, 밀착 촉진제, 계면활성제 등의 다른 성분을 함유시켜도 좋다. 바인더 수지를 함유시킨 분산액을 도포함으로써 광 조사 시의 금속 나노와이어와 기판의 밀착성을 향상시킨다. 바인더 수지로서 사용할 수 있는 고분자 화합물로서는 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐카프로락톤과 같은 폴리-N-비닐 화합물, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리THF와 같은 폴리알킬렌 글리콜 화합물, 폴리우레탄, 셀룰로오스 화합물 및 그 유도체, 에폭시 화합물, 폴리에스테르 화합물, 염소화 폴리올레핀, 폴리아크릴 화합물과 같은 열 가소성 수지, 열 경화성 수지를 사용할 수 있다. 단, 바인더 수지를 많이 포함하면 금속 나노와이어 간에 바인더 수지가 개재되어 도전성을 저하시키게 되므로 바인더 수지는 금속 나노와이어 100질량부에 대하여 50질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30질량부 이하, 더욱 바람직하게는 10질량부 이하이며, 분산액 총 질량에 대하여 2질량% 이하, 보다 바람직하게는 1.2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 0.4질량% 이하이다. 하한은 특별히 없지만, 통상 금속 나노와이어 100질량부에 대하여 0.01질량부, 바람직하게는 0.1질량부, 보다 바람직하게는 0.5질량부이다.

또한 부식 방지제로서는 벤조트리아졸 등, 밀착 촉진제로서는 2-히드록시메틸셀룰로오스 등, 계면활성제로서는 상품명 F-472SF(DIC Corporation 제작) 등을 들 수 있다.

또한 상기 기판의 재료로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 유리, 알루미나 등의 세라믹스나, 철, 알루미늄, 구리 등의 금속, 폴리에스테르 수지, 셀룰로오스 수지, 비닐 알코올 수지, 염화 비닐 수지, 시클로올레핀계 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, ABS 수지 등의 열 가소성 수지, 광 경화성 수지, 열 경화성 수지 등을 들 수 있다.

(실시예)

이하, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다. 또한 이하의 실시예는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명은 이들의 실시예에 제한되는 것은 아니다.

<은 나노와이어의 제작>

폴리비닐피롤리돈 K-90(NIPPON SHOKUBAI CO., LTD. 제작)(0.049g), AgNO₃(0.052g) 및 FeCl₃(0.04mg)을 에틸렌 글리콜(12.5㎖)에 용해하고, 150℃에서 1시간 가열 반응했다. 얻어진 석출물을 원심분리에 의해 단리하고, 석출물(은 나노와이어)을 에탄올에 재분산시켜 은 나노와이어를 2질량% 포함하는 분산액을 얻었다. 도 2(a), (b)에 분산액의 에탄올을 제거, 건조시켜 얻어진 은 나노와이어의 SEM상을 나타낸다. 사용한 SEM은 Hitachi High-Technologies Corporation 제작 FE-SEM S-5200이다.

도 2(a), (b)로부터 알 수 있는 바와 같이 은 나노와이어는 봉 형상이며, 그 봉 형상의 와이어의 직경은 약 70㎚, 길이는 10~20㎛ 정도이며, 봉 형상으로 성장하고 있는 것이 전체의 약 95% 이상을 차지했다. 또한 나머지는 입자상이었다.

상기 원심분리에 의해 단리 후 건조된 은 나노와이어 건고물을 대기 분위기 하 50~600℃의 범위에서 승온 속도 20℃/min으로 열 중량 분석을 한 결과, 5.8%의 중량 감소가 보여졌다. 이것으로부터 은 나노와이어 중에 조제 시에 사용한 폴리비닐피롤리돈 K-90을 함유하는 것이 시사된다. 또한 열 중량 분석에는 Bruker AXS 제작 차동형 시차 열 천칭 TG-DTA galaxy를 사용했다.

상기 에틸렌 글리콜, 폴리비닐피롤리돈 K-90, AgNO₃, FeCl₃은 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. 제작이다.

또한 은 나노 입자의 길이 및 직경은 SEM과 TEM으로 측정했다. 또한 사용한 TEM은 JEOL Ltd. 제작 TEM; JEOL, JEM-2100 투과 전자현미경이다.

(실시예 1~12)

<투명 도전 패턴의 제작>

상기 은 나노와이어의 분산액을 표 1에 기재된 은 나노와이어 농도가 되도록 에탄올로 희석, 조제하고, 이 분산액을 125㎛ 두께의 PET 필름(TORAY INDUSTRIES, INC. 제작 Lumirror 이접착 그레이드) 상에 드롭 코트에 의해 도포하고, 6시간 풍건함으로써 상기 은 나노와이어를 기판 상에 퇴적했다.

이어서 기판 상에 퇴적된 은 나노와이어에 대하여 Nova Centrix사 제작의 크세논 조사 장치 Pulse Forge 3300을 사용하여 펄스 광을 단발로 조사했다. 펄스 광의 조사 조건(광원의 구동 전압(V), 조사 시간(펄스 폭 msec), 조사 시의 은 나노 입자 퇴적층의 노광량(J/㎠))을 표 1의 실시예 1~12에 나타낸다.

펄스 광을 조사한 후 SEM으로 관찰한 결과, 은 나노와이어의 표면에 돌기물이 생성되어 있었다.

<투명 도전 패턴의 표면 저항치 및 투과율의 측정>

표 1의 실시예 1~12의 조건으로 펄스 광을 조사하기 전후의 은 나노 입자의 퇴적층에 대해서 Mitsubishi Chemical Corporation 제작 LORESTA-GP MCP-T6104 탐침법 표면 저항률, 체적 저항률 측정 장치를 사용해서 표면 저항치를 측정했다. 또한 그 때, 드롭 코트한 도막을 2㎝ 네모나게 잘라내서 측정을 행했다.

또한 실시예 1~12에 대해서 JASCO Corporation 제작의 자외 가시 근적외 분광 광도계 Jasco V-570을 사용하여 투명도의 척도로서 가시광 영역(400~800㎚)의 광선 투과율을 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.

(비교예 1)

상기 은 나노와이어를 에탄올에 농도 1질량%가 되도록 분산시킨 분산액을 사용하여 실시예와 마찬가지로 은 나노와이어를 기판 상에 퇴적했다. 그 후 펄스 광을 조사하는 대신에 가열로(공기 분위기)에 의해 100℃, 10분간 가열했다. 표면 저항치는 가열 전후에서 거의 변화되지 않았다. 또한 기판에 PET 필름을 사용하고 있으므로 100℃보다 높은 온도에서는 가열할 수 없었다.

표 1에 나타내어진 바와 같이 실시예 1~12에 있어서의 펄스 광 조사 전후의 투명 도전 패턴(은 나노와이어의 퇴적층)의 표면 저항치의 저하율(조사 후의 표면 저항치/조사 전의 표면 저항치(%))이 비교예에 있어서의 100℃ 가열 전후의 투명 도전 패턴의 표면 저항치의 저하율(가열 후의 표면 저항치/가열 전의 표면 저항치(%))인 98%에 비해 모두 대폭 저하되고 있다. 이것은 광 조사에 의해 나노와이어가 교차하는 점에서의 접합이 일어나고, 도전성이 향상되고 있는 것을 반영하고 있다. 또한 광 조사에 의해 나노와이어가 교차하는 점(접합점)에서의 나노와이어의 용접이 일어나고, 이것에 따른 연직방향으로부터의 투영 면적이 증가하기 때문에 은 나노와이어를 에탄올에 농도 1질량%가 되도록 분산시킨 분산액을 사용한 실시예 1-6에서는 광 조사 후의 광선 투과율이 광 조사 전의 광선 투과율에 비해 다소 저하되고 있다. 또한 실시예 1~12에서는 은 나노와이어의 농도가 동일해도 펄스 광 조사 전의 투명 도전 패턴의 표면 저항치가 불규칙하게 되어 있지만, 이것은 사용한 은 나노와이어 분산액 중의 은 나노와이어 농도의 불규칙함을 반영하고 있다. 또한 광선 투과율은 약 80% 이상이며, 충분히 실용 수준에 있다.

(실시예 13)

<투명 도전 패턴의 제작>

상기 2질량% 은 나노와이어 분산액에 대하여 테르피네올(Nippon Terpene Chemicals, Inc. 제작)을 소량 첨가하고, 잘 분산시킨 후, 에탄올을 증류 제거하여 용매 치환을 행했다. 그 후 Terusolve MTPH(Nippon Terpene Chemicals, Inc. 제작, 이소보르닐시클로헥산올) 및 테르피네올을 최종적으로 분산매의 농도가 테르피네올/Terusolve MTPH=1/8(질량비)가 되도록 첨가하고, THINKY사 제작의 ARV-310을 사용하여 잘 분산시킨 분산액을 얻었다. 또한 최종적으로 얻어지는 분산액의 농도가 1질량%가 되도록 최초에 첨가하는 소량의 테르피네올의 양은 미리 계산해서 결정해 두었다.

상기 분산액을 사용하여 스크린 인쇄기 MT-320TVZ(Microtek Inc. 제작)에 의해 2.5㎝ 네모나게 베타 패턴을 인쇄했다. 또한 기재에는 125㎛ 두께의 PET 필름(TORAY INDUSTRIES, INC. 제작 Lumirror 이접착 그레이드)을 사용했다. 인쇄 후, 열풍 건조기에서 표 2에 나타낸 조건으로 단계적으로 건조시킨 결과 택 프리(tack free)의 인쇄 패턴이 얻어졌다.

이어서 건조 후의 패턴에 펄스 광을 조사했다. 펄스 광 조사는 실시예 1~12 와 마찬가지로 Nova Centrix사 제작 Pulse Forge 3300을 사용하여 600V-50μsec로 단발 조사했다. 표면 저항치를 측정한 결과 저항치는 7.86Ω/□이었다.

<투명 도전 패턴의 표면 저항치, 광선 투과율 및 헤이즈의 측정>

실시예 1~12와 마찬가지로 Mitsubishi Chemical Corporation 제작 LORESTA-GP MCP-T6104 탐침법 표면 저항률, 체적 저항률 측정 장치를 사용해서 펄스 광을 조사하기 전후의 은 나노 입자 인쇄 패턴의 표면 저항치 및 광선 투과율을 측정했다. 펄스 광 조사 전에서는 저항치를 측정할 수 있을 정도로 저항은 떨어지지 않았다(표 2에서는 OL로 표기). 실시예 1~6과 마찬가지로 나노와이어가 1질량%임에도 불구하고 저항치를 측정할 수 없었던 것은 분산액의 조제에 사용한 고비점 용매가 건조 후도 도막에 잔존하고 있기 때문으로 추정된다. 한편, 펄스 광 조사 후는 7.86Ω/□이었다.

또한 표 2에 나타내는 광선 투과율의 측정에는 NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD 제작 탁도계 NDH 2000을 사용했다.

(실시예 14~16)

실시예 13에서 사용한 분산액 중에 표 2에 기재된 농도가 되도록 폴리비닐피롤리돈 K-90(NIPPON SHOKUBAI CO., LTD. 제작)을 첨가한 분산액을 조제하여 사용한 것 이외는 실시예 13과 마찬가지로 투명 도전 패턴을 제작하여 표면 저항치 및 광선 투과율을 측정했다. 결과를 표 2에 정리해서 나타냈다. 분산액 중에 바인더 수지를 첨가한 경우이어도 펄스 광 조사에 의해 도통(導通)이 취해지는 것을 확인할 수 있었다.

(실시예 17~20)

은 나노와이어로서 상기 합성품을 사용하는 대신에 시판품(bluenano사 제작 SLV-NW-35(이소프로판올 분산 상태, 은 나노와이어의 지름 35㎚, 길이 약 15㎛(카달로그 값))을 표 2에 기재된 농도가 되도록 첨가, 조제한 분산액을 사용한 것 이외는 실시예 13과 마찬가지로 투명 도전 패턴을 제작하여 표면 저항치 및 광선 투과율을 측정했다. 결과를 표 2에 정리해서 나타냈다. 은 나노와이어 농도가 동일 (1질량%)하며 바인더 수지를 첨가하고 있지 않은 실시예 13과 실시예 17은 표면 저항치, 광선 투과율과도 동일한 수준이었다. 은 나노와이어 농도의 감소에 따른 표면 저항치는 서서히 커지고, 광선 투과율은 서서히 커지는 경향이 확인되었다.

Claims (11)

1. 기판 상에 퇴적된 금속 나노와이어에 펄스 폭이 20마이크로초~50밀리초인 펄스 광을 조사해서 상기 금속 나노와이어의 교점을 접합하는 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 펄스 광을 복수회 조사하는 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 금속 나노와이어는 은 나노와이어인 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 은 나노와이어의 직경은 10~300㎚, 길이는 3~500㎛인 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
5. 제 3 항에 있어서,
   상기 은 나노와이어의 직경은 100㎚ 이하, 길이는 10㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 기판 상에의 금속 나노와이어의 퇴적은 기판 상에 금속 나노와이어를 분산시킨 분산액을 도포, 건조하는 공정에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
7. 제 6 항에 있어서,
   상기 분산액은 바인더 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 바인더 수지는 폴리-N-비닐 화합물인 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 폴리-N-비닐 화합물은 폴리-N-비닐피롤리돈 또는 폴리-N-비닐카프로락탐인 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 재료는 폴리에스테르 수지, 셀룰로오스 수지, 비닐알코올 수지, 염화 비닐 수지, 시클로올레핀계 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, ABS 수지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.
11. 제 4 항에 있어서,
    상기 은 나노와이어의 직경은 10∼100㎚, 길이는 10∼500㎛인 것을 특징으로 하는 투명 도전 패턴의 제조 방법.

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