KR101199888B1 - 반도체 웨이퍼용 연마 헤드, 연마장치 및 연마방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 캐리어(3), 가이드링(4) 및 드레스링(5)를 유지함과 동시에 회전이 가능하며, 내 측에 공간부(8)가 형성된 역완(逆椀) 형태의 헤드 본체(2)를 갖고, 헤드 본체 하연부에 드레스링, 가이드링 및 캐리어 중 적어도 한 쪽을 다이어프램에 의해 연결하여 유지함과 동시에 헤드 본체의 공간부가 밀폐되어 있고, 연마할 때 밀폐된 공간부의 압력을 이 공간부에 연결된 압력조정기구(9)로 조정해서 다이어프램을 탄성변형시켜 캐리어에 유지된 웨이퍼(W)와 드레스링을 정반(12) 상의 연마포(11)에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러 연마할 수 있는 연마 헤드(1)이다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼 외주부에서의 과연마를 방지함과 함께 에지부의 압흔과 손상을 효과적으로 방지할 수 있는 연마 헤드 등이 제공된다.
웨이퍼, 연마, 헤드, 다이어프램, 캐리어, 가이드링, 드레스링
Description
본 발명은, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼 표면을 연마할 때 웨이퍼를 유지하기 위한 연마 헤드, 이를 구비한 연마장치 및 연마방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼 표면을 연마하는 장치로, 웨이퍼를 한쪽 면씩 연마하는 편면연마장치와 양면을 동시에 연마하는 양면연마장치가 있다.
일반적인 편면연마장치는 예를 들면 도 12에 나타난 바와 같이, 연마포(74)가 부착된 정반(73), 연마제 공급 기구(76) 및 연마 헤드(72) 등으로 구성되어 있다.
이러한 연마 장치(71)에서는 연마 헤드(72)로 웨이퍼(W)를 유지하고, 연마제 공급 기구(76)에서 연마포(74)상에 연마제(75)를 공급함과 동시에 정반(73)과 연마 헤드(72)를 각각 회전시켜서 웨이퍼(W)의 표면을 연마포(74)에 접접(摺接)시켜 연마를 행한다.
웨이퍼를 유지하는 방법으로는, 평탄한 원반형의 플레이트에 왁스 등의 접착제를 이용해 웨이퍼를 부착하는 방법, 연질의 패드[배킹 패드(backing pad)]를 이용해 물로 부착하는 방법 및 진공 흡착하는 방법 등이 있다.
도 14는, 배킹 패드로 웨이퍼를 유지하는 연마 패드의 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다. 이 연마 패드(91)는 세라믹 등으로 만들어지는 원반형 캐리어(92) 하면에 폴리우레탄 등의 탄성 패드(배킹 패드)(95)가 부착되어 있고, 이 패드(95)에 수분을 흡수시켜 웨이퍼(W)를 표면 장력에 의해 유지한다.
또한, 연마 중에 캐리어(92)로부터 웨이퍼(W)가 분리되는 것을 방지하기 위하여 캐리어(92) 주위에 링(리테이너링)(94)이 설치되어 있다.
예를 들면, 실리콘 웨이퍼를 연마하는 경우, 리테이너링은 웨이퍼 에지부에 손상이나 압흔이 발생하는 것을 방지하기 위해서 실리콘 단결정보다도 부드럽고 또한, 금속오염을 방지하기 위해 황화페닐렌 등의 플라스틱제가 일반적으로 사용된다.
하지만, 연마 시에 연마제가 리테이너링과 웨이퍼 에지부(면취부) 사이에 들어가고, 또한, 연마 중의 웨이퍼는 회전이 자유롭기 때문에 웨이퍼와의 접촉에 의해 리테이너링의 내주면이 연마되어 홈이 형성되기 쉽다. 그리고 이 홈에 웨이퍼의 에지부가 들어가면 캐리어의 압압(押壓)에 의해 면내가 균일하게 압압되어 있는 웨이퍼에 리테너링의 압압이 가해져 외주부에 영향을 미쳐 연마된 웨이퍼 외주부의 평탄도가 악화하는 문제가 있다.
따라서, 이러한 웨이퍼 외주부에서의 평탄도 악화를 방지하기 위해서는 리테이너링을 빈번하게 교환할 필요가 있으며 비용상승의 원인이 된다.
웨이퍼 외주부에서의 과잉 연마(과연마)를 방지하기 위해서 캐리어의 압압조정기구와는 별도로 리테이너링의 압압을 조정하기 위한 튜브와 다이어프램을 구비 한 연마 헤드가 제안되어 있다(특허 제 3158934호 공보 참조). 이러한 리테이너링의 압압조정기구로 연마포에 대한 리테이너링의 압압을 조정해서 연마포의 물결 모양으로의 변형을 방지하여 웨이퍼 외주부의 과연마를 방지할 수 있다고 하고 있다.
또한, 연마중에 웨이퍼가 캐리어에서 분리되는 것을 방지하기 위해서 캐리어 주위에 링형태의 가이드와, 그 외측에 연마포을 압압하기 위한 압압링을 설치하고, 또한, 압압링의 압압력을 조정하기 위한 에어실린더와 롤러를 구비한 연마 헤드가 제안되어 있다(특허 제3045966호 공보 참조).
통상적으로 압압링은 마모가 적고, 연마포와의 마찰저항이 적은 세라믹 등의 단단한 재질이 사용되고 있다. 상기와 같이, 압압링(리테이너링) 전용의 압압조정기구를 설치한 경우, 압압링의 압압이 웨이퍼의 압압에 직접 영항을 미치는 것을 피할 수 있다.
그러나, 웨이퍼나 압압링도 연마 중에 항상 연마포와의 마찰에 의해 스러스트 방향으로 강한 힘을 받아서 통상적으로 연마 중 마찰계수는 웨이퍼 쪽이 크고, 웨이퍼 에지부와 웨이퍼를 수용하는 가이드링 내주면의 접촉부에 연마제 등의 이물질이 들어간 경우, 웨이퍼의 압압기구, 압압링의 압압기구가 각각 독립되어 있기 때문에 웨이퍼 또는 가이드링과 캐리어가 옆으로 어긋났을 때 압압링에 접촉해서 웨이퍼를 수용하는 가이드 내주면의 재질이 플라스틱이라도 웨이퍼 에지부에 압흔과 손상이 발생하기 쉽다.
상기 문제점을 감안하여, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 외주부에서의 과연마를 방지함과 함께 에지부의 압흔과 손상을 효과적으로 방지할 수 있는 연마 헤드를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼 표면을 정반 상에 부착한 연마포에 접접시켜서 연마할 때에 상기 웨이퍼를 유지하기 위한 연마 헤드로서, 적어도,
상기 웨이퍼의 이면(裏面)을 유지하기 위한 원반형 캐리어와,
이 캐리어의 외주부를 따라 상기 웨이퍼의 이면을 유지하는 면에서 하방으로 돌출하여, 상기 웨이퍼의 에지부를 유지하기 위한 가이드링과,
이 가이드링 주위에 위치하여 상기 연마포를 압압하기 위한 드레스링과,
상기 캐리어, 가이드링, 드레스링을 유지함과 동시에 회전이 가능하고 내측에 공간부가 형성된 역완(逆椀) 형태의 헤드 본체를 갖고,
상기 헤드 본체의 하연부(下緣部)에 상기 드레스링, 가이드링 및 캐리어의 적어도 한 쪽을 다이어프램을 이용하여 연결하여 유지함과 동시에 상기 헤드 본체의 공간부가 밀폐되어 있고, 연마 시에 상기 밀폐된 공간부의 압력을 이 공간부에 연결된 압력조정기구로 조정하는 것에 의해, 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼와 상기 드레스링을 상기 정반 상의 연마포에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 연마할 수 있는 것인 것을 특징으로 하는 연마 헤드가 제공된다.
이와 같이, 본 발명의 연마 헤드는 드레스링, 가이드링 및 캐리어의 적어도 한 쪽이 동일한 다이어프램에 의해 헤드 본체에 연결돼 유지되어 있으며, 연마 시에 캐리어에 유지된 웨이퍼와 드레스링은 다이어프램의 횡방향 변형에 의해 실질적으로 연동하게 된다. 그 때문에, 연마 중의 스러스트 방향의 마찰력이 서로 다르더라도 웨이퍼 에지부가 가이드링을 통해 드레스링에 닿을 때의 충격을 매우 적게 억제할 수 있으며 에지부에 압흔 등이 생기는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 드레스링이 웨이퍼 주변의 연마포를 압압해 물결 모양으로의 변형을 방지하기 때문에 웨이퍼 외주부의 과연마도 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 가이드링에 웨이퍼와의 접촉에 기인하는 홈이 형성되는 일이 없고 그 수명이 길어지는 이점이 있다.
이 경우, 상기 케리어 위측에 배치된 이판을 가지며, 이 이판이 상기 다이어프램에 의해 상기 드레스링의 위쪽에 설치되어 있어서 상기 헤드 본체의 공간부가 2개의 챔버로 나뉘어져 있으며, 연마 시에 하측 챔버의 압력을 이 하측 챔버에 연결된 웨이퍼 압압조정기구로 조정함으로써 상기 드레스링과 캐리어 사이에서 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼 연마포에 대한 압압력을 더욱 조정할 수 있게 해도 좋다.
이와 같이, 캐리어 위측에 이판을 배치하여 드레스링과 캐리어 사이에서도 다이어프램을 탄성변형시켜 웨이퍼의 압압력을 별도 조정할 수 있게 하면, 캐리어에 유지된 웨이퍼의 압압력과 드레스링의 압압력을 미묘하게 바꿀 수도 있다. 그리고, 이러한 압압의 미조정에 의해 웨이퍼 외주부의 과연마와 에지부의 압흔 등을 보다 효과적으로 방지하는 것도 가능하게 된다.
이 경우, 상기 캐리어의 웨이퍼 이면을 유지하는 면에 배킹 패드가 설치되어 있는 것이 바람직하다.
배킹 패드를 설치한 것이라면 웨이퍼를 보다 확실하게 유지해 연마를 행할 수 있다. 따라서, 이 연마 헤드를 이용하면 에지부의 압흔 등을 보다 확실하게 방지하여, 보다 고품질의 반도체 웨이퍼를 만들 수 있다.
상기 캐리어는 세리믹 플레이트일 수 있다.
세라믹 플레이트의 캐리어라면, 반도체 웨이퍼의 금속오염 등을 방지할 수 있고, 또한 높은 강성을 가지기 때문에 웨이퍼를 고평탄도로 만드는데 적합하다.
또한, 상기 캐리어의 두께 방향에 상기 웨이퍼를 진공 흡작 유지하기 위한 관통공이 형성되고, 이 관통공에 연통하는 웨이퍼 흡착기구를 구비하는 것으로 해도 좋다.
이러한 웨이퍼 흡착기구를 구비한 것이라면, 웨이퍼를 보다 확실하게 유지해서 연마를 행할 수 있고, 또한, 연마 후, 캐리어의 관통공에서 웨이퍼 이면에 가스를 불어 넣어 캐리어에서 웨이퍼를 용이하게 분리할 수 있다.
또한, 상기 캐리어가 가요성 막이고, 이 가요성 막을 고정하기 위한 관통공이 형성된 고정반과 이 고정반의 관통공에 연통하는 웨이퍼 흡착기구 및 압압조정기구를 구비한 것으로도 할 수 있다.
가요성 막과(헤드 본체의 공간부를 나누는) 고정반으로 웨이퍼를 진공 흡착해서 웨이퍼를 확실히 유지할 수 있으며 연마 중에는 웨이퍼 압압을 조정할 수 있고, 또한, 연마 후, 고정반 관통공의 라인을 통해 가스를 불어 넣어 가요성 막을 부풀게 함으로써 캐리어에서 웨이퍼를 간단히 분리할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 반도체 웨이퍼 표면을 연마할 때에 사용하는 연마장치로서, 적어도 정반 상에 부착된 연마포와 이 연마포 상에 연마제를 공급하기 위한 연마제 공급기구와 상기 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 연마 헤드로서, 상기 본 발명에 관한 연마 헤드를 구비하는 것인 것을 특징으로 하는 연마장치가 제공된다.
본 발명에 관한 연마 헤드를 구비한 연마장치이면, 연마 중에 웨이퍼 에지부가 가이드링을 통해 드레스링에 닿을 때의 충격을 매우 적게 억제하여 웨이퍼 에지부에 압흔 등이 생기는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 드레스링에 의한 연마포의 물결 모양으로의 변형이 억제되어 웨이퍼 외주부에서의 과잉 연마를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 방법으로서, 상기 본 발명에 관한 연마 헤드에 의해 상기 웨이퍼를 유지하고, 상기 헤드 본체의 밀폐된 공간부의 압력을 이 공간부에 연결된 압력조정기구로 조정함으로써 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼와 상기 드레스링을 정반 상의 연마포에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마방법을 제공한다.
즉, 본 발명에 관한 연마 헤드를 이용해 반도체 웨이퍼의 표면 연마를 행하면, 연마 중에 웨이퍼 에지부가 가이드링을 통해 드레스링에 닿을 때의 충격을 매우 적게 억제할 수 있음과 함께, 드레스링에 의해 연마포의 물결 모양으로의 변형을 억제할 수 있다. 따라서, 에지부의 압흔과 외주부의 과잉 연마가 매우 적은 고품질 반도체 웨이퍼를 만들 수 있다.
본 발명의 연마 헤드는, 헤드 본체와 연마포를 압압하는 드레스링, 웨이퍼를 유지하기 위한 가이드링 및/또는 캐리어가 다이어프램에 의해 연결되어 있고, 드레스링과 캐리어에 유지된 웨이퍼가 다이어프램의 탄성변형을 통해 연동한다.
따라서, 연마 중의 스러스트 방향의 마찰력이 서로 다르더라도 웨이퍼 에지부가 가이드링을 통해 드레스링에 닿을 때의 충격을 매우 적게 억제할 수 있고, 에지부에서의 압흔과 손상 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 가이드링으로 연마포를 압압하지 않고 웨이퍼 에지부를 유지하므로 웨이퍼 외주부까지 균일한 하중을 가할 수 있는 한편, 가이드링 외측에 위치한 드레스링으로 연마포를 압압하기 때문에, 연마포의 물결 모양으로의 변형을 방지할 수 있다. 따라서, 이 연마 헤드에 의해 웨이퍼를 유지하여 연마를 행함으로써 외주부까지 평탄도가 우수한 웨이퍼를 만들 수 있다.
또한, 가이드링에 웨이퍼와의 접촉에 기인한 홈이 형성되는 일이 없고 그 수명이 길어지는 장점도 있다.
도 1은 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 1형태를 나타내는 개략구성도이다.
도 2는 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 2형태를 나타내는 개략구성도이다.
도 3은 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 3형태를 나타내는 개략구성도로서, (A)는 웨이퍼를 유지한 상태를, (B)는 웨이퍼를 유지하고 있지 않은 상태를 나타낸다.
도 4는 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 4형태를 나타내는 개략구성도이다.
도 5는 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 5형태를 나타내는 개략구성도이다.
도 6은 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 6형태를 나타내는 개략구성도로서, (A)는 웨이퍼를 유지한 상태를, (B)는 웨이퍼를 유지하고 있지 않은 상태를 나타낸다.
도 7은 본 발명에 관한 연마 헤드를 구비한 연마장치의 일 예를 나타내는 개략구성도이다.
도 8은 실시예 및 비교예로 연마 후 웨이퍼 에지부에서 평가한 영역(A)(B)를 나타내는 도면이다.
도 9는 연마 후 웨이퍼 에지부에서의 CCD화상이다(손상 없음).
도 10은 연마 후 웨이퍼 에지부에서의 CCD화상이다(손상 있음).
도 11은 연마 후 웨이퍼 에지부에서의 다른 CCD화상이다(손상 있음).
도 12는 편면연마장치의 일 예를 나타내는 개략구성도이다.
도 13은 비교예에서 사용한 연마 헤드를 나타내는 개략구성도이다.
도 14는 종래 연마 헤드의 일 예를 나타내는 개략구성도이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하면서 본 발명에 관한 연마 헤드 및 연마장치에 대해 구체적으로 설명한다.
도 1은, 본 발명에 관한 연마 헤드의 일 예(제 1형태)를 나타내고 있다. 이 연마 헤드(1)는, 역완 형태의 헤드 본체(2)를 갖고, 헤드 본체(2)의 내측에는 공간부(8)가 형성되어 있다. 헤드 본체(2)는 회전이 가능하며 상부 중앙에는 압력조정기구(9)에 연통하는 압력조정용 관통공(10)이 설치되어 있다.
헤드 본체(2)의 하연부에는, 동심원상으로 배치된 원반상의 캐리어(3), 가이드링(4) 및 드레스링(5)이 다이어프램(6)에 의해 연결되어 있다. 이와 같은, 다이어프램(6)에 의한 연결로 헤드 본체(2)가 캐리어(3), 가이드링(4) 및 드레스링(5)을 유지하고, 헤드 본체(2)의 공간부(8)가 밀폐된 상태가 된다.
다이어프램(6)은, 엘라스토머, 고무 등 탄력성이 높은 재질을 바람직하게(호적하게) 사용할 수 있다. 이러한 재질로 만들어진 1장의 다이어프램(6)이 헤드 본체(2)와 드레스링(5), 가이드링(4) 및 캐리어(3)에 각각 볼트 등으로 고정되는 것으로, 연결되고 헤드 본체(2)의 공간부(8)가 밀폐된 상태가 된다.
캐리어(3)는, 반도체 웨이퍼(W) 이면(연마된 쪽과 반대쪽의 면)을 유지하기 위한 것으로 강성이 높고 웨이퍼(W)의 금속오염을 일으키지 않는 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 알루미나 등의 세라믹제 원형 플레이트를 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 캐리어(3)는, 웨이퍼(W)의 이면 전체를 지지하기 때문에 연마하는 웨이퍼(W)와 같은 크기의 지름 또는 약간 큰 정도로 하는 것이 바람직하다.
캐리어(3)의 웨이퍼(W) 이면을 유지하는 면(유지면)에는, 시트상태의 탄성제[배킹 패드(7)]가 설치되어 있다. 예를 들면, 캐리어(세라믹 플레이트)(3)의 유지면에 발포폴리우레탄제 배킹 패드(7)를 양면 접착 테이프 등으로 고정한다. 이러한 배킹 패드(7)을 설치해서 물을 함유시킴으로써 배킹 패드(7)에 함유되는 물의 표면장력에 의해 웨이퍼(W)를 확실하게 유지할 수 있다.
캐리어(3)의 외주부에는 가이드링(4)이 끼워져 있다. 가이드링(4)은, 웨이 퍼(W) 에지부를 유지하기 위한 것으로, 캐리어(3)의 외주부를 따라 웨이퍼(W)의 이면을 유지하는 면(유지면)에서 아래쪽으로 돌출해 있다. 다만, 가이드링(4)은, 연마 중에 웨이퍼(W)의 에지부를 유지하여 웨이퍼(W)가 캐리어(3)에서 분리되는 것을 방지하는 한편, 연마포(11)를 압압하지 않도록 한다. 예를 들면, 0.8㎜정도 두께를 갖는 통상적인 실리콘 웨이퍼의 연마에 사용하는 것이라면, 가이드링(4)은 캐리어(3)의 유지면 또는 배킹 패드(7)에서 0.4~0.7㎜정도 범위에서 돌출시키면 된다.
또한, 가이드링(4)은, 웨이퍼(W)의 에지부를 유지해서 연마 중에 분리되는 것을 방지하기 위한 것이기 때문에 이 링의 폭은 특별히 두꺼울 필요는 없고 통상적으로는 0.3~3㎜정도 두께로 하면 된다.
또한, 가이드링(4)을 캐리어(3)과 일체로 형성하고, 이를 다이어프램(6)과 연결시켜도 좋다. 또한, 캐리어(3)에 가이드링(4)이 끼워져 있는 경우에도 이들이 일체화되어 있으면 캐리어(3)과 가이드링(4) 중 어느 한 쪽에 다이어프램(6)을 연결하도록 해도 좋다.
가이드링(4)의 재질은, 웨이퍼(W)를 오염시키지 않고, 또한 손상이나 압흔을 남기지 않기 위해서 웨이퍼보다도 부드러운 재질로 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 실리콘 웨이퍼의 연마에 사용하는 것이면 폴리에텔케톤(PEEK), 폴리아세탈(POM), MC나일론, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 황화페닐렌(PPS) 등의 플라스틱제 가이드링이 바람직하다.
또한, 캐리어와 가이드링을 일체로 형성한 경우에는, 웨이퍼의 에지부가 접촉하는 부분 즉, 가이드링 내측면에 상당하는 부분은 상기 PEEK, POM, MC나일론, PET, PPS 등의 플라스틱제로 형성하는 것이 바람직하다.
가이드링(4) 주위에는 드레스링(5)이 위치해 있다. 드레스링(5)은, 연마 중에 연마포(11)을 압압해서 연마포(11)의 물결 모양으로의 변형을 방지하기 위한 것이며, 이 링의 폭은, 예를 들면 5~30㎜정도의 비교적 두꺼운 폭으로 하는 것이 바람직하다.
드레스링(5)의 재질은, 웨이퍼의 금속 오염을 일으키지 않고, 연마포(11)와의 접촉에 의한 마모가 극도로 적은 것이 바람직하다. 예를 들면 알루미나제 링을 바람직하게 사용할 수 있다.
가이드링(4)과 드레스링(5) 사이에는, 그 사이에서 다이어프램(6)이 탄성변형할 수 있도록 아주 작은 간극(間隙)이 마련되어 있다. 이 간극이 너무 좁으면 다이어프램(6)이 탄성변형하기 어려우며, 너무 넓으면 웨이퍼의 주변부에서의 연마포(11)의 물결 모양으로의 변형을 충분히 방지할 수 없게 될 우려가 있다.
따라서, 가이드링(4)과 드레스링(5) 사이에는 0.2~2㎜정도의 간극을 두는 것이 바람직하다.
드레스링(5)은, 다이어프램(6)에 의해 헤드 본체(2)의 하연부와 연결되어 있다. 헤드 본체(2)의 하연부와 드레스링(5) 사이에서도 다이어프램(6)이 탄성변형할 수 있도록 간극이 마련되어 있다. 이 헤드 본체(2)와 드레스링(5) 사이의 간극도 다이어프램(6)의 탄성변형을 확보하고, 또한 연마 헤드의 대형화를 방지하기 위해 0.5~15㎜정도로 하는 것이 바람직하다.
도 7은, 상기 연마 헤드(1)를 구비한 연마장치(17)의 개략도이다. 이 연마장 치(17)는, 연마 헤드(1) 외에 정반(12) 상에 부착된 연마포(11)와 연마포(11) 상에 연마제(16)를 공급하기 위한 연마제 공급기구(13)를 구비하고 있다.
이하, 도 1 및 도 7을 이용해 설명한다.
이 연마장치(17)를 이용하여 웨이퍼(W)를 연마하기 위해서는 우선, 물을 함유시킨 배킹 패드(7)에 웨이퍼(W)를 부착시켜 웨이퍼(W) 이면을 캐리어(3)로 유지하면서 웨이퍼(W) 에지부를 가이드링(4)으로 유지한다.
그리고, 연마제 공급기구(13)에서 연마포(11) 상에 연마제(16)을 공급함과 함께, 연마 헤드(1)와 정반(12)을 각각 소정의 방향으로 회전시키면서 웨이퍼(W)를 연마포(11)에 접접시킨다. 이 때, 헤드 본체(2)의 밀폐된 공간부(8)의 압력을 압력 조정기구(9)로 조정하는 것에 의해, 다이어프램(6)을 탄성변형시킬 수 있다.
예를 들면, 압력조정기구(9)에서 공간부(8)에 압력에어를 공급함으로써 헤드 본체(2)의 하연부와의 사이에서 다이어프램(6)이 탄성변형하여 캐리어(3), 가이드링(4) 및 드레스링(5)이 동시에 동일한 압력으로 연마포(11) 측으로 밀려나온다. 이렇게 압력조정기구(9)에 의해 다이어프램(6)을 탄성변형시키면 캐리어(3)에 유지된 웨이퍼(W)와 드레스링(5)을 정반(12) 상의 연마포(11)에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 웨이퍼(W) 표면을 연마할 수 있다.
이러한 연마 헤드(1)을 구비한 연마장치(17)을 이용하여 웨이퍼(W)의 연마를 행하면, 웨이퍼(W)의 에지부는 연마포(11)에 대하여 압압하지 않는 가이드링(4)에 의해 유지되어 있기 때문에 웨이퍼(W) 외주부까지 균일한 하중을 가할 수 있다.
또한, 가이드링(4) 주위에서는 드레스링(5)이 연마포(11)를 압압하기 때문에 연마포(11)의 물결모양으로의 변형을 방지할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 외주부가 과잉으로 연마되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 나아가, 드레스링(5)과 가이드링(4) 및 캐리어(3)가 동일한 다이어그램(6)에 의해 연결되어 헤드 본체(2)에 유지되어 있기 때문에 연마 중의 스러스트 방향의 마찰력이 서로 다르더라도 웨이퍼 움직임에 대해 완만하게 연동하여 웨이퍼(W)의 에지부가 가이드링을 통해 드레스링(5)에 닿을 때의 충격을 아주 적게 할 수 있어, 에지부의 압흔과 손상의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 이에 의해, 드레스링(5)의 내벽에 홈이 형성되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 연마 후의 웨이퍼는, 가이드링(4)과 웨이퍼(W)의 에지부 사이에 물을 불어 넣어서 용이하게 이탈시킬 수 있다.
도 2는, 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 2형태를 나타내고 있다. 이 연마 헤드(21)에서는 캐리어(3), 다이어프램(6), 배킹 패드(7)의 두께 방향으로 웨이퍼(W)를 진공 흡착 유지하기 위한 웨이퍼 흡착용 관통공(26)이 복수개 형성되어 있다.
또한, 헤드 본체(2)의 공간부(8)의 압력을 조정하는 압력조정기구(9)와는 별도로, 웨이퍼 흡착로(25)를 통해 캐리어(3) 등의 관통공(26)에 연통하는 웨이퍼 흡착기구(22)가 구비되어 있다. 이러한 연마 헤드(21)에서는, 배킹 패드(7)에 의한 흡착력과 웨이퍼 흡착기구(22)에 의한 진공 흡착에 의해, 웨이퍼(W)를 보다 확실하게 흡착 유지할 수 있다.
또한, 연마 후에는, 예를 들면 에어공급기구(23)에서 캐리어(3) 등의 관통공(26)을 통해 웨이퍼(W)의 이면에 에어를 불어 넣어 캐리어(3)[배킹 패드(7)]에서 웨이퍼(W)를 용이하게 이탈시킬 수 있다.
또한, 도 2의 연마 헤드(21)에서는, 웨이퍼 흡착기구(22)와 에어공급기구(23)가 따로따로 설치되어 있지만, 겸용한 것을 채용해도 된다.
도 3(A)(B)는 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 3형태를 나타내고 있다. 이 연마 헤드(31)에는 캐리어로 가요성 막(32)이 설치되어 있다. 이 가요성 막(32)은 경질우레탄고무, EPDM 등의 합성고무로 구성할 수 있다. 가요성 막(32)의 배면 쪽에는 가요성 막(32)을 고정함과 동시에 웨이퍼(W)를 진공 흡착 유지하기 위한 고정반(33)이 설치되어 있다.
고정반(33)은, 웨이퍼를 흡착하지 않은 상태에서는 도 3(B)에 나타나 있는 바와 같이, 주변부에서 중앙부에 걸쳐 완만하게 경사지고, 볼록한 형상이고, 고정반(33)과 가요성 막(32) 사이에는 공간부(38)이 형성되어 있다. 고정반(33) 중앙에는 압력조정기구(36) 등이 연통하는 관통공(34)이 형성되어 있다.
다만, 도 3(B)는 특징 부분을 강조하기 위해서, 스케일은 실물과 다르게 기재되어 있다.
또한, 고정반(33)의 재질은 SUS와 티탄 등의 금속을 이용할 수 있다.
이와 같은 연마 헤드(31)로 웨이퍼를 유지하는 경우에는, 가요성 막(32)에 물을 함유시키든가, 가요성 막(32) 표면에 시트형태의 탄성체[배킹 패드(7)]를 양면 접착 테이프 등으로 부착하고 배킹 패드(7)에 물을 함유시킨다.
그리고, 가요성 막(32)과 고정반(33) 사이의 공간부(38)를 부압(負壓)으로 함으로써 가요성 막(32)을 고정반(33)의 형상에 맞추고, 이에 의해 웨이퍼(W)를 흡 착 유지할 수 있다. 부압용 진공은, 예를 들면 도 3(A)과 같이 레귤레이터 등의 조정기(37)를 이용하여 압력조정기구(36)과 동일한 라인을 통해 조정할 수 있다. 이와 같은 압력조정기구(36)와 조정기(37)로 웨이퍼 흡착과 압압을 제어할 수 있다.
이 연마 헤드(31)에서도 헤드 본체(2)의 밀폐된 공간부(8)의 압력을 관통공(35)을 통해 압력조정기구(36)로 조정함으로써 다이어프램(6)을 탄성변형시킬 수 있으며, 동시에 공간부(38)의 압력을 관통공(34)을 통해 압력조정기구(36)로 조정해서 가요성 막(32)을 탄성변형시킬 수 있다. 이에 의해 가요성 막(32)에 유지된 웨이퍼(W)와 드레스링(5)을 정반(12) 상의 연마포(11)에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 연마할 수 있다.
또한, 연마 후는 고정반(33)의 관통공(34)으로 통하는 라인을 통해 에어를 불어 넣어 가요성 막(32)를 부풀려서 웨이퍼(W)를 용이하게 이탈시킬 수 있다.
도 4는, 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 4형태를 나타내고 있다. 이 연마 헤드(41)에서는 캐리어(세라믹 플레이트)(3) 위측에 이판(44)이 배치되어 있다. 이판(44)은 다이어프램(6)에 의해 드레스링(5)의 상방에 부착되어 있다. 이판(44)을 드레스링(5)에 다이어프램에 의해 고정함으로써 헤드 본체(2)의 공간부가 두 개의 챔버(8a,8b)로 나누어져 있다. 위쪽 챔버(8a)에는 압력조정기구(42)가 연결되고 아래쪽 챔버(8b)에는 웨이퍼 압압조정기구(43)가 연결되어 있다.
이러한 구성의 연마 헤드(41)에서는, 압력조정기구(42)로부터의 압력에어 공급 등에 의해 헤드 본체(2)와 드레스링(5) 사이에서 다이어프램(6)이 탄성변형하여 캐리어(3)에 유지된 웨이퍼(W)와 드레스링(5)의 압압력을 조정할 수 있다.
한편, 웨이퍼 압압조정기구(43)로부터의 에어 공급 등에 의해 아래쪽 챔버(8b)의 압력을 조정함으로써 드레스링(5)과 캐리어(3) 사이에서 다이어프램(6)이 탄성변형되어 캐리어(3)에 유지된 웨이퍼(W)의 연마포(11)에 대한 압압력을 미조정할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)와 드레스링(5)의 압압을 각각 제어할 수도 있다.
연마 후의 웨이퍼는, 가이드링(4)과 웨이퍼(W) 에지부 사이에 물을 불어 넣어 간단히 이탈시킬 수 있다.
도 5는, 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 5형태를 나타내고 있다. 이 연마 헤드(51)은 제 4형태와 같이 세라믹 플레이트(캐리어)(3) 위쪽에 이판(54)이 배치되어 있다.
또한, 제 2형태와 같이 캐리어(3), 다이어프램(6), 배킹 패드(7)에는 웨이퍼(W)를 진공 흡착 유지하기 위한 관통공(56)이 형성되어 있고 또한, 이 관통공(56)에 연통하는 웨이퍼 흡착기구(52)가 구비되어 있다.
이러한 구성의 연마 헤드(51)라면 상기 제 2형태와 같이 배킹 패드(7)와 웨이퍼 흡착기구(52)에 의해서 웨이퍼(W)를 확실하게 흡착 유지할 수 있다. 또한, 상기 제 4형태와 같이 압력조정기구(59)와 웨이퍼 압압조정기구(53)에 의해 드레스링(5)과 웨이퍼(W)의 압압을 각각 조정할 수 있다. 또한, 에어 공급기구(55)에 의해 연마 후의 웨이퍼를 간단히 이탈시킬 수도 있다.
도 6(A)(B)는, 본 발명에 관한 연마 헤드의 제 6형태를 나타내고 있다. 이 연마 헤드(61)는, 도 3에 나타낸 제 3형태와 같이 가요성 막으로 만들어지는 캐리어(62)와, 고정반(63)을 구비하고 있다. 도 6(B)에 나타나 있는 것과 같이, 고정반(63)과 가요성 막(62) 사이에는 공간부(68)가 형성되어 있다. 고정반(63) 중앙에는 웨이퍼 압압조정기구(66) 등에 연통하는 관통공(64)이 형성되어 있다.
다만, 도 6(B)는 특징 부분을 강조하기 위해서, 스케일은 실물과는 달리 기재되어 있다.
고정반(63)에 통하는 웨이퍼 흡착기구(67)에 의해 웨이퍼(W)의 탈착을 자유롭게 행할 수 있고, 또한, 공간부(8)로 통하는 압력조정기구(65)에 의해 캐리어(62)에 유지된 웨이퍼(W)와 드레스링(5)의 압압을 조정할 수 있고, 또한, 공간부(68)로 통하는 웨이퍼 압압조정기구(66)에 의해 웨이퍼(W)의 압압을 미조정(微 調整)할 수 있다.
따라서, 이 연마 헤드(66)로 웨이퍼(W)를 유지하여 연마를 행하면, 웨이퍼(W)의 착탈, 드레스링(5)의 압압, 웨이퍼(W)의 압압을 자유롭게 제어할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예에 대해 설명한다.
(실시예1)
도 1에 나타낸 구성의 연마 헤드를 이하와 같이 제작했다. 스텐레스제 헤드 본체를 준비하고, 세라믹 플레이트(직경 301㎜) 캐리어를 사용했다. 캐리어 주위에는 PEEK제 가이드링(폭:2㎜)을 끼워 넣고, 또한, 가이드링 외측에는 약 0.5㎜ 간격을 두고 알루나미제 드레스링을 배치했다. 그리고 캐리어, 가이드링, 드레스링 및 헤드 본체를 1장의 합성고무제 다이어프램을 이용해 연결하고 연마 헤드 내측에 한 개의 챔버(공간부)를 갖는 연마 헤드(싱글챔버방식 연마 헤드)를 제작했다.
상기와 같은 연마 헤드를 구비한 연마장치를 이용하여 직경 300㎜의 실리콘 웨이퍼의 연마를 행했다. 사용한 실리콘 웨이퍼는 그 양면에 미리 1차 연마를 행하고, 에지부에도 연마를 행한 것이다. 이 웨이퍼의 평탄도를 평탄도측정장치「AMS3200」(ADE회사 제품)을 이용하여 측정한 결과, SFQR(Siteflatness Front Surface a site least squares Range:사이트 별 웨이퍼 표면의 고저 차)의 최대치 SFQRmax는 평균 0.13㎛이었다(측정조건:셀 사이즈 26㎜ X 33㎜, 옵셋 0㎜ X 16.5㎜, 웨이퍼 외주에서의 2㎜는 제외).
연마포는 SUBA600(NITTA HAAS 제품)을 사용하고, 연마제로는 콜로이달 실리카를 함유하는 알카리용액을 사용했다.
연마할 때 연마 헤드와 연마 정반은 각각 30rpm으로 회전시켰다. 웨이퍼 연마압력(압압)은 30kPa(챔버 내)로 했다. 연마대(硏磨代)가 1㎛이 되도록 연마 시간을 조정했다. 연마 후 웨이퍼에 대해 SC-1 세정을 행했다.
(실시예 2)
도 4에 나타낸 두 개의 챔버(8a,8b)를 갖는 연마 헤드를 제작했다. 캐리어, 가이드링 및 드레스링은 실시예 1과 같은 것을 사용했다.
이 연마 헤드를 이용해 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 웨이퍼의 연마를 행하였다. 드레스링의 연마압력을 조정하는 챔버(8a) 안은 33kPa로 하고, 웨이퍼 연마압력을 조정하는 챔버(8b) 안은 30kPa로 했다.
(실시예 3)
도 3과 같이, 캐리어가 가요성 막인 연마 헤드를 제작했다.
이 연마 헤드를 이용해 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 웨이퍼의 연마를 행했다. 웨이퍼 및 드레스링의 압압을 조정하는 공간부(8) 안은 30kPa로 하고, 웨이퍼를 유지하기 위한 가요성 막과 고정반 사이의 공간부(38) 안도 30kPa로 했다.
(실시예 4)
도 6과 같이, 캐리어가 가요성 막이고, 웨이퍼의 연마압력을 조정하는 기구와 드레스링 압력을 조정하는 기구를 갖는 연마 헤드를 제작했다.
이 연마 헤드를 이용해 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 웨이퍼의 연마를 행했다. 드레스링의 연마압력을 조정하는 공간부(8)는 33kPa로 하고, 웨이퍼의 연마압력을 조정하는 공간부(68) 안은 30kPa로 했다.
(비교예 1)
도 13과 같은 연마 헤드(81)을 준비했다. 이 연마 헤드(81)는, 캐리어(82)의 외주부를 따라 링 형태의 가이드(83)가 설치되고, 또한 그 외측에 압압링(84)이 설치되어 있다. 캐리어(82)와 압압링(84)은 특별히 다이어프램 등에 의한 연결은 하지 않고, 별도의 압압조정기구로 압압이 제어되는 것으로 했다.
이 연마 헤드(81)을 이용해 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼의 연마를 했다.
(비교예 2)
도 14와 같은 연마 헤드(91)을 준비했다. 이 연마 헤드(91)에는, 캐리어(92)의 외주부를 따라 링상의 리테이너(94)가 설치되고, 본 링(94)은 상하움직임이 자유롭게 다이어프램에 의해 지지되어 있다. 캐리어(92)와 리테이너링(94)은 특별히 다이어프램 등에 의한 연결은 하지 않고, 별도의 압력제어기구에 의해 압압이 제어되는 것으로 했다.
이 연마 헤드(91)을 이용해 실시예 1과 같이 실리콘 웨이퍼의 연마를 행했다.
(연마 후의 웨이퍼 평가방법)
실시예 1-4 및 비교예에서 연마한 실리콘 웨이퍼 에지부에 대해, 웨이퍼 에지결함 자동검출장치「RXW-1225S」(RAYTEX회사 제품)를 이용해 평가를 행했다.
구체적으로는, 웨이퍼 외주부(外周部全周)에 레이저광을 조사하고, 그 산란광을 수광하는 것으로 결함의 유무를 검출했다. 결함이 발생해 있는 경우에는, 이 결함의 노치에서의 각도를 구해서 도 8과 같이 연마 후의 웨이퍼 에지부의 영역(A)(B)(C)에 대하여 CCD카메라로 촬영하여 화상처리로 합격 여부를 판단했다.
도 9는 합격품의 CCD카메라 화상이며, 도 10 및 도 11은 불합격품의 CCD카메라 화상이다.
(평가결과)
실시예 1-4의 연마 헤드를 이용해 연마를 행한 경우의 웨이퍼 에지부에서의 압흔 또는 손상 발생률은 평균 약 1.5%였다.
비교예 1의 연마 헤드를 이용해 연마를 행한 경우의 웨이퍼 에지부의 손상 발생률은 8.5%였다.
비교예 1의 연마 헤드에서는, 웨이퍼가 옆 쪽으로 어긋났을 때, 경화 리테이너링에 접촉해서 웨이퍼에 압흔과 손상이 일어나기 쉬웠다고 생각된다.
또한, 연마한 웨이퍼의 평탄도를 평탄도측정기「AMS3200」(ADE회사 제품)을 이용해 실시예 1과 동일하게 측정한 결과, 실시예 1~4의 연마 헤드를 이용해 연마 한 경우의 웨이퍼의 SFQRmsx는 평균 0.09㎛이었으나 비교예 1의 연마 헤드를 이용해 연마한 경우는 평균 0.11㎛이었다.
한편, 비교예 2의 연마 헤드를 이용해 연마한 경우의 웨이퍼 에지부의 압흔 또는 손상 발생율은 1.7%였으나, SFQRmax는 최외주부의 셀 값이 악화되어 평균 0.18㎛으로 악화되었다. 그 원인은, 리테이너링이 연마 중에 상하로 진동해 그 영향으로 최외주부 셀의 평탄도가 악화한 것으로 생각된다.
한편, 실시예 1~4의 연마 헤드에서는, 헤드 본체, 드레스링, 가이드링 및 캐리어가 다이어프램에 의해 연결되어 있고 다이어프램의 탄성변형에 의해 가이드링과 드레스링은 동일하게 어긋나 거의 부딪힐 일이 없기 때문에 웨이퍼 에지부에 압흔과 손상이 생기기 어려웠다고 생각된다.
본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시형태는 단지 예시일 뿐이고, 본 발명의 특허청구 범위에 기재되어 있는 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
예를 들면, 본 발명에 관한 연마 헤드는 도 1~6에 나타낸 형태에 한정되는 것이 아니며 예를 들면, 헤드 본체의 형상 등은 적절히 설계하면 된다.
또한, 연마장치의 구성도 도 7에 나타낸 것에 한정하지 않으며, 예를 들면, 본 발명에 관한 연마 헤드를 복수 구비한 연마장치로 할 수도 있다.
Claims (16)
- 반도체 웨이퍼 표면을 정반 상에 부착한 연마포에 접접시켜 연마할 때, 상기 웨이퍼를 유지하기 위한 연마 헤드로서, 적어도상기 웨이퍼의 이면을 유지하기 위한 원반상의 캐리어와,이 캐리어 외주부를 따라 상기 웨이퍼 이면을 유지하는 면에서 아래쪽으로 돌출하여 상기 웨이퍼의 에지부를 유지하기 위한 가이드링과,이 가이드링 주위에 위치하여 상기 연마포를 압압하기 위한 드레스링과,상기 캐리어, 가이드링 및 드레스링을 유지함과 동시에 회전이 가능하고, 내측에 공간부가 형성된 역완 형태의 헤드 본체와,상기 캐리어 위 측에 배치된 이판을 갖고,상기 헤드 본체의 하연부에 상기 드레스링, 가이드링 및 캐리어의 적어도 한 쪽을 다이어프램에 의해 연결해 유지함과 동시에 상기 헤드 본체의 공간부가 밀폐되어 있고, 상기 이판이 상기 다이어프램에 의해 상기 드레스링의 위쪽에 부착되어 있는 것에 의해, 상기 헤드 본체의 공간부가 두 개의 챔버로 구분되어 있고, 연마할 때 상기 밀폐된 공간부의 압력을 이 공간부에 연결된 압력조정기구로 조정하는 것에 의해, 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼와 상기 드레스링을 상기 정반 상의 연마포에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 연마할 수 있고, 하측 챔버의 압력을 이 하측 챔버에 연결된 웨이퍼 압압조정기구로 조정하는 것에 의해, 상기 드레스링과 캐리어 사이에서 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼의 연마포에 대한 압압력을 더욱 조정할 수 있는 것을 특징으로 하는 연마 헤드.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 캐리어의 웨이퍼의 이면을 유지하는 면에 배킹 패드가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 헤드.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 캐리어가 세라믹 플레이트인 것을 특징으로 하는 연마 헤드.
- 삭제
- 제 3항에 있어서,상기 캐리어가 세라믹 플레이트인 것을 특징으로 하는 연마 헤드.
- 삭제
- 제 1항, 제 3항, 제 5항 및 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 캐리어의 두께 방향으로, 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 관통공이 형성되고, 이 관통공에 연통하는 웨이퍼 흡착기구를 구비하는 것인 것을 특징으로 하는 연마 헤드.
- 제 1항 또는 제 3항에 있어서,상기 캐리어가 가요성 막이고, 이 가요성 막을 고정하기 위한 관통공이 형성된 고정반과, 이 고정반의 관통공에 연통하는 웨이퍼 흡착기구 및 압압조정기구를 구비하는 것인 것을 특징으로 하는 연마 헤드.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 연마할 때 사용하는 연마장치로서, 적어도 정반 상에 부착된 연마포와 이 연마포 상에 연마제를 공급하기 위한 연마제 공급기구와 상기 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 연마 헤드로서 제 1항, 제 3항, 제 5항 및 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 연마 헤드를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 연마할 때 사용하는 연마장치로서, 적어도 정반 상에 부착된 연마포와 이 연마포 상에 연마제를 공급하기 위한 연마제 공급기구와 상기 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 연마 헤드로서 제9항에 기재된 연마 헤드를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 연마할 때 사용하는 연마장치로서, 적어도 정반 상에 부착된 연마포와 이 연마포 상에 연마제를 공급하기 위한 연마제 공급기구와 상기 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 연마 헤드로서 제10항에 기재된 연마 헤드를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 방법으로서, 제 1항, 제 3항, 제 5항 및 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 연마 헤드에 의해 상기 웨이퍼를 유지하고, 상기 헤드 본체의 밀폐된 공간부의 압력을, 이 공간부에 연결된 압력조정기구로 조정하는 것에 의해, 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼와 상기 드레스링을 정반 상의 연마포에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 방법으로서, 제9항에 기재된 연마 헤드에 의해 상기 웨이퍼를 유지하고, 상기 헤드 본체의 밀폐된 공간부의 압력을, 이 공간부에 연결된 압력조정기구로 조정하는 것에 의해, 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼와 상기 드레스링을 정반 상의 연마포에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
- 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 방법으로서, 제10항에 기재된 연마 헤드에 의해 상기 웨이퍼를 유지하고, 상기 헤드 본체의 밀폐된 공간부의 압력을, 이 공간부에 연결된 압력조정기구로 조정하는 것에 의해, 상기 다이어프램을 탄성변형시켜 상기 캐리어에 유지된 웨이퍼와 상기 드레스링을 정반 상의 연마포에 대해 회전하면서 소정의 압압력으로 눌러서 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법.
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EP2140142B1 (de) * | 2007-05-03 | 2010-08-04 | Oerlikon Textile GmbH & Co. KG | Zahnradpumpe |
TWI367524B (en) * | 2007-08-01 | 2012-07-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | Chemical mechanical polishing apparatus and chemical mechanical polishing method thereof |
KR100914604B1 (ko) * | 2007-11-28 | 2009-08-31 | 주식회사 실트론 | 연마장치의 웨이퍼 압착 기기 |
JP5274993B2 (ja) | 2007-12-03 | 2013-08-28 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
JP5238293B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-07-17 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置並びに研磨方法 |
JP2009248282A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Showa Denko Kk | 研磨装置及び研磨補助装置、ならびに、研磨方法 |
KR101057228B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2011-08-16 | 주식회사 엘지실트론 | 경면연마장치의 가압헤드 |
US20100112905A1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Leonard Borucki | Wafer head template for chemical mechanical polishing and a method for its use |
JP5392483B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-01-22 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
JP5663295B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2015-02-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、研磨具を押圧する押圧部材 |
US20180264621A1 (en) * | 2014-12-08 | 2018-09-20 | Hyun Jeong Yoo | Retainer ring for carrier head for chemical polishing apparatus and carrier head comprising same |
JP2016155188A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社荏原製作所 | リテーナリング、基板保持装置、研磨装置およびリテーナリングのメンテナンス方法 |
US10500695B2 (en) * | 2015-05-29 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring having inner surfaces with features |
JP6043848B1 (ja) * | 2015-08-26 | 2016-12-14 | 株式会社フジクラ | 研磨装置および研磨方法 |
US10265829B2 (en) * | 2015-10-30 | 2019-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing system |
JP6568491B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2019-08-28 | 信越化学工業株式会社 | Soi複合基板の製造方法、及び該方法に用いる研磨装置 |
JP7157521B2 (ja) * | 2016-03-15 | 2022-10-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨方法、トップリングおよび基板研磨装置 |
US10315286B2 (en) | 2016-06-14 | 2019-06-11 | Axus Technologi, Llc | Chemical mechanical planarization carrier system |
TWI584408B (zh) * | 2016-09-06 | 2017-05-21 | Long turn nozzle device | |
CN106670970B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-01-01 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 一种用于cmp设备的抛光垫活化器施压机构及其运行方法 |
CN110315420A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-10-11 | 王丽娜 | 一种机械抛光用稳定性好的夹持装置 |
CN110666675A (zh) * | 2019-08-22 | 2020-01-10 | 中南钻石有限公司 | 一种金刚石复合片表面金属皮去除装置及工艺 |
US11440159B2 (en) * | 2020-09-28 | 2022-09-13 | Applied Materials, Inc. | Edge load ring |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11333711A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-07 | Nikon Corp | 研磨ヘッド及びそれを用いた研磨装置 |
JP2000190203A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨装置 |
JP2003220549A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-08-05 | Tdk Corp | 磁気ヘッドの製造装置及び製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3158934B2 (ja) | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
JP3045966B2 (ja) | 1996-02-16 | 2000-05-29 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置および方法 |
US5857899A (en) * | 1997-04-04 | 1999-01-12 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing head with pad dressing element |
US6203414B1 (en) * | 1997-04-04 | 2001-03-20 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Polishing apparatus |
EP0881039B1 (en) * | 1997-05-28 | 2003-04-16 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer polishing apparatus with retainer ring |
US6231428B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-05-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring |
TW467795B (en) * | 1999-03-15 | 2001-12-11 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer transporting device, wafer polishing device and method for making wafers |
JP2001079757A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨装置 |
JP2002264005A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法及びその研磨装置 |
US6758939B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-07-06 | Speedfam-Ipec Corporation | Laminated wear ring |
US6890249B1 (en) * | 2001-12-27 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with edge load retaining ring |
US6796887B2 (en) * | 2002-11-13 | 2004-09-28 | Speedfam-Ipec Corporation | Wear ring assembly |
JP4583207B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-11-17 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11333711A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-07 | Nikon Corp | 研磨ヘッド及びそれを用いた研磨装置 |
JP2000190203A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨装置 |
JP2003220549A (ja) * | 2002-01-25 | 2003-08-05 | Tdk Corp | 磁気ヘッドの製造装置及び製造方法 |
Also Published As
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US20080254720A1 (en) | 2008-10-16 |
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