KR101119646B1 - Mounting table and plasma processing apparatus using the same - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 용사 피막의 수리 빈도를 저감할 수 있는 탑재대 및 그와 같은 탑재대를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것.(Problem) Providing the mounting table which can reduce the frequency of repair of a thermal sprayed coating, and the plasma processing apparatus using such a mounting table.

(해결수단) 기판 G에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에서 기판을 탑재하는 탑재대(3)로서, 기재(基材)(5)와, 기재의 위에 형성되고, 그 위에 기판이 탑재되는 탑재부(6)를 구비하되, 탑재부(6)는, 모서리 부분(6a)을 구성하는 세라믹스 부재(43)와, 세라믹스 용사 피막(41)을 갖는다.(Solution means) As a mounting table 3 for mounting a substrate in a processing chamber in which plasma processing is performed on the substrate G, a substrate 5 and a mounting portion formed on the substrate and on which the substrate is mounted. Although 6 is provided, the mounting part 6 has the ceramic member 43 which comprises the edge part 6a, and the ceramic thermal sprayed coating 41. As shown in FIG.

Description

탑재대 및 그것을 이용한 플라즈마 처리 장치{MOUNTING TABLE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}Mounting table and plasma processing apparatus using the same {MOUNTING TABLE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS USING THE SAME}

본 발명은, 액정 표시 장치(LCD) 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD) 제조용의 유리 기판 등의 기판에 대하여 건식 에칭 등의 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에서, 기판을 탑재하는 탑재대 및 그것을 이용한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention provides a mounting table for mounting a substrate in a processing chamber in which plasma processing such as dry etching is performed on a substrate such as a glass substrate for manufacturing a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD). A plasma processing apparatus.

예컨대, FPD나 반도체의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리 기판인 유리 기판에 대하여, 건식 에칭 등의 플라즈마 처리가 행해진다. 예컨대, 처리 챔버 내에 마련된 탑재대에 유리 기판을 탑재한 상태로 탑재대에 고주파 전력을 공급함으로써 플라즈마를 생성하고, 그 플라즈마에 의해 유리 기판에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 실시한다. 이러한 플라즈마 처리에 이용되는 탑재대로서는 플라즈마 내성 등의 관점에서, 표면에 세라믹스 용사 피막을 형성한 것이 알려져 있다.For example, in the manufacturing process of an FPD and a semiconductor, plasma processing, such as dry etching, is performed with respect to the glass substrate which is a to-be-processed substrate. For example, plasma is generated by supplying high frequency power to the mounting table while the glass substrate is mounted on the mounting table provided in the processing chamber, and the plasma is subjected to a predetermined plasma treatment on the glass substrate. As a mounting table used for such a plasma process, the thing which formed the ceramic sprayed coating on the surface from the viewpoint of plasma tolerance etc. is known.

이러한 용사 피막은 플라즈마 처리에 있어서는, 통상 기판에 덮여 있어, 플라즈마가 직접 도달하는 것이 방지되고 있지만, 유리 기판의 모서리 부분의 오리엔 테이션 플랫부는 유리 기판의 오버랩량이 적어, 유리 기판의 설치 위치 오차에 의해, 용사 피막의 모서리 부분이 노출되어, 용사 피막이 깎이는 경우가 있다.Such a thermal spray coating is usually covered with a substrate in plasma processing, and plasma is prevented from directly reaching, but the orientation flat portion of the corner portion of the glass substrate has a small amount of overlap of the glass substrate, and due to an installation position error of the glass substrate, The edge part of the thermal sprayed coating may be exposed, and the thermal sprayed coating may be cut off.

한편, FPD용의 유리 기판의 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 탑재대의 주위에 세라믹스제의 실드 링이 배치되지만, 최근 FPD용의 유리 기판은 대형화의 추세에 있어, 일체적으로 형성하는 것이 곤란해져 있어, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 분할 타입의 실드 링이 이용되고 있다.On the other hand, in the plasma processing apparatus of the glass substrate for FPD, although the shield ring made from ceramics is arrange | positioned around the mounting table, in recent years, the glass substrate for FPD has become large, and it is difficult to form integrally, As described in Patent Document 1, a split type shield ring is used.

그러나, 이러한 분할 타입의 실드 링은, 분할 부품이 맞붙은 공차에 의해, 맞닿는 부분에 극간이 발생하고, 그 극간 부분으로부터 플라즈마가 침입하여 용사 피막이 깎이는 경우가 있다.However, in such a split type shield ring, a gap is generated in the part where the part is abutted due to the tolerance between which the split parts are joined, and a plasma film penetrates from the part of the gap to cut off the thermal spray coating.

이렇게 하여 용사 피막이 깎인 경우에는, 종래, 마모 부분에 대한 부분 수리 또는 전체 박리 재용사를 실시하여 수리를 행하고 있지만, 수리 빈도가 높고, 수리 비용이 지극히 높은 것으로 되어 있다.In this way, when the thermal spray coating is shaved off, the repair is performed by performing partial repair or total peeling re-spraying on the worn portion conventionally, but the repair frequency is high and the repair cost is extremely high.

(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 제 2003-115476 호 공보(Patent Document 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-115476

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 용사 피막의 수리 빈도를 저감할 수 있는 탑재대 및 그와 같은 탑재대를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a situation, and an object of this invention is to provide the mounting table which can reduce the frequency of repair of a thermal spray coating, and the plasma processing apparatus using such a mounting table.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에서는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에서 기판을 탑재하는 탑재대로서, 기재(基材)와, 상기 기재의 위에 형성되고, 그 위에 기판이 탑재되는 탑재부를 구비하되, 상기 탑재부는, 모서리 부분을 구성하는 세라믹스 부재와, 그 이외의 부분을 구성하는, 표면에 세라믹스 용사 피막을 갖는 용사부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탑재대를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, from a 1st viewpoint of this invention, it is formed on a base material and the said base material as a mounting table which mounts a board | substrate in the processing chamber which performs a plasma process on a board | substrate, A mounting table is provided on which a substrate is to be mounted, wherein the mounting section comprises a ceramic member constituting a corner portion and a thermal spraying portion having a ceramic thermal spray coating on a surface constituting the other portion.

본 발명의 제 2 관점에서는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에서 기판을 탑재하는 탑재대로서, 기재와, 상기 기재의 위에 형성되고, 그 위에 기판이 탑재되는 탑재부와, 상기 탑재부의 주위에 마련된, 분할식 실드 부재를 구비하되, 상기 탑재부는, 상기 실드 부재의 분할 부분에 대응하는 부위를 구성하는 세라믹스 부재와, 그 이외의 부분을 구성하는, 표면에 세라믹스 용사 피막을 갖는 용사부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탑재대를 제공한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a mounting table for mounting a substrate in a processing chamber in which plasma processing is performed on the substrate, the substrate, the mounting portion formed on the substrate, and on which the substrate is mounted, and the surroundings of the mounting portion. A split shield member provided in the present invention, wherein the mounting portion includes a ceramic member constituting a portion corresponding to the divided portion of the shield member, and a thermal spraying portion having a ceramic thermal spray coating on the surface constituting the other portion. It provides a mounting table characterized in that.

본 발명의 제 3 관점에서는, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내 에서 기판을 탑재하는 탑재대로서, 기재와, 상기 기재의 위에 형성되고, 그 위에 기판이 탑재되는 탑재부와, 상기 탑재부의 주위에 마련된, 분할식 실드 부재를 구비하되, 상기 탑재부는, 상기 실드 부재의 모서리 부분 및 분할 부분에 대응하는 부위를 구성하는 세라믹스 부재와, 그 이외의 부분을 구성하는, 표면에 세라믹스 용사 피막을 갖는 용사부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탑재대를 제공한다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a mounting table for mounting a substrate in a processing chamber in which plasma processing is performed on the substrate, the substrate, a mounting portion formed on the substrate, on which the substrate is mounted, and a periphery of the mounting portion. And a split shield member provided in the shielding member, wherein the mounting portion includes a ceramic member constituting a portion corresponding to a corner portion and a split portion of the shield member, and a ceramic thermal spray coating on a surface constituting the other portion. Provided is a mounting table comprising a sprayed portion.

상기 제 1～3의 관점에서, 상기 용사부는, 기판을 정전 흡착하는 정전 척을 갖는 구성으로 할 수 있다. 또한, 상기 정전 척은, 기판을 정전 흡착하기 위한 직류 전압이 인가되는 전극을 갖고, 상기 세라믹스 부재는, 상기 전극에 대응하는 상부가 상기 전극에 걸리지 않을 정도로 형성되어 있고, 상기 전극이 존재하지 않는 하부가 상기 상부보다 큰 직경으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기재가 도전성이며, 상기 기재에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전력 공급 수단을 더 갖는 구성으로 할 수 있다. 상기 세라믹스 용사 피막과 상기 세라믹스 부재는, 알루미나(Al2O3), 이트리아(Y2O3), 및 불화 이트륨(YF3)으로부터 선택된 재료로 구성되어 있는 것이 바람직하다.The said thermal spraying part can be set as the structure which has an electrostatic chuck which electrostatically adsorbs a board | substrate from the said 1st-3rd viewpoint. In addition, the electrostatic chuck has an electrode to which a DC voltage for electrostatically adsorbing a substrate is provided, and the ceramic member is formed such that an upper portion corresponding to the electrode is not caught by the electrode, and the electrode does not exist. It is preferable that the lower portion is formed with a larger diameter than the upper portion. Moreover, the said base material is electroconductive and it can be set as the structure which further has a high frequency electric power supply means which supplies a high frequency electric power to the said base material. The ceramic thermal sprayed coating and the ceramic member is preferably configured of a material selected from alumina (Al 2 O 3), yttria (Y 2 O 3), yttrium fluoride (YF 3).

본 발명의 제 4 관점에서는, 기판을 수용하는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버 내에서 기판을 탑재하는, 상기 제 1 내지 제 3 관점 중의 한 구성을 갖는 탑재대와, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와, 상기 처리 챔버 내에서 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구와, 상기 처리 챔버 내를 배기하는 배기 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치 를 제공한다.In the 4th viewpoint of this invention, the processing chamber which accommodates a board | substrate, the mounting table which has one structure of said 1st-3rd viewpoint which mounts a board | substrate in the said processing chamber, and a process gas are supplied to the said processing container. And a processing gas supply mechanism, a plasma generating mechanism for generating plasma of the processing gas in the processing chamber, and an exhaust mechanism for exhausting the inside of the processing chamber.

본 발명에 의하면, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에서 기판을 탑재하는 탑재부에 세라믹스 용사 피막을 이용한 탑재대에 있어서, 플라즈마의 손상을 받기 쉬운 모서리 부분 또는/및 실드 링의 맞닿는 부분에 대응하는 부분에 세라믹스 부재를 마련했으므로, 플라즈마에 의한 손상의 대부분을 세라믹스 부재가 받아, 용사 피막에 손상이 거의 발생하지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 용사 피막의 수리 빈도를 현저히 저감할 수 있고, 탑재대의 수리 비용을 지극히 낮은 것으로 할 수 있다.According to the present invention, in a mounting table using a ceramic thermal spray coating on a mounting section for mounting a substrate in a processing chamber in which plasma processing is performed on the substrate, it corresponds to an edge portion or a contact portion of a shield ring susceptible to plasma damage. Since the ceramic member is provided in the part to be made, most of the damage by a plasma can be received by a ceramic member, and it can prevent that damage hardly arises in a thermal sprayed coating. For this reason, the frequency of repair of the thermal sprayed coating can be significantly reduced, and the repair cost of the mounting table can be made extremely low.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 따른 탑재대가 마련된 플라즈마 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 이 플라즈마 처리 장치(1)는, FPD용 유리 기판 G의 소정의 처리를 행하는 장치의 단면도이며, 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 여기서, FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 전기 발광(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing. 1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus provided with a mounting table according to one embodiment of the present invention. This plasma processing apparatus 1 is sectional drawing of the apparatus which performs the predetermined | prescribed process of the glass substrate G for FPDs, and is comprised as a capacitively-coupled parallel plate plasma etching apparatus. Here, examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), an electroluminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like.

이 플라즈마 처리 장치(1)는, 예컨대, 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통 형상으로 성형된 챔버(2)를 갖고 있다. 이 처리 챔버(2) 내의 바닥부에는 피처리 기판인 유리 기판 G를 탑재하기 위한 탑재대(3)가 마련되어 있다.This plasma processing apparatus 1 has, for example, a chamber 2 formed in a square cylinder shape whose surface is made of aluminum subjected to anodization (anodic oxidation treatment). In the bottom part of this processing chamber 2, the mounting table 3 for mounting the glass substrate G which is a to-be-processed substrate is provided.

탑재대(3)는, 절연 부재(4)를 사이에 두고 처리 챔버(2)의 바닥부에 지지되어 있고, 금속제의 볼록형의 기재(5)와 기재(5)의 볼록부(5a)의 위에 마련된 유리 기판 G를 탑재하는 탑재부(6)와, 탑재부(6) 및 기재(5)의 볼록부(5a)의 주위에 마련된, 절연성 세라믹스, 예컨대, 알루미나로 이루어지는 액자 형상의 실드 링(7)과, 기재(5)의 주위에 마련된 절연성 세라믹스, 예컨대, 알루미나로 이루어지는 링 형상의 절연 링(8)을 갖고 있다. 탑재부(6)는 후술하는 바와 같이 유리 기판을 정전 흡착하는 정전 척을 갖고 있다.The mounting table 3 is supported at the bottom of the processing chamber 2 with the insulating member 4 interposed therebetween, and is placed on the metal convex base 5 and the convex 5a of the base 5. A mounting portion 6 on which the provided glass substrate G is mounted, and a frame-shaped shield ring 7 made of insulating ceramic, for example, alumina, provided around the mounting portion 6 and the convex portion 5a of the base 5. And a ring-shaped insulating ring 8 made of insulating ceramics, for example, alumina, provided around the substrate 5. The mounting part 6 has an electrostatic chuck which electrostatically adsorbs a glass substrate as will be described later.

챔버(2) 바닥의 벽, 절연 부재(4) 및 탑재대(3)를 관통하도록, 그 위로의 유리 기판 G의 로딩 및 언로딩을 행하기 위한 승강 핀(10)이 승강 가능하게 삽통되어 있다. 이 승강 핀(10)은 유리 기판 G를 반송할 때는, 탑재대(3)의 위쪽의 반송 위치까지 상승되고, 그 이외에는 탑재대(3) 내로 숨은 상태가 된다.The lifting pins 10 for loading and unloading the glass substrate G thereon are inserted into and liftable so as to penetrate the wall of the bottom of the chamber 2, the insulating member 4, and the mounting table 3. . When lifting and lowering the glass substrate G, this lifting pin 10 is raised to the conveyance position of the mounting table 3, and it is in the state hidden inside the mounting table 3 otherwise.

탑재대(3)의 기재(5)에는, 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(12)이 접속되어 있고, 이 급전선(12)에는 정합기(13)및 고주파 전원(14)이 접속되어 있다. 고주파 전원(14)으로부터는, 예컨대, 13.56㎒의 고주파 전력이 탑재대(3)의 기재(5)에 공급된다. 따라서, 탑재대(3)는 하부 전극으로서 기능한다.A feeder line 12 for supplying high frequency power is connected to the base 5 of the mounting table 3, and a matcher 13 and a high frequency power source 14 are connected to the feeder line 12. The high frequency power of 13.56 MHz is supplied from the high frequency power supply 14 to the base material 5 of the mounting table 3, for example. Therefore, the mounting table 3 functions as a lower electrode.

상기 탑재대(3)의 위쪽에는, 이 탑재대(3)와 평행하게 대향하여 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(20)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(20)는 처리 챔버(2)의 상부에 지지되어 있고, 내부에 내부 공간(21)을 가짐과 아울러, 탑재대(3)와의 대 향면에 처리 가스를 토출하는 복수의 토출공(22)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(20)는 접지되어 있고, 하부 전극으로서 기능하는 탑재대(3)와 아울러 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.Above the mounting table 3, there is provided a shower head 20 that faces in parallel with the mounting table 3 and functions as an upper electrode. The shower head 20 is supported on the upper portion of the processing chamber 2 and has a plurality of discharge holes 22 having an internal space 21 therein and discharging the processing gas to a surface facing the mounting table 3. ) Is formed. This shower head 20 is grounded and comprises a pair of parallel flat electrodes together with the mounting table 3 which functions as a lower electrode.

샤워 헤드(20)의 윗면에는 가스 도입구(24)가 마련되고, 이 가스 도입구(24)에는, 처리 가스 공급관(25)이 접속되어 있고, 이 처리 가스 공급관(25)은 처리 가스 공급원(28)에 접속되어 있다. 또한, 처리 가스 공급관(25)에는, 개폐 밸브(26) 및 매스플로우 컨트롤러(27)가 개재되어 있다. 처리 가스 공급원(28)으로부터는, 플라즈마 처리, 예컨대, 플라즈마 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 처리 가스로서는, 할로겐계의 가스, O2 가스, Ar 가스 등, 통상 이 분야에서 이용되는 가스를 이용할 수 있다.A gas inlet 24 is provided on the upper surface of the shower head 20, and a process gas supply pipe 25 is connected to the gas inlet 24, and the process gas supply pipe 25 is a process gas supply source ( 28). In addition, the process gas supply pipe 25 is provided with an opening / closing valve 26 and a mass flow controller 27. From the processing gas source 28, a processing gas for plasma processing, for example, plasma etching, is supplied. As the processing gas, a gas usually used in this field, such as a halogen gas, O 2 gas, or Ar gas, can be used.

처리 챔버(2)의 바닥부에는 배기관(29)이 형성되어 있고, 이 배기관(29)에는 배기 장치(30)가 접속되어 있다. 배기 장치(30)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이에 따라 처리 챔버(2) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡입 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 처리 챔버(2)의 측벽에는 기판 반입출구(31)가 마련되고 있고, 이 기판 반입출구(31)가 게이트 밸브(32)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 이 게이트 밸브(32)를 연 상태로 반송 장치(도시하지 않음)에 의해 유리 기판 G가 반입출되도록 되어 있다.An exhaust pipe 29 is formed at the bottom of the processing chamber 2, and an exhaust device 30 is connected to the exhaust pipe 29. The exhaust device 30 includes a vacuum pump such as a turbomolecular pump, and is thus configured to be capable of vacuum suction in the processing chamber 2 to a predetermined reduced pressure atmosphere. Moreover, the board | substrate carrying in / out port 31 is provided in the side wall of the processing chamber 2, and this board | substrate carrying in / out port 31 is made possible by the gate valve 32 to open and close. And glass substrate G is carried in and out by a conveying apparatus (not shown) with this gate valve 32 opened.

다음으로, 탑재대(3)의 탑재부(6)의 구조에 대하여 상세히 설명한다.Next, the structure of the mounting part 6 of the mounting table 3 is demonstrated in detail.

도 2는 탑재대(3)의 탑재부(6)를 확대하여 나타내는 평면도, 도 3은 그 A-A 선에 의한 단면도이다. 이들 도면에 나타내는 바와 같이, 탑재부(6)는, 표면에 세라믹스 용사 피막(41)을 갖고, 내부에 전극(42)이 매설된 용사부인 정전 척(40)과, 모서리 부분을 구성하는 세라믹스 부재(43)를 구비하고 있다. 전극(42)은, 유리 기판 G보다 약간 작은 직사각형 형상을 하고 있고, 예컨대, 용사로 형성되어 있다. 전극(42)에는 급전선(33)이 접속되어 있고, 급전선(33)에는 직류 전원(34)이 접속되어 있어, 전극(42)에 직류 전원(34)으로부터의 직류 전압이 인가됨으로써, 쿨롱력 등의 정전 흡착력에 의해 유리 기판 G가 흡착된다. 또, 전극(42)은 판재이더라도 좋다.2 is an enlarged plan view showing the mounting portion 6 of the mounting table 3, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A. As shown in these figures, the mounting portion 6 has a ceramic sprayed coating 41 on the surface, an electrostatic chuck 40 which is a sprayed portion in which an electrode 42 is embedded, and a ceramic member constituting a corner portion ( 43). The electrode 42 has a rectangular shape slightly smaller than the glass substrate G, and is formed by, for example, thermal spraying. A feed line 33 is connected to the electrode 42, a DC power supply 34 is connected to the feed line 33, and a DC voltage from the DC power supply 34 is applied to the electrode 42, thereby providing a coulomb force or the like. The glass substrate G is adsorbed by the electrostatic attraction force. In addition, the electrode 42 may be a plate material.

세라믹스 용사 피막(41) 및 세라믹스 부재(43)의 구성 재료로서는, 예컨대, 알루미나(Al2O3), 이트리아(Y2O3), 및 불화이트륨(YF3)을 들 수 있고, 양자는 이들로부터 선택된 재료라면 같은 재료이더라도 다른 재료이더라도 상관없다. 비용면에서는 알루미나(Al2O3)가 바람직하지만, 플라즈마 내성을 중시하는 경우에는, 이트리아(Y2O3), 및 불화이트륨(YF3)이 바람직하다. 또, 세라믹스 용사 피막(41) 및 세라믹스 부재(43)의 구성 재료로서는, 이들 재료에 한하지 않고, 다른 유전체 세라믹스이더라도 좋다.Examples of the constituent material of the ceramic thermal spray coating 41 and the ceramic member 43 include alumina (Al 2 O 3 ), yttria (Y 2 O 3 ), and yttrium fluoride (YF 3 ). The material selected from these may be the same material or different materials. Alumina (Al 2 O 3 ) is preferred in terms of cost, but yttria (Y 2 O 3 ) and yttrium fluoride (YF 3 ) are preferable when importance is placed on plasma resistance. The constituent materials of the ceramic thermal sprayed coating 41 and the ceramic member 43 are not limited to these materials but may be other dielectric ceramics.

정전 척(40)을 갖는 탑재부(6)의 모서리 부분에는 상기 세라믹스 부재(43)에 대응하는 홈이 형성되어 있고, 그 부분에 상기 세라믹스 부재(43)가 끼워 넣어지고, 실드 링(7)에 의해 눌려져 있다.A groove corresponding to the ceramic member 43 is formed in a corner portion of the mounting portion 6 having the electrostatic chuck 40, and the ceramic member 43 is fitted in the portion, and the shield ring 7 is inserted into the shield ring 7. Pressed by

도 4의 평면도에 나타내는 바와 같이, 탑재부(6)의 모서리 부분(6a)은, 통상 유리 기판 G로 덮여 있고, 오리엔테이션 플랫 F가 존재하는 모서리 부분이 위치한 경우라도 유리 기판 G로 덮이도록 설계되어 있다. 그러나, 오리엔테이션 플랫 F가 존재하는 모서리 부분은 오버랩 마진이 작고, 도 5에 나타내는 바와 같이, 약간의 기판 G의 설치 위치의 어긋남에 의해 탑재부(6)의 모서리 부분(6a)이 노출되어 플라즈마에 폭로되어, 플라즈마에 의한 손상을 받는 경우가 있다. 종래는 이러한 플라즈마에 폭로되는 모서리 부분도 세라믹스 용사 피막으로 구성되어 있으므로, 모서리 부분이 플라즈마에 의해 손상될 때마다, 용사 피막의 수리를 위해 재용사 처리할 필요가 있어, 수리 빈도가 높고, 수리 비용이 높은 것으로 되어 있었다.As shown in the top view of FIG. 4, the edge part 6a of the mounting part 6 is normally covered with glass substrate G, and is designed so that it may be covered with glass substrate G even if the edge part in which the orientation flat F exists is located. . However, the edge portion where the orientation flat F is present has a small overlap margin, and as shown in FIG. 5, the edge portion 6a of the mounting portion 6 is exposed and exposed to the plasma due to a slight shift in the installation position of the substrate G. This may cause damage by plasma. Conventionally, the edge portion exposed to such a plasma is also composed of a ceramic thermal spray coating. Therefore, whenever the edge portion is damaged by plasma, it is necessary to re-spray the thermal spray coating for repair of the thermal spray coating. This was supposed to be high.

이에 대하여, 모서리 부분(6a)을 세라믹스 부재(43)로 구성한 경우에는, 모서리 부분으로의 플라즈마의 손상을 거의 세라믹스 부재(43)가 받으므로, 손상된 경우는 세라믹스 부재(43)의 교환으로 대응할 수 있어, 용사 피막의 손상을 거의 발생하지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 용사 피막의 수리 빈도를 현저히 저감할 수 있고, 탑재대(3)의 수리 비용을 지극히 낮은 것으로 할 수 있다. 또한, 이러한 점을 고려하면, 플라즈마 손상을 거의 받지 않는 세라믹스 용사 피막(41)을 저렴한 알루미나(Al2O3)로 구성하고, 플라즈마 손상의 대부분을 받는 세라믹스 부재(43)를 플라즈마 내성이 높은 이트리아(Y2O3) 또는 불화이트륨(YF3)으로 구성함으로써, 지나친 비용 상승을 초래하는 일 없이 플라즈마 내성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, when the edge part 6a is comprised with the ceramic member 43, since the ceramic member 43 receives almost the damage of the plasma to a corner part, when it is damaged, it can respond by replacement of the ceramic member 43. Therefore, it is possible to hardly cause damage to the thermal sprayed coating. For this reason, the frequency of repair of the thermal sprayed coating can be significantly reduced, and the repair cost of the mounting table 3 can be made extremely low. In view of this, the ceramic thermal sprayed coating 41 which is hardly affected by plasma damage is made of inexpensive alumina (Al 2 O 3 ), and the ceramic member 43 which receives most of the plasma damage is treated with high plasma resistance. By constructing with tria (Y 2 O 3 ) or yttrium fluoride (YF 3 ), plasma resistance can be improved without causing excessive cost increase.

이 세라믹스 부재(43)는, 도 6에 나타내는 사시도에 나타내는 바와 같이, 그 상부(43a)가 정전 척(40)의 전극(42)에 걸리지 않도록 작은 직경이 되어 있고, 전 극이 존재하지 않는 하부(43b)는 접합성을 고려하여 큰 직경이 되어 있다.As shown in the perspective view shown in FIG. 6, this ceramic member 43 has a small diameter so that the upper part 43a may not be caught by the electrode 42 of the electrostatic chuck 40, and the lower part which does not exist an electric pole is present. 43b has become large diameter in consideration of joining property.

다음으로, 이와 같이 구성되는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서의 처리 동작에 대하여 설명한다.Next, the processing operation in the plasma processing apparatus 1 configured as described above will be described.

우선, 게이트 밸브(32)를 열고, 유리 기판 G를 반송 암(도시하지 않음)에 의해 기판 반입출구(31)를 거쳐 챔버(2) 내로 반입하여, 탑재대(3)의 정전 척(6)상에 탑재한다. 이 경우에, 승강 핀(10)을 위쪽으로 돌출시켜 지지 위치에 위치시켜, 반송 암상의 유리 기판 G를 승강 핀(10)의 위로 주고받는다. 그 후, 승강 핀(10)을 하강시켜 유리 기판 G를 탑재대(3)의 정전 척(6)상에 탑재한다.First, the gate valve 32 is opened, and the glass substrate G is carried into the chamber 2 via the board | substrate loading / exit 31 by the conveyance arm (not shown), and the electrostatic chuck 6 of the mounting table 3 is carried out. Mount on the top. In this case, the lifting pin 10 protrudes upward to be positioned at the supporting position, and the glass substrate G on the transfer arm is exchanged over the lifting pin 10. Thereafter, the lifting pins 10 are lowered to mount the glass substrate G on the electrostatic chuck 6 of the mounting table 3.

그 후, 게이트 밸브(32)를 닫고, 배기 장치(30)에 의해, 챔버(2) 내를 소정의 진공도까지 진공 흡입한다. 그리고, 직류 전원(34)으로부터 정전 척(40)의 전극(42)에 전압을 인가함으로써, 유리 기판 G를 정전 흡착한다. 그리고, 밸브(26)를 개방하여, 처리 가스 공급원(28)으로부터 처리 가스를, 매스플로우 컨트롤러(27)에 의해 그 유량을 조정하면서, 처리 가스 공급관(25), 가스 도입구(24)를 통해 샤워 헤드(20)의 내부 공간(21)으로 도입하고, 또한 토출공(22)을 통해 기판 G에 대하여 균일하게 토출하고, 배기량을 조절하면서 챔버(2) 내를 소정 압력으로 제어한다.Thereafter, the gate valve 32 is closed, and the exhaust device 30 vacuum sucks the inside of the chamber 2 to a predetermined degree of vacuum. The glass substrate G is electrostatically attracted by applying a voltage from the DC power supply 34 to the electrode 42 of the electrostatic chuck 40. Then, the valve 26 is opened and the processing gas is adjusted from the processing gas supply source 28 by the mass flow controller 27, while the processing gas supply pipe 25 and the gas inlet 24 are adjusted. It introduce | transduces into the internal space 21 of the shower head 20, it discharges uniformly with respect to the board | substrate G through the discharge hole 22, and controls the inside of the chamber 2 to predetermined pressure, adjusting the amount of displacement.

이 상태로 고주파 전원(14)으로부터 정합기(13)를 거쳐 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 탑재대(3)의 기재(5)에 공급하고, 하부 전극으로서의 탑재대(3)와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(20) 사이에 고주파 전계를 발생시켜, 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마에 의해 유리 기판 G에 플라즈마 처리를 실시한다.In this state, the high frequency power for plasma generation is supplied from the high frequency power supply 14 via the matching device 13 to the base material 5 of the mounting table 3, and the mounting table 3 as the lower electrode and the shower as the upper electrode are provided. A high frequency electric field is generated between the heads 20 to generate plasma of the processing gas, and plasma processing is performed on the glass substrate G by this plasma.

이때에, 상술한 바와 같이, 유리 기판 G의 모서리 부분에 오리엔테이션　플랫 F가 형성되어 있는 경우에는, 도 5에 나타내는 바와 같이 유리 기판 G의 탑재 위치가 어긋나, 모서리 부분(6a)이 플라즈마에 폭로되어 손상을 받는 경우가 있지만, 그 부분이 세라믹스 용사 피막이면 수리를 위해 재차 용사 처리를 행할 필요가 있다. 본 실시 형태에서는 그 부분에 세라믹스 부재(43)가 마련되어 있고, 모서리 부분으로의 플라즈마의 손상을 대부분 세라믹스 부재(43)가 받으므로, 세라믹스 부재(43)의 교환으로 대응할 수 있어, 세라믹스 용사 피막의 손상을 거의 발생하지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 용사 피막의 수리 빈도를 현저히 저감할 수 있고, 탑재대(3)의 수리 비용을 지극히 낮은 것으로 할 수 있다.At this time, as described above, in the case where the orientation flat plate F is formed at the corner portion of the glass substrate G, the mounting position of the glass substrate G is shifted as shown in FIG. 5, and the corner portion 6a is exposed to the plasma. Although it may be damaged, if the part is a ceramic sprayed coating, it is necessary to perform the spraying treatment again for repair. In this embodiment, since the ceramic member 43 is provided in the part and the ceramic member 43 receives most of the damage of the plasma to a corner part, it can cope by replacement of the ceramic member 43, It is possible to rarely cause damage. For this reason, the frequency of repair of the thermal sprayed coating can be significantly reduced, and the repair cost of the mounting table 3 can be made extremely low.

또한, 세라믹스 부재(43)의 상부(43a)가 전극(42)에 걸리지 않도록 작은 직경이 되어 있고, 전극(42)은 종래와 동일한 형상으로 할 수 있으므로, 정전 흡착시의 유리 기판 G로의 전계의 영향이나 직류 전압 인가부로의 영향을 회피할 수 있다. 또한, 하부(43b)를 큰 직경으로 함으로써, 안정성을 높게 하여 부재의 접합성을 양호하게 할 수 있다.In addition, since the upper portion 43a of the ceramic member 43 has a small diameter so as not to be caught by the electrode 42, and the electrode 42 can have the same shape as in the prior art, the electric field to the glass substrate G during electrostatic adsorption is The influence or the influence on the DC voltage applying unit can be avoided. Moreover, by making the lower part 43b into a large diameter, stability can be made high and the joining property of a member can be made favorable.

다음으로, 탑재대(3)의 다른 예에 대하여 설명한다.Next, another example of the mounting table 3 will be described.

여기서는, 분할 타입의 실드 링(7′)을 사용하고 있다. 구체적으로는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 4개의 분할편(51)을 조직하여 실드 링(7′)을 구성하고 있다.Here, the split type shield ring 7 'is used. Specifically, as shown in FIG. 7, four divided pieces 51 are formed to form a shield ring 7 ′.

이 경우에는, 분할편(51)이 맞붙은 공차에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같이, 분할편(51)의 맞닿는 부분(52)에 극간이 발생하고, 그 극간 부분으로부터 플라 즈마가 침입하는 경우가 있다.In this case, due to the tolerance with which the divided pieces 51 stick together, as shown in FIG. 8, when a clearance gap arises in the contact part 52 of the division piece 51, and a plasma invades from the clearance part. There is.

여기서는, 이러한 때에 있어서의 용사 피막의 손상을 방지할 수 있는 탑재부(6′)를 이용한다. 도 9는 탑재부(6′)를 이용한 탑재대의 요부를 나타내는 평면도, 도 10은 그 B-B선에 의한 단면도이다. 이들 도면에 나타내는 바와 같이, 탑재부(6′)는 탑재부(6)와 같이, 세라믹스 용사 피막(41) 및 전극(42)으로 이루어지는 정전 척(40)을 갖고 있지만, 탑재부(6)와는 달리, 맞닿는 부분(52)에 대응하는 위치에 세라믹스 부재(43′)가 배치되어 있다. 이 세라믹스 부재(43′)는 상기 세라믹스 부재(43)와 같이 구성할 수 있다. 탑재부(6′)에는, 맞닿는 부분(52)에 대응하는 위치에 홈이 형성되어 있고, 그 부분에 상기 세라믹스 부재(43′)가 끼워 넣어지고, 실드 링(7′)에 의해 눌려져 있다. 이 경우의 세라믹스 부재(43′)의 형상은 도 11의 사시도에 나타내는 바와 같이, 마찬가지로 그 상부(43a′)가 정전 척(40)의 전극(42)에 걸리지 않도록 작은 직경이 되어 있고, 전극이 존재하지 않는 하부(43b′)는 접합성을 고려하여 큰 직경이 되어 있다.Here, the mounting part 6 'which can prevent the damage of the thermal sprayed coating at this time is used. 9 is a plan view showing the main portion of the mounting table using the mounting section 6 ', and FIG. 10 is a sectional view taken along line B-B. As shown in these figures, the mounting portion 6 'has an electrostatic chuck 40 made of a ceramic thermal spray coating 41 and an electrode 42 like the mounting portion 6, but unlike the mounting portion 6, the mounting portion 6' The ceramic member 43 'is arrange | positioned in the position corresponding to the part 52. As shown in FIG. The ceramic member 43 'can be configured like the ceramic member 43. In the mounting portion 6 ', a groove is formed at a position corresponding to the abutting portion 52, and the ceramic member 43' is fitted in the portion and pressed by the shield ring 7 '. In this case, as shown in the perspective view of FIG. 11, the shape of the ceramic member 43 'becomes small diameter so that the upper part 43a' may not be caught by the electrode 42 of the electrostatic chuck 40, and the electrode is The lower part 43b 'which is not present has a large diameter in consideration of bonding properties.

이러한 탑재부(6′)의 구성으로 함으로써, 플라즈마 처리시에 플라즈마가 실드 링(7′)의 인접하는 분할편(51)의 맞닿는 부분(52)으로부터 침입한 경우에도, 플라즈마에 폭로되어 손상을 받는 것은, 거의 세라믹스 부재(43′)뿐이며, 세라믹스 부재(43′)의 교환으로 대응할 수 있어, 용사 피막의 손상을 거의 발생하지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 용사 피막의 수리 빈도를 현저히 저감할 수 있고, 탑재대(3)의 수리 비용을 지극히 낮은 것으로 할 수 있다.With the configuration of the mounting portion 6 ', even when the plasma intrudes from the abutting portion 52 of the adjacent divided piece 51 of the shield ring 7' during the plasma treatment, it is exposed to the plasma and damaged. It is almost only the ceramic member 43 ', and it can cope by replacement of the ceramic member 43', and it can prevent that damage of a thermal sprayed coating hardly arises. For this reason, the frequency of repair of the thermal sprayed coating can be significantly reduced, and the repair cost of the mounting table 3 can be made extremely low.

다음으로, 탑재대(3)의 또 다른 예에 대하여 설명한다.Next, another example of the mounting table 3 will be described.

여기서는, 상기예와 같이 분할 타입의 실드 링(7′)을 사용하고 있고, 분할편(51)의 맞닿는 부분(52)에 극간이 발생하여 플라즈마 손상이 발생할 우려가 있고, 또한 탑재부의 모서리 부분에도 플라즈마 손상이 발생할 우려가 있는 경우에 대응 가능한 탑재부의 구성을 이용하고 있다.Here, the split type shield ring 7 'is used as in the above example, and a gap is generated in the abutting portion 52 of the split piece 51, which may cause plasma damage. The configuration of the mounting portion that can be used when there is a risk of plasma damage is used.

도 12는 탑재대의 또 다른 예를 나타내는 평면도이다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 탑재부(6″)는, 탑재부(6, 6′)와는 달리, 맞닿는 부분(52)에 대응하는 위치로부터 모서리 부분(6a″)에 걸쳐 세라믹스 부재(43″)가 배치되어 있다. 이 세라믹스 부재(43″)는 상기 세라믹스 부재(43, 43′)와 같이 구성할 수 있다. 탑재부(6″)에는, 미리 맞닿는 부분(52)에 대응하는 위치로부터 모서리 부분(6a″)에 이르기까지의 홈이 형성되어 있고, 그 부분에 상기 세라믹스 부재(43″)가 끼워 넣어지고, 실드 링(7′)에 의해 눌려져 있다. 이 경우의 세라믹스 부재(43″)의 형상은 도 13의 사시도에 나타내는 바와 같이, 마찬가지로 그 상부(43a″)가 전극(42)에 걸리지 않도록 작은 직경이 되어 있고, 전극이 존재하지 않는 하부(43b″)는 접합성을 고려하여 큰 직경이 되어 있다.12 is a plan view illustrating still another example of the mounting table. As shown in this figure, unlike the mounting parts 6 and 6 ', the mounting part 6 "arranges the ceramic member 43" from the position corresponding to the abutting part 52 over the edge part 6a ". It is. This ceramic member 43 " can be configured like the ceramic members 43 and 43 '. In the mounting portion 6 ″, grooves from the position corresponding to the abutting portion 52 to the edge portion 6a ″ are formed, and the ceramic member 43 ″ is fitted into the portion, and the shield It is pressed by the ring 7 '. In this case, as shown in the perspective view of FIG. 13, the shape of the ceramic member 43 "is small diameter so that the upper part 43a" may not be caught by the electrode 42, and the lower part 43b in which an electrode does not exist is shown. ″) Has a large diameter in consideration of bonding properties.

이러한 탑재부(6″)의 구성으로 함으로써, 플라즈마 처리시에 플라즈마가 실드 링(7′)의 인접하는 분할편(51)의 맞닿는 부분(52)으로부터 침입한 경우나, 모서리 부분(6a″)이 플라즈마에 폭로된 경우에도, 플라즈마에 폭로되어 손상을 받는 것은, 대부분 세라믹스 부재(43″)뿐이며, 세라믹스 부재(43″)의 교환으로 대응할 수 있어, 용사 피막의 손상을 거의 발생하지 않도록 할 수 있다. 이 때문에, 용사 피막의 수리 빈도를 현저히 저감할 수 있고, 탑재대(3)의 수리 비용을 지극히 낮은 것으로 할 수 있다.With the configuration of the mounting portion 6 ″, when the plasma enters from the abutting portion 52 of the adjacent divided pieces 51 of the shield ring 7 'during the plasma processing, the corner portion 6a ″ Even when exposed to the plasma, only the ceramic member 43 ″ is exposed to the plasma and is damaged in most cases, and it is possible to cope by replacing the ceramic member 43 ″, so that almost no damage to the thermal spray coating can be caused. . For this reason, the frequency of repair of the thermal sprayed coating can be significantly reduced, and the repair cost of the mounting table 3 can be made extremely low.

또, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 여러 가지의 변형이 가능하다. 예컨대, 상기 실시 형태에서는, 본 발명을 FPD용의 유리 기판의 플라즈마 처리에 적용한 경우에 대하여 나타냈지만, 이것에 한정되는 것이 아니라, 다른 여러 가지의 기판에 대하여 적용 가능하다.In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, although the said embodiment showed about the case where this invention was applied to the plasma process of the glass substrate for FPD, it is not limited to this, It is applicable to various other board | substrates.

또한, 상기 실시 형태에서는, 정전 척을 이용한 탑재대의 탑재부를 예로서 나타냈지만, 반드시 정전 척을 이용할 필요는 없고, 탑재부가 단지 세라믹스 용사 피막으로 형성되어 있는 경우에도 적용 가능하다.In addition, in the said embodiment, although the mounting part of the mounting table which used the electrostatic chuck was shown as an example, it is not necessary to necessarily use an electrostatic chuck, and it is applicable also when the mounting part is only formed by the ceramic thermal spray coating.

도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 따른 탑재대가 마련된 플라즈마 처리 장치를 나타내는 단면도,1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus provided with a mounting table according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 플라즈마 처리 장치에 이용되는 탑재대의 요부를 확대하여 나타내는 평면도,FIG. 2 is an enlarged plan view showing the main portion of the mounting table used in the plasma processing apparatus of FIG. 1; FIG.

도 3은 도 1의 플라즈마 처리 장치에 이용되는 탑재대의 요부를 확대하여 나타내는 단면도,3 is an enlarged cross-sectional view showing a main portion of a mounting table used in the plasma processing apparatus of FIG. 1;

도 4는 정전 척의 모서리 부분이 유리 기판으로 덮인 상태를 나타내는 평면도,4 is a plan view showing a state where an edge portion of the electrostatic chuck is covered with a glass substrate;

도 5는 정전 척의 모서리 부분이 노출된 상태를 나타내는 평면도,5 is a plan view showing a state in which the edge portion of the electrostatic chuck is exposed,

도 6은 도 1의 탑재대에 이용되는 정전 척의 세라믹스 부재를 나타내는 사시도,6 is a perspective view illustrating a ceramic member of an electrostatic chuck used for the mounting table of FIG. 1;

도 7은 실드 링을 분할 타입으로 한 탑재대를 나타내는 사시도,7 is a perspective view showing a mounting table in which a shield ring is used as a split type;

도 8은 실드 링의 분할편의 맞닿는 부분에 극간이 발생한 상태를 나타내는 도면,8 is a view showing a state where a gap is generated at abutting portions of the divided pieces of the shield ring;

도 9는 도 7의 탑재대의 요부를 확대하여 나타내는 평면도,9 is an enlarged plan view of the main portion of the mounting table of FIG. 7;

도 10은 도 7의 탑재대의 요부를 확대하여 나타내는 단면도,10 is an enlarged cross-sectional view illustrating the main portion of the mounting table of FIG. 7;

도 11은 도 7의 탑재대에 이용되는 정전 척의 세라믹스 부재를 나타내는 사시도,11 is a perspective view illustrating a ceramic member of an electrostatic chuck used for the mounting table of FIG. 7;

도 12는 도 7의 탑재대의 다른 예의 요부를 확대하여 나타내는 평면도,12 is an enlarged plan view of a main portion of another example of the mounting table of FIG. 7;

도 13은 도 12에 나타내는 탑재대에 이용되는 정전 척의 세라믹스 부재를 나타내는 사시도이다.It is a perspective view which shows the ceramic member of the electrostatic chuck used for the mounting table shown in FIG.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 플라즈마 처리 장치 2 : 처리 챔버1 plasma processing apparatus 2 processing chamber

3 : 탑재대 5 : 기재3: mounting table 5: base material

6, 6′, 6″ : 탑재부 6a : 모서리 부분6, 6 ′, 6 ″: Mounting part 6a: Corner part

7, 7′ : 실드 링 14 : 고주파 전원7, 7 ′: Shield ring 14: High frequency power supply

20 : 샤워 헤드 28 : 처리 가스 공급원20: shower head 28: process gas supply source

34 : 직류 전원 40 : 정전 척34 DC power supply 40 electrostatic chuck

41 : 세라믹스 용사 피막 42 : 전극41 ceramic sprayed coating 42 electrode

43, 43′, 43″ : 세라믹스 부재 43a, 43a′, 43a″ : 상부43, 43 ', 43 ": ceramic members 43a, 43a', 43a": upper part

43b, 43b′, 43b″ : 하부 51 : 분할편43b, 43b ', 43b ″: Lower part 51: Split piece

52 : 맞닿는 부분 F : 오리엔테이션 플랫52: abutting part F: orientation flat

G : 유리 기판G: glass substrate

Claims (8)

기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에 기판을 탑재하는 탑재대로서,A mounting table for mounting a substrate in a processing chamber that performs a plasma treatment on the substrate, 기재(基材)와,Base materials, 상기 기재의 위에 형성되고, 그 위에 기판이 탑재되는 탑재부A mounting portion formed on the substrate and on which the substrate is mounted 를 구비하되,Respectively, 상기 탑재부는, 모서리 부분을 구성하는 세라믹스 부재와, 그 이외의 부분을 구성하는, 표면에 세라믹스 용사 피막을 갖는 용사부로 이루어지는 것The said mounting part consists of the ceramic member which comprises a corner part, and the thermal sprayed part which has a ceramic thermal sprayed coating on the surface which comprises another part. 을 특징으로 하는 탑재대.Mounting stand characterized in that. 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에서 기판을 탑재하는 탑재대로서,A mounting table for mounting a substrate in a processing chamber in which plasma processing is performed on the substrate, 기재와,Materials and 상기 기재의 위에 형성되고, 그 위에 기판이 탑재되는 탑재부와,A mounting portion formed on the substrate and having a substrate mounted thereon; 상기 탑재부의 주위에 마련된, 분할식 실드(shield) 부재Split shield member provided around the mounting portion 를 구비하되,Respectively, 상기 탑재부는, 상기 실드 부재의 분할 부분에 대응하는 부위를 구성하는 세라믹스 부재와, 그 이외의 부분을 구성하는, 표면에 세라믹스 용사 피막을 갖는 용 사부로 이루어지는 것The said mounting part consists of the ceramic member which comprises the site | part corresponding to the division part of the said shield member, and the thermal spraying part which has the ceramic thermal spray coating on the surface which comprises the other part. 을 특징으로 하는 탑재대.Mounting stand characterized in that. 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 챔버 내에 기판을 탑재하는 탑재대로서As a mounting table for mounting a substrate in a processing chamber that performs a plasma treatment on the substrate. 기재와,Materials and 상기 기재의 위에 형성되고, 그 위에 기판이 탑재되는 탑재부와,A mounting portion formed on the substrate and having a substrate mounted thereon; 상기 탑재부의 주위에 마련된, 분할식 실드 부재Split shield member provided around the mounting portion 를 구비하되,Respectively, 상기 탑재부는, 상기 실드 부재의 모서리 부분 및 분할 부분에 대응하는 부위를 구성하는 세라믹스 부재와, 그 이외의 부분을 구성하는, 표면에 세라믹스 용사 피막을 갖는 용사부로 이루어지는 것The said mounting part consists of the ceramic member which comprises the site | part corresponding to the edge part and the division part of the said shield member, and the thermal spraying part which has the ceramic thermal spray coating on the surface which comprises another part. 을 특징으로 하는 탑재대.Mounting stand characterized in that. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,4. The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 용사부는 기판을 정전 흡착하는 정전 척을 갖는 것을 특징으로 하는 탑재대.And said thermal spraying portion has an electrostatic chuck for electrostatically adsorbing a substrate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 정전 척은 기판을 정전 흡착하기 위한 직류 전압이 인가되는 전극을 갖고, 상기 세라믹스 부재는 상기 전극에 대응하는 상부가 상기 전극에 걸리지 않을 정도로 형성되어 있고, 상기 전극이 존재하지 않는 하부가 상기 상부보다 큰 직경으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탑재대.The electrostatic chuck has an electrode to which a direct current voltage for electrostatically adsorbing a substrate is provided, and the ceramic member is formed such that an upper portion corresponding to the electrode is not caught by the electrode, and a lower portion where the electrode does not exist is the upper portion. The mounting table characterized by being formed with a larger diameter. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,4. The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 기재가 도전성이며, 상기 기재에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전력 공급 수단을 더 갖는 것을 특징으로 하는 탑재대.The base is conductive, and further has high frequency power supply means for supplying high frequency power to the base. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,4. The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 세라믹스 용사 피막과 상기 세라믹스 부재는, 알루미나(Al2O3), 이트리아(Y2O3), 및 불화이트륨(YF3) 중에서 선택된 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 탑재대.The ceramic sprayed coating and the ceramic member are made of a material selected from alumina (Al 2 O 3 ), yttria (Y 2 O 3 ), and yttrium fluoride (YF 3 ). 기판을 수용하는 처리 챔버와,A processing chamber containing the substrate; 상기 처리 챔버 내에서 기판을 탑재하는, 상기 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항의 구성을 갖는 탑재대와,A mounting table having the configuration of any one of claims 1 to 3, in which a substrate is mounted in the processing chamber; 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 기구와,A processing gas supply mechanism for supplying a processing gas into the processing container; 상기 처리 챔버 내에서 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구와,A plasma generating mechanism for generating a plasma of a processing gas in the processing chamber; 상기 처리 챔버 내를 배기하는 배기 기구An exhaust mechanism for exhausting the inside of the processing chamber 를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.Plasma processing apparatus comprising a.
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