KR101004803B1 - 반도체 소자의 오믹 콘택형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 오믹 콘택형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101004803B1 KR101004803B1 KR1020030048865A KR20030048865A KR101004803B1 KR 101004803 B1 KR101004803 B1 KR 101004803B1 KR 1020030048865 A KR1020030048865 A KR 1020030048865A KR 20030048865 A KR20030048865 A KR 20030048865A KR 101004803 B1 KR101004803 B1 KR 101004803B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- semiconductor device
- gate
- ohmic contact
- heat treatment
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- -1 tungsten ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/665—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using self aligned silicidation, i.e. salicide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (4)
- 게이트 사이드 월을 가지는 게이트 영역과 소스 영역 및 드레인 영역이 형성된 반도체 소자에 있어서,상기 게이트 영역과 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 대하여 금속 이온을 주입하는 단계와,상기 금속이온이 주입된 반도체 소자에 대하여 열처리 공정을 실시하여 상기 게이트 영역, 상기 소스영역 및 상기 드레인 영역에 대하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계를포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹 콘택 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 800℃ 내지 900℃의 온도 조건하에서 실시되는 RTP 열처리 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹 콘택 형성방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 주입되는 금속이온은 Ti 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹 콘택 형성방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 주입되는 금속이온은 Co 이온 또는 텅스텐 이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 오믹 콘택 형성방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030048865A KR101004803B1 (ko) | 2003-07-16 | 2003-07-16 | 반도체 소자의 오믹 콘택형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030048865A KR101004803B1 (ko) | 2003-07-16 | 2003-07-16 | 반도체 소자의 오믹 콘택형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050009794A KR20050009794A (ko) | 2005-01-26 |
KR101004803B1 true KR101004803B1 (ko) | 2011-01-04 |
Family
ID=37222389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030048865A KR101004803B1 (ko) | 2003-07-16 | 2003-07-16 | 반도체 소자의 오믹 콘택형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101004803B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020012923A (ko) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | 박종섭 | 반도체 소자의 자기 정렬 실리사이드 형성방법 |
KR20030001755A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법 |
KR20030050196A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
2003
- 2003-07-16 KR KR1020030048865A patent/KR101004803B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020012923A (ko) * | 2000-08-09 | 2002-02-20 | 박종섭 | 반도체 소자의 자기 정렬 실리사이드 형성방법 |
KR20030001755A (ko) * | 2001-06-27 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법 |
KR20030050196A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050009794A (ko) | 2005-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7223647B2 (en) | Method for forming integrated advanced semiconductor device using sacrificial stress layer | |
US7998822B2 (en) | Semiconductor fabrication process including silicide stringer removal processing | |
US6391767B1 (en) | Dual silicide process to reduce gate resistance | |
US6238984B1 (en) | Integrating high voltage and low voltage device with silicide block mask | |
US6627527B1 (en) | Method to reduce metal silicide void formation | |
KR101004803B1 (ko) | 반도체 소자의 오믹 콘택형성 방법 | |
US7448395B2 (en) | Process method to facilitate silicidation | |
KR100291276B1 (ko) | 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법 | |
KR100672739B1 (ko) | 반도체 소자의 게이트 형성 방법 | |
KR100289779B1 (ko) | 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법 | |
KR100628253B1 (ko) | 반도체 소자의 자기 정렬 실리사이드 형성방법 | |
KR20030013882A (ko) | 반도체소자의 실리사이드막 제조방법 | |
KR100486649B1 (ko) | 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법 | |
KR100505626B1 (ko) | 반도체소자의 금속 실리사이드막 형성방법 | |
KR100620235B1 (ko) | 타이타늄 실리사이드 제조 방법 | |
KR100334866B1 (ko) | 반도체소자의트랜지스터형성방법 | |
KR100546059B1 (ko) | 반도체 제조 방법 | |
KR100273685B1 (ko) | 반도체장치제조방법 | |
KR101004808B1 (ko) | 반도체 소자의 실리사이드 형성 방법 | |
KR100713323B1 (ko) | 실리사이드 공정을 이용한 반도체소자의 제조 방법 | |
KR100348310B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR101085910B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR20020053191A (ko) | 반도체 소자의 누설전류 감소방법 | |
KR20040072790A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 | |
KR20030057903A (ko) | 반도체 소자의 선택적 실리사이드층 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131118 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141119 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161118 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171117 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181120 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191119 Year of fee payment: 10 |