KR101154209B1 - 경화된 실리콘 수지 기판의 엠보싱방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마스터 금형에 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판을 적층시켜, 피쳐를 함유하는 마스터 금형의 표면이 실리콘 수지 기판과 마주보도록 하는 단계(i), 실리콘 수지의 Tg보다 약간 높지만 마스터 금형의 연화점보다는 낮은 온도에서 단계(i)의 생성물을 프레스 속에서 가압하는 단계(ii), 단계(ii)의 생성물을 냉각시키고 금형에 대한 압력을 유지하는 단계(iii) 및 기판을 박리시켜 실리콘 수지 기판 위에 피쳐를 임프린트하는 단계(iv)를 포함하여, 마스터 금형으로부터 기판에 패턴을 임프린트하기 위해 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판을 엠보싱하는 방법에 관한 것이다. 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판은 마이크로미터 및 나노미터 도메인에서 높은 복제의 정확성을 촉진시키는 매우 매끄러운 표면을 제공하고 탈형을 위해 이형제를 필요로 하지 않음으로써 고온 엠보싱 리소그래피 측면에서 유기 열가소성 수지를 능가하는 이점을 제공한다.
마스터 금형, 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판, 엠보싱, 고온 엠보싱 리소그래피.
Description
제품 또는 기판의 표면을 엠보싱하는 것은 표면에 패턴을 부여하는 방법을 적용하는 데 중요하면서도 용이하다. 표면에 임프린트된 패턴은 제품을 육안으로 더욱 흥미를 끌도록 하거나 표면에 마찰력 증가와 같은 작용을 추가한다.
고온 엠보싱(hot embossing)은 본질적으로 중합체의 온도를 이의 유리전이온도(Tg) 이상으로 상승시켜 연화된 중합체로 패턴을 스탬핑시키는 것이다. 마이크론 규모 및 그보다 작은 크기의 피쳐(feature)를 갖는 폴리카보네이트 및 PMMA를 포함한 광범위하게 다양한 열가소성 중합체가 성공적으로 고온 엠보싱되었다. 이러한 기법은 본래 유체 장치용 마이크로-채널 및 벽을 한정하는 데 사용된다. 이러한 방법의 이점은 중합체의 광범위한 특성을 이용할 수 있을 뿐만 아니라 마이크론 규모의 피쳐를 갖는 부품을 경제적으로 대량 제조할 수 있다는 것이다. 열가소성 중합체가 엠보싱 분야에서 기판으로서 사용되고, 열경화성 중합체는 마스터 금형으로서 제안된 바 있지만, 경화된 열경화성 중합체는 사용되고 있지 않다.
연질 리소그래피(soft lithography)에 의해 제조된 열경화성 중합체 금형을 사용하여 중합체를 엠보싱하는 것이 문헌[참조; Xing, Rubo; Wang, Zhe; Han, Yanchun, Changchun Institute of Applied Chemistry, State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, Peoples Republic of China, Journal of Vacuum Science & Technology, B: Microelectronics and Nanometer Structures (2003), 21(4), 1318-1322]에 기재되어 있다.
고온 엠보싱 리소그래피에서의 웨이퍼-규모 열경화성 작동 스탬프의 성능이 또한 문헌[참조; Roos, Nils; Schulz, Hubert; Fink, Marion; Pfeiffer, Karl; Osenberg, Frank; Scheer, Hella-Christin, Univ. of Wuppertal, Wuppertal, Germany. Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering (2002), 4688(Pt. 1, Emerging Lithographic Technologies VI), 232-239]에 기재되어 있다.
실리콘 수지는 엠보싱 공정용 박리층으로서 사용되는 것으로 가장 빈번하게 기재되어 있다. 일본 특허 제11059094호에는 실리콘을 포함한 미경화 수지를 기판에 도포하고, 이를 엠보싱 롤과 평편 표면 롤 사이에 통과시키며, 수지를 고화시키고, 기판을 제거하는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 제06210740호에는 열가소성 필름 상에 피막으로서 열경화성 실리콘 화합물을 사용하고, 이어서 수득된 생성물을 고온 엠보싱 공정에 사용하는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 제05338091호에는 실리콘 수지를 포함하는 방사선 경화성 수지가 기재되어 있으며, 이때 기판 상에 피복층을 형성시킨다는, 엠보싱 공정에 적용시킨다.
따라서, 엠보싱 공정에서 미경화 실리콘 수지를 사용하는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 이러한 기술의 어디에도 엠보싱 공정에 경화된 실리콘 수지를 사용하는 것에 대해서는 기재되어 있지 않다. 미경화 실리콘 수지를 엠보싱하는 데에는 이를 경화시키기 위해 열 또는 방사선의 사용이 필요하고 이를 경화시키기 전에 수지를 지지시키기 위한 기판이 필요하다. 또한, 수지를 도포하기 위한 추가의 단계도 필요하다. 경화된 실리콘 수지를 엠보싱할 수 있다면, 공정은 간소화된다. 추가로, 실리콘 수지가 박리 피막 형태가 아니라 프리스탠딩(free standing) 필름 또는 플라크 형태인 경우, 내방사선성 및 내열성과 같은 실리콘 수지의 다른 이점들이 충분히 이용될 수 있다.
최근, 엠보싱이 마이크로미터 피쳐를 갖는 표면 패턴을 전사하는 데 유용한 기법이며, 이는 미세유체 장치(microfluidic device) 및 마이크로전자 회로를 제조하는 데 사용될 수 있는 것으로 나타났다. 이러한 경우, 실리콘 중합체를 용이하고 깨끗하게 박리할 수 있는 성능이, 다른 중합체와 비교하여, 탁월해진다.
왕(Wang) 등은 채널 도파관 및 기타 미세구조를 제조하기 위한 고온 마이크로 엠보싱 및 E-빔 리소그래피용 기판으로서의 글리시딜 메타크릴레이트를 갖는 불소화 말레이미드 공중합체의 용도를 기재하였다[문헌 참조; Wang, Jianguo; Shustack, Paul J.; Garner, Sean M., Science Technology Division, Corning Inc., Corning NY, USA, Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering (2002), 4904(Optical Fiber and Planar Waveguide Technology II), pp129-138)].
쉬프트(Schift) 등은 고온 엠보싱 및 리프트-오프(lift-off)를 사용한 실리 콘 기판 상의 실란의 나노-패턴화를 기재하였다[문헌 참조; Schift H.; Heyderman, L. J.; Padeste, C.; Gobrecht, J., Laboratory for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, Villigen, Switzerland, Microelectronic Engineering (2002), pp. 61-62, 423-428].
퀴(Qi) 등은 니켈을 기본으로 하는 성형 다이로부터의 폴리메틸-메타크릴레이트의 고온 엠보싱에 대해 기재하였다[문헌 참조; Qi, Shize; Liu, Xuezhu; Ford, Sean; Barrows, James; Thomas, Gloria; Kelly, Kevin; McCandless, Andrew; Lian, Kun; Goettert, Jost; Soper, Steven A., Department of Chemistry, Louisiana State University, Baton Rouge, LA, USA., Lab on a Chip (2002), pp. 2(2), 88-95].
유사하게도, 히라이(Hirai) 등은 실리콘 칩 위의 PMMA 박층에 미세한 회절 광학 패턴을 전사하기 위한 실리콘 금형의 용도에 대해 기재하였다[문헌 참조; Hirai, Yoshihiko; Okano, Masato; Okuno, Takayuki; Toyota, Hiroshi; Yotsuya, Tsutomu; Kikuta, Hisao; Tanaka, Yoshio. Mechanical Systems Engineering, Graduate School of Osaka Prefecture University, Japan, Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering (2001), 4440 (Lithographic and Micromachining Techniques for Optical Component Fabrication), pp. 228-237].
본 발명은, 마스터 금형에 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판을 적층시켜, 피쳐를 함유하는 마스터 금형의 표면이 실리콘 수지 기판과 마주보도록 하는 단계(i), 실리콘 수지의 Tg보다 약간 높지만 마스터 금형의 연화점보다는 낮은 온도에서 단계(i)의 생성물을 프레스 속에서 가압하는 단계(ii), 단계(ii)의 생성물을 냉각시키고 금형에 대한 압력을 유지하는 단계(iii) 및 기판을 박리시켜 실리콘 수지 기판 위에 피쳐를 임프린트하는 단계(iv)를 포함하여, 마스터 금형으로부터 기판에 패턴을 임프린트하기 위해 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판을 엠보싱하는 방법에 관한 것이다.
기판은 필름, 플라크 또는 피막 형태일 수 있다. 강화된 실리콘 수지 열경화성 기판은 실온 초과 내지 100℃를 약간 초과하는 온도, 전형적으로는 50 내지 120℃의 중간 정도의 유리전이온도를 갖는다.
당해 방법은 마스터 금형과 강화된 실리콘 수지 기판을 함께 소정의 시간 동안 압축시키면서 시스템을 실리콘 수지의 유리전이온도보다 약간 높은 온도에서 가열하고, 이어서 압력을 유지하면서 시스템을 다시 실온으로 되도록 한 다음 탈형시킴을 포함한다. 고온 엠보싱 공정에 소요되는 통상적인 시간은 5분 내지 수 시간, 보다 전형적으로는 1 내지 3시간이다. 적용되는 압력은 광범위하게 다양할 수 있지만, 전형적으로는 1메트릭톤(metric ton)(=9806.65N) 이상이다.
적층 순서는 중요하지 않지만, 마스터 금형 상의 피쳐가 실리콘 수지 기판과 마주보도록 배향되어야 한다. 이러한 기법에 의해 금형 피쳐의 탁월한 복제 정확성(replication fidelity)이 수득된다. 피쳐는 기판 온도가 이의 유리전이온도 이하인 한 실리콘 수지 기판 상에서 변하지 않는다.
유리전이온도가 실온보다 적당히 높고 파단신도가 비교적 큰 강화된 열경화성 실리콘 수지가 기판으로서 사용된다. 마스터 금형은 통상적으로 금속이지만, 실리콘 수지의 Tg보다 실질적으로 높은 연화점을 갖는 어떠한 재료로도 이루어질 수 있다. 마스터 금형으로는 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드, 실리콘 니트라이드, 알루미늄, 스테인리스 강, 니켈 및 금속 산화물이 예시된다.
강화된 실리콘 열경화성 수지의 전형적인 유리전이온도는 조성, (부가 경화 수지에 적용 가능한) 제형에 사용되는 가교결합제의 유형 및 구조에 따라, 통상적으로 실온 내지 100℃보다 약간 높은 범위이다. 본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 강화된 실리콘 수지 기판으로는, 오가노트리알콕시실란 또는 오가노트리할로실란(i), 및 트리오가노모노알콕시실란, 트리오가노모노할로실란, 디실록산 및 디실라잔으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일관능성 실란(ii)을 포함하는 가수분해 전구체의 가수분해물인 성분(A)와 화학식 
의 실릴-말단화된 탄화수소(여기서, R1은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, 알콕시 그룹, 옥시모 그룹, 알킬옥시모 그룹, 아릴옥시모 그룹, 알킬카복실 그룹 및 아릴카복실 그룹으로부터 선택되고, R2는 각각 독립적으로 알킬 및 아릴 그룹으로부터 선택되며, R4는 2가 탄화수소 그룹이다)인 성분(B)를 포함하는 배합물을 공중합시키는 단계(1)를 포함하는 방법으로 수득한 경화성 실세스퀴옥산 수지 조성물을 기재하고 있는 미국 특허 제6,368,535호에 기재된 바와 같은 부가 경화된 실리콘 수지가 예시된다. 가수분해 전구체는 디오가노디할로실란 및 디오가노디알콕시실란으로부터 선택된 이관능성 실란(iii)을 추가로 포함할 수 있다.
가수분해 전구체는 디오가노디할로실란 및 디오가노디알콕시실란으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이관능성 실란(iii)을 추가로 포함할 수 있다. 전형적으로, 성분(i)은 메틸트리클로로실란, 페닐트리클로로실란 및 이들의 배합물로부터 선택된 오가노트리할로실란이다.
'535 특허에서 성분(B)에 적합한 화합물로는 
, 
및 
가 예시되며, 여기서 R1은 앞에서 정의한 바와 같고, x는 1 내지 6, 바람직하게는 1 내지 4이다.
'535 특허에서 성분(B)로서 사용하기에 적합한 화합물로는 아래에 기재된 화합물이 추가로 예시된다. 이들 화합물은 당해 기술분야에 공지되어 있으며, 시판중이다. 예를 들면, 아래에 기재된 p-비스(하이드록시디메틸실릴)벤젠은 펜실베니아주 툴리타운에 소재하는 겔레스트 인코포레이티드(Gelest, Inc.)로부터 입수할 수 있으며, p-비스(클로로디메틸실릴에틸)벤젠은 유나이티드 케미칼 테크놀러지스 인코포레이티드(United Chemical Technologies, Inc.)로부터 입수할 수 있다.
p-비스(하이드록시디메틸실릴)벤젠
p-비스(클로로디메틸실릴에틸)벤젠
성분(A)는 테트라에톡시실란, 메틸트리아세톡시실란, 메틸트리옥시모실란 및 테트라옥시모실란으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 가교결합제(C)를 추가로 포함할 수 있다.
배합물은 IVB족 금속의 금속 에스테르 및 IVB족 금속의 알콕사이드로부터 전형적으로 선택되는 약한 축합 촉매(D)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 방법은 경화성 실세스퀴옥산 수지 조성물을 경화성 조성물을 경화시키기에 충분한 시간 및 온도로 가열하여 경화된 실세스퀴옥산 수지를 형성하는 단계(2)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 방법은 또한 단계(2) 이전에 경화성 실세스퀴옥산 수지 조성물에 강한 축합 반응 촉매를 첨가함을 추가로 포함할 수 있다. 강한 축합 촉매는 전형적으로 아연 옥토에이트, 콜린 옥토에이트, 황산, 인산, 수산화칼륨, 수산화세슘, 금속 실란올레이트 및 생석회(calcined lime)로부터 선택된다. 조성물 중의 강한 축합 촉매의 양은 전형적으로 0 내지 2중량%, 바람직하게는 0.05 내지 0.4중량%이다.
상기 방법은 화학식 (R5 (3-p)R1 pSiO1/2)(R5 2SiO2/2)z((R5 (2-q)R1 qSiO2/2)(R5 2SiO2/2)z)y(R5 (3-p)R1 pSiO1/2)의 제1 실리콘 고무(E)(여기서, R1은 각각 앞에서 정의한 바와 같고, R5는 각각 독립적으로 비관능성 R2 그룹으로부터 선택되며, p는 1, 2 또는 3이고, q는 1 또는 2이며, z는 6 이상의 정수이고, y는 0 또는 10 이하의 정수이다), 화학식 R5 2R2SiO(R5 2SiO)m(R5R2SiO)nSiR2R5 2의 제2 실리콘 고무(F)(여기서, R2는 앞에서 정의한 R1 또는 R2이고, R5는 각각 앞에서 정의한 바와 같으며, 단, 분자당 2개 이상의 R2 그룹이 R1이어야 하고, m은 150 내지 1,000이며, n은 0 내지 10이다) 및 용매(G)로부터 선택된 하나 이상의 성분을 첨가함(여기서, 성분(E), 성분(F) 및 성분(G) 중의 하나 이상은 단계(1) 이후 및 단계(2) 이전에 경화성 실세스퀴옥산 수지 조성물에 첨가된다)을 추가로 포함할 수 있다.
성분(E)는 제1 임의 실리콘 고무이다. 경화성 조성물 중의 성분(E)의 양은 0 내지 30중량%, 바람직하게는 5 내지 20중량%이다. 성분(E)를 위한 적합한 실리콘 고무 및 이를 경화성 조성물에 혼입시키는 방법은 미국 특허 제5,747,608호 및 제5,830,950호에 기재되어 있다. 실리콘 고무는 화학식 (R5 (3-p)R1 pSiO1/2)(R5 2SiO2/2)z((R5 (2-q)R1 qSiO2/2)(R5 2SiO2/2)z)y(R5 (3-p)R1 pSiO1/2)로 나타내어지며, 여기서, R1은 각각 앞에서 정의한 바와 같고, p는 1, 2 또는 3이며, q는 1 또는 2이고, z는 6 이상의 정수이고, y는 0 또는 10 이하의 정수이다. 성분(E)에서 R5 그룹 은 각각 독립적으로 앞서 정의한 R2에 대한 비관능 그룹으로부터 선택된다. 각각의 R1은 앞에서 논의한 바와 같이, 경화 반응에 관여하여 본 발명의 경화된 실세스퀴옥산을 형성하는 관능 그룹이다.
상기 화학식에서, z는 실리콘 고무의 평균 비관능성 직쇄 길이, 즉 R1 그룹간의 평균 쇄 길이를 나타낸다. 따라서, 성분(E)는 중합도가 다양한 실리콘 고무의 혼합물일 수 있으며, 이들은 모두 상기 화학식으로 나타내어진다. 본 발명과 관련하여 사용되는 대부분의 실리콘 고무는 쇄의 말단 그룹에만 반응 그룹을 갖는다. 이 경우, 본원에서 사용되는 "중합도(DP)"라는 용어는 z 값과 동일하다. DP는 말단 관능성 실록시 그룹 R1을 포함하지 않는다.
본 발명의 바람직한 양태에서, R5 그룹은 메틸 그룹, 페닐 그룹 또는 이들의 조합이다. 성분(A)인 실세스퀴옥산 전구체의 R2 그룹과 성분(E)인 제1 실리콘 고무의 R5 그룹 중의 높은 비율이 주로 메틸 또는 주로 페닐인 경우, 실세스퀴옥산 전구체(A)와 제1 실리콘 고무(E)는 일반적으로 상용성이며, 이로써 고무는 경화된 실세스퀴옥산 수지 구조물 전반에 걸쳐 비교적 균일한 방식으로 분산될 수 있다.
성분(F)는 제2 임의 실리콘 고무이다. 이러한 임의의 실리콘 고무는 화학식 R5 2R2SiO(R5 2SiO)m(R5R2SiO)nSiR2R5 2의 폴리디오가노실록산이며, 여기서, R2 및 R5는 각각 앞에서 정의한 바와 같고, 단, 분자당 2개 이상의 R2 그룹이 R1이어야 하며, m은 150 내지 1,000, 바람직하게는 246 내지 586이고, n은 1 내지 10이다. 경화성 조성물 중의 성분(F)의 양은 일반적으로 0 내지 15중량%, 바람직하게는 2 내지 8중량%이다.
전형적으로, 성분(G)인 용매의 양은 조성물의 0 내지 90중량%, 바람직하게는 0 내지 50중량%이다. 적합한 용매(G)에는 알콜, 예를 들면, 메틸, 에틸, 이소프로필 및 t-부틸 알콜; 방향족 탄화수소, 예를 들면, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌; 지방족 탄화수소, 예를 들면, 헵탄, 헥산 및 옥탄; 글리콜 에테르, 예를 들면, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르 및 에틸렌 글리콜 n-부틸 에테르; 및 할로겐화 탄화수소, 예를 들면, 1,1,1-트리클로로에탄 및 메틸렌 클로라이드가 포함된다. 톨루엔 및 이소프로필 알콜이 바람직하다.
또한, 본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 강화된 실리콘 수지 기판으로는 화학식 R1 aR2 bR3 cSiO(4-a-b-c)/2의 단위를 포함하는 실세스퀴옥산 공중합체(A')(여기서, a는 0 또는 양수이고, b는 0 또는 양수이며, c는 0 또는 양수이고, 단, 0.8 ≤(a+b+c) ≤3.0이며, 성분(A')는 분자당 평균 두 개 이상의 R1 그룹을 갖고, R1은 각각 수소원자 및 지방족 불포화를 갖는 1가 탄화수소 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택된 관능 그룹이며, R2는 각각 비관능 그룹 및 R1로부터 선택된 1가 탄화수소 그룹이고, R3은 각각 비관능 그룹 및 R1로부터 선택된 1가 탄화수소 그룹이다), 화학식 
의 실릴-말단화된 탄화수소(B')(여기서, R1 및 R2는 성분(A')에 대해 앞에서 정의한 바와 같고, 단, 성분(A') 중의 R1이 수소원자인 경우, 성분(B') 중의 R1은 불포화 1가 탄화수소 그룹이고, 성분(A') 중의 R1이 불포화 1가 탄화수소 그룹인 경우, 성분(B') 중의 R1은 수소원자이며, R4는 2가 탄화수소 그룹이다) 및 하이드로실릴화 반응 촉매(C')를 포함하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물을 기재하고 있는 미국 특허 제6,310,146호에 기재된 부가 경화된 실리콘 수지가 예시된다.
조성물은 하이드로실릴화 반응 촉매 억제제(D'), 화학식 (R5 (3-p)R1 pSiO1/2)(R5 2SiO2/2)z((R5 (2-q)R1 qSiO2/2)(R5 2SiO2/2)z)y(R5 (3-p)R1 pSiO1/2)의 제1 실리콘 고무(E')(여기서, R1은 각각 앞에서 정의한 바와 같고, R5는 각각 독립적으로 R2에 대한 비관능 그룹으로부터 선택되며, p는 1, 2 또는 3이고, q는 1 또는 2이며, z는 6 이상의 정수이고, y는 0 또는 10 이하의 정수이다), 화학식 R5 2R6SiO(R5 2SiO)m(R5R6SiO)nSiR6R5 2의 제2 실리콘 고무(F')(여기서, R5는 각각 앞에서 정의한 바와 같고, R6은 각각 R1 또는 R5로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 단, 분자당 2개 이상의 R6 그룹이 R1이어야 하고, m은 150 내지 1,000이며, n은 1 내지 10이다) 0 내지 15중량% 및 용매(G')로부터 선택된 하나 이상의 성분을 추가로 포함할 수 있다.
성분(A')와 성분(B')는 전형적으로, 성분(A')와 성분(B') 중의 규소 결합 수소원자(SiH) 및 불포화 탄화수소 그룹(C=C)이 1.0:1.0 내지 1.5:1.0, 보다 전형적으로는 1.1:1.0 내지 1.5:1.0의 몰 비(SiH:C=C)로 경화성 조성물에 존재하도록 하는 양으로 경화성 조성물에 첨가된다. 조성물 중의 성분(A')와 성분(B')의 양은 분자당 C=C 및 Si-H 그룹의 수에 따라 좌우될 것이다. 그러나, 성분(A')의 양은 전형적으로 조성물의 50 내지 98중량%이고, 성분(B')의 양은 전형적으로 조성물의 2 내지 50중량%이다. 전형적으로, R1은 알케닐 그룹, 예를 들면, 비닐 또는 알릴이다. 전형적으로, R2 및 R3은 알킬 및 아릴 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 비관능 그룹이다. 적합한 알킬 그룹에는 메틸, 에틸, 이소프로필, n-부틸 및 이소부틸이 포함된다. 적합한 아릴 그룹으로는 페닐이 예시된다. 성분(A')에 적합한 실세스퀴옥산 공중합체에는 (PhSiO3/2)0.75(ViMe2SiO1/2)0.25(여기서, Ph는 페닐 그룹이고, Vi는 비닐 그룹이며, Me는 메틸 그룹이다)가 예시된다.
성분(B')는 전형적으로 화학식 
, 
및 
의 화합물(여기서, R1은 앞에서 정의한 바와 같고, x는 1 내지 6의 정수이다)로부터 선택된다. 성분(B')에 사용되는 가장 통상적인 화합물은 p-비스(디메틸실릴)벤젠이다.
전형적으로, 성분(C')는 백금 촉매이며, 전형적으로 경화성 조성물의 중량에 대해 백금 1 내지 10ppm을 제공하기에 충분한 양으로 경화성 조성물에 첨가된다. 성분(C')는 염화백금산, 염화백금산의 알콜 용액, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금(II), 염화백금, 산화백금, 백금 화합물과 불포화 유기 화합물(예: 올레핀)과의 착물, 백금 화합물과 불포화 탄화수소 그룹 함유 오가노실록산과의 착물, 예를 들면, 카르스테트 촉매(Karstedt's catalyst)(즉, 염화백금산과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착물) 및 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 및 백금 화합물과 오가노실록산과의 착물(여기서, 착물은 오가노실록산 수지에 매봉되어 있다)과 같은 백금 촉매에 의해 예시된다. 적합한 하이드로실릴화 반응 촉매가 미국 특허 제3,419,593호에 기재되어 있다.
성분(D')는 통상적으로 원파트 조성물이 제조되는 경우에 첨가되는 임의의 촉매 억제제이다. 적합한 억제제가 미국 특허 제3,445,420호에 기재되어 있다. 성분(D')는 바람직하게는 아세틸렌계 알콜, 예를 들면, 메틸부틴올 또는 에티닐 사이클로헥산올이다. 성분(D')는 보다 바람직하게는 에티닐 사이클로헥산올이다. 억제제의 또 다른 예로는 디에틸 말레에이트, 디에틸 푸마레이트, 비스(2-메톡시- 1-메틸에틸)말레에이트, 1-에티닐-1-사이클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 2-페닐-3-부틴-2-올, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, 에틸렌디아민, 디페닐포스핀, 디페닐포스파이트, 트리옥틸포스핀, 디에틸페닐포스포나이트 및 메틸디페닐포스피나이트가 포함된다.
성분(D')는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물의 0 내지 0.05중량%로 존재한다. 성분(D')는 전형적으로 경화성 조성물의 0.0001 내지 0.05중량%를 나타낸다. 성분(D')는 바람직하게는 경화성 조성물의 총량의 0.0005 내지 0.01중량%를 나타낸다. 성분(D')는 보다 바람직하게는 경화성 조성물의 총량의 0.001 내지 0.004중량%를 나타낸다.
성분(E')는 임의의 실리콘 고무이다. 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물 중의 성분(E')의 양은 0 내지 30중량%, 바람직하게는 5 내지 20중량%이다. 성분(E')에 적합한 실리콘 고무 및 이를 경화성 조성물에 혼입하는 방법은 미국 특허 제5,747,608호 및 제5,830,950호에 기재되어 있다. 실리콘 고무의 화학식은 (R5 (3-p)R1 pSiO1/2)(R5 2SiO2/2)z((R5 (2-q)R1 qSiO2/2)(R5 2SiO2/2)z)y(R5 (3-p)R1 pSiO1/2)이며, 여기서, R1은 각각 앞에서 정의한 바와 같고, p는 1, 2 또는 3이며, q는 1 또는 2이고, z는 6 이상의 정수이며, y는 0 또는 10 이하의 정수이다. R1은 각각, 앞에서 논의한 바와 같이, 본 발명의 경화된 실세스퀴옥산을 형성하기 위한 경화 반응에 관여하는 관능 그룹이다. 성분(E')에서 R5는 각각 독립적으로 앞서 기재한 R2에 대한 비관능 그룹으로부터 선택된다.
상기 화학식에서, z는 실리콘 고무의 평균 비관능성 직쇄 길이, 즉 R1 그룹간의 평균 쇄 길이를 나타낸다. 따라서, 성분(E')는 중합도가 다양한 실리콘 고무의 혼합물일 수 있으며, 이들은 모두 상기 화학식으로 나타내어진다. 사용되는 대부분의 실리콘 고무는 쇄의 말단 그룹에만 R1 그룹을 갖는다. 이 경우, 본원에서 사용되는 "중합도(DP)"라는 용어는 z 값과 동일하다. DP는 말단 관능성 실록시 그룹을 포함하지 않는다.
바람직한 양태에서, R5 그룹은 메틸 그룹, 페닐 그룹 또는 이들의 조합이다. 성분(A')인 실세스퀴옥산 공중합체의 R2 그룹과 성분(E')인 제1 실리콘 고무의 R5 그룹 중의 높은 비율이 주로 메틸 또는 주로 페닐인 경우, 실세스퀴옥산 공중합체(A')와 제1 실리콘 고무(E')는 일반적으로 상용성이며, 이로써 고무는 경화된 실세스퀴옥산 수지 구조물 전반에 걸쳐 비교적 균일한 방식으로 분산될 수 있다.
성분(F')인 제2 임의 실리콘 고무는 화학식 R5 2R6SiO(R5 2SiO)m(R5R6SiO)nSiR6R5 2의 폴리디오가노실록산이며, 여기서, R5는 각각 앞에서 기재한 바와 같고, R6은 각각 R1 및 R5로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 단, 분자당 2개 이상의 R6 그룹이 R1이어야 하고, m은 150 내지 1,000, 바람직하게는 246 내지 586이며, n은 1 내지 10이다. 경화성 조성물 중의 성분(F')의 양은 일반적으로 0 내지 15중량%, 바람직하게는 2 내지 8중량%이다.
성분(A'), 성분(B'), 성분(C') 및 임의 성분을 포함하는 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물을 성분(G')인 임의의 용매에 용해시킬 수 있다. 전형적으로, 용매의 양은 경화성 조성물의 0 내지 90중량%, 바람직하게는 0 내지 50중량%이다. 용매는 알콜, 예를 들면, 메틸, 에틸, 이소프로필 및 t-부틸 알콜; 케톤, 예를 들면, 아세톤, 메틸 에틸 케톤 및 메틸 이소부틸 케톤; 방향족 탄화수소, 예를 들면, 벤젠, 톨루엔 및 크실렌; 지방족 탄화수소, 예를 들면, 헵탄, 헥산 및 옥탄; 글리콜 에테르, 예를 들면, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르 및 에틸렌 글리콜 n-부틸 에테르; 할로겐화 탄화수소, 예를 들면, 디클로로메탄, 1,1,1-트리클로로에탄 및 메틸렌 클로라이드; 클로로포름; 디메틸 설폭사이드; 디메틸 포름아미드; 아세토니트릴 및 테트라하이드로푸란일 수 있다. 톨루엔이 바람직하다.
상기한 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물은 성분(A') 내지 성분(C') 및 상기한 임의 성분을 포함하는 조성물을 혼합함을 포함하는 방법으로 제조된다. 혼합은 어떠한 적합한 수단으로도 수행할 수 있다. 경화성 조성물은 원파트 조성물 또는 멀티파트 조성물, 예를 들면, 투파트 조성물로서 제조될 수 있다.
경화성 조성물이 원파트 조성물로서 제형화되는 경우, 원파트 조성물의 제조방법은 일반적으로, 촉매(C')와 억제제(D')를 예비혼합하여 착물을 형성하는 단계(I) 및 착물을 성분(A'), 성분(B') 및 목적하는 임의 성분(E') 내지 성분(G')와 혼합하는 단계(II)를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에서, 원파트 조성물은 촉매(C')와 억제제(D')를 예비혼합하여 착물을 형성하는 단계(i), 성분(A'), 성분(B'), 성분(E'), 성분(F') 및 성분(G')를 혼합하는 단계(ii), 단계(ii)의 생성물로부터 용매(G')를 제거하여 유동성 저점도 조성물을 형성하는 단계(iii) 및 착물을 단계(iii)의 생성물과 혼합하는 단계(iv)에 의해 제조할 수 있다.
투파트 조성물은 성분(A')를 포함하는 제1 파트를 제조하는 단계(1) 및 성분(B)를 포함하는 제2 파트를 제조하는 단계(2)(여기서, 성분(C')를 제1 파트 또는 제2 파트와 혼합하고, 이어서 제1 파트와 제2 파트를 따로 보관한다)에 의해 제조할 수 있다. 제1 파트와 제2 파트는 사용 직전에 혼합한다.
바람직하게는, 투파트 조성물은 성분(A'), 성분(E'), 성분(F') 및 성분(G')를 혼합하여 제1 파트를 형성하는 단계(1') 및 성분(C')를 제1 파트 및 성분(B')를 포함하는 제2 파트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 파트와 혼합하는 단계(2')에 의해 제조한다. 이후, 제1 파트와 제2 파트를 따로 보관하였다가 사용 직전에 혼합한다.
상기한 각각의 방법은 경화 전에 조성물을 탈기시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 탈기는 전형적으로 조성물에 온화한 진공을 가하여 실시한다.
경화된 실세스퀴옥산 수지는 상기한 하이드로실릴화 반응 경화성 조성물을 이를 경화시키기에 충분한 시간 및 온도에서 가열함을 포함하는 방법으로 제조한다. 경화성 조성물을 경화시키기 전에 탈기시킬 수 있으며, 경화시키기 전 또는 경화시키는 동안 용매를 제거할 수 있다. 용매는 경화성 조성물을 온화한 열 또는 진공에 노출시키는 것과 같은 통상의 방법으로 제거할 수 있다.
본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 강화된 실리콘 수지 기판이, 분자당 두 개 이상의 불포화 지방족 탄화수소 라디칼을 갖는 평균 화학식 R1 aSiO(4-a)/2의 실리콘 수지(A")(여기서, R1은 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 라디칼이고, a는 0 내지 2의 정수(서로 배타적으로)이다)와 분자당 두 개 이상의 규소 결합 수소원자를 갖는 유기 규소 화합물(B")을 백금 촉매(C")의 존재하에 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 수지를 포함하는 폴리실록산 필름을 기재하고 있는 PCT 특허공보 제JP03/07154호에 또한 열거되어 있다. 성분(A")는 전형적으로 (R1 3SiO1/2)a(i), (R2 2SiO2/2)b(ii), (R3SiO3/2)c(iii) 및 (SiO4/2)d(iv) 단위(여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 라디칼 및 불포화 지방족 탄화수소 라디칼로부터 선택되고, R3은 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이며, a는 0 이상의 값이고, b는 0 이상의 값이며, c는 0 이상의 값이고, d는 0 이상의 값이며, 단, c+d의 값은 0 초과이고, a+b+c+d의 값은 1이다)를 포함하는 실리콘 수지이며, 실리콘 수지에는 두 개 이상의 규소 결합 불포화 지방족 탄화수소 원자가 존재한다. 성분(A")에는 화학식 (ViMe2SiO1/2)0.25 및 (PhSiO3/2)0.75 단위(여기서, Vi는 비닐 그룹이고, Ph는 페닐 그룹이며, Me는 메틸 그룹이다)를 포함하는 실리콘 수지가 예시된다.
성분(B")에는 p-비스(디메틸실릴)벤젠이 예시된다. 전형적으로, 성분(C")는 백금 촉매이며, 전형적으로 경화성 조성물의 중량에 대해 백금 1 내지 10ppm을 제공하기에 충분한 양으로 경화성 조성물에 첨가된다. 성분(C")는 염화백금산, 염화백금산의 알콜 용액, 디클로로비스(트리페닐포스핀)백금(II), 염화백금, 산화백금, 백금 화합물과 불포화 유기 화합물(예: 올레핀)과의 착물, 백금 화합물과 불포화 탄화수소 그룹 함유 오가노실록산과의 착물, 예를 들면, 카르스테트 촉매(즉, 염화백금산과 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산과의 착물) 및 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 및 백금 화합물과 오가노실록산과의 착물(여기서, 착물은 오가노실록산 수지에 매봉되어 있다)과 같은 백금 촉매에 의해 예시된다. 적합한 하이드로실릴화 반응 촉매가 미국 특허 제3,419,593호에 기재되어 있다.
본 발명은 기판을 프리스탠딩 필름 또는 증점제 플라크로서 엠보싱하는 것에 대해 다루고 있다. 이러한 기판은 표면이 매우 매끄러운 추가의 이점을 가지며(이들은 자가 평탄화된다), 이는 매우 높은 정확성을 갖는 패턴의 전사를 크게 개선시킨다. 강화된 실리콘 수지 필름에서는 10Å(AFM에 의한 RMS 값) 정도로 낮은 표면 평균 조도가 용이하게 관찰된다. PET 또는 폴리카보네이트의 프리스탠딩 필름 또는 플라크와 같은 통상의 유기 열가소성 기판은 매우 거친 표면을 나타낸다(전형적인 RMS 값이 수십 Å이다).
널리 행해지는 엠보싱 방법에서는, 패턴 전사 후 마스터 금형으로부터의 기판의 분리를 촉진시키기 위해, 기판 또는 보다 통상적으로는 마스터 금형을 이형제로 표면처리하는 것이 필수적이다. 가장 통상적인 이형제는 실리콘 중합체 또는 플루오로실리콘을 포함한 플루오로-중합체이다. 이러한 박리 피막의 부재시, 탈형 동안 마스터와 중합체성 기판 간의 접착력에 의해 유도된 복제 패턴의 비틀림(변형)으로 인해 고온 엠보싱이 성공적이지 못하다.
경화된 실리콘 수지 열경화성 기판은 마이크로미터 및 나노미터 도메인에서 높은 복제 정확성을 촉진시키는 매우 매끄러운 표면을 제공하고 탈형을 위해 이형제를 필요로 하지 않음으로써 고온 엠보싱 리소그래피 측면에서 유기 열가소성 수지를 능가하는 이점을 제공한다.
도면
도 1은 US 25센트 동전(우측) 및 실시예 1(좌측)의 엠보싱된 실리콘 수지 필름의 광학 이미지(10배 확배)이다. 비교를 위해, 엠보싱된 이미지는 좌우로 회전시켰다(우측 상단 모서리의 100nm가 뒤집어져 있음을 참조).
도 2는 패턴 웨이퍼(우측) 및 실시예 1(좌측)의 엠보싱된 실리콘 수지 필름의 광학 이미지이다.
실시예
실시예 1
교반기, 첨가 펀넬, 온도계 및 딘 스타크 트랩이 장착된 3구 환저 플라스크에 (ViMe2Si)2O 17g, PhSi(OMe)3 107g, H2O 1g 및 트리플루오로메탄 설폰산 0.1g을 충전하였다. 혼합물을 60℃에서 2시간 동안 가열하였다. 추가 H2O 22.2g과 톨루엔 27.2g을 가하고, 혼합물을 50℃에서 2시간 동안 교반하였다. 그후, 온도를 승온시켜 양호하게 환류시키며, 응축기 바닥으로부터 메탄올을 제거하였다. 온도가 80℃에 도달하면, 플라스크를 40℃로 냉각시켰다. CaCO3 0.23g을 가하여, 24시간 동안 가열하지 않고 교반하였다. 이후, 톨루엔 18g과 KOH 0.1g을 가하였다. 온도를 환류되도록 승온시키고, 물이 더이상 유출되지 않을 때까지 응축기 바닥으로부터 응축수를 제거하였다. 덩어리진 수지를 실온으로 냉각시키고, ViMe2SiCl 0.18g을 교반 첨가하였다. 수지 용액을 최종으로 여과하고 추가의 톨루엔을 가하여 고체 함량을 75중량%로 조절하였다. 수득된 생성물은 (PhSiO3/2)0.75와 (ViMe2SiO1/2)0.25 단위를 포함하는 실리콘 수지였다.
가열 맨틀로 가열하고 무수 질소로 퍼징시킨, 교반기, 응축기, 2개의 첨가 펀넬 및 온도계가 장착된 5L 3구 환저 플라스크에 Mg 84g과 THF 406g을 충전하였다. BrCH2CH2Br 10g을 가하여 Mg를 활성화시켰다. 첨가 펀넬 중의 하나에, THF 526g 중의 디브로모벤젠 270g의 용액을 가하고, 다른 첨가 펀넬에는 THF 400g을 가하였다. 플라스크를 50 내지 60℃로 가열한 다음, THF 200ml를 가하고, 디브로모벤젠 용액을 서서히 첨가하였다. 이 단계에서 양호하게 환류를 유지시켰다. 이 단계 후, THF 500ml를 가하고 플라스크를 65℃에서 5시간 동안 가열한 다음, 플라스크를 냉각시키고, 추가의 THF 500ml를 가하고, 플라스크를 빙수욕으로 냉각시키면서 디메틸클로로실란 440g을 서서히 가하였다. 환류가 양호하게 유지되도록 클로로실란의 첨가를 조절하였다. 클로로실란을 첨가한 후, 플라스크를 60℃에서 밤새 가열하였다. 이어서, 플라스크를 실온으로 냉각시키고, 톨루엔 1000ml를 가하였다. 포화 NH4Cl 수용액을 서서히 가하여 과량의 클로로실란을 가수분해 및 축합시키고, 이어서 혼합물을 투명한 하부 상이 수득될 때까지 과량의 물로 세척하였다. 상부 유기 상을 수집하고, 황산마그네슘으로 건조시키며, 플라스크의 온도가 150℃에 도달할 때까지, 용매의 대부분을 증류에 의해 제거하였다. 농축된 조 생성물을 진공 증류에 의해 추가로 정제하였다. 생성물의 GC 순도는 97%였으며, 구조를 명확하게 하기 위해 FT-IR, 29Si, 13C 및 1H NMR을 사용하였다. 수득된 생성물은 1,4-HMe2Si-Ph-SiMe2H의 구조를 갖는 화합물(p-비스(디메틸실릴)벤젠)이었다.
(PhSiO3/2)0.75와 (ViMe2SiO1/2)0.25 단위를 포함하는 실리콘 수지와 1,4-HMe2Si-Ph-SiMe2H를 SiH/SiVi 비가 1.1/1로 되도록 혼합하여 실리콘 수지 열경화성 기판을 제조하고, 10mmHg의 진공하에 80℃에서 가열하여 용매 톨루엔을 제거하였다. 혼합물 중의 잔류 톨루엔은 1중량% 미만이었다. 이어서, 이들 혼합물을 폴리에틸렌 시트로 캐스팅하여 150℃에서 2시간 동안 경화시켰다. 혼합물을 Pt 5ppm으로 촉매하였다. 경화된 필름을 온수 속에서 PE 기판으로부터 박리하여 냉각시켰다. 동력학적 분석에 따르면, 필름의 Tg는 시험 조건에 따라 75 내지 90℃이다.
경화된 필름을 평편하고 평활한 스테인리스 강 플레이트에 배치하고, US 25센트 동전을 필름 상부에 배치하였다. 플레이트, 필름 및 동전을 80℃의 온도에서 핫 프레스에 두고, 2메트릭톤의 힘을 120분 동안 적용하였다. 이어서, 적층물을 가압하에 프레스에서 냉각시켰다. 도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 냉각 후, 수지 필름은 동전에 의해 명확히 엠보싱되었다.
실시예 2
100mm ×80mm 치수로 절단한 실시예 1의 경화된 실록산 필름을 직경이 2inch인 패턴화된 실리콘 웨이퍼에 위치시킨 다음 두 개의 스테인리스 강 플레이트(230mm ×230mm) 사이에 샌드위칭시켰다. 시스템을 5메트릭톤의 일정한 힘 하에 100℃에서 2시간 동안 가열된 핫 프레스에 위치시켰다. 동력학적 분석에 따르면, 필름의 Tg는 시험 조건에 따라 80 내지 95℃이다. 따라서, 필름은 엠보싱 동안 이의 Tg를 초과하였다. 시스템을 가압하에 냉각시켰다. 광학 현미경으로 관찰한 결과, 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼 패턴이 실리콘 수지 필름으로 엠보싱된 것으로 나타났다.
Claims (10)
- (i) 마스터 금형에 유리전이온도(Tg)가 50 내지 120℃인 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판을 적층시켜, 피쳐(feature)를 함유하는 마스터 금형의 표면이 실리콘 수지 기판과 마주보도록 하는 단계,(ii) 실리콘 수지의 유리전이온도(Tg)보다 약간 높지만 마스터 금형의 연화점보다는 낮은 온도에서 단계(i)의 생성물에 프레스 속에서 9806.65N 이상의 압력을 가하는 단계,(iii) 단계(ii)의 생성물을 냉각시키고 금형에 대한 압력을 유지하는 단계 및(iv) 기판을 박리시켜 실리콘 수지 기판 위에 피쳐를 임프린트하는 단계를 포함하여, 마스터 금형으로부터 기판에 패턴을 임프린트하기 위해 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판을 엠보싱하는 방법.
- 제1항에 있어서, 기판이 필름, 플라크 또는 피막 형태인 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 마스터 금형이 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드, 실리콘 니트라이드, 알루미늄, 스테인리스 강, 니켈 및 금속 산화물로부터 선택되는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판이, 오가노트리알콕시실란 또는 오가노트리할로실란(i), 및 트리오가노모노알콕시실란, 트리오가노모노할로실란, 디실록산 및 디실라잔으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일관능성 실란(ii)을 포함하는 가수분해 전구체의 가수분해물인 성분(A)와 화학식의 실릴-말단화된 탄화수소(여기서, R1은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 하이드록실 그룹, 알콕시 그룹, 옥시모 그룹, 알킬옥시모 그룹, 아릴옥시모 그룹, 알킬카복실 그룹 및 아릴카복실 그룹으로부터 선택되고, R2는 각각 독립적으로 알킬 및 아릴 그룹으로부터 선택되며, R4는 2가 탄화수소 그룹이다)인 성분(B)를 포함하는 배합물을 공중합시키는 단계(1)를 포함하는 방법으로 수득한 조성물인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판이, (A') 화학식 R1 aR2 bR3 cSiO(4-a-b-c)/2의 단위를 포함하는 실세스퀴옥산 공중합체(여기서, a는 0 또는 양수이고, b는 0 또는 양수이며, c는 0 또는 양수이고, 단, 0.8 ≤(a+b+c) ≤3.0이며, 성분(A')는 분자당 평균 두 개 이상의 R1 그룹을 갖고, R1은 각각 수소원자 및 지방족 불포화를 갖는 1가 탄화수소 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 독립적으로 선택된 관능 그룹이며, R2는 각각 비관능 그룹 및 R1로부터 선택된 1가 탄화수소 그룹이고, R3은 각각 비관능 그룹 및 R1로부터 선택된 1가 탄화수소 그룹이다), (B') 화학식의 실릴-말단화된 탄화수소(여기서, R1 및 R2는 성분(A')에 대해 앞에서 정의한 바와 같고, 단, 성분(A') 중의 R1이 수소원자인 경우, 성분(B') 중의 R1은 불포화 1가 탄화수소 그룹이고, 성분(A') 중의 R1이 불포화 1가 탄화수소 그룹인 경우, 성분(B') 중의 R1은 수소원자이며, R4는 2가 탄화수소 그룹이다) 및 (C') 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함하는 조성물인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 경화된 실리콘 수지 열경화성 기판이,(A") 단위 (i) (R1 3SiO1/2)a, (ii) (R2 2SiO2/2)b, (iii) (R3SiO3/2)c 및 (iv) (SiO4/2)d를 포함하는 실리콘 수지(여기서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 1가 탄화수소 라디칼 및 불포화 지방족 탄화수소 라디칼로부터 선택되고, R3은 탄소수 1 내지 8의 알킬 그룹 또는 아릴 그룹이며, a는 0 이상의 값이고, b는 0 이상의 값이며, c는 0 이상의 값이고, d는 0 이상의 값이며, 단, c+d의 값은 0 초과이고, a+b+c+d의 값은 1이며, 실리콘 수지에는 두 개 이상의 규소 결합 불포화 지방족 탄화수소 원자가 존재한다)를 (C") 백금 촉매의 존재하에 (B") p-비스(디메틸실릴)벤젠과 반응시킴을 포함하는 방법으로 수득한 실리콘 수지를 포함하는 폴리실록산 필름인 방법.
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