KR101470802B1 - 다이싱 테이프 - Google Patents

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KR101470802B1
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아끼라 야부끼
유리 다마가와
사또시 오따
아끼라 아꾸쯔
유끼히로 마쯔바라
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

다이싱 공정 후의 픽업 공정에 있어서, 박형의 반도체 칩을 칩 균열시키지 않고, 단시간에 효율적으로 픽업할 수 있는 다이싱 테이프를 제공한다. 본 발명의 다이싱 테이프(1)는 점착제층이, 아크릴 중합체, 아세트산비닐 중합체 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 폴리머 100질량부에 대해, 프탈산에스테르류를 0.5∼30질량부 포함하고, 박리력이 방사선 경화시키기 전에는 0.5N/25㎜ 이상이며, 방사선 경화시킨 후에는 0.05∼0.4N/25㎜이며, 방사선 경화시킨 후의 박리 속도 50㎜/min에서의 박리력을 (i), 1000㎜/min에서의 박리력을 (ii)로 하였을 때, (ii)/(i)가 1 이하이다.

Description

다이싱 테이프 {DICING TAPE}
본 발명은 다이싱 테이프에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 반도체 웨이퍼 등을 소자의 소편으로 절단 분리(다이싱)할 때에 당해 반도체 웨이퍼 등의 피절단체를 고정하기 위해 사용하는 다이싱 테이프에 관한 것이다.
종래, 실리콘, 갈륨, 비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는, 대경의 상태로 제조된 후, 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되고, 또한 마운트 공정으로 이행된다. 이때, 반도체 웨이퍼는 다이싱 테이프에 부착되어 보유 지지된 상태에서 다이싱 공정, 세정 공정, 익스팬드 공정, 픽업 공정, 마운트 공정의 각 공정이 실시된다. 상기 다이싱 테이프로서는, 플라스틱 필름을 포함하는 기재 상에 아크릴계 점착제 등의 점착제층이 도포, 형성된 것이 사용되고 있다. (예를 들어, 특허문헌 1 참조.)
상기 픽업 공정은, 도 5에 도시한 바와 같이, 픽업하는 반도체 칩(10)의 하부 다이싱 테이프(1)를 밀어올림 핀(12)에 의해, 점 형상 또는 선 형상으로 밀어올리거나, 또는 마찰하여, 당해 반도체 칩(10)과 다이싱 테이프(1)의 박리를 조장한 상태에서, 상부로부터 흡착 콜릿(13) 등으로 진공 흡착하는 것에 의해, 반도체 칩(10)을 픽업하는 방식이 주류로 되어 있다.
일본 특허 공개 제2010-225753호 공보
그러나, 반도체 소자의 박형화가 진행되고 있고, 특히 반도체 웨이퍼의 두께가 100㎛ 이하로 되면, 종래의 다이싱 테이프에서는, 종래대로 밀어올림 핀을 빠르게 밀어올려 반도체 칩을 픽업하면, 밀어올림 핀의 밀어올림에 의한 충격으로, 반도체 칩이 매우 깨지기 쉽다고 하는 문제가 있었다. 그로 인해, 반도체 칩에의 충격을 억제하기 위해 밀어올림 핀을 천천히 밀어올리도록 하면, 픽업 시간이 길어진다고 하는 문제가 있었다. 또한, 종래의 다이싱 테이프에서는, 다이싱 테이프와 반도체 칩과의 박리력은, 박리 속도가 빠를수록 커진다. 따라서, 가령 반도체 칩에의 충격을 억제하면서 밀어올림 핀을 빠르게 밀어올릴 수 있었다고 해도, 밀어올림 핀에 의해, 다이싱 테이프와 반도체 칩과의 박리를 조장하였을 때에, 박리의 진행 속도가 빠르면 박리력도 커지기 때문에, 박형이고 강성이 낮은 반도체 칩에서는, 그 단부가 변형되어 칩 균열이 일어나기 쉽다고 하는 문제가 있었다. 그로 인해, 다이싱 테이프와 반도체 칩의 박리가 진행될 때까지 대기하여 충분한 박리 면적이 확보된 후에, 흡착 콜릿의 진공 흡착에 의해 반도체 칩을 픽업하는 것으로 되고, 역시 픽업 시간이 길어진다고 하는 문제가 있었다.
따라서 본 발명은 다이싱 공정 후의 픽업 공정에 있어서, 박형의 반도체 칩을 칩 균열시키지 않고, 단시간에 효율적으로 픽업할 수 있는 다이싱 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 기재 수지 필름의 적어도 한측에 점착제층을 갖고 이루어지는 다이싱 테이프로서, ＃2000으로 연마된 실리콘 미러 웨이퍼와의 각종 박리력을 특정한 값으로 함으로써, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시의 칩 비산을 억제하면서, 픽업 공정 시에 빠르게 핀 등으로 밀어올림을 행해도 칩에 스트레스를 가하지 않아 칩 균열 등의 문제없이 픽업할 수 있음과 함께, 픽업 공정 시간의 단축을 실시할 수 있는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 지식에 기초하여 이루어진 것이다.
즉, 본원 발명에 의한 다이싱 테이프는, 기재 수지 필름의 적어도 한측에 방사선 경화성의 점착제층을 갖고, 상기 점착제층에 웨이퍼를 접합하여 상기 웨이퍼를 다이싱하는 다이싱 테이프로서, 상기 점착제층은, 아크릴 중합체, 아세트산비닐 중합체 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 폴리머 100질량부에 대해, 프탈산에스테르류를 0.5∼30질량부 포함하고, 23℃, 50％ RH의 조건하에, 박리 각도 90도, 박리 속도 50㎜/min에 있어서의, ＃2000으로 연마된 실리콘 미러 웨이퍼와의 박리력이, 상기 점착제층을 방사선 경화시키기 전에는 0.5N/25㎜ 이상이며, 상기 점착제층을 방사선 경화시킨 후에는 0.05∼0.4N/25㎜이고, 또한, 상기 점착제층을 방사선 경화시킨 후의, 23℃, 50％ RH의 조건하에, 박리 각도 90도에 있어서의, ＃2000으로 연마된 실리콘 미러 웨이퍼와의 박리력에 대해, 박리 속도 50㎜/min에서의 박리력을 (i), 1000㎜/min에서의 박리력을 (ii)로 하였을 때, (ii)/(i)가 1 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 다이싱 테이프는, 상기 프탈산에스테르류의 물에의 용해도가, 0.1㎎/L 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 다이싱 공정 후의 픽업 공정에 있어서, 박형의 반도체 칩을 칩 균열시키지 않고, 단시간에 효율적으로 픽업할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 다이싱 테이프의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다이싱 테이프를 사용한 다이싱 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다이싱 테이프를 사용한 다이싱 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 다이싱 테이프를 사용한 익스팬드 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다이싱 테이프를 사용한 픽업 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 다이싱 테이프(1)는 기재 수지 필름(2)의 적어도 한측에, 적어도 1층의 점착제층(3)이 형성되어 있다. 도 1은 본 발명의 방사선 경화형의 다이싱 테이프(1)의 바람직한 실시 형태를 도시하는 개략 단면도이며, 다이싱 테이프(1)는 기재 수지 필름(2)을 갖고 있고, 기재 수지 필름(2) 상에는 점착제층(3)이 형성되어 있다. 또한, 점착제층(3) 상에는, 필요에 따라 설치되는 세퍼레이터(4)가 형성되어 있다. 도 1에는, 기재 수지 필름(2)의 한쪽의 면에 점착제층(3)이 형성된 다이싱 테이프(1)가 도시되어 있지만, 기재 수지 필름(2) 중, 점착제층(3)이 형성된 다른 쪽의 면에도 점착제층을 형성해도 된다(도시하지 않음).
이하, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(1)의 각 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.
(기재 수지 필름(2))
기재 수지 필름(2)으로서는, 특별히 제한되는 것은 아니고, 종래의 기재 수지 필름(2) 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 점착제층(3)에 사용되는 점착제로서 방사선 경화성 수지를 사용하기 위해, 기재 수지 필름(2)은 다이싱 후에 절단되어 얻어진 반도체 칩(10)(도 3 참조)을 픽업할 수 있는 정도로 점착제층(3)의 점착력을 저감시킬 수 있도록 방사선을 투과할 필요가 있다. 사용하는 기재 수지 필름(2)으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 및 폴리부텐과 같은 폴리올레핀, 스티렌-수소 첨가 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수소 첨가 부타디엔-스티렌 공중합체 및 스티렌-수소 첨가 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체와 같은 열가소성 엘라스토머, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 및 에틸렌-(메트)아크릴산 금속염계 아이오노머와 같은 에틸렌 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리메타크릴산메틸 등의 엔지니어링 플라스틱, 연질 폴리염화비닐, 반경질 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리아미드, 폴리이미드, 천연 고무 및 합성 고무 등의 고분자 재료가 바람직하다. 또한, 이들 군으로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것 또는 복층화된 것이어도 되고, 점착제층(3)과의 접착성에 의해 임의로 선택할 수 있다.
기재 수지 필름(2)의 두께는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 10∼500㎛이며, 보다 바람직하게는 40∼400㎛, 특히 바람직하게는 70∼250㎛이다.
기재 수지 필름(2)의 점착제층(3)에 접하는 면에는, 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머 등의 처리를 실시해도 된다.
(점착제층(3))
점착제층(3)은 방사선 경화형의 점착제층(3)이며 소정의 박리력을 가지면, 점착제층(3)을 구성하는 수지 조성물은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 폴리머를 포함하는 수지 조성물, 또는 일반적인 점착제에 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분 등의 자외선 경화 수지를 배합한 수지 조성물인 것이 바람직하다. 또한, 상기 수지 조성물이, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, (메트)아크릴산올리고머, 이타콘산올리고머 및 아세트산비닐로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 점착제를 주성분으로서 갖는 것이 바람직하다.
탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 폴리머를 포함하는 수지 조성물로서는, 아크릴 중합체(A) 및/또는 아세트산비닐 중합체(B)와, 가교제(C)와, 필요에 따라, 광중합 개시제(D)를 포함하는 점착제 조성물이 사용된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 프탈산에스테르류(E)를 포함하고 있다.
(A) 아크릴 중합체
아크릴 중합체(A)로서는, (메트)아크릴산에스테르 성분을 모노머 주성분(중합체 중의 질량％가 50％를 초과함)으로 하고, 해당 (메트)아크릴산에스테르 성분에 대해, 공중합이 가능하여 분자 내에 수산기를 갖는 모노머(수산기 함유 모노머) 성분을 공중합한 것 등을 들 수 있다. 본 명세서에 있어서, (메트)아크릴산에스테르라 함은, 아크릴산에스테르와 메타크릴산에스테르의 양자를 포함한다.
아크릴 중합체(A)에 있어서, 모노머 주성분으로서의 (메트)아크릴산에스테르 성분으로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실 등의 (메트)아크릴산알킬에스테르; (메트)아크릴산시클로헥실 등의 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르; (메트)아크릴산페닐 등의 (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
아크릴 중합체(A)는 가교제(C)의 폴리이소시아네이트와 우레탄 결합을 통해, 폴리에테르폴리올과 반응시킴과 함께, 가교제로 가교시켜 질량 평균 분자량(Mw)을 높이는 것이 바람직하다. 이 경우, 아크릴 중합체(A)는 주쇄에 대해 수산기가 결합되어 있는 것이 필요하다. 주쇄에 대해 수산기가 결합된 아크릴 중합체(A)는 상기 (메트)아크릴산에스테르에 대해 공중합이 가능하고, 또한 수산기를 갖는 모노머를 공중합함으로써 얻을 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대해 공중합이 가능하고, 또한 수산기를 갖는 모노머로서는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 글리세린모노(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
아크릴 중합체(A) 중에는, 주쇄에 대해 수산기가 결합(펜던트되어 있음) 이외에, 카르복실기, 글리시딜기 등의 관능기가 펜던트되어 있어도 된다. 수산기 이외의 관능기를 갖는 아크릴 중합체(A)는 (메트)아크릴산에스테르에 대해 공중합이 가능하고, 또한 수산기 이외의 관능기를 갖는 모노머를 공중합함으로써 얻을 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대해 공중합이 가능하고, 또한 카르복실기를 갖는 모노머로서는, (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르에 대해 공중합이 가능하고, 또한 글리시딜기를 갖는 모노머로서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
(B) 아세트산비닐 중합체
아세트산비닐 중합체(B)로서는, 아세트산비닐 중합체는, 아세트산비닐 모노머만을 중합하여 얻어진 단독 중합체를 사용할 수도 있다. 아세트산비닐 중합체에 있어서의, 아세트산비닐 모노머에 공중합시키는 모노머 성분으로서는, 상기 효과를 저해하지 않는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 기재된 아크릴산에스테르류나 라우릴비닐에테르, 옥타데실비닐에테르, 퍼플루오로프로필비닐알코올, 2-클로로에틸비닐에테르, 시클로헥실비닐에테르, 메틸비닐에테르 등의 비닐에테르류, 버사트산비닐, 스테아르산비닐, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, N,N-디메틸아크릴아미드, 아크릴산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산, 비닐술폰산, 아크릴술폰산, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 비닐이미다졸, 비닐피리딘, 비닐숙신이미드, 비닐렌카르보네이트, 알릴알코올, 알릴아세테이트 등을 들 수 있다.
상기 아크릴 중합체(A) 및 아세트산비닐 중합체(B)의 합성에 있어서, 공중합을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 유기 용제를 들 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양용매이고, 비점 60∼120℃의 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥사이드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절하고, 그 후 관능기에 있어서의 부가 반응을 행함으로써, 원하는 분자량의 아크릴 중합체(A), 아세트산비닐 중합체(B)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 대해서는, 머캅탄, 사염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 공중합은 용액 중합으로 한정되는 것은 아니고, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이어도 지장이 없다.
아크릴 중합체(A) 및 아세트산비닐 중합체(B)는 반도체 웨이퍼(6) 등의 피가공물의 오염 방지 등의 관점에서, 저분자량물의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 이 관점에서, 아크릴 중합체(A) 및 아세트산비닐 중합체(B)의 질량 평균 분자량(Mw)으로서는, 10만 이상인 것이 바람직하고, 나아가 20만∼200만인 것이 적합하다. 또한, 아크릴 중합체(A) 및 아세트산비닐 중합체(B)의 질량 평균 분자량(Mw)이 지나치게 작으면, 반도체 웨이퍼(6) 등의 피가공물에 대한 오염 방지성이 저하되고, 질량 평균 분자량(Mw)이 지나치게 크면 방사선 경화성 점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제 조성물의 점도가 극히 높아져, 다이싱 테이프(1)의 제조가 곤란해진다.
아크릴 중합체(A) 및 아세트산비닐 중합체(B)는 점착성 발현의 관점에서, 글래스 전이점이 -70℃∼0℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, -65℃∼-20℃이다. 글래스 전이점이 지나치게 작으면, 아크릴 중합체(A) 및 아세트산비닐 중합체(B)의 점도가 지나치게 낮아져, 안정적인 도막 형성이 곤란해지고, 글래스 전이점이 지나치게 높으면, 점착제가 지나치게 단단해져, 피착체에 대한 습윤성이 악화된다.
(C) 가교제
가교제(C)로서, 적어도 가교제로서 폴리이소시아네이트를 사용하여, 방사선 경화 전에 가교되어 있는 것이 바람직하다. 폴리이소시아네이트 가교제로서는, 이소시아네이트기를 갖는 가교제라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등 또는 이들 뷰렛형, 이소시아누레이트형, 어덕트형, 블록형 등의 각종 다량체 등을 들 수 있다. 가교제로서 수산기에 대해 반응성을 갖는 폴리이소시아네이트를 사용함으로써, 폴리에테르폴리올을 가교 구조 중에 도입하는 것이 가능하게 되고, 폴리에테르폴리올이 반도체 웨이퍼(6) 표면으로 이행하고, 웨이퍼(6) 표면이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 그 외에, 가교제로서, 폴리이소시아네이트 이외의 가교제를 병용할 수 있다. 단, 아크릴 중합체(A) 또는 아세트산비닐 중합체(B) 중에, 가교제에 대해 반응성을 갖는 관능기를 갖고 있을 필요가 있다. 그와 같은 가교제로서는, 예를 들어 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민 수지계 가교제, 요소 수지계 가교제, 산무수 화합물계 가교제, 폴리아민계 가교제, 카르복실기 함유 중합체계 가교제 등으로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
(D) 광중합 개시제
방사선 경화성 점착제층(3) 중에, 방사선을 조사하였을 때에, 효율적이고, 분자 내에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머(또는, 방사선 경화성 성분)의 중합, 경화를 행하기 위해, 광중합 개시제를 포함할 수 있다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르계 개시제; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 폴리비닐벤조페논 등의 벤조페논계 개시제; α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 방향족 케톤계 개시제; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈계 개시제; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 개시제, 벤질 등의 벤질계 개시제, 벤조인 등의 벤조인계 개시제 외에, α-케톨계 화합물(2-메틸-2-히드록시프로피오페논 등), 방향족 술포닐클로라이드계 화합물(2-나프탈렌술포닐클로라이드 등), 광 활성 옥심계 화합물[1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등], 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드, 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
광중합 개시제의 배합량으로서는, 아크릴 중합체(A) 또는 아세트산비닐 중합체(B) 100질량부에 대해 0.5∼30질량부, 바람직하게는 1∼20질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다.
(E) 프탈산에스테르류
프탈산에스테르류(E)로서는, 예를 들어 프탈산디메틸, 프탈산디에틸, 프탈산디알릴, 프탈산디부틸, 프탈산디노르말헥실, 프탈산디옥틸, 프탈산디노르말옥틸, 프탈산디이소노닐, 프탈산디노닐, 프탈산디이소데실, 프탈산부틸벤질 등을 들 수 있지만, 점착제와의 상용성이 좋고, 또한 물에의 용해성이 낮은 프탈산디옥틸, 프탈산디노르말옥틸, 프탈산디이소노닐, 프탈산디노닐이 바람직하다. 점착제와의 상용성이 나쁘면 블리드 아웃에 의해 표면에 석출되기 쉬워져, 오염의 원인으로 될 우려가 있는 동시에, 안정적으로 제조할 수 없기 때문이다. 또한, 물에의 용해성이 높으면 다이싱 시의 절삭수에 용해되어 버려, 웨이퍼(6) 표면의 오염 원인으로 될 우려가 있기 때문이다. 물에의 용해성의 범위로서는, 0㎎/L 이상 0.1㎎/L 이하이고, 0㎎/L 이상 0.05㎎/L 이하가 바람직하다.
본 실시 형태에 있어서는, 점착제층(3)이 프탈산에스테르류(E)를 포함하고 있기 때문에, 유연성이 우수하고, 다이싱 시의 칩 비산을 억제할 수 있고, 방사선을 조사하여 점착제층(3)을 경화시킨 후에, 박리 속도에 의하지 않고, 박리력이 일정 이하로 되는 점에서, 칩 균열을 양호하게 억제하여 용이하게 반도체 칩(10)을 픽업할 수 있다. 그 효과는, 웨이퍼(6) 연마 직후, 예를 들어 연마 종료 후 1시간 이내의 자연 산화막이 전면적으로 형성되어 있지 않은 상태의 불안정한 웨이퍼(6) 연삭면에, 다이싱 테이프(1)가 접합된 경우에 특히 현저하게 나타난다.
프탈산에스테르류의 배합량으로서는, 아크릴 중합체(A) 또는 아세트산비닐 중합체(B) 100질량부에 대해 0.5∼30질량부, 바람직하게는 1∼20질량부, 더욱 바람직하게는 5∼10질량부의 범위로부터 적절히 선택할 수 있다. 첨가량이 적으면 효과를 발현할 수 없고, 지나치게 많으면 점착제와의 상용성의 악화에 의해, 블리드 아웃하여 오염의 원인으로 된다.
(F) 그 외의 배합제
점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제 조성물 중에는, 필요에 따라, 예를 들어 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 연화제, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 가소제, 계면 활성제 등의 공지의 첨가제 등이 포함되어 있어도 된다.
또한, 상기 점착제 조성물에 있어서, 아크릴 중합체(A) 및/또는 아세트산비닐 중합체(B) 대신에, 관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머를 제조한 후, 관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머 중의 관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머에, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성(방사선 중합성)을 유지한 상태에서, 축합 반응 또는 부가 반응시킴으로써, 분자 내에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머(A2)를 사용해도 된다. 관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머로서는, 상기 아크릴 중합체(A)를 사용할 수 있다. 또한, 아크릴 중합체(A) 및/또는 아세트산비닐 중합체(B)와 분자 내에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머(A2)를 병용할 수도 있다.
관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머 중의 관능기와 반응할 수 있는 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 반응의 대상으로 되는 측쇄가 카르복실기 또는 산무수물인 경우에는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있고, 반응의 대상으로 되는 측쇄가 에폭시기인 경우에는, (메트)아크릴산 등을 들 수 있고, 반응의 대상으로 되는 측쇄가 수산기인 경우에는, 2-이소시아네이트알킬(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
또한, 관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머에 관능기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 축합 반응 또는 부가 반응시킬 때는, 촉매를 사용함으로써, 상기 반응을 효과적으로 진행시킬 수 있다. 이와 같은 촉매로서는, 특별히 제한되지 않지만, 주석계 촉매(특히, 디라우르산디부틸주석)가 적합하다. 촉매의 사용량으로서는, 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 관능기를 함유하는 아크릴계 폴리머 100질량부에 대해 0.05∼1질량부 정도인 것이 바람직하다.
점착제층(3)은 종래의 점착제층(3)의 형성 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 점착제 조성물을, 기재 수지 필름(2)의 소정의 면에 도포하여 형성하는 방법이나, 상기 점착제 조성물을, 세퍼레이터(예를 들어, 이형제가 도포된 플라스틱제 필름 또는 시트 등) 상에 도포하여 점착제층(3)을 형성한 후, 해당 점착제층(3)을 기재의 소정의 면에 전사하는 방법에 의해, 기재 수지 필름(2) 상에 점착제층(3)을 형성할 수 있다. 또한, 점착제층(3)은 단층의 형태를 갖고 있어도 되고, 적층된 형태를 갖고 있어도 된다.
점착제층(3)의 두께로서는, 특별히 제한되지 않지만, 3∼20㎛인 것이 바람직하다. 점착제층(3)의 두께가 지나치게 얇으면, 다이싱 시에 피가공물이 용이하게 박리되어 버리므로, 절단 가공된 반도체 칩(10)을 보유 지지할 수 없어, 칩 비산이 발생하는 경우가 있다. 점착제층(3)이 지나치게 두꺼우면, 반도체 웨이퍼(6)를 다이싱할 때에 발생하는 진동의 진동 폭이 커져, 칩핑이라고 불리는 결함이 발생하고, 또는 칩의 측면이나 표면에 다이싱 시에 감아 올려진 점착제 부스러기가 부착되어, 칩이 오염되는 경우가 있다.
(세퍼레이터(4))
세퍼레이터(4)는 점착제층(3)을 보호할 목적으로, 다이싱 테이프(1)를 소정의 형상으로 절단하는 라벨 가공을 용이하게 행할 목적으로, 또한 점착제를 평활하게 할 목적으로, 필요에 따라 설치된다. 세퍼레이터(4)의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(4)의 표면에는 점착제층(3)으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 필요에 따라, 점착 시트가 환경 자외선에 의해 반응해 버리지 않도록, 자외선 방지 처리가 실시되어 있어도 된다. 세퍼레이터(4)의 두께는, 통상 10∼100㎛, 바람직하게는 25∼50㎛ 정도이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 다이싱 테이프(1)는 23℃, 50％ RH의 조건하에서 ＃2000으로 연마된 실리콘 미러면을 점착제층(3)에 접합한 후, 23℃에서 50％ RH의 조건하에서 1시간 경과 후의, 점착제층(3)을 방사선 경화시키기 전에 있어서의 박리력[대(對) 실리콘 미러면, 박리 각도:90°, 박리 속도:50㎜/min, 23℃에서 50％ RH의 조건하에서]이 0.5N/25㎜ 이상이며, 바람직하게는 10N/25㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 2N/25㎜ 이하이다. 이 범위 내의 점착력을 갖는 다이싱 테이프(1)는 다이싱 시에 있어서 절단 가공된 반도체 칩(10)을 효과적으로 보유 지지할 수 있어, 칩 비산이나 반도체 칩(10) 이면에의 절삭 더스트 침입을 방지하는 효과를 발휘할 수 있다.
또한, 상기한 바와 마찬가지로 하여 측정한, 점착제층(3)을 방사선 경화시킨 후에 있어서의 박리력[대(對) 실리콘 미러면, 박리 각도:90°, 박리 속도:50㎜/min, 23℃에서 50％ RH의 조건하에서]이 0.05∼0.4N/25㎜이며, 바람직하게는 0.1∼0.3N/25㎜, 더욱 바람직하게는 0.1∼0.2N/25㎜이다. 이 박리력이 0.4N/25㎜를 초과하면 픽업 시에 점착제층(3)과 반도체 웨이퍼(6)(도 2 참조)와의 계면에서의 박리가 곤란해져, 픽업을 할 수 없거나, 또는 가령 픽업할 수 있었다고 해도 반도체 웨이퍼(6)가 깨질 우려가 있다. 또한, 반대로 박리력이 0.05N/25㎜ 이하로 지나치게 낮으면 픽업 시에 인접하는 반도체 칩(10)(도 4 참조)이 비산할 우려가 있다.
또한, 박리 속도 1000㎜/min으로서, 상기한 바와 마찬가지로 하여 측정한, 점착제층(3)을 방사선 경화시킨 후에 있어서의 박리력[대(對) 실리콘 미러면, 박리 각도:90°, 23℃에서 50％ RH의 조건하에서]이 0.4N/25㎜ 이하이다. 또한, 상기 점착제층(3)을 방사선 경화시킨 후에 있어서의 박리력에 대해, 박리 속도 50㎜/min에서의 박리력을 (i), 1000㎜/min에서의 박리력을 (ii)로 하였을 때, (ii)/(i)가 1 이하이고, 바람직하게는 0.9 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.8 이하이다. 이 비가 1을 초과하면 픽업 시의 밀어올림 핀(12)(도 5 참조)의 밀어올림 속도가 느린 경우에는, 박리력이 낮기 때문에 픽업에 지장을 초래하지 않지만, 밀어올림 속도가 빠른 경우에는, 박리력이 높아져 버리기 때문에, 특히 박막의 반도체 웨이퍼(6)에 있어서는 칩 균열 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, (ii)/(i)의 값은, 0.2 이상인 것이 바람직하다.
<사용 방법>
이어서, 본 발명의 다이싱 테이프(1)의 사용 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 다이싱 테이프(1)는 피절단물인 반도체 부품에 부착하는 마운트 공정 후에, 상법에 따라서 다이싱 공정에 사용되고, 또한 방사선 조사 공정, 픽업 공정으로 이행된다. 반도체 부품으로서는 실리콘 반도체, 화합물 반도체, 반도체 패키지, 글래스, 세라믹스 등을 들 수 있다.
마운트 공정은, 통상, 반도체 웨이퍼(6)의 이면 연삭 공정이나, 반도체 웨이퍼(6)의 이면 연삭 공정에 이어서 행해지는 파쇄층 제거 공정 등의 이후에, 연속해서[반도체 웨이퍼(6)의 이면 연삭 공정이나 파쇄층 제거 공정의 직후에] 또는 단기간 중에[반도체 웨이퍼(6)의 이면 연삭 공정이나 파쇄층 제거 공정이 종료하고 나서 몇시간 이내에] 실시할 수 있다.
마운트 공정에서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 통상, 반도체 웨이퍼(6) 등의 피가공물과, 다이싱 테이프(1)를 피가공물에 있어서의 연삭면과, 점착제층(3)이 접촉하는 형태로 겹치고, 도시하지 않은 압착 롤을 사용한 가압 수단 등의 종래의 가압 수단에 의해 가압하면서, 피가공물과 다이싱 테이프(1)의 부착을 행한다. 또한, 각 공정에 있어서 다이싱 테이프(1)를 보유 지지하기 위한 링 프레임(7)을 점착제층(3)의 피가공물[반도체 웨이퍼(6)]의 접합 위치보다 외측에 부착한다.
다이싱 공정은, 도 3에 도시한 바와 같이, 흡착 스테이지(8)에 피절단체가 부착된 다이싱 테이프(1)를 재치하고, 블레이드(9)를 고속 회전시켜, 피절단체를 소정의 크기로 절단한다. 다이싱은, 다이싱 테이프(1)의 일부까지 절입(칼집을 냄)을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이싱 이후에는, 방사선, 특히 바람직하게는, 자외선의 조사에 의해 점착제층(3)을 경화시켜, 점착성을 저하시키고, 다이싱 테이프(1)로부터 반도체 칩(10) 등의 다이싱된 절단편을 용이하게 행할 수 있다.
방사선, 특히 바람직하게는, 자외선 조사의 후에는 픽업 공정에 사용된다. 픽업 공정에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 익스팬드 공정을 마련할 수 있다. 익스팬드 공정에서는, 원통 형상의 밀어올림 부재(11)를 다이싱 테이프(1)의 하방으로부터 링 프레임(7)과 절단편의 사이에 돌출되도록 상승시킴으로써, 다이싱 테이프(1)가 둘레 방향 및 직경 방향으로 신장된다. 픽업 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고 종래의 각종 픽업 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시한 바와 같이, 개개의 절단편[반도체 칩(10)]을 다이싱 테이프(1)의 하방으로부터 밀어올림 핀(12)에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 절단편[반도체 칩(10)]을 흡착 콜릿(13) 등의 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
다음으로 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명한다. 이하 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
아크릴산에틸 및 아크릴산부틸, 2-히드록시에틸아크릴레이트를 질량비 7:2:1의 비율로, 아세트산에틸 중에서 상법에 의해 공중합시켜, 주쇄에 대해 수산기가 결합된 아크릴 중합체(A)를 포함하는 용액(아크릴 공중합체 함유 용액 Aa)을 얻었다. 계속해서, 당해 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대해 프탈산디옥틸을 5질량부와, 방사선 경화제로서 상품명「UV3000」(일본 합성 화학 공업 주식회사제)을 30질량부와, 광중합 개시제로서 상품명「이르가큐어 651」(BASF사제)를 2.5질량부와, 가교제로서 폴리이소시아네이트계 화합물(상품명「코로네이트 L」, 일본 폴리우레탄 공업 주식회사제)을 1질량부를 첨가하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 용액 X1을 얻었다.
기재 수지 필름으로서, 한쪽 면에 코로나 방전 처리가 실시된 저밀도 폴리에틸렌제 필름(두께:100㎛)을 사용하고, 코로나 방전 처리면에, 상기 자외선 경화형 아크릴계 점착제 용액 X1을 도포하고, 80℃에서 10분간 가열하여, 가열 가교시켰다. 이에 의해, 기재 수지 필름 상에, 방사선 경화형의 점착제층으로서의 자외선 경화형 점착제층(두께:10㎛)을 형성하였다. 이어서, 이 자외선 경화형 점착제층의 표면에 세퍼레이터를 접합하여, 실시예 1에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(실시예 2)
프탈산디옥틸을 0.5질량부로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(실시예 3)
프탈산디옥틸을 30질량부로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(실시예 4)
프탈산디옥틸 대신에 프탈산디이소노닐을 5질량부 첨가한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(실시예 5)
프탈산디옥틸 대신 프탈산디부틸을 5질량부 첨가한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(실시예 6)
아세트산비닐을, 아세트산에틸 중에서 상법에 의해 중합시켜, 아세트산비닐 중합체(B)를 포함하는 용액(아세트산비닐 중합체 함유 용액 Ba)을 얻었다. 계속해서, 당해 아세트산비닐 중합체(B)(폴리아세트산비닐) 100질량부에 대해 프탈산디옥틸을 5질량부와, 방사선 경화제로서 상품명「UV3000」(일본 합성 화학 공업 주식회사제)을 30질량부와, 광중합 개시제로서 상품명「이르가큐어 651」(BASF사제)을 2.5질량부와, 가교제로서 폴리이소시아네이트계 화합물(상품명「코로네이트 L」, 일본 폴리우레탄 공업 주식회사제)을 1질량부를 첨가하여, 자외선 경화형 아세트산비닐계 점착제 용액 X2를 얻었다.
그 후, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 기재 수지 필름에 자외선 경화형 점착제층을 형성하고, 자외선 경화형 점착제층의 표면에 세퍼레이터를 접합하여, 실시예 6에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(실시예 7)
모노머 성분으로서, 아크릴산2-에틸헥실과 2-히드록시에틸아크릴레이트를 질량비 8:2의 비율로, 아세트산에틸 중에서 공중합시켜, 주쇄에 대해 수산기가 결합된 아크릴 중합체(A)를 포함하는 용액(아크릴 공중합체 함유 용액 Ab)을 얻었다. 이어서, 상기 아크릴 공중합체 함유 용액 Ab에, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 갖는 화합물로서 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 또한, 촉매로서 디라우르산디부틸주석을 첨가하여, 50℃에서 24시간 반응시켜, 측쇄의 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머(A2)를 포함하는 용액(아크릴 공중합체 함유 용액 A2b)을 얻었다. 이 측쇄의 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머(A2)의 수산기값을 JIS K 0070에 기재된 피리딘-무수아세트산에 의한 아세틸화법에 의해 측정한 바, 9.8㎎KOH/g이었다. 계속해서, 상기 측쇄의 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머(A2) 100질량부에 대해 프탈산디옥틸을 5질량부와, 광중합 개시제로서 상품명「이르가큐어 651」(BASF사제)을 2.5질량부와, 폴리이소시아네이트계 화합물(상품명「코로네이트 L」, 일본 폴리우레탄 공업 주식회사제)을 1질량부를 첨가하여, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 용액 X3을 얻었다.
기재 수지 필름으로서, 한쪽 면에 코로나 방전 처리가 실시된 저밀도 폴리에틸렌제 필름(두께:100㎛)을 사용하고, 코로나 방전 처리면에, 상기 자외선 경화형 아크릴계 점착제 용액 X3을 도포하고, 80℃에서 10분간 가열하여, 가열 가교시켰다. 이에 의해, 기재 수지 필름 상에, 방사선 경화형의 점착제층으로서의 자외선 경화형 점착제층(두께:10㎛)을 형성하였다. 이어서, 이 자외선 경화형 점착제층의 표면에 세퍼레이터를 접합하여, 실시예 7에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(비교예 1)
프탈산디옥틸을 첨가하지 않는 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(비교예 2)
프탈산디옥틸을 0.45질량부로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(비교예 3)
프탈산디옥틸을 35질량부로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(비교예 4)
프탈산디옥틸을 첨가하지 않는 것 외에는 실시예 6과 마찬가지로 하여, 비교예 4에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
(비교예 5)
프탈산디옥틸을 첨가하지 않는 것 외에는 실시예 7과 마찬가지로 하여, 비교예 5에 따른 자외선 경화형의 다이싱 테이프를 제작하였다.
<상용성>
실시예 1∼7 및 비교예 2, 3의 작성 시에 배합한 각 자외선 경화형 아크릴계 점착제 용액에 대해, 프탈산에스테르의 상용성을 육안으로 평가하였다. 10시간 경과 후에도 투명한 상태를 유지하고 있었던 것을 ◎, 7시간 경과 후에 불투명했던 것을 ○, 3시간 경과 후에 불투명했던 것을 △, 1시간 경과 후에 불투명했던 것을 ×로 하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다.
<박리력>
(1) 방사선 경화 전 박리력
실시예 1∼7 및 비교예 1∼5에서 얻어진 다이싱 테이프에 대해, 23℃, 50％ RH의 조건하에서, ＃2000으로 연마된 실리콘 웨이퍼의 미러면에 부착하였다. 23℃, 50％ RH의 조건하에서 1시간 경과 후, 점착제층을 방사선 경화시키기 전의 박리력(대 실리콘 미러면, 박리 각도:90°, 인장 속도:50㎜/min, 23℃, 50％ RH)을 측정하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다. 또한, 각종 박리력은 JIS Z 0237에 준거하여 측정하였다.
(2) 방사선 경화 후 박리력
실시예 1∼7 및 비교예 1∼5에서 얻어진 다이싱 테이프에 대해, 23℃, 50％ RH의 조건하에서, ＃2000으로 연마된 실리콘 웨이퍼의 미러면에 부착하였다. 23℃, 50％ RH의 조건하에서 1시간 경과 후, 다이싱 테이프 이면으로부터 자외선을 200mJ/㎠로 조사하고, 점착제층을 방사선 경화시킨 후의 박리력(대 실리콘 미러면, 박리 각도:90°, 인장 속도:50㎜/min 및 1000㎜/min으로 각각, 23℃, 50％ RH)을 측정하였다. 또한, 상기 인장 속도 1000㎜/min에서의 박리력 (ii)의 인장 속도 50㎜/min에서의 박리력 (i)에 대한 비[(ii)/(i)]를 각각 산출하였다. 이 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다.
<픽업성>
실시예 1∼7 및 비교예 1∼5에서 얻어진 다이싱 테이프에 대해, 이하의 수순에 따라서 시험을 행하고, 픽업성에 대해 평가하였다.
(1) 8인치의 실리콘 웨이퍼의 이면을 2축에서 30㎛ 연삭 후, 실리콘 웨이퍼의 최종 두께가 50㎛ 또는 300㎛로 될 때까지 연삭하였다. 연마 조건은 하기와 같다.
(연마 조건)
그라인더:주식회사 디스코(DISCO)제, 상품명「DFG-840」
1축:＃600 지석(회전수:4800rpm, 다운 스피드:P1:3.0㎛/sec, P2:2.0㎛/sec)
2축:＃2000 지석(회전수:5500rpm, 다운 스피드:P1:0.8㎛/sec, P2:0.6㎛/sec)
(2) (1)의 연삭 종료 후 5분 이내에, 각 예의 다이싱 테이프를, 상기 (1)에서 얻어진 반도체 웨이퍼의 연삭면에 접착함과 함께, 링 프레임에 고정하였다.
(3) (2)에서 링 프레임에 고정된 반도체 웨이퍼를, 다이싱 장치를 사용하여, 하기의 다이싱 조건으로, 설정한 분할 예정 라인을 따라 풀컷하였다.
(다이싱 조건 1:실리콘 웨이퍼 300㎛ 두께)
다이서:주식회사 디스코제, 상품명「DFD-340」
블레이드:주식회사 디스코제, 상품명「27HEEE」
블레이드 회전수:40000rpm
다이싱 속도:100㎜/sec
다이싱 깊이:25㎛
커트 모드:다운 커트
다이싱 사이즈:5.0×5.0㎜
(다이싱 조건 2:실리콘 웨이퍼 50㎛ 두께)
다이서:주식회사 디스코제, 상품명「DFD-340」
블레이드:주식회사 디스코제, 상품명「27HECC」
블레이드 회전수:40000rpm
다이싱 속도:100㎜/sec
다이싱 깊이:25㎛
커트 모드:다운 커트
다이싱 사이즈:15.0×10.0㎜
(4) 다이싱 테이프를 접착하고 나서 7일간 경과한 후, 다이싱 테이프의 기재 수지 필름측으로부터, 자외선을 200mJ/㎠로 조사하여 점착제층을 경화시킨 후, 개편화된 반도체 칩을, 다이 피커 장치를 사용하여, 픽업하였다. 임의의 반도체 칩 50개를, 하기의 픽업 조건으로 픽업하고, 칩 균열이나 칩 비산이 발생하지 않고 픽업이 성공한 반도체 칩수를 카운트하여, 픽업 성공률을 평가하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다. 또한, 픽업 성공률이 90％ 이상인 것을 합격으로 판정할 수 있다.
(픽업 조건 1:실리콘 웨이퍼 300㎛ 두께)
다이 본더:캐논 머시너리 주식회사제「CAP-300II」
핀수:4개
핀의 간격:3.8×3.8㎜
핀 선단 곡률:0.25㎜
핀 밀어올림량:0.40㎜
핀 밀어올림 속도:50㎜/min
핀 밀어올림 보유 지지 시간:1000ms
(픽업 조건 2:실리콘 웨이퍼 50㎛ 두께)
다이 본더:캐논 머시너리 주식회사제「CAP-300II」
핀수:4개
핀의 간격:7.8×7.8㎜
핀 선단 곡률:0.25㎜
핀 밀어올림량:0.40㎜
핀 밀어올림 속도:800㎜/min
핀 밀어올림 보유 지지 시간:100ms
<웨이퍼 표면 오염성>
상기 픽업된 칩의 다이싱 테이프와 접합되어 있었던 면을 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy, X선 광전자 분광 분석)에 의해 하기 측정 조건으로 측정하고, 다이싱 테이프로부터의 오염물에서 유래되는 탄소의 증가량을, 다이싱 테이프와 접합하고 있지 않은 웨이퍼와 비교하여, mol％로서 산출하였다. 그 결과를 표 1 및 표 2에 나타내었다. 탄소의 증가량이 5mol％ 미만을 우량품으로 하여 ◎, 5∼10mol％ 미만을 양품으로 하여 ○, 10∼30mol％ 미만을 허용품으로 하여 △, 30mol％ 이상을 불량품으로 하여 ×로 나타내었다.
(측정 조건)
X선원:MgKα
X선:Take off angle 45°
측정 면적:1.1㎜Φ
Figure 112014068069165-pct00001
Figure 112014068069165-pct00002
표 1에 나타낸 바와 같이, 23℃, 50％ RH의 조건하에서, 박리 각도 90도, 박리 속도 50㎜/min에 있어서의, ＃2000으로 연마된 실리콘 미러 웨이퍼와의 박리력이, 상기 점착제층을 방사선 경화시키기 전에는 0.5N/25㎜ 이상이며, 상기 점착제층을 방사선 경화시킨 후에는 0.05∼0.4N/25㎜이며, 또한, 상기 점착제층을 방사선 경화시킨 후의, 23℃, 50％ RH의 조건하에서, 박리 각도 90도에 있어서의, ＃2000으로 연마된 실리콘 미러 웨이퍼와의 박리력에 대해, 박리 속도 50㎜/min에서의 박리력을 (i), 1000㎜/min에서의 박리력을 (ii)로 하였을 때, (ii)/(i)가 1 이하인 실시예 1∼7의 다이싱 테이프에서는, 픽업성이 픽업 조건 1, 2 모두 양호한 결과로 되었다. 즉, 박형의 반도체 칩을 칩 균열이나 칩 비산을 양호하게 억제하여, 단시간에 효율적으로 픽업할 수 있었다.
이에 대해, 표 2에 나타낸 바와 같이, 상기 (ii)/(i)가 1을 초과하는 비교예 1, 2, 4, 5의 다이싱 테이프에서는, 픽업 조건 1에서는 픽업성이 양호한 결과로 되었지만, 픽업 조건 2에서는 픽업성이 나쁜 결과로 되었다. 즉, 종래의 두께의 반도체 칩은 문제없이 픽업할 수 있지만, 박형의 반도체 칩은, 빠른 밀어올림 속도로 핀을 밀어올려 픽업을 행하면 점착제층과 반도체 칩과의 사이의 박리력이 커져, 칩 균열이 발생하는 결과로 되었다. 또한, 상기 (ii)/(i)가 1 이하이지만, 상기 박리 속도 50㎜/min에 있어서의, 점착제층을 방사선 경화시키기 전의 박리력이 0.5N/25㎜ 미만이고, 점착제층을 방사선 경화시킨 후의 박리력이 0.05N/25㎜ 미만인 비교예 3에서는, 픽업 조건 1, 2 모두 픽업 시에 칩 균열은 발생하지 않지만, 픽업 시에 인접하는 칩이 비산되어 버리는 칩 비산이 많이 발생하였기 때문에, 픽업성이 나쁜 결과로 되었다.
또한, 프탈산에스테르류를 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대해 30질량부보다 많이 포함하는 비교예 3에서는, 점착제와의 상용성이 나쁘고, 첨가량이 0.5∼30질량부인 경우에 비해, 웨이퍼 오염성이 약간 뒤떨어지는 결과로 되었다. 또한, 프탈산디이소노닐을 첨가한 실시예 4에서는, 다른 프탈산에스테르류를 첨가한 경우와 비교하여 상용성이 뒤떨어지는 결과로 되었지만, 실제 사용상의 문제는 없었다. 물에의 용해성이 0.1㎎/L을 초과하는 프탈산디부틸을 첨가한 실시예 5에서는, 다이싱 시의 절삭수에 프탈산디부틸이 용해되어 웨이퍼 표면 오염성이 악화되었지만, 허용 범위이었다.
1 : 다이싱 테이프
2 : 기재 수지 필름
3 : 점착제층
4 : 세퍼레이터
6 : 반도체 웨이퍼
10 : 반도체 칩

Claims (2)

  1. 기재(基材) 수지 필름의 적어도 한측에 방사선 경화성의 점착제층을 갖고, 상기 점착제층에 웨이퍼를 접합하여 상기 웨이퍼를 다이싱하는 다이싱 테이프로서,
    상기 점착제층은, 아크릴 중합체, 아세트산비닐 중합체 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 폴리머 100질량부에 대해, 프탈산에스테르류를 0.5∼30질량부 포함하고,
    23℃, 50％ RH의 조건하에서, 박리 각도 90도, 박리 속도 50㎜/min에 있어서의, ＃2000으로 연마된 실리콘 미러 웨이퍼와의 박리력이, 상기 점착제층을 방사선 경화시키기 전에는 0.5N/25㎜ 이상이며, 상기 점착제층을 방사선 경화시킨 후에는 0.05∼0.4N/25㎜이고,
    또한, 상기 점착제층을 방사선 경화시킨 후의, 23℃, 50％ RH의 조건하에서, 박리 각도 90도에 있어서의, ＃2000으로 연마된 실리콘 미러 웨이퍼와의 박리력에 대해, 박리 속도 50㎜/min에서의 박리력을 (i), 1000㎜/min에서의 박리력을 (ii)로 하였을 때, (ii)/(i)가 1 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프탈산에스테르류의 물에의 용해도가, 0.1㎎/L 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.
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