KR101504038B1 - 투명 도전성 필름 - Google Patents

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Abstract

(과제) 결정성이 우수하고, 비저항이 작은 투명 도전성 필름을 제공한다.
(해결 수단) 본 발명의 투명 도전성 필름 (1) 은, 필름 기재 (2) 와, 그 필름 기재 상에 형성된 인듐주석 산화물의 다결정층 (3) 을 구비하고 있다. 다결정층 (3) 은, 두께 방향에 산화주석의 농도 구배를 갖고, 다결정층 (3) 의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6 중량％ ∼ 12 중량％ 이다. 또, 다결정층 (3) 의 총 두께는 10 ㎚ ∼ 35 ㎚ 이고, 다결정층 (3) 을 구성하는 결정립의 최대 직경의 평균값은 380 ㎚ ∼ 730 ㎚ 이다.

Description

투명 도전성 필름{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}
본 발명은 손가락이나 스타일러스펜 등의 접촉에 의해 정보를 입력하는 것이 가능한 입력 표시 장치 등에 적용되는 투명 도전성 필름에 관한 것이다.
종래, 인듐주석 산화물의 다결정층을 갖고, 비저항이 9.2×10-4 Ω·㎝ 정도인 투명 도전성 필름이 알려져 있다 (특허문헌 1). 이 투명 도전성 필름에 의하면, 펜 슬라이딩에 대한 내구성이 양호해져, 펜 입력용 터치 패널에 대한 용도가 기대된다.
일본 공개특허공보 2010-080290호
최근, 정전 용량식 터치 패널의 대형화에 수반하여, 대형의 정전 용량식 터치 패널에 적용되는 투명 도전성 필름의 비저항을 보다 작게 하는 것이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은, 결정성이 우수하고, 비저항이 작은 투명 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 투명 도전성 필름은, 필름 기재와, 그 필름 기재 상에 형성된 인듐주석 산화물의 다결정층을 갖는 투명 도전성 필름으로서, 상기 다결정층은, 두께 방향에 산화주석의 농도 구배를 갖고, 상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6 중량％ ∼ 12 중량％ 이고, 상기 다결정층의 두께는 10 ㎚ ∼ 35 ㎚ 이고, 상기 다결정층을 구성하는 결정립의 최대값의 평균값은 380 ㎚ ∼ 730 ㎚ 인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6 중량％ ∼ 11 중량％ 이다.
또 바람직하게는, 상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최소값은 1 중량％ ∼ 4 중량％ 이다.
또, 상기 다결정층의 산화주석 농도는, 두께 방향에 있어서 상기 다결정층의 중앙부에서 크고, 그 양단에서 작은 것이 바람직하다.
상기 다결정층에 있어서, 상기 필름 기재에 가까운 측의 산화주석 농도는, 상기 필름 기재에 먼 측의 산화주석 농도보다 큰 것이 바람직하다.
더욱 바람직하게는, 상기 투명 도전성 필름의 비저항은 2.0×10-4 Ω·㎝ ∼ 3.0×10-4 Ω·㎝ 이다.
본 발명에 의하면, 다결정층이, 평면 방향으로 넓어진 평판상의 정벽 (晶癖) 을 갖는 결정립에 의해 형성되어 있고, 결정의 연속성이 양호하기 때문에, 투명 도전성 필름의 비저항이 작아진다. 또, 다결정 중에 산화주석을 비교적 많이 함유하고 있어도, 다결정층의 두께 방향에 산화주석의 농도 구배가 존재함으로써, 산화주석 농도가 작은 영역이, 산화주석 농도가 큰 영역의 결정화를 촉진하기 때문에, 결정성이 양호해진다. 따라서, 결정성이 우수하고, 비저항이 작은 투명 도전성 필름을 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 관련된 투명 도전성 필름의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는 다결정층에 있어서의 산화주석의 농도 구배의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 3 은 다결정층에 있어서의 산화주석의 농도 구배의 다른 일례를 나타내는 그래프이다.
도 4 는 도 1 에 있어서의 다결정층 표면의 투과형 전자 현미경 사진이다.
도 5 는 도 4 의 투과형 전자 현미경 사진의 이치화 이미지를 나타내는 도면이다.
도 6 은 다결정층 표면에 있어서의 결정립의 면적 분포를 나타내는 그래프이다.
도 7 은 다결정층 표면에 있어서의 결정립의 최대 직경 분포를 나타내는 그래프이다.
도 8 은 다결정층 표면에 있어서의 결정립의 원상당 직경 분포를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 투명 도전성 필름의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1 에 있어서의 각 구성의 두께는, 그 일례를 나타내는 것이고, 본 발명의 필름 센서에 있어서의 각 구성의 두께는, 도 1 의 것에 한정되지 않는 것으로 한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 투명 도전성 필름 (1) 은, 필름 기재 (2) 와, 그 필름 기재 상에 형성된 인듐주석 산화물의 다결정층 (3) 을 구비하고 있다. 다결정층 (3) 은, 두께 방향에 산화주석의 농도 구배를 갖고, 다결정층 (3) 의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6 중량％ ∼ 12 중량％ 이다. 또, 다결정층 (3) 의 총 두께는 10 ㎚ ∼ 35 ㎚ 이고, 다결정층 (3) 을 구성하는 결정립의 최대 직경의 평균값은 380 ㎚ ∼ 730 ㎚ 이다.
상기와 같이 구성되는 투명 도전성 필름 (1) 에서는, 평면 방향으로 넓어진 평판상의 정벽을 갖는 결정립에 의해 다결정층 (3) 이 형성되어 있고, 결정의 연속성이 양호하기 때문에, 비저항이 작다. 또, 다결정 중에 산화주석을 비교적 많이 (6 중량％ ∼ 12 중량％) 함유하고 있어도, 두께 방향에 산화주석의 농도 구배를 가짐으로써, 결정성이 양호하다.
투명 도전성 필름 (1) 의 비저항은, 2.0×10-4 Ω·㎝ ∼ 3.0×10-4 Ω·㎝ 이고, 바람직하게는 2.2×10-4 Ω·㎝ ∼ 2.8×10-4 Ω·㎝ 이다.
다음으로, 투명 도전성 필름 (1) 의 각 구성 요소의 상세를 이하에 설명한다.
(1) 필름 기재
본 발명에 사용되는 필름 기재는, 투명성이나 내열성이 우수한 것이 바람직하다. 상기 필름 기재를 형성하는 재료는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate), 폴리시클로올레핀 (polycycloolefin) 또는 폴리카보네이트 (polycarbonate) 이다. 상기 필름 기재는, 그 표면에 접착 용이층이나 하드 코트층을 구비하고 있어도 된다. 상기 필름 기재의 두께는, 예를 들어 20 ㎛ ∼ 200 ㎛ 이다.
(2) 인듐주석 산화물의 다결정층
본 발명에 사용되는 인듐주석 산화물 (indium tin oxide) 은, 산화인듐 (In2O3) 에 산화주석 (SnO2) 이 도프된 화합물이다. 산화인듐에 산화주석을 첨가하면, 3 가의 인듐의 격자의 일부에 4 가의 주석이 치환되고, 그 때에 잉여 전자가 생성되기 때문에, 전기 전도성이 발현된다.
본 발명에 있어서, 인듐주석 산화물의 다결정층은, 두께 방향에 산화주석의 농도 구배를 갖는다. 상기 농도 구배를 갖는 제 1 구성에서는, 산화주석 농도가, 두께 방향 (깊이 방향) 에 있어서 다결정층의 중앙부에서 크고, 그 양단부 (필름 기재측과 외표면측) 에서 작다 (도 2). 또, 상기 농도 구배를 갖는 제 2 구성에서는, 필름 기재에 가까운 측 (필름 기재와 접하는 측) 의 산화주석 농도가, 필름 기재에 먼 측 (외표면측) 의 산화주석 농도보다 크다 (도 3). 바꾸어 말하면, 상기 다결정층의 산화주석 농도는, 당해 다결정층의 필름 기재에 접하는 일방의 면으로부터, 타방의 면을 향하여 감소하고 있다.
이와 같은 구성에서는, 다결정층 중에 산화주석을 비교적 많이 함유하고 있어도, 결정성이 양호하고, 결정립이 크게 성장하기 때문에, 비저항이 작아진다. 또한, 상기 제 1 구성에서는, 150 ℃ 에서 60 분 정도의 단시간에 결정화된다는 효과가 있고, 또 상기 제 2 구성에서는, 비저항이 보다 더 작아진다는 효과가 있다.
상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은, 6 중량％ ∼ 12 중량％ 이고, 바람직하게는 6 중량％ ∼ 11 중량％ 이다. 상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최소값은, 바람직하게는 1 중량％ ∼ 4 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 1.5 중량％ ∼ 3.5 중량％ 이다. 이와 같은 구성에서는, 산화주석 농도가 작은 영역이, 산화주석 농도가 큰 영역의 결정화를 촉진하므로, 결정성이 양호하다. 또한, 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도는, X 선 광전자 분광법 (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis ; ESCA) 의 깊이 분석에 의해 구할 수 있다.
상기 인듐주석 산화물은, 예를 들어, 열에너지를 부여함으로써 결정화되고, 다결정층을 형성한다. 상기 다결정층의 두께는 10 ㎚ ∼ 35 ㎚ 이고, 바람직하게는 15 ㎚ ∼ 30 ㎚ 이다.
상기 다결정층을 구성하는 결정립 (grain) 의 최대 직경의 평균값 (간단히 결정 입경이라고도 한다) 은, 상기 서술한 바와 같이 380 ㎚ ∼ 730 ㎚ 이고, 바람직하게는 430 ㎚ ∼ 660 ㎚ 이다. 상기 결정립의 최대 직경은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 투과형 전자 현미경 (TEM) 에 의해 다결정층의 표면을 관찰함으로써 구할 수 있다.
상기 다결정층의 결정화도는, 바람직하게는 95 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 98 ％ 이상이다. 이와 같은 결정화도의 다결정층은, 비저항의 안정성이나 내약품성이 우수하다. 또한, 상기 결정화도는, 투과형 전자 현미경 (TEM) 으로 촬영한 다결정층의 사진의 이치화 이미지 (도 5) 를 사용하여, 결정 영역과 비정 영역의 면적비로부터 산출할 수 있다.
본 발명의 상기 제 1 구성에 있어서의 다결정층에 있어서의 결정립은, 예를 들어 도 6 ∼ 도 8 에 나타내는 바와 같은 분포가 된다. 도 6 은 다결정층 표면에 있어서의 그레인의 면적 분포를 나타내는 그래프, 도 7 은 다결정층 표면에 있어서의 그레인의 최대 직경 분포를 나타내는 그래프, 도 8 은 다결정층 표면에 있어서의 그레인의 원상당 직경 분포를 나타내는 그래프이다. 이 예에서는, 그레인 면적의 평균값은 104527.6 ㎚2 (최대값 : 413204.4 ㎚2), 그레인 최대 직경의 평균값은 479.1 ㎚ (최대값 : 980.9 ㎚), 그레인의 원상당 직경의 평균값은 337.4 ㎚ (최대값 : 725.3 ㎚) 로 되어 있다. 이 점으로부터, 본 발명에 있어서의 다결정층 표면의 인듐주석 산화물이 양호하게 결정화되어 있는 것을 알 수 있다.
다음으로, 상기와 같이 구성되는 투명 도전성 필름의 제조 방법을 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 제조 방법은 예시이며, 본 발명에 관련된 투명 도전성 필름의 제조 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다.
먼저, 필름 기재를 스퍼터 장치 내의 소정 위치에 설치하고, 마그네트론 스퍼터링법 (magnetron sputtering technique) 에 의해, 스퍼터링의 방전 공간에 높은 수평 방향 자장을 인가하면서, 상기 필름 기재 상에 인듐주석 산화물의 비정질층을 성막하고, 그 후, 인듐주석 산화물의 비정질이 형성된 필름 기재를 대기 중에서 가열 처리하여, 상기 비정질층을 결정질로 전화하는 방법을 들 수 있다.
인듐주석 산화물의 두께 방향에 있어서의 산화주석의 농도 구배는, 산화주석 농도가 상이한 복수의 인듐주석 산화물의 타깃 (target) 재를 스퍼터 장치에 배치함으로써 얻을 수 있다.
상기 인듐주석 산화물의 다결정의 결정 입경은, 이하의 조정에 의해 크게 할 수 있다. 즉, 인듐주석 산화물의 비정질층을 성막할 때에, 필름 기재 및 비정질층에 대한 손상이 적어지도록 스퍼터링 조건을 조정한다. 필름 기재 및 비정질층에 대한 손상이 적으면, 결정 성장의 기점이 되는 결정핵의 양이 적어진다. 결정 성장의 기점이 성기게 되면, 가열 처리에 의해 결정화할 때에, 이웃하는 결정이 서로 충돌할 때까지 크게 성장할 수 있다. 또, 성막한 인듐주석 산화물층의 두께가 얇은 (10 ㎚ ∼ 35 ㎚) 경우, 평면 방향으로 넓어진 평면상의 정벽을 갖는 결정립에 의해 다결정층이 형성되기 때문에, 결정립이 커지고, 또한 결정의 연속성이 양호해진다.
상기 마그네트론 스퍼터링법에 있어서는, 타깃재 상의 수평 방향 자장을 크게 함으로써, 스퍼터링시의 방전에 의한 인듐주석 산화물층에 대한 손상을 저감할 수 있다. 상기 수평 방향 자장은, 바람직하게는 80 mT (밀리테슬러) 이상이고, 더욱 바람직하게는 100 mT ∼ 200 mT 이다.
본 발명의 투명 도전성 필름은 결정성이 우수하기 때문에, 상기 가열 처리의 조건은 저온·단시간이면 되고, 가열 온도는, 바람직하게는 140 ℃ ∼ 170 ℃ 이고, 가열 시간은, 바람직하게는 30 분 ∼ 60 분이다.
상기 서술한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 다결정층 (3) 이, 평면 방향으로 넓어진 평판상의 정벽을 갖는 결정립에 의해 형성되어 있고, 결정의 연속성이 양호하기 때문에, 투명 도전성 필름 (1) 의 비저항이 작아진다. 또, 다결정 중에 산화주석을 비교적 많이 함유하고 있어도, 다결정층 (3) 의 두께 방향에 산화주석의 농도 구배가 존재함으로써, 산화주석 농도가 작은 영역이 산화주석 농도가 큰 영역의 결정화를 촉진하기 때문에, 결정성이 양호해진다. 따라서, 결정성이 우수하고, 비저항이 현격히 작은 투명 도전성 필름을 제공할 수 있다.
이상, 본 실시형태에 관련된 투명 도전성 필름에 대하여 서술하였지만, 본 발명은 기술한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 기술 사상에 기초하여 각종 변형 및 변경이 가능하다.
이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.
실시예
(실시예 1)
두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 표면에, 메틸화멜라민 수지 (DIC corporation 제조 상품명 「Super Beckamine」) 로 이루어지는 두께 30 ㎚ 의 접착 용이층을 형성하고, 필름 기재를 준비하였다.
다음으로, 스퍼터 장치 내에, 인듐주석 산화물의 산화주석 농도가 3 중량％, 10 중량％, 3 중량％ 인 3 종류의 타깃재를 이 순서로 배치하고, 상기 필름 기재의 접착 용이층의 표면에, 수평 방향 자장을 120 mT 로 하는 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 총 두께 25 ㎚ 의 인듐주석 산화물의 비정질층을 형성하였다.
계속해서, 인듐주석 산화물의 비정질층이 형성된 필름 기재를 스퍼터 장치로부터 꺼내고, 150 ℃ 의 가열 오븐 내에서 60 분간 가열 처리하였다. 그 결과, 필름 기재에 형성된 인듐주석 비정질층은, 완전히 다결정층으로 전화되었다.
(실시예 2)
스퍼터 장치 내에 배치한 타깃재를, 인듐주석 산화물의 산화주석 농도가 10 중량％ 와 3 중량％ 의 2 종류로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다.
(비교예 1)
실시예 1 의 마그네트론 스퍼터링법에 있어서 수평 방향 자장을 30 mT 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다. 이와 같이 하여 얻어진 비교예의 투명 도전성 필름의 특성을 표 1 에 나타낸다.
(비교예 2)
실시예 2 의 마그네트론 스퍼터링법에 있어서, 수평 방향 자장을 30 mT 로 한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제작하였다. 이와 같이 하여 얻어진 비교예의 투명 도전성 필름의 특성을 표 1 에 나타낸다.
다음으로, 상기와 같이 제작한 실시예 1 ∼ 2 및 비교예 1 ∼ 2 의 투명 도전성 필름을, 하기의 방법으로 측정·평가하였다.
(1) 수평 방향 자장
테슬러미터 (카네테크 제조 TM-701) 를 사용하여, JIS C2501 에 준하여 타깃재의 수평 방향 자장을 측정하였다.
(2) 다결정층의 두께
다결정층의 두께는, 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소 제조 H-7650) 에 의해 단면 관찰하여 측정하였다. 필름 기재의 두께는, 막두께계 (오자키 제작소 제조 「Peacock (등록상표)」 디지털 다이얼 게이지 DG-205) 를 사용하여 측정하였다.
(3) 비저항
JIS K7194 에 준하여, 4 단자법을 사용하여 표면 저항값을 측정하고, 이것에 막두께 (㎝ 환산) 를 곱한 값을 비저항으로 하였다.
(4) 결정립의 최대 직경의 평균값
결정질층을 초마이크로톰으로 절삭하고, 충분한 수의 결정립을 관찰할 수 있도록 직접 배율을 설정하고 (실시예에서는 3000 배, 비교예에서는 6000 배), 투과형 전자 현미경 (히타치 제작소 제조 H-7650) 을 사용하여 사진 촬영을 실시하였다. 그 사진을 화상 해석 처리하고, 개개의 결정립계의 형상에 있어서 가장 긴 직경을 최대 직경 (㎚) 으로서 산출하여, 그 평균값을 구하였다.
(5) X 선 광전자 분광법에 의한 깊이 분석
가로세로 5 ㎜ 의 시료편을 준비하고, X 선 광전자 분광법 (ULVAC-PHI 제조 Quantum2000) 을 사용하여 와이드 스캔 (wide scan) 을 측정하고, 정성 분석을 실시하였다. 그 후, 검출된 원소 및 N 에 대하여, Ar 이온 스퍼터에 의한 깊이 방향 분석을 실시하고, 산화주석의 함유량을 산출하였다.
상기 (1) ∼ (5) 의 방법에 의해, 실시예 1 ∼ 2 및 비교예 1 ∼ 2 의 투명 도전성 필름을 측정·평가한 결과를 표 1 에 나타낸다. 또, 실시예 1, 2 의 투명 도전성 필름에 대하여 X 선 광전자 분광법으로 깊이 분석을 실시한 결과는, 각각 도 2, 도 3 에 나타내는 바와 같다.
Figure 112013101535700-pat00001
표 1 의 실시예 1 에 나타내는 바와 같이, 결정립의 최대 직경의 평균값이 480 ㎚ 인 경우, 투명 도전성 필름의 비저항이 2.7×10-4 Ω·㎝ 로 작아졌다. 또, 상기 다결정층의 외표면 (필름 기재에 접하는 면과는 반대측면) 을 깊이 0 (㎚) 으로 했을 때, 상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6.6 중량％ (깊이 : 약 10 ㎚) 이고, 최소값은 2.2 중량％ (깊이 : 약 3.0 ㎚) 였다.
또, 실시예 2 에 나타내는 바와 같이, 결정립의 최대 직경의 평균값이 606 ㎚ 인 경우, 투명 도전성 필름의 비저항이 2.3×10-4 Ω·㎝ 로 작아졌다. 또, 상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6.6 중량％ (깊이 : 약 11 ㎚) 이고, 최소값은 3.3 중량％ (깊이 : 약 2.0 ㎚) 였다.
한편, 비교예 1 에 나타내는 바와 같이, 결정립의 최대 직경의 평균값이 250 ㎚ 인 경우, 투명 도전성 필름의 비저항의 값이 3.8×10-4 Ω·㎝ 로 실시예 1 ∼ 2 의 경우와 비교하여 커졌다.
또, 비교예 2 에 나타내는 바와 같이, 결정립의 최대 직경의 평균값이 230 ㎚ 인 경우, 투명 도전성 필름의 비저항의 값이 3.3×10-4 Ω·㎝ 로 실시예 1 ∼ 2 의 경우와 비교하여 커졌다.
따라서, 마그네트론 스퍼터링법에 있어서의 수평 방향 자장을 120 mT 로 하고, 산화주석의 농도 구배를 갖는 총 두께 25 ㎚ 의 인듐주석 산화물의 비정질층을 형성하면, 결정립의 최대 직경의 평균값이 480 ㎚ ∼ 606 ㎚, 비저항의 값이 2.3×10-4 Ω·㎝ ∼ 2.7×10-4 Ω·㎝ 가 되어, 비저항이 보다 작은 투명 도전성 필름을 제작할 수 있는 것을 알았다.
본 발명에 관련된 투명 도전성 필름의 용도는 특별히 제한은 없고, 바람직하게는 스마트폰이나 태블릿 단말 (Slate PC 라고도 한다) 등의 휴대 단말에 사용되는 정전 용량 방식 터치 패널이다.
1 : 투명 도전성 필름
2 : 필름 기재
3 : 다결정층

Claims (6)

  1. 필름 기재와, 그 필름 기재 상에 형성된 인듐주석 산화물의 다결정층을 갖는 투명 도전성 필름으로서,
    상기 다결정층은, 두께 방향에 산화주석의 농도 구배를 갖고,
    상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6 중량％ ∼ 12 중량％ 이고,
    상기 다결정층의 두께는 10 ㎚ ∼ 35 ㎚ 이고,
    상기 다결정층을 구성하는 결정립의 최대값의 평균값은 380 ㎚ ∼ 730 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최대값은 6 중량％ ∼ 11 중량％ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다결정층의 두께 방향에 있어서의 산화주석 농도의 최소값은 1 중량％ ∼ 4 중량％ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다결정층의 산화주석 농도는, 두께 방향에 있어서 상기 다결정층의 중앙부에서 크고, 그 양단부에서 작은 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다결정층에 있어서, 상기 필름 기재에 가까운 측의 산화주석 농도는, 상기 필름 기재에 먼 측의 산화주석 농도보다 큰 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 도전성 필름의 비저항이 2.0×10-4 Ω·㎝ ∼ 3.0×10-4 Ω·㎝ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
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