KR101494469B1 - 반도체 기판을 균일하게 에칭하기 위한 가스 주입 - Google Patents
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Abstract
유도 결합형 플라즈마 에칭 챔버에서 기판 지지체 상에 반도체 기판을 지지하는 단계; 반도체 기판 상의 중심 영역으로 제 1 에칭 가스를 공급하는 단계; 적어도 한가지의 실리콘 함유 가스를 포함하는 제 2 가스를 중심 영역을 둘러싼 반도체 기판 상의 주변 영역으로 공급하는 단계로서, 제 2 가스의 실리콘의 농도가 제 1 에칭 가스의 실리콘의 농도보다 큰, 제 2 가스 공급 단계; 제 1 에칭 가스 및 제 2 가스로부터 챔버로 유도 결합형 무선 주파수 에너지에 의해 플라즈마를 생성하는 단계; 및 반도체 기판의 노출 표면을 플라즈마 에칭하는 단계를 포함하는, 임계 치수 불균일성이 개선된 반도체 기판을 에칭하는 방법이 개시된다.
임계 치수 균일성, 유도 결합형 플라즈마 에칭 챔버, 에칭 가스
Description
임계 치수 균일성 개선을 위한 에지 가스 주입
요약
개선된 임계 치수 균일성을 갖는, 반도체 기판을 에칭하는 방법이 제공된다. 이 방법은 플라즈마 에칭 챔버에서 기판 지지체 상에 반도체 기판을 지지하는 단계; 반도체 기판 상의 중심 영역으로 제 1 에칭 가스를 공급하는 단계; 중심 영역을 둘러싼 반도체 기판 상의 주변 영역으로 적어도 한가지의 실리콘 함유 가스를 포함하는 제 2 가스를 공급하는 단계로서, 제 2 가스의 실리콘의 농도가 제 1 에칭 가스의 실리콘의 농도보다 큰, 제 2 가스를 공급하는 단계; 제 1 에칭 가스 및 제 2 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계; 및 반도체 기판의 노출 표면을 플라즈마 에칭하는 단계를 포함한다.
도면의 간단한 설명
도 1a 및 도 1b는 2 존 주입기(two-zone injector)의 세부 사항을 도시한다.
도 2는 에지 가스 주입에 유용한 플라즈마 챔버의 실시 형태를 도시한다.
도 3은 플라즈마 에칭 챔버 내의 SiClx의 레디얼 농도 프로파일을 도시하는 개략도로서, 반도체 기판 상의 실리콘 층은 Cl2로부터 형성된 플라즈마로 에칭된다.
도 4는 플라즈마 에칭 챔버 내의 SiClx의 레디얼 농도 프로파일을 도시하는 개략도로서, 반도체 기판 상의 실리콘 층은 Cl2로부터 형성된 플라즈마로 에칭되고 반도체 기판 상의 주변 영역으로 실리콘 함유 가스가 공급된다.
바람직한 실시 형태들의 상세한 설명
집적 회로와 같은 반도체 기반 제품들의 제조 동안, 에칭 및/또는 퇴적 단계들은 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 재료의 층들을 축적하거나 제거하는데 사용될 수도 있다. 종래의 에칭 절차는 재료의 층에 플라즈마 에칭을 실시하기 위해 플라즈마 상태로 에너지가 공급되는 하나 이상의 에칭 가스들을 사용하는 것을 수반한다. 에칭될 피처들은, 예를 들어, 개구들, 비아들, 및 게이트 구조들을 포함한다.
많은 플라즈마 에칭 애플리케이션들은 원하는 피처 프로파일을 얻기 위해 패시베이션 층의 생성에 의존한다. 프로파일 제어의 주요 메커니즘은 에칭 및 퇴적 반응들의 밸런스를 포함한다. 일반적으로, 에칭 반응들은 입력 전력, 압력, 및 가스 흐름들과 같은 반응 챔버 파라미터들에 의해 직접적으로 제어된다. 실리콘 웨이퍼들의 플라즈마 에칭 시, 에칭 반응 생성물들이 주된 퇴적 소스로 되어, 퇴적 메커니즘이 간접적으로 제어된다.
임계 치수 (CD) 는, 지정된 기술을 이용한 반도체 장치/회로 제조 동안 형성될 수 있는 최소 기하적 피처 (예를 들어, 상호 접속 라인, 콘택들, 트랜치들 등의 폭) 의 치수이다. 웨이퍼의 중앙에서 피처들의 임계 치수가 웨이퍼의 에지에 더 가까운 피처들의 임계 치수와 동일할 때 임계 치수 균일성이 제공된다. 임계 치수 균일성은, 웨이퍼 중심 근처에 에칭된 피처들이 웨이퍼 에지에 더 가깝게 에칭된 동등한 피처들과 실질적으로 균일하게 되는 거의 완벽한 정도가 매우 바람직한데, 그렇지 않으면 제조될 집적 회로가 원하는 것 이상으로 벗어나는 전자 특성을 가질 것이다. 웨이퍼 직경의 사이즈가 각각 증가하므로, 점점 더 커지는 웨이퍼들에 걸쳐서 형성된 집적 회로들의 균일성을 확보하는 문제는 더욱 곤란해진다.
다양한 에칭 가스 화학 물질들이 에칭 응용들에서 사용된다. 예를 들어, HBr-O2 에칭 가스 화학 물질들을 이용할 때, 패시베이션 층은 주로 SixBryOz로 이루어진다. Cl2-O2 에칭 가스 화학 물질들에 있어서, 패시베이션 층은 주로 SixClyOz로 이루어진다. 패시베이션 층의 다른 성분은 N, C, H, 및 F를 포함할 수 있다. 더욱이, 석영 성분과 같은 챔버 재료들 및/또는 실리콘 웨이퍼들의 에칭 결과, 휘발성 실리콘 에칭 부산물이 패시베이션 층에 포함된다.
실리콘 웨이퍼들 및/또는 챔버 재료들과 같은 실리콘 소스의 에칭으로 인해 실리콘이 패시베이션 층들에 포함될 수 있다. 이러한 실리콘 소스들은 에칭 가스 화학 작용에 의해 직접적으로 제어되지 않는 2차 생성물이다. 더욱이, 휘발성 실리콘 에칭 부산물들이 웨이퍼 표면으로부터 진공 배기 포트를 향해 이송됨에 따라서, 웨이퍼 표면 상에 실리콘 함유 부산물들이 퇴적할 가능성은 한정된다. 또한, 휘발성 실리콘 에칭 부산물이 플라즈마 영역 내에서 반응제로 해리될 수도 있는데, 웨이퍼 표면 상에 실리콘 함유 부산물들이 퇴적할 가능성이 더욱 크다. 웨이퍼 표면 상의 실리콘 함유 부산물의 퇴적은 웨이퍼에 걸친 실리콘 부산물 농도가 불균일한 원인이 될 수 있고 에칭된 피처 임계 치수 불균일성의 원인이 될 수 있다.
개선된 임계 치수 균일성을 갖는 반도체 기판을 에칭하는 방법이 제공된다. 이 방법은 플라즈마 에칭 챔버 내에서 기판 지지체 위의 반도체 기판을 지지하는 단계; 제 1 에칭 가스를 반도체 기판 위의 중심 영역으로 공급하는 단계; 중심 영역을 둘러싼 반도체 기판 위의 주변 영역으로 적어도 한가지의 실리콘 함유 가스를 포함하는 제 2 가스를 공급하는 단계로서, 제 2 가스의 실리콘의 농도는 제 1 에칭 가스의 실리콘의 농도보다 큰, 상기 제 2 가스를 공급하는 단계; 제 1 에칭 가스 및 제 2 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계; 및 반도체 기판의 노출 표면을 플라즈마 에칭하는 단계를 포함한다. 반도체 기판의 중심 근처의 에칭 피처들이 반도체 기판의 에지에 더 가까운 동등한 에칭 피처들과 실질적으로 균일한 것이 바람직하다.
예시적인 실리콘 함유 가스들은, 예를 들어, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH3Cl, SiH4, Si2H6, SiH3CH3, SiH(CH3)3, SiF4, SiBr4, 테트라에틸 오소실리케이트 (TEOS), 또는 그 혼합물들을 포함한다. 적어도 한가지의 실리콘 함유 가스를 포함하는 제 2 가스는 (1) 예를 들어, He, Ne, Ar, Kr, Xe와 같은 불활성 캐리어 가스, 또는 그 혼합물; (2) 예를 들어, Cl2, CxFy, HBr, CxFyHz, SF6, HCl과 같은 에천트 가스, 또는 예를 들어, SF6 및 CH2F2의 혼합물과 같은 그 혼합물; 및/또는 (3) 예를 들어, O2, N2와 같은 패시베이션 가스, 또는 그 혼합물을 더 포함할 수도 있다.
제 1 에칭 가스는 실리콘을 함유할 수도 있고 또는 함유하지 않을 수도 있다. 이 방법은 (1) 주위 영역으로 공급된 제 2 가스의 양; (2) 주위 영역으로 공급된 실리콘의 양; 및/또는 (3) 제 2 가스 내 실리콘의 농도 대 제 1 에칭 가스 내 실리콘의 농도의 비를 조정하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
반도체 기판의 노출 표면은 실리콘 니트리드, 실리콘 옥사이드, 또는 실리콘 옥시니트리드 마스크층과 같은 마스크 아래의 단결정 실리콘 웨이퍼의 일부일 수 있는 실리콘층을 포함할 수도 있다. 대안으로, 실리콘층은 단결정 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상의 에피택셜 층, 스트레인드 실리콘 층, 및 실리콘 게르마늄 층일 수 있다. 실리콘 층은 실리콘 웨이퍼 상의 다결정 실리콘의 층을 포함할 수도 있는데, 다결정 실리콘 층은 밑에 있는 게이트 옥사이드와, 실리콘 니트리드, 실리콘 옥사이드, 또는 실리콘 옥시니트리드 마스크 층과 같은 위에 있는 하드 또는 소프트 마스크층 또는 포토레지스트 사이에 있다. 대안으로, 개시된 에칭 방법은, 예를 들어, 다결정 실리콘 게이트들, 금속 게이트들, 높은 유전상수 (K), W 및 WSi 게이트들, 및 스페이서들의 에칭과 같은 부가적인 에칭 애플리케이션들에 적용가능하다.
예를 들어, 300 mm 웨이퍼에 있어서, 에칭된 피처들은 50nm 미만 (예를 들어, 45nm, 25nm, 18nm 등) 이고 1.5nm 3σ 이하의 불균일성을 갖는 것이 바람직하 다.
플라즈마는 유도 결합형 플라즈마 (ICP) 리액터로도 지칭되는 램 리써치 코포레이션에서 이용 가능한 트랜스포머 결합 플라즈마 (TCPTM) 리액터에서 생산된 고 밀도 플라즈마가 바람직하다.
현재 개시된 방법은 리액터의 벽 내의 아웃렛에 접속된 진공 펌프에 의해 원하는 진공압으로 유지된 유도 결합 플라즈마 리액터에서 실행되는 것이 바람직하다. 에칭 가스는 가스 공급으로부터 유전체 윈도우의 밑면 주위로 연장된 플리넘으로 가스를 공급함으로써 샤워헤드 또는 주입기 장치로 공급될 수 있다. RF 소스로부터, 리액터 맨위의 유전체 윈도우 외부의 하나 이상의 턴들을 갖는 평면 또는 곡면 코일과 같은 외부 RF 안테나로 RF 에너지를 공급함으로써 리액터내에 고밀도의 플라즈마가 생성될 수 있다. 플라즈마 생성 소스는 리액터 상단의 진공 밀폐 방식으로 착탈가능하게 장착된 모듈식 탑재 장치의 일부일 수 있다.
웨이퍼는, 리액터의 측벽으로부터 모듈식 탑재 장치에 의해 착탈가능하게 지지된 캔틸레버 척 장치와 같은 기판 지지체 상의 리액터 내에서 지지될 수 있다. 이러한 기판 지지체는, 리액터의 측벽 내 개구를 통해 그 조립체를 통과함으로써 전체 기판 지지체/지지체 암 조립체가 리액터에서 제거될 수 있도록, 캔틸레버 방식으로 장착된 지지체 암의 일 단에 있다. 기판 지지체는 정전척과 같은 척킹 장치를 포함할 수 있고 기판은 유전체 포커스 링에 의해 둘러싸일 수 있다. 척은 에칭 처리 동안 RF 바이어스를 기판에 인가하기 위해 RF 바이어싱 전극을 포함 할 수 있다. 가스 공급에 의해 공급된 에칭 가스는 윈도우와 하부 가스 분배 플레이트 사이의 채널들을 통해 흘러 가스 분배 플레이트 내 가스 아웃렛들을 통해 챔버의 내부로 들어갈 수 있다. 리액터는 또한, 가스 분배 플레이트로부터 연장된 가열된 라이너를 포함할 수 있다.
대안으로, 본원에 참고 문헌으로써 전체적으로 포함된 개시물로서, 통상적으로 지정된 미국 특허 공개 공보 제 2003/0070620 호 A1에 개시된 바와 같이 유전체 윈도우에 장착된 멀티 존 가스 주입기에 의해 에칭 가스가 공급될 수 있다. 도 1a 및 도 1b는, 기판 표면에 수직한 축 방향으로 처리 가스가 공급되는 중심 영역으로 처리 가스를 공급하는 온-축 주입 아웃렛 (124) 과 기판 표면에 수직하지 않은 각이 있는 방향으로 처리 가스가 공급되는 주변 영역으로 처리 가스를 공급하는 오프-축 주입 아웃렛 (126) 을 포함하는 멀티 존 가스 주입기들을 도시한다. 각 라인 내 가스 유량을 제어하기 위해서, 가변 흐름 제한 장치들 (136a, 136b) 과 같은 흐름 제어기들을 상이한 주입 존들에 공급하는 분리된 가스 라인들 각각에 위치시킬 수 있다. 유량 제한 장치들 (136a, 136b) 은 적절한 전자식 제어들에 의해 수동으로 설정되거나 자동으로 동작할 수 있다. 흐름 제한 장치들 (136a, 136b) 의 설정을 독립적으로 변경함으로써, 2개의 아웃렛들 (124, 126) 을 통해 유량들의 비를 변경할 수 있다. 대안적인 구현들은, 각각의 주입 존에 대하여 토탈 컨덕턴스가, 하나 이상의 미리 설정되고 동적으로 제어된 값들로 조정되는 것을 가능하게 하는, 다수의 아웃렛들 및 가변 흐름 제한 밸브들 및/또는 고정 제한기들 및 밸브들의 네트워크들을 포함한다.
도 1a에서, 중심 보어 (125) 의 연장으로서 중심 가스 주입 아웃렛 (124) 을 도시한다. 예를 들어, 보어 (125) 의 상단은, 본원에 전체적으로 참고로써 포함된 개시물인 미국 특허 제 6,052,176 호에 개시된 램프, 스펙트로미터, 광섬유, 및 렌즈 장치와 같은 모니터링 장치 (129) 와 통신하도록 준비된 윈도우 (127) 에 의해 시일링될 수 있다. 이러한 장치에서, 온-축 아웃렛 (124) 은 오프-축 아웃렛 (126) 보다 큰 직경을 갖는 것이 바람직하다. 도 1b에서, 온-축 아웃렛 (124) 은 보어 (125) 보다 더 작은 직경을 갖는다. 온-축 아웃렛 (124) 및 오프-축 아웃렛 (126) 의 상대 크기들은 원하는 가스 흐름 분배를 달성하도록 선택할 수 있다. 예를 들어, 오프-축 아웃렛 (126) 의 총 단면적은 온-축 아웃렛 (124) 의 총 단면적보다 작거나, 같거나, 또는 클 수 있다.
다양한 가스들의 유량은 플라즈마 리액터의 유형, 전력 셋팅, 리액터내의 진공 압력, 플라즈마 소스에 대한 해리 속도 등과 같은 인자들에 의존할 것이라는 것을 당업자는 이해한다.
리액터 압력은 리액터 내에서 플라즈마를 유지하는데 적합한 레벨에서 유지하는 것이 바람직하다. 일반적으로, 너무 낮은 리액터 압력은 플라즈마를 소멸시키는 결과를 가져올 수 있는 반면, 고밀도 에칭 리액터에서 매우 높은 리액터 압력은 에칭 중단 문제를 초래할 수 있다. 고밀도 플라즈마 리액터들에 있어서, 리액터는 100 mTorr 미만의 압력이 바람직하다. TCPTM 리액터에서 고밀도 플라즈마를 생성하는 일반적인 프로세스 방식들은 약 450 W 전력, 60 V RF 바이어스, 5 내지 70 mT의 압력, 및 50-1000 sccm의 가스 유량을 포함한다. 에칭할 반도체 기판에서의 플라즈마 한정으로 인해, 기판 표면에서의 진공 압력은 리액터를 위한 진공 압력 셋팅보다 높을 수도 있다.
에칭할 반도체 기판을 지지하는 기판 지지체는 기판 상의 임의의 포토레지스트의 연소와 바람직하지 않은 반응물 가스 라디칼들의 형성과 같은 유해한 부반응을 방지할만큼 충분히 기판을 냉각시키는 것이 바람직하다. 고밀도 플라즈마 리액터들에서, -10℃ 내지 +80℃의 기판 온도를 유지하는 것이 기판 지지체에서 유체를 순환시키는데 충분하다. 기판 지지체는, 기판의 처리 동안 그 기판으로 RF 바이어스를 공급하는 하부 전극과, 기판을 클램핑하기 위한 ESC를 포함한다. 예를 들어, 기판은 정전적으로 클래핑된 실리콘 웨이퍼를 포함할 수 있고 이 웨이퍼와 ESC의 상부 표면 사이에 원하는 압력으로 헬륨 (He) 을 공급함으로써 온도가 제어된다. 이 웨이퍼를 원하는 온도로 유지하기 위해서, 웨이퍼와 척 사이의 공간에 2 내지 30 Torr의 압력으로 He를 유지시킬 수 있다.
특정 가스 화학 물질은, 리액터의 상부에서의 유전체 윈도우를 통해, 예를 들어 유전체 윈도우 근처의 측벽을 통해, 척을 통해, 또는 기판 홀더의 외부 반경을 통해 가스를 주입함으로써, 기판의 주변에서 공급될 수도 있다. 특히, 에지 가스 주입에 유용한 플라즈마 챔버의 실시 형태를 도시하는 도 2를 참고하면, 주입기 (20) 에 의해 플라즈마 챔버의 측벽을 통해 특정 가스 화학 물질이 공급되어 스트림라인들 (21) 을 따라 흐르는 한편, 샤워헤드 노즐 (23) 에 의해 플라즈마 챔버의 천정을 통해 다른 가스 화학 물질들이 공급되어 스트림라인들 (24) 을 따라 흐 를 수도 있다. 기판의 주변에서 보다 많은 특정 가스 화학 물질을 공급하는 가스 주입 장치의 다양한 예들을 상술하였지만, 기판 중심보다 기판 주변에서 더 많은 실리콘 함유 가스를 공급할 수 있는 임의의 적절한 가스 공급 장치가 도 3및 도 4를 참고하여 설명된 에칭 프로세스에 사용될 수 있다.
도 3은 플라즈마 에칭 챔버 내의 SiClx의 레디얼 농도 프로파일을 도시하는 개략도로서, 반도체 기판 상의 실리콘 층은 Cl2로부터 형성된 플라즈마로 에칭된다. 에칭 반응 (310) 으로 인한 SiClx 농도는 반도체 기판 (320) 과 리액터 중심 (330) 위에서 피크이다. 반경이 증가함에 따라, SiClx 종들의 펌프아웃 (340) 과 챔버 벽 (350) 퇴적 반응으로의 SiClx 종들의 손실로 인해 SiClx 종들의 농도가 감소한다.
도 4는 플라즈마 에칭 챔버 내의 SiClx의 레디얼 농도 프로파일을 도시하는 개략도로서, 반도체 기판 상의 실리콘 층은 Cl2로부터 형성된 플라즈마로 에칭되고 플라즈마 에칭 챔버의 주변 영역으로 실리콘 함유 가스가 공급된다. 도 3과 유사하게, 에칭 반응들 (410) 로 인한 SiClx 농도는 반도체 기판 (420) 과 리액터 중심 (430) 위에서 피크이고 반경이 증가함에 따라, SiClx 종들의 펌프아웃 (440) 과 챔버 벽 (450) 퇴적 반응으로의 SiClx 종들의 손실로 인해 SiClx 종들의 농도가 감소한다. 그러나, 실리콘 함유 가스의 플라즈마 에칭 챔버 (460) 주위 영역으로의 공급으로 인한 SiClx 농도는 총 SiClx 농도 (470) 의 레디얼 변화를 감소시킨다.
이론에 구속되지 않기를 희망하면서, 총 SiClx 농도의 레디얼 변화의 감소는 반도체 기판으로의 패시베이팅 종들의 플럭스 균일성을 개선시켜, 에칭 프로세스의 레디얼 임계 치수 균일성을 개선시킨다고 생각한다. 보다 일반적으로, 실리콘을 함유한 패시베이팅 종들은 에칭된 피처들의 측벽들을 패시베이팅한다. 실리콘을 함유한 이 패시베이팅 종들은 플라즈마 에칭이 원인 (즉, 반도체 기판에서 온 것) 일 수도 있고/있거나 제 2 가스내의 실리콘 함유 가스일 수도 있다. 바람직하게는, 에칭 가스는, 예를 들어, 플라즈마가 Cl2로부터 형성되고, SiClx가 에칭된 피처들의 측벽들을 패시베이팅할 때와 같이, 염소를 함유한다.
다양한 실시 형태들이 설명되었지만, 당업자는 다양한 변경 및 수정들을 강구할 수도 있다는 것을 명확하게 이해할 것이다. 이러한 변경 및 수정들은 본원에 첨부된 청구 범위의 영역 및 범위 내라고 간주한다.
Claims (23)
- 반도체 기판 에칭 방법으로서,유도 결합형 플라즈마 에칭 챔버에서 기판 지지체 상에서 반도체 기판을 지지하는 단계;상기 반도체 기판 위의 중심 영역으로 실리콘 함유 가스를 포함하는 제 1 에칭 가스를 공급하는 단계;상기 중심 영역을 둘러싼 상기 반도체 기판 위의 주변 영역으로 적어도 한가지의 실리콘 함유 가스를 포함하는 제 2 가스를 공급하는 단계로서, 상기 제 2 가스의 실리콘의 농도는 상기 제 1 에칭 가스의 실리콘의 농도보다 큰, 상기 제 2 가스를 공급하는 단계;상기 제 2 가스의 실리콘 양과 관련하여 상기 제 1 에칭 가스의 실리콘 양을 조정하는 단계;상기 유도 결합형 플라즈마 에칭 챔버로 유도 결합형 무선 주파수 에너지에 의해 상기 제 1 에칭 가스 및 제 2 가스로부터 플라즈마를 생성하는 단계; 및상기 반도체 기판의 노출 표면을 플라즈마 에칭하는 단계를 포함하고,상기 반도체 기판의 상기 노출 표면은 실리콘 층을 포함하고,실리콘을 포함하는 적어도 하나의 패시베이팅 종들이 상기 반도체 기판 안으로 에칭된 피처들의 측벽들을 패시베이팅하고,상기 제 1 에칭 가스는 염소를 포함하고, 실리콘을 포함하는 상기 패시베이팅 종들은 x가 1, 2, 3 또는 4인 SiClx를 포함하고,상기 제 2 가스는 (i) SiCl4, (ii) CxFy 또는 CxFyHz 및 (iii) 불활성 가스의 혼합물을 포함하는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판의 노출 표면에서 적어도 하나의 개구, 비아, 트렌치, 및 게이트 구조로 구성된 그룹에서 선택된 피처를 플라즈마 에칭하는 단계를 포함하는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,실리콘을 포함하는 상기 패시베이팅 종들은 상기 플라즈마 에칭 및 상기 제 2 가스에서 발생하는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,실리콘을 포함하는 상기 패시베이팅 종들은 상기 실리콘 함유 가스에 의해 제공되는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 불활성 캐리어 가스는 He, Ne, Ar, Kr, Xe, 및 그 혼합물로 구성된 그룹에서 선택되는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 가스는 에천트 가스를 더 포함하는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 에천트 가스는 Cl2, CxFy, HBr, CxFyHz, SF6, HCl, 및 그 혼합물로 구성된 그룹에서 선택되는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 가스는 패시베이션 가스를 더 포함하는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 패시베이션 가스는 O2, N2, 및 그 혼합물들로 구성된 그룹에서 선택되는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 층은 단결정 실리콘 웨이퍼의 노출 영역, 스트레인드 실리콘 층 또는 실리콘 게르마늄 층의 노출 영역을 포함하는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 층은 실리콘 니트리드, 실리콘 옥사이드, 또는 실리콘 옥시니트리드, 마스크 층 아래에 있는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판에 평행하게 배열된 평면형 코일로 무선 주파수 에너지를 공급함으로써, 상기 유도 결합형 플라즈마 에칭 챔버로 유도 결합형 무선 주파수 에너지에 의해 플라즈마가 생성되는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 층은 실리콘 웨이퍼 상에 다결정 실리콘 층을 포함하는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 층은 밑에 있는 게이트 옥사이드와 위에 있는 하드 또는 소프트 마스크 층 또는 포토레지스트 사이에 있는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 실리콘 층은 실리콘 니트리드, 실리콘 옥사이드, 또는 실리콘 옥시니트 리드 마스크 층 또는 포토레지스트 아래에 있는, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 반도체 기판의 중심 가까이 에칭된 피처는 웨이퍼의 에지에 더욱 가까이 에칭된 동등한 피처와 균일한, 반도체 기판 에칭 방법.
- 제 22 항에 있어서,상기 반도체 기판은 300 mm 웨이퍼이고, 상기 피처들은 50 nm 미만이고 1.5 nm 3σ 이하의 불균일성을 갖는, 반도체 기판 에칭 방법.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200114307A (ko) * | 2019-03-28 | 2020-10-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리 챔버 다중스테이지 혼합 장치 |
KR20210028175A (ko) * | 2019-03-28 | 2021-03-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리 챔버 다중스테이지 혼합 장치 |
US11515179B2 (en) | 2018-02-15 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
Families Citing this family (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5607881B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
KR101099716B1 (ko) | 2009-07-15 | 2011-12-28 | 세메스 주식회사 | 반도체 제조 장치에서 가스 배관의 구조 및 이를 포함하는 고밀도 플라즈마 기상 증착 장치 |
CN102044482B (zh) * | 2009-10-20 | 2013-03-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 沟槽的形成方法 |
KR101139829B1 (ko) * | 2010-02-22 | 2012-04-30 | (주)젠 | 다중 가스공급장치 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치 |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
CN102231360B (zh) * | 2011-05-27 | 2013-05-15 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀腔体内刻蚀气体调节方法 |
KR20140058647A (ko) * | 2011-09-07 | 2014-05-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 선형 증착 챔버에서 가스를 분배하고 플라즈마를 적용하기 위한 장치 및 방법 |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US9399228B2 (en) | 2013-02-06 | 2016-07-26 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for purging and plasma suppression in a process chamber |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9536710B2 (en) * | 2013-02-25 | 2017-01-03 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas delivery assembly with internal diffuser and angular injection |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9165771B2 (en) | 2013-04-04 | 2015-10-20 | Tokyo Electron Limited | Pulsed gas plasma doping method and apparatus |
JP6210762B2 (ja) * | 2013-07-08 | 2017-10-11 | 株式会社アルバック | ドライエッチング装置 |
JP2015018876A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 株式会社アルバック | 反応装置のコンディショニング方法 |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9275869B2 (en) * | 2013-08-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Fast-gas switching for etching |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9236265B2 (en) * | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
CN105814244B (zh) * | 2013-12-20 | 2018-06-29 | 日本碍子株式会社 | 包含氮化镓层的基板及其制造方法 |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
JP2015170828A (ja) | 2014-03-11 | 2015-09-28 | 富士フイルム株式会社 | プラズマエッチング方法およびパターン化基板の製造方法 |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9758868B1 (en) | 2016-03-10 | 2017-09-12 | Lam Research Corporation | Plasma suppression behind a showerhead through the use of increased pressure |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10304668B2 (en) * | 2016-05-24 | 2019-05-28 | Tokyo Electron Limited | Localized process control using a plasma system |
KR102553629B1 (ko) | 2016-06-17 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US10937660B2 (en) * | 2016-06-20 | 2021-03-02 | Tokyo Electron Limited | Method for processing workpiece |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10267728B2 (en) * | 2016-09-28 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Systems and methods for detecting oxygen in-situ in a substrate area of a substrate processing system |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
JP6796519B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2020-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
CN110184587B (zh) * | 2019-05-23 | 2021-06-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 提高硅片间刻蚀速率均匀性的方法及化学气相沉积设备 |
KR20220035192A (ko) | 2019-07-17 | 2022-03-21 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱을 위한 산화 프로파일의 변조 |
KR102697450B1 (ko) | 2019-09-27 | 2024-08-21 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치와 방법, 그 처리 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
CN112863982A (zh) * | 2019-11-12 | 2021-05-28 | 聚昌科技股份有限公司 | 侧向扰流式感应耦合等离子体蚀刻机的制造方法及其结构 |
CN111029254B (zh) * | 2019-12-26 | 2023-03-21 | 苏州科阳光电科技有限公司 | 一种干法刻蚀方法 |
US12009218B2 (en) | 2022-05-06 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Pulsed etch process |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275564A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエッチング装置 |
KR20050034610A (ko) * | 2001-10-15 | 2005-04-14 | 램 리서치 코포레이션 | 가변 다중-구역 가스 주입 시스템 |
WO2006004693A2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Lam Research Corporation | Method for bilayer resist plasma etch |
Family Cites Families (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4275752A (en) | 1978-09-22 | 1981-06-30 | Collier Nigel A | Fluid flow apparatus and method |
US4369031A (en) | 1981-09-15 | 1983-01-18 | Thermco Products Corporation | Gas control system for chemical vapor deposition system |
US4835114A (en) | 1986-02-19 | 1989-05-30 | Hitachi, Ltd. | Method for LPCVD of semiconductors using oil free vacuum pumps |
US5313982A (en) | 1988-07-08 | 1994-05-24 | Tadahiro Ohmi | Gas supply piping device for a process apparatus |
US5200388A (en) | 1988-05-13 | 1993-04-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Metalorganic chemical vapor deposition of superconducting films |
US5037666A (en) | 1989-08-03 | 1991-08-06 | Uha Mikakuto Precision Engineering Research Institute Co., Ltd. | High-speed film forming method by microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) under high pressure |
US5077875A (en) | 1990-01-31 | 1992-01-07 | Raytheon Company | Reactor vessel for the growth of heterojunction devices |
US6251792B1 (en) | 1990-07-31 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch processes |
US5100505A (en) | 1990-10-18 | 1992-03-31 | Micron Technology, Inc. | Process for etching semiconductor devices |
US5288325A (en) | 1991-03-29 | 1994-02-22 | Nec Corporation | Chemical vapor deposition apparatus |
JP2797233B2 (ja) | 1992-07-01 | 1998-09-17 | 富士通株式会社 | 薄膜成長装置 |
JPH06295862A (ja) | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
DE69312436T2 (de) | 1992-12-15 | 1998-02-05 | Applied Materials Inc | Verdampfung von flüssigen Reaktionspartnern für CVD |
US5950693A (en) | 1993-04-28 | 1999-09-14 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. | Bulk chemical delivery system |
JPH07245193A (ja) | 1994-03-02 | 1995-09-19 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 |
DE69508273T2 (de) | 1994-11-18 | 1999-11-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zum ätzen von siliziumnitrid mit verstärkung der kritischen abmessung |
US5620524A (en) | 1995-02-27 | 1997-04-15 | Fan; Chiko | Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems |
US5846883A (en) | 1996-07-10 | 1998-12-08 | Cvc, Inc. | Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation |
US6090210A (en) | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
US5865205A (en) | 1997-04-17 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dynamic gas flow controller |
US6296026B1 (en) | 1997-06-26 | 2001-10-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical delivery system having purge system utilizing multiple purge techniques |
US6008140A (en) | 1997-08-13 | 1999-12-28 | Applied Materials, Inc. | Copper etch using HCI and HBr chemistry |
US6039074A (en) | 1997-09-09 | 2000-03-21 | Novellus Systems, Inc. | Pressure-induced shut-off valve for a liquid delivery system |
US6007330A (en) | 1998-03-12 | 1999-12-28 | Cosmos Factory, Inc. | Liquid precursor delivery system |
US6315858B1 (en) | 1998-03-18 | 2001-11-13 | Ebara Corporation | Gas polishing apparatus and method |
US6296711B1 (en) | 1998-04-14 | 2001-10-02 | Cvd Systems, Inc. | Film processing system |
US6192919B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-02-27 | Advanced Delivery & Chemical Systems, Ltd. | Chemical delivery and containment system employing mobile shipping crate |
US6058958A (en) | 1998-11-05 | 2000-05-09 | Micromed Technology, Inc. | Pulsatile flow system and method |
US6052176A (en) | 1999-03-31 | 2000-04-18 | Lam Research Corporation | Processing chamber with optical window cleaned using process gas |
DE19919469A1 (de) * | 1999-04-29 | 2000-11-02 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Plasmaätzen von Silizium |
US6155289A (en) | 1999-05-07 | 2000-12-05 | International Business Machines | Method of and system for sub-atmospheric gas delivery with backflow control |
US6119710A (en) | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
US6415736B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6302139B1 (en) | 1999-07-16 | 2001-10-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Auto-switching gas delivery system utilizing sub-atmospheric pressure gas supply vessels |
ATE420454T1 (de) | 1999-08-17 | 2009-01-15 | Tokyo Electron Ltd | Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung |
US6318384B1 (en) * | 1999-09-24 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates |
US6410451B2 (en) | 1999-09-27 | 2002-06-25 | Lam Research Corporation | Techniques for improving etching in a plasma processing chamber |
US6900596B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Capacitively coupled plasma reactor with uniform radial distribution of plasma |
US7030335B2 (en) | 2000-03-17 | 2006-04-18 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression |
US6853141B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-02-08 | Daniel J. Hoffman | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
WO2001075188A2 (en) | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for gas injection |
TW496907B (en) | 2000-04-14 | 2002-08-01 | Asm Microchemistry Oy | Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate |
JP2002129337A (ja) | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
US6607597B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-08-19 | Msp Corporation | Method and apparatus for deposition of particles on surfaces |
US20020144657A1 (en) | 2001-04-05 | 2002-10-10 | Chiang Tony P. | ALD reactor employing electrostatic chuck |
JP2002339071A (ja) | 2001-05-18 | 2002-11-27 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | Alcvdシステムにおける処理ガス供給機構 |
US6746961B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-06-08 | Lam Research Corporation | Plasma etching of dielectric layer with etch profile control |
US6794293B2 (en) | 2001-10-05 | 2004-09-21 | Lam Research Corporation | Trench etch process for low-k dielectrics |
US20030003696A1 (en) | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Avgerinos Gelatos | Method and apparatus for tuning a plurality of processing chambers |
US20030045098A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
US6590344B2 (en) | 2001-11-20 | 2003-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Selectively controllable gas feed zones for a plasma reactor |
US6869880B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features |
US6921724B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-07-26 | Lam Research Corporation | Variable temperature processes for tunable electrostatic chuck |
US20040018741A1 (en) | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method For Enhancing Critical Dimension Uniformity After Etch |
US6939811B2 (en) | 2002-09-25 | 2005-09-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling etch depth |
US7628897B2 (en) * | 2002-10-23 | 2009-12-08 | Applied Materials, Inc. | Reactive ion etching for semiconductor device feature topography modification |
US7169231B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
US7534363B2 (en) | 2002-12-13 | 2009-05-19 | Lam Research Corporation | Method for providing uniform removal of organic material |
US20040112540A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Lam Research Corporation | Uniform etch system |
US20040118344A1 (en) | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Lam Research Corporation | System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit |
US7270713B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
US7098141B1 (en) * | 2003-03-03 | 2006-08-29 | Lam Research Corporation | Use of silicon containing gas for CD and profile feature enhancements of gate and shallow trench structures |
US6864174B2 (en) | 2003-03-20 | 2005-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Iteratively selective gas flow control and dynamic database to achieve CD uniformity |
US6972258B2 (en) | 2003-08-04 | 2005-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for selectively controlling damascene CD bias |
JP4177192B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2008-11-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法 |
US7202177B2 (en) | 2003-10-08 | 2007-04-10 | Lam Research Corporation | Nitrous oxide stripping process for organosilicate glass |
US6916697B2 (en) | 2003-10-08 | 2005-07-12 | Lam Research Corporation | Etch back process using nitrous oxide |
US7129171B2 (en) | 2003-10-14 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Selective oxygen-free etching process for barrier materials |
US20050101135A1 (en) | 2003-11-12 | 2005-05-12 | Lam Research Corporation | Minimizing the loss of barrier materials during photoresist stripping |
US6893975B1 (en) | 2004-03-31 | 2005-05-17 | Tokyo Electron Limited | System and method for etching a mask |
US7708859B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
US20060000802A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7250373B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching material layers with high uniformity of a lateral etch rate across a substrate |
US7196014B2 (en) | 2004-11-08 | 2007-03-27 | International Business Machines Corporation | System and method for plasma induced modification and improvement of critical dimension uniformity |
-
2006
- 2006-06-20 US US11/455,671 patent/US7932181B2/en active Active
-
2007
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- 2007-06-14 TW TW096121534A patent/TWI416614B/zh active
-
2012
- 2012-10-10 JP JP2012225344A patent/JP2013042160A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06275564A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエッチング装置 |
KR20050034610A (ko) * | 2001-10-15 | 2005-04-14 | 램 리서치 코포레이션 | 가변 다중-구역 가스 주입 시스템 |
WO2006004693A2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Lam Research Corporation | Method for bilayer resist plasma etch |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515179B2 (en) | 2018-02-15 | 2022-11-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
KR20200114307A (ko) * | 2019-03-28 | 2020-10-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리 챔버 다중스테이지 혼합 장치 |
KR102223806B1 (ko) | 2019-03-28 | 2021-03-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리 챔버 다중스테이지 혼합 장치 |
KR20210028175A (ko) * | 2019-03-28 | 2021-03-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리 챔버 다중스테이지 혼합 장치 |
KR102255071B1 (ko) | 2019-03-28 | 2021-05-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리 챔버 다중스테이지 혼합 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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