KR101128348B1 - 기화기 - Google Patents
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기화기를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기화기의 효과(또는 이점)를 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태의 제1 변형예에 따른 기화기를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태의 제1 변형예에 따른 기화기를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태의 제2 변형예에 따른 기화기를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태의 제2 변형예에 따른 기화기의 효과(또는 이점)를 설명하기 위한 설명도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 성막 장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
Claims (10)
- 고체 성막 원료를 승화시켜 발생시킨 성막 원료 가스를 성막 장치에 공급하는 기화기로서,
상기 고체 성막 원료를 가열하여 승화시켜 성막 원료 가스를 발생시키는 가열부와,
상기 가열부의 상방에 형성되며 상기 가열부에 상기 고체 성막 원료를 공급하는 공급부와,
상기 가열부에서 발생된 성막 원료 가스를 반송(搬送)하는 캐리어 가스를 도입하는 가스 도입부와,
발생된 성막 원료 가스를 캐리어 가스와 함께 상기 성막 장치로 도출하는 가스 도출부를 구비하는 기화기. - 제1항에 있어서,
상기 가스 도입부로부터 도입되는 상기 캐리어 가스가, 상기 가열부 내를 통과하여 상기 가스 도출부로부터 도출되도록 상기 가열부, 상기 가스 도입부 및, 상기 가스 도출부가 배치되는 기화기. - 제2항에 있어서,
상기 가열부가, 상기 고체 성막 원료를 유지 가능하며 통기성을 갖는 메시부를 구비하고,
상기 캐리어 가스가 상기 가열부 내를 통과할 때에 상기 메시부를 빠져나가는 기화기. - 제1항에 있어서,
상기 가스 도입부와 상기 가스 도출부와의 사이에 형성되는 가스 통로를 추가로 구비하고,
상기 가열부가, 상기 고체 성막 원료를 유지 가능하며 통기성을 갖는 메시부를 상기 가스 통로에 노출하도록 구비하는 기화기. - 제1항에 있어서,
상기 고체 성막 원료가 상기 가열부에서 가열되는 기화기. - 제3항에 있어서,
상기 메시부의 메시의 개구 사이즈가 상기 고체 성막 원료의 성막 원료 분말의 입경보다 작은 기화기. - 제4항에 있어서,
상기 메시부의 메시의 개구 사이즈가 상기 고체 성막 원료의 성막 원료 분말의 입경보다 작은 기화기. - 제1항에 있어서,
상기 가스 도입부로부터 상기 가열부로 도입되는 캐리어 가스를 가열하는 캐리어 가스 가열 유닛을 추가로 구비하는 기화기. - 제8항에 있어서,
상기 캐리어 가스 가열 유닛에 있어서 상기 캐리어 가스의 가열 온도가 상기 고체 성막 원료의 승화 온도보다도 높은 기화기. - 제1항에 있어서,
상기 공급부 내의 상기 고체 성막 원료를 진동시키도록 형성되는 진동 기구를 추가로 구비하는 기화기.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2009-061587 | 2009-03-13 | ||
JP2009061587A JP5361467B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | 気化器 |
PCT/JP2010/054118 WO2010104150A1 (ja) | 2009-03-13 | 2010-03-11 | 気化器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100115347A KR20100115347A (ko) | 2010-10-27 |
KR101128348B1 true KR101128348B1 (ko) | 2012-03-23 |
Family
ID=42728438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020107015120A KR101128348B1 (ko) | 2009-03-13 | 2010-03-11 | 기화기 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110023784A1 (ko) |
JP (1) | JP5361467B2 (ko) |
KR (1) | KR101128348B1 (ko) |
TW (1) | TWI418644B (ko) |
WO (1) | WO2010104150A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5820731B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-11-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および固体原料補充方法 |
EP2764131A1 (en) * | 2011-10-05 | 2014-08-13 | First Solar, Inc | Vapor transport deposition method and system for material co-deposition |
JP6111171B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2019151894A (ja) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 東芝メモリ株式会社 | 気化装置および気化ガス供給ユニット |
JP2020180354A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 原料ガス供給システム及び原料ガス供給方法 |
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Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPH05214537A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-24 | Nec Corp | 固体昇華用の気化器 |
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JP3153190B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | 高分子膜の製造装置とこの装置を用いた成膜方法 |
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EP2187708B1 (en) * | 2007-09-10 | 2013-01-23 | Ulvac, Inc. | Film deposition apparatus with organic-material vapor generator |
TW200942639A (en) * | 2007-12-07 | 2009-10-16 | Jusung Eng Co Ltd | Deposition material supplying module and thin film deposition system having the same |
-
2009
- 2009-03-13 JP JP2009061587A patent/JP5361467B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-11 US US12/933,878 patent/US20110023784A1/en not_active Abandoned
- 2010-03-11 WO PCT/JP2010/054118 patent/WO2010104150A1/ja active Application Filing
- 2010-03-11 KR KR1020107015120A patent/KR101128348B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-12 TW TW099107178A patent/TWI418644B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110023784A1 (en) | 2011-02-03 |
JP5361467B2 (ja) | 2013-12-04 |
JP2010219146A (ja) | 2010-09-30 |
KR20100115347A (ko) | 2010-10-27 |
WO2010104150A1 (ja) | 2010-09-16 |
TW201107506A (en) | 2011-03-01 |
TWI418644B (zh) | 2013-12-11 |
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