KR101153533B1 - 금속 수은의 산화 촉매 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 촉매량을 증가시키지 않고 또한 SO2 산화 성능을 높이지 않고 종래 촉매보다도 높은 수은 산화 성능을 갖는 촉매를 제공하는 것으로, 몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물, 예를 들어 MoV2O8를 촉매 활성을 갖는 주성분으로 하고, 상기 몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물을 판 형상 또는 허니콤 형상의 다공질 담체 표면에만 층 형상으로 담지하여 금속 수은의 산화 촉매를 구성하며, 다공질 담체는 Ti와 W를 포함하고 전체로서 탈초 촉매의 기능을 갖는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 배기 가스 중에 포함되는 금속 수은의 산화 촉매와 배기 가스 정화 방법에 관한 것이다.
최근 석유의 고갈이 염려되고 있고, 이후의 장기적인 에너지의 안정 공급원으로서 가채 매장량이 풍부하고 또한 지역적 편재성이 적은 석탄을 연료로 한 화력 발전이 중요한 역할을 담당할 것으로 기대되고 있다.
한편, 석탄의 연소에 따라 발생하는 배기 가스 중에 포함되는 농도 0.1 % 이하의 미량 원소[수은(Hg), 셀렌(Se), 비소(As), 카드뮴(Cd), 납(Pd) 등]에 대해서는 환경 중에서의 허용 농도를 초과한 경우에 생물에 대하여 독성을 나타내는 것을 알 수 있다. 특히 증기압이 높은 원소 수은은 대기에 방출되기 쉽고, 미량이어도 인체에 노출되면 신경 장해나 신장 장해, 심장 혈관 질환을 초래한다. 또한, 대기에 방출된 무기 수은이 호수나 바다에 흡수되면, 무기 수은이 유기 수은(메틸 수은)으로 변화된다. 이들 유기 수은이 어개류(魚介類)를 거쳐 인체에 흡수되면, 최기(催奇) 장해를 일으킨다. 이 때문에, 미국을 중심으로 세계 각국에서 수은의 배출에 대해서 엄격한 규제가 가해지고 있다.
화력 발전소로부터 배출되는 배기 가스에 포함되는 수은은 금속 형태와 산화 형태가 존재하고 있고, 이들 중 금속 형태의 수은은 매연 및 다른 입자에는 고착되지 않고, 대기 온도에 가까운 온도이어도 기상 중에 잔류하므로, 전기 집진 장치나 백필터 등의 제진 장치로 제거하기는 곤란하다. 한편, 산화 형태의 수은, 특히 배기 가스 중의 염화 수소 또는 염소와 반응하여 생성되는 염화 수은은 증기압이 낮고, 가용성이며, 잿속, 탈황 장치의 흡수액 중에 용이하게 고정화되므로, 비교적 용이하게 전기 집진기 등의 제진 장치나 탈황 장치 등으로 흡수?제거할 수 있다.
그 때문에, 수은의 산화 기능을 갖는 고체 촉매를 사용하여 금속능(金屬能) 수은을 증기압이 낮은 산화능(酸化能) 수은으로 산화시키고, 후류(後流)의 제진 장치나 탈황 장치 등으로 제거하는 연구가 진행되고 있다. 이와 같은 고체 촉매로서는 예를 들어, 티탄(Ti)을 주성분으로 하고, 이에 바나듐(V), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 산화물을 첨가한 일반적인 탈초(脫硝) 촉매(Ti-Mo-V, Ti-W-V)가 잘 알려져 있다. 이들 촉매는 할로겐 화합물의 존재하에서 금속능 수은을 산화능 수은으로 효율적으로 산화시킬 수 있는 것이다(JP2005-125211 Al 및 JP2003-53142 A1). 또한, 특허 문헌 JP01-176431 A1에는 배기 가스 중의 휘발성 금속 화합물에 의해 촉매 활성이 저하되기 어려운 촉매를 사용한 질소 산화물 제거 방법이 개시되고, 특허 문헌 JP2001-219066 A1에는 산화티탄(TiO2), 티타니아-실리카 복합 산화물(TiO2-SiO2) 또는 이들 혼합물을 함유하는 유기 할로겐 화합물의 제거용 촉매로서, 또한 바나듐과 몰리브덴의 복합 산화물을 함유하는 것이 개시되어 있다.
상기한 바와 같은 Ti-Mo-V 촉매 또는 Ti-W-V 촉매는 배기 가스의 온도가 높은 경우나 배기 가스 중의 할로겐 화합물 농도가 낮은 경우에는 금속 수은의 산화 효율이 저하된다. 이 산화 효율 저하에 대해서는 촉매량을 증가시켜, 활성점수(活性點數)를 증가시키면 금속 수은의 산화 활성을 향상시킬 수 있다. 그런데, 이 방법에서는 촉매량의 증가에 따라 SO2의 산화 활성도 증대되는 것이 큰 문제이다. 또한, 특허 문헌 JP01-176431 A1 및 JP2001-219066 A1에는 금속 수은의 산화 제거에 대해서는 설명되어 있지 않다.
본 발명의 과제는 촉매량을 증가시키지 않고 또한 SO2 산화 성능을 높이지 않고 종래 촉매 보다도 높은 수은 산화 성능을 갖는 촉매를 제공하는 것이다.
상기 과제는 배기 가스 중에 포함되는 금속 수은과, 산소 또는 염화 수소를 산화적으로 반응시키는 촉매에서, 몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물(이하, Mo-V 복합 산화물이라고 함)을 촉매 활성을 갖는 주성분으로 하고, 이 Mo-V 복합 산화물을 판 형상 또는 허니콤 형상의 다공질 담체의 표면에만 층 형상으로 담지함으로써 해결된다.
Mo-V 복합 산화물로서는 예를 들어 MoV2O8을 사용한다. 또한, 상기 Mo-V 복합 산화물이 실리카, 티타니아, 알루미나, 지르코니아로부터 선택되는 1 종류 이상으로 이루어진 희석제로 희석되어 있는 것으로 해도 좋다.
상기 희석제와 Mo-V 복합 산화물의 혼합 몰비는 0/100~90/10의 범위에 있는 것이 바람직하다.
상술한 촉매에 금속 수은을 포함하는 배기 가스를 접촉시킴으로써, 배기 가스 중의 금속 수은을 산화한다.
본 발명자들은 촉매 활성을 갖는 성분으로서 Mo-V 복합 산화물을 사용하여, 상기 Mo-V 복합 산화물을 판 형상 또는 허니콤 형상의 다공질 담체의 표면에만 층상으로 담지한 촉매로 했다. 본 촉매는 산소 또는 염화 수소의 존재하에서 배기 가스 중의 금속 수은을 보다 효율적으로 산화시킬 수 있는 촉매이고, 판 형상 또는 허니콤 형상의 다공질 담체의 표면에만 Mo-V 복합 산화물을 담지하는 것만으로 높은 성능을 실현할 수 있는 점에 특징이 있다.
본 촉매에서의 주된 활성 성분은 예를 들어 MoV2O8의 형태로 표시되는 Mo-V 복합 산화물이고, 이 촉매의 수은 산화 성능은 Mo나 V의 산화물이 각각 단독으로 존재하고 있는 촉매보다도 높다. 또한, 수은의 산화 반응은 촉매 중 미세 구멍 내의 가스의 확산 속도가 율속(律速)이므로, 촉매의 표면 부분에서 잘 진행되는 반응인데 대해, SO2의 산화 반응은 반응 속도가 늦으므로, 촉매 내부도 포함하는 촉매의 절대량에 크게 의존한다. 이 때문에, 다공질 담체의 표면에만 Mo-V 복합 산화물을 층상으로 담지하고, 내부에 활성점이 존재하지 않는 촉매를 형성시킴으로써 SO2의 산화성능을 높이지 않고 수은의 산화성능만을 높이는 것이 가능해진다.
또한, 실리카, 티타니아, 알루미나, 지르코니아 등의 수은 산화 반응에 대해서 불활성인 산화물을 희석제로서 사용하고, 상기의 Mo-V 복합 산화물 촉매를 희석한 후, 이를 다공질 담체의 표면에 코팅할 수도 있다. 이와 같이 하면, 코팅하는 활성 성분량을 제어하는 경우, Mo-V 복합 산화물과 희석제의 혼합 비율을 변화시키는 것만으로 좋으므로 조작이 간단하다. 또한, Mo-V 복합 산화물이 희석제의 입자 표면에 고분산된 상태에서 촉매의 표층부에 활성 성분의 층이 형성되므로, 배기 가스를 촉매에 통과시켰을 때 배기 가스가 촉매 미세 구멍 내를 확산하는 단계에서 촉매 활성점과 금속 수은이 접촉되기 쉬운 상태가 된다. 이 때문에 Mo-V 복합 산화물을 희석하지 않은 경우와 비교하여 적은 활성 성분량이어도 높은 수은 산화 성능을 수득할 수 있다.
또한, 상기한 희석제는 코팅 처리시에 다공질 담체와 활성 성분의 바인더로서의 역할도 수행하므로, Mo-V 복합 산화물과 희석제의 혼합 슬러리로 함으로써 코팅 후의 촉매 표면의 내마모성이 향상되는 이점도 있다.
도 1은 실시예 1 및 비교예 1에 기재한 Mo-V 촉매의 조성을 X선 회절 분석에 의해 정성(定性)한 결과를 도시한 도면이다.
Mo-V 복합 산화물의 조제 방법에서는 몰리브덴 원료로서, 몰리브덴산 암모늄이나 몰리브덴산 나트륨 등 일반적으로 잘 알려져 있는 몰리브덴산 알칼리 이외에, 몰리브덴산이나 삼산화 몰리브덴이 사용 가능하지만, 몰리브덴산 알칼리의 경우, 나트륨이나 칼륨, 마그네슘이라는 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속을 포함하는 것을 사용하면, 이들 알칼리 성분이 촉매독이 되고, 촉매 열화를 앞당길 가능성이 있으므로 몰리브덴산 암모늄을 사용하는 것이 바람직하다.
바나듐 원료로서는 바나듐의 가수(價數)가 4 이하인 바나듐 화합물을 사용하면 좋고, 예를 들어 이산화바나듐이나 수산(蓚酸) 바나듐 등을 사용하는 것이 바람직하다. 바나듐의 가수가 5인 바나듐 화합물, 예를 들어 바나듐산 암모늄이나 오산화바나듐 등은 상기의 몰리브덴 화합물과 혼합해도 몰리브덴, 바나듐 각각의 단독 산화물을 형성하기 쉽고, 복합 산화물을 만들기 어려우므로 바람직하지 않다. 또한, Mo-V 복합 산화물은 상기한 몰리브덴 원료와 바나듐 원료를 각각 1종 이상 혼합하고, 그 혼합 용액을 가열 혼합 후, 건조 및 또는 소성하는 주지의 방법에 의해 조제할 수 있다. 이 때의 소성 온도는 너무 낮으면 몰리브덴과 바나듐의 복합화가 불충분해지고, 반대로 온도가 너무 높으면 Mo-V 복합 산화물의 입자경이 너무 커지므로 400~600 ℃로 하는 것이 바람직하다.
Mo-V 복합 산화물을 코팅하는 담체에는 각종의 무기 다공질 담체를 사용할 수 있고, 예를 들어 무기 섬유 시트를 콜게이트 가공한 허니콤 형상 담체, 무기 섬유제 부직포 시트, 코디어라이트나 알루미나 등의 세라믹 허니콤 담체, E 유리 섬유 등의 무기 섬유 얀을 망 형상으로 짠 망 형상물 등을 사용할 수 있다. 또한, 금망(金網)이나 메탈라스(metal lath) 등의 망 형상물에 상기의 무기 섬유물을 담지한 것을 사용할 수도 있다.
이들 각종의 무기 다공질 담체로 Mo-V 복합 산화물을 코팅하는 방법은 Mo-V 복합 산화물에 물을 가하여 수득한 슬러리에, 무기 다공질 담체를 함침시킨 후, 건조 및 또는 소성하는 방법이나 슬러리를 물들인 롤러를 사용하여 담체 표면에 전착(轉着)시키는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, Mo-V 복합 산화물의 담지량은 50~300 g/㎡(촉매층 두께: 0.05~0.3 ㎜)로 하는 것이 바람직하지만, 150~200 g/㎡(촉매층 두께: 0.15~0.2 ㎜)로 하면 좋은 결과를 수득하기 쉽다. 담지량이 너무 적으면 충분한 성능이 수득되지 않고, 너무 많으면 촉매의 박리가 발생하므로 바람직하지 않다. 소성하는 경우에는 그 소성 온도를 400~600 ℃의 범위로 설정하면 좋다.
또한, Mo-V 복합 산화물을 희석제로 희석하여 사용하는 경우, 사용하는 희석제는 그 자체가 산화 반응에 대해서 불활성이면 좋고, 실리카나 티타니아, 알루미나, 지르코니아 등의 산화물 분말을 사용할 수 있다. 이들 희석제를 2 종 이상 조합시켜 사용해도 상관없다. 희석제와 Mo-V 복합 산화물의 혼합 비율은 원하는 촉매량이나 코팅 처리의 방법에 맞추어 자유롭게 선택할 수 있다. 희석제와 Mo-V 복합 산화물의 혼합 몰비는 0/100~90/10의 범위에 있으면 좋고, 희석제의 비율을 높게 하면 Mo-V 복합 산화물이 희석제의 입자 표면에 고분산되기 쉬워지고, 또한 다공질 담체에 코팅했을 때의 활성 성분의 부착성이 좋아지므로 좋은 결과를 가져오기 쉽다. 상기 희석제/Mo-V 복합 산화물을 코팅하는 담체에는 상기한 것과 동일한 각종의 다공질 담체를 사용할 수 있다. 또한, 이들 각종의 무기 다공질 담체로 희석제/Mo-V 복합 산화물을 코팅하는 방법은 희석제와 Mo-V 복합 산화물의 혼합물에 물을 가하여 수득한 슬러리에 무기 다공질 담체를 함침 후, 건조 및 또는 소성하는 방법이나 슬러리를 물들인 롤러를 사용하여 담체 표면에 전착시키는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, 희석제/Mo-V 복합 산화물의 담지량은 50~200 g/㎡(촉매층 두께: 0.05~0.2 ㎜)로 하는 것이 바람직하지만, 100~150 g/㎡(촉매층 두께: 0.1~0.15 ㎜)로 하면 좋은 결과를 수득하기 쉽다. 담지량이 너무 적으면 충분한 성능이 수득되지 않고, 너무 많으면 촉매의 박리가 발생하므로 바람직하지 않다. 소성하는 경우에는 그 소성 온도를 400~600 ℃의 범위로 설정하면 좋다.
이하, 구체예를 사용하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
(실시예 1)
산화티탄, 파라텅스텐산 암모늄, 물과 실리카계 무기 섬유를 혼합하여 니더를 사용하여 혼련하고, 조성이 Ti/W=95/5(원자비)인 촉매 페이스트를 수득했다. 이것과는 별도로 SUS430제 띠강(帶鋼)을 메탈라스 가공하여 눈크기가 약 2 ㎜의 망 형상 기재를 작성했다. 상기 기재에 상기 촉매 페이스트를 놓고, 가압 롤러를 통과시킴으로써, 기재의 그물코간 및 표면에 페이스트를 압착하여 두께 0.7 ㎜의 판 형상물로 성형했다. 상기 판 형상물을 150 ℃에서 2 시간 건조 후, 대기중 500 ℃에서 2 시간 소성하여 판 형상 다공질 담체를 수득했다.
몰리브덴산 암모늄과 바나듐졸(VO2졸: 20 wt%)를 Mo/V의 원자비가 1/1이 되도록 혼합하고, 150 ℃에서 약 2 시간에 걸쳐 증발 건조 고화시켰다. 수득된 분말을 대기중 500 ℃에서 2 시간 소성 후, 분쇄하여 Mo-V 촉매 분말을 수득했다. 다음에, 상기 Mo-V 촉매 분말에 물을 적량 첨가한 30 wt%의 촉매 슬러리에 상기의 판 형상 다공질 담체를 함침시킨 후 액 제거, 150 ℃에서 2 시간 건조 후, 대기 중 500 ℃에서 2 시간 소성하여, 촉매 담지량이 200 g/㎡(촉매층 두께: 0.2 ㎜)의 판형상 촉매를 조제했다. 본 실시예에서는 Mo-V 촉매는 판 형상 다공질 담체의 표면에만, 층 형상으로 담지되어 있다. 또한, 본 실시예의 Mo-V 촉매는 후술한 바와 같이 Mo-V 복합 산화물을 주성분으로 하여 형성되어 있다.
(실시예 2)
바나듐 원료를 바나듐 졸로부터 수산 바나딜로 변경한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 판 형상 촉매를 조제했다. 본 실시예에서도 Mo-V 촉매는 판 형상 다공질 담체의 표면에만 층 형상으로 담지되어 있고 Mo-V 복합 산화물을 주성분으로 하여 형성되어 있다.
(비교예 1)
바나듐 원료를 메타바나듐산 암모늄으로 변경한 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 판 형상 촉매를 조제했다. 본 비교예에서는 Mo-V 촉매는 판 형상 다공질 담체의 표면에만 층 형상으로 담지되어 있다. 또한, 본 비교예의 Mo-V 촉매는 후술한 바와 같이 Mo-V 복합 산화물을 주성분으로 하여 형성되어 있는 것은 아니다.
(비교예 2)
(비교예 2)
산화티탄, 파라텅스텐산 암모늄, 메타바나딘산 암모늄, 물과 실리카계 무기 섬유를 가하고 니더를 사용하여 혼련하고, 조성이 Ti/W/V=91/5/4(원자비)인 촉매 페이스트를 수득했다. 이것과는 별도로 SUS430제 띠강을 메탈라스 가공하여 눈 크기가 약 2 ㎜인 망 형상 기재(基材)를 작성하고, 이 기재에 상기 촉매 페이스트를 놓고 가압 롤러를 통과시킴으로써, 기재의 그물코간 및 표면에 촉매를 압착하여 두께 0.7 ㎜의 판 형상 촉매를 조제했다. 수득된 촉매를 150 ℃에서 2 시간 건조시킨 후, 대기 중 500 ℃에서 2 시간 소성했다.
(비교예 3)
촉매 조성을 Ti/W/V=93.5/5/1.5로 변경한 이외에는 비교예 1과 동일하게 하여 판 형상 촉매를 조제했다.
(비교예 4)
촉매 조성을 Ti/W/V=88/5/7로 변경한 이외에는 비교예 1과 동일하게 하여 판 형상 촉매를 조제했다.
실시예 1 및 비교예 1에서 조제한 Mo-V 촉매를 각각 X선 회절 분석한 결과를 도 1에 도시했다. 이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 바나듐 원료에 메타바나딘산 암모늄을 사용한 경우, 촉매 중의 바나듐 및 몰리브덴은 각각 단독의 산화물(V2O5, MoO3)로 존재하고 있는 것에 대해, 바나듐 원료에 VO2 졸을 사용한 경우에는 MoV2O8의 복합 산화물이 주성분으로 존재하고 있다. 또한, 수산 바나딜을 사용한 경우도 동일하게 MoV2O8의 복합 산화물이 주성분으로 존재하고 있다.
또한, 실시예 1, 2 및 비교예 1~4의 촉매에 대해서 몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물화에 의한 촉매 성능으로의 효과를 확인하기 위해, 표 1에 나타내는 시험 조건에서 수은의 산화율, 탈초율(脫硝率) 및 SO2 산화율을 각각 측정했다. 그 결과를 표 2에 정리하여 나타냈다.
표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, Mo-V 복합 산화물을 형성한 촉매(실시예 1, 2)는 몰리브덴과 바나듐의 산화물이 각각 단독으로 존재하는 촉매(비교예 1)보다도 효율적으로 금속 수은을 산화시킬 수 있다. 또한, 촉매의 표면에만 Mo-V 복합 산화물의 층을 형성함으로써, 금속 수은을 산화하는 촉매의 활성 성분이 촉매 중에 균일하게 분산되어 있는 촉매(비교예 2) 보다도 SO2 산화율을 낮게 억제할 수 있다.
(실시예 3)
실시예 1에 기재된 Mo-V 촉매 분말에 희석제로서 실리카 분말을 가한 후, 적량의 물을 가하고, 실리카 분말과 Mo-V 촉매 분말의 혼합 몰비가 90/10인 20 wt%의 혼합 슬러리를 수득했다. 이어서, 이 혼합 슬러리에 상기의 판 형상 다공질 담체를 함침한 후 액 제거, 150 ℃에서 2 시간 건조 후 대기 중 500 ℃에서 2 시간 소성하여, 촉매 담지량이 150 g/㎡(촉매층 두께: 0.15 ㎜)의 판 형상 촉매를 조제했다.
(실시예 4)
희석제를 산화티탄 분말로 변경한 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 판 형상 촉매를 조제했다.
(비교예 5)
비교예 1에서 사용한 Mo-V 촉매 분말에 희석제로서 실리카 분말을 가한 후, 적량의 물을 가하고, 실리카 분말과 Mo-V 촉매 분말의 혼합 몰비가 90/10인 20 wt%의 혼합 슬러리를 수득했다. 다음에, 이 혼합 슬러리에 상기의 판 형상 다공질 담체를 함침한 후 액 제거, 150 ℃에서 2 시간 건조 후 대기 중 500 ℃에서 2 시간 소성하여, 촉매 담지량이 150 g/㎡(촉매층 두께: 0.15 ㎜)의 판 형상 촉매를 조제했다.
(비교예 6)
희석제를 산화티탄 분말로 변경한 이외에는 비교예 5와 동일하게 하여 판 형상 촉매를 조제했다.
실시예 3, 4 및 비교예 5, 6에 대해서 표 1에 나타낸 시험 조건에서 수은의 산화율, 탈초율 및 SO2 산화율을 각각 측정했다. 수득된 결과를 표 3에 정리하여 나타냈다. 표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이 실리카나 티타니아 등의 적당한 희석제인 촉매 성분을 희석한 경우에도 MoV2O8의 복합 산화물을 판 형상 다공질 담체의 표면에만 담지시킨 촉매는 높은 Hg 산화율을 유지하고 있다.
상기 각 실시예는 모두 촉매를 판 형상으로 형성한 예이지만, 판 형상에 한정되지 않고 예를 들어 허니콤 형상으로 형성하는 등, 통상 촉매에 채용되는 형식이면 다른 형태이어도 좋다. 요(要)는 다공질 담체의 표면에 Mo-V의 복합 산화물을 층 형상으로 형성하면 좋다.
상술한 바와 같이, 다공질 담체의 표면에 Mo-V의 복합 산화물을 층 형상으로 형성한 촉매로 함으로써, 촉매량을 증가시키지 않고 또한 SO2 산화 성능을 높이지 않고 종래 촉매보다도 높은 수은 산화 성능을 갖는 촉매를 제공할 수 있었다.
Claims (9)
- 배기 가스 중에 포함되는 금속 수은과, 산소 또는 할로겐 화합물을 산화적으로 반응시키는 금속 수은의 산화 촉매에 있어서,촉매 활성을 갖는 2원계의 몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물을 포함하고, 상기 몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물이 판 형상 또는 허니콤 형상의 다공질 담체 표면에만 층 형상으로 담지되어 있는 금속 수은의 산화 촉매.
- 제 1 항에 있어서,몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물이 MoV2O8인 것을 특징으로 하는 금속 수은의 산화 촉매.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물이 실리카, 티타니아, 알루미나, 지르코니아로부터 선택되는 1 종류 이상으로 이루어진 희석제로 희석되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 수은의 산화 촉매.
- 제 3 항에 있어서,상기 희석제에 대한 몰리브덴과 바나듐의 복합 산화물의 혼합 몰비가 0 초과 9 이하의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 금속 수은의 산화 촉매.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 다공질 담체는 Ti와 W를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 수은의 산화 촉매.
- 제 3 항에 있어서,상기 다공질 담체는 Ti와 W를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 수은의 산화 촉매.
- 금속 수은을 포함하는 배기 가스와, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 촉매를 접촉시킴으로써 배기 가스 중의 금속 수은을 산화하는 것을 특징으로 하는 배기 가스의 정화 방법.
- 금속 수은을 포함하는 배기 가스와, 제 3 항에 기재된 촉매를 접촉시킴으로써, 배기 가스 중의 금속 수은을 산화하는 것을 특징으로 하는 배기 가스의 정화 방법.
- 금속 수은을 포함하는 배기 가스와, 제 5 항에 기재된 촉매를 접촉시킴으로써, 배기 가스 중의 금속 수은을 산화하는 것을 특징으로 하는 배기 가스의 정화 방법.
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