JP5925642B2 - 無機固体材料および刃物工具 - Google Patents
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Description
図1から図4において、白点に見えるものが隆起部であり、白点を囲むような黒い網に見えるものが凹部である(SEM像では、相対的に高い部分がより白く、相対的に低い部分がより黒くなるように描写されている)。図1と図3に図示される表面構造では、隆起部がほぼ均一に存在している。図2は、図1に図示される表面構造の一部を拡大した解析像(200nm×200nm)である。図4と図5に図示される表面構造では、隆起部が不均一に存在しており、複数の隆起部が稠密に集まった稠密領域が存在することがわかる。図4および図5では、複数の稠密領域の一部を丸囲みで示しており、矢印で隆起部を示している。
本発明の実施例と、実施例の効果を確認するための比較例について説明する(図10−図33参照)。以下、無機固体材料を試料(サンプル)とも呼称する。各実施例と各比較例では、加工前の状態で、6面が機械研磨によって平坦化された長さ5mm×幅1mm×高さ1mmの直方体の大きさと形状を有する試料を用いた。
第1の加工方法は、例えば図10の“加工方法”の欄にて“パターニング”と記載された加工方法であり、リソグラフィー技術を用いてパターニングしたレジストマスクを形成し更にドライエッチングによって試料の表面に矩形状パターン構造(表面上にて直交する二つの方向に周期的に繰り返す凹凸が形成された表面構造)を形成した試料を作成した。形成された矩形状パターン構造における凸部分の大きさと濃度の定義は、隆起部に関する上記定義を準用した(隆起部に関する上記定義において、「隆起部」を「凸部分」に読み替えよ)。凸部分の大きさ(平均幅)と濃度の数値はそれぞれ、各図(例えば図10を参照のこと)にて便宜的に、“隆起部の大きさ”の欄と“隆起部の濃度”の欄に記載されている。
第2の加工方法は、例えば図10の“加工方法”の欄にて“成膜”と記載された加工方法であり、成膜法によって試料の表面に多数の粒状堆積物(ダイヤモンドライクカーボン)を形成した試料を作成した。形成された粒状堆積物の大きさと濃度の定義は、隆起部に関する上記定義を準用した(隆起部に関する上記定義において、「隆起部」を「粒状堆積物」に読み替えよ)。粒状堆積物の大きさ(平均幅)と濃度の数値はそれぞれ、各図(例えば図10を参照のこと)にて便宜的に、“隆起部の大きさ”の欄と“隆起部の濃度”の欄に記載されている。
また、無加工の試料(機械研磨によって表面が平坦化された試料)も比較例として用いた。この比較例は、例えば図10の“加工方法”の欄にて記号“−”と記載されている。
各試料の硬度を薄膜硬度計で計測した。ガスクラスターイオンビームを照射する前の試料表面の硬度を試料内部の硬度(以下、内部硬度と呼称する)と看做した。そして、内部硬度に対するガスクラスターイオンビームを照射した後の試料表面の硬度の比を硬度比として求めた。
各試料のヤング率を、表面弾性波法を用いた超薄膜ヤング率測定システムで計測した。ガスクラスターイオンビームを照射する前の試料表面のヤング率を試料内部のヤング率(以下、内部ヤング率と呼称する)と看做した。そして、内部ヤング率に対するガスクラスターイオンビームを照射した後の試料表面のヤング率の比をヤング率比として求めた。
各試料の密度を薄膜密度計で計測した。ガスクラスターイオンビームを照射する前の試料表面の密度を試料内部の密度(以下、内部密度と呼称する)と看做した。そして、内部密度に対するガスクラスターイオンビームを照射した後の試料表面の密度の比を密度比として求めた。
各試料の電子線回折像のスポット強度(回折スポット強度)を測定した。ガスクラスターイオンビームを照射する前の試料表面の回折スポット強度を試料内部の回折スポット強度(以下、内部回折スポット強度と呼称する)と看做した。内部回折スポット強度に対するガスクラスターイオンビームを照射した後の試料表面の回折スポット強度の比を結晶化率として求めた。なお、結晶化率が100%に満たなければアモルファス構造を有している。
[実施例1−27]
実施例1−27はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。実施例1−9の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、実施例10−18の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、実施例19−27の試料の材質はバインダレスcBNである。
実施例1−27について、各硬度比はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下している。実施例1−27では、隆起部の平均幅が5nm以上50nm以下であり、チッピング発生率は28%以下である。とくに、平均幅が50nm〜530nm程度の稠密領域(複数の隆起部が稠密に集まった領域)が存在する場合、チッピング発生率は0%である(実施例6-9,15-18,24-27)。
機械研磨によって表面が平坦化された各試料のチッピング発生率は100%である。
隆起部の平均幅が3nmの場合のチッピング発生率は89〜95%である。
表面構造として矩形状パターン構造(凸部分の平均幅は50nm)を持つ各試料の硬度比はドライエッチングの前後で変化はなく(硬度比100%)、各試料のチッピング発生率は100%である。
表面構造として粒状堆積物が形成された各試料の硬度比は低下しているが、各試料のチッピング発生率は100%である。
比較例3-5,10-12,17-19はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。比較例3-5の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、比較例10-12の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、比較例17-19の試料の材質はバインダレスcBNである。
これらの比較例について、各硬度比はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下しているが、隆起部の平均幅が50nmよりも大きく、チッピング発生率は50%以上である。
[実施例28−54]
実施例28−54はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。実施例28−36の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、実施例37−45の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、実施例46−54の試料の材質はバインダレスcBNである。
実施例28−54について、各硬度比はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下している。実施例28−54では、隆起部の平均幅が5nm以上50nm以下であり、チッピング発生率は31%以下である。とくに、平均幅が50nm〜530nm程度の稠密領域(複数の隆起部が稠密に集まった領域)が存在する場合、チッピング発生率は0%である(実施例33-36,42-45,51-54)。
機械研磨によって表面が平坦化された各試料のチッピング発生率は100%である。
隆起部の平均幅が3nmの場合のチッピング発生率は91〜96%である。
表面構造として矩形状パターン構造(凸部分の平均幅は50nm)を持つ各試料のヤング率比はドライエッチングの前後で変化はなく(ヤング率比100%)、各試料のチッピング発生率は100%である。
表面構造として粒状堆積物が形成された各試料のヤング率比は低下しているが、各試料のチッピング発生率は100%である。
比較例24-26,31-33,38-40はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。比較例24-26の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、比較例31-33の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、比較例38-40の試料の材質はバインダレスcBNである。
これらの比較例について、各ヤング率比はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下しているが、隆起部の平均幅が50nmよりも大きく、チッピング発生率は50%以上である。
[実施例55−81]
実施例55−81はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。実施例55−63の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、実施例64−72の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、実施例73−81の試料の材質はバインダレスcBNである。
実施例55−81について、各密度比はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下している。実施例55−81では、隆起部の平均幅が5nm以上50nm以下であり、チッピング発生率は28%以下である。とくに、平均幅が50nm〜530nm程度の稠密領域(複数の隆起部が稠密に集まった領域)が存在する場合、チッピング発生率は0%である(実施例60-63,69-72,78-81)。
機械研磨によって表面が平坦化された各試料のチッピング発生率は100%である。
隆起部の平均幅が3nmの場合のチッピング発生率は92〜95%である。
表面構造として矩形状パターン構造(凸部分の平均幅は50nm)を持つ各試料の密度比はドライエッチングの前後で変化はなく(密度比100%)、各試料のチッピング発生率は100%である。
表面構造として粒状堆積物が形成された各試料の密度比は低下しているが、各試料のチッピング発生率は100%である。
比較例45-47,52-54,59-61はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。比較例45-47の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、比較例52-54の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、比較例59-61の試料の材質はバインダレスcBNである。
これらの比較例について、各密度比はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下しているが、隆起部の平均幅が50nmよりも大きく、チッピング発生率は50%以上である。
[実施例82−108]
実施例82−108はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。実施例82−90の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、実施例91−99の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、実施例100−108の試料の材質はバインダレスcBNである。
実施例82−108について、各結晶化率はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下している。実施例82−108では、隆起部の平均幅が5nm以上50nm以下であり、チッピング発生率は22%以下である。とくに、平均幅が50nm〜530nm程度の稠密領域(複数の隆起部が稠密に集まった領域)が存在する場合、チッピング発生率は0%である(実施例87-90,96-99,105-108)。
機械研磨によって表面が平坦化された各試料のチッピング発生率は100%である。
隆起部の平均幅が3nmの場合のチッピング発生率は94〜96%である。
表面構造として矩形状パターン構造(凸部分の平均幅は50nm)を持つ各試料の結晶化率はドライエッチングの前後で変化はなく(結晶化率100%)、各試料のチッピング発生率は100%である。
表面構造として粒状堆積物が形成された各試料の結晶化率は低下しているが、各試料のチッピング発生率は100%である。
比較例66-68,73-75,80-82はいずれもガスクラスターイオンビームによって試料の表面に種々の表面構造が形成された試料である。比較例66-68の試料の材質は単結晶ダイヤモンドであり、比較例73-75の試料の材質は焼結ダイヤモンドであり、比較例80-82の試料の材質はバインダレスcBNである。
これらの比較例について、各結晶化率はガスクラスターイオンビームを照射する前の状態と比較して低下しているが、隆起部の平均幅が50nmよりも大きく、チッピング発生率は50%以上である。
切削工具を以下のように作製した。単結晶ダイヤモンド、焼結ダイヤモンド、バインダレスcBN焼結体、超硬合金(JIS使用分類記号Z01)の各材料をそれぞれレーザー加工によって切り出し、機械研磨によって一枚刃の刃物を作製した。この刃物が切削工具に相当する。刃の形状は長さ1mmの直線状で、刃先を構成する2面の間の角度を60度とした。刃先を構成する2面に同時に同じ角度でガスクラスターイオンビームが照射されるように(つまり、各面に対して、面の法線から60度の角度でガスクラスターイオンビームが照射されるように)、刃先部分に対して、刃先に対向する方向からガスクラスターイオンビームを照射し、以下の表面構造を各切削工具の刃部に形成した。
単結晶ダイヤモンド、焼結ダイヤモンド、バインダレスcBN焼結体の各材料をそれぞれレーザー加工によって切り出し、機械研磨によって一枚刃の刃物を作製した。この刃物が切削工具に相当する。刃の形状は長さ1mmの直線状で、刃先を構成する2面の間の角度を60度とした。この比較例では、実施例109と異なり、各切削工具の刃先部分にガスクラスターイオンビームを照射しなかった。つまり、この比較例の各切削工具の刃先部分は機械研磨によって平坦化された状態であった。各切削工具の刃先を圧子として銅のサンプルに対して摺動試験を行った。その結果、いずれの切削工具の刃先とも、刃先に0.1mm以上のチッピングが多数見られた。
[実施例110]
タッチパネル用のカバーガラスとして使用可能な厚さ0.3mmのソーダライムガラスを、長さ5mm×幅1mmに切断した直方体状の試料を作製した。長さ5mm×幅1mmの面にその法線方向からガスクラスターイオンビームを全面に照射し、ソーダライムガラスの表面に、隆起部の大きさ(平均幅)が31nm、隆起部の濃度が958個/μm2の表面構造を形成した。ガスクラスターイオンビームが照射された面が上面となるように摺動試験機に試料を設置し、荷重を10gとした点を除いて実施例1−108と同様の摺動試験を行い、チッピング発生率を算出した。その結果、チッピング発生率は6%であった。
タッチパネル用のカバーガラスとして使用可能な厚さ0.3mmのソーダライムガラスを、長さ5mm×幅1mmに切断した直方体状の試料を作製した。この比較例では、実施例110と異なり、試料の表面にガスクラスターイオンビームを照射しなかった。この試料を摺動試験機に設置し、実施例110と同じ摺動試験を行ってチッピング発生率を算出した。その結果、チッピング発生率は100%であった。
医療用メスとして使用可能な単結晶シリコンを、長さ5mm×幅1mm×厚さ0.5mmに切り出し、長さ5mm×幅1mmの面と幅1mm×厚さ0.5mmの2面を機械研磨した直方体状の試料を作製した。5mmの一辺を共有する2面に同時に同じ角度でガスクラスターイオンビームが照射されるように(つまり、各面に対して、面の法線から45度の角度でガスクラスターイオンビームが照射されるように)、直角コーナーに対して、直角コーナーに対向する方向からガスクラスターイオンビームを照射し、隆起部の大きさ(平均幅)が15nm、隆起部の濃度が2468個/μm2の表面構造を試料に形成した。ガスクラスターイオンビームが照射された長さ5mm×幅1mmの面が上面となるように摺動試験機に試料を設置し、荷重を10gとした点を除いて実施例1−108と同様の摺動試験を行い、チッピング発生率を算出した。その結果、チッピング発生率は4%であった。
単結晶シリコンを、長さ5mm×幅1mm×厚さ0.5mmに切り出し、長さ5mm×幅1mmの面と幅1mm×厚さ0.5mmの2面を機械研磨した直方体状の試料を作製した。この比較例では、実施例111と異なり、試料の表面にガスクラスターイオンビームを照射しなかった。この試料を摺動試験機に設置し、実施例111と同じ摺動試験を行ってチッピング発生率を算出した。その結果、チッピング発生率は100%であった。
実施例1-108と比較例1-84、並びに実施例109、110、111とこれらに対応する比較例を参照すると、単結晶ダイヤモンド、焼結ダイヤモンド、バインダレスcBN、超硬合金、ガラス、シリコンのいずれでも、ガスクラスターイオンビーム照射によって形成された隆起部の大きさが5nm以上50nm以下である場合にチッピング発生率が著しく小さくなっており、このようなサイズ範囲の隆起部がガスクラスターイオンビーム照射によって形成された非金属無機固体材料の高強度化現象は非金属無機固体材料の種類によらないことがわかる。また、いずれの非金属無機固体材料においても、表面構造の物性値(硬度、ヤング率、密度、結晶化率)は、ガスクラスターイオンビーム照射によって、表面構造の下に位置する非金属無機固体材料の内部の物性値とは異なっていることがわかる。
また、無機固体材料の表面に成膜法によって粒状堆積物を形成した場合、粒状堆積物が形成されたことによって無機固体材料表面の物性は無機固体材料の内部の物性と異なるものとなる(具体的には、硬度、ヤング率、密度、結晶化率などを低下させることができる)。しかし、成膜法によって粒状堆積物を形成した場合、粒状堆積物と下地の無機固体材料との間には固相界面が存在する。すなわち、粒状堆積物からなる表面構造(膜部分)から下地の無機固体材料へと物性値が不連続に変化する境界が存在する。この境界である固相界面は、表面構造が受ける応力を無機固体材料内部へと分散させる機能が小さく、応力は固相界面に集中する。この結果、成膜法によって粒状堆積物が形成された無機固体材料表面に衝撃が加わると、個々の粒状堆積物が塑性変形や弾性変形できたとしても、表面構造全体にかかる応力は固相界面に集中し、粒状堆積物(膜部分)自体のはがれが生じる。このため、膜部分が除去された無機固体材料の強度は向上せず、本発明のような効果は得られない。
Claims (5)
- 脆性を有する非金属の無機固体材料であって、
上記無機固体材料の表面の少なくとも一部に、網状に連なる凹部と当該凹部によって囲まれている隆起部とが形成されている表面構造を有し、
上記隆起部の平均幅は5〜50nmであり、
上記表面構造はアモルファス構造を有し、上記表面構造の下に位置する上記無機固体材料の内部は結晶構造を有し、上記無機固体材料の内部と上記表面構造との境界領域では上記無機固体材料の内部から上記表面構造に向かって結晶構造からアモルファス構造へ徐々に変化している構造を有している
ことを特徴とする無機固体材料。 - 請求項1に記載の無機固体材料であって、
各上記隆起部は上記無機固体材料の内部に比べて少なくとも弾性変形と塑性変形のいずれかが起きやすい
ことを特徴とする無機固体材料。 - 請求項1または請求項2に記載の無機固体材料を刃部に用いた刃物工具。
- 脆性を有する非金属の無機固体材料で形成された刃物工具であって、
上記刃物工具の刃部の表面に、網状に連なる凹部と当該凹部によって囲まれている隆起部とが形成されている表面構造を有し、
上記隆起部の平均幅は5〜50nmであり、
上記表面構造はアモルファス構造を有し、上記表面構造の下に位置する上記無機固体材料の内部は結晶構造を有し、上記無機固体材料の内部と上記表面構造との境界領域では上記無機固体材料の内部から上記表面構造に向かって結晶構造からアモルファス構造へ徐々に変化している構造を有している
ことを特徴とする刃物工具。 - 請求項4に記載の刃物工具であって、
各上記隆起部は上記無機固体材料の内部に比べて少なくとも弾性変形と塑性変形のいずれかが起きやすい
ことを特徴とする刃物工具。
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