KR101336089B1 - 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치 - Google Patents
표면 처리 방법 및 표면 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101336089B1 KR101336089B1 KR1020110049232A KR20110049232A KR101336089B1 KR 101336089 B1 KR101336089 B1 KR 101336089B1 KR 1020110049232 A KR1020110049232 A KR 1020110049232A KR 20110049232 A KR20110049232 A KR 20110049232A KR 101336089 B1 KR101336089 B1 KR 101336089B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- gas cluster
- nitrogen
- ion beam
- gas supply
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 173
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 91
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 43
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 21
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 16
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 54
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
기판 등의 표면의 평탄성을 향상시키는 표면 처리 방법을 제공한다. 질소를 포함하지 않는 원료의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 피처리 부재에 조사하는 제 1 처리 공정과, 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 상기 피처리 부재에 조사하는 제 2 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법을 제공함으로써 상기 과제를 해결한다.
Description
본 발명은 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치에 관한 것이다.
복수 개의 원자 등이 응집하여 이루어지는 가스 클러스터는 특이한 물리화학적 거동을 나타내어 넓은 분야에서의 이용이 검토되고 있다. 즉, 가스 클러스터로 이루어지는 클러스터 이온 빔은 종래 곤란했던 고체 표면으로부터 수 나노미터의 깊이의 영역에서 이온 주입, 표면 가공, 박막 형성을 행하는 프로세스에 적합하다.
이러한 가스 클러스터 발생 장치에서는 가압 가스의 공급을 받아 원자의 수가 수 100 ~ 수 1000이 되는 가스 클러스터를 발생시키는 것이 가능하다. 이와 같이 발생시킨 가스 클러스터는 기판 등의 표면의 평탄화에 현저한 효과를 발휘하는 점에서 다양한 검토가 이루어지고 있다.
그런데, 미세화 및 고정밀화의 요구는 더욱 높아지는 경향에 있고, 이에 수반하여 기판 등의 표면화도 더욱 평탄한 것이 요구되고 있다. 예를 들면, 산소 또는 육불화유황(SF6)의 가스 클러스터를 이용하여 기판 등의 표면의 평탄화를 행했을 경우, 산소 등의 가스 클러스터에 의한 평탄성에는 한계가 있다는 점에서 원하는 평탄성을 얻는 것은 곤란했다. 또한, 기판 등이 단단한(경도가 높은) 재료에 의해 형성되어 있을 경우, CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 의해 평탄화된 것의 표면에는 연마 흠집이 형성되는데, 이러한 연마 흠집을 없애고 더욱 평탄화하는 것은 용이하지 않았다.
본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 기판 등의 표면을 매우 높은 평탄성으로 평탄화할 수 있는 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명은, 질소를 포함하지 않는 원료의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 피처리 부재에 조사하는 제 1 처리 공정과, 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 상기 피처리 부재에 조사하는 제 2 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 피처리 부재는 CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 의한 평탄화 처리가 행해지고 있는 것인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 질소를 포함하지 않는 원료는, 아르곤, 산소, 이산화탄소, 물, 육불화유황, 삼불화질소, 크세논 중 어느 1 개 또는 2 이상의 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 제 2 처리 공정에서의 가스 클러스터에는, 상기 제 1 처리 공정에서의 원료의 가스 클러스터가 포함되지 않은 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 피처리 부재는, 실리콘카바이트, 실리콘, 석영, 글라스, 알루미나, 사파이어, 질화 갈륨, 갈륨 비소, 다이아몬드 라이크 카본, 탄화 붕소, 다결정 다이아몬드 중 어느 1 개 또는 2 이상의 것을 포함하는 것인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 제 2 처리 공정 후, 상기 질소의 가스 클러스터를 상기 제 2 처리 공정에서의 가속 전압보다 낮은 가속 전압으로 가속하고, 상기 피처리 부재에 조사하는 제 3 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 제 2 처리 공정 후, 상기 제 2 처리 공정에서의 가스 클러스터보다 큰 가스 클러스터를 상기 피처리 부재에 조사하는 제 3 처리 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 가스 클러스터를 생성하기 위한 노즐과, 상기 노즐에 상기 가스 클러스터의 원료가 되는 가스를 공급하는 원료 가스 공급부와, 상기 원료 가스 공급부로부터 공급되는 가스를 선택하고 제어하는 제어부를 가지고, 상기 원료 가스 공급부는, 질소를 포함하지 않는 원료를 공급하는 제 1 가스 공급원과, 질소를 공급하는 제 2 가스 공급원을 가지고, 상기 가스 클러스터를 피처리 부재에 조사하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판 등의 표면에서의 평탄성을 매우 높은 정밀도로 평탄화할 수 있는 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에서의 표면 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 3은 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM(Atomic Force Microscope)상이다.
도 4는 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM상이다.
도 5는 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM상이다.
도 6은 가스 클러스터에서의 감쇠상수 특성도이다.
도 7은 제 2 실시예에서의 표면 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 8은 제 2 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM상이다.
도 2는 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 3은 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM(Atomic Force Microscope)상이다.
도 4는 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM상이다.
도 5는 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM상이다.
도 6은 가스 클러스터에서의 감쇠상수 특성도이다.
도 7은 제 2 실시예에서의 표면 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 8은 제 2 실시예에서의 표면 처리 방법을 설명하는 AFM상이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 이하에 설명한다.
[제 1 실시예]
(표면 처리 장치)
먼저, 본 실시예에서의 기판 처리 방법에 이용되는 표면 처리 장치에 대하여 설명한다. 이 표면 처리 장치는 가스 클러스터 이온 빔 조사(照射) 장치이며, 기판 등의 표면에 가스 클러스터 빔을 조사하는 것이 가능한 장치이다.
도 1에는 가스 클러스터 빔 조사 장치의 구성을 도시한다. 이 가스 클러스터 빔 조사 장치(10)는 노즐 챔버(20)와 소스 챔버(30)와 메인 챔버(40)를 가지고 있다. 노즐 챔버(20)에는 가스 클러스터를 생성하기 위한 노즐(21)이 설치되어 있고, 또한 생성된 가스 클러스터를 선별하기 위한 스키머(skimmer)(22)를 가지고 있다. 또한, 노즐(21)은 가스 공급부(23)와 접속되어 있고, 이 가스 공급부(23)로부터 노즐(21)로 가스 클러스터를 생성하기 위한 소스 가스가 공급된다. 가스 공급부(23)는 복수의 소스 가스를 공급할 수 있도록 복수의 가스 공급원이 설치되어 있다. 구체적으로는, 도면에 도시한 바와 같이, 원료가 되는 가스가 저장된 가스 봄베(bombe) 등의 제 1 가스 공급원(24) 및 제 2 가스 공급원(25)이 설치되어 있고, 가스 공급부(23) 내에 설치된 밸브(26)에 의해 제 1 가스 공급원(24)에서의 가스 또는 제 2 가스 공급원(25)에서의 가스 중 어느 하나를 소정량 노즐(21)로 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 본 실시예에서는, 예를 들면 제 1 가스 공급원(24)은 아르곤 가스를 공급하기 위한 아르곤 가스 봄베가 이용되고 있고, 제 2 가스 공급원(25)은 질소 가스를 공급하기 위한 질소 가스 봄베가 이용되고 있다. 또한, 가스 공급부(23)에는 제어부(27)가 접속되어 있어, 제어부(27)의 제어에 의해 제 1 가스 공급원(24) 또는 제 2 가스 공급원(25)으로부터 소스 가스가 공급된다.
노즐(21)에서 생성된 가스 클러스터는 스키머(22)에서 선별되어 소스 챔버(30)로 도입된다. 소스 챔버(30)에서는 가스 클러스터를 이온화하기 위한 이온화부(31)가 설치되어 있고, 이온화부(31)에서 가스 클러스터는 이온화되고, 이온화된 가스 클러스터는 가속부(32)에서 가속된다.
이후, 가속되고 이온화된 가스 클러스터는 메인 챔버(40) 내에 설치된 전극부(41)에서 소정의 크기의 가스 클러스터 등으로 선별되어, 표면 처리가 행해지는 기판 등의 피처리 부재(50)에 조사된다.
또한, 본 실시예에서의 가스 클러스터 빔 조사 장치에는 노즐(21)에 수 기압으로 가압된 소스 가스가 공급되어 있고, 노즐(21)로부터 진공 상태의 노즐 챔버(20) 내로 초음속으로 소스 가스가 분출됨으로써, 단열 팽창에 의해 급격하게 소스 가스가 냉각되어 매우 약한 원자간 또는 분자간의 결합에 의해 가스 클러스터가 형성되는 것이다.
(표면 처리 방법)
이어서, 도 2에 기초하여 본 실시예에서의 표면 처리 방법에 대하여 설명한다. 본 실시예에서는, 피처리 부재(50)로서 SiC(실리콘카바이트) 기판을 이용하여 이 SiC 기판의 표면을 평탄화 처리할 경우에 대하여 설명한다. 그런데, SiC는 알루미나 등보다 단단하고, 다이아몬드, 탄화 붕소 다음으로 단단한 재료로 알려져 있어, 높은 정밀도로 표면을 평탄화하는 것이 용이하지 않은 재료의 일종이다.
먼저, 스텝(S102)에서, 기계적 평탄화 처리로서 SiC 기판의 표면을 CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 의해 평탄화한다. 이에 따라 SiC 기판의 표면은 육안으로는 평탄한 상태로 할 수 있다. 그러나, SiC 기판의 표면에는 육안으로는 인식할 수 없는 미세한 연마 흠집이 무수하게 형성되어 있다. CMP 등의 연마 방법만으로는 SiC 등의 단단한 재료에서 이러한 연마 흠집이 형성되는 것은 피할 수 없다.
도 3은 CMP에 의한 평탄화 처리를 행한 후의 SiC 기판의 표면의 AFM(Atomic Force Microscope: 원자간력 현미경)상이다. 또한, 원자간력 현미경(AFM)이란, '탐침과 표면 간의 원자 척도 영역에서 작용하는 힘의 크기를, 그 선단에 탐침이 형성된 캔틸레버의 휨 혹은 그 공명 진동수의 어긋남으로부터 판독하는' 것이다('이와나미 이화학 사전' 이와나미서점, '주사형 프로브 현미경'의 란에서 발췌). 도 3의 (a)는 사시도이며, 도 3의 (b)는 상면도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 무수한 연마 흠집이 형성되어 있다(도 3의 (b)에서의 화살표는 특히 굵은 연마 흠집을 도시함). 이 상태에서의 10 μm 각(角)의 영역의 표면 거칠기는 Rms가 3.34 nm, Ra가 2.53 nm이다. 이 때문에, CMP에 의한 연마에 의해 형성된 SiC 기판의 표면의 평탄성은 높은 정밀도로 평탄하다고는 할 수 없다.
이어서, 스텝(S104)에서, 제 1 평탄화 처리로서 SiC 기판의 표면에 아르곤(Ar)의 가스 클러스터를 조사한다. 즉, CMP에 의해 평탄화된 SiC 기판의 표면에 아르곤의 가스 클러스터를 조사한다. 도 4는 아르곤의 클러스터를 조사한 후의 SiC 기판의 표면의 AFM상을 도시한 것이다. 도 4의 (a)는 10 μm 각의 영역을 도시한 것이며, 도 4의 (b)는 1 μm 각의 영역을 도시한 것이다. 도 4에 도시한 바와 같이, 아르곤의 가스 클러스터를 조사함으로써 CMP에 의한 기계적 평탄화 처리에 의해 형성되는 연마 흠집을 없앨 수 있어, SiC 기판의 표면을 평탄하게 할 수 있다. 또한, 이 상태에서의 10 μm 각의 영역의 표면 거칠기는 Rms가 2.20 nm, Ra가 1.67 nm이며, 1 μm 각의 영역의 표면 거칠기는 Rms가 2.23 nm, Ra가 1.70 nm이다.
이어서, 스텝(S106)에서, 제 2 평탄화 처리로서 SiC 기판의 표면에 질소의 가스 클러스터를 조사한다. 도 5는 질소의 클러스터를 조사한 후의 SiC 기판의 표면의 AFM상을 도시한 것이다. 도 5의 (a)는 10 μm 각의 영역을 도시한 것이며, 도 5의 (b)는 1 μm 각의 영역을 도시한 것이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 질소의 가스 클러스터를 조사함으로써, Ar의 가스 클러스터를 조사한 후의 상태보다 더욱 SiC 기판의 표면을 평탄하게 할 수 있다. 또한, 이 상태에서의 10 μm 각의 영역의 표면 거칠기는 Rms가 1.10 nm, Ra가 0.79 nm이며, 1 μm 각의 영역의 표면 거칠기는 Rms가 0.58 nm, Ra가 0.46 nm이다.
이와 같이 CMP에 의한 기계적 평탄화 처리를 행한 후, Ar 등의 가스 클러스터에 의한 제 1 평탄화 처리, 질소의 가스 클러스터에 의한 제 2 평탄화 처리를 행함으로써, SiC 기판의 표면을 Ar 등의 가스 클러스터만을 이용하여 평탄화 처리를 행한 경우와 비교하여 더욱 SiC 기판의 표면을 평탄하게 할 수 있다. 또한, 질소의 가스 클러스터만으로 평탄화를 행하는 것도 가능할지 모르지만, 평탄화를 위하여 방대한 시간을 필요로 하기 때문에 실용적이지 않다.
본 실시예에서의 표면 처리 방법에서는 SiC 기판의 표면을 제 1 평탄화 처리 공정에서 Ar 등의 가스 클러스터를 이용하여 평탄화하고, 이후 제 2 평탄화 처리 공정에서 질소 등의 가스 클러스터를 이용하여 평탄화하는 것이다. 이는, Ar 등의 가스 클러스터의 평탄화 처리는 CMP에 의한 연마에 의해 형성된 흠집을 제거하는 등의 비교적 거친 평탄화 처리에 적합하고, 질소 등의 가스 클러스터의 평탄화는 비교적 미세한 평탄화 처리에 적합하기 때문이다.
이를 도 6에 기초하여 설명한다. 도 6은 한 원자당 에너지와 감쇠상수의 관계를 나타낸 것이며, 각각의 가스 클러스터가 파괴되기 쉬운 정도를 나타낸 것이다. 또한, Va 30은 가속 전압이 30 kV, Va 20은 가속 전압이 20 kV, Va 10은 가속 전압이 10 kV를 나타낸다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 질소의 가스 클러스터는 Ar의 가스 클러스터보다 감쇠상수가 높아 파괴되기 쉬워, SiC 등의 기판의 표면에 가스 클러스터가 충돌 등을 했을 때에 가스 클러스터는 파괴될 것으로 생각된다. 이 때문에, SiC 등의 기판의 표면에 질소의 가스 클러스터가 충돌할 때에는 비교적 약한 에너지로 충돌하는 것으로 생각되며, 이 때문에 기판 등의 표면의 평탄화를 보다 매끄럽게 행할 수 있는 것으로 생각된다.
한편, 아르곤의 가스 클러스터의 경우, 아르곤의 가스 클러스터는 비교적 파괴되기 어렵기 때문에, SiC 등의 기판의 표면에 아르곤의 가스 클러스터가 충돌할 때, 비교적 강한 에너지로 충돌하는 것으로 생각된다. 따라서, CMP 등에 의한 연마 흠집을 제거할 수 있지만, 아르곤의 가스 클러스터의 평탄화에 의한 평탄성에는 일정한 한계가 있다.
따라서, 아르곤의 가스 클러스터에 의한 평탄화를 행한 후, 질소의 가스 클러스터에 의한 평탄화를 행함으로써, CMP 등에 의한 연마 흠집을 제거할 수 있고, 또한 기판 등의 표면을 보다 평탄하게 할 수 있다.
이와 같이, 가스 클러스터에 의해 기판 등의 표면의 표면 처리를 행할 경우, 이용되는 가스 클러스터의 감쇠상수와 가스 클러스터에 의해 평탄화된 것의 평탄성 간에는 상관 관계가 있는 것으로 생각되며, 가스 클러스터의 감쇠상수가 높을수록 기판 등의 표면에서의 평탄성을 향상시킬 수 있는 것으로 생각된다.
따라서, 먼저 감쇠상수가 낮은 원료의 가스 클러스터에 의해 기판 등의 표면의 표면 처리를 행하고, 이어서 감쇠상수가 높은 원료의 가스 클러스터에 의해 기판 등의 표면 처리를 행함으로써 기판 등의 표면의 평탄성을 보다 높일 수 있다.
아르곤의 클러스터와 동일한 감쇠상수를 가지는 클러스터로서는 산소(O2)의 가스 클러스터가 있고, 아르곤의 가스 클러스터보다 감쇠상수가 낮은 클러스터로서는 이산화탄소(CO2)의 가스 클러스터가 있다.
또한, 질소의 가스 클러스터는 실용적인 가스 클러스터 중에서는 가장 감쇠상수가 낮은 가스 클러스터 중 하나이다. 따라서, 가스 클러스터에 의한 평탄화를 복수의 공정에서 행할 때에는 마지막에 질소의 가스 클러스터에 의한 평탄화를 행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에서의 표면 처리 방법에서, 제 1 평탄화 처리를 행하는 데에 바람직한 재료로서는 아르곤, 산소, 이산화탄소 이외에도 물(H2O), 육불화유황(SF6), 삼불화질소(NF3), 크세논(Xe) 등을 들 수 있다.
또한, 제 2 평탄화 처리를 행하는 원료로서는 질소가 바람직하고, 특히 제 1 평탄화 처리에 이용되는 원료가 포함되지 않은 것이 바람직하다.
또한, 표면 처리가 행해지는 기판 등의 재료로서는 SiC 이외에도 실리콘, 석영, 글라스, 알루미나, 사파이어, 질화 갈륨, 갈륨 비소, 다이아몬드 라이크 카본, 탄화 붕소, 다결정 다이아몬드 등을 들 수 있고, 특히 단단한 재료의 평탄화에 적합하다.
또한, 본 실시예에서의 표면 처리 방법이 행해지는 피처리 부재(50)는 기판 등에 한정되지 않고, 표면의 평탄화가 필요한 모든 부재가 포함되는 것이다.
[제 2 실시예]
이어서, 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예는 제 1 실시예에서의 표면 처리 방법보다 더욱 평탄성을 높일 수 있는 표면 처리 방법이다. 도 7에 기초하여 본 실시예에 대하여 설명한다.
먼저, 스텝(S202)에서, 기계적 평탄화 처리로서 SiC 기판의 표면을 CMP에 의해 평탄화한다. 이에 따라, SiC 기판의 표면은 육안으로 평탄한 상태로 할 수 있지만, SiC 기판의 표면에는 육안으로는 인식할 수 없는 미세한 연마 흠집이 무수하게 형성되어 있다.
이어서, 스텝(S204)에서, 제 1 평탄화 처리로서 SiC 기판의 표면에 아르곤의 가스 클러스터를 조사한다. 즉, CMP에 의해 평탄화된 SiC 기판의 표면에 아르곤의 가스 클러스터를 조사한다. 아르곤의 가스 클러스터를 조사함으로써, CMP에서의 기계적 평탄화 처리에 의해 형성되는 연마 흠집을 제거할 수 있어 SiC 기판의 표면은 평탄화된다.
이어서, 스텝(S206)에서, 제 2 평탄화 처리로서 SiC 기판의 표면에 질소의 가스 클러스터를 조사한다. 질소의 가스 클러스터를 조사함으로써, Ar의 가스 클러스터를 조사한 후의 상태보다 SiC 기판의 표면을 보다 평탄하게 할 수 있다. 또한, 제 2 처리 공정에서의 질소의 클러스터의 가속 전압은 20 kV이다.
이어서, 스텝(S208)에서, 제 3 평탄화 처리로서 제 2 평탄화 처리에서의 가속 전압보다 낮은 10 kV의 가속 전압으로 질소의 가스 클러스터를 조사한다. 이에 따라, 제 2 평탄화 처리보다 더욱 SiC 기판의 표면을 보다 평탄하게 할 수 있다. 구체적으로는, 가스 클러스터의 평탄화 처리를 할 때에 가속 전압을 낮춤으로써 가스 클러스터의 에너지를 낮출 수 있어, SiC 기판에 가스 클러스터가 충돌했을 때의 에너지를 낮출 수 있다. 이러한 가스 클러스터를 이용하여 SiC 기판의 표면을 평탄화함으로써, SiC 기판의 표면을 보다 평탄하게 할 수 있다.
상술한 제 2 평탄화 처리 및 제 3 평탄화 처리에 대하여 도 8에 기초하여 설명한다. 도 8의 (a) 및 (b)는 모두 아르곤의 평탄화 처리를 행한 후에, 질소의 가스 클러스터에 의해 평탄화 처리를 행한 것이다. 도 8의 (a)는 질소의 클러스터의 가속 전압이 20 kV로 평탄화 처리를 행했을 경우의 SiC 기판의 표면의 AFM상이며, 도 8의 (b)는 질소의 클러스터의 가속 전압이 10 kV로 평탄화 처리를 행했을 경우의 SiC 기판의 표면의 AFM상이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 동일한 원료를 이용하여 가스 클러스터를 생성했을 경우에도 가속 전압을 낮춤으로써, SiC 기판 표면의 평탄성을 보다 높일 수 있다. 따라서, 제 2 평탄화 처리를 행하고, 그 후 제 3 평탄화 처리를 행함으로써, SiC 기판의 표면을 보다 평탄하게 할 수 있는 것으로 생각된다.
또한, 동일한 가속 전압의 가스 클러스터에서, 큰 클러스터일수록 표면의 평탄성을 높일 수 있는 것도 지견으로서 얻어진다. 따라서, 제 2 평탄화 처리 공정에서 작은 질소의 가스 클러스터를 이용하여 평탄화를 행한 후, 제 3 평탄화 처리 공정에서 큰 질소의 가스 클러스터를 이용하여 평탄화를 행해도 피처리 부재의 표면에서의 평탄성을 보다 높일 수 있는 것으로 생각된다.
이상, 본 발명의 실시에 관한 형태에 대하여 설명했지만, 상기 내용은 발명의 내용을 한정하는 것은 아니다.
10: 가스 클러스터 이온 빔 발생 장치
20: 노즐 챔버
21: 노즐
22: 스키마
23: 원료 가스 공급부
24: 제 1 가스 공급원
25: 제 2 가스 공급원
26: 밸브
27: 제어부
30: 소스 챔버
31: 이온화부
32: 가속부
40: 메인 챔버
41: 전극부
50: 피처리 부재
20: 노즐 챔버
21: 노즐
22: 스키마
23: 원료 가스 공급부
24: 제 1 가스 공급원
25: 제 2 가스 공급원
26: 밸브
27: 제어부
30: 소스 챔버
31: 이온화부
32: 가속부
40: 메인 챔버
41: 전극부
50: 피처리 부재
Claims (14)
- 아르곤 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 피처리 부재에 조사(照射)하는 제 1 처리 공정과,
상기 제 1 처리 공정을 행한 후,
질소의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 상기 피처리 부재에 조사하는 제 2 처리 공정과,
상기 제 2 처리 공정을 행한 후,
상기 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 상기 제 2 처리 공정에서의 가속 전압보다 낮은 가속 전압으로 가속하여, 상기 피처리 부재에 조사하는 제 3 처리 공정
을 가지는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
- 아르곤을 포함하고, 산소 및 이산화탄소 중 하나 이상을 추가로 포함하는 원료의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 피처리 부재에 조사하는 제 1 처리 공정과,
상기 제 1 처리 공정을 행한 후,
질소의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시켜 상기 피처리 부재에 조사하는 제 2 처리 공정과,
상기 제 2 처리 공정을 행한 후,
상기 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 상기 제 2 처리 공정에서의 가속 전압보다 낮은 가속 전압으로 가속하여, 상기 피처리 부재에 조사하는 제 3 처리 공정
을 가지는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 피처리 부재는 상기 제 1 처리 공정 이전에 CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 의한 평탄화 처리가 행해진 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 처리 공정에서의 가스 클러스터에는, 상기 제 1 처리 공정에서의 원료의 가스 클러스터가 포함되지 않은 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 피처리 부재는, 실리콘카바이트, 실리콘, 석영, 글라스, 알루미나, 사파이어, 질화 갈륨, 갈륨 비소, 다이아몬드 라이크 카본, 탄화 붕소, 다결정 다이아몬드 중 어느 1 개 또는 2 이상의 것을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 3 처리 공정은, 상기 제 2 처리 공정에서의 가스 클러스터보다 큰 가스 클러스터를 상기 피처리 부재에 조사하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 방법.
- 가스 클러스터를 생성하기 위한 노즐과,
상기 노즐에 상기 가스 클러스터의 원료가 되는 가스를 공급하는 원료 가스 공급부와,
상기 원료 가스 공급부로부터 공급되는 가스를 선택하고 제어하는 제어부
를 가지고,
상기 원료 가스 공급부는, 아르곤을 공급하는 제 1 가스 공급원과, 질소를 공급하는 제 2 가스 공급원을 가지고,
상기 제어부의 제어에 의해서, 상기 제 1 가스 공급원으로부터 아르곤을 공급한 후, 상기 제 2 가스 공급원으로부터 질소를 공급하고,
상기 노즐에서 생성된 아르곤 가스 클러스터 및 질소의 가스 클러스터를 이온화하여 아르곤 가스 클러스터 이온 빔 및 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시키고,
제 1 처리 공정으로 상기 아르곤 가스 클러스터 이온 빔을 피처리 부재에 조사(照射)하고, 제 2 처리 공정으로 상기 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 상기 피처리 부재에 조사한 후, 제 3 처리 공정으로 상기 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 제 2 처리 공정에서의 가속 전압보다 낮은 가속 전압으로 가속하여 상기 피처리 부재에 조사하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
- 가스 클러스터를 생성하기 위한 노즐과,
상기 노즐에 상기 가스 클러스터의 원료가 되는 가스를 공급하는 원료 가스 공급부와,
상기 원료 가스 공급부로부터 공급되는 가스를 선택하고 제어하는 제어부
를 가지고,
상기 원료 가스 공급부는, 아르곤을 포함하고, 산소 및 이산화탄소 중 하나 이상을 추가로 포함하는 원료를 공급하는 제 1 가스 공급원과, 질소를 공급하는 제 2 가스 공급원을 가지고,
상기 제어부의 제어에 의해서, 상기 제 1 가스 공급원으로부터 원료를 공급한 후, 상기 제 2 가스 공급원으로부터 질소를 공급하고,
상기 노즐에서 생성된 아르곤 가스 클러스터 및 질소의 가스 클러스터를 이온화하여 아르곤 가스 클러스터 이온 빔 및 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 발생시키고,
제 1 처리 공정으로 상기 아르곤 가스 클러스터 이온 빔을 피처리 부재에 조사(照射)하고, 제 2 처리 공정으로 상기 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 상기 피처리 부재에 조사한 후, 제 3 처리 공정으로 상기 질소의 가스 클러스터 이온 빔을 제 2 처리 공정에서의 가속 전압보다 낮은 가속 전압으로 가속하여 상기 피처리 부재에 조사하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 피처리 부재는, 상기 제 1 처리 공정 이전에 CMP에 의한 평탄화 처리가 행해진 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 가스 공급원에서의 가스는, 상기 제 1 가스 공급원에서의 가스가 포함되지 않은 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 피처리 부재는, 실리콘카바이트, 실리콘, 석영, 글라스, 알루미나, 사파이어, 질화 갈륨, 갈륨 비소, 다이아몬드 라이크 카본, 탄화 붕소, 다결정 다이아몬드 중 어느 1 개 또는 2 이상의 것을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
- 삭제
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 가스 공급원으로부터 공급된 질소에 의해 생성된 질소의 가스 클러스터는, 상기 가스 클러스터의 크기를 변화시켜 상기 피처리 부재에 조사하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010120920A JP5236687B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 表面処理方法及び表面処理装置 |
| JPJP-P-2010-120920 | 2010-05-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110129825A KR20110129825A (ko) | 2011-12-02 |
| KR101336089B1 true KR101336089B1 (ko) | 2013-12-03 |
Family
ID=45009605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110049232A KR101336089B1 (ko) | 2010-05-26 | 2011-05-24 | 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120128892A1 (ko) |
| JP (1) | JP5236687B2 (ko) |
| KR (1) | KR101336089B1 (ko) |
| CN (1) | CN102263012A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170028428A (ko) * | 2014-07-10 | 2017-03-13 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 반도체 기판 및 반도체 기판의 제조 방법 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5925642B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-05-25 | 日本航空電子工業株式会社 | 無機固体材料および刃物工具 |
| US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
| US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
| KR101742556B1 (ko) | 2012-11-02 | 2017-06-01 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법, 이온빔 에칭 장치 및 제어 장치 |
| US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
| US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
| US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
| JP5946065B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-07-05 | 三菱重工工作機械株式会社 | 常温接合装置および常温接合方法 |
| US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
| JP2016106386A (ja) * | 2013-03-28 | 2016-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 平坦化方法、基板処理システム及びメモリ製造方法 |
| JP6471845B2 (ja) * | 2014-05-15 | 2019-02-20 | 須賀 唯知 | クラスターイオンビームを用いた常温接合方法および装置 |
| US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
| JP6406734B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2018-10-17 | ティーイーエル エピオン インコーポレイテッド | Ｇｃｉｂノズルアセンブリ |
| JP5925922B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-05-25 | 日本航空電子工業株式会社 | 刃物工具 |
| JP6545053B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
| CN108754449A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-11-06 | 陕西科技大学 | 一种具有超高平坦度的金属镍薄膜的表面处理方法 |
| CN108972230B (zh) * | 2018-09-07 | 2020-11-27 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 光学元件加工装置及加工方法 |
| CN108890449A (zh) * | 2018-09-07 | 2018-11-27 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 光学元件面形修正方法及装置 |
| CN109862684B (zh) * | 2018-12-21 | 2020-07-10 | 南京大学 | 单一尺寸强流团簇脉冲束产生方法 |
| CN111421144B (zh) * | 2020-03-27 | 2021-11-19 | 西安交通大学 | 一种抗水腐蚀的难熔金属钼表面处理方法 |
| JPWO2023047905A1 (ko) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | ||
| CN116631850B (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-03 | 无锡邑文电子科技有限公司 | 低损伤碳化硅界面的处理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282384A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | カーボン製モニタウェハ |
| JP2004503064A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-01-29 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビーム処理による薄膜を改良するためのシステムおよび方法 |
| JP2005285905A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ＳｉＣ基板表面の平坦化方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3352842B2 (ja) * | 1994-09-06 | 2002-12-03 | 科学技術振興事業団 | ガスクラスターイオンビームによる薄膜形成方法 |
| JP4028163B2 (ja) * | 1999-11-16 | 2007-12-26 | 株式会社デンソー | メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置 |
| US6498107B1 (en) * | 2000-05-01 | 2002-12-24 | Epion Corporation | Interface control for film deposition by gas-cluster ion-beam processing |
| JP3881562B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2007-02-14 | 三井造船株式会社 | ＳｉＣモニタウェハ製造方法 |
| JP4236524B2 (ja) * | 2003-07-07 | 2009-03-11 | 横浜ゴム株式会社 | タイヤ成形用金型及びそのタイヤ成形用金型を用いて製造したタイヤ |
| JP2005310977A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | イオンビーム加工方法 |
| US7459702B2 (en) * | 2004-10-26 | 2008-12-02 | Jayant Neogi | Apparatus and method for polishing gemstones and the like |
| US7799683B2 (en) * | 2004-11-08 | 2010-09-21 | Tel Epion, Inc. | Copper interconnect wiring and method and apparatus for forming thereof |
| JP4548319B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2010-09-22 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法 |
| EP1855312B1 (en) * | 2005-02-22 | 2014-04-09 | Hitachi Metals, Ltd. | PROCESS FOR PRODUCING SiC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE |
| EP1890978A1 (en) * | 2005-06-14 | 2008-02-27 | Asahi Glass Company, Limited | Method of finishing pre-polished glass substrate surface |
| US7420189B2 (en) * | 2006-04-04 | 2008-09-02 | Olympus Corporation | Ultra precise polishing method and ultra precise polishing apparatus |
| JP5169163B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2013-03-27 | 旭硝子株式会社 | 予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法 |
| JP5095228B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2012-12-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| EP2170778A1 (en) * | 2007-06-29 | 2010-04-07 | Asahi Glass Company, Limited | Method for removing foreign matter from glass substrate surface and method for processing glass substrate surface |
| US8298432B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-10-30 | Tel Epion Inc. | Method and system for adjusting beam dimension for high-gradient location specific processing |
| JP2009176886A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20090314963A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-24 | Tel Epion Inc. | Method for forming trench isolation |
| EP2394787B1 (en) * | 2009-02-04 | 2019-05-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Manufacturing method for a silicon carbide monocrystal substrate |
| US8226835B2 (en) * | 2009-03-06 | 2012-07-24 | Tel Epion Inc. | Ultra-thin film formation using gas cluster ion beam processing |
| US7982196B2 (en) * | 2009-03-31 | 2011-07-19 | Tel Epion Inc. | Method for modifying a material layer using gas cluster ion beam processing |
| US8187971B2 (en) * | 2009-11-16 | 2012-05-29 | Tel Epion Inc. | Method to alter silicide properties using GCIB treatment |
| JP5031066B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2012-09-19 | 兵庫県 | クラスタービーム発生装置、基板処理装置、クラスタービーム発生方法及び基板処理方法 |
| US8193094B2 (en) * | 2010-06-21 | 2012-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post CMP planarization by cluster ION beam etch |
-
2010
- 2010-05-26 JP JP2010120920A patent/JP5236687B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-05-12 CN CN2011101278114A patent/CN102263012A/zh active Pending
- 2011-05-24 US US13/114,096 patent/US20120128892A1/en not_active Abandoned
- 2011-05-24 KR KR1020110049232A patent/KR101336089B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004503064A (ja) * | 2000-07-10 | 2004-01-29 | エピオン コーポレイション | ガスクラスターイオンビーム処理による薄膜を改良するためのシステムおよび方法 |
| JP2003282384A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | カーボン製モニタウェハ |
| JP2005285905A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ＳｉＣ基板表面の平坦化方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170028428A (ko) * | 2014-07-10 | 2017-03-13 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 반도체 기판 및 반도체 기판의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011246761A (ja) | 2011-12-08 |
| CN102263012A (zh) | 2011-11-30 |
| US20120128892A1 (en) | 2012-05-24 |
| JP5236687B2 (ja) | 2013-07-17 |
| KR20110129825A (ko) | 2011-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101336089B1 (ko) | 표면 처리 방법 및 표면 처리 장치 | |
| JP4799787B2 (ja) | 表面平滑加工用適応ｇｃｉｂを活用した処理方法及び処理装置 | |
| US7794798B2 (en) | Method for depositing films using gas cluster ion beam processing | |
| Toyoda et al. | Gas cluster ion beam equipment and applications for surface processing | |
| US8592784B2 (en) | Method for modifying a material layer using gas cluster ion beam processing | |
| US20100200774A1 (en) | Multi-sequence film deposition and growth using gas cluster ion beam processing | |
| US8877299B2 (en) | Method for enhancing a substrate using gas cluster ion beam processing | |
| US8455060B2 (en) | Method for depositing hydrogenated diamond-like carbon films using a gas cluster ion beam | |
| Astruc Hoffmann et al. | Ultraviolet photoelectron spectroscopy of Si 4-to Si 1000 | |
| JPH08120470A (ja) | ガスクラスターイオンビームによる 超精密研磨加工方法 | |
| US7905199B2 (en) | Method and system for directional growth using a gas cluster ion beam | |
| TW200926244A (en) | Apparatus and methods for treating a workpiece using a gas cluster ion beam | |
| US9103031B2 (en) | Method and system for growing a thin film using a gas cluster ion beam | |
| Cavaille et al. | Surface self-diffusion by ion impact | |
| JP2019117400A (ja) | 基板処理方法における欠陥削減 | |
| KR100445105B1 (ko) | 가스 클러스터 이온빔을 이용한 아이.티.오 박막 표면처리시스템 및 그 방법 | |
| JP2018514939A (ja) | ガスクラスタイオンビーム技術に基づく中性ビーム処理方法およびそれにより製造される製品 | |
| JPH03163825A (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
| Han et al. | Microcompression of fused silica nanopillars synthesized using reactive ion etching | |
| JP4192112B2 (ja) | ＳｉＣ基板表面の平坦化方法 | |
| Cui et al. | A study of femtosecond laser polishing of CVD nanopolycrystalline diamond films | |
| Datta et al. | Gas-assisted focused-ion-beam lithography of a diamond (100) surface | |
| Gspann | Microstructuring by nanoparticle impact lithography | |
| Petkov | Fabrication of diamond nanostructures and investigation of the imbedded NV centers | |
| Peshl et al. | The Effect of Process Parameters on the Surface Properties of Niobium During Plasma Etching |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |