JP2004187215A - 高周波スイッチ回路 - Google Patents

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JP2004187215A
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Yuta Sugiyama
雄太 杉山
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Hitachi Metals Ltd
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Abstract

【課題】大電力を送信しても信頼性の高いマイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】1つまたは複数のマイクロマシン・スイッチと、1つまたは複数のインピーダンス変換回路からなる高周波スイッチ回路であって、前記インピーダンス変換回路を前記高周波スイッチ回路の外部端子と前記マイクロマシン・スイッチの間に配置することにより、前記マイクロマシン・スイッチのうちオン状態となっているマイクロマシン・スイッチからみた少なくとも一方の外部回路のインピーダンスを高くする。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線通信機器などの高周波装置において、複数の回路の接続を切替えるために用いる高周波スイッチ回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
高周波の無線通信機器における高周波スイッチ回路としては、従来ダイオードを用いたスイッチが広く用いられている。これは、ダイオードにDC電流を流した場合には、高周波帯で導通した状態となり、電流を流さない場合には絶縁状態となる性質を利用したものである。ところがDC電流を流すということは、電力を消費するという事であり、携帯電話などのバッテリーで駆動する通信機器では低消費電力のスイッチが求められている。
【0003】
そこで、マイクロマシン・スイッチをダイオードの代わりに用いる方法が現在検討されている。マイクロマシン・スイッチについては例えば特許文献1に報告されている。マイクロマシン・スイッチはDC電流を必要とせず、またスイッチの導通・不通の切替えに要するエネルギーも極わずかですむ。加えてマイクロマシン・スイッチを用いた場合には、導通時には高周波信号の挿入損失も小さく、不通時にはアイソレーションが高いという、スイッチとして理想的な性質を持つ。
【0004】
図3に、マイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路を、アンテナ送受信切り替え装置として用いた場合の構成例を示す。
現在マイクロマシン・スイッチの基本構造として2端子間をON・OFFするだけのものが特許文献1などに報告されているこのようなマイクロマシン・スイッチにより、アンテナ1に接続する回路との接続を、送信回路31あるいは受信回路32へ切替える場合、図のように2つのマイクロマシン・スイッチ11、12が必要となる。図3において、送信時にはマイクロマシン・スイッチ12をオフ状態とし、マイクロマシン・スイッチ11をオン状態とすることで、アンテナ端子21を送信回路端子22に接続することになる。これによりマイクロマシン・スイッチ11を送信信号が通過する。ところで非特許文献1の報告では、マイクロマシン・スイッチの接点部分は極めて小さいため、熱が逃げにくく、且つ電流が集中するために、200mA以下の電流で接点部分が100℃以上の高温に晒されることが示されている。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−143595号公報
【非特許文献1】
IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS AND PACKAGING TECHNOLOGY, VOL.22, NO. 3, SEPTEMBER 1999
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
マイクロマシン・スイッチの場合、例えばGSM方式の携帯電話では、3Wを超える電力を送信する場合がある。そのような場合、50Ωのアンテナインピーダンスを外部端子21に接続したとすれば、240mAを超える電流が流れるため、このような構成の高周波スイッチ回路では、マイクロマシン・スイッチの接点部分が極めて高温に晒されることになる。このような高温に晒される場合には、長期的な信頼性が著しく低下することが懸念される。したがって取扱い電力の大きい場合に、マイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路の高信頼性を確保するには、このような高温状態を避ける手段が求められることになる。
【0007】
そこで、本発明は、マイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路において、大電力を通過させた場合の信頼性の低下を最小限にする構成を提案するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の高周波スイッチ回路は、1つまたは複数のマイクロマシン・スイッチと、1つまたは複数のインピーダンス変換回路からなる高周波スイッチ回路であって、前記インピーダンス変換回路を前記高周波スイッチ回路の外部端子と前記マイクロマシン・スイッチの間に配置することにより、前記マイクロマシン・スイッチのうちオン状態となっているマイクロマシン・スイッチからみた少なくとも一方の外部回路のインピーダンスを高くしたことを特徴とする。
【0009】
本発明の第2の高周波スイッチ回路は、前記第1の高周波スイッチ回路であって、前記オン状態のマイクロマシン・スイッチからみた少なくとも一方の外部回路のインピーダンスが100オーム以上となるようにしたことを特徴とする。
【0010】
本発明の第3の高周波スイッチ回路は、前記第1または第2の高周波スイッチ回路であって、前記インピーダンス変換回路の少なくとも1つが略4分の1波長伝送線路によって構成され、前記伝送線路が75オーム以上の特性インピーダンスを持つこと特徴とする。
【0011】
本発明の第4の高周波スイッチ回路は、前記第1または第2の高周波スイッチ回路であって、前記インピーダンス変換回路の少なくとも1つが集中定数素子により構成されたことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波スイッチ回路の動作を一実施例に基づき説明する。
(実施例1)
図1は本発明による単極単投(SPST)型高周波スイッチ回路41を外部回路71,72の接続をオン・オフするように配置した実施例である。図に示されるように、本実施例の高周波スイッチ回路は、インピーダンス変換回路61a,61bとマイクロマシン・スイッチ11aから構成され、前記インピーダンス変換回路61a,61bは、本例においては、それぞれ外部端子に接続されるインダクタ52と接地したキャパシタ51からなる。本発明に用いられるインピーダンス変換回路は必ずしもこのような構成に限定されず、例えば略4分の1波長の長さを持つ伝送線路で置き換えることも可能である。この高周波スイッチ回路の動作は次のようになる。
【0013】
即ち、高周波スイッチ回路がオン状態においては、制御回路33aにより閾値電圧以上の電圧を制御端子24aに印加することにより、マイクロマシン・スイッチ11aがオン状態となり、ノードn1とn2間が導通される。このとき外部端子21から外部回路72側を見た場合のインピーダンスをZ1とし、内部のノードn1から外部回路72を見た場合のインピーダンスをZ2とする。いま外部回路71側から外部回路72側へ信号を送ることを考え、外部回路72の受信電力を1Wとする。このとき、受信回路に流れ込む電流は、数式1のようであり、通常ZL=50(Ω)の場合、0.14Aである。インピーダンス変換回路のない、従来の高周波スイッチ回路では、同じ量の電流がマイクロマシン・スイッチにながれる。
【0014】
【数1】
Figure 2004187215
【0015】
ところが、本発明による高周波スイッチ回路では、例えばインダクタ52のインダアクタンスを7.96nHとし、キャパシタ51の容量を1.59pFと設定すれば、1GHzの高周波を用いた場合、インピーダンス変換回路61a、61bにより、Z1を50オームに保ったまま、Z2を100オームに設定する事ができる。この時マイクロマシン・スイッチ11aに流れる電流は数式2のようになり、従来に比べ29%も減少させることができる。
【0016】
【数2】
Figure 2004187215
【0017】
このため、マイクロマシン・スイッチ11a内の接触抵抗に電流が流れることによる発熱を抑え、接触部の温度を低温に抑える事が出来る。Z2が高いほど、電流の減少率は大きくなるため、十分に温度を下げるにはZ2を100オーム以上に設定する事が望ましい。
このようにしてマイクロマシン・スイッチ11aの最も重要な接触部を、低温で動作させることにより、マイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路の信頼性を大きく改善することが可能となる。
【0018】
ここでインピーダンス変換回路61a,61bのいずれかあるいは双方は略4分の1波長線路を用いてもよく、その際線路の特性インピーダンスをZtとすれば、数式3のようになる。前述したようにZ2を望ましい100オーム以上にするためには、前記Ztを75オーム以上に設定すればよい。
【0019】
【数3】
Figure 2004187215
【0020】
(実施例2)
図2は、本発明の第2の実施例である。本実施例の高周波スイッチ回路は、外部端子21と、外部端子22,23のいずれかの端子を接続する、単極双投型である。次に動作を説明する。
【0021】
(1)外部端子21と外部端子22を接続する場合
この時、マイクロマシン・スイッチ11aをオン、11bをオフ状態にする。このため、インピーダンス変換回路61b及び外部端子23に接続される外部回路33は、ノードn1から電気的に切り離され、影響を与えない。残りの回路はインピーダンス変換回路61a,61c及びマイクロマシン・スイッチ11aからなり、実施例1と同様な構成となる。こうして同様にマイクロマシン・スイッチ11aの動作温度を低下させ、信頼性を向上させることができる。マイクロマシン・スイッチ11bについてはこの時電流が流れないので、信頼性を低下させるような影響を与えることはない。
【0022】
(2)外部端子21と外部端子23を接続する場合
この時、マイクロマシン・スイッチ11aをオフ、11bをオン状態にすることにより、(1)の場合と同様にして、マイクロマシン・スイッチ11bの動作温度を低下させ、信頼性を向上させることができる。
【0023】
【発明の効果】
本発明によれば、マイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路において、マイクロマシン・スイッチの接触部の動作温度を低下させて、信頼性を高めた高周波スイッチ回路が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路の実施例を示す図である。
【図2】本発明の別の実施例を示す図である。
【図3】従来のマイクロマシン・スイッチを用いた高周波スイッチ回路を、アンテナ送受信切替回路に用いた例を示す図である。
【符号の説明】
1:アンテナ
11a,11b:マイクロマシン・スイッチ
21,22,23:外部端子
24a,24b:制御端子
26:接地端子
31:送信回路
32:受信回路
33a,33b:マイクロマシン・スイッチ制御回路
41:高周波スイッチ回路
51:キャパシタ
52:インダクタ
61a,61b:インピーダンス変換回路
71,72:外部回路
n1,n2:内部ノード

Claims (4)

  1. 1つまたは複数のマイクロマシン・スイッチと、1つまたは複数のインピーダンス変換回路からなる高周波スイッチ回路であって、前記インピーダンス変換回路を前記高周波スイッチ回路の外部端子と前記マイクロマシン・スイッチの間に配置することにより、前記マイクロマシン・スイッチのうちオン状態となっているマイクロマシン・スイッチからみた少なくとも一方の外部回路のインピーダンスを高くしたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
  2. 請求項1記載の高周波スイッチ回路であって、前記オン状態のマイクロマシン・スイッチからみた少なくとも一方の外部回路のインピーダンスが100オーム以上となるようにしたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
  3. 請求項1または2記載の高周波スイッチ回路であって、前記インピーダンス変換回路の少なくとも1つが略4分の1波長伝送線路によって構成され、前記伝送線路が75オーム以上の特性インピーダンスを持つことを特徴とする高周波スイッチ回路。
  4. 請求項1または2記載の高周波スイッチ回路であって、前記インピーダンス変換回路の少なくとも1つが集中定数素子により構成されたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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