KR20090074758A - 실리콘 수지 필름 및 이의 제조방법 - Google Patents

실리콘 수지 필름 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR20090074758A
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Abstract

본 발명은 제1 이형 라이너를 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물과 난연성 충전제를 포함하는 충전된 실리콘 조성물로 피복하는 단계, 상기 피복된 제1 이형 라이너에 제2 이형 라이너를 도포하여 어셈블리를 형성하는 단계, 상기 어셈블리를 압축시키는 단계, 및 상기 압축된 어셈블리의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하는 두께 1 내지 500㎛의 실리콘 수지 필름의 제조방법, 및 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
실리콘 수지, 유기규소 화합물, 하이드로실릴화 촉매

Description

실리콘 수지 필름 및 이의 제조방법{Silicone resin film and method of preparing same}
본 발명은 실리콘 수지 필름의 제조방법, 더욱 구체적으로는 제1 이형 라이너를, 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물과 난연성 충전제를 포함하는 충전된 실리콘 조성물로 피복하는 단계, 상기 피복된 제1 이형 라이너에 제2 이형 라이너를 도포하여 어셈블리를 형성하는 단계, 상기 어셈블리를 압축시키는 단계, 및 상기 압축된 어셈블리의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하는, 두께 1 내지 500㎛의 실리콘 수지 필름의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
실리콘 수지는 높은 열 안정성, 양호한 내습성, 우수한 가요성, 높은 내산소성, 낮은 유전 상수, 및 높은 투명성을 포함한 여러 가지 뛰어난 특성들의 조합을 갖기 때문에 여러 분야에서 유용하다. 예컨대, 실리콘 수지는 자동차, 전자, 건축, 설비, 및 항공 산업에서 보호 또는 절연 피막으로서 광범위하게 사용된다.
실리콘 수지 피막은 각종 기판을 보호, 절연 또는 접착시키는 데 사용될 수 있으나, 프리 스탠딩(free standing) 실리콘 수지 필름은 낮은 인장 강도, 높은 취성, 낮은 유리 전이 온도, 높은 열 팽창 계수, 및 높은 인화성으로 인해 제한된 용도를 갖는다. 따라서, 개선된 기계적, 열적 및 인화 특성을 갖는 프리 스탠딩 실리콘 수지 필름이 요구된다.
발명의 개요
본 발명은,
(i) 제1 이형 라이너를 충전된 실리콘 조성물(여기서, 충전된 실리콘 조성물은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지를 함유하는 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물, 및 난연성 충전제를 포함한다)로 피복하는 단계,
(ii) 상기 피복된 제1 이형 라이너에 제2 이형 라이너를 도포하여 어셈블리를 형성하는 단계,
(iii) 상기 어셈블리를 압축시키는 단계, 및
(iv) 상기 압축된 어셈블리의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하는, 두께 1 내지 500㎛의 실리콘 수지 필름의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 상술된 방법에 따라 제조된 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
본 발명은 또한,
분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수 소원자를 갖는 1종 이상의 실리콘 수지의 경화 생성물 및
난연성 충전제를 포함하는, 두께 1 내지 500㎛의 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 난연성 충전제를 함유하지 않는 동일한 실리콘 조성물로부터 제조된 실리콘 수지 필름에 비해 낮은 열 팽창 계수, 높은 인장 강도, 높은 탄성률, 및 낮은 인화성을 갖는다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 낮은 인화성과 높은 열 안정성, 가요성, 기계적 강도 및 투명성을 갖는 필름을 필요로 하는 분야에서 유용하다. 예를 들면, 실리콘 수지 필름은 플렉서블 디스플레이(flexible display), 태양 전지, 가요성 전자 기판, 항공기용 내측 패널 및 천장 패널, 터치 스크린, 내열성 벽지, 및 내충격성 창문의 필수 구성요소로서 사용될 수 있다. 또한 이 필름은 투명 또는 불투명 전극용으로 적합한 기판이다.
본 명세서에서 "지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다" 라는 용어는 하이드로카빌 또는 할로겐-치환된 하이드로카빌 그룹이 지방족 탄소-탄소 이중 결합 또는 탄소-탄소 삼중 결합을 함유하지 않음을 의미한다. 또한, "실리콘 수지 내의 R2 그룹 중 알케닐의 몰%"는 실리콘 수지 내의 R2 그룹의 총 몰수에 대한 실리콘 수지 내의 규소-결합된 알케닐 그룹의 몰수의 비에 100을 곱한 값으로 정의된다. 또한, "실리콘 수지 내의 R4 그룹 중 수소의 몰%"라는 용어는 실리콘 수지 내의 R4 그룹의 총 몰수에 대한 실리콘 수지 내의 규소-결합된 수소원자의 몰수의 비에 100을 곱한 값으로 정의된다.
본 발명에 따른 실리콘 수지 필름의 제조방법은,
(i) 제1 이형 라이너를 충전된 실리콘 조성물(여기서, 충전된 실리콘 조성물은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물, 및 난연성 충전제를 포함한다)로 피복하는 단계,
(ii) 상기 피복된 제1 이형 라이너에 제2 이형 라이너를 도포하여 어셈블리를 형성하는 단계,
(iii) 상기 어셈블리를 압축시키는 단계, 및
(iv) 상기 압축된 어셈블리의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하며, 상기 실리콘 수지 필름의 두께는 1 내지 500㎛이다.
실리콘 수지 필름의 제조방법의 단계(i)에서, 제1 이형 라이너를 충전된 실리콘 조성물로 피복하는데, 여기서, 충전된 실리콘 조성물은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물, 및 난연성 충전제를 포함한다.
제1 이형 라이너는 후술하는 바와 같이 실리콘 수지를 경화시킨 후 박리할 때 손상 없이 실리콘 수지 필름을 떼어낼 수 있는 표면을 갖는 임의의 경질 또는 가요성 재료일 수 있다. 이형 라이너의 예로는 규소, 석영; 용융 석영; 산화알루미늄; 세라믹; 유리; 금속 호일; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 및 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 폴리올레핀; 폴리테트라플루오로에틸렌 및 폴리비닐플루오라이드와 같은 플루오로카본 중합체; 나일론과 같은 폴리아미드; 폴리이미드; 폴리(메틸 메타크릴레이트)와 같은 폴리에스테르; 에폭시 수지; 폴리에테르; 폴리카보네이트; 폴리설폰; 및 폴리에테르 설폰이 제한 없이 포함된다. 상기 예시된 바와 같은 재료들의 표면을 실리콘 이형제와 같은 이형제로 처리한 이형 라이너도 사용할 수 있다.
하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지를 함유하는 임의의 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물일 수 있다. 전형적으로, 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물은 상술된 실리콘 수지, 실리콘 수지를 경화시키기에 충분한 양의 유기규소 화합물(여기서, 유기규소 화합물은 실리콘 수지 내의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자와 반응할 수 있는 규소-결합된 수소원자 또는 규소-결합된 알케닐 그룹을 분자 1개당 평균 2개 이상 갖는다), 및 촉매량의 하이드로실릴화 촉매를 포함한다.
하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물의 실리콘 수지는 전형적으로 T 및/또는 Q 실록산 단위와 함께 M 및/또는 D 실록산 단위를 함유하는 공중합체이다. 예를 들면, 실리콘 수지는 DT 수지, MT 수지, MDT 수지, DTQ 수지, 및 MTQ 수지, 및 MDTQ 수지, DQ 수지, MQ 수지, DTQ 수지, MTQ 수지, 또는 MDQ 수지일 수 있다.
실리콘 수지는 전형적으로 500 내지 50,000, 또는 500 내지 10,000, 또는 1,000 내지 3,000의 수-평균 분자량(Mn)을 가지며, 여기서 분자량은 굴절률 검측기와 실리콘 수지(MQ) 표준 물질을 사용하여 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정한다.
25℃에서의 실리콘 수지의 점도는 전형적으로 0.01 내지 100,000Pa·s, 또는 0.1 내지 10,000Pa·s, 또는 1 내지 100Pa·s이다.
실리콘 수지는 29Si NMR로 측정시 전형적으로 10%(w/w) 미만, 또는 5%(w/w) 미만, 또는 2%(w/w) 미만의 규소-결합된 하이드록시 그룹을 함유한다.
한 양태에 따르면, 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물은, (A) 화학식 (R1R2 2SiO1/2)w(R2 2SiO2/2)x(R1SiO3/2)y(SiO4/2)z(I)[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R2는 R1 또는 알케닐이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는 실리콘 수지, (B) 실리콘 수지를 경화시키기에 충분한 양의, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는 유기규소 화합물, 및 (C) 촉매량의 하이드로실릴화 촉매를 포함한다.
성분(A)는 화학식 (R1R2 2SiO1/2)w(R2 2SiO2/2)x(R1SiO3/2)y(SiO4/2)z(Ⅰ)(여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R2는 R1 또는 알케닐이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는 1종 이상의 실리콘 수지이다.
R1로 표시되는 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 그룹은 지방족 불포화 그룹을 갖지 않으며 전형적으로 1 내지 10개의 탄소원자, 또는 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는다. 3개 이상의 탄소원자를 함유하는 비사이클릭(acyclic) 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 그룹은 분지형 또는 비분지형 구조를 가질 수 있다. R1로 표시되는 하이드로카빌 그룹의 예로는 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 1,1-디메틸에틸, 펜틸, 1-메틸부틸, 1-에틸프로필, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 헥실, 헵틸, 노닐, 및 데실과 같은 알킬; 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 메틸사이클로헥실과 같은 사이클로알킬; 페닐 및 나프틸과 같은 아릴; 톨릴 및 크실릴과 같은 알카릴; 및 벤질 및 펜에틸과 같은 아르알킬이 제한 없이 포함된다. R1로 표시되는 할로겐-치환된 하이드로카빌 그룹의 예로는 3,3,3-트리플루오로프로필, 3-클로로프로필, 클로로페닐, 디클로로페닐, 2,2,2-트리플루오로에틸, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필 및 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로펜틸이 제한 없이 포함된다.
R2로 표시되는 알케닐 그룹은 동일하거나 상이할 수 있고 전형적으로 2 내지 약 10개의 탄소원자, 또는 2 내지 6개의 탄소원자를 가지며, 예로는 비닐, 알릴, 부테닐, 헥세닐 및 옥테닐이 제한 없이 포함된다.
화학식 Ⅰ의 실리콘 수지에서, 아래첨자 w, x, y, 및 z는 몰 분율이다. 아래첨자 w는 전형적으로 0 내지 0.8, 또는 0.02 내지 0.75, 또는 0.05 내지 0.3의 값을 갖고, 아래첨자 x는 전형적으로 0 내지 0.6, 또는 0 내지 0.45, 또는 0 내지 0.25의 값을 가지며, 아래첨자 y는 전형적으로 0 내지 0.99, 또는 0.25 내지 0.8, 또는 0.5 내지 0.8의 값을 갖고, 아래첨자 z는 전형적으로 0 내지 0.35, 또는 0 내지 0.25, 또는 0 내지 0.15의 값을 갖는다. 또한, y+z는 전형적으로 0.2 내지 0.99, 또는 0.5 내지 0.95, 또는 0.65 내지 0.9이다. 또한, w+x는 전형적으로 0.01 내지 0.80, 또는 0.05 내지 0.5, 또는 0.1 내지 0.35이다.
전형적으로 실리콘 수지 내의 R2 그룹 중 50몰% 이상, 또는 65몰% 이상, 또는 80몰% 이상은 알케닐이다.
화학식 Ⅰ의 실리콘 수지의 예로는 화학식 (Vi2MeSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75(ViMe2SiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75, (ViMe2SiO1/2)0.25(MeSiO3/2)0.25(PhSiO3/2)0.50, (ViMe2SiO1/2)0.15(PhSiO3/2)0.75(SiO4/2)0.1, 및 (Vi2MeSiO1/2)0.15(ViMe2SiO1/2)0.1(PhSiO3/2)0.75(여기서, Me는 메틸이고, Vi는 비닐이며, Ph는 페닐이고, 괄호 밖의 아래첨자 숫자는 몰 분율을 나타낸다)의 수지들이 제한 없이 포함된다. 또한, 상기 화학식에서, 단위들의 순서는 특정되지 않는다.
성분(A)는 단일 실리콘 수지이거나 상술된 바와 같은 2종 이상의 상이한 실리콘 수지를 포함한 혼합물일 수 있다.
규소-결합된 알케닐 그룹을 함유하는 실리콘 수지의 제조방법은 당업계에 잘 알려져 있으며 이들 수지 중 다수는 시판되고 있다. 이러한 실리콘 수지는 전형적으로 클로로실란 전구체들의 적합한 혼합물을 톨루엔과 같은 유기 용매 중에서 공가수분해함으로써 제조한다. 예를 들면, R1R2 2SiO1/2 단위와 R1SiO3/2 단위로 주로 이루어진 실리콘 수지는 화학식 R1R2 2SiCl의 화합물과 화학식 R1SiCl3(여기서, R1 및 R2는 상기 정의 및 예시된 바와 같다)의 화합물을 톨루엔 중에서 공가수분해하여 제조할 수 있다. 수성 염산과 실리콘 가수분해물을 분리시키고 가수분해물을 물로 세척하여 잔류 산을 제거한 후 온화한 축합 촉매의 존재하에 가열하여 수지를 필요한 점도까지 "고체화(body)"한다. 필요에 따라, 수지를 유기 용매 중에서 축합 촉매로 더 처리하여 규소-결합된 하이드록시 그룹의 함량을 감소시킬 수 있다. 다른 방법으로, 클로로 이외에 -Br, -I, -OCH3, -OC(O)CH3, -N(CH3)2, NHCOCH3, 및 -SCH3와 같은 가수분해성 그룹을 함유하는 실란을 공가수분해 반응의 출발 재료로서 사용할 수도 있다. 수지 생성물의 특성은 실란의 종류, 실란의 몰비, 축합도, 및 공정 조건에 따라서 달라진다.
성분(B)는 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는 1종 이상의 유기규소 화합물로, 성분(A)의 실리콘 수지를 경화시키기에 충분한 양으로 포함된다.
유기규소 화합물은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자, 또는 분자 1개당 3개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는다. 일반적으로, 성분(A) 내의 분자 1개당 알케닐 그룹의 평균 개수와 성분(B) 내의 분자 1개당 규소-결합된 수소원자의 평균 개수의 합이 4보다 클 때 가교결합이 일어나는 것으로 이해된다.
유기규소 화합물은 오가노하이드로겐실란 또는 오가노하이드로겐실록산일 수 있다. 오가노하이드로겐실란은 모노실란, 디실란, 트리실란, 또는 폴리실란일 수 있다. 유사하게, 오가노하이드로겐실록산은 디실록산, 트리실록산, 또는 폴리실록산일 수 있다. 유기규소 화합물의 구조는 선형, 분지형, 사이클릭형, 또는 수지형일 수 있다. 사이클로실란 및 사이클로실록산은 전형적으로 3 내지 12개의 규소원자, 또는 3 내지 10개의 규소원자, 또는 3 내지 4개의 규소원자를 갖는다. 비사이클릭 폴리실란 및 폴리실록산에서, 규소-결합된 수소원자는 말단 위치, 펜던트 위치, 또는 말단과 펜던트 위치 모두에 존재할 수 있다.
오가노하이드로겐실란의 예로는 디페닐실란, 2-클로로에틸실란, 비스[(p-디메틸실릴)페닐]에테르, 1,4-디메틸디실릴에탄, 1,3,5-트리스(디메틸실릴)벤젠, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리실란, 폴리(메틸실릴렌)페닐렌, 및 폴리(메틸실릴렌)메틸렌이 제한 없이 포함된다.
오가노하이드로겐실란은 화학식 HR1 2Si-R3-SiR1 2H[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R3은 화학식
Figure 112009020344196-PCT00001
의 그룹으로부터 선택된, 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는 하이드로카빌렌 그룹이며, g는 1 내지 6이다]를 가질 수도 있다. R1로 표시되는 하이드로카빌 및 할로겐-치환된 하이드로카빌 그룹은 성분(A)의 실리콘 수지에 대해 상기 정의 및 예시된 바와 같다.
화학식 HR1 2Si-R3-SiR1 2H(여기서, R1 및 R3은 상기 설명 및 예시된 바와 같다)의 오가노하이드로겐실란의 예로는 화학식
Figure 112009020344196-PCT00002
의 실란이 제한 없이 포함된다.
오가노하이드로겐실록산의 예로는 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 페닐트리스(디메틸실록시)실란, 1,3,5-트리메틸사이클로트리실록산, 트리메틸실록시-말단 폴리(메틸하이드로겐실록산), 트리메틸실록시-말단 폴리(디메틸실록산/메틸하이드로겐실록산), 디메틸하이드로겐실록시-말단 폴리(메틸하이드로겐실록산), 및 HMe2SiO1/2 단위, Me3SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위(여기서, Me는 메틸이다)를 주성분으로 하는 수지가 제한 없이 포함된다.
성분(B)는 단일 유기규소 화합물이거나 상술된 바와 같은 2종 이상의 상이한 유기규소 화합물들을 포함하는 혼합물일 수 있다. 예를 들면, 성분(B)는 단일 오가노하이드로겐실란, 2종의 상이한 오가노하이드로겐실란의 혼합물, 단일 오가노하이드로겐실록산, 2종의 상이한 오가노하이드로겐실록산의 혼합물, 또는 오가노하이드로겐실란과 오가노하이드로겐실록산의 혼합물일 수 있다.
성분(B)의 농도는 성분(A)의 실리콘 수지를 경화(가교결합)시키기에 충분하다. 성분(B)의 정확한 양은 목적하는 경화도에 따라 달라지는데, 일반적으로 성분(A) 내의 알케닐 그룹의 몰수에 대한 성분(B) 내의 규소-결합된 수소원자의 몰수의 비율이 증가할수록 많아진다. 성분(B)의 농도는 성분(A) 내의 알케닐 그룹 1몰당 전형적으로 0.4 내지 2몰의 규소-결합된 수소원자, 또는 0.8 내지 1.5몰의 규소-결합된 수소원자, 또는 0.9 내지 1.1몰의 규소-결합된 수소원자를 제공하기에 충분하다.
규소-결합된 수소원자를 함유하는 유기규소 화합물의 제조방법은 당업계에 잘 알려져 있다. 예를 들면, 오가노하이드로겐실란은 그리냐드(Grignard) 시약과 알킬 또는 아릴 할라이드의 반응에 의해 제조될 수 있다. 특히, 화학식 HR1 2Si-R3-SiR1 2H의 오가노하이드로겐실란은 화학식 R3X2의 아릴 디할라이드를 에테르 중에서 마그네슘으로 처리하여 상응하는 그리냐드 시약을 생성한 후 그리냐드 시약을 화학식 HR1 2SiCl(여기서, R1 및 R3은 상기 설명 및 예시된 바와 같다)의 클로로실란으로 처리함으로써 제조될 수 있다.
오가노할로실란의 가수분해 및 축합과 같은 오가노하이드로겐실록산의 제조방법도 당업계에 잘 알려져 있다.
하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물의 성분(C)는 성분(A)와 성분(B)의 첨가 반응을 촉진시키는 1종 이상의 하이드로실릴화 촉매이다. 하이드로실릴화 촉매는 백금족 금속, 백금족 금속 함유 화합물, 또는 미세캡슐화된 백금족 금속 함유 촉매를 포함하는 잘 알려진 임의의 하이드로실릴화 촉매일 수 있다. 백금족 금속으로는 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴 및 이리듐이 있다. 백금은 하이드로실릴화 반응에서 높은 활성을 갖기 때문에 바람직한 백금족 금속이다.
바람직한 하이드로실릴화 촉매로는 본 명세서에 참조로 인용되는 미국 특허 제3,419,593호(Willing)에 기재된 클로로백금산과 특정 비닐-함유 오가노실록산의 착물이 포함된다. 이러한 종류의 바람직한 촉매는 클로로백금산과 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 반응 생성물이다.
하이드로실릴화 촉매는 열가소성 수지 안에 캡슐화된 백금족 금속을 포함하는 미세캡슐화 백금족 금속-함유 촉매일 수도 있다. 미세캡슐화된 하이드로실릴화 촉매를 함유하는 조성물은 주위 조건하에서 전형적으로 수개월 이상의 장기간 동안 안정하고 열가소성 수지(들)의 융점 또는 연화점 이상의 온도에서 비교적 신속하게 경화된다. 미세캡슐화된 하이드로실릴화 촉매 및 이들의 제조방법은 본 명세서에 참조로 인용되는 미국 특허 제4,766,176호 및 미국 특허 제5,017,654호에 예시된 바와 같이 당업계에 잘 알려져 있다.
성분(C)는 단일 하이드로실릴화 촉매이거나, 구조, 형태, 백금족 금속, 착물 리간드 및 열가소성 수지와 같은 하나 이상의 특성이 서로 다른 2종 이상의 촉매를 포함한 혼합물일 수 있다.
성분(C)의 농도는 성분(A)와 성분(B)의 첨가 반응을 촉매하기에 충분하다. 전형적으로, 성분(C)의 농도는 성분(A)와 (B)의 중량의 합을 기준으로 0.1 내지 1000ppm의 백금족 금속, 바람직하게는 1 내지 500ppm의 백금족 금속, 더욱 바람직하게는 5 내지 150ppm의 백금족 금속을 제공하기에 충분한 양이다. 0.1ppm 미만의 백금족 금속을 사용하는 경우 경화 속도가 매우 느리다. 1000ppm을 초과하는 백금족 금속을 사용하는 경우 뚜렷한 경화 속도의 증가가 나타나지 않아 비경제적이다.
다른 양태에 따르면, 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물은, (A') 화학식 (R1R4 2SiO1/2)w(R4 2SiO2/2)x(R4SiO3/2)y(SiO4/2)z(Ⅱ)[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R4는 R1 또는 -H이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지, (B') 실리콘 수지를 경화시키기에 충분한 양의, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는 유기규소 화합물, 및 (C) 촉매량의 하이드로실릴화 촉매를 포함한다.
성분(A')는 화학식 (R1R4 2SiO1/2)w(R4 2SiO2/2)x(R4SiO3/2)y(SiO4/2)z(Ⅱ)[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R4는 R1 또는 -H이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는 1종 이상의 실리콘 수지이다. 화학식 Ⅱ의 실리콘 수지에서, R1, w, x, y, z, y+z, 및 w+x는 상기 화학식 Ⅰ의 실리콘 수지에 대해 기재 및 예시된 바와 같다.
전형적으로 실리콘 수지 내의 R4 그룹 중 50몰% 이상, 또는 65몰% 이상, 또는 80몰% 이상은 수소이다.
화학식 Ⅱ의 실리콘 수지의 예로는 화학식 (HMe2SiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75, (HMeSiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.6(MeSiO3/2)0.1, 및 (Me3SiO1/2)0.1(H2SiO2/2)0.1(MeSiO3/2)0.4(PhSiO3/2)0.4(여기서, Me는 메틸이고, Ph는 페닐이며, 괄호 밖의 아래첨자 숫자는 몰 분율을 나타낸다)의 수지들이 제한 없이 포함된다. 또한 상기 화학식에서, 단위들의 순서는 특정되지 않는다.
성분(A')는 단일 실리콘 수지이거나 상술된 바와 같은 2종 이상의 상이한 실리콘 수지를 포함한 혼합물일 수 있다.
규소-결합된 수소원자를 함유하는 실리콘 수지의 제조방법은 당업계에 잘 알려져 있으며 이들 수지 중 다수는 시판되고 있다. 실리콘 수지는 전형적으로 클로로실란 전구체들의 적합한 혼합물을 톨루엔과 같은 유기 용매 중에서 공가수분해함으로써 제조한다. 예를 들면, R1R4 2SiO1/2 단위와 R4SiO3/2 단위로 주로 이루어진 실리콘 수지는 화학식 R1R4 2SiCl의 화합물과 화학식 R4SiCl3(여기서, R1 및 R4는 상기 기재 및 예시된 바와 같다)의 화합물을 톨루엔 중에서 공가수분해하여 제조할 수 있다. 수성 염산과 실리콘 가수분해물을 분리시키고 가수분해물을 물로 세척하여 잔류 산을 제거한 후 온화한 비-염기성 축합 촉매의 존재하에 가열하여 수지를 필요한 점도까지 "고체화"한다. 필요에 따라, 수지를 유기 용매 중에서 비-염기성 축합 촉매로 추가로 처리하여 규소-결합된 하이드록시 그룹의 함량을 감소시킬 수 있다. 다른 방법으로, 클로로 이외에 -Br, -I, -OCH3, -OC(O)CH3, -N(CH3)2, NHCOCH3, 및 -SCH3와 같은 가수분해성 그룹을 함유하는 실란을 공가수분해 반응의 출발 재료로서 사용할 수도 있다. 수지 생성물의 특성은 실란의 종류, 실란의 몰비, 축합도, 및 공정 조건에 따라서 달라진다.
성분(B')는 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는 1종 이상의 유기규소 화합물로, 성분(A')의 실리콘 수지를 경화시키기에 충분한 양으로 포함된다.
유기규소 화합물은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹, 또는 분자 1개당 3개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는다. 일반적으로, 성분(A') 내의 분자 1개당 규소-결합된 수소원자의 평균 개수와 성분(B') 내의 분자 1개당 규소-결합된 알케닐 그룹의 평균 개수의 합이 4보다 클 때 가교결합이 일어나는 것으로 이해된다.
유기규소 화합물은 오가노실란 또는 오가노실록산일 수 있다. 오가노실란은 모노실란, 디실란, 트리실란, 또는 폴리실란일 수 있다. 유사하게는, 오가노실록산은 디실록산, 트리실록산, 또는 폴리실록산일 수 있다. 유기규소 화합물의 구조는 선형, 분지형, 사이클릭형, 또는 수지형일 수 있다. 사이클로실란 및 사이클로실록산은 전형적으로 3 내지 12개의 규소원자, 또는 3 내지 10개의 규소원자, 또는 3 내지 4개의 규소원자를 갖는다. 비사이클릭 폴리실란 및 폴리실록산에서, 규소-결합된 알케닐 그룹은 말단 위치, 펜던트 위치, 또는 말단과 펜던트 위치 모두에 존재할 수 있다.
성분(B')로서 사용하기에 적합한 오가노실란의 예로는 화학식 Vi4Si, PhSiVi3, MeSiVi3, PhMeSiVi2, Ph2SiVi2, 및 PhSi(CH2CH=CH2)3(여기서, Me는 메틸이고, Ph는 페닐이며, Vi는 비닐이다)의 실란이 제한 없이 포함된다.
성분(B')로서 사용하기에 적합한 오가노실록산의 예로는 화학식 PhSi(OSiMe2Vi)3, Si(OSiMe2Vi)4, MeSi(OSiMe2Vi)3, 및 Ph2Si(OSiMe2Vi)2(여기서, Me는 메틸이고, Ph는 페닐이며, Vi는 비닐이다)의 실록산이 제한 없이 포함된다.
성분(B')는 단일 유기규소 화합물이거나 상술된 바와 같은 2종 이상의 상이한 유기규소 화합물들을 포함한 혼합물일 수 있다. 예를 들면, 성분(B')는 단일 오가노실란, 2종의 상이한 오가노실란의 혼합물, 단일 오가노실록산, 2종의 상이한 오가노실록산의 혼합물, 또는 오가노실란과 오가노실록산의 혼합물일 수 있다.
성분(B')의 농도는 성분(A')의 실리콘 수지를 경화(가교결합)시키기에 충분하다. 성분(B')의 정확한 양은 목적하는 경화도에 따라 달라지는데, 일반적으로 성분(A') 내의 규소-결합된 수소원자의 몰수에 대한 성분(B') 내의 규소-결합된 알케닐 그룹의 몰수의 비율이 증가할수록 많아진다. 성분(B')의 농도는 성분(A') 내의 규소-결합된 수소원자 1몰당 전형적으로 0.4 내지 2몰의 규소-결합된 알케닐 그룹, 또는 0.8 내지 1.5몰의 규소-결합된 알케닐 그룹, 또는 0.9 내지 1.1몰의 규소-결합된 알케닐 그룹을 제공하기에 충분하다.
규소-결합된 알케닐 그룹을 함유하는 오가노실란 및 오가노실록산의 제조방법은 당업계에 잘 알려져 있으며, 이들 화합물 중 다수는 시판되고 있다.
하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물의 제2 양태의 성분(C)는 상기 제1 양태의 성분(C)에 대해 기재 및 예시된 바와 같다.
충전된 실리콘 조성물의 난연성 충전제는 본 발명의 실리콘 수지 필름에 난연성을 부여하는(즉, 연소의 개시와 확산을 억제하는) 임의의 무기 충전제일 수 있는데, 이것은 내연제를 포함한 실리콘 수지 필름이 충전되지 않은 동일한 실리콘 수지에 비해서 더 낮은 열 방출율 값을 갖는 것으로부터 입증된다. 열 방출율은 하기 실시예에 설명된 바와 같이 측정할 수 있다.
난연성 충전제는 B.E.T.(Brunauer-Emmett-Teller)법을 사용하여 측정시 전형적으로 0.1 내지 300㎡/g, 바람직하게는 0.1 내지 50㎡/g의 비표면적을 갖는다.
난연성 충전제는 전형적으로 0.1 내지 500㎛, 또는 0.1 내지 100㎛의 중간 입자 크기(질량 기준)를 갖는다.
난연성 충전제의 형상은 중요하지 않으나, 구형의 입자는 다른 형상을 갖는 입자에 비해서 실리콘 조성물에 보다 작은 점도의 증가를 제공하기 때문에 바람직하다.
무기 충전제의 예로는 결정성 실리카, 분쇄된 결정성 실리카, 및 규조토와 같은 천연 실리카; 용융 실리카, 실리카 겔, 발열성 실리카, 및 침강성 실리카와 같은 합성 실리카; 운모, 규회석(칼슘 메타실리케이트), 장석, 및 하석장석과 같은 실리케이트; 산화알루미늄(알루미나), 이산화티탄, 산화마그네슘, 산화제2철, 산화베릴륨, 산화크롬, 산화티탄 및 산화아연과 같은 금속 산화물; 질화붕소, 질화규소, 및 질화알루미늄과 같은 금속 질화물; 탄화붕소, 탄화티탄, 및 탄화규소와 같은 금속 탄화물; 카본 블랙; 탄산칼슘과 같은 알칼리 토금속 탄화물; 황산칼슘, 황산마그네슘, 및 황산바륨과 같은 알칼리 토금속 황화물; 이황산몰리브덴; 황산아연; 카올린; 활석; 유리 섬유; 중공 유리 미세구 및 고상 유리 미세구와 같은 유리 비드; 수산화마그네슘 및 수화된 알루미나(삼수산화알루미늄)와 같은 금속 수산화물; 및 석면이 제한 없이 포함된다.
난연성 충전제는 상술된 무기 충전제의 표면을 유기규소 화합물로 처리하여 만든 처리된 난연성 충전제일 수도 있다. 유기규소 화합물은 실리카 충전제를 처리하는 데 전형적으로 사용되는 임의의 유기규소 화합물일 수 있다. 유기규소 화합물의 예로는 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란, 및 트리메틸 모노클로로실란과 같은 오가노클로로실란; 하이드록시-말단 차단된 디메틸실록산 올리고머, 헥사메틸디실록산, 및 테트라메틸디비닐디실록산과 같은 오가노실록산; 헥사메틸디실라잔, 헥사메틸사이클로트리실라잔과 같은 오가노실라잔; 및 메틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란과 같은 오가노알콕시실란이 제한 없이 포함된다.
난연성 충전제는 단일 난연성 충전제이거나 상술된 바와 같은 2종 이상의 상이한 난연성 충전제를 포함하는 혼합물일 수 있다.
충전된 실리콘 조성물 중의 난연성 충전제의 농도는 충전된 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 전형적으로 2 내지 95%(w/w), 또는 20 내지 60%(w/w), 또는 20 내지 40%(w/w), 또는 25 내지 40%(w/w)이다.
본 발명의 방법의 충전된 실리콘 조성물은 실리콘 조성물이 경화될 때 낮은 열 방출율로 입증된 낮은 난연성을 갖는 경화 실리콘의 형성을 방해하지 않는 한 추가의 성분들을 포함할 수 있다. 추가의 성분의 예로는 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐-1-사이클로헥산올, 2-페닐-3-부틴-2-올, 비닐사이클로실록산, 및 트리페닐포스핀과 같은 하이드로실릴화 촉매 억제제; 미국 특허 제4,087,585호 및 제5,194,649호에 개시된 점착 촉진제와 같은 점착 촉진제; 염료; 안료; 산화방지제; 열 안정화제; UV 안정화제; 내연제; 유동성 조절제; 및 유기 용매 및 반응성 희석제와 같은 희석제가 제한 없이 포함된다.
충전된 실리콘 조성물은 실리콘 수지, 유기규소 화합물, 하이드로실릴화 촉매, 및 난연성 충전제를 단일 부분 내에 함유하는 일액형 조성물이거나, 이들 성분을 둘 이상의 부분 내에 포함하는 다액형 조성물일 수 있다.
충전된 일액형 실리콘 조성물은 전형적으로 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물의 성분들, 난연성 충전제, 및 임의의 성분들을 유기 용매를 사용하거나 사용하지 않고서 주위 온도에서 정해진 비율로 배합시켜서 제조한다. 각종 성분들의 첨가 순서는 실리콘 조성물을 즉시 사용해야 하는 경우 중요하지 않으나, 조성물의 조기 경화를 막기 위해서는 약 30℃ 미만의 온도에서 하이드로실릴화 촉매를 마지막에 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 충전된 다액형 실리콘 조성물은 성분들을 각각의 부분 내에서 배합하여 제조할 수 있다.
혼합은 밀링(milling), 배합 및 교반과 같은 당업계에 공지된 임의의 기술에 의해 회분식 또는 연속식 공정으로 달성될 수 있다. 특정 장치는 성분들의 점도와 최종 실리콘 조성물의 점도에 의해서 결정된다.
제1 이형 라이너는 침지, 분무, 브러싱, 또는 스크린-인쇄와 같은 통상의 피복 기술을 사용하여 충전된 실리콘 조성물로 피복될 수 있다. 실리콘 조성물의 양은 후술되는 방법의 단계(iv)에서 두께 1 내지 500㎛의 경화된 실리콘 수지 필름을 형성하기에 충분하다.
실리콘 수지 필름의 제조방법의 단계(ii)에서, 피복된 제1 이형 라이너에 제2 이형 라이너를 도포하여 어셈블리를 형성한다.
제2 이형 라이너는 본 발명의 방법에서 상기 제1 이형 라이너에 대해 설명 및 예시된 바와 같다. 제2 이형 라이너는 제1 이형 라이너와 동일하거나 상이할 수 있다.
제2 이형 라이너는 피복된 제1 이형 라이너에 수동으로 도포되거나 시판용 피복 장치를 사용하여 도포될 수 있다.
본 발명의 방법의 단계(iii)에서, 어셈블리를 압축시킨다. 어셈블리를 압축시킴으로써 전형적으로 과량의 실리콘 조성물 및/또는 포집된 공기를 제거하고 피복물의 두께를 감소시키며 균일한 두께의 피복물을 달성한다. 어셈블리는 스테인레스강 롤러, 유압 프레스, 고무 롤러, 닙(nip) 롤러, 롤 밀, 또는 적층 롤 세트와 같은 통상의 장치를 사용하여 압축될 수 있다. 어셈블리는 전형적으로 실온(약 23±2℃) 내지 50℃의 온도에서 1,000Pa 내지 10MPa의 압력으로 압축된다.
실리콘 수지 필름의 제조방법의 단계(iv)에서, 압축된 어셈블리의 실리콘 수지를 경화시킨다. 압축된 어셈블리의 실리콘 수지는 필름을 주위 온도 또는 승온에 노출시켜서 경화시킬 수 있다. 피복된 이형 라이너는 전형적으로 대기압하에서 실온(약 23 ±2℃) 내지 250℃, 또는 실온 내지 200℃, 또는 실온 내지 150℃의 온도에 노출된다. 피복된 이형 라이너는 실리콘 수지를 경화(가교결합)시키기에 충분한 시간 동안 특정한 온도에 노출된다. 예를 들면, 피복된 이형 라이너는 전형적으로 0.1 내지 3시간 동안 140 내지 200℃의 온도에 노출된다.
본 발명의 방법은 경화된 실리콘 수지를 이형 라이너로부터 분리시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 경화된 실리콘 수지는 이형 라이너로부터 필름을 기계적으로 박리시켜서 이형 라이너로부터 분리될 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 수지 필름은,
분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 1종 이상의 실리콘 수지의 경화 생성물 및
난연성 충전제
를 포함하는, 두께 1 내지 500㎛의 실리콘 수지 필름이다.
실리콘 수지 필름은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 1종 이상의 실리콘 수지의 경화 생성물을 포함하고, 여기서 실리콘 수지는 상기 본 발명의 방법에서 기재 및 예시된 바와 같다. 본 명세서에서 "실리콘 수지의 경화 생성물"이란 용어는 3차원의 망상 구조를 갖는 가교결합된 실리콘 수지를 의미한다.
실리콘 수지 필름은 1종 이상의 난연성 충전제도 포함하며, 여기서 상기 충전제는 상기 본 발명의 방법에서 기재 및 예시된 바와 같다.
실리콘 수지 필름은 전형적으로 실리콘 수지 필름의 총 중량을 기준으로 2 내지 95%(w/w), 또는 20 내지 60%(w/w), 또는 20 내지 40%(w/w), 또는 25 내지 40%(w/w)의 난연성 충전제를 포함한다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 전형적으로 1 내지 500㎛, 또는 15 내지 500㎛, 또는 15 내지 300㎛, 또는 20 내지 150㎛, 또는 30 내지 125㎛의 두께를 갖는다.
실리콘 수지 필름은 전형적으로 직경 3.2㎜ 이하의 원통형 강철 굴대(mandrel) 위로 균열 없이 구부려질 정도의 가요성을 가지며, 여기서 가요성은 ASTM 표준 D522-93a, 방법 B에 기재된 바와 같이 측정한다.
실리콘 수지 필름은 낮은 선 열팽창 계수(CTE), 높은 인장 강도, 및 높은 탄성률을 갖는다. 예컨대, 필름은 실온(약 23±2℃) 내지 200℃의 온도에서 전형적으로 50 내지 200㎛/m℃, 또는 50 내지 150㎛/m℃, 또는 60 내지 100㎛/m℃의 CTE를 갖는다. 또한, 필름은 25℃에서 전형적으로 5 내지 200MPa, 또는 10 내지 100MPa, 또는 15 내지 75MPa의 인장 강도를 갖는다. 또한, 실리콘 수지 필름은 전형적으로 25℃에서 0.5 내지 10GPa, 또는 1 내지 6GPa, 또는 1 내지 3GPa의 영률(Young's modulus)을 갖는다.
실리콘 수지 필름의 투명성은 경화된 실리콘 수지 조성물, 필름의 두께, 및 난연성 충전제의 종류 및 농도와 같은 다수의 인자들에 따라서 달라진다. 실리콘 수지 필름은 전형적으로 전자기 스펙트럼의 가시 영역에서 50% 이상, 또는 60% 이상, 또는 75% 이상, 또는 85% 이상의 투명성(투과율 %)을 갖는다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 난연성 충전제만이 결여된 유사한 실리콘 수지 필름에 비해 낮은 열 방출율로 입증되는 낮은 인화성을 갖는다. 예컨대, 실리콘 수지 필름은 전형적으로 60kW/㎡ 미만, 또는 50kW/㎡ 미만, 또는 40kW/㎡ 미만의 최대 열 방출율을 갖는다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 난연성 충전제를 함유하지 않는 동일한 실리콘 조성물로부터 제조된 실리콘 수지 필름에 비해 낮은 열 팽창 계수, 높은 인장 강도, 높은 탄성율, 및 낮은 인화성을 갖는다.
본 발명의 실리콘 수지 필름은 낮은 인화성과 높은 열 안정성, 가요성, 기계적 강도 및 투명성을 갖는 필름을 필요로 하는 분야에서 유용하다. 예를 들면, 실리콘 수지 필름은 플렉서블 디스플레이, 태양 전지, 가요성 전자 기판, 항공기용 내측 패널 및 천장 패널, 터치 스크린, 내열성 벽지, 및 내충격성 창문의 필수 구성요소로서 사용될 수 있다. 또한 이 필름은 투명 또는 불투명 전극용으로 적합한 기판이다.
하기 실시예는 본 발명의 실리콘 수지 필름 및 이의 제조방법을 더욱 상세히 설명하기 위해 제공되며, 첨부된 청구의 범위에 기재된 본 발명을 제한하지 않는다. 달리 언급하지 않는 한, 실시예에 기재된 모든 부 및 백분율은 중량을 기준으로 한다. 실시예에서는 다음과 같은 방법 및 재료들이 사용된다.
기계적 특성의 측정
영률, 인장 강도, 및 파단시 인장 변형율은 100-N 로드 셀(load cell)이 장착된 MTS 알리안스(Alliance) RT/5 시험 프레임을 사용하여 측정한다. 영률, 인장 강도, 및 인장 변형율은 실시예 4, 실시예 5, 및 대조예 2의 시험편에 대해 실온(약 23±2℃)에서 측정한다.
시험편을 25㎜ 간격으로 떨어져 있는 2개의 공압식 그립(pneumatic grips) 안에 부하시키고 1㎜/분의 크로스헤드(crosshead) 속도로 잡아 당긴다. 부하량과 변위 데이타를 연속적으로 수집한다. 부하량-변위 곡선의 초기 영역에서의 최대 기울기를 영률로 정의한다.
부하량-변위 곡선의 최고점을 사용하여 하기 식에 따라서 인장 강도를 산출 한다.
σ = F/(wb)
위 식에서,
σ는 인장 강도, MPa이고,
F는 최대 힘, N이며,
w는 시험편의 폭, ㎜이고,
b는 시험편의 두께, ㎜이다.
영률(MPa) 및 인장 강도(MPa) 각각에 대한 기록값은 동일한 실리콘 수지 필름으로 제조된 서로 다른 아령형 시험편들에 대한 3개의 측정값의 평균을 나타낸다.
열 방출율의 측정
실리콘 수지 필름의 열 방출율(2분 및 최대값)은 측벽 패널, 격벽(bulkhead), 및 적재물 선반과 같은 항공기 내부 소재에 대한 합격/불합격 기준 및 장치 둘 다를 한정하는 미국 연방 항공 규칙(FAR) 파트 25.853 [a-1]에 특정된 오하이오 주립대(OSU) 열 방출율 장치를 사용하여 측정한다. 실리콘 수지 필름을 항공기 장식용 적층물로서 사용된 두께 0.125인치의 측벽 섬유유리 패널에 결합시켜서 테스트 쿠폰을 제조한다. 열 방출율의 기록값은 각각 동일한 실리콘 수지 필름을 함유한 서로 다른 시험편들에 대한 3 내지 4개의 측정값의 평균을 나타낸다.
Hydral® 710(판매원: Almatis, Inc., Bauxite, AZ)은 약 1.0㎛의 중간 입자 크기, 2.42g/㎤의 밀도, 및 4.0㎡/g(B.E.T.법)의 평균 표면적을 갖는 미분된 고순도(99.5%) 삼수산화알루미늄 분말이다.
SpectrAlTM 51(판매원: Cabot Corporation, Billerica, MA)은 55㎡/g(B.E.T.법)의 표면적 및 3.6의 비중을 갖는 고순도 퓸드(fumed) 알루미나(>99.8% Al2O3)이다.
Nyad® 1250(판매원: Nyco Minerals, Inc., Willsboro, NY)은 3.5㎛의 중간 입자 크기(입도 분석기), 2.6㎡/g의 표면적, 및 3:1의 종횡비(aspect ratio)(L:D)를 갖는 규회석(칼슘 메타실리케이트)이다.
PET 필름은 0.075㎜ 또는 0.1㎜의 두께를 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름이다.
Teflon® 시트(구입원: McMaster-Carr, Atlanta, Georgia)는 두께 0.005인치의 최고 전기 등급 테플론® 시트이다.
백금 촉매는 톨루엔 중에 1000ppm의 백금을 함유하는 하이드로실릴화 촉매이다. 이 촉매는 1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 백금(O) 착물을 몰 과량의 1,1,3,3-테트라메틸디실록산의 존재하에 트리페닐포스핀으로 처리하여 약 4:1의 트리페닐포스핀 대 백금의 몰비를 달성함으로써 제조한다.
실리콘 수지 A: 약 1700의 중량-평균 분자량과 약 1440의 수-평균 분자량을 갖고 약 1몰%의 규소-결합된 하이드록시 그룹을 함유하는 화학식 (PhSiO3/2)0.75(ViMe2SiO1/2)0.25의 실리콘 수지.
실리콘 수지 B: 약 2420의 중량-평균 분자량과 약 1760의 수-평균 분자량을 갖고 약 1.5몰%의 규소-결합된 하이드록시 그룹을 함유하는 화학식 (SiO4/2)0.10(PhSiO3/2)0.75(ViMe2SiO)0.15의 실리콘 수지.
실시예 1
실리콘 수지 A(274g), 실리콘 수지 B(502g), 및 톨루엔(156g)을 잘 혼합한다. 이 혼합물을 감압하에 90 내지 100℃로 가열하여 톨루엔을 대부분 제거한다. 진공을 중단하고 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠 127g을 혼합물에 첨가한다. 압력을 2kPa로 감소시키고 온도를 30분간 90℃로 유지시킨다. 다시 진공을 중단시키고 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠을 1:1의 SiH/Vi 몰비를 회복시키기에 충분한 양으로 첨가한다.
상기 실리콘 혼합물(80g), Hydral® 710(20g), 및 트리페닐포스핀(0.08g)을 스파츌라를 사용하여 수동으로 혼합한다. 성분들을 미크로나(Mikrona) 치과용 혼합기를 사용하여 10회의 연속적 30초 주기로 추가로 혼합한다. 생성된 혼합물을 2ppm의 백금 농도를 달성하는 충분한 양의 백금 촉매로 처리한다. 이어서 성분들을 치과용 혼합기를 사용하여 2회의 연속적 30초 주기로 혼합한다. 실리콘 조성물을 스파츌라를 사용하여 2개의 PET 필름(40.6㎝×40.6㎝×75㎛) 사이에 위치시킨다. 동일한 PET 필름을 피복된 PET 필름에 도포하고, 어셈블리를 0.0090인치의 간 격을 갖는 닙 롤러를 통해 공급한다. 어셈블리를 8분간 130℃로 가열한 후 30분간 145℃로 가열한다. 적층물을 실온으로 냉각시킨다. 실리콘 수지 필름으로부터 상부 PET 필름을 분리(박리)시킨 후 실리콘 수지 필름을 하부 PET 필름으로부터 분리시킨다. 실리콘 수지 필름의 열 방출 특성을 표 1에 기재한다.
실시예 2
실리콘 수지 A(57.9g), 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(12.1g), 트리페닐포스핀(0.07g), 및 Hydral® 710(30g)을 스파츌라를 사용하여 수동으로 혼합한다. 상기 성분들을 미크로나 치과용 혼합기를 사용하여 10회의 연속적 30초 주기로 추가로 혼합한다. 생성된 혼합물을 2ppm의 백금 농도를 달성하는 충분한 양의 백금 촉매로 처리한다. 이어서 성분들을 치과용 혼합기를 사용하여 2회의 연속적 30초 주기로 혼합한다. 이 실리콘 조성물을 사용하여 실시예 1의 방법에 따라 실리콘 수지 필름을 제조한다. 실리콘 수지 필름의 열 방출 특성을 표 1에 기재한다.
실시예 3
실리콘 수지 A(49.6g), 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(10.4g), 트리페닐포스핀(0.06g), 및 Hydral® 710(40g)을 스파츌라를 사용하여 수동으로 혼합한다. 성분들을 미크로나 치과용 혼합기를 사용하여 10회의 연속적 30초 주기로 추가로 혼합한다. 생성된 혼합물을 2ppm의 백금 농도를 달성하는 충분한 양의 백금 촉매로 처 리한다. 이어서 성분들을 치과용 혼합기를 사용하여 2회의 연속적 30초 주기로 혼합한다. 이 실리콘 조성물을 사용하여 실시예 1의 방법에 따라 실리콘 수지 필름을 제조한다. 실리콘 수지 필름의 열 방출 특성을 표 1에 기재한다.
대조예 1
실리콘 수지 B(20.0g), 톨루엔(17.1g) 및 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(2.7g)을 스파츌라를 사용하여 수동으로 혼합한다. 생성된 혼합물을 2ppm의 백금 농도를 달성하는 충분한 양의 백금 촉매로 처리한다. 이어서 성분들을 미크로나 치과용 혼합기를 사용하여 2회의 연속적 30초 주기로 혼합한다. 실리콘 조성물을 도포기를 사용하여 PET 필름 위에 도포한다. 용매를 증발시키고 피복된 필름을 1시간 동안 100℃로 가열한 후 2시간 동안 150℃로 가열한다. 이어서 실리콘 수지 필름을 PET 필름으로부터 분리시킨다. 실리콘 수지 필름의 열 방출 특성을 표 1에 기재한다.
실시예 4
Nyad® 1250(20.0g)을 실리콘 수지 A(24.54g)와 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(5.46g)의 혼합물 30.0g에 두 부분으로 동등하게 나누어서 첨가한다. 상기 혼합물을 스파츌라를 사용하여 수동으로 배합한 후 하우쉴드(Hauschild) 치과용 혼합기를 사용하여 14초 동안 혼합한다. 백금 촉매(배합물의 중량을 기준으로 0.5%)를 혼합물에 첨가하고 성분들을 스파츌라를 사용하여 수동으로 혼합한 후 하우쉴드 혼합기를 사용하여 14초 동안 혼합한다. 촉매의 첨가와 혼합 과정을 3회 반복한다. 실리콘 조성물을 피펫을 사용하여 2개의 PET 필름(40.1㎝×22.9㎝) 사이에 위치시킨다. 이어서 어셈블리를 0.0100 내지 0.0150인치의 롤 간격 및 5rpm의 롤 속도를 갖는 2개의 조절식 롤 밀을 통해 공급한다. 적층물을 강제식 공기 오븐에서 5℃/분으로 실온으로부터 120℃로 가열시킨 후, 1시간 동안 120℃로 유지시킨다. 적층물을 실온으로 냉각시키고 실리콘 수지 필름을 PET 시트로부터 분리시킨다. 실리콘 수지 필름을 2개의 테플론 시트 사이에 위치시키고, 2시간 동안 140℃로 가열한다. 실리콘 수지 필름의 열 방출 특성을 표 1에 기재한다.
실시예 5
페닐트리메톡시실란(1.66g)을 베이커 퍼킨스(Baker Perkins) 혼합기에서 93 내지 94%의 실리콘 수지 A와 6 내지 7%의 톨루엔을 함유한 혼합물 159.59g에 첨가한다. 이어서, SpectrAlTM 51 퓸드 알루미나(81.74g)를 혼합물에 5 내지 10g씩 나누어서 첨가한다. 충전제의 약 절반을 첨가한 후, 비닐트리메톡시실란(충전제 처리제) 1.25g을 배합물에 첨가한다. 퓸드 알루미나의 첨가를 마친 후, 배합물을 실온에서 15분간 혼합한다.
배합물을 혼합기에서 20분간 100℃로 가열한다. 샘플이 100℃에 도달하면 계에 진공을 가하여 잔류하는 임의의 톨루엔 및/또는 처리제를 제거한다. 샘플을 진공(약 25in.Hg)하에 100 내지 129℃의 승온에서 40분간 혼합한다. 압력을 대기압 수준으로 되돌리고 샘플을 약 100℃로 냉각시킨다. 샘플이 약 100℃에 도달하면, 실리콘 수지 A와 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠을 배합물에 서서히 첨가하여 1:1의 Si-H/Vi 비율을 달성한다. 이 공정은 완료까지 약 1시간이 소요된다. 첨가를 마친 후, 배합물을 1시간 10분 동안 더 혼합한다. 배합물 중의 퓸드 알루미나의 최종 농도는 20.3%이다.
백금 촉매(배합물의 중량을 기준으로 0.5%)를 상기 혼합물에 첨가하고 성분들을 스파츌라를 사용하여 수동으로 혼합한 후 하우쉴드 혼합기를 사용하여 14초 동안 혼합한다. 촉매의 첨가와 혼합 과정을 3회 반복한다. 조성물을 피펫을 사용하여 2개의 PET 필름(40.1㎝×22.9㎝) 사이에 위치시킨다. 이어서 어셈블리를 0.0100 내지 0.0150인치의 롤 간격 및 5rpm의 롤 속도를 갖는 2개의 조절식 롤 밀을 통해 공급한다. 적층물을 강제식 공기 오븐에서 5℃/분으로 실온으로부터 120℃로 가열시킨 후, 1시간 동안 120℃로 유지시킨다. 적층물을 실온으로 냉각시키고 실리콘 수지 필름을 PET 시트로부터 분리시킨다. 실리콘 수지 필름을 2개의 테플론 시트 사이에 위치시키고, 2시간 동안 140℃로 가열한다. 실리콘 수지 필름의 열 방출 특성을 표 1에 기재한다.
대조예 2
실리콘 조성물의 제조시 Nyad® 1250을 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 4의 방법을 사용하여 실리콘 수지 필름을 제조한다.
Figure 112009020344196-PCT00003
두께는 실리콘 수지 필름의 두께를 나타내고, HRR은 열 방출율을 나타내며, 시험 표면은 실시예 1 내지 5에서 실리콘 수지 필름의 노출된 측면(측면 1: 상부; 측면 2: 바닥), 또는 대조예 1에서 측벽 패널의 노출된 측면(측면 1: 벌집형 측면)을 나타낸다.
Figure 112009020344196-PCT00004

Claims (12)

  1. (i) 제1 이형 라이너를 충전된 실리콘 조성물(여기서, 충전된 실리콘 조성물은 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지를 포함하는 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물, 및 난연성 충전제를 포함한다)로 피복하는 단계,
    (ii) 상기 피복된 제1 이형 라이너에 제2 이형 라이너를 도포하여 어셈블리를 형성하는 단계,
    (iii) 상기 어셈블리를 압축시키는 단계, 및
    (iv) 상기 압축된 어셈블리의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함하는, 두께 1 내지 500㎛의 실리콘 수지 필름의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물이 (A) 화학식 (R1R2 2SiO1/2)w(R2 2SiO2/2)x(R1SiO3/2)y(SiO4/2)z(I)[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R2는 R1 또는 알케닐이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는 실리콘 수지, (B) 실리콘 수지를 경화시키기에 충 분한 양의, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는 유기규소 화합물, 및 (C) 촉매량의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 유기규소 화합물이 화학식 HR1 2Si-R3-SiR1 2H[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R3은 화학식
    Figure 112009020344196-PCT00005
    의 그룹으로부터 선택된, 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는 하이드로카빌렌 그룹이며, g는 1 내지 6이다]를 갖는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 하이드로실릴화-경화성 실리콘 조성물이 (A') 화학식 (R1R4 2SiO1/2)w(R4 2SiO2/2)x(R4SiO3/2)y(SiO4/2)z(Ⅱ)[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹 을 갖지 않는다)이고, R4는 R1 또는 -H이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지, (B') 실리콘 수지를 경화시키기에 충분한 양의, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는 유기규소 화합물, 및 (C) 촉매량의 하이드로실릴화 촉매를 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 실리콘 수지 필름이 15 내지 300㎛의 두께를 갖는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 난연성 충전제가 삼수산화알루미늄 및 퓸드(fumed) 알루미나로부터 선택되는 방법.
  7. 제1항의 방법에 따라 제조된, 실리콘 수지 필름.
  8. 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹 또는 규소-결합된 수소원자를 갖는 1종 이상의 실리콘 수지의 경화 생성물 및
    난연성 충전제
    를 포함하는, 두께 1 내지 500㎛의 실리콘 수지 필름.
  9. 제8항에 있어서, 실리콘 수지가 화학식 (R1R2 2SiO1/2)w(R2 2SiO2/2)x(R1SiO3/2)y(SiO4/2)z(I)[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R2는 R1 또는 알케닐이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 그룹을 갖는 실리콘 수지인, 실리콘 수지 필름.
  10. 제8항에 있어서, 실리콘 수지가 화학식 (R1R4 2SiO1/2)w(R4 2SiO2/2)x(R4SiO3/2)y(SiO4/2)z(Ⅱ)[여기서, R1은 C1 내지 C10 하이드로카빌 또는 C1 내지 C10 할로겐-치환된 하이드로카빌(이들은 둘 다 지방족 불포화 그룹을 갖지 않는다)이고, R4는 R1 또는 -H이며, w는 0 내지 0.8이고, x는 0 내지 0.6이며, y는 0 내지 0.99이고, z는 0 내지 0.35이며, w+x+y+z는 1이고, y+z는 0.2 내지 0.99이며, w+x는 0.01 내지 0.8이다]로 표시되는, 분자 1개당 평균 2개 이상의 규소-결합된 수소원자를 갖는 실리콘 수지인, 실리콘 수지 필름.
  11. 제8항에 있어서, 실리콘 수지 필름이 15 내지 300㎛의 두께를 갖는 실리콘 수지 필름.
  12. 제8항에 있어서, 난연성 충전제가 삼수산화알루미늄 및 퓸드 알루미나로부터 선택되는, 실리콘 수지 필름.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014109593A1 (ko) * 2013-01-10 2014-07-17 주식회사 두산 절연수지 필름, 상기 필름을 포함하는 금속박 적층판 및 인쇄회로기판, 및 상기 필름을 포함하는 회로기판의 제조방법
US11326065B2 (en) 2010-03-23 2022-05-10 Asahi Rubber Inc. Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8092910B2 (en) 2005-02-16 2012-01-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. Reinforced silicone resin film and method of preparing same
CN101120054B (zh) 2005-02-16 2013-01-09 陶氏康宁公司 增强的有机硅树脂膜及其制备方法
EP1910471B1 (en) 2005-08-04 2012-06-06 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and method of preparing same
EP1969065B1 (en) * 2005-12-21 2011-07-27 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition
EP1973964B1 (en) 2006-01-19 2011-07-06 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone compositon
CN101379153B (zh) * 2006-02-02 2011-12-28 陶氏康宁公司 有机硅树脂膜，其制备方法和纳米材料填充的有机硅组合物
WO2007097835A2 (en) * 2006-02-20 2007-08-30 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition
CN101646559A (zh) 2007-02-22 2010-02-10 陶氏康宁公司 具有优良的耐火性和抗冲击性的复合制品及其制备方法
WO2008103228A1 (en) 2007-02-22 2008-08-28 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin films
JP5377334B2 (ja) 2007-02-22 2013-12-25 ダウ コーニング コーポレーション 強化シリコーン樹脂フィルム
CN102473824B (zh) 2009-06-26 2015-08-05 株式会社朝日橡胶 白色反射材料及其制造方法
JP2012007136A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
CN102775907A (zh) * 2012-08-21 2012-11-14 华塑（青岛）科技有限公司 一种用于led灯的散热涂料
CN102775908A (zh) * 2012-08-21 2012-11-14 华塑（青岛）科技有限公司 一种用于led灯的散热涂料的制备方法
CN103302842A (zh) * 2013-05-27 2013-09-18 苏州扬清芯片科技有限公司 一种聚二甲基硅氧烷薄膜的制作方法
JP2016027069A (ja) * 2014-06-26 2016-02-18 日東電工株式会社 難燃材料およびその用途
US10316148B2 (en) * 2015-03-20 2019-06-11 Dow Toray Co., Ltd. Organopolysiloxane, production method thereof, and curable silicone composition
KR102115684B1 (ko) * 2015-09-25 2020-05-26 엘켐 실리콘즈 프랑스 에스에이에스 가요성 기판을 위한 비점착성 코팅의 제조를 위한 가교결합가능한 실리콘 조성물, 및 이 조성물 중에 함유된 부착-촉진성 첨가제
CN110670414B (zh) * 2019-10-16 2020-11-24 淮阴师范学院 一种耐热防水墙纸及其制备方法
US20220235271A1 (en) * 2021-01-28 2022-07-28 TE Connectivity Services Gmbh Hybrid silicone composite for high temperature applications

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US736971A (en) * 1902-07-26 1903-08-25 William R Jenkins Power-hammer.
US2702764A (en) * 1949-08-20 1955-02-22 Fabric Res Lab Inc High tear strength resin-coated nylon fabric and method of making the same
US3031417A (en) * 1958-04-21 1962-04-24 Du Pont Preparation of fibrous alumina monohydrate and aquasols thereof
NL129346C (ko) * 1966-06-23
US4087585A (en) * 1977-05-23 1978-05-02 Dow Corning Corporation Self-adhering silicone compositions and preparations thereof
JPS55120656A (en) * 1979-03-09 1980-09-17 Toray Silicone Co Ltd Curable liquid organopolysiloxane composition
US4260780A (en) * 1979-11-27 1981-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Phenylmethylpolysilane polymers and process for their preparation
US4276424A (en) * 1979-12-03 1981-06-30 Petrarch Systems Methods for the production of organic polysilanes
US4332525A (en) * 1979-12-03 1982-06-01 United Technologies Corporation Matched stiffness rotor flexbeam and blade system
JPS56157464A (en) * 1980-05-09 1981-12-04 Toshiba Silicone Co Ltd Coat formation
US4314956A (en) * 1980-07-23 1982-02-09 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide pre-ceramic polymers
US4324901A (en) * 1981-04-29 1982-04-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Soluble polysilastyrene and method for preparation
JPS5945356A (ja) * 1982-09-08 1984-03-14 Toray Silicone Co Ltd 導電性シリコ−ンゴム組成物
US4530879A (en) * 1983-03-04 1985-07-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation activated addition reaction
US4460640A (en) * 1983-04-06 1984-07-17 Dow Corning Corporation Fiber reinforced glass matrix composites
US4460638A (en) * 1983-04-06 1984-07-17 Dow Corning Corporation Fiber reinforced glass matrix composites
US4460639A (en) * 1983-04-06 1984-07-17 Dow Corning Corporation Fiber reinforced glass matrix composites
US4510094A (en) * 1983-12-06 1985-04-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Platinum complex
US4537829A (en) * 1984-09-20 1985-08-27 Dow Corning Corporation Curable silicone compositions comprising resins
US4568566A (en) * 1984-10-30 1986-02-04 General Electric Company Acrylic-functional silicone resin compositions
JPS62257939A (ja) * 1986-05-02 1987-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコ−ンエラストマ−球状微粉末の製造方法
JPS63251464A (ja) * 1987-04-08 1988-10-18 Toray Silicone Co Ltd 導電性シリコ−ンゴム粒状物
US4766176A (en) * 1987-07-20 1988-08-23 Dow Corning Corporation Storage stable heat curable organosiloxane compositions containing microencapsulated platinum-containing catalysts
DE3811567A1 (de) * 1988-04-07 1989-10-19 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von organopolysilanen
JPH0214244A (ja) * 1988-06-30 1990-01-18 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 加熱硬化性オルガノポリシロキサン組成物
US4916169A (en) * 1988-09-09 1990-04-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Visible radiation activated hydrosilation reaction
JPH02218755A (ja) * 1989-02-20 1990-08-31 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP2631572B2 (ja) * 1990-04-27 1997-07-16 東芝シリコーン株式会社 導電性シリコーンゴム組成物
JP3029680B2 (ja) * 1991-01-29 2000-04-04 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノペンタシロキサンおよびその製造方法
US5213868A (en) * 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
JP2698491B2 (ja) * 1991-08-19 1998-01-19 信越化学工業株式会社 ガラス繊維織物の処理剤
US5281455A (en) * 1991-08-22 1994-01-25 Dow Corning Corporation Laminate article comprising moisture-curable silicone pressure sensitive adhesive and release liner
US5278272A (en) * 1991-10-15 1994-01-11 The Dow Chemical Company Elastic substantialy linear olefin polymers
JP2511348B2 (ja) * 1991-10-17 1996-06-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
JP3161786B2 (ja) * 1991-11-20 2001-04-25 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
US5312946A (en) * 1992-04-13 1994-05-17 General Electric Company Siloxane fluid from methylchlorosilane residue waste
JP3367964B2 (ja) * 1992-04-21 2003-01-20 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性樹脂組成物
US5861467A (en) * 1993-05-18 1999-01-19 Dow Corning Corporation Radiation curable siloxane compositions containing vinyl ether functionality and methods for their preparation
JP3406646B2 (ja) * 1993-06-29 2003-05-12 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
DE4423195A1 (de) * 1994-07-01 1996-01-04 Wacker Chemie Gmbh Triazenoxid-Übergangsmetall-Komplexe als Hydrosilylierungskatalysatoren
EP0699717A3 (en) * 1994-08-30 1997-01-02 Dow Corning Organopolysiloxane compositions curable into products having good adhesiveness and reduced flammability
US5738976A (en) * 1995-03-16 1998-04-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photo-curable organopolysiloxane composition and a method for producing a (meth) acryloyloxyl group-containing organopolysiloxane used therein
US5794649A (en) * 1996-10-01 1998-08-18 O. Ames Co. Portable hose cart assembly
DE19647368A1 (de) * 1996-11-15 1998-05-20 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verbundwerkstoffe
US5904796A (en) * 1996-12-05 1999-05-18 Power Devices, Inc. Adhesive thermal interface and method of making the same
US5747608A (en) * 1996-12-31 1998-05-05 Dow Corning Corporation Rubber-modified rigid silicone resins and composites produced therefrom
EP0850998B1 (en) * 1996-12-31 2004-04-28 Dow Corning Corporation Method for making rubber-modified rigid silicone resins and composites produced therefrom
US6884314B2 (en) * 1997-02-07 2005-04-26 Henkel Corporation Conducive, silicone-based compositions with improved initial adhesion reduced microvoiding
JP3576741B2 (ja) * 1997-03-06 2004-10-13 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーン硬化物の難燃性を向上させる方法
US6432497B2 (en) * 1997-07-28 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components
JP4086946B2 (ja) * 1998-01-05 2008-05-14 日東電工株式会社 熱伝導性感圧接着シ―ト類およびこれを用いた電子部品と放熱部材との固定方法
US5972512A (en) * 1998-02-16 1999-10-26 Dow Corning Corporation Silicone resin composites for fire resistance applications and method for fabricating same
JP3641377B2 (ja) * 1998-12-17 2005-04-20 日本原子力研究所 繊維強化されたポリテトラフルオロエチレン複合成形体の製造方法
US7622159B2 (en) * 1999-01-28 2009-11-24 Loparex, Inc. Release liners and processes for making the same
JP3932155B2 (ja) * 1999-06-03 2007-06-20 信越化学工業株式会社 球状シリコーン樹脂微粒子
US6368535B1 (en) * 1999-08-06 2002-04-09 Dow Corning Corporation Condensation reaction curable silsesquioxane resin composition and methods for the synthesis and cure thereof
FR2801601B1 (fr) * 1999-11-26 2003-04-25 Rhodia Chimie Sa Complexe silicone reticulable thermiquement / adhesif dont l'interface possede une force de decollement modulable
JP3695516B2 (ja) * 1999-12-13 2005-09-14 信越化学工業株式会社 エアーバッグコーティング用シリコーンゴム組成物
US7658983B2 (en) * 2000-06-21 2010-02-09 Cogebi Societe Anonyme Protective barrier
US6387487B1 (en) * 2000-08-11 2002-05-14 General Electric Company Dual cure, low-solvent silicone pressure sensitive adhesives
JP4759122B2 (ja) * 2000-09-12 2011-08-31 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート及び熱伝導性グリス
US6407922B1 (en) * 2000-09-29 2002-06-18 Intel Corporation Heat spreader, electronic package including the heat spreader, and methods of manufacturing the heat spreader
JP4697829B2 (ja) * 2001-03-15 2011-06-08 ポリマテック株式会社 カーボンナノチューブ複合成形体及びその製造方法
US6902688B2 (en) * 2001-04-06 2005-06-07 World Properties, Inc. Electrically conductive silicones and method of manufacture thereof
RU2304463C2 (ru) * 2001-06-22 2007-08-20 Аргонид Корпорейшн Наноразмерный электроположительный волокнистый адсорбент
CA2471842A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US6680016B2 (en) * 2001-08-17 2004-01-20 University Of Dayton Method of forming conductive polymeric nanocomposite materials
US7074481B2 (en) * 2001-09-17 2006-07-11 Dow Corning Corporation Adhesives for semiconductor applications efficient processes for producing such devices and the devices per se produced by the efficient processes
US7311967B2 (en) * 2001-10-18 2007-12-25 Intel Corporation Thermal interface material and electronic assembly having such a thermal interface material
US6689859B2 (en) * 2002-03-05 2004-02-10 Dow Corning Corporation High fracture toughness hydrosilyation cured silicone resin
AU2003242179A1 (en) * 2002-06-05 2003-12-22 Dow Corning Asia Ltd. Polysiloxane film and process for producing the same
JP3919001B2 (ja) * 2002-08-08 2007-05-23 信越化学工業株式会社 付加反応硬化型オルガノポリシロキサン組成物
US6908682B2 (en) * 2002-09-12 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic
US6783692B2 (en) * 2002-10-17 2004-08-31 Dow Corning Corporation Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation
US6841213B2 (en) * 2002-12-27 2005-01-11 Scimed Life Systems, Inc Fiber pattern printing
US7037592B2 (en) * 2003-02-25 2006-05-02 Dow Coming Corporation Hybrid composite of silicone and organic resins
US20050059754A1 (en) * 2003-07-31 2005-03-17 Lunt Michael S. Electrically conductive, flame retardant fillers, method of manufacture, and use thereof
DE602004029088D1 (de) * 2003-12-22 2010-10-21 Dow Corning Siliconzusammensetzungen und deren verwendung bei der gezielten ablösung oder übertragung von gedruckten oder geformten strukturen und übertragungsverfahren dafür
DE102004014216A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Wacker-Chemie Gmbh Vernetzbare Massen auf der Basis von Organosiliciumverbindungen
US7328222B2 (en) * 2004-08-26 2008-02-05 Oracle International Corporation Method and apparatus for preserving data coherency in a database by generating a command object that includes instructions for writing a data record to a local cache
US8092910B2 (en) * 2005-02-16 2012-01-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. Reinforced silicone resin film and method of preparing same
CN101120054B (zh) * 2005-02-16 2013-01-09 陶氏康宁公司 增强的有机硅树脂膜及其制备方法
ATE528355T1 (de) * 2005-02-16 2011-10-15 Dow Corning Verstärkte silikonharzfolie und herstellungsverfahren dafür
ATE452928T1 (de) * 2005-06-14 2010-01-15 Dow Corning Angereicherte silikonharzfolie und verfahren für ihre zubereitung
EP1910471B1 (en) * 2005-08-04 2012-06-06 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and method of preparing same
EP1969065B1 (en) * 2005-12-21 2011-07-27 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition
EP1973964B1 (en) * 2006-01-19 2011-07-06 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone compositon
CN101379153B (zh) * 2006-02-02 2011-12-28 陶氏康宁公司 有机硅树脂膜，其制备方法和纳米材料填充的有机硅组合物
WO2008088570A1 (en) * 2006-04-18 2008-07-24 Itn Energy Systems, Inc. Reinforcing structures for thin-film photovoltaic device substrates, and associated methods
US20090090413A1 (en) * 2006-04-18 2009-04-09 Dimitris Elias Katsoulis Cadmium Telluride-Based Photovoltaic Device And Method Of Preparing The Same
KR20090107529A (ko) * 2007-02-06 2009-10-13 다우 코닝 코포레이션 실리콘 수지, 실리콘 조성물, 피복된 기판 및 강화 실리콘 수지 필름
US20100087581A1 (en) * 2007-02-22 2010-04-08 Mark Fisher Reinforced Silicone Resin Film and Method of Preparing Same
CN101627096B (zh) * 2007-02-22 2012-11-07 道康宁公司 增强硅树脂膜及其制备方法
WO2008103228A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin films
JP5377334B2 (ja) * 2007-02-22 2013-12-25 ダウ コーニング コーポレーション 強化シリコーン樹脂フィルム
EP2142589A2 (en) * 2007-05-01 2010-01-13 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film
JP5269885B2 (ja) * 2007-05-01 2013-08-21 ダウ・コーニング・コーポレイション ナノ材料充填シリコーン組成物及び強化シリコーン樹脂フィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11326065B2 (en) 2010-03-23 2022-05-10 Asahi Rubber Inc. Silicone resin reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition used in reflective substrate
WO2014109593A1 (ko) * 2013-01-10 2014-07-17 주식회사 두산 절연수지 필름, 상기 필름을 포함하는 금속박 적층판 및 인쇄회로기판, 및 상기 필름을 포함하는 회로기판의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101522838B (zh) 2012-07-04
US20090246499A1 (en) 2009-10-01
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WO2008042056A1 (en) 2008-04-10
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