KR101037255B1 - 프로빙 방법, 프로브 장치 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 전극 패드가 배치된 기판에 대해 수직으로 되도록 형성된 프로브침을 전극 패드에 접촉시키고, 그 후 오버 드라이브 공정으로서, 전극 패드 내에 프로브침을 잠식시켜서 전극 패드와 프로브침의 도통을 취하고, 이 기판의 전기적 특성을 측정함에 있어서, 프로브침의 침끝이 전극패드 내에 확실하게 수납되고, 또한 오버 드라이브 공정에 있어서 형성된 전극 패드의 침흔적을 크게 한다. 기판을 상승시켜 전극패드와 프로브침을 접촉시키고, 다음에 프로브침의 침끝이 전극 패드 내에 잠식하도록, 기판을 연직방향으로 상승시키면서, 기판을 수평방향으로 이동시켜, 전극 패드의 표면의 산화막을 깎아내고, 전극 패드와 프로브침을 도통시킨다.

Description

프로빙 방법, 프로브 장치 및 기억 매체{PROBING METHOD, PROBE APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 프로브침을 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 기술에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는 IC칩의 완성 후, 각종의 전기적 특성의 검사에 의해서, 웨이퍼의 상태에서 개개의 IC칩의 양부가 판정된다. 이 검사를 실행하는 프로브 장치는 웨이퍼를 탑재대에 탑재하고, 프로브 카드의 프로브침과 웨이퍼의 위치 맞춤을 실행한 후, 탑재대를 상승시켜서 웨이퍼 상의 IC칩의 전극 패드와 프로브침을 순차 접촉시키도록 구성되어 있다. 프로브침으로서는 종전은 소위 횡침이 주류였지만, IC칩의 고집적화, 미세화에 수반하여, 프로브침의 배열 밀도를 높게 할 수 있는 수직침이 다용화되고 있다.
그런데, 프로브침을 전극 패드에 접촉시키는 콘택트 동작에 있어서는 프로브침이 전극 패드의 표면의 자연 산화막을 찢어서 확실한 전기적 접촉을 확보하는 것이 필요하다. 또한, 콘택트 동작의 종료 후에, 전극 패드 상의 침흔적을 카메라로 촬상해서 올바르게 콘택트가 실행되었는지의 여부를 확인하는 작업이 실행되며, 확인을 쉽게 하기 위해, 어느 정도의 크기의 침흔적을 남기는 것도 요구된다. 도 7(a)는 프로브 카드(102)로부터 비스듬히 아래쪽으로 연장하는 프로브침(횡침)(101)을 나타내고 있고, 도 7(b)는 이 프로브침(101)을 이용했을 때의 콘택트의 상태를 나타내고 있다. 이 경우, 탑재대를 상승시켜, 프로브침(101)을 웨이퍼 상의 전극 패드(103)에 접촉 시킨다 (도 7(b)의 점선). 그 뒤에, 탑재대를 약간 상승시켜서 소위 오버 드라이브를 걸면, 프로브침(101)이 휘어 그 침끝이 옆으로 미끄러지면서 전극 패드(103)의 표면의 자연 산화막(105)을 깎아 낸다 (도 7(b)의 실선). 따라서, 프로브침(101)과 전극 패드(103)가 확실하게 접촉하고, 또 침흔적의 확인 작업도 실행하기 쉽다.
한편, 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 프로브 카드(102)로부터 수직으로 프로브침(104)이 연장되어 있는 수직침에 있어서는 오버 드라이브시의 웨이퍼의 상승 속도가 너무 빠르면, 프로브침(104)의 침끝이 전극 패드(103)를 찢어, IC칩을 파괴해 버릴 우려가 있으며, 또한 프로브침(104)과 전극 패드(103)가 접촉했을 때의 충격에 의해, 프로브침(104)이 파손될 우려가 있다. 그 때문에, 오버 드라이브시에는 웨이퍼를 완만하게 상승시킬 필요가 있지만, 프로브침(104)이 수직이고, 모든 프로브침(104)의 침끝의 높이가 완전히 일치되어 있는 것은 아니기 때문에, 프로브침(104)이 자연 산화막(105)을 찢지 않아, 도통 불량으로 되고, 또 전극 패드(103)와 프로브침(104)에 대해 수직방향으로 큰 힘이 가해져, 프로브침(104)이나 IC칩을 손상시킬 우려도 있다. 또한, 전극 패드(103) 상의 침흔적이 점이기 때문에 화상인 식을 용이하게 실행할 수 없다고 하는 문제도 있다.
한편, 특허문헌 1에는 수직침인 프로브침(104)에 오버 드라이브를 건 후, 웨이퍼를 수평방향으로 이동시키는 기술이 기재되어 있다. 그러나, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 오버 드라이브시에는 프로브침(104)이 전극 패드(103)에 잠식하고 있으므로, 전극 패드(103)가 수평방향으로 이동해도, 프로브침(104)이 휠 뿐, 자연 산화막(105)이 깎아 내지지 않고, 또한 프로브침(104)이 파손될 우려도 있다.
(특허문헌 1) 일본국 특허공개공보 평6-124985((0011))
본 발명은 이러한 사정 하에서 이루어진 것이며, 그 목적은 피검사체상의 전극 패드에 대해, 수직침인 프로브침에 의해 양호한 도통을 확보할 수 있고, 또한 적절한 크기의 침흔적을 남길 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1 관점에 있어서의 프로빙 방법은 피검사체에 대향하고 또한 수직으로 되도록 형성된 프로브침을 상기 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서, 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로빙 방법에 있어서, 상기 피검사체를 탑재대에 탑재하는 공정(a)과, 다음에 상기 피검사체와 상기 프로브침의 위치 맞춤을 실행하는 공정(b)과, 그 후, 상기 탑재대를 상승시켜, 상기 전극 패드와 상기 프로브침을 접촉시키는 공정(c)과, 계속해서 상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시키기 위해, 상기 탑재대를 연직방향으로 상승시키면서 수평방향으로 이동시켜, 상기 전극 패드의 표면의 산화막을 깎아 내고, 상기 전극 패드와 상기 프로브침을 도통시키는 공정(d)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 접촉시키는 공정(c)은 상기 전극 패드 내에 있어서, 상기 프로브침이 상기 전극 패드의 중심위치로부터 어긋난 편이 위치에 접촉하도록 상기 탑재대를 상승시키는 공정이고, 상기 도통시키는 공정(d)은 상기 프로브침의 침끝이 상기 편이 위치로부터 상기 전극 패드의 중심위치를 향하도록, 상기 탑재대를 상기 편이 위치와 상기 중심위치의 사이의 거리의 배의 거리를 직선형상으로 수평방향으로 이동시키는 공정인 것이 바람직하다.
상기 접촉시키는 공정(c)에 있어서의 상기 탑재대의 상승 속도는 상기 도통시키는 공정(d)에 있어서의 상기 탑재대의 상승 속도보다 빠른 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 관점에 있어서의 프로브 장치는 탑재대에 탑재된 피검사체에 대향하고 또한 수직으로 되도록 마련된 프로브침을, 상기 피검사체와 해당 프로브침의 위치 맞춤을 실행한 후, 상기 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서, 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치에 있어서, 상기 탑재대를 수평방향 및 연직방향으로 이동시키기 위한 구동 기구와, 상기 탑재대를 상승시켜, 상기 프로브침과 상기 탑재대 상의 피검사체의 전극 패드를 접촉시키고, 계속해서 상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시키기 위해, 상기 탑재대를 연직방향으로 상승시키면서 수평방향으로 이동시켜, 상기 전극 패드의 표면의 산화막을 깎아내고, 상기 전극 패드와 상기 프로브침을 도통시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 제어부는 상기 프로브침과 상기 전극 패드를 접촉시킬 때, 상기 전극 패드 내에 있어서, 상기 프로브침이 상기 전극 패드의 중심위치로부터 어긋난 편이 위치에 접촉하도록 상기 탑재대를 상승시키고, 상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시킬 때에, 상기 프로브침의 침끝이 상기 편이 위치로부터 상기 전극 패드의 중심위치를 향하도록, 상기 탑재대를 상기 편이 위치와 상기 중심위치의 사이의 거리의 배의 거리를 직선형상으로 수평방향으로 이동시키도록 제어 신호를 출력하는 것이 바람직하다.
상기 제어부는 상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시킬 때의 상기 탑재대의 상승 속도를, 상기 프로브침과 상기 전극 패드를 접촉시킬 때까지의 상기 탑재대의 상승 속도보다 느려지도록 제어 신호를 출력하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3 관점에 있어서의 기억 매체는 프로브침을 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서, 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로빙 방법에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서, 상기 컴퓨터 프로그램은 상기 프로빙 방법을 실시하도록 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 피검사체에 대해 수직으로 되도록 형성된 프로브침을 이용하여 프로빙을 실행함에 있어서, 피검사체를 상승시켜서 프로브침과 전극 패드를 접촉시킨 후, 피검사체를 연직방향으로 상승시키면서 수평방향으로 이동시키도록 하고 있으므로, 프로브침의 침끝이 전극 패드 내에 잠식하면서 그 표면부를 옆으로 깎어 가게 된다. 따라서, 전극 패드의 표면의 산화막을 원활하게 긁어 낼 수 있기 때문에, 전극 패드과 프로브침의 도통을 확실하게 얻을 수 있고, 또 프로브침과 피검사체에 대해 수직방향으로 큰 힘이 가해지는 것이 억제되고, 또한 프로브침에 의해 전극 패드 상에 큰 침흔적을 남길 수 있다.
본 발명의 프로빙 방법을 실시하기 위한 장치에 대해, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 이 프로브 장치(20)는 장치의 외장부를 이루는 하우징(21)을 구비하고 있으며, 이 하우징(21) 내의 저면에는 구동 기구인 XYZ 스테이지(30)가 마련되어 있다. 이 XYZ 스테이지(30)는 볼나사, 가이드 기구 및 펄스 모터를 포함하는 X방향 이동부(31), Y방향 이동부(32) 및 Z방향 이동부(33)에 의해 구성되고, Z방향 이동부(33)의 상부에는 피검사체인 웨이퍼 W를 탑재하기 위한 탑재대(3)가 마련되어 있다.
하우징(21)의 상면부에는 프로브침(2)이 장착된 장착부재인 프로브 카드(23)가 수평으로 부착되어 있다. 이 프로브 카드(23)는 전극(25)이 배열된 프린트 기판(26)과, 이 프린트 기판(26)의 아랫측에 마련된 블럭체(27)를 구비하고 있고, 전극(25)은 복수의 수직형의 프로브침(2)에 각각 전기적으로 접속되어 있다. 블럭체(27)의 아랫측에는 프로브침(2)을 안내하기 위한 안내판(28)이 상하로 중첩되도록 복수개 예를 들면 2개 마련되어 있다. 프로브침(2)은 블럭체(27) 내의 윗측에 있고, 수지재료(29)에 의해서 고정되어 있으며, 각각의 프로브침(2)의 침끝을 포함하는 면은 탑재대(3)의 탑재면(웨이퍼 W의 표면)과 평행하게 되도록 설정되어 있다.
이 프로브 장치(20)에는 예를 들면 컴퓨터로 이루어지는 제어부(5)가 마련되어 있고, 이 제어부(5)는 프로그램, 메모리, CPU로 이루어지는 데이터 처리부 등을 구비하고 있다. 이 프로그램에는 제어부(5)로부터 프로브 장치(20)의 각 부에 제어 신호를 보내고, 웨이퍼 W의 전기적 특성의 측정이나 웨이퍼 W의 반송을 실행하도록 명령이 포함되어 있다. 또한, 예를 들면 메모리에는 XYZ 스테이지(30)의 이동 속도, 이동량 혹은 전극(25)으로부터 프로브침(2)에 흘리는 전류값 등의 검사 신호 등의 처리 파라미터의 값이 기입되는 영역을 구비하고 있고, CPU가 프로그램의 각 명령을 실행할 때, 이들 처리 파라미터가 읽어 내어지고, 그 파라미터값에 따른 제어 신호가 이 프로브 장치(20)의 각 부위로 보내지게 된다. 이 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함)은 컴퓨터 기억 매체 예를 들면 플렉시블 디스크, 컴팩트 디스크, MO(광자기 디스크), 하드 디스크 등의 기억부(6)에 저장되어 제어부(5)에 인스톨된다.
여기서, 이 프로빙 방법에 의해 전기적 특성이 검사되는 피검사체인 웨이퍼 W에 대해, 도 3을 참조해서 설명한다. 이 웨이퍼 W의 표면에 형성된 IC칩에는 금속 예를 들면 알루미늄 등으로 이루어지는 각형의 전극 패드(40)가 형성되어 있고, 이 전극 패드(40)의 표면에는 극히 얇은 두께의 산화 막(41)이 형성되어 있다. 이 산화막(41)은 IC칩이 완성된 후, 웨이퍼 W를 대기 중으로 노출시킴으로써, 대기 중의 산소 등에 접촉해서 생성된 자연 산화막이다.
다음에, 본 발명의 프로빙 방법에 대해 설명한다. 우선, 웨이퍼 W의 위치의 얼라인먼트를 실행한다. 즉 도시하지 않은 반송 수단에 의해, 웨이퍼 W를 탑재대(3)에 탑재하고, 도시하지 않은 촬상 수단 예를 들면 CCD 카메라 등에 의해, 웨이퍼 W상에 형성된 도시하지 않은 얼라인먼트 마크와 프로브침(2)의 위치를 검출하여, 프로브침(2)과 웨이퍼 W의 수평방향(X, Y방향 및 연직방향 축 주위의 회전 방 향)의 위치를 맞춤과 동시에, 프로브침(2)의 침끝에 대해 소정의 거리만큼 낮은 위치로 되도록, XYZ 스테이지(30)에 의해서 탑재대(3)의 초기 위치를 설정한다. 또한, 이 얼라인먼트 동작은 XYZ 스테이지(30)의 왜곡 등도 고려하여, 미리 취득된 정보에 의거해서 극히 정확하게 실행된다.
다음에, 프로브침(2)과 전극 패드(40)가 접촉하도록, XYZ 스테이지(30)에 의해 탑재대(3)를 이동시킨다. 구체적으로는 프로브침(2)의 침끝이 전극 패드(40)의 중심위치로부터 소정의 거리 편이된 위치에서 접촉하도록, 탑재대(3)를 이동시킨다. 도 4는 이 상태를 나타내는 도면이며, 웨이퍼 W의 표면(산화막(41)도 포함시킨 전극 패드(40)의 표면)이 높이 레벨) L1에서 L2까지 상승하고, 프로브침(2)의 침끝이 전극 패드(40)의 표면(산화막(41)의 표면)에 접촉한다. 이 접촉 위치는 예를 들면 전극 패드(40)에 형성하는 침흔적(42)의 길이를 a로 하면, 전극 패드(40)의 중심에서 그 길이 a의 절반의 거리(a/2)만큼 변위시킨 위치이고, 이러한 접촉이 실행되도록 XYZ 스테이지(30)가 컨트롤된다. 이 때, 탑재대(3)는 프로브침(2)과 전극 패드(40)(산화 막(41))가 접촉할 때 까지는 예를 들면 종래 알려져 있는 바와 같이 고속으로 이동하도록 조정되고, 프로브침(2)과 전극 패드(40)(산화막(41))를 접촉시킨 후, 오버 드라이브 공정으로서, 다음과 같이 이동한다.
즉, 탑재대(3)를 상승시키면서, 상술한 접촉 위치로부터, 전극 패드(40)의 중심 위치를 향해 프로브침(2)의 침흔적(42)이 형성되도록, 탑재대(3)를 거리 a만큼 직선형상으로 수평방향으로 이동시킨다. 여기서 상술한 얼라인먼트 동작에 의해서 IC칩의 전극 패드(40)의 세로의 1변과 가로의 1변은 각각 XYZ 스테이지(30)의 이동 방향인 X방향 및 Y방향을 따르도록 웨이퍼 W의 방향이 조정되어 있기 때문에, 여기서 말하는 수평방향은 예를 들면 X방향 혹은 Y방향이다.이 오버 드라이브 공정에 의해, 도 4에 나타내는 바와 같이, 전극 패드(40)가 높이 레벨 L3의 도통위치로 이동하여, 프로브침(2)의 침끝이 전극 패드(40)에 대해 상대적으로 비스듬히 아래쪽으로 원활하게 이동하므로, 프로브침(2)이 전극 패드(40)의 표면의 산화막(41)을 깎아 내면서 전극 패드(40) 내에 잠식하여 프로브침(2)과 전극 패드(40)의 사이의 도통(전기적 접촉)이 얻어진다.
도 4는 상술한 바와 같이, 탑재대(3)에 의해 전극 패드(40)(웨이퍼 W)를 이동시켰을 때의 임의의 1개의 전극 패드(40)의 위치의 추이를 나타낸 도면이지만, 도 5에, 예를 들면 전극 패드(40)의 위치를 고정시켰다고 가정해서 동일 도면을 재묘화한 모식도를 나타낸다. 이 도 4 및 도 5로부터, 전극 패드(40)에 대해 프로브침(2)이 전극 패드(40)에 잠식하면서 수평방향으로 이동해 가는 것을 알 수 있다. 도 6은 오버 드라이브 공정 후의 전극 패드(40)를 상면(프로브침(2)측)에서 관찰한 상태를 나타내고 있고, 이 오버 드라이브 공정에 의해서, 프로브침(2)의 직경에 맞추어 서서히 폭이 넓어지는 길이 a의 침흔적(42)이 전극 패드(40)의 표면(전극 패드(40) 및 산화막(41))에 형성된다.
이 때의 탑재대(3)의 이동 속도는 프로브침(2)과 전극 패드(40)가 접촉할 때까지의 속도보다 충분히 느린 저속으로 설정된다.
그 후, 전극(25)으로부터 소정의 검사 신호가 프로브침(2)을 거쳐서 전극 패드(40)에 흘러, 전기적 특성의 검사가 실행된다. 또, 소정 매수의 웨이퍼 W의 처리 마다, 도시하지 않은 화상 처리 장치에 의해, 전극 패드(40)에 형성된 침흔적(42)이 촬상되어, 프로브침(2)과 전극 패드(40)가 접촉했는지의 여부의 화상 검사가 실행된다.
상술한 실시형태에 의하면, 수직으로 연장하는 프로브침(2)에 의해서 프로빙을 실행함에 있어서, 웨이퍼 W를 상승시켜 프로브침(2)과 전극 패드(40)를 접촉시킨 후, 오버 드라이브 공정으로서, 웨이퍼 W를 연직방향으로 상승시키면서 웨이퍼 W를 수평방향으로 이동시키도록 하고 있으므로, 프로브침(2)의 침끝이 전극 패드(40)의 표면의 산화막(41)을 옆에서 긁어내는 작용으로 되기 때문에, 산화막(41)이 벗겨지기 쉽게 되고, 전극 패드(40)와 프로브침(2)의 도통을 확실하게 얻을 수 있고, 웨이퍼 W에 형성된 IC칩의 전기적 특성의 평가를 양호하게 실행할 수 있다.
또, 본 발명에서는 탑재대(3)의 이동 속도를 느리게 하여, 전극 패드(40) 내에 프로브침(2)의 침끝을 조금씩 잠식시키면서 수평방향으로 전극 패드(40)를 이동시키고 있고, 상술한 도 8(b)와 같이, 깊게 프로브침(2)을 잠식시키고 나서 이동시키고 있지 않으므로, 프로브침(104)과 전극 패드(40)에 가해지는 충격이 세로와 가로로 분산되고, 수직방향으로 과대한 힘이 가해지지 않아, 프로브침(2)이 절곡되거나, 프로브침(2)이나 IC칩이 파손되는 것을 억제하여, 프로브침(2)의 침끝을 확실하게 전극 패드(40) 내에 수납할 수 있다.
이와 같이 전극 패드(40)에 대해 수직으로 형성된 프로브침(2)이어도, 도 5 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 횡침인 상술한 프로브침(104)과 동일한 바와 같은 궤적을 그리고, 침흔적(42)을 크게 형성할 수 있으므로, 그 후의 화상 검사를 실행 하는 경우에도 정밀도 높게 프로브침(2)과 전극 패드(40)의 접촉(침흔적(42))의 유무를 판별할 수 있다.
또한, 상술한 예에서는 초기 위치에서 접촉 위치까지의 탑재대(3)의 수평방향의 이동 거리와, 오버 드라이브 공정에 있어서의 탑재대(3)의 수평방향의 이동 거리를 동일한 길이(a/2)로 했지만, 프로브침(2)의 침끝이 전극 패드(40)로부터 비어져 나오지 않도록 이동시키는 것이면, 각각 다른 길이로 해도 상관없다. 또한, 초기 위치에 있어서 프로브침(2)과 전극 패드(40)의 중심 위치를 일치시켜서, 그 후, 편이 위치에 있어서 접촉하도록 탑재대(3)를 상승시켰지만, 예를 들면 초기 위치에 있어서 미리 편이된 위치로 탑재대(3)를 이동시켜 두고, 그 후 연직방향에 수직으로 탑재대(3)를 상승시키도록 해도 좋다. 또한, 침흔적(42)을 길게 형성하기 위해, 편이 위치에 있어서 프로브침(2)과 전극 패드(40)를 접촉시키도록 했지만, 예를 들면 상기의 화상 검사를 실행하지 않는 경우 등에는 초기위치로부터 수직으로 탑재대(3)를 상승시켜서, 프로브침(2)을 전극 패드(40)에 접촉시키고, 그 후 오버 드라이브 공정을 실행하도록 해도 좋다.
또한, 상기와 같이, 프로브침(2)과 전극 패드(40)가 접촉할 때까지는 탑재대(3)를 빠르게 이동시키도록 했지만, 접촉 후도 동일한 속도로 이동시키도록 해도 좋다.
도 1은 본 발명의 프로빙 방법을 실시하기 위한 프로브 장치의 1 예를 나타내는 사시도.
도 2는 상기의 프로브 장치의 종단면도.
도 3은 상기의 프로빙 방법에 적용되는 기판의 1예를 나타내는 종단면도.
도 4는 상기의 프로빙 방법에 있어서, 전극 패드의 이동 궤적을 나타내는 모식도.
도 5는 상기의 전극 패드를 고정시켰다고 가정했을 때의 프로브침의 이동 궤적을 나타내는 모식도.
도 6은 상기의 프로빙 방법에 있어서의 오버 드라이브 공정 후의 전극 패드를 상면에서 관찰한 수평 상면도.
도 7a~7b는 종래의 전극 패드에 대해 비스듬히 형성된 프로브침에 대한 설명도.
도 8a~8b는 종래의 전극 패드에 대해 수직으로 형성된 프로브침에 대한 설명도.

Claims (7)

  1. 피검사체에 대향하고 또한 수직으로 되도록 형성된 프로브침을 상기 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서, 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로빙 방법에 있어서,
    상기 피검사체를 탑재대에 탑재하는 공정(a)과,
    다음에 상기 피검사체와 상기 프로브침의 위치 맞춤을 실행하는 공정(b)과,
    그 후, 상기 탑재대를 상승시켜, 상기 프로브침의 침끝이 상기 전극 패드의 중심 위치로부터 어긋난 편이 위치에서 접촉하도록 하는 공정(c)과,
    계속해서 상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시키기 위해, 상기 탑재대를 연직방향으로 상승시키면서 수평방향으로 이동시킴으로써, 상기 프로브침의 침끝이 상기 전극 패드의 표면에 대하여 상대적으로 경사지게 아래쪽으로 이동하여 상기 전극 패드의 표면의 산화막을 깎아 내고, 상기 전극 패드와 상기 프로브침을 도통시키는 공정(d)을 포함하는 것을 특징으로 하는
    프로빙 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉시키는 공정(c)은 상기 전극 패드 내에 있어서, 상기 프로브침이 상기 전극 패드의 중심위치로부터 어긋난 편이 위치에 접촉하도록 상기 탑재대를 상승시키는 공정이고,
    상기 도통시키는 공정(d)은 상기 프로브침의 침끝이 상기 편이 위치로부터 상기 전극 패드의 중심위치를 향하도록, 상기 탑재대를 상기 편이 위치와 상기 중심위치의 사이의 거리의 배의 거리를 직선형상으로 수평방향으로 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는
    프로빙 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉시키는 공정(c)에 있어서의 상기 탑재대의 상승 속도는 상기 도통시키는 공정(d)에 있어서의 상기 탑재대의 상승 속도보다 빠른 것을 특징으로 하는
    프로빙 방법.
  4. 탑재대에 탑재된 피검사체에 대향하고 또한 수직으로 되도록 마련된 프로브침을, 상기 피검사체와 해당 프로브침의 위치 맞춤을 실행한 후, 상기 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서, 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 프로브 장치에 있어서,
    상기 탑재대를 수평방향 및 연직방향으로 이동시키기 위한 구동 기구와,
    상기 탑재대를 상승시켜, 상기 프로브침의 침끝이 상기 전극 패드의 중심 위치로부터 어긋난 편이 위치에서 접촉하도록 하고, 계속해서 상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시키기 위해, 상기 탑재대를 연직방향으로 상승시키면서 수평방향으로 이동시킴으로써, 상기 프로브의 침끝이 상기 전극 패드의 표면에 대하여 상대적으로 경사지게 아래쪽으로 이동하여 상기 전극 패드의 표면의 산화막을 깎아 내고, 상기 전극 패드와 상기 프로브침을 도통시키도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 프로브침과 상기 전극 패드를 접촉시킬 때, 상기 전극 패드 내에 있어서, 상기 프로브침이 상기 전극 패드의 중심위치로부터 어긋난 편이 위치에 접촉하도록 상기 탑재대를 상승시키고,
    상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시킬 때에, 상기 프로브침의 침끝이 상기 편이 위치로부터 상기 전극 패드의 중심위치를 향하도록, 상기 탑재대를 상기 편이 위치와 상기 중심위치의 사이의 거리의 배의 거리를 직선형상으로 수평방향으로 이동시키도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 프로브침의 침끝을 상기 전극 패드 내에 잠식시킬 때의 상기 탑재대의 상승 속도를, 상기 프로브침과 상기 전극 패드를 접촉시킬 때까지의 상기 탑재대의 상승 속도보다 느려지도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  7. 프로브침을 피검사체의 전극 패드에 전기적으로 접촉시켜서, 해당 피검사체의 전기적 특성을 측정하는 로빙 방법에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제 1 항 또는 2 항에 기재된 프로빙 방법을 실시하도록 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는
    기억 매체.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5050384B2 (ja) * 2006-03-31 2012-10-17 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4950719B2 (ja) * 2007-03-23 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 プローブの針先位置の検出方法、アライメント方法、針先位置検出装置及びプローブ装置
US8305097B2 (en) * 2007-09-04 2012-11-06 Texas Instruments Incorporated Method for calibrating an inspection tool
CN104377101B (zh) 2013-08-14 2017-08-08 Fei 公司 用于带电粒子束系统的电路探头
US9478237B2 (en) * 2013-09-18 2016-10-25 Seagate Technology Llc Work piece contact pad with centering feature
CN104034737B (zh) * 2014-06-13 2017-01-18 上海华岭集成电路技术股份有限公司 三维立体芯片可测试性的检测方法
CN206920558U (zh) * 2017-03-31 2018-01-23 张咪 一种模块化ic测试座及ic测试装置
CN108279368A (zh) * 2018-01-23 2018-07-13 德淮半导体有限公司 测试机台及测试方法
CN110187259A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 德淮半导体有限公司 一种防止晶圆测试中针痕偏移的调整系统以及调整方法
CN112946454B (zh) * 2021-01-22 2023-07-07 重庆秦嵩科技有限公司 一种芯片数据访问测试系统及其工作方法
CN112903022B (zh) * 2021-02-04 2022-07-19 上海泽丰半导体科技有限公司 一种探针测试系统、其操作方法及检测方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124985A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置及びプロービング方法
JP2004132971A (ja) * 2002-09-17 2004-04-30 Iwasaki Correspond Industry Co Ltd プローブカード

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6362245A (ja) * 1986-09-02 1988-03-18 Canon Inc ウエハプロ−バ
US4963822A (en) * 1988-06-01 1990-10-16 Manfred Prokopp Method of testing circuit boards and the like
JP3208734B2 (ja) * 1990-08-20 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP3138908B2 (ja) * 1995-03-20 2001-02-26 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
WO1997027489A1 (en) * 1996-01-24 1997-07-31 Intel Corporation Improved method and apparatus for scrubbing the bond pads of an integrated circuit during wafer sort
US5773987A (en) * 1996-02-26 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer using a motor controlled scrub process
US6433571B1 (en) * 1998-07-06 2002-08-13 Motorola, Inc. Process for testing a semiconductor device
JP2001153886A (ja) * 1999-11-26 2001-06-08 Mitsubishi Electric Corp プローブカード、及びこれを備えたテスト装置
JP2002311054A (ja) * 2001-04-10 2002-10-23 Sony Corp プローブカード、電子回路装置の測定装置および測定方法
JP2004347565A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Nec Electronics Corp プロ−ブカ−ドおよび半導体装置の検査方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124985A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置及びプロービング方法
JP2004132971A (ja) * 2002-09-17 2004-04-30 Iwasaki Correspond Industry Co Ltd プローブカード

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CN101275985A (zh) 2008-10-01

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