KR101184858B1 - 반사형 마스크 블랭크스, 반사형 마스크 및 반사형 마스크의 검사 방법 및 제조 방법 - Google Patents

반사형 마스크 블랭크스, 반사형 마스크 및 반사형 마스크의 검사 방법 및 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가능한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 제공하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명은 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며, 상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고, 상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크를 제공함으로써, 상기 목적을 달성한다.
반사형 마스크, 얼라인먼트, 회로 패턴, 도전막, 흡수체

Description

반사형 마스크 블랭크스, 반사형 마스크 및 반사형 마스크의 검사 방법 및 제조 방법 {REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK, METHOD OF INSPECTING REFLECTIVE MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 극자외선(Extreme Ultra Violet ; EUV) 리소그래피에 사용되는 반사형 마스크에 관한 것이다.
통상, EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 공정에 있어서는, 회로 패턴이 정확하게 형성되어 있는 것을 검사하는 검사 공정이 행해진다. 이 검사 공정에 있어서는, 반사형 마스크에 검사광을 조사하여, 반사형 마스크로부터의 반사광을 검출함으로써 검사가 행해진다. 일반적으로, 검사 공정에 있어서는, 흡수체의 반사율과, 흡수체의 하지층(예를 들어, 다층막, 캡핑층, 버퍼층 등)의 반사율과의 비, 소위 콘트라스트가 높은 쪽이 결함을 검출하기 쉬워진다.
또한, 검사 공정에 있어서는, 회로 패턴을 검사할 때에 반사형 마스크와 검사 장치의 위치 정렬이 통상 행해진다. 그로 인해, 반사형 마스크에는 회로 패턴 외에, 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 것이 일반적이다.
EUV 리소그래피에서는 반사형 마스크를 노광 장치의 정전 척에 유지시키기 위해, 회로 패턴 및 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 기판면의 반대면에 도전막이 통상 형성되어 있다. 일반적으로, 이 도전막에는 크롬 등의 차광성을 갖는 재료가 사용되고, 도전막은 기판 전체면에 형성된다. 그로 인해, 상기 위치 정렬 시에는, 반사형 마스크의 회로 패턴 및 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 면에 얼라인먼트 광을 조사하여, 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크로부터의 반사광을 검출할 필요가 있었다.
그러나, 일반적으로 얼라인먼트 마크는 비교적 작은 것이므로 콘트라스트가 낮아지거나, 얼라인먼트 광의 파장에 따라서는 콘트라스트가 현저하게 낮아지는 경우가 있어, 위치 정렬이 곤란하다는 문제가 있었다.
반사형 마스크의 회로 패턴의 검사 시의 반사형 마스크와 검사 장치의 위치 정렬은 아니지만, EUV 리소그래피 시의 반사형 마스크와 노광 장치의 위치 정렬의 방법으로서, 회로 패턴이 형성되어 있는 기판면의 반대면에 얼라인먼트 마크 및 도전막이 형성되어 있는 반사형 마스크를 사용하여, 얼라인먼트 광을 조사하여 얼라인먼트 마크로부터의 반사광을 검출하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 그러나, 특허 문헌 1에 기재된 방법은 기판면의 반대면에 형성한 얼라인먼트 마크를 검출하는 방법이며, 반사형 마스크의 회로 패턴의 검사 시의 반사형 마스크와 검사 장치의 위치 정렬에 적용했다고 해도, 기판면과 그 반대면의 얼라인먼트 마크와의 위치 관계 자체가 정확하다고는 할 수 없어, 위치 정렬이 곤란해진다.
또한, EUV 리소그래피가 아니고, 반사형 마스크의 회로 패턴의 검사 시의 반 사형 마스크와 검사 장치의 위치 정렬도 아니지만, X선 투영 노광 시의 반사형 마스크와 노광 장치의 위치 정렬의 방법으로서, 반사형 마스크의 주변부 등의 흡수체 패턴이 형성되는 영역 이외에, 차광부와 투과부로 이루어지는 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 반사형 마스크를 사용하여, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 2 참조). 그러나, 특허 문헌 2에 기재된 방법에서는, EUV 리소그래피를 고려하고 있지 않아, 회로 패턴이 형성되어 있는 기판면의 반대면에 도전막을 형성하는 경우에는, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출할 수 없다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2005-11914호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 출원 공개 제2000-77306호 공보
상기 문제점을 해결하기 위해서는, EUV 리소그래피용 반사형 마스크에 있어서, 얼라인먼트 마크를 반사에 의해 검출하는 경우에, 얼라인먼트 광의 파장을 콘트라스트가 충분히 커지는 파장으로 하면 된다고도 생각된다. 그러나, 이 경우에는 검사 장치의 광학계의 변경이 필요해져, 용이하지 않다.
그래서, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가능한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크가 요구되고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 중간층 상에 형성된 흡수층과, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크 블랭크스이며, 이 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 제작되는 반사형 마스크에 의해 얼라인먼트 마크가 배치되는 얼라인먼트 영역에서는, 상기 기판 상에 직접 상기 흡수층이 형성되고, 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크스를 제공한다.
본 발명에 따르면, 얼라인먼트 영역에서는 기판 상에 직접 흡수층이 형성되고, 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있어, 얼라인먼트 영역에 다층막과 중간층과 도전막이 형성되어 있지 않으므로, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 반사형 마스크를 제작한 경우에는, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가 능한 반사형 마스크를 얻을 수 있다. 이와 같은 반사형 마스크에서는 고콘트라스트로 얼라인먼트 마크를 검출할 수 있어, 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때나, 반사형 마스크의 회로 패턴을 수정할 때에 고정밀도의 위치 조정이 가능하다.
또한, 본 발명은 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며, 상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고, 상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크를 제공한다.
본 발명에 따르면, 얼라인먼트 영역에서는 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있어, 얼라인먼트 영역에 도전막이 형성되어 있지 않으므로, 투과에 의해 얼라인먼트 마크를 검출하는 것이 가능하다.
상기 발명에 있어서는, 상기 얼라인먼트 마크가 상기 흡수체와 개구부로 구성되어, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부가 상기 기판 상에 직접 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 얼라인먼트 마크를 검출할 때의 콘트라스트를 높일 수 있기 때문이다.
상기의 경우, 상기 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 상기 중간층 상에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 얼라인먼트 마크를 검출할 때의 콘트라스트를 가일층 높일 수 있기 때문이다. 또한, 이와 같은 구성의 반사형 마스크는 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 흡수체를 패턴 형상으로 형성한 후에, 얼 라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 다층막 및 중간층만을 국소적으로 제거함으로써 얻을 수 있어, 용이하게 위치 조정의 곤란성을 개선할 수 있기 때문이다.
또한, 상기의 경우, 상기 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 상기 기판 상에 직접 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 반사형 마스크는 상술한 반사형 마스크 블랭크스를 사용함으로써 얻을 수 있어, 용이하게 위치 조정의 곤란성을 개선할 수 있기 때문이다.
또한, 상기 발명에 있어서는, 상기 얼라인먼트 마크가 상기 중간층 상에 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 반사형 마스크는 도전막의 일부를 가공함으로써 얻을 수 있어, 용이하게 위치 조정의 곤란성을 개선할 수 있기 때문이다.
또한, 본 발명은 상술한 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사하는 반사형 마스크의 검사 방법이며, 상기 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때에, 상기 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크에 얼라인먼트 광을 조사하여, 상기 얼라인먼트 마크를 투과하는 투과광을 검출하여, 상기 반사형 마스크의 위치 조정을 행하는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 검사 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상술한 반사형 마스크를 사용하므로, 얼라인먼트 마크를 고콘트라스트로 검출할 수 있어, 위치 조정을 고정밀도이고 또한 신속하게 행할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 반사형 마스크의 검사 방법을 행함으로써, 반사형 마스크를 검사하는 검사 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상술한 반사형 마스크의 검사 방법을 적용하므로, 검사 공정에서 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때에는 얼라인먼트 마크의 위치를 높은 정밀도로 검출할 수 있어, 반사형 마스크의 위치 조정을 정확하고 또한 신속하게 행할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 투과에 의해 고콘트라스트로 얼라인먼트 마크를 검출할 수 있어, 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때나, 반사형 마스크의 회로 패턴을 수정할 때에 고정밀도의 위치 조정이 가능하다는 효과를 발휘한다.
이하, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스, 반사형 마스크, 반사형 마스크의 검사 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다.
A. 반사형 마스크 블랭크스
본 발명의 반사형 마스크 블랭크스는 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 중간층 상에 형성된 흡수층과, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크 블랭크스이며, 이 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 제작되는 반사형 마스크에 의해 얼라인먼트 마크가 배치되는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판 상에 직접 상기 흡수층이 형성되고, 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 반사형 마스크 블랭크스에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스의 일례를 도시하는 모식도로, 도 1의 (a)는 도 1의 (b)의 A-A선 단면도이다. 도 1의 (a)에 예시한 바와 같이 반사형 마스크 블랭크스(1)에 있어서는, 기판(2) 상의 소정의 영역에 다층막(3) 및 중간층(4)이 이 순서로 적층되고, 또한 다층막(3) 및 중간층(4)을 덮도록 기판(2)의 전체면에 흡수층(5)이 형성되고, 기판(2)의 다층막(3), 중간층(4) 및 흡수층(5)이 형성되어 있는 면의 반대면의 소정의 영역에 도전막(6)이 형성되어 있다.
이 반사형 마스크 블랭크스(1)를 사용하여 반사형 마스크를 제작한 경우, 기판의 주변부에는 회로 패턴[회로 패턴은 흡수층(5)을 패터닝함으로써 얻어짐]을 검사할 때의 반사형 마스크의 위치 조정을 위한 얼라인먼트 마크가 형성된다. 이 얼라인먼트 마크가 배치되는 영역을 얼라인먼트 영역으로 하면, 예를 들어 도 1의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 기판(2)의 주변부에는 상기 얼라인먼트 마크가 배치되는 얼라인먼트 영역(10)이 형성되게 된다. 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스에 있어서는, 이 얼라인먼트 영역(10)에서는 기판(2) 상에 직접 흡수층(5)이 형성되고, 기판(2)의 도전막(6)이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 한다. 즉, 얼라인먼트 영역(10)에 다층막(3), 중간층(4) 및 도전막(6)이 모두 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
또한, 도 1의 (a), (b)에 있어서, 다층막(3), 중간층(4) 및 도전막(6)이 형성되어 있는 영역은 영역(11)이고, 도 1의 (b)에 있어서, 기판 이외의 구성은 생략되어 있다.
도 1에 예시하는 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 제작되는 반사형 마스크의 일례를 도 2에 도시한다. 도 2에 예시하는 반사형 마스크(20)에 있어서는, 기판(2) 상의 소정의 영역에 다층막(3) 및 중간층(4)이 이 순서로 적층되고, 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성된 기판(2) 상에 흡수체(5')가 패턴 형상으로 형성되고, 기판(2)의 다층막(3), 중간층(4) 및 흡수체(5')가 형성되어 있는 면의 반대면의 소정의 영역에 도전막(6)이 형성되어 있다. 흡수체(5')의 패턴은 회로 패턴(12) 및 얼라인먼트 마크(13)를 구성하고 있고, 얼라인먼트 마크(13)가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역(10)에서는 기판(2) 상에 직접 흡수체(5')가 형성되어, 기판(2)의 도전막(6)이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있다. 즉, 얼라인먼트 영역(10)에는 다층막(3), 중간층(4) 및 도전막(6)이 모두 형성되어 있지 않다.
도 2에 예시하는 반사형 마스크에 있어서는, 얼라인먼트 영역에서는 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있어, 얼라인먼트 영역에 도전막이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가능하다.
도 3에 투과형 마스크 얼라인먼트 기구의 일례를 도시한다. 도 3에 예시하는 투과형 마스크 얼라인먼트 기구(30)는 광원(31)과, 집광 광학계(32)와, 빔 스플리터(33)와, 대물 렌즈(34)와, 집광 렌즈(35a)와, 투과광 검사용 센서(36)와, 반사광 검사용 센서(37)와, 마스크 스테이지(38)를 갖고 있다. 이 투과형 마스크 얼라인먼트 기구(30)에서는 광원(31)으로부터 사출된 얼라인먼트 광(41a)을 반사형 마스크(20)의 얼라인먼트 마크(도시하지 않음)에 조사하여, 그 투과광(41b)을 투과광 검사용 센서(36)로 검출한다.
도 2에 예시하는 반사형 마스크는 얼라인먼트 마크의 개구부(15)가 기판(2) 상에 직접 형성되어 있으므로, 도 3에 있어서 얼라인먼트 광(41a)이 얼라인먼트 마 크의 개구부(도시하지 않음)를 투과할 수 있어, 투과형 마스크 얼라인먼트 기구에서 위치 조정이 가능해진다.
또한, 도 3에 있어서, 반사광 검사용 센서(37) 및 집광 렌즈(35b)는 반사형마스크의 회로 패턴을 검사할 때에 사용되는 것으로, 구체적으로는 반사형 마스크(20)의 회로 패턴에 광원(31)으로부터 사출된 검사광을 조사하여, 그 반사광(42)을 검출할 때에 사용된다.
이와 같이, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스를 사용함으로써, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가능한 반사형 마스크를 얻을 수 있다. 이와 같은 반사형 마스크에서는 고콘트라스트로 얼라인먼트 마크를 검출할 수 있어, 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때나, 반사형 마스크의 회로 패턴을 수정할 때에 고정밀도의 위치 조정이 가능하다.
또한, 본원 명세서에 있어서, 「흡수층」이라 함은 기판 상에 연속해서 형성된 하나의 층을 의미하고, 「흡수체」라 함은 기판 상의 소정의 위치에 형성되어, 흡수층을 패터닝함으로써 얻어지는 것을 의미하는 것으로 한다.
또한, 「얼라인먼트 영역에서는 기판 상에 직접 흡수층이 형성되고, 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있다」라고 함은, 얼라인먼트 영역에는 다층막과 중간층과 도전막이 형성되어 있지 않은 것을 말한다.
특별히 언급하지 않는 한, 「기판의 한쪽 면」이라 함은, 기판의 다층막, 중간층 및 흡수층(흡수체)이 형성되어 있는 측의 면을 의미하고, 「기판의 다른 쪽 면」이라 함은, 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면을 의미한다.
이하, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스에 있어서의 각 구성에 대해 설명한다.
1. 도전막
본 발명에 사용되는 도전막은 기판의 다른 쪽 면, 즉 기판의 다층막, 중간층 및 흡수층이 형성되어 있는 면의 반대면에 형성되는 것으로, 얼라인먼트 영역에는 형성되어 있지 않은 것이다. 또한, 이 도전막은 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 제작되는 반사형 마스크를, 노광 장치의 정전 척에 흡착시키기 위해 설치되는 것이다.
도전막의 재료로서는, 일반적으로 반사형 마스크의 도전막에 사용되는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 도전성을 나타내는 Cr, CrN 등의 금속 또는 금속 화합물이 사용된다.
또한, 도전막의 두께로서는, 예를 들어 50㎚ 내지 150㎚ 정도로 할 수 있다.
도전막은 얼라인먼트 영역에 형성되어 있지 않으면 되며, 도전막이 설치되어 있는 영역과, 다층막 및 중간층이 설치되어 있는 영역은 동일해도, 상이해도 된다.
도전막의 성막 방법으로서는, 스패터링법 등을 들 수 있다. 또한, 도전막을 얼라인먼트 영역 이외의 영역에 형성하는 방법으로서는, 비형성부에 물리적인 마스크를 통한 스패터링법이나 포토리소그래피법 등을 사용할 수 있다.
2. 다층막
본 발명에 사용되는 다층막은 기판의 한쪽 면에 형성되는 것으로, 얼라인먼트 영역에는 형성되지 않는 것이다.
다층막의 재료로서는, 일반적으로 반사형 마스크의 다층막에 사용되는 것을 사용할 수 있고, 그 중에서도 EUV광에 대한 반사율이 매우 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 반사형 마스크 사용 시에 있어서 콘트라스트를 높일 수 있기 때문이다. 예를 들어, EUV광을 반사하는 다층막으로서는, 통상 Mo/Si의 주기 다층막이 사용된다. 또한, 특정한 파장 영역에서 높은 반사율이 얻어지는 다층막으로서, 예를 들어 Ru/Si의 주기 다층막, Mo/Be의 주기 다층막, Mo 화합물/Si 화합물의 주기 다층막, Si/Nb의 주기 다층막, Si/Mo/Ru의 주기 다층막, Si/Mo/Ru/Mo의 주기 다층막, Si/Ru/Mo/Ru의 주기 다층막 등도 사용할 수 있다.
다층막을 구성하는 각 층의 막 두께나, 각 층의 적층수로서는, 사용하는 재료에 따라서 상이한 것으로, 적절하게 조정된다. 예를 들어, Mo/Si의 주기 다층막으로서는, 수㎚ 정도의 두께의 Mo막과 Si막이 40층 내지 60층씩 적층된 다층막을 사용할 수 있다.
다층막의 두께로서는, 예를 들어 280㎚ 내지 420㎚ 정도로 할 수 있다.
다층막은 얼라인먼트 영역에 형성되어 있지 않으면 되며, 상술한 바와 같이 다층막이 설치되어 있는 영역과, 도전막이 설치되어 있는 영역은 동일해도, 상이해도 된다.
다층막의 성막 방법으로서는, 예를 들어 이온 빔 스퍼터법이나 마그네트론 스퍼터법 등이 사용된다. 또한, 다층막을 얼라인먼트 영역 이외의 영역에 형성하는 방법으로서는, 비형성부에 물리적인 마스크를 통한 증착법이나 포토리소그래피법을 사용할 수 있다.
3. 중간층
본 발명에 사용되는 중간층은 상기 다층막 상에 형성되는 것으로, 얼라인먼트 영역에는 형성되지 않는 것이다.
중간층을 구성하는 층으로서는, 예를 들어 다층막의 산화 방지나, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 반사형 마스크를 제작할 때의 마스크 세정 시의 보호를 위해 설치되는 캡핑층 및 흡수층을 드라이 에칭 등의 방법으로 패턴 에칭할 때나, 회로 패턴의 결함 수정을 할 때에 다층막에 손상을 부여하는 것을 방지하기 위해 설치되는 버퍼층(에칭 스톱퍼층이라고도 칭함)을 들 수 있다.
중간층은 캡핑층이라도 좋고, 버퍼층이라도 좋고, 캡핑층 및 버퍼층이 적층된 것이라도 좋다. 그 중에서도, 중간층은 적어도 캡핑층을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 중간층은 캡핑층이거나, 캡핑층 및 버퍼층이 적층된 것이 바람직하다.
캡핑층 및 버퍼층이 적층되어 있는 경우에는, 통상 다층막 상에 캡핑층 및 버퍼층의 순으로 형성된다.
이하, 캡핑층 및 버퍼층에 대해 각각 설명한다.
(1) 캡핑층
본 발명에 사용되는 캡핑층은 중간층을 구성하는 층으로, 다층막 상에 다층막의 산화 방지나 반사형 마스크 세정 시의 보호를 위해 설치되는 것이다. 캡핑층이 형성되어 있음으로써, 다층막의 최표면이 Si막이나 Ru막인 경우에는, Si막이나 Ru막이 산화되는 것을 방지할 수 있다. Si막이나 Ru막이 산화되면, 다층막의 반사율이 저하될 우려가 있다.
캡핑층의 재료로서는, 상기 기능이 발현되는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 Si나 Ru 등을 들 수 있다.
또한, 캡핑층의 두께로서는, 예를 들어 2㎚ 내지 15㎚ 정도로 할 수 있다.
캡핑층의 성막 방법으로서는, 스패터링법 등을 들 수 있다. 또한, 캡핑층을 얼라인먼트 영역 이외의 영역에 형성하는 방법으로서는, 비형성부에 물리적인 마스크를 통한 스패터링법이나 포토리소그래피법을 사용할 수 있다.
(2) 버퍼층
본 발명에 사용되는 버퍼층은 중간층을 구성하는 층으로, EUV 노광에 사용되는 EUV광을 흡수하는 흡수층을 드라이 에칭 등의 방법으로 패턴 에칭할 때나, 회로 패턴의 결함 수정을 할 때에, 하층의 다층막에 손상을 부여하는 것을 방지하기 위해 설치되는 것이다. 버퍼층이 형성되어 있음으로써, 흡수층을 패터닝할 때나, 회로 패턴의 결함 수정을 할 때에, 다층막이 에칭에 의한 데미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
버퍼층의 재료로서는, 내에칭성이 높은 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 흡수층과 에칭 특성이 상이한 재료, 즉 흡수층과의 에칭 선택비가 큰 재료가 사용된다. 버퍼층 및 흡수층의 에칭 선택비는 5 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 이상, 더욱 바람직하게는 20 이상이다. 또한, 버퍼층의 재료로서는, 저응력이고, 평활성이 우수한 재료인 것이 바람직하다. 특히 버퍼층의 평활성은 0.3㎚Rms 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 관점에서 버퍼층의 재료는 미결정 또는 아몰퍼스 구조인 것이 바람직하다.
이와 같은 버퍼층의 재료로서는, 예를 들어 SiO2, Al2O3, Cr, CrN 등을 들 수 있다.
또한, 버퍼층의 두께로서는, 예를 들어 2㎚ 내지 15㎚ 정도로 할 수 있다.
버퍼층의 성막 방법으로서는, 예를 들어 마그네트론 스퍼터법, 이온 빔 스퍼터법 등을 들 수 있다. SiO2를 사용하는 경우에는 RF 마그네트론 스퍼터법에 의해 SiO2 타겟을 사용하여 Ar 가스 분위기 하에서, 다층막 상에 SiO2를 성막하는 것이 바람직하다. 또한, 버퍼층을 얼라인먼트 영역 이외의 영역에 형성하는 방법으로서는, 비형성부에 물리적인 마스크를 통한 증착법이나 포토리소그래피법을 사용할 수 있다.
4. 얼라인먼트 영역
본 발명에 있어서의 얼라인먼트 영역은 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 제작되는 반사형 마스크에 의해 얼라인먼트 마크가 배치되는 영역이다.
얼라인먼트 영역은 반사형 마스크 블랭크스에 1개소 설치되어 있어도 좋고, 2개소 이상 설치되어 있어도 좋다. 예를 들어, 도 1의 (b)에 있어서는, 얼라인먼트 영역(10)은 2개소 설치되어 있다.
또한, 통상 얼라인먼트 영역은, 도 1의 (b)에 예시한 바와 같이 반사형 마스크 블랭크스의 주변부에 설치된다.
5. 흡수층
본 발명에 사용되는 흡수층은 상기 중간층 상에 형성되는 것으로, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 제작된 반사형 마스크를 사용한 EUV 리소그래피에 있어서 EUV광을 흡수하는 것이다.
흡수층의 재료로서는, EUV광을 흡수 가능한 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 Ta, TaN, Ta를 주성분으로 하는 재료, Cr, Cr을 주성분으로 하여 N, O, C로부터 선택되는 1개 이상의 성분을 함유하는 재료 등이 사용된다. 또한, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, WN, TiN 등도 사용 가능하다.
흡수층의 성막 방법으로서는, 예를 들어 마그네트론 스퍼터법, 이온 빔 스퍼터법, CVD법, 증착법 등이 사용된다.
6. 기판
본 발명에 사용되는 기판으로서는, 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 제작되는 반사형 마스크에 의해 회로 패턴을 검사할 때의 위치 조정 시에 사용되는 얼라인먼트 광을 투과하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 일반적으로 반사형 마스크의 기판에 사용되는 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 유리 기판이나 금속 기판을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 유리 기판이 바람직하게 사용된다. 유리 기판은 양호한 평활성 및 평탄도가 얻어지므로, 특히 반사형 마스크용 기판으로서 적합하다. 유리 기판의 재료로서는, 예를 들어 석영 유리, 저열팽창계수를 갖는 아몰퍼스 글래스(예를 들어, SiO2-TiO2계 글래스 등), β석영 고용체를 석출한 결정화 글래스 등을 들 수 있다. 또한, 금속 기판의 재료로서는, 예를 들어 실리콘, Fe-Ni계의 인바 합금 등을 들 수 있다.
기판은 고반사율 및 전사 정밀도를 얻기 위해, 평활성이 0.2㎚Rms 이하인 것이 바람직하고, 또한 평탄도가 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 평활성을 나타내는 단위 Rms는 자승 평균 평방근 거칠기로, 원자간력 현미경을 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 평탄도는 TIR(Total Indicated Reading)로 나타내는 표면의 휘어짐(변형량)을 나타내는 값이다. 이 값은 기판 표면을 기초로 최소 자승법으로 정해지는 평면을 초평면(hyperplane)으로 했을 때, 이 초평면보다 위에 있는 기판 표면의 가장 높은 위치와, 초평면보다 아래에 있는 가장 낮은 위치의 고저차의 절대치이다. 또한, 상기 평활성은 한변이 10㎛인 영역에서의 평활성이고, 상기 평탄도는 한변이 142㎜인 영역에서의 평탄도이다.
또한, 기판의 두께로서는, 예를 들어 6㎜ 내지 7㎜ 정도로 할 수 있다.
7. 용도
본 발명의 반사형 마스크 블랭크스는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 제작하기 위해 바람직하게 사용된다.
B. 반사형 마스크
다음에, 본 발명의 반사형 마스크에 대해 설명한다.
본 발명의 반사형 마스크는 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며, 상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고, 상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따르면, 얼라인먼트 영역에서는 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있어, 얼라인먼트 영역에 도전막이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 얼라인먼트 광을 차광하여, 얼라인먼트 마크의 개구부는 얼라인먼트 광을 투과하게 되어, 투과형 마스크 얼라인먼트 기구에 의해 얼라인먼트 마크를 검출하는 것이 가능하다.
또한, 「얼라인먼트 영역에서는 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있다」라고 함은, 얼라인먼트 영역에는 도전막이 형성되어 있지 않은 것을 말한다.
본 발명의 반사형 마스크는 얼라인먼트 마크의 개구부 및 기판 사이의 구성에 의해 2개의 실시 형태로 나눌 수 있다. 제1 실시 형태는 얼라인먼트 마크의 개구부가 기판 상에 직접 형성되어 있는 경우, 즉 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않은 경우이다. 또한, 제2 실시 형태는 얼라인먼트 마크가 중간층 상에 형성되어 있는 경우, 즉 얼라인먼트 마크와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있는 경우이다.
이하, 각 실시 형태로 나누어 설명한다.
1. 제1 실시 형태
본 발명의 반사형 마스크의 제1 실시 형태는 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며, 상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하여, 상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있고, 또한 상기 얼라인먼트 마크가 상기 흡수체와 개구부로 구성되고, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부가 상기 기판 상에 직접 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 실시 형태에 따르면, 얼라인먼트 영역에서는 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있어, 얼라인먼트 영역에 도전막이 형성되어 있지 않고, 또한 얼라인먼트 마크의 개구부가 기판 상에 직접 형성되어 있어, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 얼라인먼트 광을 차광하여, 얼라인먼트 마크의 개구부는 얼라인먼트 광을 투과하게 되고, 투과형 마스크 얼라인먼트 기구에 의해 높은 콘트라스트로 얼라인먼트 마크를 검출할 수 있다. 따라서, 고정밀도이고 고속인 위치 조정이 가능하다.
본 실시 형태의 반사형 마스크는 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 기판 사이의 구성에 의해, 다시 2개의 형태로 나눌 수 있다. 제1 형태는 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 중간층 상에 형성되어 있는 경우, 즉 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있는 경우이다. 또한, 제2 형태는 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 기판 상에 직접 형성되어 있는 경우, 즉 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않은 경우이다.
이하, 각 형태로 나누어 설명한다.
또한, 「얼라인먼트 마크의 개구부가 기판 상에 직접 형성되어 있다」라고 함은, 얼라인먼트의 개구부와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않은 것을 말한다.
또한, 「얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 중간층 상에 형성되어 있다」라고 함은, 얼라인먼트를 구성하는 흡수체와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있는 것을 말한다. 한편, 「얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 기판 상에 직접 형성되어 있다」라고 함은, 얼라인먼트를 구성하는 흡수체와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않은 것을 말한다.
(1) 제1 형태
본 형태의 반사형 마스크는 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며, 상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고, 상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있고, 또한 상기 얼라인먼트 마크가 상기 흡수체와 개구부로 구성되어, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부가 상기 기판 상에 직접 형성되고, 상기 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 상기 중간층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 형태의 반사형 마스크에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 4는 본 형태의 반사형 마스크의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 4 에 예시하는 반사형 마스크(20)에 있어서는, 기판(2) 상의 소정의 영역에 다층막(3) 및 중간층(4)이 이 순서로 적층되어, 중간층(4) 상에 흡수체(5')가 패턴 형상으로 형성되고, 기판(2)의 다층막(3), 중간층(4) 및 흡수체(5')가 형성되어 있는 면의 반대면의 소정의 영역에 도전막(6)이 형성되어 있다. 흡수체(5')의 패턴은 회로 패턴(12) 및 얼라인먼트 마크(13)를 구성하고 있고, 얼라인먼트 마크(13)가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역(10)에서는 기판(2)의 도전막(6)이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있다. 즉, 얼라인먼트 영역(10)에는, 도전막(6)은 형성되어 있지 않다. 또한, 얼라인먼트 마크(13)는 흡수체(5')와 개구부(15)로 구성되어 있고, 기판(2) 상에 직접 얼라인먼트 마크의 개구부(15)가 형성되어 있다. 즉, 얼라인먼트 마크의 개구부(15)와 기판(2) 사이에는 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성되어 있지 않다. 또한, 중간층(4) 상에 얼라인먼트 마크(13)를 구성하는 흡수체(5')가 형성되어 있다. 즉, 얼라인먼트 마크(13)를 구성하는 흡수체(5')와 기판(2) 사이에는 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성되어 있다.
본 형태에 따르면, 얼라인먼트 영역에서는 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있어, 얼라인먼트 영역에 도전막이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가능하다.
반사형 마스크의 위치 조정의 곤란성을 개선하기 위해서는, 반사형 마스크 얼라인먼트 기구를 적용하는 경우에는 반사형 마스크 얼라인먼트 기구의 개조나 알고리즘의 변경이 필요해진다. 이에 대해, 본 형태에 있어서는, 반사형 마스크의 가공에 의해 투과형 마스크 얼라인먼트 기구로 위치 조정이 가능해지므로, 용이하 게 위치 조정의 곤란성을 개선할 수 있다. 본 형태에 있어서는, 반사형 마스크의 제조 공정에 있어서, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 판독 가능하도록 반사형 마스크에 있어서의 다층막, 중간층 및 도전막의 일부를 가공하는 것만으로도 좋은 것이다.
또한, 본 형태에 따르면, 얼라인먼트 마크의 개구부가 기판 상에 직접 형성되어 있어, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 기판의 투과율과, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 다층막 및 중간층의 투과율과의 비, 소위 콘트라스트를 높일 수 있다.
본 발명에 있어서는, 본 형태의 반사형 마스크가 가장 바람직하다. 상술한 바와 같이, 콘트라스트를 가일층 높일 수 있기 때문이다. 또한, 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 흡수체를 패턴 형상으로 형성한 후에, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 다층막 및 중간층만을 국소적으로 에칭 등을 함으로써, 본 형태의 반사형 마스크를 얻을 수 있어, 용이하게 위치 조정의 곤란성을 개선할 수 있기 때문이다.
또한, 기판, 도전막 및 얼라인먼트 영역에 대해서는, 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다. 이하, 본 형태의 반사형 마스크에 있어서의 다른 구성에 대해 설명한다.
(i) 흡수체
본 형태에 있어서의 흡수체는 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형 상으로 형성되어, 중간층 상에 배치되는 것이다. 회로 패턴을 구성하는 흡수체도, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체도 중간층 상에 배치된다.
또한, 흡수체의 재료, 막 두께 등에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 흡수층의 재료, 막 두께와 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
흡수체를 패턴 형상으로 형성하는 방법으로서는, 통상 포토리소그래피법이 사용된다. 구체적으로는, 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 흡수층을 형성하고, 이 흡수층 상에 레지스트층을 형성하여 레지스트층을 패터닝하고, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 흡수층을 에칭하여, 잔존하는 레지스트 패턴을 제거하여 흡수체의 패턴을 형성한다. 포토리소그래피법으로서는, 일반적인 방법을 사용할 수 있다.
흡수체의 패턴은 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하는 것이다. 이하, 회로 패턴 및 얼라인먼트 마크에 대해 설명한다.
(회로 패턴)
본 형태에 있어서의 회로 패턴은 피전사면에 전사하기 위한 패턴이다.
회로 패턴의 패턴 형상으로서는, 본 형태의 반사형 마스크를 사용한 EUV 리소그래피에 의해 제작하는 부재에 따라서 적절하게 선택된다.
(얼라인먼트 마크)
본 형태에 있어서의 얼라인먼트 마크는 회로 패턴을 검사 또는 수정할 때에, 반사형 마스크의 위치 조정을 행하기 위해 설치되는 것이다.
얼라인먼트 마크는 흡수체와 개구부로 구성되어, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에는 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않고, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에는 다층막 및 중간층이 형성되어 있다.
얼라인먼트 마크의 패턴 형상으로서는, 십(十)자 형상 등, 일반적인 형상으로 할 수 있다.
(ii) 다층막
본 형태에 있어서의 다층막은 기판의 한쪽 면에 형성되는 것으로, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에는 형성되지 않고, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에는 형성되는 것이다.
또한, 다층막의 재료, 막 두께 등에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 다층막의 재료, 막 두께와 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 다층막의 부분을 제거하는 방법으로서는, 이 부분만을 국소적으로 제거할 수 있는 방법이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 그 중에서도 에칭법이 바람직하다. 에칭법으로서는, 드라이 에칭법 및 웨트 에칭법 중 어느 것이라도 좋지만, 드라이 에칭법이 바람직하다.
드라이 에칭법에서 사용되는 에너지 빔으로서는, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 다층막의 부분만을 국소적으로 에칭할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 집속 이온 빔 또는 전자 빔이 바람직하게 사용된다. 이들은 고도의 미세 가공이 가능해, 미세한 부분에도 대응할 수 있기 때문이다.
집속 이온 빔의 이온원으로서는, 집속할 수 있는 것이면 되나, 통상은 갈륨(Ga)이 사용된다.
(iii) 중간층
본 형태에 있어서의 중간층은 다층막 상에 형성되는 것으로, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에는 형성되지 않고, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에는 형성되는 것이다.
또한, 중간층의 구성에 대해서는, 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 중간층과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
또한, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 중간층의 부분을 제거하는 방법으로서는, 상기한 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 다층막의 부분을 제거하는 방법과 마찬가지로 할 수 있다.
(2) 제2 형태
본 형태의 반사형 마스크는 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며, 상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고, 상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있고, 또한 상기 얼라인먼트 마크가 상기 흡수체와 개구부로 구성되어, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부가 상기 기판 상에 직접 형성되고, 상기 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체도 상기 기판 상에 직접 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 형태의 반사형 마스크에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 2는 본 형태의 반사형 마스크의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2에 예시하는 반사형 마스크(20)에 있어서는, 기판(2) 상의 소정의 영역에 다층막(3) 및 중간층(4)이 이 순서로 적층되어, 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성된 기판(2) 상에 흡수체(5')가 패턴 형상으로 형성되고, 기판(2)의 다층막(3), 중간층(4) 및 흡수체(5')가 형성되어 있는 면의 반대면의 소정의 영역에 도전막(6)이 형성되어 있다. 흡수체(5')의 패턴은 회로 패턴(12) 및 얼라인먼트 마크(13)를 구성하고 있고, 얼라인먼트 마크(13)가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역(10)에서는 기판(2)의 도전막(6)이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있다. 즉, 얼라인먼트 영역(10)에는, 도전막(6)은 형성되어 있지 않다. 또한, 얼라인먼트 마크(13)는 흡수체(5')와 개구부(15)로 구성되어 있고, 기판(2) 상에 직접 얼라인먼트 마크의 개구부(15)가 형성되어 있다. 즉, 얼라인먼트 마크의 개구부(15)와 기판(2) 사이에는 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성되어 있지 않다. 또한, 기판(2) 상에 직접 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체(5')가 형성되어 있다. 즉, 얼라인먼트 마크(13)를 구성하는 흡수체(5')와 기판(2) 사이에는 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성되어 있지 않다.
본 형태에 따르면, 얼라인먼트 영역에서는 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있고, 얼라인먼트 영역에 도전막이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가능하다.
본 형태에 있어서는, 반사형 마스크의 가공에 의해 투과형 마스크 얼라인먼트 기구로 위치 조정이 가능해지므로, 용이하게 위치 조정의 곤란성을 개선할 수 있다. 반사형 마스크의 제조 공정에 있어서, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 판독하도록 반사형 마스크에 있어서의 다층막, 중간층 및 도전막의 일부를 가공하는 것만으로 되는 것이다.
또한, 본 형태에 따르면, 얼라인먼트 마크의 개구부가 기판 상에 직접 형성되어 있고, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 기판의 투과율과, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 다층막 및 중간층의 투과율과의 비, 소위 콘트라스트를 높일 수 있다.
본 형태의 반사형 마스크는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」에 기재된 반사형 마스크 블랭크스를 사용하여 흡수층을 패터닝함으로써 얻을 수 있다.
또한, 기판, 도전막 및 얼라인먼트 영역에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다. 이하, 본 형태의 반사형 마스크에 있어서의 다른 구성에 대해 설명한다.
(i) 흡수체
본 형태에 있어서의 흡수체는 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성되어 중간층 상 및 기판 상에 배치되는 것이다. 회로 패턴을 구성하는 흡수체는 중간층 상에 배치되고, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체는 기판 상에 배치된다.
또한, 흡수체의 재료, 막 두께 등에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 흡수층의 재료, 막 두께와 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
또한, 흡수체를 패턴 형상으로 형성하는 방법에 대해서는 상기 제1 형태와 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
흡수체의 패턴은 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하는 것이다.
또한, 회로 패턴에 대해서는, 상기 제1 형태에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
본 형태에 있어서, 얼라인먼트 마크는 기판 상에 직접 형성되는 것이다. 얼라인먼트 마크는 흡수체와 개구부로 구성되고, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에는 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않고, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에도 다층막 및 중간층이 형성되어 있지 않다.
또한, 얼라인먼트 마크의 그 밖의 점에 대해서는 상기 제1 형태에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
(ii) 다층막
본 형태에 있어서의 다층막은 기판의 한쪽 면에 형성되는 것으로, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에도, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에도 형성되지 않는 것이다.
또한, 다층막의 그 밖의 점에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 다층막의 항에 기재하였으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
(iii) 중간층
본 형태에 있어서의 중간층은 다층막 상에 형성되는 것으로, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에도, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체와 기판 사이에도 형성되지 않는 것이다.
또한, 중간층의 그 밖의 점에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 중간층의 항에 기재하였으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
2. 제2 실시 형태
본 발명의 반사형 마스크의 제2 실시 형태는 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며, 상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고, 상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 다른 쪽 면이 노출되어 있고, 또한 상기 얼라인먼트 마크가 상기 중간층 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 형태의 반사형 마스크에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 5는 본 형태의 반사형 마스크의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 5에 예시하는 반사형 마스크(20)에 있어서는, 기판(2) 상의 다층막(3) 및 중간층(4)이 이 순서로 적층되어, 중간층(4) 상에 흡수체(5')가 패턴 형상으로 형성되고, 기판(2)의 다층막(3), 중간층(4) 및 흡수체(5')가 형성되어 있는 면의 반대면의 소정의 영역에 도전막(6)이 형성되어 있다. 흡수체(5')의 패턴은 회로 패턴(12) 및 얼 라인먼트 마크(13)를 구성하고 있고, 얼라인먼트 마크(13)가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역(10)에서는 기판(2)의 도전막(6)이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있다. 즉, 얼라인먼트 영역(10)에는 도전막(6)은 형성되어 있지 않다. 또한, 얼라인먼트 마크(13)는 흡수체(5')와 개구부(15)로 구성되어 있고, 중간층(4) 상에 얼라인먼트 마크(13)가 형성되어 있다. 즉, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체(5') 및 개구부(15)와 기판(2) 사이에는 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성되어 있다.
본 실시에 따르면, 얼라인먼트 영역에서는 기판의 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있고, 얼라인먼트 영역에 도전막이 형성되어 있지 않으므로, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출하는 것이 가능하다.
본 형태에 있어서는, 반사형 마스크의 가공에 의해 투과형 마스크 얼라인먼트 기구로 위치 조정이 가능해지므로, 용이하게 위치 조정의 곤란성을 개선할 수 있다. 반사형 마스크의 제조 공정에 있어서, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 판독하도록 반사형 마스크에 있어서의 도전막의 일부를 가공하는 것만으로 좋은 것이다.
또한, 「얼라인먼트 마크가 중간층 상에 형성되어 있다」라고 함은, 얼라인먼트를 구성하는 흡수체와 기판 사이에 다층막 및 중간층이 형성되고, 얼라인먼트 마크의 개구부와 기판 사이에도 다층막 및 중간층이 형성되어 있는 것을 말한다.
또한, 기판, 도전막 및 얼라인먼트 영역에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다. 이하, 본 형태의 반사형 마스크에 있어서의 다른 구성에 대해서 설명한다.
(i) 흡수체
본 형태에 있어서의 흡수체는 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성되어, 중간층 상에 배치되는 것이다. 회로 패턴을 구성하는 흡수체도, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체도 중간층 상에 배치된다.
또한, 흡수체의 재료, 막 두께 등에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 항에 기재한 흡수층의 재료, 막 두께와 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
또한, 흡수체를 패턴 형상으로 형성하는 방법으로서는, 상기 제1 실시 형태에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
흡수체의 패턴은 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하는 것이다.
또한, 회로 패턴에 대해서는 상기 제1 실시 형태에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
본 실시 형태에 있어서, 얼라인먼트 마크는 중간층 상에 형성되는 것이다. 얼라인먼트 마크는 흡수체와 개구부로 구성되고, 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 개구부와 기판 사이에는 다층막 및 중간층이 형성되어 있다.
또한, 얼라인먼트 마크의 그 밖의 점에 대해서는, 상기 제1 실시 형태에 기재한 것과 마찬가지이므로, 여기서의 설명은 생략한다.
(ii) 다층막
본 형태에 있어서의 다층막은 기판의 한쪽 면에 형성되는 것이다. 통상, 다층막은 기판 전체면에 형성된다.
또한, 다층막의 재료 및 성막 방법 등에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 다층막의 항에 기재하였으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
(iii) 중간층
본 형태에 있어서의 중간층은 다층막 상에 형성되는 것이다. 통상, 중간층은 기판 전체면에 형성된다.
또한, 중간층의 구성 등에 대해서는 상기 「A. 반사형 마스크 블랭크스」의 중간층의 항에 기재하였으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
C. 반사형 마스크의 검사 방법
본 발명의 반사형 마스크의 검사 방법은 상술한 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사하는 반사형 마스크의 검사 방법이며, 상기 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때에 상기 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크에 얼라인먼트 광을 조사하여, 상기 얼라인먼트 마크를 투과하는 투과광을 검출하여, 상기 반사형 마스크의 위치 조정을 행하는 것을 특징으로 하는 것이다.
반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때에는, 예를 들어 패턴 검사 수단과 투과형 마스크 얼라인먼트 기구와 마스크 스테이지를 갖는 검사 장치가 사용된다.
예를 들어, 우선 마스크 스테이지에 반사형 마스크를 유지시켜, 투과형 마스크 얼라인먼트 기구에 의해, 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크에 얼라인먼트 광을 조사하여, 얼라인먼트 마크로부터의 투과광을 검출하여, 반사형 마스크의 위치를 조정한다. 이때, 도 4에 예시한 바와 같은 제1 실시 형태의 제1 형태의 반사형 마스크에서는 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 중간층 및 다층막의 투과율과, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 기판의 투과율과의 콘트라스트를 검출하게 된다. 또한, 도 2에 예시한 바와 같은 제1 실시 형태의 제2 형태의 반사형 마스크에서는 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체의 투과율과, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 기판의 투과율과의 콘트라스트를 검출하게 된다. 또한, 도 5에 예시한 바와 같은 제2 실시 형태의 반사형 마스크에서는 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 중간층 및 다층막의 투과율과, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 중간층 및 다층막의 투과율과의 콘트라스트를 검출하게 된다.
다음에, 패턴 검사 수단에 의해 반사형 마스크의 회로 패턴에 검사광을 조사하여, 회로 패턴으로부터의 반사광을 검출하여 회로 패턴을 검사한다. 이때, 도 2, 도 4 및 도 5에 예시한 바와 같이, 회로 패턴을 구성하는 흡수체의 반사율과, 회로 패턴의 개구부에 위치하는 다층막의 반사율과의 콘트라스트를 검출하게 된다.
본 발명에 따르면, 상술한 반사형 마스크를 사용하므로, 얼라인먼트 마크를 정확하고 또한 신속하게 검출할 수 있어, 위치 조정을 고정밀도로 또한 신속하게 행할 수 있다.
또한, 반사형 마스크에 대해서는 상기 「B. 반사형 마스크」의 항에 기재하였으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
얼라인먼트 광으로서는, 얼라인먼트 마크를 투과에 의해 검출 가능하면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 자외선, 가시광선, 적외선 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 반사형 마스크의 기판이나, 얼라인먼트 마크 및 기판 사이의 구성에 따라서 적절하게 선택하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 반사형 마스크의 기판이 유리 기판인 경우에는, 유리 기판이 가시광선에 비해 비교적 높은 투과율을 나타내, 높은 콘트라스트가 얻어지므로, 얼라인먼트 광으로서 가시광선을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 반사형 마스크의 기판이 실리콘 기판인 경우에는 실리콘 기판이 적외선에 비해 비교적 높은 투과율을 나타내므로, 얼라인먼트 광으로서 적외선을 사용하는 것이 바람직하다.
또한 예를 들어, 도 5에 도시한 바와 같이 얼라인먼트 마크의 개구부(15)와 기판(2) 사이에 다층막(3) 및 중간층(4)이 형성되어 있는 경우에는, 원하는 콘트라스트가 얻어지도록 얼라인먼트 광으로서 파장이 비교적 긴 것을 사용하는 것이 바람직하다.
얼라인먼트 광의 조사 방향으로서는, 기판의 얼라인먼트 마크가 형성되어 있는 면측 및 기판의 도전막이 형성되어 있는 면측 중 어느 방향이라도 좋다.
얼라인먼트 마크를 투과하는 투과광을 검출하는 수단으로서는, 예를 들어 CCD 등을 들 수 있다.
또한, 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사하는 방법으로서는, 통상 회로 패턴에 검사광을 조사하여, 회로 패턴으로부터의 반사광을 검출하는 방법이 사용된다.
검사광으로서는, 회로 패턴을 반사에 의해 검출 가능하면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 전자선, X선, 자외선 등을 사용할 수 있다. 통상은 상기 얼라인먼트 광보다도 파장이 짧은 것이 사용된다.
회로 패턴으로부터의 반사광을 검출하는 수단으로서는, 예를 들어 CCD 등을 들 수 있다.
D. 반사형 마스크의 제조 방법
본 발명의 반사형 마스크의 제조 방법은 상기 반사형 마스크의 검사 방법을 행함으로써, 반사형 마스크를 검사하는 검사 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상술한 반사형 마스크의 검사 방법을 적용하므로, 검사 공정에서 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사할 때에는 얼라인먼트 마크의 위치를 높은 정밀도로 검출할 수 있어, 반사형 마스크의 위치 조정을 정확하고 또한 신속하게 행할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 「B. 반사형 마스크」의 항에 기재한 반사형 마스크를 제조하는 것이 가능하면, 검사 공정 전에, 기판 상에 다층막을 형성하는 다층막 형성 공정, 다층막 상에 중간층을 형성하는 중간층 형성 공정, 중간층 상에 흡수층을 형성하는 흡수층 형성 공정, 흡수층을 패터닝하여 흡수체를 패턴 형상으로 형성하는 흡수층 패터닝 공정, 얼라인먼트 마크의 개구부에 위치하는 다층막 및 중간층을 제거하는 다층막ㆍ중간층 패터닝 공정, 기판 상에 도전막을 형성하는 도전막 형성 공정, 얼라인먼트 영역에 위치하는 도전막을 제거하는 도전막 패터닝 공정 등을 행할 수 있다.
또한, 상기한 각 공정에 대해서는 상기 「B. 반사형 마스크」의 항에 반사형 마스크에 있어서의 각 구성의 형성 방법을 기재하였으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
상기한 도전막 패터닝 공정은 다층막 형성 공정, 중간층 형성 공정 및 흡수 층 형성 공정 중 어느 하나의 전 또는 후에 행해져도 좋고, 흡수층 패터닝 공정 후에 행해져도 좋고, 다층막ㆍ중간층 패터닝 공정 후에 행해져도 좋다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이고, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
(실시예)
이하에 실시예를 나타내어, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
[제1 실시예]
도 4는 본 발명에 관한 반사형 마스크의 일 형태를 도시하는 단면도이다. 이 반사형 마스크에서는 기판(2) 상에 반사부로서의 다층막(3)이 형성되고, 그 다층막(3) 상에 다층막 보호 및 패턴 형성 보조를 목적으로 한 중간층(4)이 형성되고, 그 중간층(4) 상에 비반사부로서의 회로 패턴(12) 및 얼라인먼트 마크(13)를 구성하는 흡수체(5')가 형성되어 있다. 기판(2)의 반대면에는 얼라인먼트 마크 부분을 제외하고 도전막(6)이 형성되어 있다. 도 4에서는, 얼라인먼트 마크의 개구부(15)의 부분은 FIB 방식 또는 EB 방식 또는 레지스트 프로세스를 통한 드라이 에칭에 의해 중간층 및 다층막이 제거되어 있다. 이에 의해 얼라인먼트 마크는 중간층 상에 형성된 흡수체와 기판 상에 직접 형성된 개구부로 구성되는 것이 된다. 이하에 회로 패턴 검사나 수정 시에 투과 광학계를 사용한 마스크 얼라인먼트의 예를 구체적으로 나타낸다.
통상의 EUV 마스크 프로세스를 경유하여, 흡수층에 반도체 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 제판하였다. 얼라인먼트 마크의 개구부가 되는 부분에 Ga 이온을 이온원으로 한 FIB를 조사하여, 중간층 및 다층막을 제거하였다. 반도체 회로 패턴의 결함 검사를 하기 위해, 결함 검사 장치로 검사하였다. 검사 장치에서 기계적인 얼라인먼트 작업을 행한 후, 파장 190 내지 700㎚로 이루어지는 광학계를 사용한 고정밀도의 얼라인먼트 작업을 행하였다. 상기 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크는 중간층 상에 형성된 흡수체와 기판 상에 직접 형성된 개구부로 구성되어, 기판 상에 다층막, 중간층 및 흡수체가 적층되어 있는 부분과 기판이 노출되어 있는 부분으로 이루어지는 마크로 인해, 얼라인먼트 화상으로서 투과율의 콘트라스트가 0.8 이상인 고콘트라스트 화상이 얻어졌다. 이에 의해 투과 광학계에 의한 얼라인먼트 마크의 검출이 가능여, 포토마스크와 EUV 마스크를 동일한 결함 검사 장치로 결함 검사하는 것이 가능해졌다.
[제2 실시예]
도 2는 본 발명에 관한 반사형 마스크의 일 형태를 도시하는 단면도이다. 이 반사형 마스크에서는 기판(2) 상에 반사부로서의 다층막(3)이 형성되고, 그 다층막(3) 상에 다층막 보호 및 패턴 형성 보조를 목적으로 한 중간층(4)이 형성되고, 그 중간층(4) 상에 비반사부로서의 흡수체(5')가 형성되어 있다. 도 2에서는, 흡수체(5')는 반도체 회로 패턴 및 얼라인먼트 마크를 구성하도록 패터닝되어 있다. 기판(2)의 반대면에는 얼라인먼트 마크 부분을 제외하고 도전막(6)이 형성되어 있다. 도 2에서는, 얼라인먼트 마크(13)를 형성하는 개소는 다층막 및 중간층 이 미리 제거되어 있다. 이에 의해 얼라인먼트 마크는 기판 상에 직접 형성된 흡수체와 기판 상에 직접 형성된 개구부로 구성되는 것이 된다. 이하에 회로 패턴 검사나 수정 시에 투과 광학계를 사용한 마스크 얼라인먼트의 예를 구체적으로 나타낸다.
도 2의 단면 구조를 갖는 EUV 노광용 반사형 마스크를 제조하였다. 반도체 회로 패턴의 결함 검사를 하기 위해, 결함 검사 장치로 검사하였다. 검사 장치에서 기계적인 얼라인먼트 작업을 행한 후, 파장 190 내지 700㎚로 이루어지는 광학계를 사용한 고정밀도의 얼라인먼트 작업을 행하였다. 상기 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크는 기판 상에 직접 형성된 흡수체와 기판 상에 직접 형성된 개구부로 구성되어, 기판 상에 직접 흡수체가 형성되어 있는 부분과 기판이 노출되어 있는 부분으로 이루어지는 마크로 인해, 얼라인먼트 화상으로서 투과율의 콘트라스트가 0.8 이상인 고콘트라스트 화상이 얻어졌다. 이에 의해 투과 광학계에 의한 얼라인먼트 마크의 검출이 가능하여, 포토마스크와 EUV 마스크를 동일한 결함 검사 장치로 결함 검사하는 것이 가능해졌다.
[제3 실시예]
도 5는 본 발명에 관한 반사형 마스크의 일 형태를 도시하는 단면도이다. 이 반사형 마스크에서는 기판(2) 상에 반사부로서의 다층막(3)이 형성되고, 그 다층막(3) 상에 다층막 보호 및 패턴 형성 보조를 목적으로 한 중간층(4)이 형성되고, 그 중간층(4) 상에 비반사부로서의 흡수체(5')가 형성되어 있다. 도 5에서는, 흡수체(5')는 반도체 회로 패턴 및 얼라인먼트 마크를 구성하도록 패터닝되어 있 다. 기판(2)의 반대면에는 얼라인먼트 마크 부분을 제외하고 도전막(6)이 형성되어 있다. 이하에 회로 패턴 검사나 수정 시에 투과 광학계를 사용한 마스크 얼라인먼트의 예를 구체적으로 나타낸다.
도 5의 단면 구조를 갖는 EUV 노광용 반사형 마스크를 제조하였다. 반도체 회로 패턴의 결함 검사를 하기 위해, 결함 검사 장치로 검사하였다. 검사 장치에서 기계적인 얼라인먼트 작업을 행한 후, 파장 600 내지 700㎚로 이루어지는 광학계를 사용한 고정밀도의 얼라인먼트 작업을 행하였다. 상기 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크는 중간층 상에 형성된 흡수체와 중간층 상에 형성된 개구부로 구성되어, 기판 상에 다층막, 중간층 및 흡수체가 적층되어 있는 부분과 기판 상에 다층막 및 중간층이 적층되어 있는 부분으로 이루어지는 마크로 인해, 얼라인먼트 화상으로서 투과율의 콘트라스트가 0.2 이상인 화상이 얻어졌다. 이에 의해, 투과 광학계에 의한 얼라인먼트 마크의 검출이 가능하여, 포토마스크와 EUV 마스크를 동일한 결함 검사 장치로 결함 검사하는 것이 가능해졌다.
도 1은 본 발명의 반사형 마스크 블랭크스의 일례를 도시하는 모식도.
도 2는 본 발명의 반사형 마스크의 일례를 도시하는 개략 단면도.
도 3은 본 발명의 반사형 마스크의 검사 방법에 사용되는 투과형 마스크 얼라인먼트 기구의 일례를 도시하는 모식도.
도 4는 본 발명의 반사형 마스크의 다른 예를 도시하는 개략 단면도.
도 5는 본 발명의 반사형 마스크의 다른 예를 도시하는 개략 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 반사형 마스크 블랭크스
2 : 기판
3 : 다층막
4 : 중간층
5 : 흡수층
5' : 흡수체
6 : 도전막
10 : 얼라인먼트 영역
12 : 회로 패턴
13 : 얼라인먼트 마크
15 : 얼라인먼트 마크의 개구부
20 : 반사형 마스크

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며,
    상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고,
    상기 얼라인먼트 마크가 상기 흡수체와 개구부로 구성되고, 상기 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체가 상기 중간층 상에 형성되며, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부가 상기 기판 상에 직접 형성되어 있으며, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부에는 상기 기판의 상기 다층막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되고,
    상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 상기 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는, 반사형 마스크.
  5. 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며,
    상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고,
    상기 얼라인먼트 마크가 상기 흡수체와 개구부로 구성되고, 상기 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 상기 얼라인먼트 마크의 개구부가 상기 기판 상에 직접 형성되고, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부에는 상기 기판의 상기 다층막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되고,
    상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 상기 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는, 반사형 마스크.
  6. 기판과, 상기 기판의 한쪽 면에 형성된 다층막과, 상기 다층막 상에 형성된 중간층과, 상기 다층막 및 중간층이 형성된 기판 상에 패턴 형상으로 형성된 흡수체와, 상기 기판의 다른 쪽 면에 형성된 도전막을 갖는 반사형 마스크이며,
    상기 흡수체의 패턴이 회로 패턴과 얼라인먼트 마크를 구성하고,
    상기 얼라인먼트 마크가 상기 흡수체와 개구부로 구성되고, 상기 얼라인먼트 마크를 구성하는 흡수체 및 상기 얼라인먼트 마크의 개구부가 상기 중간층 상에 형성되고, 상기 얼라인먼트 마크의 개구부의 아래에는 상기 기판 상에 상기 다층막 및 상기 중간층이 형성되고,
    상기 얼라인먼트 마크가 배치되어 있는 얼라인먼트 영역에서는 상기 기판의 상기 도전막이 형성되어 있는 측의 면이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는, 반사형 마스크.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 반사형 마스크의 회로 패턴을 검사하는 반사형 마스크의 검사 방법이며, 상기 회로 패턴을 검사할 때에 상기 반사형 마스크의 얼라인먼트 마크에 얼라인먼트 광을 조사하고, 상기 얼라인먼트 마크를 투과하는 투과광을 검출하여, 상기 반사형 마스크의 위치 조정을 행하는 것을 특징으로 하는, 반사형 마스크의 검사 방법.
  8. 제7항에 기재된 반사형 마스크의 검사 방법을 행함으로써, 반사형 마스크를 검사하는 검사 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 반사형 마스크의 제조 방법.
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