KR101072444B1 - 다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법 - Google Patents

다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (1) 세라믹 입자 및 기지상을 포함하는 혼합조성물을 세라믹 몸체에 도포하여 표면층을 형성시키는 단계; (2) 상기 표면층에 포함된 기지상을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및 (3) 상기 기지상이 제거된 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계를 포함하는 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법에 관한 것이다.
다이아몬드막, 세라믹 입자, 기지상

Description

다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법{CERAMIC BODY COATED WITH DIAMOND LAYER AND METHOD FOR PREPARING SAME}
본 발명은 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 기계적 또는 화학적인 마모가 중요한 응용 부품에서 표면의 마모를 줄이기 위하여 경도 및 내화학성이 우수한 다이아몬드막을 코팅한 구조재가 많이 개발되고 있다. 예를 들면, 다이아몬드막이 코팅된 절삭공구(미국 특허공보 제5,334,453호 및 제5,318,836호), 고온 내마모 향상을 위한 자동차 부품의 다이아몬드상 탄소코팅(미국 특허공보 제6,534,170호), 금형 및 내마모 부품의 다이아몬드 코팅 등이 있다. 또한, 다이아몬드의 경도 및 우수한 열전도도를 활용하기 위한 반도체 및 LCD에 활용되는 TAB 공구(미국 특허공보 제5,213,248호), 반도체 웨이퍼 가공을 위한 CMP 패드 컨디셔너 등도 중요한 응용 예이다. 이와 같이, 다이아몬드막은 응용 범위에 따라 수 ㎛에서 수백 ㎛까지의 두께로 응용 부품에 코팅된다.
이러한 다이아몬드막이 코팅된 몸체가 가지는 가장 큰 문제는 사용되는 가혹한 환경에서 다이아몬드막이 몸체에서 박리되지 않도록 충분한 밀착력을 확보하는 것이다. 특히 다이아몬드막의 두께가 수십 ㎛ 이상 되면 잔류응력으로 인한 박리가 심각하다. 또한, 다이아몬드막의 증착온도가 1000℃ 부근이기 때문에 사용할 수 있는 몸체의 선정에 제약이 따른다. 따라서, 다이아몬드막을 코팅하여 사용하는 몸체는 일반적으로 초경 소재 또는 세라믹 소재에 국한되어 있다. 초경 소재의 경우 코발트(Co)가 수 % 이상 포함되어 있는데, Co는 다이아몬드를 흑연으로 변태시키는 역할을 하기 때문에 다이아몬드의 결합력을 방해한다. 반면에, 세라믹 소재의 경우는 촉매역할을 하는 Co 등의 전이금속이 없기 때문에 다이아몬드가 흑연으로 변태되는 문제가 없고, 또한 고온에서 안정한 재료 선택의 범위가 넓다는 장점이 있다. 따라서, 질화규소(silicon nitride) 등의 세라믹 소재를 사용한 다이아몬드막의 코팅이 많이 연구되어 왔다.
그러나 세라믹 소재 또한 밀착력 문제를 가지고 있다. 이러한 밀착력 문제를 개선하기 위한 세라믹 소재의 중간층을 코팅하는 방법 또는 세라믹 소재의 미세구조를 변화시켜 다이아몬드와의 밀착력을 증진시키는 방법 등이 보고되고 있다. 미국 특허공보 제5,334,453호는 질화규소 입자를 침상으로 만들어 다이아몬드와의 기계적 결합을 증진시키는 방법을 개시하고 있고, 미국 특허공보 제5,318,836호는 질화규소 입자 사이의 비정질 결합상을 결정질로 바꾸어 밀착력을 증진시키는 방법을 제시하고 있다.
세라믹 소재는 경도 등은 우수하나 인성이 약한 대표적인 소재이다. 대부분 의 세라믹 소재는 인성이 증진되도록 그 미세구조나 조성이 최적화되어있다. 따라서, 앞서 제시한 바와 같이 소재의 조성이나 미세구조를 조절하는 방법을 사용할 경우 세라믹 소재의 기계적 강도의 저하를 피할 수 없게 된다.
본 발명의 목적은 세라믹 소재의 기계적 강도를 유지하면서 그 표면에서 다이아몬드막과의 기계적인 상호물림을 통해 충분한 결합력을 가지는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적에 따라, 본 발명에서는 (1) 세라믹 입자 및 기지상을 포함하는 혼합조성물을 세라믹 몸체에 도포하여 표면층을 형성시키는 단계; (2) 상기 표면층에 포함된 기지상을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및 (3) 상기 기지상이 제거된 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 표면층에 포함된 세라믹 입자의 부피는 표면층의 총부피를 기준으로 50 내지 90부피%이다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 단계(1)의 혼합조성물은 총부피를 기준으로 상기 세라믹 입자를 50 내지 90부피%, 상기 기지상을 10 내지 50부피% 포함한다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 세라믹 입자는 산화규소 및 질화규소로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되고, 상기 기지상은 Si, Al2O3, SiO2 및 C 로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면 상기 단계(1)에서 침지법, 스핀 코팅법 또는 플라즈마 용사(plasma spraying)에 의해 혼합조성물을 세라믹 표면에 도포하고, 혼합조성물 도포 후 결합 반응(reaction bonding), 소결 반응(reaction sintering) 또는 결정화 반응(reaction crystallization)을 실시하여 표면층을 형성시킨다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면 상기 단계(2)에서 습식 식각, 건식 식각 또는 샌드 블라스트(sand blast)에 의해 표면층 내의 기지상을 제거한다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 의하면 상기 단계(2)에서 형성된 불규칙한 요철 모양의 표면층의 거칠기는 3 내지 50㎛이고, 상기 단계(3)에서 표면층에 증착된 다이아몬드막의 두께는 10 내지 1000㎛이다.
본 발명에서는 또한, 상기의 방법으로 제조된 다이아몬드가 코팅된 세라믹 몸체를 제공한다.
본 발명에 따른 제조방법은 세라믹 몸체의 미세구조나 조성을 변화시키지 않고 몸체 표면만 변화시키는 방법을 이용하므로, 세라믹 몸체의 우수한 물성을 그대로 유지하면서도 다이아몬드막과의 밀착력이 우수한, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체를 제공한다.
세라믹 소재의 기계적 물성을 그대로 유지하면서 다이아몬드막과의 기계적 상호물림 효과를 얻는 것은 세라믹 소재 표면의 불균일한 요철을 인위적으로 만들 수 있는 방법을 통해 가능하다. 일반적으로 최종형상으로 가공이 끝난 세라믹 몸체의 경우 표면의 요철은 기계적 연마에 의해 존재한다. 그러나, 기계적 연마에 의한 요철은 굴곡이 부드럽고, 불규칙한 미세요철을 기대하기 힘들어 강한 기계적인 상호물림을 기대하기 힘들다. 따라서, 기계적인 상호 물림을 충분히 기대할 수 있는 방법이 필요하다. 본 발명에서는 이를 해결하기 위하여 세라믹 몸체의 표면에 새로운 표면층을 만들어 몸체가 제공하지 못하는 불규칙한 요철을 형성하는 방법에 의하여 다이아몬드막과의 강한 기계적 결합을 유도할 수 있는 방법을 제공한다.
본 발명은 세라믹 몸체 내부에서의 미세구조나 조성의 변화 없이 세라믹 몸체 표면에서만 고상 또는 액상반응을 유발하여 세라믹 몸체를 구성하는 세라믹 입자와 유사한 입자를 치밀하지 않게 형성시키는 방법에 의해 표면 요철을 형성하는 방법에 기초한다.
이를 구현하기 위하여 본 발명은 (1) 세라믹 입자 및 기지상을 포함하는 혼합조성물을 세라믹 몸체에 도포하여 표면층을 형성시키는 단계; (2) 상기 표면층에 포함된 기지상을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및 (3) 상기 기지상이 제거된 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계를 포함하는 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법을 제공한다.
본 방법을 적용할 수 있는 세라믹 입자는 탄화규소(silicon carbide) 또는 질화규소(silicon nitride)가 바람직하나 반드시 이들 소재에 국한되는 것은 아니다. 또한, 기지상으로는 Si, Al2O3, SiO2 및 C로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것이 바람직하나 반드시 이들 소재에 제한되는 것은 아니다.
일반적으로 세라믹 몸체는 세라믹 입자와 결합제로 구성되는데 세라믹 입자의 부피분율이 95% 이상 된다. 그러나, 표면층에서는 다이아몬드막과의 강한 기계적 상호 물림을 위해서는 세라믹 입자의 부피분율이 50 내지 90% 정도인 것이 바람직하다.
상기 단계(1)에서 먼저 세라믹 입자와 기지상을 포함하는 혼합조성물을 세라믹 몸체에 도포하고 건조시킨다. 도포하는 방법으로는 세라믹 몸체를 분말 용액에 담근 후 건조시키는 방법(침지법), 세라믹 몸체에 분말 용액을 스핀 코팅한 후 건조시키는 방법(스핀 코팅법), 또는 플라즈마 융사(plasma spraying)에 의해 도포하고 건조시키는 방법이 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 도포된 혼합조성물을 포함하는 세라믹 몸체를 결합 반응(reaction bonding), 소결 반응(reaction sintering) 또는 결정화 반응(reaction crystallization) 등의 공정을 통하여 표면층을 형성시킨다. 이러한 과정에서 표면층은 기존 세라믹 몸체 표면에 있는 입자의 추가성장을 통하거나 또는 세라믹 몸체 표면에 도포시킨 혼합조성물의 액상이나 고상에서 세라믹 몸체 위로 재석출하는 과정에 의해 표면의 거칠기를 형성하게 된다. 이러한 반응을 통해 형성된 표면층은 세라믹 몸체와 강한 결합을 이루게 되 고, 또한, 표면층에 결합하는 다이아몬드막에 강한 기계적 밀착력을 제공하게 된다.
상기 단계(2)에서는 표면층 내의 기지상을 제거하여 세라믹 입자만을 남게 하는 공정으로 불규칙한 요철 모양을 가진 표면층을 제공하게 된다. 기지상의 종류에 따라 기지상을 제거하는 방법이 결정되는데, 예를 들면 표면층이 SiC 입자와 Si 기지상으로 구성되는 경우, 기지상인 Si을 제거하기 위해서는 습식 식각 공정을 사용할 수도 있고, 건식 식각 공정 또는 샌드 블라스팅(sand blasting) 공정을 사용할 수도 있다. 이외에도 세라믹 입자와 기지상의 물성차이를 이용하여 기지상만을 용이하게 제거할 수 있는 모든 방법의 적용이 가능하다. 단계(2)에서 형성된 불규칙한 요철 모양의 표면층은 거칠기가 3 내지 50㎛인 것이 바람직하다.
상기 단계(3)에서는 이렇게 기지상을 제거하여 불규칙한 요철 모양을 가진 표면층의 거칠기가 확보된 세라믹 소재에 다이아몬드막을 코팅하여 다이아몬드-세라믹 몸체로 구성할 수 있다. 다이아몬드막의 코팅은 핫 필라멘트 화학기상증착(hot filament CVD) 또는 마이크로웨이브 플라즈마 화학기상증착(microwave PACVD) 등 다이아몬드의 증착이 가능한 모든 방법의 활용이 가능하다. 또한 증착에 사용되는 원료 기체는 수소와 메탄의 혼합기체가 기본이 되며, 목적에 따라 산소 등이 첨가될 수 있고, 탄소를 함유한 모든 탄화수소기체의 사용이 가능하다. 코팅된 다이아몬드막의 두께는 바람직하게는 10 내지 1000㎛이나 여기에 제한되지 않으며 증착하려는 막의 두께가 두꺼울수록 높은 밀착력이 필요하므로 세라믹 몸체의 조도를 증가시킬 필요가 있다.
이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 및 2
α-SiC, Si, Al2O3 및 SiO2 분말을 각각 질량비로 69%, 21%, 7% 및 3%로 섞은 분말을 SiC 볼을 이용하여 습식으로 24시간 볼 밀링(ball milling) 한 후, 건조시켰다. 건조시킨 후, 분말 내의 응집체를 분쇄한 후, 용매(알코올)에 분산시켰다. 이 분말 용액을 디스크(disk) 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 SiC 세라믹 몸체 표면 위에 균일하게 도포하여 표면층을 형성하였는데, 도포하는 방법으로는 SiC 세라믹 몸체를 분말 용액(slurry)에 담근 후 꺼내 건조시키는 방법(실시예 1)과 SiC 세라믹 몸체 표면(윗면)에 스핀 코팅방법을 이용하여 분말 용액을 도포한 후 건조시키는 방법(실시예 2)을 각각 이용하였다. 이러한 방법은 형성시킬 표면층의 두께가 20㎛ 될 때까지 수차례 반복하였다. 이렇게 건조시킨 SiC 세라믹 몸체를 질소 분위기에서 1750℃에서 2시간 열처리 하였다. 열처리 한 후, 세라믹 몸체 표면층에 존재하는 기지상을 HF:6HNO3 용액으로 에칭하여 제거하였다. 이렇게 얻은 표면층의 세라믹 입자 크기는 약 15㎛ 내외, AFM으로 측정한 거칠기(roughness)는 약 8㎛ 내외로 나타났는데, SEM으로 관찰 결과 세라믹 표면은 매우 불규칙한 요철로 이루어 짐을 알 수 있었다(도 1 참조). 그 후, 제작된 세라믹에 다이아몬드를 코팅하였다. 표면처리된 세라믹 몸체에 다이아몬드의 핵형성을 돕기 위하여 수십 nm의 다이아몬드분말이 혼합된 아세톤용액에 담가 10분간 초음파 처리를 하였다. 다이아몬드의 증착은 핫 필라멘트 화학기상증착(hot filament CVD) 공정을 사용하였고, 3% 메탄이 함유된 수소기체를 200sccm 흘려 주었고 증착압력은 50torr로 유지하였다. 필라멘트의 온도는 2000℃, 세라믹 기판의 온도는 1000℃로 유지하였다. 증착은 30시간 동안 진행하였으며, 증착 후 다이아몬드의 두께는 약 40㎛으로 측정되었다.
실시예 3 및 4
α-SiC 및 Si 분말을 각각 질량비로 69% 및 31% 섞은 분말을 용매(알코올)에 분산시켰다. 이 분말 용액을 디스크 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 SiC 세라믹 몸체 표면위에 균일하게 도포하였는데, 도포하는 방법으로는 SiC 세라믹 몸체를 분말 용액(slurry)에 담근 후 꺼내 건조시키는 방법(실시예 3)과 SiC 세라믹 몸체 표면(윗면)에 스핀 코팅을 이용하여 분말 용액을 도포한 후 건조시키는 방법(실시예 4)을 각각 이용하였다. 이렇게 건조시킨 SiC 세라믹 몸체를 질소 분위기에서 α-SiC와 Si사이의 반응을 촉진시키기 위해 1600℃에서 1시간 열처리 후 다시 입성장 시키기 위해 1800℃에서 2시간 열처리 하였다. 열처리 한 후, 표면층에 존재하는 Si 기반의 기지상을 KOH 용액으로 에칭하여 제거하였다. 이렇게 얻은 표면층의 세라믹 입자 크기는 약 20㎛ 내외, AFM으로 측정한 거칠기는 약 10㎛ 내외로 나타났는데, 세라믹 몸체의 표면층은 SiC 입자의 돌출로 이루어진 표면 요철을 형성하였다. 그 후, 제작된 세라믹에 실시예 1과 동일한 방법으로 다이아몬드를 코팅하였다. 증착 후 다이아몬드의 두께는 약 40㎛으로 측정되었다.
실시예 5 및 6
실시예 1 및 3에서 준비한 세라믹/기지상 혼합 분말을 스프레이 토치(spray torch)를 이용하여 제1가스(Ar) 및 제2가스(He)의 압력을 각각 0.42MPa 및 0.63MPa으로 조절하고 스프레이 거리를 100mm로 하여 디스크 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 SiC(실시예 5) 및 Si3N4(실시예 6) 세라믹 몸체에 각각 코팅하였다. 코팅 후, 형성된 코팅층의 비정질상으로부터 결정질의 SiC 및 Si3N4를 SiC 및 Si3N4 세라믹 몸체 위에 형성시키기 위하여 질소 분위기에서 1750℃에서 2시간 열처리 하였다. 열처리 한 세라믹 몸체의 표면층에 존재하는 기지상을 HF:6HNO3 용액으로 에칭하여 제거하였다. 이렇게 얻은 표면층의 세라믹 입자 크기는 SiC 및 Si3N4 세라믹 몸체의 경우 각각 15㎛ 및 10㎛ 내외였고, AFM으로 측정한 거칠기는 각각 7㎛ 및 5㎛ 내외로 나타났다. 그 후, 제작된 세라믹에 실시예 1과 동일한 방법으로 다이아몬드를 코팅하였다. 증착 후 다이아몬드의 두께는 약 40㎛으로 측정되었다.
실시예 7 및 8
Si 및 C 분말을 각각 질량비로 73% 및 27% 섞은 분말을 용매(알코올)에 분산시켰다. 이 분말 용액을 디스크 형태(직경 10cm, 두께 5mm)의 SiC 세라믹 몸체 표면 위에 균일하게 도포하였는데, 도포하는 방법으로는 SiC 세라믹 몸체를 분말 용액(slurry)에 담근 후 꺼내 건조시키는 방법(실시예 7)과 SiC 세라믹 몸체 표면(윗 면)에 스핀 코팅을 이용하여 분말 용액을 도포한 후 건조시키는 방법(실시예 8)을 각각 이용하였다. 이렇게 건조시킨 SiC 세라믹 몸체를 질소 분위기에서 Si와 C사이의 반응에 의한 SiC 형성을 촉진시키기 위해 1550℃에서 3시간 열처리 후 다시 표면 SiC 입자와의 접합에 의한 입성장을 유발시키기 위해 1800℃에서 2시간 열처리 하였다. 열처리 한 후, 표면층에 존재하는 Si 기반의 기지상을 KOH 용액으로 에칭하여 제거하였다. 이렇게 얻은 표면층의 세라믹 입자 크기는 약 15㎛ 내외, AFM으로 측정한 거칠기는 약 7㎛ 내외로 나타났다. 그 후, 제작된 세라믹에 실시예 1과 동일한 방법으로 다이아몬드를 코팅하였다. 증착 후 다이아몬드의 두께는 약 40㎛으로 측정되었다.
비교예 1
비교를 위해 단순히 래핑(lapping)처리만 한 동일한 모양과 크기의 세라믹 기판을 다이아몬드의 핵형성처리만 하여 동일 조건에서 증착하였다.
박리 관찰
실시예 1 내지 8의 세라믹 몸체의 경우 전혀 박리 없이 다이아몬드막이 잘 형성되었다. 그러나, 래핑 처리만 한 비교예 1의 세라믹 기판의 경우는 일부 다이아몬드막에서 박리가 관찰되었다.
또한, 다이아몬드막의 밀착력을 평가하기 위하여 로크웰 C 경도계를 이용하여 다이아몬드 압흔자로 다이아몬드막을 눌렀을 때 박리의 유무를 관찰하였다. 누르는 하중은 120Kg으로 하였다. 표면 요철을 형성시켜준 실시예 1 내지 8의 경우 에는 기판의 종류에 관계없이 압흔 후에도 다이아몬드막의 박리는 전혀 관찰되지 않았다(도 2 참조). 그러나 래핑 처리만 한 비교예 1의 경우에는 다이아몬드막이 전부 박리되는 것으로 관찰되었다(도 3 참조). 따라서, 표면 요철에 의한 기계적 상호 물림으로 세라믹 몸체와 다이아몬드막의 밀착력은 현저히 증가됨을 확인하였다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 몸체 표면층에 존재하는 기지상을 에칭하여 제거한 후의 세라믹 몸체 표면층을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체에 로크웰 C 압흔자로 누른 후의 다이아몬드막 표면을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체에 로크웰 C 압흔자로 누른 후의 다이아몬드막 표면을 나타낸 것이다.

Claims (11)

  1. (1) 세라믹 입자 및 기지상을 포함하는 혼합조성물을 세라믹 몸체에 도포하여 표면층을 형성시키는 단계;
    (2) 상기 표면층에 포함된 기지상을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및
    (3) 상기 기지상이 제거된 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계
    를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(1)에서, 표면층에 포함된 세라믹 입자의 부피가 표면층의 총부피를 기준으로 50 내지 90부피%인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(1)의 혼합조성물이 총부피를 기준으로 상기 세라믹 입자를 50 내지 90부피%, 상기 기지상을 10 내지 50부피% 포함하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 입자가 산화규소 및 질화규소로 이루어진 군에서 하나 이상 선 택되는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기지상이 Si, Al2O3, SiO2 및 C로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(1)에서 침지법, 스핀 코팅법 또는 플라즈마 용사(plasma spraying)에 의해 혼합조성물을 세라믹 몸체에 도포하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(1)에서 혼합조성물 도포 후 결합 반응(reaction bonding), 소결 반응(reaction sintering) 또는 결정화 반응(reaction crystallization)을 실시하여 표면층을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(2)에서 습식 식각, 건식 식각 또는 샌드 블라스트(sand blast)에 의해 표면층 내의 기지상을 제거하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(2)에서 형성된 불규칙한 요철 모양의 표면층의 거칠기가 3 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계(3)에서 표면층에 증착된 다이아몬드막의 두께가 10 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 다이아몬드가 코팅된 세라믹몸체.
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