KR101409036B1 - 미세구조체의 제조방법 - Google Patents

미세구조체의 제조방법 Download PDF

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파 이스턴 뉴 센츄리 코포레이션
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Abstract

본 발명의 미세구조체의 제조방법은,
(a) 70 내지 700g/mol의 광경화성 작용기 당량을 갖는 하나 이상의 광경화성 화합물을 포함하는 광경화성 층(22)을 기판(21) 상에 형성하는 단계;
(b) 상기 광경화성 층(22)을, 패턴화된 마스크(31)로 부분적으로 덮는 단계;
(c) 제 1 광원(11)을 사용하여 상기 패턴화된 마스크(31)를 통해 상기 광경화성 층(22)을 노출시켜, 상기 광경화성 층(22)이 노출된 제 1 영역(221)에서 경화되도록 하는 단계;
(d) 상기 패턴화된 마스크(31)를 제거하는 단계; 및
(e) 상기 광경화성 층(22)에 제 2 광원(12)을 조사하여, 경화되지 않았던 광경화성 층(22)의 제 2 영역(222)을 경화시키는 단계
를 포함한다. 제 1 영역(221)과 제 2 영역(222)이 상이한 표면 높이를 가져서 미세구조체를 위한 표면 조도를 제공한다.

Description

미세구조체의 제조방법{METHOD FOR FORMING A MICROSTRUCTURE}
본 발명은 미세구조체의 제조방법, 보다 구체적으로, 미세구조체를 갖는 표면과 접촉하는 임의의 기계적 또는 화학적 수단을 사용하지 않으면서 미세구조체를 갖는 표면을 형성하는 방법에 관한 것이다.
미세구조체는 광전자 소자, 예를 들어 디스플레이, 터치 패널, 센서, 전자 종이, 광학 소자, 집적 회로 소자 등에서 발견될 수 있다.
요즘, 미세구조체는, 포토리쏘그래피 에칭, 핫 엠보싱(hot embossing), 또는 기계적 가공을 사용하여 표면을 처리함으로써 형성될 수 있다. 통상적인 방법은 각각 상기 표면을 접촉하는 기계적 또는 화학적 수단을 사용하는 표면 처리를 포함한다.
예를 들어, 미국특허 제 6,036,579 호에서 개시된 바와 같이 포토리쏘그래피 에칭법(화학적 수단을 포함함)을 사용하는 경우, 미세구조체를 형성하기 위해 사용된 에칭제(etchant)는 비싸고 환경 오염을 유발할 수 있다.
타이완 특허 제 I222925 호에서 개시한 바와 같이 핫 엠보싱법(기계적 수단을 포함함)을 사용하는 경우, 미세구조체를 갖도록 형성될 표면에 적용되는 엠보싱력(embossing force)의 불규칙성으로 인하여 미세구조체의 정밀성 및 조도는 불리하게 영향을 받을 수 있다. 따라서, 이러한 방법의 수율은 비교적 불량할 수 있다.
기계적 가공법(기계적 수단을 포함함)을 수행하기 위해서 도구, 예를 들어 커터(cutter)를 사용하는 경우, 상기 도구의 변형으로 인하여 수율이 감소될 수 있다. 그 외에도, 이러한 방법에 의해 형성되는 미세구조체는 그 위에 잔류물을 남길 수 있다.
그러므로, 본 발명의 목적은 종래 기술과 관련된 전술한 단점을 극복할 수 있는 미세구조체의 제조방법을 제공하는 것이다.
따라서, 본 발명의 미세구조체의 제조방법은,
(a) 복수개의 광경화성 작용기 및 70 내지 700g/mol 범위의 광경화성 작용기 당량을 갖는 하나 이상의 광경화성 화합물을 포함하는 광경화성 층을 기판에 형성하는 단계;
(b) 상기 광경화성 층을, 패턴화된 마스크를 사용하여 부분적으로 덮는 단계;
(c) 제 1 광원을 사용하여 상기 패턴화된 마스크를 통해 상기 광경화성 층을 노출시켜, 상기 광경화성 층을 노출된 제 1 영역에서 경화시키는 단계;
(d) 상기 패턴화된 마스크를 제거하는 단계; 및
(e) 상기 광경화성 층을 제 2 광원을 사용하여 조사하여, 경화되지 않았던 광경화성 층의 제 2 영역을 경화시키는 단계
를 포함하되, 여기서 제 1 영역과 제 2 영역은 상이한 표면 높이를 가져서 미세구조체를 위한 표면 조도를 제공한다.
광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 본 발명에 따라 제한된 범위에 속하면, 광경화성 층의 두께를 조절함으로써 미세구조체의 Rz값이 제어될 수 있다.
본 발명의 다른 특징부 및 장점은, 첨부된 도면을 참고하면서 본 발명의 바람직한 실시양태에 대한 후술하는 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다:
도 1 내지 5는 본 발명의 바람직한 실시양태에 따라 미세구조체를 형성하는 방법의 연속적인 단계들을 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 1 내지 도 5를 보면, 본 발명의 미세구조체의 제조방법의 바람직한 실시양태는,
(1) 기판(21)을, 하나 이상의 광경화성 화합물 및 용매를 포함하는 페이스트로 코팅하여 페이스트 층을 형성하는 단계(도시하지 않음);
(2) 상기 페이스트 층을 건조시켜 상기 페이스트 층으로부터 용매를 제거하고 광경화성 층(22)을 상기 기판(21)에 형성하는 단계(도 1 참조);
(3) 상기 광경화성 층(22)을, 패턴화된 마스크(31)로 부분적으로 덮는 단계;
(4) 제 1 광원(11)을 사용하여 상기 패턴화된 마스크(31)를 통해 상기 광경화성 층(22)을 노출시켜, 상기 광경화성 층(22)을 노출된 제 1 영역(221)에서 경화시키는(즉, 가교-결합되는) 단계(도 2 및 도 3 참조);
(5) 상기 패턴화된 마스크(31)를 제거하는 단계(도 4 참조); 및
(6) 상기 광경화성 층(22)에 제 2 광원(12)을 조사하여, 상기 단계 (4)에서 경화되지 않았던 광경화성 층(22)의 제 2 영역(222)을 경화시키는 단계(도 4 및 도 5 참조)
를 포함한다.
제 1 영역(221) 및 제 2 영역(222)은 상이한 표면 높이를 가져서 미세구조체를 위한 표면 조도(Rz)를 제공한다.
상기 단계 (1)에서, 기판(21) 위에 페이스트를 코팅하는 방법은, 스핀 코팅, 바 코팅, 침지 코팅, 슬롯 다이 코팅, 또는 롤 투 롤 코팅(roll to roll coating) 등에 의해 수행될 수 있지만, 이로서 한정되는 것은 아니다.
상기 단계 (4)에서, 광경화성 층(22)이 제 1 광원(11)에 패턴화된 마스크(31)를 통해 노출되는 경우(도 2 참조), 광경화성 층(22)의 제 1 영역(221)은 감소된 농도의 비반응된 광경화성 화합물을 갖는다. 따라서, 광경화성 층(22)의 제 2 영역(222)에서의 비반응된 광경화성 화합물은 비교적 높은 농도이다. 물질은 높은 농도의 영역으로부터 낮은 농도의 영역으로 확산되기 때문에, 제 2 영역(222)의 비반응된 광경화성 화합물은 노출된 제 1 영역(221)을 향하도록 유동한다. 도 3에서 도시되는 바와 같이, 상기 (4) 단계 후에, 광경화성 층(22)은 제 1 영역(221)에서는 돌출되고, 제 2 영역(222)에서 오목화된다(indented).
패턴화된 마스크(31)의 재료는, 패턴화된 마스크(31)가 제 1 광원(11)으로부터의 광을 통과하기 위한 하나 이상의 광-투과성 영역, 및 제 1 광원(11)으로부터의 광을 차단, 흡수 또는 반사하기 위한 하나 이상의 광-불투과성 영역을 갖는 한, 제한되지 않는다.
상기 단계 (3)에서, 패턴화된 마스크(31)는 광경화성 층(2) 위나 기판(21) 밑에 배치되어, 광경화성 층(22)을 부분적으로 덮을 수 있다. 패턴화된 마스크(32)가 기판(21) 밑에 배치되는 경우, 기판(21)은, 제 1 광원(11)으로부터의 광이 순차적으로 패턴화된 마스크(31) 및 기판(21)을 통과하여 광경화성 층(22)을 노출시키도록, 광-투과성이어야만 한다. 바람직하게, 광경화성 화합물은, 광경화성이기만 하다면 제한되지 않는 복수개의 광경화성 작용기를 갖는다. 광경화성 작용기의 예로는, 알케닐 기, 에폭시 기 등을 포함한다. 알케닐 기가 포함되는 경우, 광경화성 화합물은, 아크릴계 화합물, 비닐기를 포함하는 에터계 화합물, 스티렌계 화합물, 티올렌계 화합물 등을 들 수 있지만, 이로서 한정하는 것은 아니다.
광경화성 화합물은 단량체, 올리고머, 또는 이들의 조합일 수 있다. 광경화성 화합물의 분자량은, 광경화성 화합물이 70g/mol 이상의 광경화성 작용기 당량을 갖는 한, 제한되지 않는다.
광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량은, 광경화성 작용기의 수로 나눈 광경화성 화합물의 분자량으로 정의된다. 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 작을수록, 광경화성 층(22)의 경화는 보다 활성화될 것이고, 따라서 제 2 영역(222)내 비반응된 광경화성 화합물은 제 1 영역(221)을 향해 보다 빠르게 유동한다. 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량은 바람직하게는 70 내지 700g/mol, 보다 바람직하게는 80 내지 600g/mol, 가장 바람직하게는 85 내지 400g/mol이다.
상기 단계 (6) 이후에, 미세구조체의 표면 조도(Rz)는, 탐침 표면 조도계(probing surface roughnessmeter; 고사카 래보러토리 리미티드(KOSAKA Laboratory Ltd.)에서 일본 모델 제 ET4000A 호로서 시판됨)를 사용하여 경화된 제 1 영역(221) 및 제 2 영역(222) 중 2개의 인접한 것들 중 표면 높이 차이(도 5 참조) 중 10개 지점의 평균 값으로 측정된다. 실제 요구에 기초하여, 본 발명의 미세구조체의 표면 조도(Rz)는 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량 및 제 1 광원(11)의 노출량에 의해 조절될 수 있다. 바람직하게, 미세구조체의 표면 조도(Rz)는 0.05㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.15㎛ 내지 8㎛, 가장 바람직하게는 0.2㎛ 내지 7㎛이다.
바람직하게, 단계 (2)에서, 광경화성 층(22)은 추가로 광개시제를 포함한다(즉, 페이스트는 광개시제도 포함한다).
용매는 광경화성 화합물 및 광개시제를 충분히 용해시킬 수 있는 임의의 것일 수 있고, 알콜, 케톤, 에스터, 할로겐화된 용매, 탄화수소 등으로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 아세톤, 아세토니트릴, 클로로포름, 클로로페놀, 사이클로헥산, 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 다이클로로메탄, 다이에틸 아세테이트, 다이메틸 카보네이트, 에탄올, 에틸 아세테이트, N,N-다이메틸 아세트아마이드, 1,2-프로판다이올, 2-헥사논, 메타놀, 메틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 톨루엔, 테트라하이드로푸란 등 중에서 선택될 수 있다.
상기 페이스트에서 사용되는 광개시제는, 광경화성 화합물의 광경화 반응을 용이하게 할 수 있는 임의의 것일 수 있고, 비닐 페논 유도체, 벤조페논 유도체, 마이클러스(Michler's) 케톤, 벤진, 벤질 유도체, 벤조인 유도체, 벤조인 메틸 에터 유도체, α-아실옥시 에스터, 티오크산톤 유도체, 및 안트라퀴논 유도체로 구성된 군 중에서 선택될 수 있다. 페이스트에서 사용되는 광개시제의 양은 제한되지 않고, 바람직하게는 광경화성 화합물의 총 중량을 기준으로 0.01중량% 이상이다.
바람직하게, 제 1 광원(11)은 UV 광, 가시광, 전자 빔, 또는 X-선일 수 있고, UV 광이 보다 바람직하다. 제 1 광원(11)의 노출량은 제한되지 않는다. 일반적으로, 노출량이 높을수록, 미세구조체의 형성은 보다 우수할 것이다. 그러나, 높은 노출량은 비교적 높은 에너지 소비 및 비용을 유발한다. 노출량이 너무 작으면, 광경화성 화합물의 경화 시간은 비교적 길다. 비용 및 경화 시간을 고려하면, 제 1 광원(11)의 노출량은 바람직하게는 70mJ/㎠ 이상, 보다 바람직하게는 100mJ/㎠ 내지 650mJ/㎠이다. 추가로, 제 2 광원(12)은 UV광, 가시광, 전자 빔, 또는 X-선일 수 있고, UV 광이 보다 바람직하다. 제 2 광원(12)의 노출량은, 광경화성 층(22)(특히, 제 2 영역(222))이 완전히 경화될 수 있다면, 제한되지 않는다. 그 외에도, 제 1 광원(11) 및 제 2 광원(12)은 동일하거나 상이할 수 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 하기에서 보다 상세하게 설명된다. 이러한 실시예는 단지 설명하기 위한 것이며 본 발명의 범주를 한정하기 위한 것이 아님에 주목해야만 한다.
<실시예 1>
88g/mol의 광경화성 작용기 당량을 갖는 아크릴계 광경화성 화합물(펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 교에이샤 케미칼 캄파니 리미티드(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)에서 시판중임; 상품명: PE4A), 0.4g을, 톨루엔 0.6g과 광개시제(시바(Ciba)에서 시판중임, 상품명: I-184) 0.02g과 혼합하여, 고체 함량이 40%인 페이스트(1.02g)를 수득하였다. 특히, PE4A의 광경화성 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:
[화학식 1]
Figure 112011086958169-pat00001
이 페이스트를 폴리에스터계 기판(토요보 캄파니 리미티드(Toyobo Co., Ltd.에서 시판중임); 상품명: A4300, 5㎝×5㎝×100㎛)에 적가하고, 40초 동안 500rpm의 속도로 스핀 코팅을 사용하여 기판 상에 상기 페이스트를 고르게 분포시켰다. 그다음, 페이스트로 코팅된 기판을 80℃로 유지된 오븐에 3분 동안 배치하여 용매(즉, 톨루엔)를 제거하고, 그다음 100℃로 유지된 또다른 오븐으로 옮겨서 2분 동안 어닐링시키고, 그다음 상온으로 냉각시켜, 기판 상에 4.65㎛의 두께를 갖는 광경화성 층을 형성하였다. 줄 간격이 110㎛이고 줄 폭이 110㎛인 패턴화된 마스크를 광경화성 층 위에 배치하였다. 광경화성 층을, 질소 분위기하에서 UV 노출 기기(UV 퓨젼(US Fusion)에서 시판중임)를 사용하여 650mJ/㎠의 노출량을 갖는 제 1 UV 광원(제 1 광원(11))에 노출시켰다. 그 이후에, 광경화성 층의 노출된 제 1 영역은 경화된 돌출 영역으로서 형성되고, 미노출된 제 2 영역은 비경화된 오목 영역으로서 형성된다. 패턴화된 마스크를 제거한 후, 광경화성 층을, 질소 분위기하에서 450mJ/㎠의 투여량을 갖는 제 2 UV 광원(제 2 광원(12))에 추가로 노출시킨다. 제 1 및 제 2 영역이 모두 경화되어 상이한 표면 높이를 갖도록 경화되어 미세구조체가 수득된다. 탐침 표면 조도계(고사카 래보러토리 리미티드에서 시판중임; 모델 제 ET4000A 호)를 사용하여 측정된 미세구조체의 표면 조도(Rz)는 3.56㎛였다.
<실시예 2 내지 5 및 비교예 1(CE1)>
실시예 2 내지 5 및 비교예 1에서, 미세구조체는, 실시예 2 내지 5 및 비교예 1의 광경화성 층에서, 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 상이한 점을 제외하고는, 실시예 1에서 사용한 절차에 따라 준비하고 평가하였다. 실시예 2 내지 5에서 사용된 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량은 각각 96.3g/mol(코그니스(Cognis)에서 시판중임; 상품명: 4600), 99.3g/mol(사토머(Sartomer)에서 시판중임; 상품명: SR444), 132g/mol(코그니스에서 시판중임; 상품명: 4172F), 및 400g/mol(사토머에서 시판중임; 상품명: CN9006)이다. 비교예 1에서 사용된 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량은 750g/mol(더블 본드 케미칼 인더스트리 캄파니 리미티드(Double Bond Chemical Ind., Co., Ltd.,)에서 시판중임; 상품명: 더블머(DOUBLEMER; 등록상표) 176-TF, 아크릴계 중합체)이다. 실시예 2 내지 5 및 비교예 1 각각의 미세구조체의 표면 조도(Rz)의 결과를 하기 표 1에 기록하였다.
4600, SR444, 4172F의 광경화성 화합물은 각각 하기 화학식 2, 화학식 3 및 화학식 4로 표현된다:
[화학식 2]
Figure 112011086958169-pat00002
[화학식 3]
Figure 112011086958169-pat00003
[화학식 4]
Figure 112011086958169-pat00004
<실시예 6과 7, 및 비교예 2(CE2)>
실시예 6과 7, 및 비교예 2에서, 미세구조체는, 실시예 6과 7, 및 비교예 2의 제 1 광원(11)의 적용된 노출량이 표 1에 제시된 것임을 제외하고는, 실시예 1에서 사용한 절차에 따라 준비하고 평가하였다. 실시예 6과 7, 및 비교예 2의 각각의 미세구조체의 표면 조도(Rz)의 결과를 하기 표 1에 기록하였다.
<실시예 8>
실시예 8에서, 미세구조체는, (1) 800rpm의 속도로 스핀 코팅을 사용하여 40초 동안 기판 위에 페이스트를 고르게 분포시키는 점; 및 (2) 상기 기판 위에 9.01㎛의 두께를 갖도록 광경화성 층이 형성된 점을 제외하고는, 실시예 3에서 사용된 절차에 따라 준비하고 평가하였다. 실시예 8의 각각의 미세구조체의 표면 조도(Rz)의 결과를 하기 표 1에 기록하였다. 광경화성 층의 두께는 스핀 코팅의 속도에 의해 주로 제어되었다.
<실시예 9>
실시예 9에서, 미세구조체는, (1) 500rpm의 속도로 스핀 코팅을 사용하여 30초 동안 기판 위에 페이스트를 고르게 분포시키는 점; 및 (2) 상기 기판 위에 5.2㎛의 두께를 갖도록 광경화성 층이 형성된 점을 제외하고는, 실시예 3에서 사용한 절차에 따라 준비하고 평가하였다.
<실시예 10>
실시예 10에서, 미세구조체는, (1) 500rpm의 속도로 스핀 코팅을 사용하여 30초 동안 기판 위에 페이스트를 고르게 분포시키는 점; 및 (2) 상기 기판 위에 5.3㎛의 두께를 갖도록 광경화성 층이 형성된 점을 제외하고는, 실시예 1에서 사용한 절차에 따라 준비하고 평가하였다.
[표 1]
Figure 112011086958169-pat00005
* "당량"이란, 광경화성 층 내 광경화성 화합물의 광경화성 작용기의 당량(단위: g/mol)을 의미한다.
* "두께"란, 비경화된 광경화성 층의 두께를 의미한다.
* "제 1 노출량"이란, 제 1 광원의 노출량을 의미한다.
* "제 2 노출량"이란, 제 2 광원의 노출량을 의미한다.
표 1에 나타낸 실시예 2 내지 5 및 비교예 1에 따르면, 제 1 광원(11) 및 제 2 광원(12)의 동일한 노출량 및 비경화된 광경화성 층의 유사한 두께에서, 광경화성 층 내 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 낮을수록, Rz 값은 증가할 것이다. 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 700g/mol보다 큰 경우(비교예 1 참조), 미세구조체의 표면 조도(Rz)는 0.05㎛ 정도로 낮다. 이러한 낮은 Rz 값은, 제 1 광원(11)의 조사 동안 광경화성 층(22)의 제 2 영역(222)으로부터 제 1 영역(221)로의 불충분한 유동으로부터 유래할 것이다.
그 외에도, 표 1에서 나타낸 실시예 1, 6과 7, 및 비교예 2의 결과에 따르면, 제 2 광원(12)의 동일한 노출량, 광경화성 층(22)의 광경화성 화합물의 동일한 광경화성 작용기 당량, 광경화성 층(22) 내 광경화성 화합물의 동일한 광경화성 작용기의 당량 및 비경화된 광경화성 층의 동일한 두께에서, 제 1 광원(11)의 노출량이 클수록, Rz 값은 커질 것이다. 제 1 광원(11)의 노출량이 70mJ/㎠보다 낮은 경우(비교예 2 참조), 제 1 영역(221)이 비교적 낮은 속도로 경화되기 때문에, 제 2 영역(222)의 비반응된 광경화성 화합물은 제 1 영역(221)으로 보다 느리게 유동한다. 따라서, 미세구조체의 표면 조도(Rz)는 0.05㎛ 정도로 낮다.
표 1에 나타낸 실시예 1 및 10의 결과 및 실시예 3, 8 및 9에 따르면, 제 1 광원(11) 및 제 2 광원(12)의 동일한 노출량 및 광경화성 층(22)의 광경화성 화합물의 동일한 광경화성 작용기 당량하에서, 비경화된 광경화성 층의 두께가 두꺼울수록, Rz 값은 커질 것이다.
따라서, 본 발명의 방법에 따르면, 광경화성 층(22)에서 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량, 및 제 1 광원(11)의 노출량을 제어함으로써 목적하는 Rz값을 갖는 미세구조체가 달성될 수 있음이 입증되었다.
그 외에도, 광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 본 발명에 따라 제한된 범위에 속하면, 미세구조체의 Rz값이 광경화성 층의 두께를 조절함으로써 제어될 수 있다. Rz값은, 광경화성 층의 두께가 증가함에 따라 증가할 수 있다. 이는, 광경화성 층이 큰 두께를 갖는 경우, 보다 다량의 비경화된 광경화성 화합물이 노출된 제 1 영역(221)을 향해 유동하여(도 3 참조) 표면 돌출부를 형성할 수 있기 때문이다.
본 발명은 가장 실용적이고 바람직한 실시양태로 고려된 것과 관련하여 기술하고 있지만, 본 발명은 개시된 실시양태로 한정되는 것이 아니라, 가장 넓은 해석의 진의 및 범주에 포함된 다양한 배열 및 그와 동등한 배열을 포괄하는 것으로 의도된다.

Claims (18)

  1. (a) 하나 이상의 광경화성 화합물로 이루어지고, 복수개의 광경화성 분자를 갖는 광경화성 물질의 층(22)을 기판(21) 상에 형성하는 단계;
    (b) 복수개의 광-투과 영역 및 복수개의 광-불투과 영역을 갖는 패턴화된 마스크(31)를 제공하는 단계;
    (c) 광-투과 영역이 광경화성 물질층(22)의 제1 영역(221)에 위치하고, 광-불투과 영역이 광경화성 물질층(22)의 제2 영역(222)에 위치하도록 상기 패턴화된 마스크(31)를 상기 광경화성 물질층(22) 위에 배치시키는 단계;
    (d) 상기 패턴화된 마스크(31)의 광-투과 영역을 통해 상기 광경화성 물질 층(22)의 제1 영역에 제1 광원(11)을 조사하여 제1 영역(221)의 광경화성 분자를 가교-결합 반응시키고, 이에 따라 제1 영역(221)의 광경화성 분자가 감소된 농도를 갖고, 이로 인해 제2 영역(222)의 광경화성 분자가 제1 영역(221)으로 확산되어 제1 영역(221)의 프로파일을 증가시키는 단계;
    (e) 상기 패턴화된 마스크(31)를 제거하는 단계; 및
    (f) 상기 광경화성 물질 층(22)에 제 2 광원(12)을 조사하여, 제1 영역(221) 및 제2 영역(222)에 잔류하는 광경화성 분자를 가교-결합 반응시켜 표면조도(surface roughness)를 갖는 미세구조체를 수득하는 단계
    를 포함하는, 미세구조체의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 1 광원(11)이 UV 광, 가시광, 전자 빔, 또는 X-선인, 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    제 2 광원(12)이 UV 광, 가시광, 전자 빔, 또는 X-선인, 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 1 광원(11)이 UV광이고, 그의 노출량(exposure dosage)이 70mJ/㎠ 이상인, 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    광경화성 화합물이 복수개의 광경화성 작용기 및 70 내지 700g/eq의 광경화성 작용기 당량을 갖는, 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 85 내지 400g/eq인, 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    단계 (a)에서, 상기 광경화성 물질이 광개시제를 추가로 포함하는, 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    광경화성 물질 층(22)이, 광경화성 물질을 포함하는 페이스트로 기판(21)을 코팅함으로써 형성되는, 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    페이스트가 용매를 추가로 포함하는, 제조방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    광경화성 작용기가 알케닐 기 및 에폭시 기로 구성된 군 중에서 선택되는, 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    광개시제가, 비닐 페논 유도체, 벤조페논 유도체, 마이클러스(Michler's) 케톤, 벤진, 벤질 유도체, 벤조인 유도체, 벤조인 메틸 에터 유도체, α-아실옥시 에스터, 티오크산톤 유도체, 및 안트라퀴논 유도체로 구성된 군 중에서 선택되는, 제조방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    용매가, 아세톤, 아세토니트릴, 클로로포름, 클로로페놀, 사이클로헥산, 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 다이클로로메탄, 다이에틸 아세테이트, 다이메틸 카보네이트, 에탄올, 에틸 아세테이트, N,N-다이메틸 아세트아마이드, 1,2-프로판다이올, 2-헥사논, 메탄올, 메틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 톨루엔, 및 테트라하이드로푸란으로 구성된 군 중에서 선택되는, 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    표면 조도가 0.05㎛ 이상인, 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    표면 조도가 0.15㎛ 내지 8㎛인, 제조방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    표면 조도가 0.2㎛ 내지 7㎛인, 제조방법.
  16. 제 1 항의 방법에 따라 제조된 미세구조체.
  17. 제 5 항에 있어서,
    광경화성 화합물의 광경화성 작용기 당량이 80 내지 600g/eq인, 제조방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    복수개의 광-불투과성 영역이 광-투과성 영역과 교대로 나타나는, 제조방법.
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