KR101146624B1 - 흡수형 다층막 ｎｄ 필터 - Google Patents

흡수형 다층막 ｎｄ 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR101146624B1
KR101146624B1 KR1020050095346A KR20050095346A KR101146624B1 KR 101146624 B1 KR101146624 B1 KR 101146624B1 KR 1020050095346 A KR1020050095346 A KR 1020050095346A KR 20050095346 A KR20050095346 A KR 20050095346A KR 101146624 B1 KR101146624 B1 KR 101146624B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
absorption type
type multilayer
multilayer film
substrate
Prior art date
Application number
KR1020050095346A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060058005A (ko
Inventor
히데하루 오카미
요시유키 아베
도쿠유키 나카야마
Original Assignee
스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 filed Critical 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Publication of KR20060058005A publication Critical patent/KR20060058005A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101146624B1 publication Critical patent/KR101146624B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/205—Neutral density filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

투과광을 감쇠시키는 흡수형 다층막이 박막기판에 설치된 흡수형 다층막 ND 필터에 관한 것으로, 흡수형 다층막(13, 16)이 SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물로 이루어지는 유전체층(14, 17)과 Ni단체 또는 Ni계 합금으로 이루어지는 금속막층(15, 18)을 교대로 적층시킨 다층막에 의해 구성되고, 흡수형 다층막이 기판의 양면에 기판을 중심으로 하여 서로 대칭인 막구조가 되도록 각각 형성되고, 또한, 기판의 휘어짐의 곡률반경이 500㎜이상으로 조정되어 있는 것을 특징으로 한다.
투과광, 흡수형 다층막, 박막기판, ND 필터, 유전체, Ni, 금속막, 곡률반경, 투과율, 반사율.

Description

흡수형 다층막 ＮＤ 필터{ABSORPTION TYPE MULTI-LAYER FILM ND FILTER}
도 1은, 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 구성 단면도이다.
도 2는, 종래예(비교예)에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 구성 단면도이다.
도 3은, 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 4는, 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 반사 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 5는, 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 다층 반사 방지막에 있어서의 이론분광 반사 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 6은, 본 발명(실시예)에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 구성 단면도이다.
도 7은, 표 2에 나타낸 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 8은, 표 2에 나타낸 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 반사 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 9는, 실시예1에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 10은, 비교예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 11은, Ni박막, Cr박막, Nb박막 및 Ta박막에 있어서의 투과율과 파장과의 관계를 도시한 그래프 도면이다.
도 12는, 표 3에 나타낸 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 13은, 표 3에 나타낸 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 반사 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 14는, 실시예3에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 15는, 표 4에 나타낸 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 16은, 표 4에 나타낸 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막에 있어서의 이론분광 반사 특성을 도시한 그래프 도면이다.
도 17은, 실시예4에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과 특성을 도시한 그래프 도면이다.
본 발명은, 가시역의 투과광을 감쇠시키는 흡수형 다층막 ND 필터에 관한 것으로, 특히, 수지 필름, 수지판 또는 유리 박판 등의 얇은 기판이 적용된 흡수형 다층막 ND 필터의 개량에 관한 것이다.
이 종류의 ND(Neutral Density Filter) 필터에는, 입사광을 반사해서 감쇠시키는 반사형 ND 필터와, 입사광을 흡수해서 감쇠시키는 흡수형 ND 필터가 알려져 있다. 그리고, 반사광이 문제가 되는 렌즈 광학계에 ND 필터를 편입할 경우에는 일반적으로 흡수형 ND 필터가 이용되고, 이 흡수형 ND 필터에는, 기판 자체에 흡수 물질을 섞거나(색유리 ND 필터) 도포하는 타입과, 기판 자체에 흡수는 없고 표면에 형성된 박막에 흡수가 있는 타입이 존재한다. 또, 후자의 경우는, 박막 표면의 반사를 막기 위해서 상기 박막을 다층막으로 구성하여, 투과광을 감쇠시키는 기능과 함께 반사 방지의 효과를 갖게 하고 있다.
그리고, 상기 박막이 다층막으로 구성된 흡수형 다층막 ND 필터로서, 일본국 특허 제3359114호 공보에는 유전체층과 티탄 산화막층을 조합한 다층막이, 또, 일본국 특개2002-350610호 공보에는 유전체막과 니오브막층을 조합한 다층막이 각각 개시되어 있다.
또한, 일본국 특개평10-133253호 공보에는, 기계적 접촉에 의한 상처가 발생하지 않도록 하기 위해서, 적어도 일방의 최표면에 유전체의 경질막층을 형성하는 수법이 개시되어 있다.
그런데, 소형 박형 디지털 카메라에 이용되는 흡수형 다층막 ND 필터는, 편입 스페이스가 좁기 때문에 기판 자체를 얇게 할 필요가 있어, 매우 얇은 유리 박판이나 수지판, 수지 필름이 기판으로서 적용되고 있다.
그러나, 기판으로서 매우 얇은 유리 박판이나 수지판, 수지 필름을 적용한 경우, 이하에 나타낸 바와 같은 특유의 문제가 발생한다.
즉, 매우 얇은 유리 박판이나 수지판, 수지 필름의 편면마다 구조가 다른 다층막을 형성하면, 형성된 각각의 다층막의 막응력에 의해 일방측으로 기판이 휘어 버리는 경우가 있다. 이 경우, 각각 편측의 다층막마다 종합적인 막응력이 캔슬 되는 이상적인 성막 조건, 즉 편면만 성막했을 때라도 기판이 휘어지지 않는 조건으로 성막을 행하면, 양면에 다층막을 형성해도 기판은 휘는 경우는 없다. 그리고, 종합적인 막응력이 캔슬되는 상기 방법으로서, 각 층마다 막응력을 없애는 방법과, 인장응력과 압축응력의 막을 교대로 적층함으로써 막응력을 없애는 방법이 존재하지만, 다층막의 막응력을 제로로 하는 것은 현실적으로는 곤란하다.
예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이 기판(3)의 일방의 면에 흡수형 다층막(1)이 형성되고, 타방의 면에 반사 방지막(2)이 형성되어 있는 일반적인 흡수형 다층막 ND 필터의 경우, 흡수형 다층막(1)과 반사 방지막(2)의 막응력의 밸런스가 나쁘면, 기판(3)이 매우 얇은 유리 박판이나 수지판, 수지 필름으로 구성되어 있을 경우에 기판이 휘어 버린다. 그리고, 금속막이 얇고, 대부분이 SiO2로 구성되는 도 1에 도시한 상기 흡수형 다층막(1)의 경우, 상기한 인장응력과 압축응력의 막을 교대로 적층함으로써 막응력을 없애는 방법은, 금속막이 얇기 때문에 이용할 수 없어, SiO2막의 막응력을 제로로 조정할 필요가 있다. 그러나 SiO2막의 막응력을 제로로 하는 성막 조건은 현실적으로 설정 곤란하다.
그리고, 기판이 휘어 버리면, 이 ND 필터를 접착 혹은 용착할 때에 취급이 어렵게 되는 문제가 있고, 또한, 촬영소자의 근방에 이용했을 경우에는 화상이 비뚤어져버리는 폐해도 우려된다.
본 발명은 이러한 문제에 착안해서 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 수지 필름, 수지판 또는 유리 박판 등의 박막의 기판이 적용된 경우라도 기판의 휘어짐이 일어나기 어렵고, 또한, 양산성이 우수하고, 더군다나, 파장에 대하여 평탄한 투과율 감쇠를 얻을 수 있는 흡수형 다층막 ND 필터를 제공하는 것에 있다.
또, 본 발명의 다른 목적으로 하는 바는, 마그네트론 스퍼터링법으로 제조할 경우에 특성이 갖추어진 필터를 안정되게 생산하는 것이 가능한 흡수형 다층막 ND 필터를 제공하는 것에 있다.
즉, 본 발명은,
투과광을 감쇠시키는 흡수형 다층막이 수지 필름, 수지판 또는 유리 박판으로 이루어지는 기판에 설치된 흡수형 다층막 ND 필터에 있어서,
상기 흡수형 다층막이 SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물로 이루어지는 유전체층과 Ni단체 또는 Ni계 합금으로 이루어지는 금속막층을 교대로 적층시킨 다층막에 의해 구성되고, 또한, 이 흡수형 다층막이 상기 기판의 양면에 이 기판을 중심으로 하여 서로 대칭인 막구조가 되도록 각각 형성되어 있는 동시에, 기판의 휘어짐의 곡률반경이 500㎜이상으로 조정되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
상기 Ni계 합금으로서는, Ti, Al, V, W, Ta, Si로부터 선택된 1종류 이상의 원소를 Ni에 첨가한 Ni계 합금재료로 이것을 구성할 수 있다.
그리고, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터에 의하면,
수지 필름, 수지판 또는 유리 박판으로 이루어지는 기판의 양면에 이 기판을 중심으로 하여 서로 대칭이 되는 막구조의 흡수형 다층막을 형성해서 양면의 막응력을 서로 캔슬시키고 있기 때문에, 얇은 기판이라도 그 곡률반경이 500㎜이상으로 조정된 평탄성이 우수한 흡수형 다층막 ND 필터를 실현할 수 있다.
또, 흡수형 다층막에 있어서의 금속막층으로서 가시역에 있어서의 분광 투과율의 파장의존성이 작은 Ni단체 또는 Ni계 합금을 이용하고 있기 때문에, 파장에 대하여 평탄한 투과율 감쇠를 얻을 수 있는 흡수형 다층막 ND 필터도 실현할 수 있다.
또한, 기판의 양면에 이 기판을 중심으로 해서 서로 대칭이 되는 막구조의 흡수형 다층막이 형성되어 있기 때문에, 흡수형 다층막 ND 필터를 제조할 때의 생산성이 우수하고, 또한, 표리의 구별이 없어지기 때문에 관리도 쉬워진다.
특히, 상기 금속막층을, Ti, Al, V, W, Ta, Si로부터 선택된 1종류 이상의 원소가 Ni에 첨가된 Ni계 합금재료로 구성했을 경우, Ni타겟의 강자성 특성이 약해지기 때문에, 마그네트론 스퍼터링법에 의해 특성이 갖추어진 흡수형 다층막 ND 필터를 안정되게 생산하는 것이 가능해 진다.
이하, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터에 대해서 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
또한, 사용 파장대역에 흡수가 없는 얇은 기판을 이용했을 경우, 기판 양면에 같은 막구성의 반사 방지 기능을 가지는 흡수형 다층막을 형성해서 원하는 투과율로 하기 위해서는, 각 흡수형 다층막에 의한 각각의 흡수를 고려해서 설정할 필요가 있다.
즉, 투과율 25%의 ND 필터를 제작하기 위해서는, 각각 투과율 50%(=√25%)의 흡수형 다층막을 양면에 형성할 필요가 있고, 또, 투과율 12.5%의 ND 필터를 제작하기 위해서는, 각각 투과율 35%(=√12.5%)의 흡수형 다층막을 양면에 형성할 필요가 있다.
우선, 도 2에 투과율 12.5%의 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 도시한다. 즉 이 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터는, 필름(PC:폴리카보네이트)기판(5)과, 이 기판(5)의 표면에 형성된 반사 방지 기능을 가지는 흡수형 다층막(구체적으로는 「Ni단체로 이루어지는 금속막층(9)/SiO2로 이루어지는 유전체층(8)/상기 금속막층(9)/상기 유전체층(8)/상기 금속막층(9)/상기 유전체층(8)」으로 구성된다)(6)과, 기판(5)의 이면에 형성된 다층 반사 방지막(구체적으로는 「Ta2O5로 이루어지는 금속막층(11)/SiO2로 이루어지는 유전체층(10)/상기 금속막층(11)/상기 유전체층(10)」으로 구성된다)(7)으로 그 주요부가 구성되어 있다. 또한, 이하의 표 1에, 상기 흡수형 다층막과 다층 반사 방지막의 구체적 막구성, 구성 재료, 각 층의 막두께 및 굴절율을 각각 나타낸다. 또, 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막(6)에 있어서의 이론분광 투과 특성을 도 3에, 흡수형 다층막(6) 에 있어서의 이론분광 반사 특성을 도 4에, 또, 상기 다층 반사 방지막(7)에 있어서의 이론분광 반사 특성을 도 5에 각각 도시한다.
Figure 112005057334821-pat00001
한편, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터는, 투과광을 감쇠시키는 흡수형 다층막이 수지 필름, 수지판 또는 유리 박판으로 이루어지는 기판에 설치된 흡수형 다층막 ND 필터로서, 상기 흡수형 다층막이 SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물로 이루어지는 유전체층과 Ni단체 또는 Ni계 합금으로 이루어지는 금속막층을 교대로 적층시킨 다층막에 의해 구성되고, 또한, 이 흡수형 다층막이 상기 기판의 양면에 이 기판을 중심으로 해서 서로 대칭인 막구조가 되도록 각각 형성되어 있는 동시에, 기판의 휘어짐의 곡률반경이 500㎜이상으로 조정되어 있는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 기판은, 수지 필름, 수지판 또는 유리 박판으로 구성되고, 그 재질은 특별히 한정되지 않지만, 투명한 것이 바람직하고, 양산성을 고려했을 경우, 후술하는 건식의 롤 코팅이 가능해 지는 가요성을 가지는 기판인 것이 바람직하다. 가요성이 있는 기판은, 종래의 유리 기판 등과 비교해서 염가?경량?변형성이 풍부하다는 점에 있어서도 우수하다. 특히, 기판으로서, 수지판 혹은 수지 필름이 바람직하다.
상기 기판을 구성하는 수지판 혹은 수지 필름의 구체예로서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에테르술폰(PES), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리카보네이드(PC), 폴리올레핀(PO) 및 노르보르넨의 수지재료로부터 선택된 수지판 또는 수지 필름의 단체, 혹은, 상기 수지재료로부터 선택된 수지판 또는 수지 필름 단체와 이 단체의 편면 또는 양면을 덮는 아크릴계 유기막과의 복합체를 들 수 있다. 특히, 노르보르넨 수지재료에 대해서는, 대표적인 것으로서, 니혼제온사의 제오노아(상품명)나 JSR사의 아톤(상품명) 등을 들 수 있다.
또, 상기 금속막층은 상기한 바와 같이 Ni단체 또는 Ni계 합금으로 구성되지만, 특히, Ti, Al, V, W, Ta, Si로부터 선택된 1종류 이상의 원소가 Ni에 첨가된 Ni계 합금재료로 구성되는 것이 바람직하다.
이 이유의 상세한 내용에 대해서는 후술하지만, 개략하면 이하와 같다. 즉, 스퍼터링법을 이용하여 Ni막을 성막할 경우, Ni타겟의 연속 사용에 따라 Ni타겟의 두께가 감소하면, Ni타겟이 얇아진 부분에 있어서 플라즈마 공간의 누설 자계가 강해진다. 그리고, 플라즈마 공간의 누설 자계가 강해지면, 방전 특성(방전 전압, 방전 전류 등)이 변화하여 성막 속도가 변화한다. 즉, 생산 시에, 동일한 Ni타겟을 연속해서 장시간 사용하면, Ni타겟의 소모에 따라 Ni막의 성막 속도가 변화되는 문제가 생겨, 특성이 갖추어진 흡수형 다층막 ND 필터를 안정되게 생산하는 것이 어렵게 되기 때문이다. 이 문제를 회피하기 위해서는, 상기한 바와 같이 Ti, Al, V, W, Ta, Si로부터 선택된 1종류 이상의 원소가 Ni에 첨가된 Ni계 합금재료를 이용하여 상기 금속막층을 구성하면 된다.
다음에 필름(PC:폴리카보네이트)기판(12)과, 이 기판(12)의 양면에 각각 형성된 반사 방지 기능을 가지는 흡수형 다층막(13, 16)으로 그 주요부가 구성되는 투과율 12.5%의 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 1구체예를 도 6에 도시한다. 또한, 이하의 표 2에, 상기 흡수형 다층막(13, 16)의 구체적 막구성, 구성 재료, 각 층의 막두께 및 굴절율을 각각 나타낸다. 또, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막(13, 16)에 있어서의 이론분광 투과 특성을 도 7에, 그 이론분광 반사 특성을 도 8에 각각 도시한다.
Figure 112005057334821-pat00002
그리고, 표 2에 나타낸 바와 같이 상기 흡수형 다층막(13, 16)은, 기판(12)측으로부터 각각 순서대로 Ni단체로 이루어지는 금속막층(15, 18)과 SiO2로 이루어지는 유전체층(14, 17)이 교대로 적층되어 구성되어 있다. 또한, 이들의 층수는 임의지만, 도 6에 있어서는, 금속막층(15, 18), 유전체층(14, 17)이 모두 2층의 합계 4층으로 이루어지는 흡수형 다층막(13, 16)을 도시하고 있다. 또, 표 2에 있어서, 금속막층(15, 18) 및 유전체층(14, 17)이 각각 동일 막두께로 설정되어 있지만, 상기 흡수형 다층막(13, 16)이 기판(12)을 중심으로 해서 서로 대칭인 막구조가 되도록 각각 형성되는 것을 조건으로 각 막두께는 임의로 조정가능하다.
여기에서, 상기 금속막층(15, 18)을 구성하는 Ni박막에 있어서의 투과율의 파장의존성은, Cr박막, Ta박막 및 Nb박막과 비교해서 작은 것이 확인되고 있다. 즉, 파장 0.400～0.800μm에 있어서의 Cr박막, Ta박막 및 Nb박막의 투과율의 변동 폭은, 각각 도 11의 그래프 도면에 도시한 바와 같이, 14.7%, 13.5% 및 11.8%이지만, Ni박막에 있어서의 투과율의 변동 폭은 1.5%로 낮다.
그러나, 흡수형 ND 필터 표면의 반사는 미광이 되고, 디지털 카메라 등의 화질에 악영향을 끼친다. 이 때문에, 흡수형 ND 필터 표면에도 반사를 막는 효과를 갖게 하기 위해서 상기 흡수형 다층막(13, 16)은 다층막으로 구성되어 있다.
그리고, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터에 있어서는, Ni단체 또는 Ni계 합금으로 이루어지는 금속막층의 막두께가 양호하게 제어되고, 더군다나, Ni단체 또는 Ni계 합금으로 이루어지는 Ni계 박막의 가시역에 있어서의 투과율의 파장의존성이 작기 때문에, 금속막층과 유전체층으로 구성되는 흡수형 다층막은, 층수를 많이 겹치지 않아도, 가시역에 있어서의 분광 투과율의 파장의존성이 작아, 파장에 대하여 평탄한 투과율 감쇠를 얻을 수 있다.
또한, 상기 유전체층(다만, 표 2에 나타낸 것)(14, 17)은 SiO2로 이루어지는 박막이며, Ni단체로 이루어지는 금속막층(15, 18)에 대하여 가능한 한 낮은 굴절율을 가지는 재료(상기 SiO2 이외에 Al2O3 또는 SiO2와 Al2O3의 혼합물)로 구성되는 것이 바람직하다. 또, 흡수형 다층막의 반사 방지 효과를 갖게 하기 위해서는 유전체층(14, 17)의 막두께를 제어하는 것이 바람직하다.
그리고, Ni단체로 이루어지는 금속막층(15, 18)과 SiO2로 이루어지는 유전체층(14, 17)의 각 두께는, 상기 흡수형 다층막(13, 16)이 소정의 투과율과 반사율을 가시역(예를 들면 0.400μm～0.800μm정도)에서 일정하게 유지하도록 미리 설정되어 있고, 상기 금속막층(15, 18)의 각 두께는 2～15㎚인 것이 특히 바람직하다. 이 흡수형 다층막 ND 필터에 있어서는, 상기 흡수형 다층막(13, 16)이, Ni단체로 이루어지는 금속막층(15, 18)을 포함해서 형성되어 있으므로, 예를 들면 4층이라는 적은 층수라도 충분히 평탄한 투과율 분광 특성을 가지고 있다.
다음에, 본 발명에 관한 상기 흡수형 다층막은, 진공증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법으로 형성할 수 있다.
예를 들면, 스퍼터링법은, 증기압이 낮은 재료를 이용하여 기판 상에 막을 형성하는 경우나, 정밀한 막두께 제어가 필요로 될 때에 유효한 박막 형성 수법이며, 조작이 매우 간편하기 때문에 광범위하게 이용되고 있다. 일반적으로는, 약 10Pa이하의 아르곤 가스압 하에, 기판을 양극으로 하고, 막 원료가 되는 타겟을 음극으로 하고, 이들간에 글로우방전을 일으키게 하여 아르곤 플라즈마를 발생시키고, 또한, 플라즈마 중의 아르곤 양이온을 음극의 타겟에 충돌시켜서 타겟 성분의 입자를 튕겨 날리고, 이 입자를 기판 상에 퇴적시켜서 성막하는 수법이다.
상기 스퍼터링법은 아르곤 플라즈마의 발생 방법으로 분류되고, 고주파(RF)플라즈마를 이용하는 것은 고주파 스퍼터링법, 직류 플라즈마를 이용하는 것은 직류 스퍼터링법이라고 한다. 또, 타겟의 뒤측에 마그넷을 배치하고, 아르곤 플라즈마를 타겟 바로 위에 집중시켜서, 저가스압이라도 아르곤 이온의 충돌 효율을 올려서 성막하는 방법을 마그네트론 스퍼터링법이라고 한다.
그리고, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 중의 금속막층은, 예를 들면 Ar분위기 중에 있어서 Ni계 금속(Ni단체 또는 Ni계 합금)의 타겟을 이용한 직류 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된다. 또, 유전체층은, 예를 들면 Ar 및 O2분위기 중에서 Si 또는 Al타겟을 이용한 고주파 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된다. 상기 유전체층을 고주파 스퍼터링법으로 행함으로써, 반응성 스퍼터링에 있어서 생기는 이상방전을 방지할 수 있고, 안정된 성막이 가능해 진다.
그런데, 순Ni재료는 강자성체이기 때문에, 상기 금속막층을 직류 마그네트론 스퍼터링법으로 성막할 경우, 타겟와 기판간의 플라즈마에 작용시키기 위한 타겟 뒤측에 배치한 마그넷으로부터의 자력이, Ni타겟 재료에서 차폐되어 표면에 누설하는 자계가 약해져, 플라즈마를 집중시켜서 효율적으로 성막하는 것이 어렵게 된다. 이것을 회피하기 위해서는, 타겟 뒤측에 배치하는 마그넷의 자력을 강하게(400가우스 이상) 한 캐소드(강자장 캐소드)를 이용하여, Ni타겟을 통과하는 자계를 강화해서 스퍼터링 성막을 행하는 것이 바람직하다.
다만, 이러한 방법을 채용한 경우라도, 생산 시에는 이하에 말하는 것 같은 별도의 문제가 생기는 경우가 있다. 즉, Ni타겟의 연속 사용에 따라 타겟의 두께가 감소하면, 상기한 바와 같이 타겟의 두께가 얇아진 부분에서는 플라즈마 공간의 누설 자계가 강해진다. 그리고, 플라즈마 공간의 누설 자계가 강해지면, 방전 특성(방전 전압, 방전 전류 등)이 변화하여 성막 속도가 변화한다. 즉, 생산시에, 동일 Ni타겟을 연속해서 장시간 사용하면, Ni타겟의 소모에 따라 Ni막의 성막 속도가 변화하는 문제가 생겨, 특성이 갖추어진 흡수형 다층막 ND 필터를 안정되게 생산하는 것이 어렵게 된다. 이 문제를 회피하기 위해서는, 상기한 바와 같이 Ti, Al, V, W, Ta, Si로부터 선택된 1종류 이상의 원소가 Ni에 첨가된 Ni계 합금재료를 이용하여 금속막층을 구성하면 된다.
그리고, 본 발명에 있어서는, 예를 들면, Ti원소를 5～15중량%의 범위로 포함하는 Ni계 합금재료를 이용하는 것이 바람직하다. Ti량의 하한을 5중량%로 한 이유는, 5중량%이상 포함시킴으로써 강자성 특성을 극단적으로 약화시킬 수 있어, 자력이 낮은 통상의 마그넷를 배치한 캐소드라도 직류 마그네트론 스퍼터링 성막을 행할 수 있기 때문이다. 또, 타겟에 의한 자계의 차폐 능력이 낮기 때문에, 타겟 소모에 의존하는 플라즈마 공간의 누설 자계의 변화도 작아, 일정한 성막 속도를 유지할 수 있어, 안정되게 성막할 수 있기 때문이다. 또, Ti량의 상한을 15.0중량%로 한 이유는, 15.0중량%을 넘어서 Ti가 함유되면 다량의 금속간 화합물을 형성하고, 투과율에 있어서의 파장의존성이 작은 재료가 아니게 되어 버릴 우려가 있기 때문이다. 또, Al원소, V원소, W원소, Ta원소, Si원소의 첨가량도 동일한 이유에 의해 결정되고, 이들 Al원소, V원소, W원소, Ta원소, Si원소를 첨가하는 경우는, Al원소의 첨가 비율이 3～8중량%, V원소의 첨가 비율이 3～9중량%, W원소의 첨가 비율이 18～32중량%, Ta원소의 첨가 비율이 5～12중량%, Si원소의 첨가 비율이 2～6중량%의 범위로 첨가한 Ni계 합금재료로 하는 것이 바람직하다.
다만, Ni에 첨가하는 원소가 2종류 이상인 경우, 각 원소의 첨가량 상한값보다 낮게 조정해서 다량의 금속간 화합물을 형성하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들면, Ti와 Si의 2종류의 원소를 Ni에 첨가할 경우, 7.5중량%의 Ti첨가량에 대하여 Si원소의 첨가량이 5중량%를 넘으면, 이들 첨가량의 수치가 상기한 조성 범위(Ti원소가 5～15중량%, Si원소가 2～6중량%)라도, 금속간 화합물의 형성이 현저해지는 경우가 있다.
또, 상기한 Ti, Al, V, W, Ta, Si 등의 원소 이외에, Ni의 강자성 특성을 약화시킬 수 있는 첨가원소로서 Cu, Cr 등을 들 수 있다. 그러나, Cu원소를 첨가원소로 했을 경우, 상기한 Ti, Al, V 등의 원소와 비교하여, 산화물막에 대한 Ni-Cu막의 밀착성이 떨어지는 결점이 있다. 예를 들면, ND 필터와는 별개 분야인 전극재료에 이용되는 타겟 재료에 관한 일본국 특개2000-96167호 공보에서는, 산화물인 세라믹스 기판과의 밀착성에 문제가 있다고 하여 Ni-Cu계 합금 대신에 Ni-Ti계 합금의 타겟이 제안되어 있다. 따라서, 본 발명에 있어서의 첨가원소로서 Cu원소는 적당하지 않은 재료이다. 또, Cr원소는 상기 밀착성에 대해서는 문제없지만, 환경에 악영향을 주기 때문에 바람직하지 않다.
또한, 상기 금속막층과 SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물의 유전체층은, 필름 형상의 기판의 위에 건식 롤 코팅법을 이용하여 형성하는 것도 가능하다.
그리고, 흡수형 다층막에 대해서 상기한 바와 같은 구성을 채용함으로써, 0.400μm～0.800μm의 가시역 전역에 있어서 반사율이 5%이하, 또한, 투과율의 변동 폭이 10%이내인 흡수형 다층막 ND 필터를 제공하는 것이 가능해 진다.
또, 표 1과 표 2에 기재된 수치로부터 확인되는 바와 같이, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터는, 종래예에 관한 ND 필터와 비교해서 기판 양면의 각 합계 막두께(종래예에 관한 ND 필터에서는 그 흡수형 다층막이 270㎚, 다층 반사 방지막이 256㎚인 것에 대해, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터에서는 기판 편측의 각 흡수형 다층막이 154㎚)가 약 절반 정도까지 얇아지고, 또한 막재료를 2종류밖에 이용하지 않기 때문에 생산성도 우수하다.
또, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터에 있어서는, 성막 조건을 단순화해서 생산성을 올리기 위해서, 표 2에 나타낸 바와 같이 SiO2로 이루어지는 유전체층을 양면 모두 다 같은 막두께(70㎚)로 막 설계하고, Ni단체로 이루어지는 금속막층도 양면 모두 다 같은 막두께(7㎚)로 막 설계를 행해도 좋다. 그리고, 기판 양면에 흡수형 다층막을 형성하기 위해서는, 얇은 기판이 막응력에 의해 휘지 않도록 프레임에 고정해서 편면마다 성막해도 좋지만, 양면 동시에 성막하는 편이 이상적이다.
이러한 구성으로 함으로써, 기판의 휘어짐의 곡률반경을 500㎜이상으로 하는 것을 달성할 수 있다. 기판의 휘어짐의 곡률반경이 500㎜미만이면, 흡수형 다층막 ND 필터를 절단, 접착, 용착하는 것 같은 가공 공정에 있어서 기기에 의한 핸들링이 곤란해지고, 또한 흡수형 다층막 ND 필터를 투과한 것에 기인해서 화상이 비뚤어져버리는 것도 생각되어 바람직하지 못하다.
그리고, 도 6에 도시한 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 정반(도 1의 부호(4) 참조)에 두었을 때, 기판의 휘어짐은 거의 없고, 중심부의 간극은 0.2㎜이하로 정확하게는 측정할 수 없을 정도였다.
한편, 도 2에 도시된 종래예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 정반에 두었을 때(다만, 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막(6)이 상측, 다층 반사 방지막(7)이 하측으로 한다), 기판에는 휘어짐이 있고, 중심부에는 약 2㎜의 간극이 관찰되었다. 그리고, 기판 사이즈가 φ60㎜일 때, 중심부에 0.9㎜의 간극이 발생하면 휘어짐의 곡률반경은 500㎜이다.
또한, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 유전체층 및 금속막층의 막두께에 대해서는, SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물로 이루어지는 기판 편측의 유전체층의 합계 막두께가 100㎚이상, Ni단체 또는 Ni계 합금으로 이루어지는 기판 편측의 금속막층의 합계 막두께가 30㎚이하로 설정되어 있는 것이 바람직하다. 기판 편측의 유전체층의 합계 막두께를 100㎚미만으로 하면 흡수형 다층막에 반사 방지 기능을 갖게 하는 것이 어려워지는 경우가 있고, 또한, 기판 편측의 금속막층의 합계 막두께가 30㎚를 넘어서 두꺼워지면, 유전체층과 비교해서 부드러운 금속막층을 두껍게 하면 막응력이 완화되는 것이 예측되지만, 분광 투과율이 극단적으로 저하해 버리는 경우가 있기 때문이다.
여기에서, 본 발명에 관한 흡수형 다층막 ND 필터에 있어서, 기판 양면에 기판을 중심으로 해서 서로 대칭인 막구조를 가지는 흡수형 다층막을 형성할 경우, 완전한 대칭조건을 반드시 만족시킬 필요는 없고, 막응력을 서로 캔슬할 수 있는 정도의 대략 대칭인 조건을 충족시키면 된다. 예를 들면, 기판의 표면측에 흡수형 다층막을 성막 후, 그 광학특성을 평가한 결과, 표면의 투과율이 예정값보다 높았을 경우는 이면측의 투과율을 낮게 하고, 반대로 표면의 투과율이 예정값보다 낮았을 경우에는 이면측의 투과율을 높게 하는 등 이면의 흡수형 다층막의 막구성을 미세 조정해서 투과율을 보정할 수 있다.
또, 기판과 흡수형 다층막과의 사이에, Si, SiOx(다만 x≤2), SiNx(다만 x≤1), Ti, TiOx(다만 x≤2) 또는 TiNx(다만 x≤1)로 구성된 밀착층을 설치해 기판과 흡수형 다층막과의 밀착성을 향상시켜도 좋다.
다음에, 본 발명의 실시예에 대해서 구체적으로 설명한다. 실시예에서는, 실시예1, 3 및 4에 관한 흡수형 다층막 ND 필터와 비교예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 비교 평가하였다.
[실시예1]
기판에는 φ60㎜로 절단한 두께 100μm의 PC(폴리카보네이트)필름을 이용하였다. 이 필름을 그 끝가장자리로부터 약 5㎜의 부위를 누르는 금속프레임으로 고정하고, 편면마다 성막을 행하였다. 성막에는 RF마그네트론 스퍼터링 장치(알 백사제)를 사용하여, 유전체층:SiO2의 성막 속도는 0.2㎚/초, 금속막층:Ni의 성막 속도는 0.1㎚/초로 행하였다. 또, 이 흡수형 다층막 ND 필터는, 양면모두 같은 막구성이므로, 편면씩 같은 공정의 성막을 각각 행하였다.
상기 필름 양면에 형성한 흡수형 다층막의 막구조는, 도 6에 도시한 흡수형 다층막 ND 필터와 동일하게 하여, 유전체층:SiO2의 막두께는 70㎚, 금속막층:Ni의 막두께는 7㎚였다.
그리고, 이 실시예 1에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 정반에 두었을 때, 기판인 상기 필름의 휘어짐은 거의 없고, 중심부의 간극은 0.2㎜이하로 정확하게는 측정할 수 없을 정도였다.
[실시예2]
실시예1에 있어서 이용한 Ni타겟 대신에, 7.5중량%의 Ti를 포함하는 Ni계 합금 타겟[스미토모킨조쿠코잔(주)사제]를 이용한 것 이외는 실시예1과 동일하게 행하여, 유전체층:SiO2의 막두께가 70㎚, 금속막층:Ni계 합금의 막두께가 7㎚인 도 6에 도시한 흡수형 다층막 ND 필터와 동일한 실시예2에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 제조하였다.
그리고, 이 실시예2에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 정반에 두었을 때, 이 흡수형 다층막 ND 필터에 있어서도 기판인 상기 필름의 휘어짐은 거의 없고, 중심부의 간극은 0.2㎜이하로 정확하게는 측정할 수 없을 정도였다.
[실시예3]
실시예1에 있어서 이용한 Ni타겟 대신에 7.5중량%의 Ti를 포함하는 Ni계 합금 타겟[스미토모킨조쿠코잔(주)사제]을 이용한 점과, 이하의 표 3에 나타낸 바와 같이 SiO2의 유전체층 대신에 Al2O3를 적용한 것 이외는 실시예1과 동일하게 행하여, 유전체층:Al2O3의 막두께가 60㎚, 금속막층:Ni계 합금(Ni-Ti)의 막두께가 7.7㎚인 도 6의 흡수형 다층막 ND 필터와 동일구조의 실시예3에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 제조하였다.
Figure 112005057334821-pat00003
즉, 기판에는 φ60㎜로 절단한 두께 100μm의 PC(폴리카보네이트)필름을 이용하고, 이 필름을 그 끝가장자리로부터 약 5㎜의 부위를 누르는 금속프레임으로 고정하고, 편면마다 성막을 행하였다. 한편, 성막에는 RF마그네트론 스퍼터링 장치(알 백사제)를 이용하여, 유전체층:Al2O3의 성막 속도는 0.2㎚/초, 금속막층:상기 Ni계 합금 타겟[스미토모킨조쿠코잔(주)사제]의 성막 속도는 0.1㎚/초로 행하였다. 또, 표 3에 나타낸 바와 같이 양면모두 같은 막구성이므로 편면씩 같은 공정의 성막을 각각 행하였다. 그리고, 흡수형 다층막을 편면에 성막했을 때의 이론분광 투과율을 도 12에, 이론분광 반사율을 도 13에 도시하고, 또, 실제로 성막한 실시예3에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과율을 도 14에 도시한다.
그리고, 이 실시예3에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 정반에 두었을 때, 기판인 상기 필름의 휘어짐은 거의 없고, 중심부의 간극은 0.2㎜이하로 정확하게는 측정할 수 없을 정도였다.
[실시예4]
실시예1에 있어서 이용한 Ni타겟 대신에 7.5중량%의 Ti를 포함하는 Ni계 합금 타겟[스미토모킨조쿠코잔(주)사제]을 이용한 점과, 이하의 표 4에 나타낸 바와 같이 SiO2의 유전체층 대신에 SiO2와 Al2O3의 혼합물(몰비1:1)을 적용한 것 이외는 실시예1과 동일하게 행하여, 유전체층:SiO2와 Al2O3의 혼합물에 있어서의 막두께가 67㎚, 금속막층:Ni계 합금(Ni-Ti)의 막두께가 7.3㎚인 도 6의 흡수형 다층막 ND 필터와 동일구조의 실시예4에 관한 흡수형 다층막 ND 필름을 제작하였다.
Figure 112005057334821-pat00004
즉, 기판에는 φ60㎜로 절단한 두께 100μm의 PC(폴리카보네이트)필름을 이용하고, 이 필름을 그 끝가장자리로부터 약 5㎜의 부위를 누르는 금속프레임으로 고정하고, 편면마다 성막을 행하였다. 한편, 성막에는 RF마그네트론 스퍼터링 장치(알 백사제)를 이용하여, 유전체층:SiO2과 Al2O3의 혼합물의 성막 속도는 0.2㎚/초, 금속막층:상기 Ni계 합금타겟[스미토모킨조쿠코잔(주)사제]의 성막 속도는 0.1㎚/초로 행하였다. 또, 표 4에 나타낸 바와 같이 양면모두 같은 막구성이므로 편면씩 같은 공정의 성막을 각각 행하였다. 그리고, 흡수형 다층막을 편면에 성막했을 때의 이론분광 투과율을 도 15에, 이론분광 반사율을 도 16에 도시하고, 또, 실제로 성막한 실시예4에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과율을 도 17에 도시한다.
그리고, 이 실시예4에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 정반에 두었을 때, 기판인 상기 필름의 휘어짐은 거의 없고, 중심부의 간극은 0.2㎜이하로 정확하게는 측정할 수 없을 정도였다.
[비교예]
먼저 흡수형 다층막을 PC필름으로 형성하고, 그 후, 다층 반사 방지막을 형성해서 비교예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 얻었다.
성막에는 RF마그네트론 스퍼터링 장치(알 백사제)를 이용하여, 상기 흡수형 다층막에 있어서의 유전체층:SiO2의 성막 속도가 0.2㎚/초, 금속막층:Ni의 성막 속도가 0.1㎚/초로 행하였다. 또, 상기 다층 반사 방지막에 있어서의 유전체층:SiO2의 성막 속도가 0.2㎚/초, 금속막층:Ta2O5의 성막 속도도 0.2㎚/초로 행하였다.
PC필름 편면에 형성한 흡수형 다층막의 막구조는, 도 2에 도시한 흡수형 다층막 ND 필터와 동일하게 하여, 유전체층:SiO2의 막두께는 80㎚, 금속막층:Ni의 막두께는 10㎚였다. 또, PC필름의 편면에 형성한 다층 반사 방지막의 막구조도 도 2에 도시한 흡수형 다층막 ND 필터와 동일하게 하여, 상기 표 1에 나타낸 막두께였다.
그리고, 비교예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터를 정반에 두었을 때(다만, 이 흡수형 다층막 ND 필터의 흡수형 다층막이 상측, 다층 반사 방지막이 하측으로 한다), 기판인 PC필름에는 휘어짐이 있고, 중심부에는 약 2㎜의 간극이 관찰되었다. 그리고, 기판 사이즈가 φ60㎜의 때, 중심부에 0.9㎜의 간극이 발생하면 휘어짐의 곡률반경은 500㎜이며, 결과는 그것보다도 곡률반경이 작은 것을 나타내고 있었다.
「평가」
다음에 실시예1, 3 및 4에 관한 흡수형 다층막 ND 필터와 비교예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과 특성을 평가하였다. 분광 투과 특성은 히다치 세이사쿠쇼사제 자기 분광 광도계로 측정하였다.
그리고, 실시예1, 3 및 4에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과 특성을 도 9, 도 14 및 도 17에, 비교예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터의 분광 투과 특성을 도 10에 도시한다.
그 결과, 실시예1, 3 및 4에 관한 흡수형 다층막 ND 필터와 비교예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터 모두, 0.4～0.7μm의 사용 파장대역에 있어서 거의 동등한 투과 특성이었다.
이렇게 각 실시예에 관한 흡수형 다층막 ND 필터는, 종래예(비교예)에 관한 흡수형 다층막 ND 필터와 같은 광학특성을 가지고, 또한, 기판의 휘어짐이 없는 ND 필터를 얻을 수 있었다. 더군다나, 양면 모두 같은 막구성인 것에 더해서, 양면의 각 유전체층의 막두께가 모두 같은 막두께이며, 또한, 각 금속막층의 막두께가 모두 같은 막두께로 구성되어 있기 때문에, 생산성도 우수하다.

Claims (6)

  1. 투과광을 감쇠시키는 흡수형 다층막이 수지 필름, 수지판 또는 유리 박판으로 이루어지는 기판에 설치된 흡수형 다층막 ND 필터에 있어서,
    상기 흡수형 다층막이 SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물로 이루어지는 유전체층과 Ti, Al, V, W, Ta, Si로부터 선택된 1종류 이상의 원소를 Ni에 첨가한 Ni계 합금으로 이루어지는 금속막층을 교대로 적층시킨 다층막에 의해 구성되고, 또한, 이 흡수형 다층막이 상기 기판의 양면에 이 기판을 중심으로 하여 서로 대칭인 막구조가 되도록 각각 형성되어 기판의 휘어짐의 곡률반경이 500㎜이상으로 조정되어 있는 동시에, 상기 금속막층을 구성하는 Ni계 합금에 있어서 Ti원소의 첨가 비율이 5～15중량%, Al원소의 첨가 비율이 3～8중량%, V원소의 첨가 비율이 3～9중량%, W원소의 첨가 비율이 18～32중량%, Ta원소의 첨가 비율이 5～12중량%, Si원소의 첨가 비율이 2～6중량%의 범위에 각각 설정되어 있고, 0.400㎛～0.800㎛의 가시영역 전영역에 있어 투과율의 변동폭이 10%이내인 것을 특징으로 하는 흡수형 다층막 ND 필터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물로 이루어지는 기판 편측의 유전체층의 합계 막두께가 100㎚이상, 또한 Ni계 합금으로 이루어지는 기판 편측의 금속막층의 합계 막두께가 30㎚이하로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 흡수형 다층막 ND 필터.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 SiO2, Al2O3 또는 이들 혼합물로 이루어지는 각 유전체층의 막두께가 모두 동일 막두께로 설정되고, 또한 Ni계 합금으로 이루어지는 각 금속막층의 막두께도 모두 동일 막두께로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 흡수형 다층막 ND 필터.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
KR1020050095346A 2004-11-24 2005-10-11 흡수형 다층막 ｎｄ 필터 KR101146624B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00338587 2004-11-24
JP2004338587 2004-11-24
JPJP-P-2005-00180936 2005-06-21
JP2005180936A JP4613706B2 (ja) 2004-11-24 2005-06-21 吸収型多層膜ｎｄフィルター

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060058005A KR20060058005A (ko) 2006-05-29
KR101146624B1 true KR101146624B1 (ko) 2012-05-16

Family

ID=36461266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050095346A KR101146624B1 (ko) 2004-11-24 2005-10-11 흡수형 다층막 ｎｄ 필터

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7666527B2 (ko)
JP (1) JP4613706B2 (ko)
KR (1) KR101146624B1 (ko)
TW (1) TWI380057B (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4706859B2 (ja) * 2006-09-12 2011-06-22 住友金属鉱山株式会社 吸収型多層膜ｎｄフィルターの製造方法
JP5114995B2 (ja) * 2006-11-30 2013-01-09 住友金属鉱山株式会社 耐熱遮光フィルムとその製造方法、及びそれを用いた絞り又は光量調整装置
JP5217218B2 (ja) * 2007-04-09 2013-06-19 住友金属鉱山株式会社 吸収型多層膜ｎｄフィルターチップの製造方法と吸収型多層膜ｎｄフィルターチップ並びに吸収型多層膜ｎｄフィルターチップの接合方法および吸収型多層膜ｎｄフィルター付き絞り羽根とその製造方法
JP5067133B2 (ja) * 2007-11-13 2012-11-07 住友金属鉱山株式会社 吸収型ｎｄフィルター
JP5066644B2 (ja) * 2008-04-30 2012-11-07 東海光学株式会社 多層膜ｎｄフィルター
JP5391641B2 (ja) * 2008-10-20 2014-01-15 株式会社ニコン フィルタ装置、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法
MX2009002822A (es) * 2009-03-17 2010-02-22 Juan Luis Rendon Granados Un vidrio antirreflejante por una o ambas caras, en forma parcial o total, de un tacto suave y terso, con un aspecto que no refleja la luz y agradable a la vista.
US9581742B2 (en) 2012-11-20 2017-02-28 Corning Incorporated Monolithic, linear glass polarizer and attenuator
JP5978247B2 (ja) * 2014-05-21 2016-08-24 株式会社東芝 表示装置
EP2977202A1 (fr) * 2014-07-25 2016-01-27 AGC Glass Europe Vitrage chauffant
US10550034B2 (en) * 2014-07-25 2020-02-04 Agc Glass Europe Decorative glass panel
JP6330708B2 (ja) * 2015-03-30 2018-05-30 住友金属鉱山株式会社 成膜方法および積層体フィルムの製造方法
KR102613927B1 (ko) * 2016-02-23 2023-12-15 토카이 옵티칼 주식회사 플라스틱 기재 nd 필터 및 안경용 플라스틱 기재 nd 필터
US10304603B2 (en) 2016-06-29 2019-05-28 International Business Machines Corporation Stress control in magnetic inductor stacks
US10811177B2 (en) * 2016-06-30 2020-10-20 International Business Machines Corporation Stress control in magnetic inductor stacks
US10283249B2 (en) 2016-09-30 2019-05-07 International Business Machines Corporation Method for fabricating a magnetic material stack
KR101890039B1 (ko) 2016-12-15 2018-08-21 신한대학교 산학협력단 세극등
KR101868237B1 (ko) 2016-12-29 2018-06-18 신한대학교 산학협력단 세극등 제조방법 및 플루레신 이미지 제어방법
US10914944B1 (en) * 2018-07-24 2021-02-09 Facebook Technologies, Llc Anti-refraction cancelling prism for multi-beam interference lithography exposure
JP2020079853A (ja) * 2018-11-13 2020-05-28 キヤノン株式会社 光学素子、光学系、および、光学機器
CN116496000A (zh) * 2018-12-21 2023-07-28 Ａｇｃ株式会社 层叠体和层叠体的制造方法
US11435507B2 (en) * 2019-02-12 2022-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Optical element, optical system, and imaging apparatus
BR112021016310A2 (pt) * 2019-03-05 2021-10-13 Quantum-Si Incorporated Filtro de absorção óptico para dispositivo integrado
CN113721313B (zh) * 2021-08-11 2022-05-31 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种低吸收低热畸变薄膜的实现方法
WO2024114989A1 (en) * 2022-12-01 2024-06-06 Admesy B.V. Optical filter arrangement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11119006A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光減衰多層膜、及び光送信モジュ−ル
JPH11202126A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Japan Aviation Electron Ind Ltd 誘電体多層膜フィルタ
JP2000096167A (ja) * 1998-09-17 2000-04-04 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ＴｉＮｉ系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品
JP2000169923A (ja) * 1998-12-04 2000-06-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｗ−Ｎｉ系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3826728B2 (en) * 1970-05-20 1994-07-12 Boc Group Plc Transparent article having reduced solar radiation transmittance and method of making same
JPS5547361A (en) 1978-09-28 1980-04-03 Hitachi Metals Ltd Magnetic alloy for dental surgery
JPS57195207A (en) 1981-05-26 1982-11-30 Olympus Optical Co Ltd Light absorbing film
US4960310A (en) * 1989-08-04 1990-10-02 Optical Corporation Of America Broad band nonreflective neutral density filter
JP3359114B2 (ja) 1993-08-26 2002-12-24 キヤノン株式会社 薄膜型ｎｄフィルター及びその製造方法
JPH10133253A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Canon Electron Inc 光量絞り装置
JP2000169957A (ja) * 1998-12-04 2000-06-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｖ−Ｎｉ系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品
JP4623349B2 (ja) 2001-05-23 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜型ｎｄフィルタおよびその製造方法
JP4855602B2 (ja) * 2001-07-27 2012-01-18 日本電産コパル株式会社 薄膜型ｎｄフィルタ及びその製造方法
US7095933B2 (en) * 2002-04-09 2006-08-22 Barth Phillip W Systems and methods for designing and fabricating multi-layer structures having thermal expansion properties
JP2004037545A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Nisca Corp Ｎｄフィルタ及びこれを用いた絞り装置
DE112004000723T5 (de) * 2003-11-14 2008-03-06 Nidec Copal Corp. ND-Filter und Lichtmengenblendenvorrichtung einschließlich ND-Filter
JP4481720B2 (ja) * 2004-05-14 2010-06-16 日本電産コパル株式会社 Ｎｄフィルタ及び光量絞り装置
JP4595687B2 (ja) * 2004-07-20 2010-12-08 住友金属鉱山株式会社 吸収型多層膜ｎｄフィルター
JP2006084994A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Nidec Copal Corp Ｎｄフィルタ及びこれを用いた光量絞り装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11119006A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光減衰多層膜、及び光送信モジュ−ル
JPH11202126A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Japan Aviation Electron Ind Ltd 誘電体多層膜フィルタ
JP2000096167A (ja) * 1998-09-17 2000-04-04 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ＴｉＮｉ系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品
JP2000169923A (ja) * 1998-12-04 2000-06-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｗ−Ｎｉ系ターゲット材料、電極材料、及び実装部品

Also Published As

Publication number Publication date
JP4613706B2 (ja) 2011-01-19
US7666527B2 (en) 2010-02-23
JP2006178395A (ja) 2006-07-06
TW200617436A (en) 2006-06-01
TWI380057B (en) 2012-12-21
KR20060058005A (ko) 2006-05-29
US20100014178A1 (en) 2010-01-21
US20060110587A1 (en) 2006-05-25
US8067102B2 (en) 2011-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101146624B1 (ko) 흡수형 다층막 ｎｄ 필터
KR101113028B1 (ko) 흡수형 다층막 ｎｄ 필터
JP4984101B2 (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルターの製造方法
JP4692548B2 (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルターおよびその製造方法
JP2006301487A (ja) 近赤外線カットフィルタ
KR101193096B1 (ko) 광학 필터 및 광학 필터의 제조 방법
JP2012163756A (ja) 低反射性遮光構造
JP4963027B2 (ja) Ｎｄフィルタおよびその製造方法、それらを用いた光量絞り装置
JP2010128259A (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルター及びその製造方法
JP4914955B2 (ja) Ｉｒカット機能付きｎｄフィルタ
JP5239630B2 (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルター
JP4466457B2 (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルターとその製造方法
JP2010224350A (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルターとその製造方法
JP4760011B2 (ja) 光学部材
JP4984100B2 (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルターの製造方法
JP4914954B2 (ja) Ｎｄフィルタ
JP2019117311A (ja) Ｎｄフィルターおよびその製造方法
JP4811293B2 (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルター及びその製造方法
JP2020091443A (ja) 偏光子及び光アイソレータ
JP2014016568A (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルター
JP2012037873A (ja) Ｉｒカット機能付きｎｄフィルタ
JP2014016565A (ja) 吸収型多層膜ｎｄフィルター

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee