KR101125582B1 - 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀들과 그들을 형성하기 위한 방법 - Google Patents

Abstract

마이크로전자기계시스템(MEMS, Micro-Electro-Mechanical-Systems) 인터커넥션 핀은 전도층과 기판상에 형성되는 희생층에 제조된다. 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀은 상기 전도층에 직접적으로 접촉하는 프레임에 부착되는 핀 베이스를 구비한다. 이어서 상기 기판으로부터 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 분리하기 위해 상기 희생층은 적어도 부분적으로 제거된다. 일 실시예에서, 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀은 핀 베이스, 상기 핀 베이스의 두 개의 반대편 표면들로부터 외측으로 연장되는 두 개의 스프링들과, 각각의 스프링에 부착되는 팁부를 구비한다. 상기 팁부들은 전도성 대상체들에 접촉을 생성하도록 적어도 하나의 접촉 팁들을 포함한다.

Description

마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀들과 그들을 형성하기 위한 방법{MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS INTERCONNECTION PINS AND METHOD FOR FORMING THE SAME}

본 발명의 적어도 하나의 실시예는, 마이크로전자기계시스템(MEMS, Micro-Electro-Mechanical Systems)에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀들의 제조에 관한 것이다.

마이크로전자기계시스템(MEMS, Micro-Electro-Mechanical-Systems)은, 마이크로 제조기술을 통해 실리콘 기판과 같은 통상의 기판상에 기계 요소들, 센서들, 액츄에이터들 및 전자 기기들을 집적화하는 것이다. 상기 전자 기기들은 집적 회로(IC) 공정 시퀀스들(예를 들면, CMOS, Bipolar, 또는 BICMOS 공정들)을 사용하여 제조되는 한편, 마이크로 기계 요소들은 기계 및 전자기계 장치들을 형성하도록 실리콘 웨이퍼의 특정 부분들을 선택적으로 에칭하거나 새로운 구조층을 추가하는 호환 가능한 "마이크로가공(micromachining)" 공정들을 사용하여 제조된다.

MEMS 장치는 마이크로미터 스케일(미터의 100만분의 1) 단위의 미세 구조물들을 포함한다. 이러한 MEMS 기술의 중요한 부분들은 집적 회로(IC) 기술로부터 채용되고 있다. 예를 들면, 집적 회로들(ICs)과 마찬가지로, MEMS 구조물들은, 일반적으로 박막 형태로 구현되고 포토리소그래피 방법들로 패터닝된다. 또한, 집적 회로들과 마찬가지로, MEMS 구조물들은, 일반적으로, 일련의 증착, 리소그래피 및 에칭에 의해 웨이퍼 상에 제조된다.

MEMS 구조물들의 복잡성이 증가함에 따라, MEMS 장치의 제조 공정 또한 복잡성이 증가하게 된다. 예를 들면, MEMS 프로브들의 어레이 및/또는 MEMS 인터커넥션 핀들의 어레이는 프로브 카드에 조립될 수 있다. 프로브 카드는 전자 테스트 시스템과 테스트 중인 반도체 웨이퍼 사이의 인터페이스이다. 프로브 카드는, 상기 테스트 시스템과 상기 웨이퍼상의 회로 사이의 전기적인 경로를 제공하며, 이에 의해 상기 웨이퍼 상의 칩들이 다이싱(diced) 및 패키지(packaged) 되기 전에, 상기 웨이퍼 레벨에서 상기 회로의 테스트와 검증(validation)이 가능하게 된다. 프로브들은 프로브 어레이 플랫폼의 정면에 조립된다. 테스트 동안, 상기 프로브들은 측정하기 위해 테스트 중인 상기 회로에 전기적인 접촉을 형성한다. 상기 측정은, 상기 프로브 플랫폼에 형성된 전도성 경로들을 통해 상기 프로브 어레이 플랫폼의 후면(backside)으로 전달된다. 인터커넥션 핀들은 상기 프로브 어레이 플랫폼의 후면(backside)을 전기적으로 상기 측정을 분석하는 테스트 시스템에 연결되는 인쇄회로기판(PCB)으로 연결한다.

통상적으로, 프로브들 뿐만 아니라 인터커넥션 핀들은, 전체의 웨이퍼에 걸쳐서 일련의 증착 공정들을 이용하여, 수직 방향(상기 기판의 표면에 대해)으로 깊게 복수의 레이어(multiple layers)를 구비하는 하나의 기판상에 제조된다. 통상적인 방법론과의 관계는, 어떤 증착 공정과 어떤 개별적인 프로브에서 발생하는 단점 또는 오염이 전체의 웨이퍼를 실패시킬 수 있다는 것이다. 나아가서, 프로브 형상들의 설계는 일반적으로 상기 프로브 스프링의 길이 방향 축을 따른 방향으로 프로브 재료들의 레이어들을 증착하는 통상적인 공정들에 의해 제한된다. 이러한 통상적인 공정들은 축적하기(pile) 위한 복수의 리소그래픽(lithographic) 공정들을 이용하여 프로브의 수직하고 다차원적인(multi-dimensional) 구조를 생성하며, 프로브 재료들의 모든 레이어를 연결한다. 결과적으로, 상기 마지막 구조(예를 들면, 상기 프로브 스프링과 상기 핀 스프링)는 뾰족하고 평탄하지 않은 외형을 갖기 쉽고 상기 레이어들 사이의 평탄한 변환이 부족하게 된다. 따라서, 수율(yield)을 증대시키고 리드 타임(lead time)과 가격을 감소시키기 위해 통상적인 제조 공정들을 향상시키고 프로브들의 설계를 향상시킬 필요가 있다.

본 발명의 목적은, 수율을 증대시키고 리드 타임(lead time)과 가격을 감소시키기 위해 통상적인 제조 공정들을 향상시키고 프로브들의 설계를 향상시키는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀들과 그를 성형하기 위한 방법을 제공하는 것이다.

두 개의 전도성 표면들을 전기적으로 연결하기 위한 마이크로전자기계시스템(Micro-Electro-Mechanical-Systems) 인터커넥션 핀들을 제조하는 기술이 개시된다. 상기 MEMS 인터커넥션 핀들(또한 '핀들'로 참조되는)은 프로브 카드의 안내 플레이트와 같은 또 다른 플랫폼을 사용하여 기판상에 제조된다. 일 실시예에서, 각각의 핀은 핀 베이스와, 하나 이상의 스프링들과, 하나 이상의 팁 부분들을 포함한다. 상기 핀은 상기 핀이 기판의 표면과 평행한 평면상에 놓인, "놓는(lying)" 상태로 형성된다. 상기 핀은, 상기 핀 아래에 언더컷을 형성시키고 기판상 닻 구조(anchoring structure;'frame')로부터 핀 베이스를 절단시킴에 의해 상기 기판으로부터 분리된다. 다음 상기 핀은 프로브 카드의 어플리케이션 플랫폼('안내 플레이트')에 부착된다. 상기 부착 공정동안, 상기 핀은 "세워진(standing)" 상태로 위로 들어 올려지고 이에 따라 단지 상기 핀 베이스가 상기 안내 플레이트(guiding plate)에 부착된다. 상기 핀이 상기 안내 플레이트의 홈(slot)에 배치된 후, 상기 핀의 일면은 프로브 기판의 후면과 접촉하고 상기 핀의 타면은 프로브 카드 인쇄회로기판(PCB)에 접촉한다.

여기에 개시되는 상기 인터커넥션 핀들은 연결 스트립들(connection strips), 커넥터들(connectors), 테스트 소켓들(test sockets) 및 반도체 테스트 장치(semiconductor testing equipment) 뿐만 아니라 프로브 카드들에 사용될 수 있다. 인터커넥션 핀들('pogo pins'로 잘 알려진)을 제조하는 전통적인 공정들은 전형적으로 균일성(uniformity), 수율(yield), 대량 제조를 위한 긴 리드 타임(lead time) 및 고가(high cost)에서 어려움을 갖고 있다. MEMS 공정들은 일괄 생산(batch production), 대량(high volume), 저가 및 짧은 리드 타임을 가능하게 한다.

일 실시예에서, 픽 앤드 플레이스(pick-and-place) 공정이 개시된다. 픽 앤드 플레이스 공정에서, MEMS 인터커넥션 핀들(또는 '핀들')은 개별적으로 기판으로부터 떼어 내지고('picked'), 이어서 언패키지된(unpackaged) 상태의 어플리케이션 플랫폼에 배치된다('placed').

이러한 '픽 앤드 플레이스' 기술은 상기 프로브들의 수율을 향상시킬 뿐만 아니라, 상기 핀들이 어떻게 제조되고 사용되는 지에 대한 유연성(flexibility)을 상당히 증가시킨다. 예를 들면, 핀들의 어레이(array)는 동시에 기판으로부터 분리되거나 동시에 적어도 하나 이상의 부분으로 분리된다. 각각의 상기 핀들은 동일하거나 서로 다른 상기 어플리케이션 플랫폼들에 부착될 수 있다. 나아가서, 상기 핀들은 제1의 배열에서 상기 기판상에 제조될 수 있는 동일한 어플리케이션 플랫폼에 부착되고 이어서 제2의 배열에서 상기 어플리케이션 플랫폼에 부착되는데, 상기 제1의 배열과 제2의 배열은 상기 핀들 사이의 서로 다른 간격, 상기 핀들의 서로 다른 오리엔테이션들(orientations) 또는 전술한 두 개의 조합을 가질 수 있다.

핀들이 상기 마지막 어플리케이션으로 사용되는 상기 플랫폼과 다른 기판상에 제조됨에 따라, 상기 개별적인 핀들의 수율은 상기 마지막 제품의 수율에 직접적으로 영향을 미치지 않는다. 핀들의 만족스런 공정 선택은 상기 핀들이 상기 프로브 카드들에 조립되기 전에 실행될 수 있다. 불량 핀들은 상기 부착 공정 전에 폐기되거나 상기 기판상에 놓여질 수 있다.

여기서, 상기 "MEMS 인터커넥션 핀" 또는 "핀"이라는 용어는 MEMS 기술에 의해 제조되는 핀을 말한다. 여기에 개시되는 상기 기술은 다른 MEMS 부품들(예를 들면, 기계적인 부품들(mechanical parts), 광학 부품들(optical parts), 전기 부품들(electrical parts) 등)에 적용될 수 있다는 것을 알 수 있다. 전형적으로, MEMS 부품은 10×10×10 ㎛부터 5000×5000×5000㎛까지의 차원(dimensions)을 갖는다. MEMS 부품의 예들은 프로브(probe), 인터커넥션 핀(interconnection pin), 레이저 모듈(laser module), 광학 렌즈(optical lenses), 마이크로-기어(micro-gears), 마이크로-저항(micro-resistors), 마이크로-캐패시터(micro-capacitors), 마이크로-인덕터(micro-inductors), 마이크로-다이아프램(micro-diaphragms), 마이크로-릴레이(micro-relays), 마이크로-스프링, 도파관(waveguides), 마이크로 그루브(micro-grooves) 등을 포함한다.

여기서, "기판"이란 용어는, 상기 프로브들, 인터커넥션 핀들 및 상기 프로브 카드의 오퍼레이션(operations)에 연관되지 않는 제조 공정에서 사용되는 기판을 말한다. 상기 기판의 형상은 원형 또는 직사각형일 수 있다. MEMS 인터커넥션 핀들을 제조하는 기판의 예들은, 이에 한정되지는 않지만, 세라믹(ceramics), 글래스(glasses), 금속판(metal plates), 플라스틱판(plastic plates), 다른 유전체(dielectrics) 및 반도체(예를 들면, 실리콘(Si)) 웨이퍼들을 포함한다. 실리콘 기반의 기판(Si-based substrate)과 비교할 때, 비 실리콘 기판(non-silicon substrate)은 다양한 표준 크기를 제공하며, 보다 두껍고 비-원형 표준 기판으로 적용 가능하다. 또한, 일부의 비-실리콘 기판들은 제조 공정에서 사용되는 대부분의 화학제품에 비활성이다. 실리콘 기반의 기판을 포함하여 대부분의 기판들은, 그 위에 MEMS 부품들이 마련된 상태에서 가공될 수 있다. 상기 기판들 상의 가공된 물질들은 기판에 대한 손상없이 나중에 제거되거나 용해될 수 있다. 따라서, 여기서 설명되는 핀들을 제조하기 위한 상기 기판은, 다른 설명이 없다면, "재사용 가능한 기판"이다. 재사용 가능한 기판은, 상기 핀들이 기판으로부터 분리되고 잔여 물질들이 제거된 후 다음 핀들의 제조를 위해 재사용될 수 있다.

여기서, 상기 "어플리케이션 플랫폼"이란 용어는, 제조된 제품들(예를 들면, 프로브들 또는 핀들)이 부착되는 플랫폼을 제공하는 프로브 카드의 일 부분을 말한다. 상기 어플리케이션 플랫폼은 전자 테스트 시스템을 연결하는 인쇄회로기판(PCB)에 전기적으로 연결된다. 어플리케이션 플랫폼은, 반도체, 글래스, 세라믹(예를 들면, LTCC(low-temperature co-fired ceramics), HTCC(high-temperatured co-fired ceramics)), 금속, 다른 유전체 물질, 유기체 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지 아니한다. 프로브들 또는 핀들에 더하여, 어플리케이션 플랫폼은 전기적인 연결, 전기적인 접촉, 전기적인 격리, 전기적인 접지, 집적 회로(IC) 모듈, ASIC(application specific IC) 모듈, 유전체 패터닝, 전도 개구부 한정(conducting opening definition), 기계적인 지지, 기계적인 보호, 열 전도, 정전기적 방전(ESD) 보호, 부품들을 위한 제한(confinement for parts), 및 와이어 본딩 패드와 같은 컴포넌트들을 포함할 수 있다.

프로브 카드에 사용되는 상기 핀들은 하나 이상의 재사용 가능한 기판으로부터 제조될 수 있다는 것을 알 수 있다. 프로브 카드에 사용되는 상기 핀들은 서로 다른 오리엔테이션(orientations), 형상들, 크기들 및 재료들을 가질 수 있다. 상기 프로브 카드의 상기 핀들의 위치는 설정에 따라 바뀔 수 있다.

본 발명을 실행시키는 상세한 기술과 바람직한 실시예들은 본 기술분야의 당업자가 청구된 발명의 특징을 충분히 인식하도록 첨부된 도면들을 수반하는 후술하는 문장들을 통해 개시된다.

본 발명은, 수율을 증대시키고 리드 타임(lead time)과 가격을 감소시키기 위해 통상적인 제조 공정들을 향상시키고 프로브들의 설계를 향상시킬 수 있다.

본 발명의 하나 이상의 실시예들은 첨부된 도면들에서 한정이 아니라 예로서 도시되며, 유사한 도면 부호는 유사한 구성 요소를 지시한다.
도 1a 및 도 1b는 전도층이 형성된 기판의 사시도와 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 개구가 형성된 전도층에 적용된 제1 희생층을 도시한다.
도 3a 및 도 3b는 팁 베이스들과 프레임의 바닥 부분들의 형태를 도시한다.
도 4a 및 도 4b는 접촉 팁들의 형태를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 핀의 나머지 부분의 형태를 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 평탄화 작업을 도시한다.
도 7a 및 도 7b는 제1 희생층의 제거를 도시한다.
도 8은 양면(double-sided) 핀의 구조를 도시한다.
도 9는 핀 베이스에 립들(lips)과 스내칭(snatching) 단부들을 구비하는 양면 핀을 도시한다.
도 10은 안내 플레이트에 고정된 도 9의 양면 핀을 도시한다.
도 11은 스프링들의 양측을 따라 보호벽들을 갖는 양면 핀을 도시한다.
도 12a 내지 도 12h는 다양한 핀 설계를 도시한다.
도 13a 및 도 13b는 외벽들을 갖는 양면 핀을 도시한다.

후술하는 설명에서는, 복수의 상세한 기술을 설명한다. 그러나, 본 발명이 이러한 구체적인 상세한 설명들 없이도 실행될 수 있다는 것은 본 기술분야의 당업자에는 명백하다. 몇몇의 경우에서, 본 발명을 불명료하게 하는 것을 방지하기 위해, 주지의 구조들과 장치들은 보다 상세한 설명보다는 블록 다이어그램 폼으로 나타낸다.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 기판상에 MEMS 인터커넥션 핀(또한 '핀'으로 참조되는)을 제조하는 공정들의 일 실시예가 도시된다. 상기 공정들은 사시도들과 단면도들에서 나타난다. "a"가 라벨된 모든 도면들은 사시도를 보여주고, "b"가 라벨된 모든 도면들은 단면도를 보여준다. 본 발명의 특징 요소에 직접적으로 관련되지는 않지만 본 기술 분야의 당업자에 의해 쉽게 이해되는 일부 표준 또는 루틴(routine) 공정 작업은 후술하는 설명에서 생략될 수 있다. 도 1 내지 도 7에서는 양면(two-sided)의 핀이 나타날지라도 후술하는 공정들은 또한 단일면(one-sided)의 핀의 제조에 적용될 수 있다.

도 1a와 도 1b는 기판(11) 상에 형성된 덮개 금속층(12)(예를 들면, 금 또는 다른 전도성 물질(들))을 보여준다. 일 실시예에서, 기판(11)에의 접착을 향상시키기 위해, 덮개 금속층(12)의 바닥부는 덮개 금속층(12)의 재료와는 다른 전도성 물질(예를 들면, 크롬과 금의 조합)로 만들어진 시드층(seed layer)으로서 참조된, 박막 필름(예를 들면, 도시되지는 않았지만 1 마이클론보다 작은)으로 코팅될 수 있다. 일 실시예에서, 덮개 금속층(12)은 전해 도금과 같은 전기적인 성형 공정(전착(electrodeposition)으로 알려진)에 의해 증착된다. 상기 시드층은 열 증발(thermal evaporation), 이-빔 증발(e-beam evaporation), 스퍼터링 증착(sputtering deposition) 등과 같은 박막 증착 공정에 의해 형성된다.

도 2a 및 도 2b에서, 덮개 금속층(12)이 기판(11)상에 형성된 후, 프토레지스트 패턴은 개구(28)를 갖는 제1 희생층(23)을 형성하도록 사용된다. 제1 희생층(23)은 덮개 금속층(12)과 기판(11)상에 형성된 상기 핀과는 다른 금속 레이어(예를 들면, 구리) 또는 합금으로 이루어진다. 제1 희생층(23)은 전기적인 성형 또는 다른 방법들에 의해 형성될 수 있다. 후술하는 일련의 공정 작업에서, 제1 희생층(23)은 상기 핀 아래로부터 제거된다. 일부 실시예에서, 제1 희생층(23)은 공정 작업이 더 실행되기 전에 평탄화될 수 있다. 평탄화는 래핑 머신(lapping machine), 다이아몬드 플라이 커터(diamond fly-cutter) 등과 같은 기계에 의해 실행될 수 있다.

제1 희생층(23)이 형성된 후, 상기 포토레지스트는 개구(28), 덮개 금속층(12) 또는 상기 시드층(미도시)을 통해 노출되도록 벗겨진다. 제1 리소그래픽 패턴화 몰드(lithographic photoresist patterned mold)(예를 들면, 도시되지 않았지만 포토레지스트 몰드)는 팁 베이스들(34)과 프레임(38)의 바닥 부분들의 형상을 정의하도록 사용된다(도 3a와 도 3b). 제1 리소그래픽 패턴화 몰드는 제1 희생층(23) 상에 배치되고, 전기적인 성형에 의해 금속(예를 들면, 니켈) 또는 합금 재료로 채워진다. 상기 제1 리소그래픽 패턴화 몰드는 팁 베이스들(34)의 바닥 부분들이 형성된 후 제거된다. 택일적으로, 상기 제1 리소그래픽 패턴화 몰드는, 일련의 공정 작업, 예를 들면, 상기 접촉 팁들이 형성되거나 상기 핀들이 형성된 후 제거될 수 있다.

프레임(38)은 덮개 금속층(12) 또는 상기 시드층(시드층이 사용된다면)과 직접적으로 접촉한다. 일 실시예에서, 프레임(38)과 팁 베이스들(34)의 바닥 부분들은 동일한 시간 동안 전기적인 성형에 의해 형성된다. 따라서, 팁 베이스들(34)과 프레임(38)의 바닥 부분들의 두께는 실질적으로 동일하다. 제1 희생층(23)의 상부와 프레임(38)의 중앙 영역에 형성된 프레임(38)의 측면 영역이 덮개 금속층(12)의 상부 또는 상기 시드층에 형성됨에 따라, 프레임(38)의 중앙 영역은 홈부(39)를 형성한다. 일부 실시예에서, 홈부(39)는 평탄화에 의해 채워질 수 있다. 사용자의 규격에 따라 평탄화 작업은 팁 베이스들(34)을 평평하게 하기 위해 실행될 수 있다.

도 4a와 도 4b는 팁 베이스(34)의 대응하는 바닥 부분들로부터 돌출되는 각각의 접촉 팁(45)의 일부분을 가지며, 팁 베이스(34)의 대응하는 바닥 부분들의 상부에 형성된 접촉 팁들(45)을 보여준다. 일 실시예에서, 접촉 팁(45)은 접촉 팁들(45)의 형상을 정의하기 위해서 제2 리소그래픽 패턴화 몰드(예를 들면, 도시되지 않았지만 포토레지스트 몰드)를 사용하여 형성된다. 상기 제2 리소그래픽 패턴화 몰드는, 전기적인 성형에 의해, 팁 베이스들(34)의 재료와는 다른 금속(예를 들면, 로듐) 또는 합금 재료로 채워진다. 상기 제2 리소그래픽 패턴화 몰드는 접촉 팁들(45)이 형성된 후 제거된다. 택일적으로, 상기 제2 리소그래픽 패턴화 몰드는 다음의 공정 실행, 예를 들면, 상기 핀들이 형성된 후 제거될 수 있다.

도 5a 및 도 5b, 도 6a 및 도 6b에 나타낸 바와 같이, 팁 베이스들(34)의 바닥 부분들과 접촉 팁들(45)이 형성된 후, 상기 핀과 프레임(38)의 나머지가 기판(11)상에 형성된다. 팁 베이스들(34, 팁 베이스들의 바닥 부분들)과 상기 핀(51)(돌출된 접촉 팁 45)이 동일 재료(예를 들면, 니켈)로 형성되는 일 실시예에서, 팁 베이스들(34)의 바닥 부분들은 핀(51)의 부분이 되는데 아래의 도면에서는 명확하게 도시되지 않는다.

도 5a와 도 5b는 프레임(38)에 부착되는 양면 핀(51, double-side pin)을 나타낸다. 제3 리소그래픽 패턴화 몰드(미도시)는 핀(51)의 나머지와 프레임(38)을 형성하도록 이용될 수 있다. 상기 제3 리소그래픽 패턴화 몰드는, 전기적인 성형에 의해, 금속(예를 들면, 니켈) 또는 합금과 같은 전도성 물질로 채워진다. 일부 실시예에서, 상기 제1, 제2, 제3 리소그래픽 패턴화 몰드들은 포토레지스트와 동일한 재료들 또는 다른 재료들로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 제3 리소그래픽 패턴화 몰드는 핀 베이스(58)와 프레임(38) 사이의 앵커링 조인트(52,anchoring joint)의 형상을 한정한다. 핀 베이스(58)는 핀(51)의 2개의 측부 사이에 위치한다. 앵커링 조인트(52)는 핀 베이스(58)와 프레임(38)을 연결하는 조인트 섹션의 양면에 깊은 브이-컷(V-cuts)을 갖도록 형성된다. 상기 앵커링 조인트(52)(핀 베이스 58와 프레임 38의 조인트 섹션을 통해 잘라진 평면에 의해 정의되는)의 단면(cross-section)은 얇고 좁은 영역이다. 예를 들면, 앵커링 조인트(52)가 양측에 깊은 브이-컷들을 갖도록 형성됨에 따라, 앵커링 조인트의 단면은 실질적으로 상기 프로브 층의 두께를 따라 연장된 라인 형상을 가진다. 상기 앵커링 조인트(52)의 형상은 외력에 의해 프레임(38)으로부터 핀(51)을 분리시키는 것을 용이하게 한다.

이러한 점에서 프레임(38)은 덮개 금속층(12) 또는 상기 시드층에 단단히 고정된다. 기판(11)상에서, 핀(51)은 그 핀(51)이 기판(11)의 표면과 평행한 평면상에 놓이는 "놓는(lying)" 자세(position)로 형성된다. 도 5b는 (Ⅰ)축과 (Ⅱ)축을 따른 핀(51)의 단면도를 나타낸다. 상기 "놓는" 자세에서, 핀(51)의 두께 단위, t는 기판(11)의 표면에 수직하게 보여진다. (Ⅰ)축은 양측의 팁 베이스들(34)을 통해 연장되고 (Ⅱ)축은 프레임(38), 앵커링 조인트(52) 및 핀 베이스(58)을 따라 연장된다. (Ⅱ)축은 90° 또는 다른 각도로 (Ⅰ)축을 교차할 수 있다. (Ⅰ)축과 (Ⅱ)축은 기판(11)의 표면에 평행하다. 핀(51)이 어플리케이션 플랫폼에 부착될 때, 이러한 "놓는" 자세는 핀(51)이 어플리케이션에 부착되는 "세우는"자세에 반대된다. 상기 "세우는" 자세에서, 핀(51)이 들어 올려짐(lifted up)에 따라 (Ⅰ)축(팁 베이스들 34를 연결하는 선)은 상기 어플리케이션 플랫폼을 수직하게 관통한다.

핀(51)이 형성된 후, 핀(51)의 표면은 핀(51)의 두께를 조절하기 위해 평탄화될 수 있다(도 6a 및 도 6b). 핀(51)은 사용자의 규격을 만족하기 위해 기판(11)의 표면에 평행한 상기 평면상에 실질적으로 동일한 두께를 가지도록 평탄화될 수 있다. 상기 평탄화 공정 동안, 핀(51)을 안전하게 하기 위해, 제2 희생층(62)이 핀(51) 전면(all over)에 미리 적용된다. 제1 실시예에서, 제2 희생층(62)은 제1 희생층(23)과 동일 재료로 생성된다. 기적용된 리소그래픽 패턴화 몰드들을 제거하거나 용해시킨 후, 핀(51)을 덮는 제2 희생층(62)(제1 희생층 23과 동일 재료인)을 증대(grow)시키도록 전기적인 성형 공정이 실행된다. 다른 실시예에서, 제2 희생층(62)은 포토레지스트 또는 기적용된 리소그래픽 패턴화 몰드들 중 어떤 것과 동일한 재료로 생성될 수 있다. 평탄화 작업 후, 잔재하는 몰딩 재료 또는 포토레지스트는 먼저 제거되거나 용해된다. 이어서, 잔재하는 희생층(예를 들면, 제1 희생층 23과, 제1 실시예에서, 제2 희생층 62)은 예를 들면, 화학적 에칭 또는 용해를 통해 제거된다(도 7a 및 도 7b). 상기 에칭 또는 용해 시간은 모든 희생 물질들이 에칭되거나 용해될 때까지 실행될 수 있다. 상기 에칭 또는 용해를 종료하기 위한 임계시간(critical time)의 설정은 불필요하다. 프레임(38)이 덮개 금속층(12) 또는 상기 시드층에 단단히 고정됨에 따라, 제1 희생층(23)의 완벽한 제거는 기판(11)으로부터 핀(51)을 완전히 분리하지 않는다. 제1 희생층(23)의 제거는 핀(51) 아래에 언더컷(37)을 생성한다.

핀(51)은 수동 또는 기계를 통해 앵커링 조인트(52) 또는 그 근방에 물리적 힘을 가함으로써 프레임(38)으로부터 분리될 수 있다. 기판(11)은 프레임(38)이 에칭되거나 용해된 후 재사용될 수 있다.

핀(51)은, 기판(11)의 표면에 대하여, 앵커링 조인트(52)에 또는 그 근방에 가해진 외력에 의해 분리될 수 있다. 측면 또는 상측으로, 또는 레이저 커팅에 의한 상기 외력은, 앵커링 조인트(52)에서 상기 좁은 연결부를 물리적으로 절단시킨다. 상기 좁은 연결부가 절단된 후, "절단"면은 이미 프레임(38)에 연결되어 있는 핀 베이스(58)의 측부인 핀 베이스(58)의 끝단에 형성된다. 이러한 절단면은 상기 기판으로부터 프로브를 분리하기 위해 외력을 사용하지 않는 종래의 프로브 성형 방법에 의해 정의된 표면과 구분된다. 일반적으로, 종래 방법에 의해 형성된 표면은 매끄럽고 통상적인 모양이다. 힘을 가한 절단에 의해 형성된 표면(핀 베이스 58의 절단 표면과 같은)은 일반적으로 거칠거칠하고 실질적으로 불규칙하다. 본 기술분야의 당업자는 상기 표면의 평탄함과 형상을 검사함에 의해 상기 절단 표면에 의해 표현된 이러한 "사인(signature)"을 인정할 수 있을 것이다. 핀(51)이 금속으로 만들어진 시나리오에서, 절단 금속 표면의 거칠기와 불규칙성은 포토레지스트 또는 다른 희생 물질들에 의해 정의된 도금 금속 표면과 시각적으로 식별 및 구분된다.

상기 도 1 내지 도 7에 개시된 공정 작업들은 동시에 복수의 핀들을 제조하도록 사용될 수 있다는 것을 알 수 있다. 대안적인 실시예에서, 양면 핀들(double-side pins)을 제조하기 위한 동일한 공정 작업들은 또한 단일면 핀들(single-sided pins)을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 단일면(single-sided) 핀은 그 핀 베이스의 일면에만 스프링을 갖고 있다. 상기 단일면 핀의 핀 베이스는 앵커링 조인트(52)를 통해 프레임(38)에 연결되어 있고 전술한 작업들을 이용하여 프레임(38)으로부터 분리될 수 있다.

도 8을 참조하면, 양면(double-sided) 핀(80)의 기본 구조는 핀 베이스(85), 핀 베이스(85) 양측(도 8에 나타낸 왼쪽과 오른쪽)의 스프링(82), 및 각각의 스프링(82) 단부의 팁부(83)(tip portion)를 포함한다. 핀(80)의 모든 부분들은 서로 다른 어플리케이션(applications)의 요구를 만족하도록 설정에 따라 변경될 수 있다. 도 1 내지 도 7과 연계하여 전술한 바와 같이, 여기서 기술된 상기 핀의 구조는, 팁 베이스들(84)의 바닥 부분, 접촉 팁들(86) 및 핀(80)의 나머지를 형성하는 적어도 3개의 분리된 리소그래픽 공정들에 의해 형성될 수 있다.

핀 베이스(85)는 프레임(38)으로부터 핀(80)을 절단시킨 결과로 형성되는 일단에 절단 표면(88)을 갖는다. 핀 베이스(85)는 상기 핀 구조물의 나머지를 기계적으로 지지하고 각각의 어플리케이션을 위한 플랫폼에 상기 핀을 고정시킨다.

각각의 팁부(83)는 팁 베이스(84)와 각각의 팁 베이스(84)에서 하나 이상의 접촉 팁들(86)을 포함한다. 팁 베이스(84)는 전도성 대상체로의 접촉을 형성하도록 접촉 팁들(86)을 지지한다. 접촉 팁들(86)은 그 접촉 영역이 노출되면서 팁 베이스(84) 금속에 의해 "샌드위치 되도록(sandwiched)" 설계된다. 접촉 팁들(86)의 형상은 핀(80)이 정해진 힘으로 접촉 재료에 전기적으로 우수하게 접촉하도록 설계될 수 있다. 상기 두 개의 팁부(83)는 반드시 동일한 형상을 갖는 것은 아니다. 핀(80)에서 접촉 팁들(86)의 형상과 핀(80) 양측의 접촉 팁들(86)의 개수는 반드시 동일하지 않다. 일부 어플리케이션들은 서로 다른 재료들의 2개의 표면에 전기적인 접촉을 생성하는 핀을 요구한다. 접촉 팁들(86)의 서로 다르며 최적화된 팁 형상들과 개수뿐만 아니라, 스프링들(82)의 서로 다르며 최적화된 스프링 상수들은, 대응하는 표면들에 최상의 밀접상태를 생성하도록 이용될 수 있다.

핀(80)이 핀(80)이 연결되는 대상체들의 표면에 전기적인 접촉들을 형성할 때 스프링들(82)은 탄성력을 제공한다. 스프링들(82)은 양면(double-sided) 핀을 형성하도록 핀 베이스(85)의 반대 면들로부터 인장된다. 상기 2개의 스프링들(82)은 반드시 동일한 형상 및/또는 스프링 상수를 가질 필요는 없다. 상기 2개의 스프링들(82)은 어떤 어플리케이션에 적합한 서로 다른 형상들 및/또는 스프링 상수들을 갖도록 설계될 수 있다. 일 실시예에서, 상기 스프링(82)의 형상은 원 또는 변형된 원(예를 들면, 반원, 반 타원, 1/4 타원 또는 1/4 원)의 일부이다. 또한 스프링들(82)은 그 폭(도 8에서 "W")이 상기 스프링의 길이("L"로 나타내진)를 따라 변하도록 설계될 수 있다. 상기 스프링들(82)의 형상이 하나의 리소그래픽 몰드(전술한 제3 리소그래픽 패턴화 몰드)에 의해 정의되고 하나의 리소그래픽 작업(예를 들면, 전술한 도 5a 및 도 5b에 관련하여 기술된 공정들)에서 형성됨에 따라서, 상기 형상은 어떤 곡률의 매끄러운 커브들 또는 다른 기하학적인 형상들을 가질 수 있다. 상기 형상들에 변화를 제공하도록 추가의 리소그래픽 단계들이 사용될 수 있다.

예를 들면, 양면 핀(80)은 프로브 카드에서 인쇄회로기판(PCB; 미도시)과 프로브 어레이 플랫폼(미도시) 사이에 접촉을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 핀(80)의 일단은 상기 프로브 어레이 플랫폼 후방 상의 패드(pad)에 접촉할 수 있고 타단은 상기 인쇄회로기판 패드(pad)에 접촉한다. 도 9에 나타낸 실시예에서, 핀 베이스(85)는 상측에 립들("lips",95), 하측에 스내칭 단부들("snatching" ends, 96)을 갖도록 설계될 수 있다. 립들(95)은 핀 베이스의 양단에서 길이방향으로 연장되는 상기 핀 베이스의 일부분들일 수 있다. 복수의 핀들(80)은 핀들의 어레이를 형성하도록 적절한 위치에 슬롯(slot)들을 갖는 안내 플레이트(guiding plate,97)에 삽입되고 고정될 수 있다. 이어서 핀들(80)은 립들("lips",95)과 스내칭 단부들("snatching" ends, 96)에 의해 고정된 상태로 될 것이다(도 10참조). 상기 인쇄회로기판, 안내 플레이트(97)(핀들 80이 로딩된) 및 상기 프로브 기판이 적절하게 정렬되고 적당한 스태킹(stacking) 힘이 상기 정렬에 가해질 때, 모든 패드(pad) 상에 우수한 전기적인 접촉이 얻어질 수 있다.

상기 핀들의 형상은 서로 다른 어플리케이션들의 요구를 만족하도록 설계에 따라 변동될 수 있다. 상기 핀이 단일면(one-sided)인 실시예에서, 상기 핀은 금속 결합되거나 소켓의 패드에 기계적으로 고정되어 테스트 소켓에서 핀으로 사용될 수 있다.

다른 실시예에서, 상기 핀은 보호 벽들(112, guarding walls)에 의해 보호되는 구불구불한 형상("snake" shaped)의 스프링들(111)을 구비한 양면 핀(110, double-sided pin)일 수 있다(도 11). 보호 벽들(112)은 상기 스프링(111)을 보호하고 벽들(112) 내에서 스프링(111)을 제한(confine)한다. 일 실시예에서, 벽들(112)은 구조적으로 핀 베이스(114)에 연결되고 핀 베이스(114)로부터 스프링들(111)의 양측을 따라 팁부(115)의 양측으로 연장된다. 도 11에 도시한 실시예에서, 각각의 팁부(115)는 접촉 팁들(119)의 아래에 인접한 상부 영역(116)과 스프링(111)의 상측에 인접한 하부 영역(117)을 포함한다. 상부 영역(116)과 하부 영역(117)은 벽들(112)이 끝나는 곳에 위치하는 얇은 목부(118, thin neck)를 통해 연결된다. 따라서, 이러한 실시예에서, 벽들(112)은 스프링들(111)을 제한하고 부분적으로 팁부들(115, 예를 들면 하부 영역(117)으로 한정된)을 제한하도록 연장된다. 벽들(112)은 스프링이 압축되는 동안 상기 벽 내의 스프링들(111)을 보호하고 상기 스프링을 제한하게 된다. 벽들(112)이 상기 팁 단부들에서 테이퍼지고 상기 팁부가 대응하도록 테이퍼지게 설계됨에 따라, 상기 팁부는 상기 벽들의 외측으로 나오는 것이 방지된다. 테스트 동안 접촉을 형성할 때, 접촉 팁은 때때로 패드 또는 솔더 볼(solder ball)에 움직이지 못하는 상태로 있을 수 있다. 상기 벽들에 대한 상기 팁 수축(constriction)은 상기 패드 또는 솔더 볼로부터 상기 접촉 팁의 분리를 유용하게 한다.

추가적으로, 도 11에 도시된 실시예에서, 상기 벽들(112)의 단부들은 둔각을 형성하도록 상기 팁부(115)의 얇은 목부(118)를 향해 꺾어진다. 즉, 벽들(112)은 팁부들(115)에서 테이퍼진 단부들을 갖는다. 일 실시에에서, 팁부(115)의 하부 영역(117)은 상기 벽들(112)의 단부와 부합(conformity)하는 형상의 상단부를 갖는다. 따라서, 상기 하부 영역(117)의 상단부는 벽들(112)의 테이퍼진 단부와 마찬가지 방식으로 테이퍼진다. 상기 스프링이 팁부(115)의 하부 영역(117)이 벽들(112)의 내면에 접촉하는 정도의 길이로 인장될 때, 형상들에서 상기 부합(conformity)은 점 접촉 대신에 스프링(111)이 면에 의해 벽들(112)에 접촉하는 것을 허용한다. 대안적인 실시예에서, 벽들(112)의 단부들은 예각 또는 직각을 형성하도록 팁부(115)의 얇은 목부(118)를 향해 꺾어질 수 있다. 하부 영역(117)의 상단부에는 벽들(112)의 단부와 마찬가지의 방식으로 각이 형성된다. 핀(110)은 벽에 의해 보호되는 일면(one side)과 벽에 의해 보호되지 않는 타면(the other side)을 갖는 것을 이해할 수 있을 것이다. 만약 핀(110)의 양면이 벽들에 의해 보호된다면, 각각의 면상의 상기 벽은 서로 동일한 형상을 가질 필요는 없다.

이러한 실시예에서, 또한 핀(110)은 안내 플레이트에 고정하기 위해 립들(95,lips)과 스내칭 단부들(96, snatching ends)을 갖는다. 대안적인 실시예에서, 핀(110)은 보호 벽들(112, guarding walls) 및/또는 립들(95,lips)과 스내칭 단부들(96, snatching ends) 없이 단일면(single-sided)으로 설계될 수 있다. 또한 핀(110)은 핀 베이스(114)의 일면 상에 하나의 스프링 형상을 갖고 핀 베이스(114)의 타면 상에 다른 스프링 형상을 갖도록 설계될 수 있다. 핀(110) 뿐만 아니라 후술하는 모든 핀들은 제조되는 동안 상기 핀을 분리함으로써 형성되는 그 핀 베이스(114)의 일단에 절단 표면(88)을 갖는다.

양면 핀들(double-sided pins)의 다른 예는 구불구불한 사각 형상("square" snake shaped)의 핀(도 12a), 좌굴(buckling) 스프링 힘을 갖는 곡선 모양의 핀(도 12b), 상기 접촉 팁들의 이동을 제한하기 위해 변위(displacement)를 스크럽(scrub)하는 가이딩 유닛들(121, guiding units)을 구비하는 곡선 모양의 핀(도 12c), 상기 핀의 각 면에, 동일 평면상에 대칭적으로 커브진 두 개의 호환(compliant) 요소들을 구비하는 균형잡힌(balanced) 2-곡선 좌굴 핀(도 12d), 가이딩 유닛들(122)을 구비하는 균형잡힌 2-곡선 좌굴 핀(도 12e), 적층된(stacked) "직사각형" 핀(도 12f), 양면(two-sided)에 안쪽으로 커브진(curve-in) 핀(도 12g), 각각의 스프링 유닛(125) 내에 스톱들(stops)을 구비하는 양면(two-sided)에 바깥쪽으로 커브진(curve-out) 핀(도 12h)을 포함한다. 도 12c 및 도 12e에서, 가이딩 유닛들(121,122)은 상기 핀 베이스로부터 연장되고 상기 스프링들의 이동을 제한하도록 사용된다. 각각의 가이딩 유닛(121,122)은 대응하는 팁 베이스의 연장부(extension)를 수용하도록 개구를 형성하는 두 개의 가이딩 레일들을 구비한다. 여기서 기술되는 상기 모든 핀들은 보호/포위(surrounding) 벽들, 및/또는 립들(lips)과 스내칭 단부들을 구비하는 단일면(single-sided), 양면(double-sided)으로 설계될 수 있다. 또한 여기서 기술되는 상기 모든 핀들은 상기 핀 베이스의 일면 상의 하나의 스프링 형상과 상기 핀 베이스의 타면상의 다른 스프링 형상의 조합을 갖도록 설계될 수 있다.

더욱이 복잡한 핀 구조는 더 많은 공정 작업을 실행하고 제조 동안 더 많은 레이어들을 사용함으로써 생성될 수 있다. 예를 들면, 핀(130)은 포위 벽들, 예를 들면, 전방 벽(131), 후방 벽(132), 및 두 개의 사이드 벽들(133)을 포함하는 벽들에 의해 보호되고 한정되는 스프링들(135)을 구비한다(도 13a 및 도 13b). 도 13a는 핀(130)의 상기 레이어들을 도시하고 도 13b는 핀(130)의 합성도(composite view)를 도시한다. 포위 벽들(131-133)은 구조적으로 핀 베이스(139)에 연결된다. 보호 벽들(131-133)은 핀 베이스(139)로부터, 스프링들(135)을 따라 팁부들(134)을 향해 연장된다. 포위 벽들(131-133)은 스프링들(135)을 보호하고 스프링이 압축되는 동안 상기 벽들 내의 상기 스프링들을 제한하게 된다. 포위 벽들(131-133)이 상기 단부들에서 테이퍼지거나 각이 형성될 수 있으며 팁부(134)는 대응하게 티이퍼지거나 각지게(angled) 설계됨에 따라, 팁부들(134)의 하부 영역들은 상기 벽들의 외측으로 나오는 것이 방지된다.

일 실시예에서, 후방 벽(132)은 팁 베이스들을 성형하기 전에 하나의 추가적인 공정 레이어를 사용하여 형성될 수 있으며(예를 들면, 상기 추가적인 공정은 도 2a - 도 2b의 작업과 도 3a - 도 3b의 작업 사이에서 실행될 수 있다), 사이드 벽들(133)의 후방 레이어는 후방 벽(132)을 형성한 후에 하나의 다른 공정 레이어를 사용하여 형성될 수 있다. 사이드 벽들(133)의 전방 레이어는 도 6a - 도 6b의 평탄화 작업 후에 형성될 수 있으며(예를 들면, 상기 공정은 도 6a - 도 6b의 작업과 도 7a - 도 7b의 작업 사이에서 실행될 수 있다), 전방 벽(131)은 사이드 벽들(133)의 전방 레이어가 형성된 후에 형성될 수 있다. 핀(130)의 두 개의 하부 레이어들(136)은 후방 벽(132)과 사이드 벽들(133)의 후방 레이어를 포함한다. 중간 레이어(137)는 부분적으로 형성되는 상기 벽들 내에 형성된 스프링들(135)과, 전방 벽(131)과 사이드 벽들(133)의 전방 레이어를 포함하는 두 개의 상부 레이어들(138)을 포함한다. 상기 4개의 추가적인 공정 레이어들에 따라, 스프링들(135)은 벽들(131-133)의 한정 범위 내에서 모든 방향들로 움직일 수 있다. 스프링들(135)은 도 9 내지 도 12에 도시된 스프링들 중 어떤 것일 수 있으며, 각각의 면에 서로 다른 형상 및/또는 스프링 상수들을 가질 수 있다는 것을 알 수 있다. 핀(130)은 립들과 스내칭 단부들을 구비하거나 구비하지 않는 단일면(one-sided) 또는 양면(double-sided)일 수 있다. 상기 포위 벽들(131-133)은 핀 베이스(139)의 일부와 연장된 부분이다. 일 실시예에서, 전방 벽(131)과 후방 벽(132)은 희생 에칭 동안 더 신속하게 언더컷을 형성하기 위해 상기 벽들에 홀들(140, holes)을 구비한다(도 7a 및 도 7b의 작업을 참조). 이러한 홀들이 구비됨에 따라, 에칭 화학물질은 핀 릴리스(release)를 위해 희생층(sacrificial layer)이 제거되는 동안 상기 핀 구조물의 아래 또는 내부로 좀 더 신속하게 진행할 수 있다.

이상, 기판 상에 마이크로전자기계시스템(MEMS) 인터커넥션 핀을 제조하는 기술을 설명하였다. 전술한 상세한 설명은 본 발명을 설명하기 위한 것이지 본 발명을 제한하는 것이 아니다. 전술한 상세한 설명에 기초하여 많은 다른 실시예들이 당업자에게 자명할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는, 첨부된 청구범위에 의해 부여되는 균등물의 전체 범위에 따라, 청구범위를 기준으로 결정된다.

본 발명은 특정 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 설명된 실시예들에 한정되지 아니하며, 첨부된 청구범위의 사상 및 범위 내에서 변경 및 수정이 실행될 수 있음이 인식되어야 한다. 따라서, 상세한 설명 및 도면들은 제한적인 기능을 갖는 것이 아니라 설명적인 기능을 갖는 것으로 보아야 한다.

11: 기판 12: 덮개 금속층
23: 제1 희생층 34: 팁 베이스
38: 프레임 45: 접촉 팁
51: 핀 52: 앵커링 조인트
62: 제2 희생층

Claims (20)

1. 기판상에 전도층을 형성하는 단계;
   상기 전도층에 희생층을 형성하는 단계;
   상기 전도층에 직접적으로 접촉하는 프레임에 부착되며 전도성 물질로 형성되는 핀 베이스를 구비하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀(MEMS interconnection pin)을 상기 희생층에 형성하는 단계; 및
   상기 기판으로부터 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 분리하기 위해 상기 희생층을 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 핀 베이스와 상기 프레임 사이에 위치하는 조인트를 절단함으로써 상기 기판으로부터 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 분리하는 단계를 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 기판의 슬롯에 배치하기 위한 상측 립과 스내칭 단부를 포함하며, 핀 베이스에 연결되는 양면(double-sided) 스프링들을 구비하는 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 방법.
4. 제1항에 있어서,
   상기 전도층에 희생층을 형성하는 단계는,
   상기 전도층을 노출시키기 위한 개구를 구비하는 상기 희생층을 상기 전도층에 형성하는 단계; 및
   상기 핀과 상기 개구를 통해 상기 전도층에 직접적으로 접촉하는 상기 프레임을 상기 희생층에 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 방법.
5. 제1항에 있어서,
   상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 단계는,
   제1 리소그래픽 작업에서 상기 핀의 팁 베이스의 바닥 부분을 형성하는 단계;
   제2 리소그래픽 작업에서 상기 팁 베이스 상에 적어도 하나의 접촉 팁들을 형성하는 단계; 및
   제3 리소그래픽 작업에서 상기 기판상에 상기 핀의 잔여 부분을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 방법.
6. 제5항에 있어서,
   구조적으로 상기 팁 베이스에 연결되고 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 따라 연장되는 벽들을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 방법.
7. 제1항에 있어서,
   상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀은,
   상기 핀 베이스의 두 개의 반대편 표면들로부터 외측으로 연장되는 두 개의 스프링들; 및
   상기 스프링들의 일단부에 각각 부착되는 두 개의 팁부들을 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 형성하는 방법.
8. 두 개의 전도성 대상체들 사이에 전기적인 접촉을 생성하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀으로서,
   핀 베이스;
   상기 핀 베이스의 두 개의 서로 다른 표면들로부터 외측으로 연장되는 두 개의 스프링들; 및
   상기 스프링들의 일단부에 각각 부착되며, 상기 전도성 대상체들 중 하나에 접촉을 생성하도록 적어도 하나의 접촉 팁들을 포함하고, 서로 다른 개수의 상기 접촉 팁들을 갖는 두 개의 팁부들을 포함하되,
   상기 핀 베이스의 일단은 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀이 제조되는 기판으로부터 힘에 의해 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 분리함으로써 형성되는 절단 표면을 구비하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
9. 제8항에 있어서,
   상기 두 개의 스프링들은 서로 다른 형상 및 서로 다른 스프링 상수들을 갖는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
10. 제8항에 있어서,
    상기 두 개의 팁부들은 서로 다른 형상의 접촉 팁들을 갖는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
11. 제8항에 있어서,
    상기 핀 베이스는 플랫폼의 슬롯 내에 고정하기 위한 립들과 스내칭 단부들을 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
12. 제8항에 있어서,
    상기 스프링들 중 적어도 하나는 동일 평면상에 두 개의 대칭적으로 커브진 요소들을 구비하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
13. 제8항에 있어서,
    상기 핀 베이스는, 상기 핀 베이스로부터 외측으로 각각 연장되며 각각은 대응하는 스프링의 이동을 제한하도록 대응하는 팁 부의 연장부를 수용하는 두 개의 가이딩 유닛들을 구비하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
14. 제8항에 있어서,
    상기 핀 베이스에 연결되고, 상기 핀 베이스로부터 상기 스프링들의 양면을 따라 상기 팁부들을 향해 연장되는 보호 벽을 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
15. 제14항에 있어서,
    상기 벽은 상기 팁 단부에서 테이퍼지며 상기 팁부는 대응하는 테이퍼진 부분을 갖는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
16. 제8항에 있어서,
    보호와 제한을 위해 상기 스프링과 부분적으로 상기 팁부를 포위하며, 상기 스프링과 부분적으로 팁부를 포위하기 위해 연장되는 상기 핀 베이스의 부분인 벽들을 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
17. 제16항에 있어서,
    상기 벽들은 복수의 홀들을 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
18. 두 개의 전도성 대상체들 사이에 전기적인 접촉을 생성하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀으로서,
    플랫폼의 슬롯 내에 고정하기 위한 립들과 스내칭 단부들을 포함하는 핀 베이스;
    상기 핀 베이스의 표면으로부터 외측으로 연장되는 스프링; 및
    상기 스프링들의 단부에 부착되며, 상기 전도성 대상체들 중 하나에 접촉을 생성하도록 적어도 하나의 접촉 팁들을 포함하는 팁부를 포함하되,
    상기 핀 베이스의 일단은 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀이 제조되는 기판으로부터 힘에 의해 상기 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀을 분리함으로써 형성되는 절단 표면을 구비하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
19. 제18항에 있어서,
    상기 핀 베이스의 서로 다른 표면으로부터 외측으로 연장되는 제2 스프링; 및
    상기 제2 스프링의 단부에 부착되며, 상기 전도성 대상체들 중 다른 하나에 접촉을 생성하도록 적어도 하나의 접촉 팁들을 포함하는 제2 팁부를 더 포함하는 마이크로전자기계시스템 인터커넥션 핀.
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