KR101012091B1 - 다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법 - Google Patents

다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (1) 세라믹 몸체의 표면에 화학반응을 일으켜 반응 잔류물을 포함하는 표면층을 형성하는 단계; (2) 상기 세라믹 몸체의 표면층에 포함된 반응 잔류물을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및 (3) 상기 불규칙한 요철 모양의 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법에 관한 것이다.
다이아몬드막, 표면 화학반응, 불규칙한 요철 모양, 식각, 증착

Description

다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법{CERAMIC BODY COATED WITH DIAMOND LAYER AND METHOD FOR PREPARING SAME}
본 발명은 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 기계적 또는 화학적인 마모가 중요한 응용 부품에서 표면의 마모를 줄이기 위하여 경도 및 내화학성이 우수한 다이아몬드막을 코팅한 구조재가 많이 개발되고 있다. 예를 들면, 다이아몬드막이 코팅된 절삭공구(미국 특허공보 제5,334,453호 및 제5,318,836호), 고온 내마모 향상을 위한 자동차 부품의 다이아몬드상 탄소코팅(미국 특허공보 제6,534,170호), 금형 및 내마모 부품의 다이아몬드 코팅 등이 있다. 또한, 다이아몬드의 경도 및 우수한 열전도도를 활용하기 위한 반도체 및 LCD에 활용되는 TAB 공구(미국 특허공보 제5,213,248호), 반도체 웨이퍼 가공을 위한 CMP 패드 컨디셔너 등도 중요한 응용 예이다. 이와 같이, 다이아몬드막은 응용 범위에 따라 수 ㎛에서 수백 ㎛까지의 두께로 응용 부품에 코팅된다.
이러한 다이아몬드막이 코팅된 몸체가 가지는 가장 큰 문제는 사용되는 가혹한 환경에서 다이아몬드막이 몸체에서 박리되지 않도록 충분한 밀착력을 확보하는 것이다. 특히 다이아몬드막의 두께가 수십 ㎛ 이상 되면 잔류응력으로 인한 박리가 심각하다. 또한, 다이아몬드막의 증착온도가 1000℃ 부근이기 때문에 사용할 수 있는 몸체의 선정에 제약이 따른다. 따라서, 다이아몬드막을 코팅하여 사용하는 몸체는 일반적으로 초경 소재 또는 세라믹 소재에 국한되어 있다. 초경 소재의 경우 코발트(Co)가 수 % 이상 포함되어 있는데, Co는 다이아몬드를 흑연으로 변태시키는 역할을 하기 때문에 다이아몬드의 결합력을 방해한다. 반면에, 세라믹 소재의 경우는 촉매역할을 하는 Co 등의 전이금속이 없기 때문에 다이아몬드가 흑연으로 변태되는 문제가 없고, 또한 고온에서 안정한 재료 선택의 범위가 넓다는 장점이 있다. 따라서, 질화규소(silicon nitride) 등의 세라믹 소재를 사용한 다이아몬드막의 코팅이 많이 연구되어 왔다.
그러나 세라믹 소재 또한 밀착력 문제를 가지고 있다. 이러한 밀착력 문제를 개선하기 위한 세라믹 소재의 중간층을 코팅하는 방법 또는 세라믹 소재의 미세구조를 변화시켜 다이아몬드와의 밀착력을 증진시키는 방법 등이 보고되고 있다. 미국 특허공보 제5,334,453호는 질화규소 입자를 침상으로 만들어 다이아몬드와의 기계적 결합을 증진시키는 방법을 개시하고 있고, 미국 특허공보 제5,318,836호는 질화규소 입자 사이의 비정질 결합상을 결정질로 바꾸어 밀착력을 증진시키는 방법을 제시하고 있다.
세라믹 소재는 경도 등은 우수하나 인성이 약한 대표적인 소재이다. 대부분의 세라믹 소재는 인성이 증진되도록 그 미세구조나 조성이 최적화되어있다. 따라서, 앞서 제시한 바와 같이 소재의 조성이나 미세구조를 조절하는 방법을 사용할 경우 세라믹 소재의 기계적 강도의 저하를 피할 수 없게 된다.
본 발명의 목적은 세라믹 소재의 기계적 강도를 유지하면서 그 표면에서 다이아몬드막과의 기계적인 상호물림을 통해 충분한 결합력을 가지는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적에 따라, 본 발명에서는 (1) 세라믹 몸체의 표면에 화학반응을 일으켜 반응 잔류물을 포함하는 표면층을 형성하는 단계; (2) 상기 세라믹 몸체의 표면층에 포함된 반응 잔류물을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및 (3) 상기 불규칙한 요철 모양의 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 불규칙한 요철 모양 표면층의 평균조도는 50㎛ 이하이다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 세라믹 몸체는 SiC 또는 Si3N4를 포함한다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 단계(1)의 화학반응은 산화반응, 할로겐 기체에 의한 고온 기체화학반응, 플라즈마 기체에 의한 표면화학반응, 도포된 분말에 의한 표면화학반응 및 고온 염에 의한 화학반응으로 이루어진 군에서 하 나 이상 선택되고, 더욱 바람직하게는 세라믹 몸체의 표면에 산화반응을 일으켜 N 또는 C를 제거하고 Si는 산화규소가 되어 반응 잔류물이 되도록 하고, 또는 세라믹 몸체가 SiC를 포함하는 경우 세라믹 몸체의 표면에 할로겐 기체로 고온 기체화학반응시켜 Si를 제거하고 탄소층이 잔류하도록 하거나, 또는 세라믹 몸체의 표면에 금속 분말을 도포하여 규소화합물(silicide)을 형성한다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면 상기 단계(2)에서 반응 잔류물의 제거는 습식 식각, 건식 식각 또는 샌드 블라스트에 의해 실시될 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 단계(2)에서 형성된 불규칙한 요철 모양의 표면층의 거칠기는 1 내지 50㎛이고, 상기 단계(3)에서 표면층에 증착된 다이아몬드막의 두께는 5 내지 1000㎛이다.
본 발명에서는 또한, 상기의 방법으로 제조된 다이아몬드가 코팅된 세라믹 몸체를 제공한다.
본 발명에 따른 제조방법은 세라믹 몸체의 미세구조나 조성을 변화시키지 않고 몸체 표면만 변화시키는 방법을 이용하므로, 세라믹 몸체의 우수한 물성을 그대로 유지하면서도 다이아몬드막과의 밀착력이 우수한, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체를 제공한다.
세라믹 소재의 기계적 물성을 그대로 유지하면서 다이아몬드막과의 기계적 상호물림 효과를 얻는 것은 세라믹 소재 표면의 불균일한 요철을 인위적으로 만들 수 있는 방법을 통해 가능하다. 일반적으로 최종형상으로 가공이 끝난 세라믹 몸체의 경우 표면의 요철은 기계적 연마에 의해 존재한다. 그러나, 기계적 연마에 의한 요철은 굴곡이 부드럽고, 불규칙한 미세요철을 기대하기 힘들어 강한 기계적인 상호물림을 기대하기 힘들다. 따라서, 기계적인 상호 물림을 충분히 기대할 수 있는 방법이 필요하다. 본 발명에서는 이를 해결하기 위하여 세라믹 몸체의 표면에 새로운 표면층을 만들어 몸체가 제공하지 못하는 불규칙한 요철을 형성하는 방법에 의하여 다이아몬드막과의 강한 기계적 결합을 유도할 수 있는 방법을 제공한다.
본 발명은 세라믹 몸체 내부에서의 미세구조나 조성의 변화 없이 세라믹 몸체 표면에서만 고상 또는 액상반응을 유발하여 세라믹 몸체를 구성하는 세라믹 입자와 유사한 입자를 치밀하지 않게 형성시키는 방법에 의해 표면 요철을 형성하는 방법에 기초한다.
이를 구현하기 위하여 본 발명은 (1) 세라믹 몸체의 표면에 화학반응을 일으켜 반응 잔류물을 포함하는 표면층을 형성하는 단계; (2) 상기 세라믹 몸체의 표면층에 포함된 반응 잔류물을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및 (3) 상기 불규칙한 요철 모양의 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 적용할 수 있는 세라믹 입자의 예로는 탄화규소 또는 질화규소가 바람직하고, SiC 또는 Si3N4가 더욱 바람직하나 반드시 이들 소재에 제한되는 것은 아니다.
상기 단계(1)에서의 화학반응은 산화반응, 할로겐(halogen)기체 등의 반응성이 있는 기체에 의한 고온 기체화학반응, 플라즈마 기체에 의한 표면화학반응, 도포된 분말에 의한 표면화학반응 또는 고온 염에 의한 화학반응 등이 바람직하나 이에 제한되지 않으며 고온에서의 불균일한 표면 화학반응을 유발하는 모든 방법을 포함한다. 일반적으로 세라믹의 경우 화학적으로 안정하기 때문에 화학용액과의 반응이 매우 느리다. 또한, 일반적인 부식방법에 의해서는 전체적으로 식각이 느리게 진행되어 입계부식을 제외하고는 세라믹 몸체 표면의 불균일한 반응을 유도하기 힘들다. 따라서, 입계나 입자 내에 존재하는 결함을 따라 화학반응이 빠르게 일어나는 조건을 형성시키는 방법 또는 세라믹 몸체를 구성하는 원소 중에 한 원소만 선택적으로 반응하여 제거하는 방법을 통하여 몸체 표면의 불균일한 반응을 유도할 수 있다. 이러한 조건은 세라믹을 구성하는 원소의 확산이나 또는 화학반응을 유발하는 원소의 확산이 어느 정도 가능한 고온에서 유발시킬 수 있다.
본 발명의 한 양태에서는 SiC 세라믹을 산화반응시켜 세라믹 몸체 표면의 탄소 성분은 기체화시키고, Si 성분은 산화규소(silicon oxide)로 형성시킨다. 산화규소의 분포나 두께에 따라 그 하부에 있는 SiC의 산화반응은 달라지며 부분적으로 다른 속도로 진행된다. 이러한 과정에 의해 세라믹 표면의 산화반응은 도 1과 같 이 불균일하게 일어난다. Si3N4 세라믹을 산화시키는 경우에는 산소가 질소만을 산화시켜 세라믹 몸체 표면의 질소 성분을 기체화시키고, Si 성분은 산화규소(silicon oxide)로 형성시킨다.
본 발명의 다른 양태에서는 SiC 세라믹을 할로겐 기체에 의한 고온 기체화학반응을 통하여 세라믹 몸체 표면의 Si 성분과 할로겐 기체를 반응시켜 선택적으로 Si를 제거할 수 있다. 이러한 과정에서 표면층은 잔류 탄소층을 포함하게 된다.
본 발명의 또 다른 양태에서는 금속 분말을 도포하고 열처리하여 소결한 세라믹 표면에 규소화합물(silicide)을 형성시킨다. 이때 규소화합물은 세라믹 표면에 점의 형태로 형성되며, 그 양상은 열처리 온도 및 시간, 그리고 금속분말의 형상 크기 및 세라믹과의 접촉 밀도에 의존하게 된다.
상기 단계(2)에서는 표면층 내의 반응 잔류물을 제거하여 불규칙한 요철 모양을 가진 표면층을 제공하게 된다. 단계(2)에서 반응 잔류물을 제거하는 방법으로 습식 식각, 건식 식각 또는 샌드 블라스트가 가능하나, 여기에 제한되지 아니한다. 반응 잔류물세라믹 표면이 산화규소로 형성된 경우에는 불산 수용액을 사용하여 제거할 수 있다. 또한, 세라믹 표면이 탄소층으로 형성된 경우에는 산소를 함유한 Ar 플라즈마를 사용하여 탄소층을 제거할 수 있다. 그리고, 금속 분말을 도포하고 열처리하여 세라믹 표면에 규소화합물을 형성시킨 경우 세라믹 표면을 건식 또는 습식으로 식각하게 되면 규소화합물을 형성하고 남아 있는 금속이 제거되면서 세라믹의 식각이 진행된다. 이때 규소화합물은 내부식성이 매우 우수하여 도트 마 스크(dot mask) 역할을 하게 되어 하부 세라믹의 식각을 방지한다. 따라서, 식각용액 또는 식각반응 기체에 노출되어 있는 세라믹 표면만 식각되어 세라믹 표면은 매우 불규칙한 요철을 형성한다. 표면 요철의 조도는 통상 50㎛ 이하, 바람직하게는 10㎛ 이하이나 반응의 종류, 온도, 시간의 조절로 제어가 가능하다. 또한 모재의 종류 및 미세구조에 영향을 받는다. 또한, 단계(2)에서 형성된 불규칙한 요철 모양의 표면층은 코팅되는 다이아몬드막의 두께에 의존하며 거칠기가 1 내지 50㎛인 것이 바람직하다.
상기 단계(3)에서는 이렇게 기지상을 제거하여 불규칙한 요철 모양을 가진 표면층의 거칠기가 확보된 세라믹 소재에 다이아몬드막을 코팅하여 다이아몬드-세라믹 몸체로 구성할 수 있다. 다이아몬드막의 코팅은 핫 필라멘트 화학기상증착(hot filament CVD) 또는 마이크로 웨이브 플라즈마 화학기상증착(microwave PACVD) 등 다이아몬드의 증착이 가능한 모든 방법의 활용이 가능하다. 또한 증착에 사용되는 원료 기체는 수소와 메탄의 혼합기체가 기본이 되며, 목적에 따라 산소 등이 첨가될 수 있고, 탄소를 함유한 모든 탄화수소기체의 사용이 가능하다. 코팅된 다이아몬드막의 두께는 바람직하게는 5 내지 1000㎛이며, 증착하려는 막의 두께가 두꺼울수록 높은 밀착력이 필요하므로 세라믹 몸체의 조도를 증가시킬 필요가 있다.
이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
열간정수압 공정(HIP 공정)에 의해 제작된 디스크 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 Si3N4를 연마와 폴리싱을 한 후 1600℃에서 50시간 산화시켰다. 산화규소층의 두께는 약 5㎛이었고, 산화규소층과 Si3N4의 계면의 단면은 약 2 ㎛의 폭을 갖는 불규칙한 형태를 보였다(도 1 참조). 다이아몬드 코팅이 가능하도록 산화규소층을 불산 수용액으로 제거하였다. 제거한 후의 표면조직은 도 2와 같다. 그 후, 표면 요철이 형성된 세라믹 표면에 다이아몬드를 증착하였다. 핫 필라멘트 화학기상증착(hot filament CVD) 공정을 사용하여 수소에 3%의 메탄이 포함된 기체를 필라멘트 온도 2000℃로 분해시켜 다이아몬드를 증착하였다. 세라믹 기판의 온도는 1000℃로 유지하였다. 10시간 증착한 후의 다이아몬드막의 두께는 약 15㎛이었다.
실시예 2
디스크 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 소결한 SiC 세라믹을 10%의 Cl을 함유한 Ar 기체 분위기하에 1000℃에서 1시간 반응시켰다. 반응층의 두께는 약 20㎛이었으며, 반응층은 잔류 탄소층으로 구성되었다. 단면을 관찰한 결과 역시 반응층인 탄소층과 탄화규소층의 경계는 매우 불규칙한 형태를 보였다. 산소를 함유한 Ar 플라즈마를 사용하여 탄소층을 모두 제거하고 불규칙한 표면 요철을 가진 SiC 세라믹 몸체를 얻을 수 있었다. 표면 조도는 약 10㎛로 나타났다. 그 후, 표면 요철이 형성된 세라믹 표면에 다이아몬드를 증착하였다. 핫 필라멘트 화학기상증착(hot filament CVD) 공정을 사용하여 수소에 3%의 메탄이 포함된 기체를 필라멘트 온도 2000℃로 분해시켜 다이아몬드를 증착하였다. 세라믹 기판의 온도는 1000℃로 유지하였다. 10시간 증착한 후의 다이아몬드막의 두께는 약 15㎛이었다.
실시예 3
디스크 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 소결한 Si3N4 세라믹을 실시예 2와 동일한 방법으로 반응시켜 불규칙한 요철 표면을 형성시켰다. 반응이 끝난 후 표면조도는 약 2㎛로 나타났다. 그 후, 표면 요철이 형성된 세라믹 표면에 다이아몬드를 증착하였다. 핫 필라멘트 화학기상증착(hot filament CVD) 공정을 사용하여 수소에 3%의 메탄이 포함된 기체를 필라멘트 온도 2000℃로 분해시켜 다이아몬드를 증착하였다. 세라믹 기판의 온도는 1000℃로 유지하였다. 10시간 증착한 후의 다이아몬드막의 두께는 약 15㎛이었다.
실시예 4
20㎛ 이하의 Ni 분말을 슬러리(slurry)로 만들어 디스크 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 SiC 세라믹 몸체의 표면에 도포하였다. 수소분위기하에서 700℃의 온도로 1시간 열처리하였다. 열처리 한 후 세라믹 몸체의 표면의 잔류 Ni은 사포로 1차 제거하고, 질산수용액으로 2차 제거하였다. Ni이 제거되고 실리사이드 다트(silicide dot)가 형성된 SiC 표면을 ICP 플라즈마로 식각하였다. NF3/CH4/Ar의 혼합기체 플라즈마를 사용하였으며, ICP의 RF 전력(RF power)은 800W, 압력은 1.2Pa, 바이어스 전압(bias voltage)은 300V로 5시간 동안 식각하였다. 식각 후 실리사이드는 마스크(mask)의 역할을 충분히 하였으며, 주위의 SiC는 깊게 식각되는 것으로 관찰되었다. 이때 식각된 부분의 평균 깊이는 약 5㎛이었다. 그 후, 표면 요철이 형성된 세라믹 표면에 다이아몬드를 증착하였다. 핫 필라멘트 화학기상증착(hot filament CVD) 공정을 사용하여 수소에 3%의 메탄이 포함된 기체를 필라멘트 온도 2000℃로 분해시켜 다이아몬드를 증착하였다. 세라믹 기판의 온도는 1000℃로 유지하였다. 10시간 증착한 후의 다이아몬드막의 두께는 약 15㎛이었다.
비교예 1
비교를 위해 단순히 래핑(lapping)처리만 한 동일한 모양과 크기의 세라믹 기판을 다이아몬드의 핵형성처리만 하여 동일 조건에서 증착하였다.
박리 관찰
실시예 1 내지 4의 세라믹 몸체의 경우 전혀 박리 없이 다이아몬드막이 잘 형성되었다. 그러나, 래핑 처리만 한 비교예 1의 세라믹 기판의 경우는 일부 다이아몬드막에서 박리가 관찰되었다.
또한, 다이아몬드막의 밀착력을 평가하기 위하여 로크웰 C 경도계를 이용하여 다이아몬드 압흔자로 다이아몬드막을 눌렀을 때 박리의 유무를 관찰하였다. 60Kg의 하중을 인가하였을 때 표면처리를 하지 않는 비교예 1은 도 3과 같이 다이아몬드의 박리가 관찰되었다. 그러나 실시예 1 내지 4는 120Kg의 하중에서도 박리 가 전혀 관찰되지 않았다. 따라서, 표면 요철에 의한 기계적 상호 물림으로 세라믹 몸체와 다이아몬드막의 밀착력은 현저히 증가됨을 확인하였다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 몸체의 표면에 화학반응을 일으켜 반응 잔류물을 포함하는 표면층을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 몸체의 표면층에 포함된 반응 잔류물을 제거한 후의 세라믹 표면층을 나타낸 것이다.
도 3은 다이아몬드가 코팅된 세라믹 표면층에 60Kg의 하중으로 로크웰 C 압흔자로 누른 후에 다이아몬드막이 박리된 모습을 나타낸 것이다.

Claims (11)

  1. (1) 세라믹 몸체의 표면에 화학반응을 일으켜 반응 잔류물을 포함하는 표면층을 형성하는 단계;
    (2) 상기 세라믹 몸체의 표면층에 포함된 반응 잔류물을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및
    (3) 상기 불규칙한 요철 모양의 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계
    를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 불규칙한 요철 모양 표면층의 평균조도가 50㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 몸체가 SiC 또는 Si3N4를 포함하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(1)의 화학반응이 산화반응, 할로겐 기체에 의한 고온 기체화학반 응, 플라즈마 기체에 의한 표면화학반응, 도포된 분말에 의한 표면화학반응 및 고온 염에 의한 화학반응으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 단계(1)의 화학반응이 세라믹 몸체의 표면에 산화반응을 일으켜 N 또는 C를 제거하고 Si는 산화규소가 되어 반응 잔류물이 되도록 하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 단계(1)에서 세라믹 몸체가 SiC를 포함하는 경우 화학반응이 세라믹 몸체의 표면에 할로겐 기체로 고온 기체화학반응시켜 Si를 제거하고 탄소층이 잔류하도록 하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 단계(1)의 화학반응이 세라믹 몸체의 표면에 금속 분말을 도포하여 규소화합물(silicide)을 형성하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(2)에서 반응 잔류물의 제거는 단계가 습식 식각, 건식 식각 또는 샌드 블라스트에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(2)에서 형성된 불규칙한 요철 모양의 표면층의 거칠기가 1 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(3)에서 표면층에 증착된 다이아몬드막의 두께가 5 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 다이아몬드가 코팅된 세라믹 몸체.
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