KR100993441B1 - Substrate loading mechanism, substrate transfer method, substrate processing apparatus and computer readable storage medium - Google Patents
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Abstract
본 발명은 피처리 기판이 대형이어도, 승강 핀에 의해 피처리 기판을 확실하게 지지하면서 피처리 기판의 변형을 효과적으로 억지하는 것이 가능한 기판 탑재 기구에 관한 것이다. 기판 탑재 기구는, 가요성을 갖는 기판(G)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(4)와, 서셉터(4)의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련되고, 기판(G)의 주연부 및 중앙부를 각각 지지해서 서셉터(4)의 상방의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 서셉터(4)상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 리프터 핀(8a, 8b)과, 리프터 핀(8a, 8b)을 구동시키는 구동 기구로서의 구동부(9a, 9b)를 구비하고, 구동부(9a, 9b)는, 기판(G)을 승강시킬 때에, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 높게 돌출시켜서, 기판(G)이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 리프터 핀(8a, 8b)에 의해 안정적으로 지지되도록 한다.This invention relates to the board | substrate mounting mechanism which can suppress the deformation of a to-be-processed substrate effectively, reliably supporting a to-be-processed substrate by a lifting pin, even if a to-be-processed substrate is large. The substrate mounting mechanism is provided so that the susceptor 4 serving as the mounting table on which the flexible substrate G is mounted and the mounting surface of the susceptor 4 can be driven around, and the peripheral and central portions of the substrate G are provided. The lifter pins 8a and 8b and the lifter pins 8a and 8b, which lift and move between the exchange positions where the upper and lower positions of the susceptor 4 are executed and the mounting positions on the susceptor 4, respectively. The drive parts 9a and 9b as a drive mechanism to drive are provided, The drive parts 9a and 9b protrude the lifter pin 8a higher than the lifter pin 8b, when raising and lowering the board | substrate G, and the board | substrate ( It is to be stably supported by the lifter pins 8a and 8b in the state where G) is convex downward.
Description
본 발명은, 평판 디스플레이(Flat-Panel Display; FPD)용 유리 기판 등의 가요성을 갖는 피처리 기판을, 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰(突沒)하는 승강 핀에 의해 지지해서 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 탑재대에 탑재된 탑재 위치 사이에서 승강시키는 기판 탑재 기구 및 기판 주고받음 방법에 관한 것이다.This invention supports the to-be-processed board | substrate which has flexibility, such as a glass substrate for flat-panel displays (FPD), with the lifting pin which protrudes with respect to the mounting surface of a mounting board, A substrate mounting mechanism and a substrate exchange method for raising and lowering between a exchange position for performing exchange of a substrate and a mount position mounted on a mounting table.
FPD의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리 기판인 FPD용의 유리 기판에 대하여, 드라이 에칭이나 스퍼터링(sputtering), CVD(화학 기상 성장) 등의 각종 처리가 실시된다. 이러한 처리는 통상, 챔버내에 마련된 탑재대에 유리 기판을 탑재한 상태에서 실행되고, 탑재대에 대한 기판의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)은 일반적으로 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련된 복수의 승강 핀에 의해 행해진다. 기판을 로딩할 때에는, 승강 핀을 상승시켜서 탑재대의 탑재면으로 부터 돌출시켜, 반송 아암 등의 반송 부재에 의해 반송된 기판을 승강 핀상에 옮긴 후, 승강 핀을 하강시켜서 탑재대의 탑재면에 몰입(沒入)시킨다. 또한, 기판을 언로딩할 때에는, 승강 핀을 상승시켜서 탑재대의 탑재면으로부터 돌출시켜, 기판을 탑재대로부터 이격시킨 후, 승강 핀상의 기판을 반송 부재에 옮긴다.In the manufacturing process of FPD, various processes, such as dry etching, sputtering, CVD (chemical vapor deposition), are performed with respect to the glass substrate for FPD which is a to-be-processed substrate. Such a process is usually performed in a state where a glass substrate is mounted on a mounting table provided in the chamber, and loading and unloading of the substrate with respect to the mounting table are generally provided such that they can be driven around the mounting surface of the mounting table. It is performed by several lifting pins. When loading a board | substrate, the lifting pins are raised and protruded from the mounting surface of a mounting table, the board | substrate conveyed by the conveying member, such as a conveying arm, is moved on the lifting pins, and then the lifting pins are lowered and immersed in the mounting surface of a mounting table (沒 入). Moreover, when unloading a board | substrate, a lifting pin is raised and protrudes from the mounting surface of a mounting board, and a board | substrate is separated from a mounting board, and the board | substrate of a lifting pin is moved to a conveyance member.
승강 핀은, 처리 품질에의 영향을 고려해서 유리 기판의 주연부 위치에 마련하는 것이 바람직하지만, 최근 FPD의 대형화가 지향되어, 1변이 2m를 넘는 것과 같은 거대한 유리 기판도 출현하는데 이르고 있어, 주연부 위치의 승강 핀만으로는, 이러한 대형의 유리 기판을 지지하는 것이 곤란하게 되어 가고 있다.It is preferable to provide the lifting pin at the periphery position of the glass substrate in consideration of the effect on the processing quality, but in recent years, the increase in size of the FPD has been oriented, and the enormous glass substrates such as one side exceeding 2m have also emerged. It is becoming difficult to support such a large glass substrate only by the lifting pin of.
이 때문에, 유리 기판이 대형의 경우에는, 유리 기판을 확실하게 지지할 수 있도록 중앙부 위치에도 승강 핀을 마련하는 것이 행하여지고 있지만(예를 들어 특허문헌 1 참조), 전술한 바와 같이 처리 품질에의 영향을 고려하면, 유리 기판의 중앙부 위치에 마련되는 승강 핀은 소수로 제한하지 않을 수 없다. 이 결과, 도 9(a)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(A)이 주연부 위치 및 중앙부 위치의 승강 핀(B, C)에 의해 지지되면, 유리 기판(A)은 승강 핀(B, C) 사이 부분이 우묵하게 되도록 휘어서, 중앙부가 솟아오르도록 변형하여 버려서, 도 9(b)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(A)이 탑재대(D)에 탑재되었을 때에는, 변형한 유리 기판(A)의 중앙부가 탑재대(D)로부터 떠올라 버릴 우려가 있다. 탑재대는, 처리시의 유리 기판의 온도를 조정하는 온도 조절 기능을 갖고 있을 경우가 많고, 예를 들면 플라즈마 에칭 장치에서는, 탑재대가 플라즈마 에칭 처리시의 유리 기판을 냉각하는 역할을 하기 때문에, 유리 기판의 일부가 탑재대로부터 떠올라 있으면, 유리 기판의 온도 가 면내에서 불균일하게 되어서 처리 불균일, 예를 들면 에칭 불균일의 발생 요인이 된다.For this reason, when a glass substrate is large, providing a lifting pin also in the center part position so that a glass substrate can be reliably supported (for example, refer patent document 1), As mentioned above, In consideration of the influence, the lifting pins provided at the central position of the glass substrate must be limited to a few. As a result, as shown in FIG.9 (a), when glass substrate A is supported by the lift pins B and C of a peripheral part position and a center part position, glass substrate A will raise and lower pins B and C. When the glass substrate A is mounted on the mounting table D, as shown in Fig. 9B, the deformed glass substrate ( There exists a possibility that the center part of A) may float out from the mounting table D. The mounting table often has a temperature control function for adjusting the temperature of the glass substrate at the time of treatment. For example, in the plasma etching apparatus, the mounting table plays a role of cooling the glass substrate at the time of plasma etching treatment. If a part of the surface rises from the mounting table, the temperature of the glass substrate becomes nonuniform in the plane, thereby causing a processing unevenness, for example, an etching unevenness.
[특허문헌 1] 일본 공개 특허 제 2002-246450 호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-246450
본 발명은, 이러한 사정에 비추어 이루어진 것으로, 피처리 기판이 대형이어도, 승강 핀에 의해 피처리 기판을 확실하게 지지하면서 피처리 기판의 변형을 효과적으로 억지하는 것이 가능한 기판 탑재 기구 및 기판 주고받음 방법, 이러한 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치, 및 이러한 기판 주고받음 방법을 실행시키기 위한 제어 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and even if the substrate to be processed is large, a substrate mounting mechanism and a substrate exchange mechanism capable of effectively suppressing deformation of the substrate to be processed while reliably supporting the substrate by the lifting pins, An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having such a substrate mounting mechanism and a computer-readable storage medium storing a control program for executing such a substrate transfer method.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에서는, 가요성을 갖는 피처리 기판을 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 마련되고, 피처리 기판을 지지해서 상기 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 상기 탑재대상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 복수의 승강 핀과, 상기 승강 핀을 구동시키는 구동 기구를 구비하는 기판 탑재 기구에 있어서, 상기 복수의 승강 핀은, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀을 갖고, 상기 구동 기구는, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, from a 1st viewpoint of this invention, it is provided so that the mounting table which mounts the to-be-processed substrate which has flexibility, and the mounting surface of the said mounting base can be driven, and supports the to-be-processed substrate, and is mounted A substrate mounting mechanism comprising: a plurality of lifting pins for lifting up and down between a transfer position for performing transfer of a large upper substrate and a mounting position for mounting the target; and a drive mechanism for driving the lifting pins. The lifting pin has a first lifting pin that supports the periphery of the substrate and a second lifting pin that supports the central portion of the substrate, and the drive mechanism is configured to lift the first substrate when the substrate is elevated. Wherein the pin is projected higher than the second lifting pin so that the substrate to be processed can be stably supported in the convex shape. It provides a mounting mechanism.
본 발명의 제 1 관점에 있어서, 상기 구동 기구는 상기 제 1 승강 핀과 상기 제 2 승강 핀을 독립적으로 구동시키는 것이 바람직하다.In the first aspect of the present invention, it is preferable that the drive mechanism independently drives the first lift pin and the second lift pin.
또, 이상의 본 발명의 제 1 관점에 있어서, 상기 구동부에 의한 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 구동부에 의한 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 구동을 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 탑재대로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시켜, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 탑재대에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.Moreover, in the above 1st viewpoint of this invention, the control part which controls the drive of the said 1st and 2nd lifting pins by the said drive part is provided, The said control part is a position to which the to-be-processed board | substrate of the said mounting position was received. It is preferable to temporarily stop the driving of the first and second lifting pins in the protruding direction when the substrate to be processed is squeezed down while maintaining the contact with the mounting table while being raised toward. Do. Or a control part which controls the drive of the said 1st and 2nd lifting pins by the said drive part is provided, The said control part is in the middle of raising the to-be-processed board | substrate of the said mounting position toward the said receiving position. When the first and second lifting pins are stopped in the protruding direction while being in a convex shape while maintaining contact with the mounting table, the driving in the protruding direction of the first and second lifting pins is once stopped, and the driving is resumed to mount the substrate to be processed. After being separated from the table, the first and second lifting pins are driven in the immersion direction, and the driving is stopped when the substrate to be processed is brought into contact with the mounting table while being convex downward. It is preferable to drive the first and second lifting pins in the protruding direction again.
또한, 이상의 본 발명의 제 1 관점에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀은, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성되어 있고, 상기 제어부는, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀은, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성되어 있고, 상기 제어부는, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 반송 부재로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 반송 부재에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.Further, in the first aspect of the present invention described above, the first and second lifting pins are configured to receive the to-be-processed substrate supported from below by the transfer member and conveyed to the transfer position, and the control unit is And the first and second lifting pins while being driven in the protruding direction toward the exchange position, when the substrate to be processed is in a convex shape while maintaining contact with the conveying member. And stopping the driving of the second lifting pin in the protruding direction once. Alternatively, the first and second lifting pins are configured to receive a to-be-processed substrate supported from below by a transfer member and conveyed to the transfer position, and the control unit is configured to receive the first and second lifting pins. While driving in the protruding direction toward the receiving position, the substrate to be processed is in the protruding direction of the first and second lifting pins when the substrate to be processed is kept convex downward while maintaining contact with the conveying member. The driving is once stopped, the driving is resumed, and the substrate to be processed is separated from the conveying member, and then the first and second lifting pins are driven in the immersion direction, and the substrate is held in a convex downward manner. It is preferable to stop this drive when it is in contact with a conveyance member, and to drive the said 1st and 2nd lifting pin again in a protrusion direction after that.
또, 본 발명의 제 2 관점에서는, 피처리 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 마련되고, 피처리 기판을 탑재하는 탑재대를 갖는 기판 탑재 기구와, 상기 탑재대에 탑재된 피처리 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 처리 기구를 구비하고, 상기 기판 탑재 기구는 상기 제 1 관점의 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.Moreover, from the 2nd viewpoint of this invention, the board | substrate mounting mechanism which has a processing container which accommodates a to-be-processed board | substrate, the mounting table provided in the said processing container, and mounts a to-be-processed board | substrate, and is mounted on the said mounting table A processing mechanism for performing a predetermined processing on a substrate is provided, and the substrate mounting mechanism has a configuration of the first aspect.
본 발명의 제 2 관점에 있어서, 상기 처리 기구는, 상기 처리 용기내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 처리 용기내를 배기하는 배기 기구와, 상기 처리 용기내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구를 갖 고, 피처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 것이 호적이다.In the second aspect of the present invention, the processing mechanism includes a gas supply mechanism for supplying a processing gas into the processing container, an exhaust mechanism for exhausting the inside of the processing container, and a plasma of the processing gas in the processing container. It is preferable to have a plasma generating mechanism, and to perform a plasma treatment on a substrate to be processed.
또, 본 발명의 제 3 관점에서는, 가요성을 갖는 피처리 기판을 탑재하는 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰하는 복수의 승강 핀에 의해 피처리 기판을 지지해서 상기 탑재대의 상방의 기판의 주고받음을 실행하는 주고받음 위치와 상기 탑재대상의 탑재 위치 사이에서 승강시키는 기판 주고받음 방법에 있어서, 상기 복수의 승강 핀을, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀으로 구성하고, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 주고받음 방법을 제공한다.Moreover, in the 3rd viewpoint of this invention, a board | substrate to be processed is supported by the some lifting pin which protrudes with respect to the mounting surface on which the to-be-processed board | substrate which mounts is flexible, and the board | substrate of the upper side of the said board | substrate is exchanged. In a substrate exchange method of elevating between an exchange position to be executed and a mounting position of the object to be mounted, the plurality of elevating pins include: a first elevating pin for supporting the periphery of the substrate and a central portion of the substrate; It consists of a 2nd lifting pin which supports, and when raising a to-be-processed board | substrate, the said 1st lifting pin protrudes higher than the said 2nd lifting pin, so that a to-be-processed board | substrate may be stably supported in the state which spread down. It provides a substrate transfer method characterized in that.
본 발명의 제 3 관점에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀 각각에 피처리 기판의 하중을 검출하는 하중 검출부를 마련하고, 상기 각 하중 검출부의 검출 결과에 근거하여, 상기 제 1 승강 핀과 상기 제 2 승강 핀의 돌출 높이의 차이를 조정할 수 있다.According to a third aspect of the present invention, a load detection unit for detecting a load of a substrate to be processed is provided in each of the first and second lifting pins, and the first lifting pin and the first lifting pin are based on a detection result of each of the load detection units. The difference in the protruding height of the second lifting pin can be adjusted.
또, 이상의 본 발명의 제 3 관점에 있어서, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 탑재 위치의 피처리 기판을 상기 주고받음 위치를 향해서 상승시키고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 탑재대와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 탑재대로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 탑재대에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.In addition, according to the third aspect of the present invention, the substrate to be processed is raised downward while maintaining the contact with the mounting table while the substrate to be processed at the mounting position is raised toward the receiving position. It is preferable to stop driving of the said 1st and 2nd lifting pins in the protrusion direction once in a 휜 state. Alternatively, when the substrate to be processed at the mounting position is raised toward the exchange position, when the substrate to be processed is held downward in a convex shape while maintaining contact with the mounting table, the first and second portions are arranged. The driving in the protruding direction of the lifting pins is once stopped, the driving is resumed to separate the substrate from the mounting table, and then the first and second lifting pins are driven in the immersion direction, and the substrate to be It is preferable to stop this driving when it is in contact with the mounting table while keeping the convex shape, and then drive the first and second lifting pins again in the protruding direction.
또한, 이상의 본 발명의 제 3 관점에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성하고, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을, 반송 부재에 의해 하방으로부터 지지되어서 상기 주고받음 위치에 반송된 피처리 기판을 수취하도록 구성하고, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀이 상기 주고받음 위치를 향해서 돌출방향으로 구동하고 있는 도중에, 피처리 기판이 상기 반송 부재와의 접촉을 유지한 채 아래로 볼록형상으로 휜 상태일 때에 상기 제 1 및 제 2 승강 핀의 돌출방향으로의 구동을 일단 정지시키고, 이 구동을 재개시켜서 피처리 기판을 상기 반송 부재로부터 이격시킨 후, 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 몰입방향으로 구동시키고, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 상기 반송 부재에 접촉한 상태일 때에 이 구동을 정지시키고, 그 후 상기 제 1 및 제 2 승강 핀을 다시 돌출방향으로 구동시키는 것이 바람직하다.Furthermore, in the above 3rd viewpoint of this invention, the said 1st and 2nd lifting pins are comprised so that the to-be-processed board | substrate supported by the conveyance member and conveyed to the said sending and receiving position may be comprised, and the said 1st and The first and second lifting pins while the second lifting pin is driven downward in the protruding direction toward the transfer position, when the substrate to be processed is kept in convex shape while maintaining contact with the conveying member. It is preferable to stop the driving in the protruding direction. Alternatively, the first and second lifting pins are configured to receive a to-be-processed substrate supported from below by the transfer member and conveyed to the transfer position, and the first and second lift pins are configured to receive the transfer position. While driving in the protruding direction, the driving of the first and second lifting pins in the protruding direction is stopped once when the substrate to be processed is squeezed down while maintaining contact with the conveying member. After the driving is resumed and the substrate to be processed is spaced apart from the conveying member, the first and second lifting pins are driven in the immersion direction, and the substrate is brought into contact with the conveying member with the substrate being convex downward. It is preferable to stop this drive in the state, and to drive the said 1st and 2nd lifting pin again in a protrusion direction after that.
또한, 본 발명의 제 4 관점에서는, 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 제어 프로그램은 실행시에 상기 기판 주고받음 방법이 실행되도록 컴퓨터에 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체를 제공한다.Further, in a fourth aspect of the present invention, in a computer-readable storage medium in which a control program operating on a computer is stored, the control program controls that the computer controls the processing device so that the substrate transfer method is executed at the time of execution. A computer readable storage medium is provided.
본 발명에 의하면, 복수의 승강 핀을, 피처리 기판의 주연부를 지지하는 제 1 승강 핀과, 피처리 기판의 중앙부를 지지하는 제 2 승강 핀으로 구성하고, 피처리 기판을 승강시킬 때에, 상기 제 1 승강 핀을 상기 제 2 승강 핀보다도 높게 돌출시켜서, 피처리 기판이 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 안정적으로 지지되도록 했기 때문에, 피처리 기판이 대형이어도, 제 1 및 제 2 승강 핀에 의해 피처리 기판을 확실하게 지지할 수 있는 동시에, 제 1 및 제 2 승강 핀 사이 부분의 자중에 의한 휨 및 제 2 승강 핀의 지지 반력에 기인하는 피처리 기판의 변형을 효과적으로 억지할 수 있다. 따라서, 탑재대에 대한 피처리 기판의 떠오름을 억제하여 처리 불균일의 발생을 억지하는 것이 가능해진다.According to the present invention, the plurality of lifting pins includes a first lifting pin for supporting the periphery of the substrate, and a second lifting pin for supporting the center portion of the substrate. Since the first lifting pin is projected higher than the second lifting pin so that the substrate to be processed is stably supported in a state of being convex downward, the first and second lifting pins are used even if the substrate is large. The substrate to be processed can be reliably supported, and the deformation of the substrate to be processed due to the bending caused by the weight of the portion between the first and second lifting pins and the supporting reaction force of the second lifting pin can be effectively suppressed. Therefore, it becomes possible to suppress the rise of the to-be-processed substrate with respect to a mounting table, and to suppress a generation of a process nonuniformity.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing.
도 1은 본 발명에 따른 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치의 일 실시형태인 플라즈마 에칭 장치의 측면 방향의 개략 단면도이며, 도 2는 그 평면 방향 의 개략 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic cross sectional view in a lateral direction of a plasma etching apparatus as an embodiment of a substrate processing apparatus with a substrate mounting mechanism according to the present invention, and Fig. 2 is a schematic cross sectional view in a planar direction thereof.
이 플라즈마 에칭 장치(1)는 FPD용의 유리 기판(이하, 단지 「기판」이라고 기재함)(G)에 대하여 에칭을 실행하는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. FPD로서는, 액정 모니터(LCD), 전계 발광(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다. 플라즈마 에칭 장치(1)는 기판(G)을 수용하는 처리 용기로서의 챔버(2)를 구비하고 있다. 챔버(2)는, 예컨대 표면이 알루마이트(almite) 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지고, 기판(G)의 형상에 대응하여 사각통 형상으로 형성되어 있다.This
챔버(2)내의 바닥벽에는, 기판(G)을 탑재하는 탑재대로서의 서셉터(4)가 마련되어 있다. 서셉터(4)는, 기판(G)의 형상에 대응하여 사각판 형상 또는 기둥 형상으로 형성되어 있고, 금속 등의 도전성 재료로 이루어지는 기재(4a)와, 기재(4a)의 주연부를 덮는 절연 재료로 이루어지는 절연 부재(4b)와, 기재(4a) 및 절연 부재(4b)의 바닥부를 덮도록 마련되고 이들을 지지하는 절연 재료로 이루어지는 절연 부재(4c)를 갖고 있다. 기재(4a)에는, 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(23)이 접속되어 있고, 이 급전선(23)에는 정합기(24) 및 고주파 전원(25)이 접속되어 있다. 고주파 전원(25)으로부터는 예컨대 13.56MHz의 고주파 전력이 서셉터(4)에 인가되고, 이로써 서셉터(4)가 하부 전극으로서 기능하도록 구성되어 있다. 또한, 서셉터(4)에는, 탑재된 기판(G)을 흡착하기 위한 도시하지 않은 정전 흡착 기구가 내장되어 있다.The
챔버(2)의 상부 또는 상측벽에는, 챔버(2)내에 처리 가스를 공급하는 동시에 상부 전극으로서 기능하는 샤워헤드(11)가 서셉터(4)와 대향하도록 마련되어 있다. 샤워헤드(11)는, 내부에 처리 가스를 확산시키는 가스 확산 공간(12)이 형성되어 있는 동시에, 하면 또는 서셉터(4)와의 대향면에 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(13)이 형성되어 있다. 이 샤워헤드(11)는 접지되어 있어, 서셉터(4)와 함께 한쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.The upper or upper wall of the
샤워헤드(11)의 상면에는 가스 도입구(14)가 마련되고, 이 가스 도입구(14)에는, 처리 가스 공급관(15)이 접속되어 있고, 이 처리 가스 공급관(15)에는, 밸브(16) 및 매스플로우 콘트롤러(17)를 거쳐서 처리 가스 공급원(18)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(18)으로부터는, 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 처리 가스로서는, 할로겐계의 가스, O2 가스, Ar 가스 등, 통상 이 분야에서 사용되는 가스를 이용할 수 있다.A
챔버(2)의 바닥벽에는 배기관(19)이 접속되어 있고, 이 배기관(19)에는 배기 장치(20)가 접속되어 있다. 배기 장치(20)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이로써 챔버(2)내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인 가능하도록 구성되어 있다. 챔버(2)의 측벽에는, 기판(G)을 반입출하기 위한 반입출구(21)가 형성되어 있는 동시에, 이 반입출구(21)를 개폐하는 게이트 밸브(22)가 마련되어 있어, 반입출구(21)의 개방시에, 기판(G)이, 반송 부재로서의 반송 아암(40)(도 2, 도 4의 가상선 참조)에 의해 하방으로부터 지지된 상태에서 인접하는 도시하지 않 은 로드록실과의 사이에서 반송되도록 구성되어 있다.An
서셉터(4)의 기판 탑재면에는, 플라즈마 에칭 처리시에 서셉터(4)에 탑재되어서 흡착된 기판(G)을 냉각하는 He 가스 등의 온도 조절 가스가 충전되는 도시하지 않은 냉각 공간이 형성되어 있고, 서셉터(4)내를 통과해서 챔버(2)의 바닥벽을 관통하도록, 이 냉각 공간에 온도 조절 가스를 공급하기 위한 온도 조절 가스 공급 라인(41)이 마련되어 있다. 온도 조절 가스 공급 라인(41)에는, 온도 조절 가스 공급원(42)이 접속되어 있는 동시에, 온도 조절 가스의 공급압을 조정하기 위한 압력 제어 밸브(43)가 마련되어 있다.The substrate mounting surface of the
챔버(2)의 바닥벽 및 서셉터(4)에는, 이들을 관통하는 관통 삽입 구멍(7a, 7b)이 서셉터(4)의 주연부 위치 및 중앙부 위치(주연부 위치보다도 내측 또는 중앙 근처 위치)에 각각 형성되어 있다. 관통 삽입 구멍(7a)은, 예컨대 각 변부에 소정의 간격을 두고서 2개소씩의 계 8개소 형성되고, 관통 삽입 구멍(7b)은, 예컨대 서셉터(4)의 대향하는 한쌍의 변과 평행하게 배열되도록 소정의 간격을 두고서 2개소 형성되어 있다. 관통 삽입 구멍(7a, 7b)에는 각각 기판(G)을 하방으로부터 지지해서 승강시키는 리프터 핀(8a, 8b)(제 1 및 제 2 승강 핀)이 서셉터(4)의 기판 탑재면에 대하여 돌몰 가능하게 삽입되어 있다. 리프터 핀(8a, 8b)은 각각 돌출시에 기판(G)의 주연부 및 중앙부에 접촉하도록 마련되어 있고, 도시하지 않은 위치결정용 부시(bush)에 의해 직경방향 또는 폭방향으로 위치결정되어서 관통 삽입 구멍(7a, 7b)내에 삽입되어 있다.In the bottom wall of the
도 3은 기판 탑재 기구의 개략도이다.3 is a schematic diagram of a substrate mounting mechanism.
리프터 핀(8a, 8b)은 각각 도 3에 도시하는 바와 같이 하부가 챔버(2)의 외측으로 돌출하여 있고, 하단부가 구동부(9a, 9b)에 접속되고, 이 구동부(9a, 9b)의 구동에 의해 승강함으로써 서셉터(4)의 기판 탑재면에 대하여 돌출 및 몰입하도록 구성되어 있다. 구동부(9a, 9b)는 각각 예를 들어 스텝핑 모터를 이용하여 구성된다.As shown in FIG. 3, the lifter pins 8a and 8b respectively protrude to the outside of the
리프터 핀(8a, 8b)의 하부에는 각각 플랜지(26)가 형성되어 있고, 각 플랜지(26)에는, 리프터 핀(8a, 8b)을 둘러싸도록 마련된 신축가능한 벨로우즈(27)의 일단부(하단부)가 접속되고, 이 벨로우즈(27)의 타단부(상단부)는 챔버(2)의 바닥벽에 접속되어 있다. 이로써, 벨로우즈(27)는, 리프터 핀(8a, 8b)의 승강에 추종하여 신축하는 동시에, 관통 삽입 구멍(7a, 7b)과 리프터 핀(8a, 8b)의 간극을 밀봉하고 있다.
구동부(9a, 9b)의 구동은 마이크로프로세서(컴퓨터)를 구비한 콘트롤러(31)에 의해 별개로 제어되는 구성으로 되어 있고, 이로써 리프터 핀(8a)과 리프터 핀(8b)은 독립적으로 승강 가능하게 구성되어 있다. 콘트롤러(31)에는, 공정 관리자가 구동부(9a, 9b)의 구동을 관리하기 위해서 명령의 입력 조작 등을 실행하는 키보드나, 구동부(9a, 9b)의 구동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스(user interface)(32)와, 구동부(9a, 9b)의 구동을 콘트롤러(31)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나 구동 조건 데이터 등이 기록된 레시피(recipe)가 저장된 기억부(33)가 접속되어 있다. 그리고, 필요에 따라서 유저 인터페이스(32)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(33) 로부터 호출해서 콘트롤러(31)에 실행시킴으로써, 콘트롤러(31)의 제어하에서 구동부(9a, 9b)의 구동 및 정지가 실행된다. 상기 레시피는, 예컨대 CD-ROM, 하드 디스크, 플래시 메모리(flash memory) 등의 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 또는 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 거쳐서 수시로 전송시켜서 이용하는 것도 가능하다.The driving
콘트롤러(31), 유저 인터페이스(32) 및 기억부(33)는 구동부(9a, 9b)에 의한 리프터 핀(8a, 8b)의 승강을 제어하는 제어부를 구성하고, 서셉터(4), 리프터 핀(8a, 8b), 구동부(9a, 9b) 및 제어부는 기판 탑재 기구를 구성한다.The
이와 같이 구성된 플라즈마 에칭 장치(1)에 있어서는, 우선 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)가 개방된 상태에서, 기판(G)이 반송 아암(40)(도 2, 도 4의 가상선 참조)에 의해 반입출구(21)로부터 반입되어서 서셉터(4)의 상방까지 반송되면, 각 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시켜서 반송 아암(40)보다도 높게 돌출시킨다. 또, 각 리프터 핀(8a, 8b)과 반송 아암(40)은 서로 접촉하지 않도록 마련되어 있다. 이로써, 기판(G)이 반송 아암(40)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 옮겨진다. 이때에, 상기와 같이 , 기판(G)의 하중이 각 리프터 핀(8a, 8b)에 분산되도록, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 위치시켜, 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휜 상태에서 각 리프터 핀(8a, 8b)에 의해 지지시킨다. 반송 아암(40)이 반입출구(21)로부터 챔버(2) 외부로 퇴출하면, 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 폐색하는 동시에, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높은 위치에 유지하면서 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시킨다. 그리고, 리프터 핀(8b), 리프터 핀(8a)의 순서로 서셉터(4)의 탑재면에 몰입시켜, 기판(G)을 서셉터(4)에 탑재시킨다. 기판(G)의 하중은 각 리프터 핀(8a, 8b)에 균형있게 분산되어 있기 때문에, 기판(G)은 리프터 핀(8a, 8b)의 지지 반력에 의한 변형, 특히 리프터 핀(8b)에 의한 중앙부의 변형이 억지되어, 전체면 또는 거의 전체면에 걸쳐서 서셉터(4)의 탑재면에 접촉할 수 있다.In the
게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 폐색하고, 서셉터(4)에 기판(G)을 탑재하면, 배기 장치(20)에 의해 챔버(2)내를 소정의 진공도까지 진공 흡인한다. 다음에, 처리 가스 공급원(18)으로부터 처리 가스를, 매스플로우 콘트롤러(17)에 의해 유량 조정하면서, 처리 가스 공급관(15), 가스 도입구(14) 및 샤워헤드(11)를 거쳐서 챔버(2)내에 공급하고, 이 상태에서 정전 흡착 기구에 직류 전압을 인가해서 기판(G)을 서셉터(4)에 흡착시킨다.When the inlet /
그리고, 고주파 전원(25)으로부터 정합기(24)를 거쳐서 서셉터(4)에 고주파 전력을 인가하여, 하부 전극으로서의 서셉터(4)와 상부 전극으로서의 샤워헤드(11) 사이에 고주파 전계를 발생시켜서 챔버(2)내의 처리 가스를 플라즈마화시키는 동시에, 기판(G)의 온도 변화, 예를 들어 온도 상승을 회피하기 위해서, 온도 조절 가스 공급원(42)으로부터의 온도 조절 가스를, 압력 제어 밸브(43)에 의해 소정의 압력으로 조정하면서, 온도 조절 가스 공급 라인(41)을 거쳐서 서셉터(4)에 흡착된 기판(G)의 이면측의 냉각 공간에 도입한다. 이 상태에서, 처리 가스의 플라즈마에 의해 기판(G)에 에칭 처리가 실시된다.Then, high frequency power is applied from the high
기판(G)에 에칭 처리를 실시하면, 고주파 전원(25)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하는 동시에, 처리 가스 및 온도 조절 가스의 도입을 정지하고, 또한 정전 흡착 기구에 의한 기판(G)의 흡착을 해제한다. 다음에, 게이트 밸브(22)에 의해 반입출구(21)를 개방하는 동시에, 반송 아암(40)으로부터의 기판(G)의 수취시와 마찬가지로, 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시키고, 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휘게 해서 서셉터(4)로부터 상방으로 이격시킨다. 그 후, 반송 아암(40)이 반입출구(21)로부터 챔버(2)내로 진입하여 오면, 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시킨다. 이로써, 기판(G)이 리프터 핀(8a, 8b)상으로부터 반송 아암(40)상으로 옮겨진다. 그리고, 기판(G)은 반송 아암(40)에 의해 반입출구(21)로부터 챔버(2) 외부로 반출되게 된다.When the etching treatment is performed on the substrate G, the application of the high frequency power from the high
본 실시형태에서는, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치해서 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휘게 한 상태에서 지지함으로써, 리프터 핀(8a, 8b) 사이 부분의 휨 및 리프터 핀(8b)의 지지 반력에 의한 기판(G)의 변형을 억지하여, 하부 전극으로서 기능하는 서셉터(4)에 대한 기판(G)의 떠오름을 억지할 수 있으므로, 플라즈마 에칭 처리시에 서셉터(4)로부터 공급되는 온도 조절 가스에 의해 기판(G)을 전체면에 걸쳐서 거의 균등하게 냉각할 수 있고, 이로써 에칭 불균일의 발생을 효과적으로 억지하는 것이 가능해진다. 또한, 에칭 처리후에도 동일하게, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치해서 기판(G)을 아래로 볼록형상으로 휘게 한 상태에서 지지함으로써, 리프터 핀(8b)의 지지 반력에 의한 기판(G)의 변형을 억지할 수 있으므로, 에칭의 후처리의 품질도 높이는 것이 가능해진다.In the present embodiment, the lifter pins 8a are placed higher than the lifter pins 8b by a predetermined amount and supported in a state in which the substrate G is bent downward in a convex shape, thereby bending the portions between the lifter pins 8a and 8b. And the deformation of the substrate G due to the supporting reaction force of the
다음에, 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 반송 아암(40) 및 서셉터(4)로부터의 기판(G)의 수취의 일례에 대해서 설명한다.Next, an example of receipt of the substrate G from the
도 5는 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 반송 아암(40)으로부터의 기판(G)의 수취 태양을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5: is a figure for demonstrating the receiving aspect of the board | substrate G from the
반송 아암(40)에 의해 반송된 기판(G)은 이 반송 아암(40)에 흡착되어 있는 경우가 있다. 이 경우에, 리프터 핀(8a, 8b)을 단번에 상승시켜서 반송 아암(40)으로부터 기판(G)을 수취하려고 하면, 기판(G)이 흡착되어 있던 반송 아암(40)으로부터 벗겨졌을 때에 충격을 받아서 크게 진동하여, 위치 어긋남을 일으키거나 파손할 우려가 있다. 여기에서, 리프터 핀(8a, 8b)에 의해 반송 아암(40)으로부터 기판(G)을 수취할 때에는, 우선 도 5(a)에 도시하는 바와 같이 리프터 핀(8a)이 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치되도록 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시키고, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이 기판(G)이 반송 아암(40)과의 접촉을 유지한 채 리프터 핀(8a)에 접촉해서 아래로 볼록형상으로 휜 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 반송 아암(40)으로부터 떨어지기 직전의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 일단 정지시킨다. 이로써, 기판(G)이 반송 아암(40)에 흡착되어 있는 경우에 있어서도, 서서히 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 벗기기 위해서, 기판(G)의 진동을 억제할 수 있다. 그리고, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킨다. 이로써, 기판(G)을 반송 아암(40)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.The board | substrate G conveyed by the
또, 도 5(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시켰을 때에, 예컨대 중앙부가 반송 아암(40)에 흡착되어 있는 것에 의해 기판(G)에 진동이 생겼을 경우에는, 도 5(d)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시킨다. 그리고, 도 5(e)에 도시하는 바와 같이, 기판(G)이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 반송 아암(40)에 다시 접촉한 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 반송 아암(40)에 접촉한 직후의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 하강을 정지시킨다. 이 상태에서는, 기판(G)과 반송 아암(40)의 접촉 부분이 작아서, 기판(G)이 반송 아암(40)에 다시 흡착해버릴 우려는 없기 때문에, 기판(G)의 진동을 보다 확실하게 억제할 수 있다. 그 후, 도 5(f)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)을 다시 상승시키고, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킴으로써, 기판(G)을 반송 아암(40)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 보다 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.In addition, as shown in FIG. 5 (c), when the lifter pins 8a and 8b are lifted up again and the substrate G is separated from the
도 6은 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 서셉터(4)로부터의 기판(G)의 수취 태양을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a view for explaining a receiving mode of the substrate G from the
에칭 처리후의 기판(G)은, 정전 흡착 기구에 의한 흡착을 해제해도, 하부 전극으로서 기능하는 서셉터(4)에 흡착되어 있을 경우가 있기 때문에, 리프터 핀(8a, 8b)에 의한 서셉터(4)로부터의 기판(G)의 수취도, 반송 아암(40)으로부터의 수취와 동일하게 실행하는 것이 바람직하다. 우선, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a)이 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치되도록, 리프터 핀(8a, 8b)을 상승시키고[리프터 핀(8a)만을 상승시켜도 좋음), 도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 기판(G)이 반송 아암(40)과의 접촉을 유지한 채 리프터 핀(8a)에 접촉해서 아래로 볼록형상으로 휜 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 서셉터(4)로부터 떨어지기 직전의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 일단 정지시킨다. 그리고, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킨다. 이로써, 기판(G)의 진동을 억제하여, 기판(G)을 서셉터(4)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.Since the board | substrate G after the etching process may be adsorb | sucked to the
또, 도 6(c)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)의 상승을 재개시켜, 기판(G)을 서셉터(4)로부터 이격시켰을 때에, 예컨대 중앙부가 서셉터(4)에 흡착되어 있는 것에 의해 기판(G)에 진동이 생겼을 경우에는, 도 6(d)에 도시하는 바와 같이 리프터 핀(8a, 8b)을 하강시켜, 도 6(e)에 도시하는 바와 같이 기판(G)이 아래로 볼록형상으로 휜 채로 서셉터(4)에 다시 접촉한 상태, 보다 바람직하게는 기판(G)이 서셉터(4)에 접촉한 직후의 상태일 때에, 리프터 핀(8a, 8b)의 하강을 정지시킨다. 그 후, 도 6(f)에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a, 8b)을 다시 상승시켜, 기판(G)을 반송 아암(40)으로부터 이격시킨다. 이로써, 기판(G)의 진동을 보다 확실하게 억제하여, 기판(G)을 서셉터(4)상으로부터 리프터 핀(8a, 8b)상으로 보다 안전하게 옮기는 것이 가능해진다.In addition, as shown in Fig. 6C, when the lifter pins 8a and 8b are lifted again and the substrate G is separated from the
다음에, 리프터 핀(8a)과 리프터 핀(8b)의 돌출 높이의 차이를 조정하면서, 기판(G)을 지지했을 때의 각 리프터 핀(8a, 8b)에 작용하는 기판(G)의 하중을 측정했다. 기판(G)의 사이즈(세로×가로)는 1800㎜×1500㎜로 하고, 각 리프터 핀(8a, 8b)에 작용하는 기판(G)의 하중 측정은 도 7에 도시하는 바와 같이 각 리프터 핀(8a, 8b)의 선단부에 마련한 하중 검출부로서의 하중 센서(50)에 의해 실행했다. 결과를 도 8에 나타낸다. 또, 도 8에서는, 세로축을 [각 하중 센서(50)에 의한 측정값]으로 하고, 가로축을 [리프터 핀(8b)의 높이-리프터 핀(8a)의 높이]로 했다.Next, the load of the board | substrate G which acts on each
도 8에 도시하는 바와 같이, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 약간 높게 배치했을 경우에는, 각 하중 센서(50)에 의한 측정값에 큰 편차가 생기고 있지만, 리프터 핀(8a)과 리프터 핀(8b)의 높이의 차이가 커짐에 따라서, 각 하중 센서(50)에 의한 측정값의 편차가 작아지고, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량, 여기에서는 20㎜정도 높게 배치했을 경우에는, 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)과 동일한 높이에 배치했을 경우, 또는 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 낮은 높이에 배치했을 경우보다도, 각 하중 센서(50)에 의한 측정값의 편차가 작아지고 있다. 즉, 본 실시형태와 같이 리프터 핀(8a)을 리프터 핀(8b)보다도 소정량 높게 배치함으로써, 기판(G)의 하중을 각 리프터 핀(8a, 8b)에 균형있게 분산할 수 있는 것이 확인되었다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 기판(G)의 변형을 억지할 수 있는 동시에, 기판(G)을 안정적으로 지지할 수 있는 것으로 생각된다.As shown in FIG. 8, when the
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 여러가지 변경이 가능하다. 상기 실시형태에서는, 기판의 중앙부를 지지하는 리프터 핀을 복수개, 예를 들면 2개라도 좋다. 이 리프터 핀은 1개라도 좋다. 또한, 상기 실시형태에서는, 기판의 주연부를 지지하는 리프터 핀이 기판의 중앙부를 지지하는 리프터 핀보다도 소정량 높게 배치되도록 독립된 구동부를 채용했지만, 이것에 한정하지 않고, 각 리프터 핀의 길이를 미리 바꾸 어 두고, 각 리프터 핀을 동일한 구동부에 의해 구동시키는 것도 가능하고, 각 리프터 핀의 길이를 미리 바꾸어 두고, 또한 독립된 구동부를 사용하는 것도 가능하다. 더욱이, 상기 실시형태에서는, 하부 전극에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치에 적용한 예에 대해서 설명했지만, 이것에 한정하지 않고, 애싱, CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 적용 가능하고, 기판을 탑재대에 탑재하여 처리하는, 플라즈마 처리 장치 이외의 기판 처리 장치 전반에도 적용 가능하다. 더욱이, 상기 실시형태에서는 FPD용의 유리 기판에 적용한 예에 대해서 설명했지만, FPD용의 유리 기판 이외의 가요성을 갖는 기판 전반에 적용 가능하다. As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various change is possible. In the above embodiment, a plurality of lifter pins for supporting the center of the substrate may be provided, for example, two. One lifter pin may be used. In addition, in the said embodiment, although the independent drive part was employ | adopted so that the lifter pin which supports the periphery of a board | substrate may be arrange | positioned higher than the lifter pin which supports the center part of a board | substrate, it does not restrict to this, The length of each lifter pin is changed beforehand. In addition, it is also possible to drive each lifter pin by the same drive part, it is also possible to change the length of each lifter pin beforehand, and to use an independent drive part. Moreover, in the said embodiment, although the example applied to the RIE type capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus which applies a high frequency electric power to a lower electrode was demonstrated, it is not limited to this, Other plasma processing apparatuses, such as ashing and CVD film-forming, are mentioned. It is applicable to the board | substrate processing apparatuses other than the plasma processing apparatus which mounts and processes a board | substrate on a mounting table, and is applicable. Moreover, in the said embodiment, although the example applied to the glass substrate for FPD was demonstrated, it is applicable to the board | substrate which has flexibility other than the glass substrate for FPD.
도 1은 본 발명에 따른 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치의 일 실시형태인 플라즈마 에칭 장치의 측면 방향의 개략 단면도,BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a side direction of a plasma etching apparatus as an embodiment of a substrate processing apparatus having a substrate mounting mechanism according to the present invention;
도 2는 플라즈마 에칭 장치의 평면 방향의 개략 단면도,2 is a schematic cross-sectional view of the plasma etching apparatus in a planar direction;
도 3은 기판 탑재 기구의 개략도,3 is a schematic diagram of a substrate mounting mechanism;
도 4는 기판 탑재 기구의 구성요소인 리프터 핀에 의한 기판의 지지 태양을 설명하기 위한 도면,4 is a view for explaining a support aspect of a substrate by a lifter pin that is a component of the substrate mounting mechanism;
도 5는 리프터 핀에 의한 반송 아암으로부터의 기판의 수취 태양을 설명하기 위한 도면,5 is a view for explaining an embodiment of receiving a substrate from a transfer arm by a lifter pin;
도 6은 리프터 핀에 의한 서셉터로부터의 기판의 수취 태양을 설명하기 위한 도면,6 is a view for explaining an embodiment of receiving a substrate from a susceptor by a lifter pin;
도 7은 리프터 핀에 작용하는 기판의 하중 측정 방법을 설명하기 위한 도면,7 is a view for explaining a load measuring method of the substrate acting on the lifter pin,
도 8은 도 7에 도시한 측정 방법에 의한 측정 결과를 도시한 도면,8 is a view showing a measurement result by the measurement method shown in FIG.
도 9는 종래의 기판 탑재 기구의 개략도.9 is a schematic view of a conventional substrate mounting mechanism.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
1 : 플라즈마 에칭 장치(기판 처리 장치 : 플라즈마 처리 장치)1: plasma etching apparatus (substrate processing apparatus: plasma processing apparatus)
2 : 챔버(처리 용기) 4 : 서셉터(탑재대)2: chamber (processing container) 4: susceptor (mounting table)
8a : 리프터 핀(제 1 승강 핀) 8b : 리프터 핀(제 2 승강 핀)8a: lifter pin (first lifting pin) 8b: lifter pin (second lifting pin)
9a, 9b : 구동부(구동 기구) 15 : 처리 가스 공급관9a, 9b: Drive part (drive mechanism) 15: Process gas supply pipe
18 : 처리 가스 공급원 19 : 배기관18 process
20 : 배기 장치 25 : 고주파 전원20: exhaust device 25: high frequency power
31 : 콘트롤러 32 : 유저 인터페이스31: controller 32: user interface
33 : 기억부 4O : 반송 아암(반송 부재)33: Memory 4O: Carrying arm (carrying member)
50 : 하중 센서(하중 검출부) G : 유리 기판(피처리 기판)50: load sensor (load detection unit) G: glass substrate (treated substrate)
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