JP2012135869A - 機械加工装置及び機械加工方法 - Google Patents
機械加工装置及び機械加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012135869A JP2012135869A JP2011267444A JP2011267444A JP2012135869A JP 2012135869 A JP2012135869 A JP 2012135869A JP 2011267444 A JP2011267444 A JP 2011267444A JP 2011267444 A JP2011267444 A JP 2011267444A JP 2012135869 A JP2012135869 A JP 2012135869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting fluid
- fine
- fine bubbles
- bubble
- processing tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003754 machining Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 87
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 claims description 154
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 21
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】回転する円盤状の加工具18が切り込んで板状物Wを加工する機械加工装置であって、回転する前記加工具18の前記板状物Wに切り込む側の端面に対して微細バブルを含む第1切削液を吹き付ける第1の機構14、15と、回転する前記加工具18の両側面の少なくとも一方に対して微細バブルを含む第2切削液を吹き付ける第2の機構16、17とを有し、前記第2切削液に含まれる微細バブルのサイズは前記第1切削液に含まれる微細バブルのサイズより大きい構成となる。
【選択図】図1
Description
12a〜12f、32a〜32h 送通管
13 33 ポンプ
14 第1バブル発生部(第1切削液生成機構)
15 40 第1ノズルユニット(第1切削液吹き付け機構)
16 第2バブル発生部(第2切削液生成機構)
17 第2ノズルユニット(第2切削液吹き付け機構)
18 ブレード(加工具)
19 回転軸
20 チャッキングテーブル
21 支持部
22 ダイシング本体ユニット
35 38 流量調整弁
36 加圧槽
37 圧力調整器
39 第1バブル発生器(第1微細バブル含有液生成機構)
41 第2バブル発生器(第2微細バブル含有液生成機構)
100 200 ダイシング装置
Claims (7)
- 回転する円盤状の加工具が切り込んで板状物を加工する機械加工装置であって、
回転する前記加工具の前記板状物に切り込む側の端面に対して微細バブルを含む第1切削液を吹き付ける第1の機構と、
回転する前記加工具の両側面の少なくとも一方に対して微細バブルを含む第2切削液を吹き付ける第2の機構とを有し、
前記第2切削液に含まれる微細バブルのサイズは前記第1切削液に含まれる微細バブルのサイズより大きい機械加工装置。 - 前記加工具の前記板状物に切り込む部分の表面が微細な砥粒で覆われ、
前記第1切削液に含まれる微細バブルのサイズは、前記加工具の隣接する砥粒と砥粒の隙間のサイズより小さい請求項1記載の機械加工装置。 - 前記第1の機構は、
液中に微細バブルを発生させて前記第1切削液を生成する第1切削液生成機構と、
該第1切削液生成機構にて生成される前記第1切削液を前記加工具の端面に吹き付ける第1切削液吹き付け機構とを有し、
前記第2の機構は、
液中に微細バブルを発生させて前記第2切削液を生成する第2切削液生成機構と、
該第2切削液生成機構にて生成される前記第2切削液を前記加工具の両側面の少なくとも一方に吹き付ける第2切削液吹き付け機構とを有する請求項1または2記載の機械加工装置。 - 前記第1の機構は、
液中に微細バブルを発生させて微細バブル含有液を生成する第1微細バブル含有液生成機構と、
該第1微細バブル含有液生成機構から第1の通路を通して供給される微細バブル含有液を前記第1切削液として前記加工具の端面に吹き付ける第1切削液吹き付け機構とを有し、
前記第2の機構は、
液中に微細バブルを発生させて微細バブル含有液を生成する第2微細バブル含有液生成機構と、
該第2微細バブル含有液生成機構から前記第1の通路より長い第2の通路を通して供給される微細バブル含有液を前記第2切削液として前記加工具の両側面の少なくともいずれか一方に吹き付ける第2切削液吹き付け機構とを有する請求項1または2記載の機械加工装置。 - 前記第1の機構における前記第1微細バブル含有液生成機構と前記第2の機構における前記第2微細バブル含有液生成機構とは、共通の微細バブル含有液生成機構である請求項4記載の機械加工装置。
- 回転する円盤状の加工具が切り込んで板状物を加工する機械加工方法であって、
回転する前記加工具の前記板状物に切り込む側の端面に対して微細バブルを含む第1切削液を吹き付け、
回転する前記加工具の両側面の少なくとも一方に前記第1切削液に含まれる微細バブルのサイズより大きいサイズの微細バブルを含む第2切削液を吹き付ける機械加工方法。 - 前記加工具の前記板状物に切り込む部分の表面が微細な砥粒で覆われ、
前記第1切削液に含まれる微細バブルのサイズは、前記加工具の隣接する砥粒と砥粒の隙間のサイズより小さい請求項6記載の機械加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011267444A JP5610487B2 (ja) | 2010-12-10 | 2011-12-07 | 機械加工装置及び機械加工方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010276195 | 2010-12-10 | ||
JP2010276195 | 2010-12-10 | ||
JP2011267444A JP5610487B2 (ja) | 2010-12-10 | 2011-12-07 | 機械加工装置及び機械加工方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012135869A true JP2012135869A (ja) | 2012-07-19 |
JP2012135869A5 JP2012135869A5 (ja) | 2013-12-12 |
JP5610487B2 JP5610487B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=46337314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011267444A Expired - Fee Related JP5610487B2 (ja) | 2010-12-10 | 2011-12-07 | 機械加工装置及び機械加工方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5610487B2 (ja) |
KR (1) | KR101325295B1 (ja) |
CN (1) | CN102528624B (ja) |
TW (1) | TWI492290B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013111713A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 切削水の供給装置及び供給方法 |
JP2014217922A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
WO2018168912A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Idec株式会社 | 研削液生成装置、研削液生成方法、研削装置および研削液 |
JP2020104230A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社ナガセインテグレックス | ワーク切削方法 |
JP2020146786A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 日本タングステン株式会社 | 加工用クーラント供給機構、および、加工用クーラントの供給方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109382922A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-02-26 | 江苏晶成光学有限公司 | 一种单晶硅片用线切割机切削液供给装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5632886A (en) * | 1993-04-02 | 1997-05-27 | Harvey Universal, Inc. | Cutting oil treatment apparatus |
JP2003068677A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-03-07 | Sony Corp | ダイシング装置およびダイシング方法 |
US20060144801A1 (en) * | 2003-07-08 | 2006-07-06 | Mario Swinnen | Device and process for treating cutting fluids using ultrasound |
JP2007331088A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Kazumasa Onishi | マイクロバブルを用いた機械加工装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3105057B2 (ja) * | 1992-02-20 | 2000-10-30 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びダイシング装置の目立て方法 |
CN1214894C (zh) * | 1996-02-15 | 2005-08-17 | 株式会社泽塔平和 | 切削机床和磨床中冷却液的分离和回收的装置 |
JP2006012966A (ja) | 2004-06-23 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | 切削方法 |
JP2007160175A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Sharp Corp | 洗浄装置 |
JP5413456B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2014-02-12 | 日立化成株式会社 | 半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法 |
-
2011
- 2011-11-22 TW TW100142706A patent/TWI492290B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-12-07 KR KR1020110130076A patent/KR101325295B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-07 JP JP2011267444A patent/JP5610487B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-09 CN CN201110409433.9A patent/CN102528624B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5632886A (en) * | 1993-04-02 | 1997-05-27 | Harvey Universal, Inc. | Cutting oil treatment apparatus |
JP2003068677A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-03-07 | Sony Corp | ダイシング装置およびダイシング方法 |
US20060144801A1 (en) * | 2003-07-08 | 2006-07-06 | Mario Swinnen | Device and process for treating cutting fluids using ultrasound |
JP2007331088A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Kazumasa Onishi | マイクロバブルを用いた機械加工装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013111713A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 切削水の供給装置及び供給方法 |
JP2014217922A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
WO2018168912A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Idec株式会社 | 研削液生成装置、研削液生成方法、研削装置および研削液 |
JP2020104230A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社ナガセインテグレックス | ワーク切削方法 |
JP2020146786A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 日本タングステン株式会社 | 加工用クーラント供給機構、および、加工用クーラントの供給方法 |
JP7165079B2 (ja) | 2019-03-12 | 2022-11-02 | 日本タングステン株式会社 | 加工用クーラント供給機構、および、加工用クーラントの供給方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101325295B1 (ko) | 2013-11-08 |
CN102528624B (zh) | 2014-08-27 |
KR20120065239A (ko) | 2012-06-20 |
TW201234468A (en) | 2012-08-16 |
CN102528624A (zh) | 2012-07-04 |
TWI492290B (zh) | 2015-07-11 |
JP5610487B2 (ja) | 2014-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5610487B2 (ja) | 機械加工装置及び機械加工方法 | |
US9090808B1 (en) | Abrasive materials for use in abrasive-jet systems and associated materials, apparatuses, systems, and methods | |
US20160311127A1 (en) | Cutting apparatus and cutting method | |
JP2009094326A (ja) | ウェーハの研削方法 | |
JP2006190909A (ja) | Iii族窒化物基板の製造方法 | |
EP2650083A1 (en) | Abrasive water jet nozzle and abrasive water jet machine | |
WO2018168912A1 (ja) | 研削液生成装置、研削液生成方法、研削装置および研削液 | |
JP4786949B2 (ja) | 切削装置 | |
JP2007331088A (ja) | マイクロバブルを用いた機械加工装置 | |
JP5787235B2 (ja) | 超砥粒電着砥石の砥石内研削液供給装置とその研削方法 | |
JP2012135869A5 (ja) | ||
JP5452175B2 (ja) | ラップ加工方法 | |
JP6242162B2 (ja) | 切削装置及び切削方法 | |
JPH07304028A (ja) | スライシングマシン | |
JP2000015622A (ja) | 外周刃切断加工法および加工装置 | |
JP2013043239A (ja) | 加工ヘッド、加工機械及び加工方法 | |
JP2828377B2 (ja) | 研削加工方法および装置 | |
JP2006281419A (ja) | 加工液供給装置および加工装置 | |
JPH04240749A (ja) | ダイシング装置 | |
JP2014179434A (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP2007273743A (ja) | 半導体基板のダイシング方法及び半導体基板 | |
JP2009107050A (ja) | ワイヤソーによるワーク切断方法 | |
TW590842B (en) | Device and method for the division of materials | |
KR20160127537A (ko) | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 혼합 노즐 | |
JP3519000B2 (ja) | 粉塵飛散防止方法と装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131025 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5610487 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |