KR101325295B1 - 기계 가공 장치 및 기계 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 미세 버블을 포함하는 절삭액을 가공구의 판형물에 대한 가공에 보다 유효하게 이용할 수 있는 기계 가공 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
회전하는 원반형의 가공구(18)가 절입하여 판형물(W)을 가공하는 기계 가공 장치로서, 회전하는 상기 가공구(18)에 있어서 상기 판형물(W)에 절입하는 측의 단부면에 대하여 미세 버블을 포함하는 제1 절삭액을 분무하는 제1 기구(14, 15)와, 회전하는 상기 가공구(18)의 양 측면 중 적어도 한쪽에 대하여 미세 버블을 포함하는 제2 절삭액을 분무하는 제2 기구(16, 17)를 구비하고, 상기 제2 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈는 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 큰 구성으로 된다.

Description

기계 가공 장치 및 기계 가공 방법{MACHINING DEVICE AND MACHINING METHOD}
본 발명은, 회전하는 블레이드가 절입하여 반도체 웨이퍼를 복수의 칩으로 절단하도록 가공하는 다이싱 장치 등과 같이, 회전하는 원반형의 가공구가 절입하여 판형물을 가공하는 기계 가공 장치 및 기계 가공 방법에 관한 것이다.
종래, 회전하는 원반형의 블레이드(가공구)가 실리콘 웨이퍼(판형물)에 절입하여 상기 실리콘 웨이퍼를 미소한 칩으로 나눠 절단하는 다이싱 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1). 이 다이싱 장치에서는, 세정액이나 냉각수 등의 절삭액이 이용되어, 실리콘 웨이퍼에 있어서, 이 실리콘 웨이퍼를 자르며 나아가는 블레이드의 경사 전방 부근에 미세 버블(미소 기포)을 포함하는 세정액이 분무되고, 회전하는 블레이드의 양 측면의 각각에 냉각수가 분무된다. 그리고, 실리콘 웨이퍼에 분무되는 세정액 속에 혼합되어 있는 미세 버블은, 분무됨으로써 파열되어, 초음파를 발생시킨다. 이와 같이 발생하는 초음파에 의한 진동에 의해서 실리콘 더스트가 실리콘 웨이퍼에 부착되기 어렵게 되고, 부착되어 있는 실리콘 더스트를 떠오르게 하여 용이하게 씻어 버릴 수 있게 된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 2003-68677호 공보
전술한 바와 같이, 절삭액에 포함되는 미세 버블에는, 그 파열에 의해서 생기는 초음파 진동에 의해 더스트를 실리콘 웨이퍼 등의 판형물 표면에 부착되기 어렵게 하거나, 혹은 더스트에 부착되어 떠오르게 하기 쉽게 하는 등의 여러 가지 기능이 있지만, 그 사이즈에 따라서 성질이 다르다. 예컨대, 마이크로 버블 등의 비교적 큰 사이즈의 미세 버블은, 더스트를 떠오르게 하는 부상 기능이 비교적 많고, 또한, 그 미세 버블에 의해서 액체(절삭액)를 배제하는 효과가 높다(보이드율이 높다). 한편, 마이크로 나노 버블이나 나노 버블 등의 비교적 작은 사이즈의 미세 버블은, 좁은 간극에 보다 많이 침입할 수 있으며, 그 좁은 간극 내에서 그 기능을 발휘할 수 있다.
그러나, 전술한 종래의 다이싱 장치에서는, 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈에 대해서는 특별히 고려되어 있지 않고, 반드시 미세 버블을 함유하는 절삭액을, 블레이드(가공구)를 이용한 실리콘 웨이퍼(판형물)에 대한 가공에 유효하게 이용할 수 있다고는 말할 수 없다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 미세 버블을 포함하는 절삭액을, 가공구를 이용한 판형물에 대한 가공에 보다 유효하게 이용할 수 있는 기계 가공 장치 및 기계 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기계 가공 장치는, 회전하는 원반형의 가공구가 절입하여 판형물을 가공하는 기계 가공 장치로서, 회전하는 상기 가공구에 있어서 상기 판형물에 절입하는 측의 단부면에 대하여 미세 버블을 포함하는 제1 절삭액을 분무하는 제1 기구와, 회전하는 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 대하여 미세 버블을 포함하는 제2 절삭액을 분무하는 제2 기구를 구비하고, 상기 제2 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈는 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 큰 구성으로 된다.
이러한 구성에 의해, 판형물을 자르며 나아가는 가공구에 있어서 상기 판형물에 절입하는 측의 단부면에 비교적 작은 사이즈의 미세 버블을 함유하는 제1 절삭액이 분무되기 때문에, 상기 가공구의 절입에 의해 상기 판형물에 형성되는 홈에 미세 버블이 들어가기 쉽게 되고, 그 절입홈에 있어서 미세 버블의 쿠션 작용을 이용할 수 있게 된다. 그 결과, 가공구와 판형물 사이의 마찰 경감이 도모되어, 판형물에 형성되는 절삭홈에서 파편이 떨어져 나간다고 하는 치핑을 방지할 수 있게 된다. 한편, 판형물을 자르며 나아가는 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 크고, 비교적 큰 사이즈의 미세 버블을 함유하는 제2 절삭액이 분무되기 때문에, 그 제2 절삭액에 의해 가공구가 유효하게 냉각되고, 가공구에 분무된 제2 절삭액 중의 미세 버블은 상기 가공구의 절입에 의해 상기 판형물에 형성되는 절입홈에는 들어가기 어렵지만, 상기 가공구를 타고서 판형물의 표면으로 흘러온 제2 절삭액 중의 비교적 큰 사이즈의 미세 버블의 작용에 의해서 절삭 칩이 절삭액 표면으로 부상하기 쉽게 된다. 또한, 상기 가공구의 비교적 넓은 양 측면 중 적어도 한쪽에 많은 제2 절삭액이 분무되더라도, 특히, 제2 절삭액 중에 비교적 큰 사이즈의 미세 버블이 포함되어 있기 때문에, 회전하는 가공구에 부착되는 절삭액의 실질적인 액 밀도가 낮아져, 회전하는 가공구에 대한 부하의 증대도 적게 할 수 있다.
본 발명에 따른 기계 가공 장치에 있어서, 상기 가공구에 있어서 상기 판형물에 절입하는 부분의 표면이 미세한 지립으로 덮이고, 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈는, 상기 가공구의 인접하는 지립과 지립 사이의 간극의 사이즈보다 작은 구성으로 할 수 있다.
이러한 구성에 따르면, 판형물을 자르며 나아가는 가공구에 있어서 상기 판형물에 절입하는 측의 단부면에 비교적 작은 사이즈의 미세 버블을 함유하는 제1 절삭액이 분무되고, 상기 가공구의 절입에 의해 상기 판형물에 형성되는 홈으로 들어간 미세 버블이 또한 그 홈을 형성하는 가공구의 지립 사이에도 들어가기 쉽게 되기 때문에, 그 지립 사이로 들어간 미세 버블의 쿠션 작용에 의해서 가공구와 이 가공구에 의해 가공되는 판형물의 사이의 마찰을 보다 저감할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 기계 가공 장치에 있어서, 상기 제1 기구는, 액 속에 미세 버블을 발생시켜 상기 제1 절삭액을 생성하는 제1 절삭액 생성 기구와, 이 제1 절삭액 생성 기구에 의해 생성되는 상기 제1 절삭액을 상기 가공구의 단부면에 분무하는 제1 절삭액 분무 기구를 구비하고, 상기 제2 기구는, 액 속에 미세 버블을 발생시켜 상기 제2 절삭액을 생성하는 제2 절삭액 생성 기구와, 이 제2 절삭액 생성 기구에 의해 생성되는 상기 제2 절삭액을 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 분무하는 제2 절삭액 분무 기구를 구비하는 구성으로 할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 회전하는 가공구에 있어서 판형물에 절입하는 측의 단부면에 대하여 분무되어야 하는 제1 절삭액과, 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 분무되어야 하는 제2 절삭액이, 별개의 기구(제1 절삭액 생성 기구, 제2 절삭액 생성 기구)에 의해 생성되기 때문에, 제1 절삭액 및 제2 절삭액에 포함되는 미세 버블의 크기를 용이하게 다르게 할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 기계 가공 장치에 있어서, 상기 제1 기구는, 액 속에 미세 버블을 발생시켜 미세 버블 함유액을 생성하는 제1 미세 버블 함유액 생성 기구와, 이 제1 미세 버블 함유액 생성 기구로부터 제1 통로를 통해서 공급되는 미세 버블 함유액을 상기 제1 절삭액으로서 상기 가공구의 단부면에 분무하는 제1 절삭액 분무 기구를 구비하고, 상기 제2 기구는, 액 속에 미세 버블을 발생시켜 미세 버블 함유액을 생성하는 제2 미세 버블 함유액 생성 기구와, 이 제2 미세 버블 함유액 생성 기구로부터 상기 제1 통로보다 긴 제2 통로를 통해서 공급되는 미세 버블 함유액을 상기 제2 절삭액으로서 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 어느 한쪽에 분무하는 제2 절삭액 분무 기구를 구비하는 구성으로 할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 제1 미세 버블 함유액 생성 기구로부터 제1 절삭액 분무 기구에 이르는 제1 통로가 제2 미세 버블 함유액 생성 기구로부터 제2 절삭액 분무 기구에 이르는 제2 통로보다 짧아지기 때문에, 제1 미세 버블 함유액 생성 기구에서 생성된 미세 버블 함유액이 제1 통로에 의해서 제1 절삭액 분무 기구로 유도될 때까지의 시간을, 제2 미세 버블 함유액 생성 기구에서 생성된 미세 버블 함유액이 제2 통로에 의해서 제2 절삭액 분무 기구로 유도될 때까지의 시간보다 짧게 할 수 있다. 이 때문에, 가공구에 있어서 판형물에 절입하는 측의 단부면에 제1 절삭액으로서 분무될 때까지 미세 버블 함유액 속의 미세 버블이 성장하는 시간이, 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 제2 절삭액으로서 분무될 때까지 미세 버블 함유액 속의 미세 버블이 성장하는 시간보다 짧게 될 수 있다. 그 결과, 가공구에 있어서 판형물에 절입하는 측의 단부면에 분무되는 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블을, 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 분무되는 상기 제2 절삭액에 포함되는 미세 버블보다 작게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기계 가공 장치에 있어서, 상기 제1 기구에 있어서의 상기 제1 미세 버블 함유액 생성 기구와 상기 제2 기구에 있어서의 제2 미세 버블 함유액 생성 기구는, 공통의 미세 버블 함유액 생성 기구인 구성으로 할 수 있다.
이러한 구성에 의해, 공통의 미세 버블 함유액 생성 기구에서 생성된 미세 버블 함유액이, 제1 기구에 있어서 비교적 짧은 제1 통로를 지나 비교적 사이즈가 작은 미세 버블을 포함하는 제1 절삭액으로서 제1 절삭액 분무 기구로부터 가공구에 있어서 판형물에 절입하는 측의 단부에 분무되는 한편, 제2 기구에 있어서 비교적 긴 제2 통로를 지나 비교적 사이즈가 큰 미세 버블을 포함하는 제2 절삭액으로서 제2 절삭액 분무 기구로부터 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 분무되게 된다. 이와 같이, 제1 기구 및 제2 기구에 있어서 개별의 미세 버블 함유액 생성 기구(제1 미세 버블 함유액 생성 기구, 제2 미세 버블 함유액 생성 기구)를 설치할 필요가 없기 때문에, 구성을 보다 간소하게 할 수 있다.
본 발명에 따른 기계 가공 방법은, 회전하는 원반형의 가공구가 절입되어 판형물을 가공하는 기계 가공 방법으로서, 회전하는 상기 가공구에 있어서 상기 판형물에 절입하는 측의 단부면에 대하여 미세 버블을 포함하는 제1 절삭액을 분무하고, 회전하는 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 큰 사이즈의 미세 버블을 포함하는 제2 버블 함유액을 분무하는 구성으로 된다.
또한, 본 발명에 따른 기계 가공 방법에 있어서, 상기 가공구에 있어서 상기 판형물에 절입하는 부분의 표면이 미세한 지립으로 덮이고, 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈는, 상기 가공구의 인접하는 지립과 지립 사이의 간극의 사이즈보다 작은 구성으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 기계 가공 장치 및 기계 가공 방법에 의하면, 미세 버블을 포함하는 절삭액을, 가공구를 이용한 판형물에 대한 가공에, 보다 유효하게 이용할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기계 가공 장치(다이싱 장치)의 기본적인 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 다이싱 장치에 있어서의 블레이드와 이 블레이드에 분무되는 절삭액의 관계를 도시하는 도면이다.
도 3은 블레이드와, 이 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼에 형성되는 절입홈과, 절삭액 속의 미세 버블과의 관계를 모식적으로 도시하는 단면도(첫 번째)이다.
도 4는 블레이드와, 이 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼에 형성되는 절입홈과, 절삭액 속의 미세 버블의 관계를 모식적으로 도시하는 단면도(두 번째)이다.
도 5는 블레이드와 이 블레이드에 분무되는 절삭액의 다른 관계를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기계 가공 장치(다이싱 장치)를 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 이용하여 설명한다.
본 발명의 제1 실시형태에 따른 다이싱 장치는, 도 1 및 도 2에 도시한 것과 같이 구성된다. 한편, 도 1은 다이싱 장치의 기본적인 구성을 나타내고 있으며, 도 2는 도 1에 도시하는 다이싱 장치에 있어서의 블레이드(가공구)와 이 블레이드에 분무되는 절삭액의 관계를 나타내고 있다.
도 1 및 도 2에 있어서, 이 다이싱 장치(100)는, 피가공물인 반도체 웨이퍼(W)(판형물)가 배치되는 척킹 테이블(20)과, 다이싱 본체 유닛(22)과, 다이싱 본체 유닛(22)을 지지하는 지지부(21)를 갖고 있다. 다이싱 본체 유닛(22)은, 구동 모터(도시 생략)에 의해 회전되는 회전축(19)에 장착된 원반형의 블레이드(18)(가공구)를 갖고 있다. 반도체 웨이퍼(W)가 배치되는 척킹 테이블(20)은, 원반형의 블레이드(18)의 면에 평행한 소정 방향(화살표 A 방향)으로 이동 가능하게 되고, 블레이드(18)는, 그 이동 방향 상류측을 향해서(화살표 B 방향으로) 고속으로 회전(예컨대, 30,000 rpm)하도록 되어 있다. 그리고, 척킹 테이블(20)이 이동함으로써, 그것에 배치된 반도체 웨이퍼(W)가 회전하는 블레이드(18)에 의해서 절입되어 간다. 한편, 척킹 테이블(20)과 블레이드(18)는, 블레이드(18)에 의한 반도체 웨이퍼(W)의 1 라인의 절삭이 종료될 때마다, 블레이드(18)의 측면과 교차하는 방향(본 실시형태에서는 수직인 방향 C)으로 소정 피치로 상대 이동한다. 이에 따라, 블레이드(18)는, 반도체 웨이퍼(W)를 소정 간격의 복수 라인을 따라서 절삭해 간다.
또한, 다이싱 장치(100)는, 절삭액을 생성하기 위한 액체(S)(예컨대, 순수)를 저류하는 저액조(11)를 지니고, 저액조(11)로부터 뻗는 송통관(送通管)(12a)이 펌프(13)의 입력구에 접속되어 있다. 펌프(13)의 출력구로부터 뻗는 송통관(12b)은, 2개의 송통관(12c, 12e)으로 분기되어, 한쪽의 송통관(12c)이 제1 버블 발생부(14)(제1 절삭액 생성 기구)에 접속되고, 다른 쪽의 송통관(12e)이 제2 버블 발생부(16)(제2 절삭액 생성 기구)에 접속되어 있다.
제1 버블 발생부(14) 및 제2 버블 발생부(16)는, 압력 개방식, 선회식, 다공성 물질 이용 등의 여러 가지 방식 중 어느 것, 혹은 이들 중 복수를 이용함으로써, 공급되는 액체 속에 미세 버블를 발생시켜, 미세 버블을 함유하는 액체, 즉 미세 버블 함유액을 생성한다. 제1 버블 발생부(14)는, 예컨대 직경 100 ㎚∼10 ㎛의 미세 버블, 소위 마이크로 나노 버블이나 나노 버블을 발생시킨다. 제2 버블 발생부(16)는, 제1 버블 발생부(14)에서 발생되는 미세 버블의 사이즈보다 큰 사이즈, 예컨대, 직경 10 ㎛∼100 ㎛의 미세 버블, 소위 마이크로 버블을 발생시킨다. 제1 버블 발생부(14)에서 생성되는 미세 버블 함유액은 제1 절삭액으로서 송통관(12d)을 통해서 제1 노즐 유닛(15)(제1 절삭액 분무 기구)에 공급되고, 제2 버블 발생부(16)에서 생성되는 미세 버블 함유액은 제2 절삭액으로서 송통관(12f)을 통해서 제2 노즐 유닛(17)(제2 절삭액 분무 기구)에 공급된다.
제1 노즐 유닛(15) 및 제2 노즐 유닛(17)은, 블레이드(18)와의 상대적인 위치 관계가 유지된 상태에서 다이싱 본체 유닛(22)에 구비되어 있다. 제1 노즐 유닛(15)은, 회전하는 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)에 절입하는 측의 단부면에 대향하여 배치되어 있다. 그리고, 제1 노즐 유닛(15)에 공급되는 상기 제1 절삭액이, 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)에 절입하는 측의 단부면의, 상기 반도체 웨이퍼(W) 표면에 접하는 부위의 근방을 향해서 노즐 구멍(151)을 통하여 토출되도록 되어 있다. 제2 노즐 유닛(17)은, 2개의 노즐 유닛(17a, 17b)[이하, 제2 노즐 유닛 17a, 제2 노즐 유닛 17b라고 함]으로 구성되어 있다. 2개의 제2 노즐 유닛(17a, 17b)은, 회전하는 블레이드(18)의 아래쪽 부분을 사이에 두도록 배치되어, 한쪽의 제2 노즐 유닛(17a)에 공급되는 제2 절삭액이, 복수의 노즐 구멍(171a)을 통하여 블레이드(18)의 한쪽의 측면을 향해서 토출되고, 다른 쪽의 제2 노즐 유닛(17b)에 공급되는 제2 절삭액이, 복수의 노즐 구멍(171b)을 통하여 블레이드(18)의 다른 쪽의 측면을 향해서 토출되도록 되어 있다.
한편, 저액조(11), 송통관(12a, 12b), 펌프(13), 송통관(12c), 제1 버블 발생부(14)(제1 절삭액 생성 기구), 송통관(12d) 및 제1 노즐 유닛(15)(제1 절삭액 분무 기구)이, 회전하는 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)에 절입하는 측의 단부면에 대하여 제1 절삭액을 분무하는 제1 기구를 구성하고 있다. 또한, 상기 제1 기구와 공통인 저액조(11), 송통관(12a, 12b) 및 펌프(13)와 함께, 송통관(12e), 제2 버블 발생부(16)(제2 절삭액 생성 기구), 송통관(12f) 및 제2 노즐 유닛(17a, 17b)이, 회전하는 블레이드(18)의 양 측면에 대하여 제2 절삭액을 분무하는 제2 기구를 구성한다.
전술한 것과 같은 다이싱 장치(100)(기계 가공 장치)에서는, 척킹 테이블(20)이 이동하면서, 회전하는 블레이드(18)가 척킹 테이블(20)에 배치된 반도체 웨이퍼(W)를 절단해 간다. 그 과정에서, 제1 노즐 유닛(15)의 노즐 구멍(151)을 통하여 토출하는 제1 절삭액[마이크로 나노 버블이나 나노 버블(직경 100 ㎚∼10 ㎛) 함유]이, 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)를 절입하는 측의 단부면에 항상 분무되고, 제2 노즐 유닛(17a, 17b)의 각 노즐 구멍(171a, 171b)을 통하여 토출하는 제2 절삭액[마이크로 버블(직경 10 ㎛∼100 ㎛) 함유]이, 블레이드(18)의 양 측면에 항상 분무된다.
제1 노즐 유닛(15)으로부터, 회전하는 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)를 절입하는 측의 단부면에 분무되는 제1 절삭액은, 블레이드(18)의 회전(화살표 B 방향)에 딸려가게 되어, 상기 블레이드(18)에 의해 반도체 웨이퍼(W)에 형성되는 절삭홈으로 흘러들어간다. 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블(마이크로 나노 버블이나 나노 버블)은, 그 사이즈가 비교적 작기 때문에, 그 절삭홈에 들어가기 쉽고, 예컨대, 도 3에 도시한 것과 같이, 제1 절삭액 속의 많은 미세 버블(Bb1)이 블레이드(18)에 의해 형성되는 절삭홈(Sc)에 들어간다. 이와 같이, 절삭홈(Sc)에 많은 미세 버블(Bb1)이 들어가게 되기 때문에, 그 미세 버블(Bb1)의 쿠션 작용에 의해서, 블레이드(18)와 반도체 웨이퍼(W) 사이의 마찰 경감이 도모되어, 블레이드(18)의 절입에 의해 형성되는 절삭홈(Sc)에서 파편이 떨어져 나간다고 하는 치핑을 유효하게 방지할 수 있게 된다.
또한, 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블(Bb1)(마이크로 나노 버블이나 나노 버블)의 사이즈(직경)는, 블레이드(18)의 표면을 덮는 지립(다이아몬드립)의 평균적인 입경(예컨대, 35 ㎛)보다 작고, 블레이드(18)의 인접하는 지립과 지립 사이의 간극의 사이즈(통상, 지립의 사이즈와 거의 같음)보다도 작다. 이 때문에, 그 지립 사이로 들어간 미세 버블의 쿠션 작용에 의해서 회전하는 블레이드(18)와 반도체 웨이퍼(W) 사이의 마찰을 더욱 저감할 수 있어, 치핑 등의 반도체 웨이퍼(W)의 결손을 더욱 유효하게 방지할 수 있게 된다.
한편, 2개의 제2 노즐 유닛(17a, 17b)으로부터, 회전하는 블레이드(18)의 양 측면에 분무되는 제2 절삭액에 포함되는 미세 버블(마이크로 버블)은, 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블(마이크로 나노 버블이나 나노 버블)보다 그 사이즈가 커서, 비교적 크기 때문에, 블레이드(18)의 양 측면에 분무되는 제2 절삭액 속의 미세 버블은 반도체 웨이퍼(W)에 형성되는 상기 절삭홈(Sc)에 들어가기 어렵지만, 예컨대, 도 4에 도시한 것과 같이, 블레이드(18)를 타고서 반도체 웨이퍼(W) 상으로 흘러들어간 제2 절삭액 중의 비교적 큰 사이즈의 미세 버블(Bb2)의 작용에 의해서 반도체 웨이퍼(W)의 절삭 칩[제1 절삭액에 포함되는 미세 버블(Bb1)이 흡착된 것을 포함함]이 절삭액면으로 부상되기 쉽게 된다. 이 때문에, 절삭 칩이 절삭액과 함께 흘러나오게 되어 반도체 웨이퍼(W)에의 재부착이 유효하게 방지되고, 제2 절삭액의 연속 공급에 의한 흐름에 의해서 그 절삭 칩은 반도체 웨이퍼(W) 상에서 제거된다.
또한, 2개의 제2 노즐 유닛(17a, 17b)으로부터의 제2 절삭액이 비교적 넓은 영역인 블레이드(18)의 양 측면에 분무되기 때문에, 블레이드(18)의 유효한 냉각이 가능하게 되는 한편, 그 제2 절삭액에 포함되는 미세 버블(Bb2; 마이크로 버블)의 사이즈가 비교적 크기 때문에, 회전하는 블레이드(18)에 부착되는 절삭액의 실질적인 액 밀도가 낮아져, 블레이드(18)에 대한 부하의 증대를 적게 할 수 있다. 이에 따라, 블레이드(18)를 회전시키기 위한 구동 모터의 출력을 필요 이상으로 크게 하지 않아도 된다.
상술한 것과 같이, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 다이싱 장치(기계 가공 장치)에 의하면, 회전하는 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)를 절입하는 측의 단부면에는 비교적 작은 사이즈의 미세 버블(Bb1; 마이크로 나노 버블이나 나노 버블)을 포함하는 제1 절삭액을 분무하고, 비교적 큰 사이즈의 미세 버블(Bb2; 마이크로 버블)을 포함하는 제2 절삭액을, 회전하는 블레이드(18)의 양 측면에 분무하도록 하고 있기 때문에, 미세 버블(Bb1, Bb2; 마이크로 나노 버블, 마이크로 버블)을 포함하는 절삭액을 회전하는 블레이드(18)의 반도체 웨이퍼(W)에 대한 가공에, 보다 유효하게 이용할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 다이싱 장치(100)에서는, 2개의 제2 노즐 유닛(17a, 17b)으로부터 블레이드(18)의 양 측면에 제2 절삭액을 분무하도록 했지만, 단일의 제2 노즐 유닛(17)을 이용하여 블레이드(18) 중 어느 한쪽의 측면에 제2 절삭액을 분무하도록 하더라도 좋다.
구체적으로는, 예컨대, 도 5에 도시하는 것과 같이 구성할 수 있다.
도 5에 있어서 블레이드(18)는, 전술한 것과 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 1 라인분의 절삭이 종료될 때마다, 그 블레이드(18)의 측면과 교차하는 방향(본 실시형태에서는 수직인 방향 C)으로 소정 피치로 반도체 웨이퍼(W)에 대하여 상대 이동하면서, 반도체 웨이퍼(W)를 복수의 라인을 따라서 절삭해 간다. 단일의 제2 노즐 유닛(17)은, 블레이드(18)에 있어서, 이 블레이드(18)의 측면에 수직인 이동 방향(C)의 하류측의 측면(도 5에 있어서 하측면)에 제2 절삭액을 분무하도록 설치되어 있다. 한편, 도 5에 있어서, 단일의 제2 노즐 유닛(17) 이외의 구성은 전술한 예(도 1 및 도 2 참조)와 마찬가지이다.
전술한 바와 같은 단일의 제2 노즐 유닛(17)을 이용한 구성에서는, 비교적 사이즈가 큰 미세 버블(Bb2)을 포함하는 제2 절삭액이 단일의 제2 노즐 유닛(17)으로부터 블레이드(18)의 한쪽의 측면으로 분무됨으로써, 전술한 경우와 마찬가지로, 반도체 웨이퍼(W)의 절삭 칩을 부상시키기 쉽게 되고, 또한, 블레이드(18)에 대한 유효한 냉각이 가능하게 되며, 아울러, 블레이드(18)에 대한 부하의 증대도 적게 할 수 있다. 단일의 제2 노즐 유닛(17)에 의해서 블레이드(18)의 한쪽의 측면에밖에 제2 절삭액을 분무할 수 없지만, 특히 그 단일의 제2 노즐 유닛(17)으로부터의 제2 절삭액이, 블레이드(18)에 대하여, 이 블레이드(18)의 측면에 수직인 이동 방향(C)과는 반대의 방향으로 분무되기 때문에, 이미 이루어진 절삭에 의해 생긴 절삭 칩이, 블레이드(18)가 그 측면에 수직인 방향(C)으로 이동하여 이제부터 절삭하는 영역으로 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 블레이드(18)가 이미 발생한 절삭 칩이 말려 들어가 생길 수 있는 치핑을 유효하게 방지할 수 있다.
한편, 도 5에서는 단일의 제2 노즐 유닛(17)을 이용했지만, 도 2에 도시한 바와 같이, 2개의 노즐 유닛(17a, 17b)을 설치하고, 블레이드(18)와 반도체 웨이퍼(W)의 상대 이동 방향을 따라서 한쪽의 제2 노즐 유닛에서만 제2 절삭액을 분무하도록 하더라도 좋다.
또한 전술한 블레이드(18)의 측면에 대향하여 배치되는 제2 노즐 유닛(17a, 17b)(17)은, 그 제2 노즐 유닛(17a, 17b)(17)이 연장하는 방향(절삭 방향)으로 대략 균일하게 제2 절삭액을 토출하는 것이지만, 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 2개의 제2 노즐 유닛(17a, 17b)(도 1 및 도 2 참조) 중 적어도 어느 하나, 혹은 단일의 제2 노즐 유닛(17)(도 5 참조)에 있어서. 반도체 웨이퍼(W)에 절입하는 블레이드(18)의 위치를 경계로, 제1 노즐 유닛(15)과는 반대쪽 부분으로부터 토출하는 제2 절삭액의 양이, 상기 제1 노즐 유닛(15) 쪽의 부분으로부터 토출하는 제2 절삭액의 양보다 많아지도록 할 수 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼(W)를 절삭한 직후의 마찰열을 보다 많이 띠고 있는 타이밍에 블레이드(18)를 단숨에 냉각할 수 있다. 이 때문에, 블레이드(18)에 대하여 보다 높은 마찰 방지 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 제2 실시형태에 따른 다이싱 장치(200)는, 도 6에 도시한 것과 같이 구성된다. 이 다이싱 장치(200)는, 비교적 작은 미세 버블을 포함하는 제1 절삭액과, 비교적 큰 미세 버블을 포함하는 제2 절삭액을 생성하는 기구가, 전술한 본 발명의 제1 실시형태에 따른 다이싱 장치(100)(도 1 참조)와 다르다.
도 6에 있어서, 이 다이싱 장치(200)는, 제1 실시형태에 따른 다이싱 장치(100)(도 1 및 도 2 참조)와 마찬가지로, 구동 모터에 의해 회전하는 회전축(19)에 블레이드(18)가 장착되고, 반도체 웨이퍼(W)가 배치된 척킹 테이블(20)이 이동함으로써, 반도체 웨이퍼(W)가, 회전하는 블레이드(18)에 의해서 절입되어 가도록 되어 있다. 또한, 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)를 절입하는 측의 단부면에 대향하여 제1 노즐 유닛(15)이 배치되고, 블레이드(18)의 양 측면에 대향하여 2개의 제2 노즐 유닛(17)이 배치되어 있다(도 6에서는, 한쪽의 제2 노즐 유닛(17)밖에 나타내어져 있지 않음).
이 다이싱 장치(200)는, 또한, 절삭액을 생성하기 위한 액체(S)(예컨대, 순수)를 저류하는 저액조(31)를 지니고, 저액조(31)로부터 연장되는 송통관(32a)이 펌프(33)의 입력구에 접속되어 있다. 저액조(31)와 펌프(33) 사이의 송통관(32a)에는, 유량 조정 밸브(35)가 설치된 송통관(32b)이 접속되어 있어, 기체 공급부(34)로부터의 기체(예컨대, 질소 가스)가 유량 조정 밸브(35)에서 조정되는 유량으로 송통관(32b)을 흘러, 송통관(32a)을 지나는 액체(S)에 공급되게 되어 있다. 이와 같이 하여 기체 공급부(34)로부터의 기체가 혼합된 액체(S)[이하, 기체 함유액(Sa)이라 함]는, 펌프(33)에 의해서, 그 출력구에 접속된 송통관(32c)을 통해서 가압조(36)로 압송되어, 일시적으로 저류된다.
가압조(36)에서는, 펌프(33)에 의해 압송되어 저류되는 기체 함유액(Sa)이 가압되고, 기체 함유액(Sa) 내의 기체가 액 속에 용해되어, 그 액 속의 기체 용존 농도가 상승하여, 상압에 있어서의 포화 용해 농도 이상으로 기체가 용해된 상태가 되는 기체 용존액(Sb)이 생성된다. 한편, 가압조(36) 내의 압력은, 압력 조정기(37)에 의해서 조정할 수 있게 되어 있다. 가압조(36)로부터 연장되는 송통관(32d)이 2개의 송통관(32e, 32g)으로 분기되어, 한쪽의 송통관(32e)이 제1 버블 발생기(39)(제1 버블 함유액 생성 기구)에 접속되고, 다른 쪽의 송통관(32g)이 제2 버블 발생기(41)(제2 버블 함유액 생성 기구)에 접속되어 있다. 한편, 제1 버블 발생기(39)에 이르는 송통관(32e)에는 유량 조정 밸브(38a)가, 제2 버블 발생기(41)에 이르는 송통관(32g)에는 유량 조정 밸브(38b)가 각각 설치되어 있다.
제1 버블 발생기(39)는, 복수의 오리피스를 지니며, 가압조(36)로부터 송통관(32d, 32e)을 통해서 공급되는 기체 용존액(Sb)이 상기 복수의 오리피스를 지날 때의 압력 개방에 의해 그 액 속에 미세 버블이 발생하도록 되어 있다. 또한, 제2 버블 발생기(41)도, 마찬가지로, 복수의 오리피스를 지니며, 가압조(36)로부터 송통관(32d, 32g)을 통해서 공급되는 기체 용존액(Sb)이 상기 복수의 오리피스를 지날 때의 압력 개방에 의해 그 액 속에 미세 버블이 발생하도록 되어 있다. 제1 버블 발생기(39)에서 생성되는 미세 버블 함유액에 포함되는 미세 버블의 사이즈는, 제2 버블 발생기(41)에서 생성되는 미세 버블 함유액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 크지 않은 소정의 사이즈, 예컨대, 마이크로 나노 버블이나 나노 버블(예컨대, 100 ㎚∼1O ㎛)의 사이즈로 설정된다.
제1 버블 발생기(39)로부터 연장되는 송통관(32f)은 제1 노즐 유닛(15)에 접속되어 있으며, 제1 버블 발생기(39)에서 생성되는 미세 버블 함유액이, 송통관(32f)을 지나 제1 노즐 유닛(15)에 공급된다. 그리고, 제1 노즐 유닛(15)으로부터 미세 버블 함유액이 제1 절삭액으로서 회전하는 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)를 절입하는 측의 단부면에 분무된다. 또한, 제2 버블 발생기(41)로부터 연장되는 송통관(32h)은 분기되어(도시 생략) 2개의 제2 노즐 유닛(17)에 접속되어 있고, 제2 버블 발생기(41)에서 생성되는 미세 버블 함유액이, 송통관(32h)을 지나 제2 노즐 유닛(17)에 공급된다. 그리고, 제2 노즐 유닛(17)으로부터 미세 버블 함유액이 제2 절삭액으로서 회전하는 블레이드(18)의 양 측면에 분무된다. 제2 버블 발생기(41)로부터 제2 노즐 유닛(17)까지 연장되는 송통관(32h)은, 제1 버블 발생기(39)로부터 제1 노즐 유닛(15)까지 연장되는 송통관(32f)보다 길다.
이러한 다이싱 장치(200)에서는, 제1 버블 발생기(39)로부터 제1 노즐 유닛(15)까지 연장되는 송통관(32f)이 제2 버블 발생기(41)로부터 제2 노즐 유닛(17)까지 연장되는 송통관(32h)보다 짧기 때문에[도 6에서는, 제1 버블 발생기(39)를 송통관(32f)을 사이에 두고 제1 노즐 유닛(15)의 직전에 배치했기 때문에], 제1 버블 발생기(39)에서 생성된 미세 버블 함유액이 송통관(32f)에 의해서 제1 노즐 유닛(15)으로 유도될 때까지의 시간이, 제2 버블 발생기(41)에서 생성된 미세 버블 함유액이 송통관(32h)에 의해서 제2 노즐 유닛(17)으로 유도될 때까지의 시간보다 짧아진다. 이 때문에, 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)에 절입하는 측의 단부면에 제1 절삭액으로서 분무될 때까지 미세 버블 함유액 속의 미세 버블이 성장(버블끼리 합체하여 거품 직경이 커지는 것)하는 시간이, 블레이드(18)의 양면에 제2 절삭액으로서 분무될 때까지 미세 버블 함유액 속의 미세 버블이 성장하는 시간보다 짧아지기 때문에, 제1 노즐 유닛(15)으로부터 제1 절삭액으로서 블레이드(18)에 분무되는 미세 버블 함유액에 포함되는 미세 버블의 사이즈를, 제2 노즐 유닛(17)으로부터 제2 절삭액으로서 블레이드(18)에 분무되는 미세 버블 함유액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 작게, 반대로, 제2 절삭액으로서 블레이드(18)에 분무되는 미세 버블 함유액 속에 포함되는 미세 버블의 사이즈를, 제1 절삭액으로서 블레이드(18)에 분무되는 미세 버블 함유액 속에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 더욱 크게 할 수 있다.
따라서, 다이싱 장치(200)에 있어서도, 제1 실시형태에 따른 다이싱 장치(100)의 경우와 마찬가지로, 제1 노즐 유닛(15)으로부터 블레이드(18)에 있어서 반도체 웨이퍼(W)에 절입하는 측의 단부면에 비교적 작은 사이즈의 미세 버블(마이크로 나노 버블)을 포함하는 제1 절삭액이 분무되고, 제2 노즐 유닛(17)으로부터 블레이드(18)의 양 측면에 비교적 큰 사이즈의 미세 버블(마이크로 버블)을 포함하는 제2 절삭액이 분무되면서, 회전하는 블레이드(18)에 의해서 반도체 웨이퍼(W)가 잘려져 간다. 이때, 절삭홈(Sc)에 들어가는 제1 절삭액 속의 비교적 작은 사이즈의 미세 버블(Bb1)에 의한 쿠션 작용(도 3 참조), 제2 절삭액 속의 비교적 큰 사이즈의 미세 버블(Bb2)에 의한 절삭 칩을 부상시키는 작용(도 4 참조), 또한, 회전하는 블레이드(18)에 대한 부하의 증대 방지 등의 작용을 유효하게 이용할 수 있다.
한편, 전술한 다이싱 장치(200)에서는, 각각 발생하는 버블의 사이즈가 다른 제1 버블 발생기(39)와 제2 버블 발생기(41)가 설치되었지만, 제1 버블 발생기(39) 및 제2 버블 발생기(41)가 동일한 사이즈의 미세 버블을 발생하도록 하더라고 좋다. 이 경우에도, 제1 버블 발생기(39)로부터 제1 노즐 유닛(15)으로 연장되는 송통관(32f)이 제2 버블 발생기(41)로부터 제2 노즐 유닛(17)으로 연장되는 송통관(32h)보다 짧기 때문에 제1 노즐 유닛(15)으로부터 토출하는 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈는, 제2 노즐 유닛(17)으로부터 토출하는 제2 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 작아진다.
또한, 예컨대, 비교적 작은 사이즈의 미세 버블을 발생하는 단일의 버블 발생기(공통의 버블 발생기)만을 설치하는 식의 구성으로 할 수도 있다. 이 경우, 그 단일의 버블 발생기로부터 제1 노즐 유닛(15)에 이르는 송통관의 길이를 그 단일의 버블 발생기로부터 제2 노즐 유닛(17)에 이르는 송통관의 길이보다 짧게 설정한다. 이러한 구성에 의해, 상기 단일의 버블 발생기에서 생성된 미세 버블 함유액이 제1 노즐 유닛(15)에 이를 때까지의 시간과, 제2 노즐 유닛(17)에 이를 때까지의 시간의 차이가 생기고, 그 시간의 차이에 의해, 제1 노즐 유닛(15)으로부터 제1 절삭액으로서 블레이드(18)에 분무되는 미세 버블 함유액 속의 미세 버블의 사이즈를 제2 노즐 유닛(17)으로부터 제2 절삭액으로서 블레이드에 분무되는 미세 버블 함유액 속의 미세 버블의 사이즈보다 작게 할 수 있다. 이에 의해, 다음의 것이 가능하게 된다. 즉, 단일의 버블 발생기에서는, 제1 절삭액에 포함되는 것으로서 필요로 하는 사이즈 또는 그 이하 사이즈의 미세 버블을 생성한다. 버블 발생기와 제1 노즐 유닛(15)의 사이에 개재되는 송통관의 길이를, 버블 발생기에서 생성된 미세 버블의 사이즈와 제1 절삭액에 포함되는 것으로서 필요로 하는 미세 버블의 사이즈를 고려하여 결정하여, 예컨대, 버블 발생기에서 생성된 버블의 사이즈가 최대한 유지된 상태로 제1 노즐 유닛(15)까지 공급될 수 있는 길이로 한다. 한편, 버블 발생기와 제2 노즐 유닛(17) 사이에 개재되는 송통관의 길이를, 버블 발생기에서 생성된 미세 버블의 사이즈와 제2 절삭액에 포함되는 것으로서 필요로 하는 미세 버블 사이즈를 고려하여 결정하여, 예컨대, 버블 발생기에서 생성된 미세 버블이 송통관을 통하여 이동하는 사이에 성장하여, 제2 절삭액에 포함되는 것으로서 필요로 하는 사이즈의 미세 버블로 되어 제2 노즐 유닛(17)에 공급되는 길이로 한다. 이에 따라, 단일의 버블 발생기와 각 노즐 유닛의 사이에 개재되는 각 송통관의 길이를, 버블 발생기에서 생성된 미세 버블의 사이즈와 절삭액에 포함되는 것으로서 필요로 하는 미세 버블의 사이즈를 고려하고 결정함으로써, 각 노즐 유닛에 필요한 사이즈의 미세 버블을 각각 공급할 수 있다. 보다 구체예로서는, 단일의 버블 발생기에 의해서 절삭액 속에 마이크로 나노 버블을 발생시킨다. 그리고, 이 단일의 버블 발생기로부터 제1 노즐 유닛(15)에 이르는 송통관의 길이를, 마이크로 나노 버블의 상태가 최대한 유지된 상태의 제1 절삭액이 제1 노즐 유닛(15)으로부터 토출되는 길이로 한다. 한편, 단일의 버블 발생기로부터 제2 노즐 유닛(17)에 이르는 송통관의 길이를, 마이크로 나노 버블이 성장하여 마이크로 버블로 된 미세 버블을 함유하는 제2 절삭액이 제2 노즐 유닛(17)으로부터 토출되는 길이로 한다. 한편, 이들 송통관의 길이의 설정 등은, 사용하는 절삭액의 종류나 유속 등에 따라 변화되는 것으로, 모두 실험 등에 의해 확인되고, 설정된다.
한편, 제1 버블 발생기(39)로부터 제1 노즐 유닛(15)으로 연장되는 송통관(32f) 및 제2 버블 발생기(41)로부터 제2 노즐 유닛(17)으로 연장되는 송통관(32h), 또는 전술한 단일의 버블 발생기로부터 제1 버블 유닛(15)으로 연장되는 송통관 및 상기 단일의 버블 발생기로부터 제2 노즐 유닛(17)으로 연장되는 송통관은, 직관(直管)으로 한정되지 않고, 예컨대, 나선형의 관을 이용할 수 있다. 이 경우, (권취 직경이 일정한 경우) 나선형 관의 권취수에 따라서 그 길이를 설정할 수 있다. 상기한 실시형태에서는, 단일의 버블 발생기로부터 제1 노즐 유닛(15)에 이르는 송통관의 권취수를 단일의 버블 발생기로부터 제2 노즐 유닛(17)에 이르는 송통관의 권취수보다 적게 설정한다.
또한, 전술한 다이싱 장치(200)에서는, 압력 개방을 이용하여 액 속에 미세 버블을 발생시키고 있지만, 선회식, 다공질 물질 이용 등의 다른 방식을 이용하는 것도 가능하다.
한편, 다이싱 장치(100, 200)에 대해서 설명했지만, 본원발명은, 판형물을 절단하는 커터 장치 혹은 그라인더 장치 등의 다른 기계 가공 장치에도 적용할 수 있으며, 본 명세서에서는 이들을 총칭하여 절삭이라 부르고, 이용되는 가공액을 절삭액이라 부르는 것이다.
11, 31 : 저액조
12a∼12f, 32a∼32h : 송통관
13, 33: 펌프
14 : 제1 버블 발생부(제1 절삭액 생성 기구)
15, 40 : 제1 노즐 유닛(제1 절삭액 분무 기구)
16 : 제2 버블 발생부(제2 절삭액 생성 기구)
17 : 제2 노즐 유닛(제2 절삭액 분무 기구)
18 : 블레이드(가공구)
19 : 회전축
20 : 척킹 테이블
21 : 지지부
22 : 다이싱 본체 유닛
35, 38 : 유량 조정 밸브
36 : 가압조
37 : 압력 조정기
39 : 제1 버블 발생기(제1 미세 버블 함유액 생성 기구)
41 : 제2 버블 발생기(제2 미세 버블 함유액 생성 기구)
100, 200 : 다이싱 장치

Claims (7)

  1. 회전하는 원반형의 가공구가 절입하여 판형물을 가공하는 기계 가공 장치로서,
    회전하는 상기 가공구에 있어서 상기 판형물에 절입하는 측의 단부면에 대하여 미세 버블을 포함하는 제1 절삭액을 분무하는 제1 기구와,
    회전하는 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 대하여 미세 버블을 포함하는 제2 절삭액을 분무하는 제2 기구
    를 구비하고,
    상기 가공구의 상기 판형물에 절입하는 부분의 표면이 미세한 지립으로 덮이고,
    상기 제1 절삭액에는, 상기 가공구의 인접하는 지립과 지립의 간극의 사이즈보다 작은 사이즈의 미세 버블이 포함되고,
    상기 제2 절삭액에는, 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 큰 사이즈의 미세 버블이 포함되는 것인 기계 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 기구는,
    액 속에 미세 버블을 발생시켜 상기 제1 절삭액을 생성하는 제1 절삭액 생성 기구와,
    상기 제1 절삭액 생성 기구에서 생성되는 상기 제1 절삭액을 상기 가공구의 단부면에 분무하는 제1 절삭액 분무 기구를 구비하고,
    상기 제2 기구는,
    액 속에 미세 버블을 발생시켜 상기 제2 절삭액을 생성하는 제2 절삭액 생성 기구와,
    상기 제2 절삭액 생성 기구에서 생성되는 상기 제2 절삭액을 상기 가공구의 양 측면의 적어도 한쪽에 분무하는 제2 절삭액 분무 기구를 구비하는 것인 기계 가공 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 기구는,
    액 속에 미세 버블을 발생시켜 미세 버블 함유액을 생성하는 제1 미세 버블 함유액 생성 기구와,
    상기 제1 미세 버블 함유액 생성 기구로부터 제1 통로를 통해서 공급되는 미세 버블 함유액을 상기 제1 절삭액으로서 상기 가공구의 단부면에 분무하는 제1 절삭액 분무 기구를 구비하고,
    상기 제2 기구는,
    액 속에 미세 버블을 발생시켜 미세 버블 함유액을 생성하는 제2 미세 버블 함유액 생성 기구와,
    상기 제2 미세 버블 함유액 생성 기구로부터 상기 제1 통로보다 긴 제2 통로를 통해서 공급되는 미세 버블 함유액을 상기 제2 절삭액으로서 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 어느 한쪽에 분무하는 제2 절삭액 분무 기구를 구비하는 것인 기계 가공 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 기구에 있어서의 상기 제1 미세 버블 함유액 생성 기구와 상기 제2 기구에 있어서의 상기 제2 미세 버블 함유액 생성 기구는, 공통의 미세 버블 함유액 생성 기구인 것인 기계 가공 장치.
  5. 회전하는 원반형의 가공구가 절입하여 판형물을 가공하는 기계 가공 방법으로서,
    회전하는 상기 가공구의 상기 판형물에 절입하는 측의 단부면에 대하여 상기 가공구의 인접하는 지립과 지립의 간극의 사이즈보다 작은 미세 버블을 포함하는 제1 절삭액을 분무하는 단계와,
    회전하는 상기 가공구의 양 측면 중 적어도 한쪽에 상기 제1 절삭액에 포함되는 미세 버블의 사이즈보다 큰 사이즈의 미세 버블을 포함하는 제2 절삭액을 분무하는 단계
    를 포함하고,
    상기 가공구의 상기 판형물에 절입하는 부분의 표면이 미세한 지립으로 덮이는 것인, 기계 가공 방법.
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