KR101177157B1 - 시험 장치 - Google Patents

시험 장치

Info

Publication number
KR101177157B1
KR101177157B1 KR1020077005720A KR20077005720A KR101177157B1 KR 101177157 B1 KR101177157 B1 KR 101177157B1 KR 1020077005720 A KR1020077005720 A KR 1020077005720A KR 20077005720 A KR20077005720 A KR 20077005720A KR 101177157 B1 KR101177157 B1 KR 101177157B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electronic device
bypass capacitor
power
test head
power supply
Prior art date
Application number
KR1020077005720A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070083553A (ko
Inventor
노부스케 세키
Original Assignee
주식회사 아도반테스토
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아도반테스토 filed Critical 주식회사 아도반테스토
Publication of KR20070083553A publication Critical patent/KR20070083553A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101177157B1 publication Critical patent/KR101177157B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31903Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
    • G01R31/31905Interface with the device under test [DUT], e.g. arrangements between the test head and the DUT, mechanical aspects, fixture
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31926Routing signals to or from the device under test [DUT], e.g. switch matrix, pin multiplexing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

전자 디바이스를 시험하기 위한 시험 장치에 있어서, 전자 디바이스에 공급되는 전원 전력을 생성하는 메인 프레임과, 전자 디바이스를 올려 놓는 소켓이 설치된 소켓 보드와, 소켓 보드를 탈착 가능하게 보유하여 지지하며, 메인 프레임이 생성한 전원 전력을, 소켓 보드를 거쳐 전자 디바이스에 공급하는 테스트 헤드와, 테스트 헤드에 있어서의 전원 전력 전송선에, 릴레이를 거쳐 접속되는 제1 바이패스 캐패시터와, 소켓 보드에 있어서의 전원 전력 전송선에 고정되어 접속되는 제2 바이패스 캐패시터를 포함하는 시험 장치를 제공한다.
시험 장비, 소켓 보드, 테스트 헤드, 바이패스 캐패시터

Description

시험 장치{TESTING APPARATUS}
본 발명은 반도체 회로 등의 전자 디바이스를 시험하는 시험 장치에 관한 것이다. 문헌의 참조에 의한 편입이 인정되는 지정국에 관하여는, 다음의 일본 출원에 기재된 내용을 참조에 의하여 본 출원에 편입시키고, 본 출원의 기재의 일부로 한다.
일본 특허 출원 제2004-332466호 출원일 2004년 11월 16일
종래에, 전자 디바이스를 시험하는 시험 장치로서, 시험 장치 본체로서의 메인 프레임, 전자 디바이스를 올려 놓는 소켓 보드, 및 소켓 보드를 보유하여 지지하는 테스트 헤드를 구비한 구성이 알려져 있다. 메인 프레임은, 전자 디바이스에 공급하는 시험 패턴이나 전원 전력을 생성하고, 케이블을 거쳐 테스트 헤드로 공급한다.
또한, 전자 디바이스에 전원 전력을 전송하는 소켓 보드의 전원 라인은, 전자 디바이스 근방에 바이패스 캐패시터가 설치되어 있다. 바이패스 캐패시터를 설치함으로써, 전원 라인에 있어서의 노이즈를 감소시키고, 또한 전원 전류의 변동에 고속으로 추종할 수 있다.
또한, 전자 디바이스의 시험으로서, 전자 디바이스의 전원 전류를 측정하는 시험이 알려져 있다. 이러한 시험을 수행하는 경우, 바이패스 캐패시터의 누설 전류 등에 의하여, 전원 전류를 높은 정밀도로 측정하는 것이 곤란하게 된다. 이 때문에, 소켓 보드에는, 바이패스 캐패시터와 전원 라인을 접속할 것인가 아닌가를 전환하는 릴레이가 설치되어 있다.
관련된 특허 문서 등은, 현재 인식하고 있지 않으므로, 그 기재를 생략한다.
[발명이 해결하고자 하는 과제]
그러나, 소켓 보드는, 온도 분포의 균일성이나 테스트 헤드와의 접속시의 기계적 정밀도 등의 관점으로부터, 더욱 소형인 것이 개발되고 있다. 또한, 시험 효율을 향상시키기 위하여, 동시에 시험되는 전자 디바이스의 수가 증대되고 있어, 소켓 보드에 올려 놓는 전자 디바이스의 수가 증대되고 있다. 이 때문에, 바이패스 캐패시터 및 릴레이를 실장하는 영역을 확보하기가 곤란해지고 있다.
또한, 소켓 보드에 바이패스 캐패시터 및 릴레이가 설치되면, 릴레이를 제어하기 위한 배선이나, 릴레이 구동 전원을 위한 배선 등이 필요하게 된다. 이 때문에, 소켓 보드의 면적을 증대시킬 필요가 있으며, 상술한 소형화의 요청과 양립시키기 곤란하다.
또한, 예를 들어 테스트 헤드에 바이패스 캐패시터 및 릴레이를 설치한 경우, 소켓 보드의 면적은 적게할 수 있으나, 테스트 헤드로부터 전자 디바이스까지의 전원 라인에서 생긴 노이즈 등을 제거할 수 없어, 전자 디바이스를 높은 정밀도로 시험할 수 없다.
이 때문에 본 발명은, 상술한 과제를 해결할 수 있는 시험 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 목적은 청구의 범위에 있어서의 독립항에 기재된 특징의 조합에 의하여 달성된다. 또한 종속항은 본 발명의 더욱 유리한 구체예를 규정한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제1의 형태에 있어서는, 전자 디바이스를 시험하기 위한 시험 장치에 있어서, 전자 디바이스에 공급되는 전원 전력을 생성하는 메인 프레임과, 전자 디바이스를 올려 놓는 소켓이 설치된 소켓 보드와, 소켓 보드를 탈착 가능하게 보유하여 지지하며, 메인 프레임이 생성한 전원 전력을, 소켓 보드를 거쳐 전자 디바이스에 공급하는 테스트 헤드와, 테스트 헤드에 설치된 릴레이를 거쳐, 테스트 헤드에 설치되고 메인 프레임에 접속된 전원 전력 전송선에 접속되는, 테스트 헤드에 설치된 제1 바이패스 캐패시터와, 소켓 보드에 설치되고 테스트 헤드의 전원 전력 전송선에 접속된 전원 전력 전송선에 고정되어 접속되는, 소켓 보드에 설치된 제2 바이패스 캐패시터를 포함하되, 제1 바이패스 캐패시터의 용량은, 제2 바이패스 캐패시터의 용량보다 크고, 전원 전력은, 테스트 헤드에 설치된 전원 전력 전송선 및 소켓 보드에 설치된 전원 전력 전송선을 거쳐 메인 프레임으로부터 전자 디바이스로 전송되는 시험 장치를 제공한다.
메인 프레임으로부터 테스트 헤드까지의 전력 전송 거리는, 테스트 헤드로부터 전자 디바이스까지의 전력 전송 거리보다 크다.
시험 장치는, 메인 프레임으로부터 테스트 헤드까지의 전력 전송 거리에 따른 용량을 갖는 제1 바이패스 캐패시터를 포함하여도 좋다. 또한, 시험 장치는, 전자 디바이스의 동작 주파수에 따른 용량을 갖는 제1 바이패스 캐패시터를 포함하여도 좋다.
시험 장치는, 전자 디바이스의 상태가 정지 상태로부터 동작 상태로 천이할 때의, 전원 전류의 변동의 크기에 따른 용량을 갖는 제1 바이패스 캐패시터를 포함하여도 좋다. 시험 장치는, 서로 다른 용량을 갖는 복수의 제1 바이패스 캐패시터를 포함하며, 릴레이는, 복수의 제1 바이패스 캐패시터의 어느 것을 테스트 헤드의 전원 전력 전송선에 접속시킬지를 선택하여도 좋다.
릴레이는, 전자 디바이스의 동작 주파수에 따른 용량을 갖는 제1 바이패스 캐패시터를 선택하여도 좋다. 릴레이는, 전자 디바이스의 상태가 정지 상태로부터 동작 상태로 천이할 때의, 전원 전류의 변동의 크기에 따른 용량을 갖는 제1 바이패스 캐패시터를 선택하여도 좋다.
또한, 상기한 발명의 개요는, 본 발명의 필요한 특징의 모두를 열거한 것은 아니며, 이들 특징군의 서브컴비네이션도 또한 발명이 될 수 있다.
[발명의 효과]
본 발명에 의하면, 소켓 보드의 소형화와, 전자 디바이스의 시험을 높은 정밀도로 수행하는 것을 양립시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 시험 장치 100의 구성의 일예를 도시한 도면이다.
도 2는, 메인 프레임 10, 테스트 헤드 20, 및 소켓 보드 30의 구성 중, 전자 디바이스 200에 전원 전력을 공급하는 구성의 일예를 도시한 도면이다.
도 3은, 테스트 헤드 20의 구성의 다른 예를 도시한 도면이다.
[부호의 설명]
10 … 메인 프레임, 12 … 전원 유닛, 14 … 전압 제어 회로, 20 … 테스트 헤드, 22 … 릴레이, 24 … 제1 바이패스 캐패시터, 26 … 전원 전력 전송선, 28-1 … 입력부, 28-2 … 출력부, 30 … 소켓 보드, 32 … 제2 바이패스 캐패시터, 34 … 전원 전력 전송선, 36 … 입력부, 38 … 릴레이 제어부, 40 … 케이블, 100 … 시험 장치, 200 … 전자 디바이스
이하, 본 발명의 실시 형태를 통하여 본 발명을 설명하지만, 이하의 실시 형태는 청구의 범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니며, 또한 실시 형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합의 모두가 발명의 해결 수단으로 필수적인 것으로 국한되지는 않는다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 시험 장치 100의 구성의 일예를 도시한 도면이다. 시험 장치 100은, 반도체 회로 등의 전자 디바이스를 시험하는 장치로서, 메인 프레임 10, 테스트 헤드 20, 소켓 보드 30, 및 케이블 40을 포함한다. 메인 프레임 10은, 전자 디바이스에 공급하여야 할 시험 패턴이나, 전원 전력을 생성한다.
테스트 헤드 20은, 케이블 40을 거쳐 시험 패턴 및 전원 전력을 받고, 소켓 보드 30에 공급한다. 또한, 테스트 헤드 20은, 소켓 보드 30을 탈착 가능하게 보유하여 지지한다. 즉, 소켓 보드 30을, 예를 들어 피시험 전자 디바이스의 종류마다 교환함으로써, 시험 장치 100은 여러가지 전자 디바이스를 시험할 수 있다.
소켓 보드 30은, 전자 디바이스를 올려 놓는 소켓이 설치되어 있으며, 테스트 헤드 20으로부터 주어진 시험 패턴 및 전원 전력을 전자 디바이스로 공급한다. 또한 소켓 보드 30은, 복수의 소켓이 설치되어 있어도 좋다. 이 경우, 메인 프레임 10은, 각각의 소켓에 올려진 전자 디바이스마다 시험 패턴 및 전원 전류를 생성하여도 좋다. 또한, 테스트 헤드 20은, 메인 프레임 10으로부터 받은 시험 패턴 및 전원 전력을 어느 전자 디바이스로 공급할 것인가를 제어한다. 예를 들면, 테스트 헤드 20은, 받은 시험 패턴 및 전원 전력을 어느 전자 디바이스에 공급할 것인가를 배선의 접속을 전환함으로써 제어한다.
도 2는, 메인 프레임 10, 테스트 헤드 20, 및 소켓 보드 30의 구성 중, 전자 디바이스 200에 전원 전력을 공급하는 구성의 일예를 도시한 도면이다. 메인 프레임 10은, 전원 유닛 12, 및 전압 제어 회로 14를 포함한다. 전원 유닛 12는, 미리 정해진 전원 전압을 출력한다. 전압 제어 회로 14는, 차동증폭기로서, 정입력 단자에서 전원 유닛 12가 생성하는 전원 전압을 받고, 부입력 단자에서 전자 디바이스 200의 전원 핀에 입력되는 전원 전압을 받는다. 즉, 전압 제어 회로 14는, 전자 디바이스 200의 전원 핀에 입력되는 전원 전압을 피드백함으로써, 메인 프레임 10이 출력하는 전원 전압을 소정의 전압치로 제어한다.
테스트 헤드 20은, 입력부 28-1, 출력부 28-2, 릴레이 22, 제1 바이패스 캐패시터 24, 및 전원 전력 전송선 26을 포함한다. 입력부 28-1은, 케이블 40을 거쳐 전원 전력을 받으며, 전원 전력 전송선 26을 거쳐 출력부 28-2로 전송한다. 제1 바이패스 캐패시터 24는, 전원 전력 전송선 26과 접지 전위와의 사이에 설치되며, 릴레이 22를 거쳐 전원 전력 전송선 26에 접속된다. 출력부 28-2는, 받은 전원 전력을 소켓 보드 30으로 출력한다.
소켓 보드 30은, 입력부 36, 전원 전력 전송선 34, 및 제2 바이패스 캐패시터 32를 포함한다. 또한, 소켓 보드 30은, 도시되지 않은 소켓에 전자 디바이스 200을 올려 놓는다. 입력부 36은, 받은 전원 전력을, 전원 전력 전송선 34를 거쳐 전자 디바이스 200으로 공급한다. 제2 바이패스 캐패시터 32는, 전원 전력 전송선 34와 접지 전위 사이에 설치되며, 전원 전력 전송선 34에 고정되어 접속된다. 즉, 제2 바이패스 캐패시터 32는, 릴레이를 거치지 않고 전원 전력 전송선 34에 접속된다.
이렇게, 테스트 헤드 20내에서, 소켓 보드 30에 설치된 제2 바이패스 캐패시터 32와는 별도로 제1 바이패스 캐패시터 24를 설치함으로써, 적은 용량의 제2 바 이패스 캐패시터 32를 사용할 수 있다. 이 때문에, 전자 디바이스 200의 전원 전류를 측정하는 경우에, 제2 바이패스 캐패시터 32에 있어서의 누설 전류의 영향을 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 바이패스 캐패시터 32에 있어서의 누설 전류의 영향이 적기 때문에, 제2 바이패스 캐패시터 32를 전원 전력 전송선 34로부터 분리시키기 위한 릴레이를 설치할 필요가 없다. 이 때문에, 소켓 보드 30을 소형화할 수 있다. 또한, 메인 프레임 10으로부터 테스트 보드 20까지의 사이에서 발생한 노이즈는, 제1 바이패스 캐패시터 24에 의하여 감소시키고, 테스트 헤드 20으로부터 전자 디바이스 200까지의 사이에서 발생한 노이즈는, 제2 바이패스 캐패시터 32에 의하여 감소시킬 수 있다. 이 때문에, 전자 디바이스 200의 시험을 높은 정밀도로 수행할 수 있다. 즉, 본 실시예에 있어서의 시험 장치 100에 의하면, 소켓 보드 30의 소형화와, 전자 디바이스 200의 시험을 높은 정밀도로 수행하는 것을 양립시킬 수 있다.
또한, 통상, 메인 프레임 10으로부터 테스트 헤드 20까지의 전력 전송 거리는, 테스트 헤드 20으로부터 전자 디바이스 200까지의 전력 전송 거리보다 크다. 예를 들면, 케이블 40의 길이는 통상 수 미터 이상이며, 테스트 헤드 20으로부터 전자 디바이스 200까지의 전력 전송 거리는 통상 10cm ~ 1m가 조금 안되는 정도이다. 이러한 경우, 제1 바이패스 캐패시터 24의 용량은, 제2 바이패스 캐패시터 32의 용량보다 큰 것이 바람직하다.
전송선에 있어서 발생하는 노이즈의 양은, 통상 전송선의 길이에 비례한다. 이 때문에, 제1 바이패스 캐패시터 24는, 메인 프레임 10으로부터 테스트 헤드 20 까지의 전력 전송 거리에 따른 용량을 가지며, 제2 바이패스 캐패시터 32는, 테스트 헤드 20으로부터 전자 디바이스 200까지의 전력 전송 거리에 따른 용량을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 제1 바이패스 캐패시터 24는, 메인 프레임 10으로부터 테스트 헤드 20까지의 전력 전송 거리에 실질적으로 비례한 용량을 가지고, 제2 바이패스 캐패시터 32는, 테스트 헤드 20으로부터 전자 디바이스 200까지의 전력 전송 전송 거리에 실질적으로 비례한 용량을 가져도 좋다. 일례로서, 제1 바이패스 캐패시터 24의 용량은, 10㎌ ~ 100㎌ 정도이고, 제2 바이패스 캐패시터 32의 용량은, 1㎌이하이어도 좋다.
또한, 제1 바이패스 캐패시터 24는, 전자 디바이스 200의 동작 주파수에 따른 용량을 가져도 좋다. 예를 들면, 제1 바이패스 캐패시터 24는, 전자 디바이스 200의 동작 주파수에 실질적으로 반비례한 용량을 가져도 좋다. 또한, 제1 바이패스 캐패시터 24는, 전자 디바이스 200에 공급되는 전원 전류의 변동의 주파수에 추종할 수 있는 용량을 가지는 것이 바람직하다. 제1 바이패스 캐패시터 24의 충방전 응답 속도는 용량에 따라 변동되지만, 전자 디바이스 200의 동작 주파수와 동등한 응답 속도로 되도록 용량을 가져도 좋다.
또한, 제1 바이패스 캐패시터 24는, 전자 디바이스 200의 상태가 정지 상태로부터 동작 상태로 천이할 때, 전원 전류의 변동의 크기에 따른 용량을 가져도 좋다. 예를 들면, 제1 바이패스 캐패시터 24는, 당해 전원 전류의 변동의 크기에 실질적으로 비례한 용량을 가져도 좋다. 정지 상태라는 것은, 예를 들면 전자 디바이스 200의 전원 전류가 가장 작은 상태이며, 동작 상태라는 것은, 예를 들면 전자 디바이스 200의 전원 전류가 가장 큰 상태이어도 좋다. 이러한 전원 전류의 변동의 크기에 따른 용량을 제1 바이패스 캐패시터 24가 가짐으로써, 전압 제어 회로 14가 출력하는 전원 전류의 변동 속도가 늦은 경우에 있어서도, 전자 디바이스 200의 소비 전류의 변동에 고속으로 추종한 전원 전류를 공급할 수 있다.
또한, 테스트 헤드 20은, 서로 다른 용량의 제1 바이패스 캐패시터 24를 가지며, 전자 디바이스 200의 동작 주파수나 전원 전류의 변동의 크기에 따라, 전원 전력 전송선 26에 접속하는 제1 바이패스 캐패시터 24를 선택하여도 좋다.
도 3은, 테스트 헤드 20의 구성의 다른 예를 도시한 도면이다. 본 실시예에 있어서의 테스트 헤드 20은, 입력부 28-1, 출력부 28-2, 릴레이 22, 복수의 제1 바이패스 캐패시터 (24-1, 24-2, 24-3, ???, 이하 24라 총칭함), 전원 전력 전송선 26, 및 릴레이 제어부 38을 포함한다.
입력부 28-1, 출력부 28-2, 및 전원 전력 전송선 26의 기능은, 도 2에 있어서 설명한 입력부 28-1, 출력부 28-2, 및 전원 전력 전송선 26과 동일하다. 복수의 제1 바이패스 캐패시터 24는, 전원 전력 전송선 26과 접지 전위와의 사이에 각각 병렬로 설치되며, 각각 서로 다른 용량을 갖는다.
릴레이 22는, 어느 제1 바이패스 캐패시터 24를, 전원 전력 전송선 26에 접속시킬 것인가를 선택한다. 릴레이 제어부 38은, 릴레이 22로 하여금 어느 제1 바이패스 캐패시터 24를 선택하게 할 것인가를 제어한다. 예를 들면, 릴레이 제어부 38은, 릴레이 22에게, 상술한 전자 디바이스 200의 동작 주파수나 전원 전류의 변동의 크기에 따른 용량을 갖는 제1 바이패스 캐패시터 24를, 선택하게 한다. 이에 의하여, 시험하여야 할 전자 디바이스 200의 특성에 따른 제1 바이패스 캐패시터 24를 선택할 수 있다.
릴레이 제어부 38은, 사용자에 의하여 주어진 정보에 의하여, 어느 제1 바이패스 캐패시터 24를 선택하게 할 것인가를 제어하여도 좋다. 예를 들어, 어떤 제1 바이패스 캐패시터 24를 가리키는 정보가 사용자로부터 주어지면, 당해 정보에 기초하여 릴레이 22를 제어하여도 좋다.
또한 릴레이 제어부 38은, 전자 디바이스 200의 동작 주파수나 전원 전류의 변동의 크기를 측정하고, 측정된 값에 따라 릴레이 22를 제어하여도 좋다. 이 경우, 시험 장치 100은, 릴레이 제어부 38에, 전자 디바이스 200의 동작 주파수나 전원 전류의 변동의 크기를 측정하게 하기 위한 패턴을 전자 디바이스 200에 공급하여도 좋다. 그리고, 릴레이 제어부 38은, 전원 전력 전송선 26으로 전송되는 전원 전압 또는 전원 전류를 검출하고, 전자 디바이스 200의 동작 주파수나 전원 전류의 변동의 크기를 측정하여도 좋다.
이상, 실시 형태를 이용하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시 형태에 기재된 범위로 한정되지는 않는다. 상기 실시 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 추가할 수도 있다. 이러한 변경 또는 개량을 추가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이, 청구의 범위의 기재로부터 명확하다.
이상으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 소켓 보드의 소형화와, 전자 디바이스의 시험을 높은 정밀도로 수행하는 것을 양립시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 전자 디바이스를 시험하기 위한 시험 장치에 있어서,
    상기 전자 디바이스에 공급되는 전원 전력을 생성하는 메인 프레임과,
    상기 전자 디바이스를 올려 놓는 소켓이 설치된 소켓 보드와,
    상기 소켓 보드를 탈착 가능하게 보유하여 지지하며, 상기 메인 프레임이 생성한 상기 전원 전력을, 상기 소켓 보드를 거쳐 상기 전자 디바이스에 공급하는 테스트 헤드와,
    상기 테스트 헤드에 설치된 릴레이를 거쳐, 상기 테스트 헤드에 설치되고 상기 메인 프레임에 접속된 전원 전력 전송선에 접속되는, 상기 테스트 헤드에 설치된 제1 바이패스 캐패시터와,
    상기 소켓 보드에 설치되고 상기 테스트 헤드의 상기 전원 전력 전송선에 접속된 전원 전력 전송선에 고정되어 접속되는, 상기 소켓 보드에 설치된 제2 바이패스 캐패시터를 포함하되,
    상기 제1 바이패스 캐패시터의 용량은, 상기 제2 바이패스 캐패시터의 용량보다 크고,
    상기 전원 전력은, 상기 테스트 헤드에 설치된 전원 전력 전송선 및 상기 소켓 보드에 설치된 전원 전력 전송선을 거쳐 상기 메인 프레임으로부터 상기 전자 디바이스로 전송되는
    시험 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 메인 프레임으로부터 상기 테스트 헤드까지의 전력 전송 거리는, 상기 테스트 헤드로부터 상기 전자 디바이스까지의 전력 전송 거리보다 큰 시험 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 메인 프레임으로부터 상기 테스트 헤드까지의 전력 전송 거리에 따른 용량을 갖는 상기 제1 바이패스 캐패시터를 포함하는 시험 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 전자 디바이스의 동작 주파수에 따른 용량을 갖는 상기 제1 바이패스 캐패시터를 포함하는 시험 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 전자 디바이스의 상태가 정지 상태로부터 동작 상태로 천이할 때의, 상기 전자 디바이스에 공급되는 전원 전류의 변동의 크기에 따른 용량을 갖는 상기 제1 바이패스 캐패시터를 포함하는 시험 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 바이패스 캐패시터는 용량이 서로 다른 복수의 제1 바이패스 캐패시터를 포함하며,
    상기 릴레이는, 상기 복수의 제1 바이패스 캐패시터 중 상기 테스트 헤드의 상기 전원 전력 전송선에 접속될 하나의 제1 바이패스 캐패시터를 선택하는 시험 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 릴레이는, 상기 전자 디바이스의 동작 주파수에 따른 용량을 갖는 상기 제1 바이패스 캐패시터를 선택하는 시험 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 릴레이는, 상기 전자 디바이스의 상태가 정지 상태로부터 동작 상태로 천이할 때의, 상기 전자 디바이스에 공급되는 전원 전류의 변동의 크기에 따른 용량을 갖는 상기 제1 바이패스 캐패시터를 선택하는 시험 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 바이패스 캐패시터는 상기 릴레이와 접지 전위 사이에 설치되는 시험 장치.
KR1020077005720A 2004-11-16 2005-10-27 시험 장치 KR101177157B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00332466 2004-11-16
JP2004332466 2004-11-16
PCT/JP2005/019794 WO2006054435A1 (ja) 2004-11-16 2005-10-27 試験装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070083553A KR20070083553A (ko) 2007-08-24
KR101177157B1 true KR101177157B1 (ko) 2012-08-24

Family

ID=36406980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077005720A KR101177157B1 (ko) 2004-11-16 2005-10-27 시험 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7656177B2 (ko)
JP (1) JPWO2006054435A1 (ko)
KR (1) KR101177157B1 (ko)
DE (1) DE112005002437T5 (ko)
TW (1) TWI386657B (ko)
WO (1) WO2006054435A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112005002437T5 (de) 2004-11-16 2007-10-25 Advantest Corp. Prüfvorrichtung
WO2011010349A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 株式会社アドバンテスト 試験装置
US7952361B2 (en) 2009-07-14 2011-05-31 Advantest Corporation Test apparatus
US20110031984A1 (en) * 2009-07-14 2011-02-10 Advantest Corporation Test apparatus
US8558560B2 (en) 2009-07-23 2013-10-15 Advantest Corporation Test apparatus, additional circuit and test board for judgment based on peak current
US8558559B2 (en) 2009-07-23 2013-10-15 Advantest Corporation Test apparatus, additional circuit and test board for calculating load current of a device under test
DE102010029906A1 (de) * 2010-06-10 2011-12-15 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Messgerät und Messsystem
US8400746B1 (en) * 2010-11-30 2013-03-19 Integrated Device Technology, Inc. Bypass capacitor with reduced leakage current and power-down control
US20160036321A1 (en) * 2014-07-29 2016-02-04 Qualcomm Incorporated Dynamic bypass capacitance
JP2017009468A (ja) * 2015-06-23 2017-01-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US11776757B1 (en) 2019-11-20 2023-10-03 Smart Wires Inc. Method for mounting high voltage capacitor banks

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002071755A (ja) * 2000-08-28 2002-03-12 Advantest Corp 半導体試験装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07248353A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Sony Tektronix Corp 電源電流測定装置
JPH0943284A (ja) * 1995-07-25 1997-02-14 Advantest Corp Icテストシステムにおけるdut電源ピンのバイパス容量測定装置及びバイパス容量開閉スイッチのコンタクトチェック装置
JP3275752B2 (ja) * 1997-01-29 2002-04-22 日本電気株式会社 レベルメータ装置
GB2338311B (en) * 1997-11-20 2002-04-17 Advantest Corp IC testing apparatus
JP2001349925A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の検査装置および検査方法
DE112005002437T5 (de) 2004-11-16 2007-10-25 Advantest Corp. Prüfvorrichtung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002071755A (ja) * 2000-08-28 2002-03-12 Advantest Corp 半導体試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20080174318A1 (en) 2008-07-24
DE112005002437T5 (de) 2007-10-25
US7656177B2 (en) 2010-02-02
JPWO2006054435A1 (ja) 2008-05-29
TW200617406A (en) 2006-06-01
KR20070083553A (ko) 2007-08-24
TWI386657B (zh) 2013-02-21
WO2006054435A1 (ja) 2006-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101177157B1 (ko) 시험 장치
EP1864145A1 (en) Active diagnostic interface for wafer probe applications
TW201221980A (en) Method and apparatus for testing integrated circuits
WO2011010349A1 (ja) 試験装置
KR100784927B1 (ko) 이동국의 장치를 테스트하는 방법 및 장치
JP2001516037A (ja) 回路基板装置
CN206147046U (zh) 装配印刷电路板测试装置
CN106443460A (zh) 一种电源管理装置
CN202903983U (zh) 一种可适应多种规格电源模块老化测试的装置
CN210835147U (zh) 一种模块化功能板卡测量平台
KR100448840B1 (ko) 2차 전지 테스트용 다채널 임피던스 측정 장치
US7355431B2 (en) Test arrangement including anisotropic conductive film for testing power module
US6031370A (en) Semiconductor testing apparatus
CN202661616U (zh) 用于检测pc电源的电子负载机
CN100582798C (zh) 包含各向异性导电膜的用于测试功率模块的测试装置
CN219302608U (zh) 应用于电路板的检测系统
CN203551640U (zh) 一种测试电路
CN102830368A (zh) 一种用于检测pc电源的电子负载机
KR100428256B1 (ko) 외란공급전원장치
KR102292231B1 (ko) 전원 모듈
CN210487845U (zh) 一种阵列接口的现场信号检测设备
CN221039309U (zh) 一种晶圆的测试装置及半导体机台
CN218481612U (zh) 一种基于ate系统的通用mcu测试板卡
KR20050122307A (ko) 소비전력 계측 장치 및 계측 방법
KR0118912Y1 (ko) 자동검사기의 단일부품 검사장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160720

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170725

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180725

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190724

Year of fee payment: 8