KR101151881B1 - 전하수송성 화합물, 전하수송성 재료, 전하수송성 니스,전하수송성 박막 및 유기 일렉트로루미네슨스 소자 - Google Patents
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Abstract
고분자 주쇄가 방향환 또는 복소환을 갖는 아미노기로 치환된 플루오렌 유도체의 9-위치에서 연결된 중합체로 이루어진 전하수송성 화합물, 예컨대 하기 식 (1)로 표시되는 화합물을 전하수송성 박막 중에 이용함으로써 유기 EL 소자의 저전압화, 고휘도화, 초수명화 및 무결함화를 도모할 수 있다.
일렉트로루미네슨스, 전하수송성, 방향환, 복소환, 유기, 플루오렌 유도체
Description
본 발명은 전하수송성 재료로서 유용한 신규 아민 화합물, 이를 이용한 전하수송성 유기 재료, 전하수송성 니스, 전하수송성 박막 및 유기 일렉트로루미네슨스(이하 유기 EL이라고 약칭함) 소자에 관한 것이다.
유기 EL 소자로는, 예컨대 1987년 이스트만 코닥사의 Tang 등에 의해 10V 이하의 구동 전압으로 1000cd/m2 정도의 특성을 나타내는 유기 일렉트로루미네슨스 소자가 보고되었다(예컨대 비 특허 문헌 1 참조).
Tang 등은 소자의 발광 효율을 높이기 위하여 전극과 유기 화합물의 최적화를 행하고, 정공수송층으로서 방향족 아민계 화합물, 전자수송성 발광층으로서 8-히드록시 퀴놀린의 알루미늄 착물을 이용한 유기 일렉트로루미네슨스 소자를 제작하였다.
정공수송성 재료로는, 방향족 디아민 유도체(예컨대 특허 문헌 1, 2 및 3 참 조), 방향족 아민 함유 고분자 등(예컨대 특허 문헌 4 및 5 참조)이 알려져 있다. 구체적인 예로서, 테트라페닐비페닐디아민(TPD), N-페닐카르바졸, 및 4,4'-[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)을 들 수 있다.
그러나, 이들 재료는 유리전이온도가 60℃～95℃로서, 소자 구동시의 줄 열 등에 의해 결정화되어 버리며, 이것이 소자의 열화를 일으키는 원인이 되고 있다. 따라서, 높은 유리전이온도를 가지며 안정적인 재료가 필요하게 되었다.
유리전이온도를 높이기 위하여 고분자 재료를 사용하는 경우도 있으며, 이러한 고분자 재료로는, 예컨대 폴리비닐카르바졸 등의 고분자 재료가 알려져 있다. 그러나, 폴리비닐카르바졸 등의 고분자 재료를 이용한 소자에서는 소자의 구동 전압이 높은데다가, 수명 특성이 나쁘다는 등의 문제가 있다. 따라서, 소자의 구동 전압의 저하를 도모할 수 있음과 동시에, 구동 수명을 개선할 수 있는 고분자 재료가 요구되고 있다.
비 특허 문헌 1 : 어플라이드 피직스 레터즈(Appl. Phys. Lett.), 51권, 913페이지, 1987년
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 평 8-20771호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 평 8-40995호 공보
특허 문헌 3 : 일본 특허 공개 평 8-40997호 공보
특허 문헌 4 : 일본 특허 공개 평 11-283750호 공보
특허 문헌 5 : 일본 특허 공개 2000-36390호 공보
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 뛰어난 전하수송성과 높은 유리전이온도를 갖는 전하수송성 화합물 및 그 화합물을 함유하는 전하수송성 재료, 전하수송성 니스, 전하수송성 박막 및 이 박막을 구비하는 유기 EL 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 한 결과, 고분자 주쇄가 방향환 또는 복소환을 갖는 아미노기로 치환된 플루오렌 유도체의 9-위치에서 연결된 중합체로 이루어지는 전하수송성 화합물이 뛰어난 전하수송성과 높은 유리전이온도를 가짐을 발견함과 동시에, 전하수송성 박막으로서 사용함으로써 소자의 저전압 구동의 향상 및 장기 수명화를 가능하게 함을 발견하고 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 하기 [1]～[13]의 발명을 제공한다.
[1] 고분자 주쇄가 방향환 또는 복소환을 갖는 아미노기로 치환된 플루오렌 유도체의 9-위치에서 연결된 중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 전하수송성 화합물.
[2] 수평균 분자량이 1,000～1,000,000인 것을 특징으로 하는 [1]의 전하수송성 화합물.
[3] 상기 중합체가 하기 식 (1)의 구조인 것을 특징으로 하는 [1] 또는 [2]의 전하수송성 화합물.
(상기 식에서, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 동일하여도 각각 달라도 좋은 치환 또는 치환되지 않은 방향환 또는 복소환을 나타내고, Ar1과 Ar2 및 Ar3과 Ar4는 각각 결합하여 환을 감고 있어도 좋다. R1 및 R2는 치환기를 가지고 좋은 2가의 유기기를 나타내고, R3는 양단에 산소 원자 또는 질소 원자를 갖는, 치환기를 가지고 있어도 좋은 2가의 유기기를 나타낸다. )
[4] 상기 중합체가 하기 식 (2)의 구조인 것을 특징으로 하는 [1] 또는 [2]의 전하수송성 화합물.
(상기 식에서, Ar5, Ar6, Ar7 및 Ar8은 동일하여도 각각 달라도 좋은 치환 또는 치환되지 않은 방향족 환 또는 복소환 기를 나타내고, Ar1과 Ar2 및 Ar3과 Ar4는 각각 결합하여 환을 감고 있어도 좋다. R4는 치환기를 가지고 있어도 좋은 2가의 유기기를 나타낸다.)
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나의 전하수송성 화합물 및 전자수용성 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전하수송성 유기 재료.
[6] 상기 전자수용성 화합물이 하기 식 (3)으로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 [5]의 전하수송성 유기 재료.
(상기 식에서, Ar9, Ar10 및 Ar11은 동일하여도 각각 달라도 좋은 치환 또는 치환되지 않은 방향족 기를 나타내고, R-는 음이온 종을 나타낸다. )
[7] [1] 내지 [4] 중 어느 하나의 전하수송성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하수송성 니스.
[8] [7]의 전하수송성 니스를 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 전하수송성 박막.
[9] [8]의 전하수송성 박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
[10] 상기 전하수송성 박막이 정공수송층인 것을 특징으로 하는 [8]의 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
[11] 상기 전하수송성 박막이 정공주입층인 것을 특징으로 하는 [8]의 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
[12] 상기 전하수송성 박막이 전자수송층인 것을 특징으로 하는 [8]의 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
[13] 상기 전하수송성 박막이 전자주입층인 것을 특징으로 하는 [8]의 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네슨스 소자를 도시한 모식 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네슨스 소자를 도시한 모식 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 유기 일렉트로루미네슨스 소자를 도시한 모식 단면도이다.
<부호의 설명>
1A, 1B, 1C : 유기 일렉트로루미네슨스 소자 2 : 기판
3 : 양극 4 : 정공수송층
5 : 발광층 6 : 음극
7 : 전자주입층 8 : 정공주입층
발명을 실시하기
위한
최량의
형태
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 전하수송성 화합물은 고분자 주쇄가 방향환 또는 복소환을 갖는 아미노기로 치환된 플루오렌 유도체의 9-위치에서 연결된 중합체이다. 여기서 전하수송성이란 도전성과 같은 의미이며, 정공수송성, 전자수송성, 정공 및 전자의 양(兩)전하수송성 중 어느 하나를 의미한다.
해당 중합체의 대부분은, 100℃ 이상의 유리전이온도를 가지며, 유기 EL 소자의 내열성이 크게 개선된다. 본 발명에서 이용하는 해당 중합체의 유리전이온도는 특히 120℃ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 중합체는 하나의 반복 단위로만 구성되는 중합체여도 좋으나, 유리전이온도나 기타 EL 특성을 개선하기 위하여 그 밖의 반복 단위를 포함하는 공중합체여도 좋다. 한편, 2종 이상의 상기 중합체를 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 중합체의 수평균 분자량으로는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 용제에 대한 용해성을 고려하면, 1,000～1,000,000, 특히 1,000～100,000이 바람직하다. 한편, 수평균 분자량은 겔 여과 크로마토그래피에 의한 측정값이다.
상기 중합체의 구체적인 구조로는 상기 식 (1)로 표시되는 것을 들 수 있다. 식 (1)에서, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 특별히 한정되지 않으나, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리딜기, 트리아질기, 피라딜기, 퀴녹살릴기, 티에닐기, 비페닐기 등이며, 이들은 치환기를 가지고 있어도 좋다.
치환기로는 특별히 제한은 없으나, 할로겐 원자, 메틸기, 에틸기 등의 탄소 수 1～6의 알킬기, 비닐기 등의 알켄일기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기 등의 탄소수 1～6의 알콕시 카르보닐기, 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1～6의 알콕시기, 페녹시기, 벤질옥시기 등의 아릴옥시기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기 등의 디알킬아미노기를 들 수 있다.
R1 및 R2는 특별히 한정되지 않으나, 2가의 벤젠, 알칸, 아랄칸 등을 들 수 있다.
R3은 양단에 산소 원자 또는 질소 원자를 갖는 2가의 유기기이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 양단이 알콕시기, 페녹시기, 에스테르기, 아미드기, 이미드 기인 2가의 유기기를 들 수 있다.
식 (1)로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서 식 (4)～(9)의 화합물을 아래에 개시하는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 식 (1)로 표시되는 중합체는, 예컨대 하기 식 (10)으로 표시되는 모노머로부터 합성할 수 있다. 즉, 하기 식 (10)의 모노머와 유기 할로겐 화합물을 반응시킴으로써 상기 식 (1)의 중합체를 얻을 수 있다.
한편 식 (10)에서, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, R1 및 R2의 치환기의 구체적인 예는 앞서 말한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
(상기 식에서, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 동일하여도 각각 달라도 좋은 치환 또는 치환되지 않은 방향환 또는 복소환을 나타내고, Ar1과 Ar2 및 Ar3과 Ar4는 각각 결합하여 환을 감고 있어도 좋다. R1 및 R2는 치환기를 가지고 있어도 좋은 2가의 유기기를 나타내고, X는 수산기 또는 아미노기를 나타낸다. )
또한, 상기 중합체로는, 상기 식 (2)로 표시되는 구조인 것을 들 수도 있다.
식 (2)의 Ar5, Ar6, Ar7 및 Ar8의 치환기의 구체적인 예는 앞서 말한 것을 들 수 있다. R2는 특별히 한정되지 않으나, 2가의 알칸 등을 들 수 있다.
상기 식 (2)로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서 식 (11)～(12)의 화합물을 이하에 개시하는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 식 (2)로 표시되는 중합체는, 예컨대 이하의 원료 및 반응식에 따라 합성할 수 있다.
본 발명의 전하수송성 유기 재료는 전술한 전하수송성 화합물(중합체) 및 전자수용성 화합물을 함유하는 것이다.
여기서, 전자수용성 화합물로는 특별히 한정되지 않으나, 상기 식 (3)으로 표시되는 화합물이 바람직하다. 식 (3)으로 표시되는 화합물은 단독으로 사용하여도 좋고, 두 종류 이상 병용하여도 좋다.
상기 식 (3)에서, Ar9～Ar11는 치환기를 가지고 있어도 좋은 방향족기를 나타낸다. 방향족기로는 페닐기, 비페닐기, 트리페닐기, 테트라페닐기, 3-니트로페닐기, 4-메틸티오페닐기, 3,5-디시아노페닐기, o-, m- 및 p-트릴기, 자일릴기, o-, m- 및 p-쿠메닐기 등을 들 수 있다.
식 (3)의 카르베늄 양이온과 쌍을 이루며 R-로 표시되는 음이온 종으로는 SbX6 -, PX6 -, TaX6 -, CIO4 -, ReO4 -, BX4 -, AsX6 - 및 AIX6 - 등을 들 수 있다. 이들 음이온 종 중에서 바람직한 것은 SbX6 -이다(X는 할로겐 원자를 나타낸다.). 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자를 들 수 있고, 바람직하게는 불소 원자 또는 염소 원자이다.
식 (3)으로 표시되는 화합물의 구체적인 예를 이하의 표 1～5에 개시하는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 전하수송성 니스는 상기 전하수송성 화합물(중합체)과 용제를 포함하는 것으로서, 구체적으로는 전하수송 기구의 본체인 상기 전하수송성 화합물(중합체)과 용제의 2종의 조합을 포함하는 것, 또는 전하수송성 화합물과, 전하수송성 물질의 전하수송 능력을 향상시키는 전하수용성 도판트 물질과 용제의 3종의 조합을 포함하는 것이며, 이들은 용제에 의해 완전히 용해되어 있거나 균일하게 분산되어 있다. 한편, 전하수송성 니스는 그 자체에 전하수송성이 있는 것이어도 좋고, 니스로부터 얻어지는 고체막에 전하수송성이 있는 것이어도 좋다.
전하수용성 도판트 물질로는 높은 전하수용성을 갖는 것이 바람직하고, 용해성에 관해서는 적어도 1종의 용제에 용해하는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
전자수용성 도판트 물질의 구체적인 예로는, 상기 식 (3)으로 표시되는 화합물, 염화수소, 황산, 질산 및 인산 등의 무기 강산; 염화알루미늄(III)(AlCl3), 사염화티타늄(IV)(TiCl4), 삼브롬화붕소(BBr3), 삼불화붕소에테르 착물(BF3?OEt2), 염화철(III)(FeCl3), 염화구리(II)(CuCl2), 오염화안티몬(V)(SbCl5), 오불화비소(V) (AsF5), 오불화인(PF5), 트리스(4-브로모페닐)알루미늄헥사클로로안티모네이트(TBPAH) 등의 루이스산; 벤젠술폰산, 토실산, 캄포술폰산, 히드록시벤젠 술폰산, 5-술포살리실산, 도데실벤젠술폰산, 폴리스티렌술폰산, 1,4-벤조디옥산디술폰산 유도체, 디노닐나프탈렌술폰산 유도체 등의 유기 강산; 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(TCNQ), 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ), 요오드 등의 유기 또는 무기 산화제를 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. 그 중에서도 내열성이 뛰어나다는 것에서 상기 식 (3)으로 표시되는 화합물이 적합하다.
정공수용성 도판트 물질의 구체적인 예로는, 알칼리 금속(Li, Na ,K, Cs), 리튬퀴놀리놀레이트(Liq), 리튬아세틸아세토네이트(Li(acac)) 등의 금속 착물을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.
용제로는 클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 트리클로로에틸렌, 이염화에틸렌, 테트라클로로에탄, 클로로벤젠 등의 할로겐계 용매, N-메틸?2-피롤리돈(NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭시드(DMSO) 등의 비프로톤성 극성 용매, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 알콕시알코올 등의 극성 용매가 사용된다.
이들 용제의 사용량은 특별히 한정되는 것은 아니나, 통상 전하수송성 화합물에 대하여 30～99질량% 정도이다.
또한, 상기 용제 이외에 기판에 대한 젖음성의 향상, 용제의 표면 장력의 조정, 극성의 조정, 끓는점의 조정 등의 목적으로, 소성시에 막의 평탄성을 부여하는 용제를 이 니스에 사용하는 용제 전체에 대하여 1～90질량%, 바람직하게는 1～50질량%의 비율로 혼합하여도 좋다.
이러한 용제의 구체적인 예로는, 부틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸칼비톨, 디아세톤알코올, γ-부티로락톤, 락트산 에틸 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 전하수송성 니스를 기재 상에 또는 다른 층 상에 도포하고, 용제를 증발시킴으로써 전하수송성 박막을 형성시킬 수 있다.
도포 방법으로는 특별히 한정되는 것은 아니며, 디핑법, 스핀 코팅법, 전사 인쇄법, 롤 코팅법, 솔칠, 잉크젯법, 스프레이법 등을 들 수 있다.
용제의 증발 방법으로는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대 핫 플레이트나 오븐을 이용하여 적절한 분위기 하, 즉 대기, 질소 등의 불활성 가스, 진공 중 등에서 증발을 행하여 균일한 성막면을 얻는 것이 가능하다.
소성 온도는 용제를 증발시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않으나, 40～250℃에서 행하는 것이 바람직하다. 이 경우, 보다 높은 균일성막성을 발현시키거나 기재 상에서 반응을 진행시킬 목적으로, 2단계 이상의 온도 변화를 주어도 좋다.
도포 및 증발 조작에 의해 얻어지는 전하수송성 박막의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 5～200nm인 것이 바람직하다. 두께를 변화시키는 방법으로는 니스 중의 고형분 농도를 변화시키거나, 도포시의 기판 상의 용액량을 변화시키는 등의 방법이 있다.
이와 같이 하여 얻어진 전하수송성 박막으로 이루어지는 층은 유기 EL 소자 중에서, 예컨대 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층 및 정공주입층 중 적어도 1층으로 사용할 수 있고, 특히 정공수송층 및 정공주입층 중 적어도 1층으로 이용하는 것이 바람직하다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 유기 EL 소자의 실시 형태를 상세하게 설명하기로 한다. 단, 이하에서 설명하는 소자 구조의 각 모식도는 일례로서 이들에 한정되는 것이 아니며, 각 부재를 구성하는 구체적인 재료나 형상?구조 등은 하기설명의 것에 한정되지 않으며, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서 적당히 변경할 수 있다.
[제1 실시형태]
도 1에는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 유기 EL 소자(1A)가 도시되어 있다.
이 유기 EL 소자(1A)는 기판(2)상에 양극(3), 정공수송층(4), 발광층(5) 및 음극(6)이 이 순서로 적층되어 이루어지는 것으로서, 한 쌍의 전극(3, 6)에 개재된 유기 화합물층은 정공수송층(4) 및 발광층(5)으로 구성되어 있다.
정공수송층(4)에는 전술한 식 (1)로 표시되는 전하수송성 화합물이 포함되어 있다. 이와 같이 식 (1)로 표시되는 화합물을 정공수송층(4) 중에 사용함으로써 발광층(5)에 대한 정공주입 효율이 향상되어, 저전압으로 유기 EL 소자(1A)를 발광시키는 것이 가능해 진다.
발광층(5)은, 예컨대 방향족 아민으로 이루어지는 화합물, 레이저 색소 유도체인 쿠마린계 화합물, 페릴렌 유도체, 안트라센 유도체, 루브렌 유도체, 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄 금속 착물 등의 재료로 구성된다.
기판(2)은, 예컨대 유리나 플라스틱 필름 등의 투명 절연성 재료로 구성된다.
양극(4)은, 통상 표면 저항 1～50Ω/□, 가시광선 투과율 80% 이상의 투명전극이다. 구체적인 예로는, (1) 인듐-주석-산화물(ITO)이나 산화아연 알루미늄의 비정질 또는 미결정 투명전극막, (2) 저 저항화를 위하여 10nm 정도의 두께의 은, 크롬, 구리, 또는 은과 구리의 합금을 ITO, 산화티타늄, 산화주석 등의 비정질 또는 미결정 투명전극막에 끼운 구조의 막을 진공증착이나 스파터링법 등으로 기판(2) 상에 형성하여 이루어진 투명전극을 들 수 있다. 기타, 금이나 백금을 얇게 증착한 반투명전극이나 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 고분자를 피막한 반투명전극을 이용할 수도 있다.
음극(6)은 일 함수가 작은 금속, 합금, 전기도전성 화합물 및 이들의 혼합물, 예컨대 Na, K, Mg, Li, In 등의 재료로 구성된다. 한편, 음극(6)은 진공증착법, 스파터링법 등에 의해 형성된다.
[제2 실시형태]
이하의 설명에서는 상기 제1 실시형태와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호만 붙이고 그 설명을 생략하기로 한다.
도 2에는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 유기 EL 소자(1B)가 도시되어 있다.
이 유기 EL 소자(1B)는 기판(2)상에 양극(3), 정공수송층(4), 발광층(5), 전자주입층(7) 및 음극(6)이 이 순서로 적층되어 이루어진 것으로서, 한 쌍의 전극(3, 6)에 개재된 유기 화합물층은 정공수송층(4), 발광층(5) 및 전자주입층 (7)으로 구성되어 있다.
본 실시형태에서는 정공수송층(4)에 더하여 전자주입층(7)에도 전술한 식 (1)로 표시되는 전하수송성 화합물이 포함되어 있다. 이와 같이 식 (1)로 표시되는 화합물을 전자주입층(7) 중에 더 이용함으로써 발광층(5)에 대한 전자주입 효율이 향상되어 저전압으로 유기 EL 소자(1B)를 발광시키는 것이 가능해진다.
한편, 본 실시형태에서는 정공수송층 및 전자주입층 중 어느 하나에 상기 식 (1)의 전하수송성 화합물이 포함되어 있어도 좋다.
[제3 실시형태]
이하의 설명에서는 상기 제1 실시형태와 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호만 붙이고 그 설명을 생략하기로 한다.
도 3에는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 유기 EL 소자(1C)가 도시되어 있다.
이 유기 EL 소자(1C)는 기판(2)상에 양극(3), 정공주입층(8), 정공수송층(4), 발광층(5) 및 음극(6)이 이 순서로 적층되어 이루어진 것으로서, 한 쌍의 전극(3, 6)에 개재된 유기 화합물층은 정공주입층(8), 정공수송층(4) 및 발광층(5)으로 구성되어 있다.
본 실시형태에서는 정공수송층(4)에 더하여 정공주입층(8)에도 전술한 식 (1)로 표시되는 전하수송성 화합물이 포함되어 있다. 이와 같이 식 (1)로 표시되는 화합물을 정공주입층(8) 중에 더 이용함으로써 발광층(5)에 대한 정공주입 효율이 훨씬 더 향상되어, 저전압으로 유기 EL 소자(1C)를 발광시키는 것이 가능해진다.
한편, 본 실시형태에서는 정공주입층 및 정공수송층 중 어느 하나에 상기 식 (1)의 전하수송성 화합물이 포함되어 있어도 좋다.
다음, 합성예, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것이 아니다.
[합성예 1]
500ml의 3구 플라스크에 질소 분위기 하에서, 실온 중에서 아세트산 팔라듐(0.081g; O.36mmol)과 n-tert-부틸포스핀(0.44g; 2.17mmol)을 자일렌 용액 중 (300ml)에서 5분간 교반하였다. 그런 다음, 2,7-디브로모플루오렌(4.7g;14.5mmol)을 부가하고 5분간 교반한 후, 디페닐아민(5g; 29mmol)과 나트륨부톡시드(2.78g; 29mmol)를 가하였다. 100℃로 승온하여 24시간 반응시킨 후, 클로로포름으로 추출하고 물로 5회 세정하였다. 무수 황산마그네슘으로 탈수한 후 용매를 제거하여 조생성물을 얻었다. 칼럼 크로마토그래피법(클로로포름/n-헥산)에 의해 정제하여 하기 목적물 (a)를 얻었다.
300ml의 가지 플라스크에 화합물(a)(1g; 2㎜ol), 테트라부틸암모늄브로마이드(TBABr; O.064g; 0.2mmol), α-클로로-4-메톡시톨루엔(0.624g; 4mmol), 톨루엔(100ml), NaOH(25g) 및 물(50g)을 가하고, 질소 분위기 하에서, 100℃에서 24시간 반응시켰다.
분액 로트에 의해 물로 5회 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 탈수한 후, 용매를 제거하여 조 생성물을 얻었다. 칼럼 크로마토그래피법(클로로포름/n-헥산)에 의해 정제하여 하기 목적물 (b)(0.87g; 1mmol)를 얻었다.
300ml의 3구 플라스크 내에 화합물 (b)(1g; lmmol)을 가하여 디클로로메탄(100ml)으로 용해하고, 질소 분위기 하에서, 아이스 배스에 의해 -78℃에서 냉각하였다. 계속하여 삼브롬화붕소(BBr3; O.5g; 2mmol)를 용해시킨 디클로로메탄 용액 10ml를 천천히 적하하였다. 적하 후 5시간에 걸쳐 실온까지 승온하고, 10시간 정도 더 교반한 후 물을 적하하고, 반응을 종료시켰다. 디클로로메탄층을 분액 로트로 추출하고, 이를 물로 5회 세정하였다. 무수 황산마그네슘으로 탈수한 후, 용매를 제거하여 조 생성물을 얻었다. 칼럼 크로마토그래피법(클로로포름; n-헥산)에 의해 정제하여 하기 목적물 (c)(0.8g; 0.8mmol)를 얻었다.
화합물(c)(1g; 1.4mmol)과, 4-플루오로페닐술폰(0.35g; 1.4mmol)과 탄산칼륨(0.38g; 2.8mmol)을 테트라히드로푸란(THF) 50ml에 용해하고, 질소 분위기 하에서, 130℃에서 24시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 양용매 THF, 빈용매 메탄올을 이용하여 재침전 정제를 3회 반복하여 원하는 중합체 (4)를 얻었다
(수평균 분자량; 23,000).
[비교예 1]
하기 식으로 표시되는 폴리비닐카르바졸(간토가가쿠 가부시키가이샤 제조)을 ITO 유리 기판(2) 상에 이하의 조건으로 스핀 코팅에 의해 도포하여 정공수송층을 형성하였다.
(스핀 코팅 조건)
용매 ; 클로로포름
농도 ; 0.01g/ml
스피너 회전 수 ; 3100rpm
스핀 코팅 시간 ; 5sec
다음, 정공수송성 층 상에 발광 재료인 시판하는 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(Alq3)(승화 정제품)을 진공증착 장치의 진공도를 8×10-4Pa 이하로 유지하고, 증착 속도는 0.3nm/S로 하여 50nm의 두께로 성막하여 발광층(5)을 형성하였다.
Alq3
또한, 발광층(5) 상에 전자주입 재료인 리튬 플루오라이드(LiF)를 진공증착 장치의 진공도를 8×10-4 Pa 이하로 유지하고, 증착 속도는 0.01nm/S로 하여 0.5nm의 두께로 성막하여 전자주입층(7)을 형성하였다.
마지막으로, 음극 전극 재료인 알루미늄을 진공증착 장치의 진공도를 8×10-4 Pa 이하로 유지하고, 증착 속도는 0.2nm/S로 하여 100nm의 두께로 성막하고, 전자주입층 (7) 상에 음극(6)을 형성하여 유기 EL 소자를 제작하였다. 이 소자 특성을 표 6에 나타내었다.
[실시예 1]
합성예 1에서 얻어진 식 (4)로 표시되는 중합체를 ITO 유리 기판(2) 상에 이하의 조건으로 스핀 코팅에 의해 도포하여 정공수송층(4)을 형성하였다.
(스핀 코팅 조건)
용매 ; 클로로포름
농도 ; 0.01g/m1
스피너 회전 수 ; 3100rpm
스핀 코팅 시간 ; 5sec
도포 후 비교예 1과 동일한 방법으로 발광층(5), 전자주입층(7) 및 음극(6)을 성막하여 유기 EL 소자(1B)를 제작하였다. 이 소자 특성을 표 6에 아울러 나타내었다. 한편, 표 6의 각 특성은 전압 발생기(DC 볼티지 커런트 소스 R6145, 아드반테스트 제조), 휘도계(BM-8, 도프콘 제조)를 이용하여 측정하였다.
본 발명에 의하면, 저전압화, 고휘도화, 초수명화 및 무결함화를 도모할 수 있는 유기 일렉트로루미네슨스 소자가 용이하게 얻어진다. 본 발명의 유기 일렉트로루미네슨스 소자는, 예컨대 표시 기기 등의 디스플레이 등으로서 적합하게 이용된다.
Claims (13)
- 고분자 주쇄가 방향환 또는 복소환을 갖는 아미노기로 치환된 플루오렌 유도체의 9-위치에서 연결되고, 하기 식 (1) 또는 (2)의 중합체로 이루어진 것을 특징으로 하는 전하수송성 화합물.
(상기 식에서, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 동일하여도 각각 달라도 좋은 치환 또는 치환되지 않은 방향환 또는 복소환을 나타내고, Ar1과 Ar2 및 Ar3과 Ar4는 각각 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다. R1 및 R2는 치환기를 가지고 있어도 좋은 2가의 유기기를 나타내고, R3는 양단이 알콕시기, 페녹시기, 에스테르기, 아미드기 또는 이미드기로서, 양 말단에 산소 원자 또는 질소 원자를 갖는, 치환기를 가지고 있어도 좋은 2가의 유기기를 나타낸다.)
(상기 식에서, Ar5, Ar6, Ar7 및 Ar8은 동일하여도 각각 달라도 좋은 치환 또는 치환되지 않은 방향족 환 또는 복소환 기를 나타내고, Ar5과 Ar6 및 Ar7과 Ar8는 각각 결합하여 환을 형성하고 있어도 좋다. R4는 치환기를 가지고 있어도 좋은 2가의 알칸을 나타낸다.) - 제 1 항에 있어서, 수평균 분자량이 1,000～1,000,000인 것을 특징으로 하는 전하수송성 화합물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 R1 및 R2 가 2가의 벤젠, 알칸 또는 아랄칸인 것을 특징으로 하는 전하수송성 화합물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 R3가 양단이 페녹시기인 치환기를 가지고 있어도 좋은 2가의 유기기인 것을 특징으로 하는 전하수송성 화합물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전하수송성 화합물 및 전자수용성 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전하수송성 유기 재료.
- 제 5 항에 있어서, 상기 전자수용성 화합물이 하기 식 (3)으로 표시되는 화 합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전하수송성 유기 재료.
(상기 식에서, Ar9, Ar10 및 Ar11은 동일하여도 각각 달라도 좋은 치환 또는 치환되지 않은 방향족 기를 나타내고, R-는 음이온 종을 나타낸다. ) - 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전하수송성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전하수송성 니스.
- 제 7 항에 기재된 전하수송성 니스를 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 전하수송성 박막.
- 제 8 항에 기재된 전하수송성 박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
- 제 8 항에 있어서, 상기 전하수송성 박막이 정공수송층인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
- 제 8 항에 있어서, 상기 전하수송성 박막이 정공주입층인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
- 제 8 항에 있어서, 상기 전하수송성 박막이 전자수송층인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
- 제 8 항에 있어서, 상기 전하수송성 박막이 전자주입층인 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네슨스 소자.
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