KR101048337B1 - 고주파 스위칭 회로 - Google Patents

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코지 후루타니
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

FET로 이루어진 스위칭 소자를 포함하고, 입출력 단자(P1,P2) 중 한쪽과 공통 입출력 단자(Pc) 사이를 선택적으로 접속하는 고주파 스위치(21)를 구비하고, 입출력 단자(P1,P2)측에는 정합 회로를 설치하지 않고, 공통 입출력 단자(Pc)에 정합 회로(31)를 설치한다. 고주파 스위치의 비선택의 입출력 단자는 커패시터로서 작용하고, 공통 입출력 단자와 선택 상태의 입출력 단자간의 임피던스가 정규의 임피던스로부터 야기되지만 그 차이 만큼을 공통 입출력 단자에 접속한 정합 회로(31)에서 보정하고, 공통 입출력 단자(Pc)로부터 고주파 스위치(21)측을 본 임피던스가 정규의 임피던스가 되도록 한다. 이에 따라, 전체적으로 소형으로 또한 각 단자의 임피던스 정합을 취한 고주파 스위칭 회로를 구성한다.
고주파 스위칭 회로

Description

고주파 스위칭 회로{HIGH-FREQUENCY SWITCH CIRCUIT}
본 발명은 고주파 스위칭 회로에 관한 것이고, 특히 FET로 이루어진 스위칭 소자를 포함하는 고주파 스위치를 구비한 고주파 스위칭 회로에 관한 것이다.
FET로 이루어진 스위칭 소자를 포함하고, 복수의 입출력 단자 중 하나의 입출력 단자와 공통 입출력 단자 사이를 선택적으로 접속하는 고주파 스위치를 구비한 고주파 스위칭 회로로서 특허문헌 1이 개시되어 있다.
도 1은 특허문헌 1에 개시되어 있는 고주파 스위칭 회로의 회로도이다. 이 고주파 스위칭 회로(14)는 안테나에 연결되는 안테나 단자(ANT), 수신 회로에 연결되는 수신 신호 출력 단자(RX), 송신 회로에 연결되는 송신 신호 입력 단자(TX), 및 고주파 스위치(12)를 구비하고, 송신 신호와 수신 신호를 스위칭하는 회로이다.
안테나 단자(ANT), 수신 신호 출력 단자(RX), 송신 신호 입력 단자(TX)의 각 단자와 고주파 스위치(12) 사이에는 고주파 스위치(12)와 각 단자의 임피던스 정합을 행하기 위한 정합 회로(Ml, M2, M3)가 각각 설치되어 있다.
고주파 스위치(12)는 GaAs 등의 반도체 칩으로 형성되고, 그 칩과 각 단자를 본딩 와이어(Au 와이어) 등에 의해 와이어 본딩(wire bonding)하고 있다. 상기의 정합 회로(Ml, M2, M3)는 이들 본딩 와이어가 가지는 인덕턴스 성분도 포함시켜서 설계되어 있다.
도 1의 정합 회로(M1)에 있어서, 인덕터(L11)는 안테나 단자(ANT)까지의 리드 부분의 인덕턴스, 커패시터(CS1)는 안테나 단자(ANT)의 리드와 그라운드 사이의 스트레이 커패시턴스(stray capacitance), 인덕터(LW1)는 본딩 와이어의 인덕턴스를 각각 기호로 표현한 것이다. 대용량의 커패시터(CM1)는 MIM 구조의 커패시터이다.
정합 회로(M2, M3)에 대해서도 마찬가지로 리드 부분의 인덕턴스(L12, L13), 단자의 리드와 그라운드 사이의 스트레이 커패시턴스(CS2, CS3), 본딩 와이어의 인덕턴스(LW2, LW3), MIM 구조의 커패시터(CM2, CM3)로 구성되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평10-93302호 공보
그러나, 고주파 스위칭 회로 모듈의 소형화 요구에 따라 고주파 스위치 사이즈의 소형화와 함께 그 설치 면적을 감소시키기 위해서 범프 접속(bump connection)에 의한 플립 칩 실장를 행하는 것도 필요하게 되어 있다.
이 플립 칩 실장에서는 범프부가 가지는 인덕턴스가 와이어 본딩시의 인덕턴스보다도 대단히 작아지기 때문에 완전한 정합 상태로는 안되고, 단자마다 정합을 이루기 위한 여분의 선로나 칩 인덕터가 필요하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 전체적으로 소형이고 또한 각 단자의 임피던스 정합을 취한 고주파 스위칭 회로를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 고주파 스위칭 회로는 다음과 같이 구성한다.
(1) FET로 이루어진 스위칭 소자를 포함해 복수의 입출력 단자 중 하나의 입출력 단자와 공통 입출력 단자 사이를 선택적으로 접속하는 고주파 스위치를 구비하고, 상기 복수의 입출력 단자와 이 복수의 입출력 단자에 접속되는 회로 사이에 정합 회로를 설치하지 않고, 상기 공통 입출력 단자와 이 공통 입출력 단자에 접속되는 회로 사이에 정합 회로를 설치한다.
(2) 상기 고주파 스위치는 반도체 칩으로 이루어져 다층 기판의 적어도 한쪽 주면에 플립 칩 실장되고, 상기 정합 회로는 인덕터를 구비하고, 이 인덕터가 상기 다층 기판의 한쪽 주면 또는 내부에 형성된 것으로 한다.
(3) 상기 고주파 스위치는 반도체 칩으로 이루어지고, 다층 기판의 적어도 한쪽 주면에 플립 칩 실장되고, 상기 정합 회로는 칩 인덕터를 구비하고, 상기 칩 인덕터가 상기 다층 기판의 한쪽 주면에 실장된 것으로 한다.
(4) 상기 다층 기판의 다른쪽 주면에 캐버티가 형성되고, 상기 캐버티에 상기 반도체 칩이 배치된 것으로 한다.
(5) 상기 정합 회로는 상기 스위칭 소자의 오프 상태에 있어서의 용량과 함께 작용하고, 이 용량분을 보정하는 것으로 한다.
(6) 상기 복수의 입출력 단자 중 적어도 하나의 입출력 단자에 접속되는 회로는 SAW 필터로 한다.
[발명의 효과]
(1) 복수의 입출력 단자와 이 복수의 입출력 단자에 접속되는 회로 사이에 정합 회로를 설치하지 않고, 공통 입출력 단자와 이 공통 입출력 단자에 접속되는 회로 사이에 정합 회로를 설치함으로써, 후술하는 바와 같이, 공통 입출력 단자와 다른 모든 입출력 단자 사이의 임피던스 정합이 취해지도록 되고, 와이어 본딩에 따르지 않고 고주파 스위치를 실장할 수 있어 소형화를 도모할 수 있다. 또한, 정합 회로는 공통 입출력 단자에만 설치하면 좋으므로 그 만큼 더욱 소형화가 가능하고, 또한 삽입 손실도 저감할 수 있다.
(2) 반도체 칩으로 이루어진 고주파 스위치를 다층 기판의 적어도 한쪽 주면에 플립 칩 실장함과 아울러 인덕터를 고주파 스위치(반도체 칩)의 실장 기판이 되는 다층 기판에 설치함으로써 전체적으로 소형화가 가능하다.
(3) 반도체 칩으로 이루어진 고주파 스위치를 다층 기판의 적어도 한쪽 주면에 플립 칩 실장함과 아울러 정합 회로인 칩 인덕터를 다층 기판의 한쪽 주면에 실장된 것으로 함으로써 인덕턴스 값이 큰 인덕터가 필요한 경우에도 대응 가능하게 되고, 정합 회로의 설계상의 자유도가 증가된다.
(4) 다층 기판의 다른쪽 주면에 캐버티가 형성되고, 캐버티에 고주파 스위치인 반도체 칩이 배치됨으로써 전체적으로 저배화된 고주파 스위칭 회로가 구성된다.
(5) 정합 회로는 스위칭 소자의 오프 상태에 있어서의 용량과 함께 작용하고, 이 용량분을 보정하므로 공통 입출력 단자와 선택 상태의 입출력 단자간의 임피던스가 정규의 임피던스에 정합할 수 있고, 임피던스 정합한 고주파 스위칭 회로가 구성된다.
(6) 복수의 입출력 단자 중 하나 이상의 입출력 단자에 접속되는 회로를 SAW 필터로 함으로써 상기 정합 회로의 설계에서 SAW 필터가 갖는 커패시턴스 성분에 의한 임피던스 부정합도 해소할 수 있고, SAW 필터 자체에 정합 회로를 설치할 필요가 없어지고, SAW 필터를 포함하는 고주파 회로 전체의 소형화 및 삽입 손실의 저감화가 도모될 수 있다.
도 1은 특허문헌 1에 개시되어 있는 고주파 스위칭 회로의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로 모듈의 회로도이다.
도 3은 동 고주파 스위칭 회로 모듈에서 사용된 고주파 스위치의 회로도이다.
도 4는 동 고주파 스위치의 등가 회로도 및 정합 회로에 대해서 나타낸 도면이다.
도 5는 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로 모듈의 다층 기판의 각 유전체층에 형성된 전극 패턴의 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로 모듈의 다층 기판의 각 유전체층에 형성된 전극 패턴의 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로 모듈의 구성을 나타낸 도면이다.
도 8은 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로 모듈의 다층 기판의 각 유 전체층에 형성된 전극 패턴의 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로 모듈의 다층 기판의 각 유전체층에 형성된 전극 패턴의 예를 나타낸 도면이다.
[부호의 설명]
31 : 정합 회로 21, 22 : 고주파 스위치
SL1 : 정합용 스트립 라인 F1∼F5 : SAW 필터
L1 : 인덕터 41, 42 : 고주파 스위칭 회로
Pc : 공통 입출력 단자 P1, P2 : 입출력 단자
RX, RX1, RX2 : 수신 신호 출력 포트 100 : 스위칭 회로 모듈
101 : 고주파 스위칭 회로 모듈
《제 1 실시형태》
제 1 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로를 포함하는 듀얼 밴드 스위칭 회로 모듈의 구성을 도 2∼도 6을 참조해서 설명한다.
도 2는 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로를 포함하는 스위칭 회로 모듈(100)의 회로도이다. 이 스위칭 회로 모듈은 불평형 단자(UBAL)로부터의 GSM850/GSM900의 수신 신호를 주파수 대역에 따라 스위칭하여 출력하는 회로이며, 고주파 스위칭 회로(41), SAW 필터(F1, F2) 및 인덕터(L1)로 구성되어 있다.
고주파 스위칭 회로(41)는 고주파 스위치(21)와 정합 회로(31)로 구성되어 있다. 고주파 스위치(21)는 FET로 이루어진 스위칭 소자를 포함하고, 2개의 입출력 단자(P1, P2) 중 한쪽의 입출력 단자와 공통 입출력 단자(Pc) 사이를 선택적으로 접속한다. 정합 회로(31)는 정합용 스트립 라인(SL1)으로 구성되어 있어서 고주파 스위치(21)의 공통 입출력 단자(Pc)와 불평형 단자(UBAL) 사이에 접속하고 있다.
고주파 스위칭 회로(41)의 제 1 수신 신호 출력 포트(RX1)[고주파 스위치(21)의 제 1 입출력 단자(P1)]에는 GSM850의 수신 신호를 통과시키는 제 1 SAW 필터(F1)의 불평형 단자를 접속하고 있다. 마찬가지로, 제 2 수신 신호 출력 포트(RX2)[고주파 스위치(21)의 제 2 입출력 단자(P2)]에는 GSM900의 수신 신호를 통과시키는 제 2 SAW 필터(F2)의 불평형 단자를 접속하고 있다.
제 1ㆍ제 2 SAW 필터(F1, F2)의 평형 단자는 공통으로 접속하고, 평형 단자(BAL1,BAL2) 사이에 밸런스 코일로서의 인덕터(L1)를 접속하고 있다.
또한, 고주파 스위칭 회로(41)의 전원 단자(Vdd)에 입력되는 전원 전압이 고주파 스위치(21)에 인가되고, 제어 단자(Vc)에 입력되는 제어 전압이 고주파 스위치(21)에 인가되도록 구성되어 있다.
도 3은 도 2 중의 고주파 스위치(21)의 구체적인 구성을 나타낸 회로도이다. 공통 입출력 단자(Pc)와 제 1 입출력 단자(P1) 사이에는 시리즈로 FET(Q1), 션트로 FET(Q2)을 각각 접속하고 있다. 또한, FET(Q1, Q2)의 게이트에는 저항(R1, R2)을 통해 제어 전압(V1, V2)을 인가하도록 구성되어 있다. 마찬가지로, 공통 입출력 단자(Pc)와 제 2 입출력 단자(P2) 사이에는 시리즈로 FET(Q3), 션트로 FET(Q4)를 각각 접속하고, FET(Q3, Q4)의 게이트에는 저항(R3, R4)을 통해 제어 전압(V3, V4)을 인가하도록 구성되어 있다.
도 3에 있어서 FET(Q1, Q4)가 온일 때 Q2, Q3이 오프, 역으로 Q2, Q3이 온일 때 Q1, Q4가 오프인 관계가 되도록 제어 전압(V1∼V4)을 인가한다.
도 4는 도 3에 도시된 고주파 스위치(21)에 있어서 FET(Q1, Q4)가 온 상태, Q2, Q3이 오프 상태에서의 등가 회로도이다. 온 상태의 FET는 저저항의 저항(R1, R4)으로 표시되고, 오프 상태의 FET는 커패시터(C2, C3)로 표시된다. 따라서, 이 상태는 R1, C2의 직렬 회로와 C3, R4의 직렬 회로의 병렬 회로이며, 도 4(B)와 같이, 공통 입출력 단자(Pc)와 그라운드 사이에 저항(R0)과 커패시터(C0)의 직렬 회로가 구성되는 회로로 나타낼 수 있다.
이것은 도 3에 도시된 FET(Q1, Q4)가 오프 상태, Q2, Q3이 온 상태일 때에도 마찬가지이다.
이와 같이, 선택되지 않고 있는 입출력 단자가 존재함으로써 그 비선택의 입출력 단자(포트)가 커패시터로서 작용하고, 공통 입출력 단자와 선택 상태의 입출력 단자간의 임피던스는 정규의 임피던스(50Ω)로부터 벗어난다. 이 회로의 라인과 그라운드간에 병렬로 배치된 커패시턴스(C0)의 분을 보정하여 공통 입출력 단자(Pc)로부터 고주파 스위치(21)측을 본 임피던스가 정규의 임피던스가 되도록 도 4(C)에 도시된 정합 회로(31)를 설치한다. 도 2에 도시된 정합 회로(31)는 이와 같이 하여, 결정된 회로이다.
또한, 상기 정합 회로는, 도 4(D)에 도시된 바와 같이, 정합용 스트립 라인(SL1)과, 신호 경로에 대하여 션트로 접속되는 커패시터(Cm)에 의해 구성해도 좋다. 이와 같이, 커패시터(Cm)를 설치함으로써 스트립 라인(SL1)의 인덕턴스와 커패 시터(Cm)의 커패시턴스에 의해 임피던스를 정할 수 있으므로 정합 회로의 설계상의 자유도가 향상된다.
또한, 정합 회로(31)를 설계할 때, SAW 필터(F1, F2)가 갖는 커패시턴스 성분에 의한 임피던스 부정합도 해소되도록 정합 회로(31)의 임피던스를 정함으로써 SAW 필터(F1, F2) 자체에 정합 회로를 설치할 필요가 없게 되고, SAW 필터를 포함하는 고주파 회로 전체의 소형화 및 삽입 손실의 저감화가 도모된다.
도 5 및 도 6은 도 2에 도시된 스위칭 회로 모듈을 다층 기판에 형성했을 경우의 각 유전체층에 형성된 전극 패턴의 구체적인 예를 나타내고 있다.
도 5ㆍ도 6에 있어서, (1)∼(15)는 다층 기판의 각 유전체층을 순서대로 나타내고 있다. 도 5의 (1)은 최하층의 유전체층이며, 도 6의 (15)는 최상층의 유전체층이다. 단, 이 도 5ㆍ도 6은 각 유전체층(1)∼(15)을 그것들의 하면측(실장 기판을 향하는 측)으로부터 본 상태를 나타내고 있다. 또한, 도 6의 (15)의 전극 패턴은 유전체층의 상면측에 형성되어 있다.
최하층의 유전체층(1)에는 실장 기판으로의 설치를 위한 각종 단자(GND, Vdd, Vc, UBAL, BAL1, BAL2)를 형성하고 있다. 이들 단자는 도 2에 도시된 동명(同名)의 단자와 대응하고 있다.
유전체층(1)∼(5)에는 캐버티(S)를 형성하고 있어서 유전체층(6)의 표면측에 고주파 스위치(21)를 와이어 본딩이 아닌 플립-칩 본딩(flip-chip bonding)에 의해 설치함으로써 캐버티내에 고주파 스위치(21)를 배치한다.
유전체층(5)∼(8)에는 정합용 스트립 라인(SL1)을 형성하고 있다. 또한, 유 전체층(9)∼(13)에는 커패시터(Cs)의 전극을 형성하고 있다. 유전체층(8)∼(13)에는 밸런스 코일인 인덕터(L1)를 형성하고 있다. 유전체층(15)의 표면측에는 2개의 SAW 필터(F1, F2)를 실장한다.
이와 같이 하여, 도 2에 도시된 스위칭 회로 모듈을 다층 기판에 형성하여서 GSM850ㆍGSM900의 듀얼 밴드 스위칭 회로 모듈을 구성한다.
또한, 이 제 1 실시형태에서는 다층 기판의 표면측의 캐버티내에 고주파 스위치(21)를 플립-칩 본딩에 의해 설치하도록 했지만 다층 기판의 하면측에 캐버티를 설치하고, 그 캐버티내에 고주파 스위치를 배치해도 좋다.
《제 2 실시형태》
제 2 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로를 포함하는 트리플 밴드의 고주파 스위칭 회로 모듈의 구성을 도 7∼도 9를 참조해서 설명한다.
도 7은 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위칭 회로 모듈(101)의 회로도이다. 이 고주파 스위칭 회로 모듈(101)은 고주파 스위칭 회로(42), 로우-패스 필터(LPF1, LPF2), SAW 필터(F3, F4, F5)를 구비하고 있다.
고주파 스위칭 회로(42)는 고주파 스위치(22) 및 정합 회로로서의 스트립 라인(SL1)을 구비하고 있다. 고주파 스위치(22)는 공통 입출력 단자(Pc)와 복수의 입출력 단자(P1∼P6) 사이를 선택적으로 접속한다. 또한, 이 스위칭을 행하는 제어 단자 및 전원 단자에 대해서는 도 7에서는 생략하고 있다. 고주파 스위치(22)는 공통 입출력 단자(Pc)와 고주파 스위칭 회로(42)의 안테나 단자(ANT) 사이에 정합용 스트립 라인(SL1)을 설치하고 있다.
로우-패스 필터(LPF1)는 GSM900의 송신 신호 입력 단자(900Tx)로부터의 입력 신호 중 GSM900의 송신 신호의 주파수 대역을 통과시킨다. 마찬가지로, 로우-패스 필터(LPF2)는 GSM1800/1900의 송신 신호 입력 단자(1800/1900Tx)로부터의 입력 신호 중 GSM1800/1900의 송신 신호의 주파수 대역을 통과시킨다.
로우-패스 필터(LPF1)는 스트립 라인(GL, GLt1, GLt2), 커패시터(GCc1, GCc2, GCu1, GCu2, GCu3)로 구성되어 있다. 마찬가지로, 로우-패스 필터(LPF2)는 스트립 라인(DL, DLt1, DLt2), 커패시터(DCc1, DCu1, DCu2, DCu3)로 구성되어 있다.
SAW 필터(F3)는 고주파 스위칭 회로(42)의 수신 신호 출력 포트(RX1)로부터의 신호에 대하여 GSM900의 수신 신호 주파수 대역을 통과시킨다. 또한, SAW 필터(F4)는 고주파 스위칭 회로(42)의 수신 신호 출력 포트(RX2)로부터의 신호에 대하여 GSM1800의 수신 신호 주파수 대역을 통과시킨다. 마찬가지로, SAW 필터(F5)는 고주파 스위칭 회로(42)의 수신 신호 출력 포트(RX3)로부터의 신호에 대하여 GSM1900의 수신 신호 주파수 대역을 통과시킨다.
또한, 고주파 스위칭 회로(42)의 송수신 신호 포트(TRX1)에는 UMTS1의 회로가 접속된다.
도 8 및 도 9는 도 7에 도시된 고주파 스위칭 회로 모듈을 다층 기판에 형성했을 경우의 각 유전체층에 형성한 전극 패턴의 구체적인 예를 나타내고 있다.
도 8ㆍ도 9에 있어서, (1)∼(13)은 다층 기판의 각 유전체층을 순서대로 나타내고 있다. 도 8의 (1)은 최하층의 유전체층이며, 도 9의 (13)은 최상층의 유전 체층이다. 단, 이 도 8ㆍ도 9는 각 유전체층(1)∼(13)을 그것들의 하면측(실장 기판을 향하는 측)으로부터 본 상태를 나타내고 있다. 또한, 도 9의 (13)의 전극 패턴은 유전체층의 표면측에 형성되어 있다.
최하층의 유전체층(1)에는 실장 기판으로의 설치를 위한 각종 단자(GND, 1900Rx, 1800Rx, 900Rx, 1800/1900Tx, 900Tx, ANT 등)를 형성하고 있다. 이들 단자는 도 7에 도시된 동명의 단자와 대응하고 있다.
유전체층(2), (11)에는 그라운드 전극(G)을 형성하고 있다. 유전체층(3), (4), (10)에는 각종 커패시터 전극(GCu2, GCu3, DCu2, DCu3, GCc1, GCc2, DCc1, GCu1, DCu1)을 각각 형성하고 있다.
유전체층(6)∼(9)에는 각종 스트립 라인(DLt1, GLt1, GLt2, DLt2, GL, DL)을 각각 형성하고 있다.
유전체층(9)에는 정합용 스트립 라인(SL1)을 형성하고 있다.
유전체층(13)의 표면측에는 고주파 스위치(22)를 와이어 본딩이 아닌 플립-칩 본딩에 의해 실장한다.
이와 같이 하여, 도 7에 도시된 고주파 스위칭 회로 모듈을 다층 기판에 형성하여서 GSM900/GSM1800/GSM1900의 트리플 밴드의 고주파 스위칭 회로 모듈을 구성한다.

Claims (8)

  1. FET로 이루어진 스위칭 소자를 포함하는 복수의 입출력 단자 중 하나의 입출력 단자와 공통 입출력 단자 사이를 선택적으로 접속하는 고주파 스위치와 복수의 유전체층과 배선 전극이 적층되는 다층기판을 구비한 고주파 스위칭 회로에 있어서:
    상기 고주파 스위치는 반도체 칩으로 이루어지고, 다층 기판의 적어도 한쪽 주면에 범프부를 이용하여 플립 칩 실장되고,
    상기 복수의 입출력 단자와 이 복수의 입출력 단자에 접속되는 회로 사이에 정합 회로를 설치하지 않고, 상기 공통 입출력 단자와 이 공통 입출력 단자에 접속되는 회로 사이에 인덕턴스 소자를 포함하는 정합 회로가 설치되고,
    상기 정합회로는 상기 공통 입출력 단자에 접속되는 상기 범프부에서 발생하는 인덕터 및 상기 스위칭 소자의 온 상태의 입출력 단자에 접속되는 상기 범프부에서 발생하는 인덕터를 포함하여, 상기 스위칭 소자의 오프 상태의 모든 상기 복수의 입출력 단자에 있어서의 용량분을 보정하는 것에 의하여 상기 공통 입출력 단자 사이의 임피던스를 정합시키는 것을 특징으로 하는 고주파 스위칭 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 정합 회로는 상기 공통 입출력 단자와 이 공통 입출력 단자에 접속되는 회로 사이에 직렬로 배치된 인덕터인 것을 특징으로 하는 고주파 스위칭 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 정합 회로는 션트로 접속된 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 스위칭 회로.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인덕턴스 소자는 상기 다층 기판의 한쪽 주면 또는 내부에 형성된 것을 특징으로 하는 고주파 스위칭 회로.
  5. 삭제
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 다층 기판의 다른쪽 주면에 캐버티가 형성되고, 상기 캐버티에 상기 반도체 칩이 배치된 것을 특징으로 하는 고주파 스위칭 회로.
  7. 삭제
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 입출력 단자 중 하나 이상의 입출력 단자에 접속되는 회로는 SAW 필터인 것을 특징으로 하는 고주파 스위칭 회로.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101126683B1 (ko) * 2010-05-17 2012-03-16 주식회사 아이엠텍 다중대역 안테나 스위칭 모듈
JP5516738B2 (ja) * 2010-07-27 2014-06-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2012038947A1 (en) * 2010-09-21 2012-03-29 Dsp Group Ltd. Rf switch implementation in cmos process
US20130252562A1 (en) * 2010-09-21 2013-09-26 Dsp Group, Ltd. High power high isolation low current cmos rf switch
JP5304811B2 (ja) * 2011-02-14 2013-10-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9287062B2 (en) * 2012-05-02 2016-03-15 National Instruments Corporation Magnetic switching system
DE102013109463A1 (de) * 2013-08-30 2015-03-05 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Optimierung der Impedanz eines Verbindungselements
US9641201B2 (en) * 2014-04-29 2017-05-02 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency integrated circuit
CN107251423A (zh) 2015-02-20 2017-10-13 株式会社村田制作所 高频滤波器、高频前端电路、通信设备及高频滤波器的设计方法
US10320363B2 (en) 2016-08-05 2019-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
JP6520857B2 (ja) 2016-08-05 2019-05-29 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び弾性波フィルタの製造方法
US10075160B2 (en) * 2016-08-10 2018-09-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Switch circuit, radio-frequency module, and communication device
WO2019065863A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020140A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Ngk Spark Plug Co Ltd アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた無線電話通信装置
JP2006129419A (ja) * 2004-02-27 2006-05-18 Kyocera Corp 高周波選択回路、高周波モジュール及び無線通信装置
WO2006057173A1 (ja) * 2004-11-25 2006-06-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. 高周波スイッチモジュール

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3215292B2 (ja) * 1995-06-05 2001-10-02 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP3029119U (ja) 1996-03-19 1996-09-27 株式会社スギ電子 無線カード
JPH1093471A (ja) 1996-09-11 1998-04-10 Murata Mfg Co Ltd 信号切換えスイッチ
JP3798855B2 (ja) 1996-09-11 2006-07-19 株式会社村田製作所 信号切換えスイッチ
JP3628562B2 (ja) 1999-09-16 2005-03-16 三菱電機株式会社 無線機
US6456172B1 (en) 1999-10-21 2002-09-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayered ceramic RF device
JP2001189605A (ja) 1999-10-21 2001-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック積層ｒｆデバイス
KR100875947B1 (ko) 2000-03-15 2008-12-26 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 고주파 복합 부품 및 이것을 이용한 무선 통신 장치
JP2003032001A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Murata Mfg Co Ltd 複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機
CN1309178C (zh) * 2001-08-10 2007-04-04 日立金属株式会社 高通滤波器和多频带天线开关电路、使用它们的通信仪器
JP2003133882A (ja) 2001-08-16 2003-05-09 Murata Mfg Co Ltd インピーダンス整合素子
CN1327733C (zh) 2002-08-08 2007-07-18 松下电器产业株式会社 高频器件
JP2004187215A (ja) 2002-12-06 2004-07-02 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチ回路
JP2005045345A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 高周波モジュール
JP2005064780A (ja) 2003-08-11 2005-03-10 Fdk Corp 高周波スイッチ回路
DE102005010773A1 (de) 2004-02-27 2005-11-03 Kyocera Corp. Hochfrequenz-Umschaltschaltung, Hochfrequenzmodul und drahtloses Kommunikationsbauteil
JP2006157423A (ja) 2004-11-29 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005020140A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Ngk Spark Plug Co Ltd アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた無線電話通信装置
JP2006129419A (ja) * 2004-02-27 2006-05-18 Kyocera Corp 高周波選択回路、高周波モジュール及び無線通信装置
WO2006057173A1 (ja) * 2004-11-25 2006-06-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. 高周波スイッチモジュール

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