KR101037688B1 - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체기판의 활성영역에 질소이온을 주입하는 단계와, 상기 반도체기판의 활성영역에 터널링 게이트산화막을 성장시키는 단계와, 상기 터널링 게이트산화막의 일부영역 위에 터널링게이트를 형성하는 단계와,상기 터널링게이트의 양측면에 절연 스페이서를 형성하는 단계를 포함하며,상기 터널링게이트를 형성한 후 상기 절연 스페이서를 형성하기 이전 또는 상기 절연 스페이서를 형성한 이후에 어닐 공정을 진행하여 상기 주입된 질소이온을 상기 터널링 게이트산화막으로 확산시키어 상기 터널링 게이트산화막에 질소이온주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 질소이온으로 NO,N2O 및 NH3가스 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 한다. 상기 NO 또는 N2O가스를 사용하는 경우에 상기 어닐 공정을 800~1000℃의 온도범위에서 10~60분동안 진행하고, 상기 NH3가스를 사용하는 경우에 상기 어닐 공정을 700~1000℃의 온도범위에서 10~60분동안 진행하는 것을 특징으로 한다.
이어, 상기 어닐 공정이 완료된 기판의 활성영역에 터널링 게이트산화막(미도시)을 성장시킨다. 이후의 공정은 본 발명의 일 실시예와 동일하게 진행하되, 질소이온주입 공정은 생략되어도 무관하다.
본 발명의 다른 실시예에서는 터널링 게이트산화막을 성장시키기 이전에, NO/N2O 또는 NH3가스 중 어느 하나를 주입하면서 어닐 공정을 진행한 것을 보였으나, 이외에도 상기 어닐 공정을 터널링 게이트산화막을 성장시킨 다음 또는 터널링게이트를 형성한 다음에 실시하거나, 측벽 형상의 산화막을 형성한 다음 또는 절연 스페이서 형성한 다음에 실시하여도 무관하다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에서는 터널링 게이트산화막을 성장시키기 이전에, 기판에 NO 또는 N2O가스를 주입하면서 어닐 공정을 진행함으로써, 이후의 열공정을 실시하여도 산소 주입에 따른 터널링 게이트산화막의 비정상적인 성장이 방지된다.
Claims (11)
- 반도체기판의 활성영역에 터널링 게이트산화막을 성장시키는 단계와,상기 터널링 게이트산화막의 일부영역 위에 터널링게이트를 형성하는 단계와,상기 터널링게이트 양측에 노출된 상기 터널링 게이트산화막에 100eV∼5KeV의 에너지로 질소이온주입을 실시하여 질소이온주입층을 형성하는 단계와,상기 터널링게이트의 양측면에 절연 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 질소이온의 농도는 1E14∼1E15 atoms/㎠으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 질소이온주입은 15∼65°각도로 틸트시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
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- 반도체기판에 터널링 게이트산화막을 성장시키는 단계와,상기 터널링 게이트산화막의 일부영역 위에 터널링게이트를 형성하는 단계와,상기 터널링게이트의 양측면에 절연 스페이서를 형성하는 단계를 포함하며,상기 터널링게이트를 형성한 후 상기 절연 스페이서를 형성하기 이전 또는 상기 절연 스페이서를 형성한 이후에 질소를 포함하는 어닐 공정을 진행하여 상기 터널링 게이트산화막에 질소이온주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 질소를 포함한 어닐 공정은 NO,N2O 및 NH3가스 중 어느 하나를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 8항 또는 제 9항에 있어서, 상기 NO 또는 N2O가스를 사용하는 경우에 상기 어닐 공정을 800~1000℃의 온도범위에서 10~60분동안 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제 8항 또는 제9에 있어서, 상기 NH3가스를 사용하는 경우에 상기 어닐 공정을 700~1000℃의 온도범위에서 10~60분동안 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
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