KR102022458B1 - Shield structure and plasma processing apparatus using the same - Google Patents
Shield structure and plasma processing apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102022458B1 KR102022458B1 KR1020170145618A KR20170145618A KR102022458B1 KR 102022458 B1 KR102022458 B1 KR 102022458B1 KR 1020170145618 A KR1020170145618 A KR 1020170145618A KR 20170145618 A KR20170145618 A KR 20170145618A KR 102022458 B1 KR102022458 B1 KR 102022458B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- shield part
- shield
- dielectric block
- electrostatic chuck
- accommodation space
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드 구조체는 기판이 안착되는 정전척의 측부를 둘러싸도록 배치되는 쉴드 구조체에 관한 것이며, 정전척의 일측에 인접 배치되는 제1 쉴드 파트, 상기 정전척의 타측에 인접 배치되는 제2 쉴드 파트 및 상기 제1 쉴드 파트 및 상기 제2 쉴드 파트 사이에 위치하는 제1 유전 블록을 포함한다.Shield structure according to an embodiment of the present invention relates to a shield structure disposed to surround the side of the electrostatic chuck on which the substrate is seated, the first shield part disposed adjacent to one side of the electrostatic chuck, the first disposed adjacent to the other side of the electrostatic chuck And a second shield part and a first dielectric block positioned between the first shield part and the second shield part.
Description
본 발명은 쉴드 구조체 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 처리 과정에서 발생한 플라즈마 및 플라즈마 부산물에 대한 쉴드 구조체 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shield structure and a plasma processing apparatus including the same, and more particularly, to a shield structure for the plasma and plasma by-products generated during the plasma processing process and a plasma processing apparatus including the same.
디스플레이용 기판을 제작하는 과정에는 플라즈마를 이용하여 CVD(Chemical Vapor Deposition), 에칭(Etching) 등의 기판 처리를 수행하는 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a display substrate, an apparatus for performing a substrate treatment such as chemical vapor deposition (CVD), etching, etc. using plasma is used.
종래의 플라즈마 처리 장치는 챔버 내부에 고주파 전원과 연결된 하부 전극 및 하부 전극 상에 설치되어 기판을 고정하는 정전척을 포함한다.The conventional plasma processing apparatus includes a lower electrode connected to a high frequency power source inside the chamber and an electrostatic chuck installed on the lower electrode to fix the substrate.
플라즈마 처리 과정에서 하부 전극과 정전척을 플라즈마로부터 보호하기 위해 하부 전극의 상면 및 정전척의 측면을 커버하는 쉴드 구조물이 사용된다.In the plasma treatment process, a shield structure covering the upper surface of the lower electrode and the side of the electrostatic chuck is used to protect the lower electrode and the electrostatic chuck from the plasma.
최근에는 쉴드 구조물을 복수의 파트로 분할하여, 쉴드 구조물의 조립 편의성을 향상시킨 플라즈마 처리 장치가 사용되고 있다. In recent years, the plasma processing apparatus which divides a shield structure into several parts and improved the assembly convenience of a shield structure is used.
그러나, 이러한 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리 과정에서 쉴드 구조물의 파트들 사이의 결합면의 틈새로 플라즈마 또는 플라즈마 부산물이 유입되어 정전척, 하부 전극 및/또는 기판이 데미지를 입는 경우가 종종 발생한다.However, in such a plasma processing apparatus, plasma or plasma by-products are often introduced into the gaps between the coupling surfaces between the parts of the shield structure to damage the electrostatic chuck, the lower electrode and / or the substrate.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 플라즈마 처리 과정에서 발생한 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 정전척을 둘러싸는 쉴드 파트의 틈새로 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있는 쉴드 구조체 및 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a shield structure and a plasma processing apparatus that can effectively block the inflow of the plasma and plasma by-products generated during the plasma processing process into the gap of the shield part surrounding the electrostatic chuck.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드 구조체는 기판이 안착되는 정전척의 측부를 둘러싸도록 배치되는 쉴드 구조체에 관한 것이며, 정전척의 일측에 인접 배치되는 제1 쉴드 파트, 상기 정전척의 타측에 인접 배치되는 제2 쉴드 파트 및 상기 제1 쉴드 파트 및 상기 제2 쉴드 파트 사이에 위치하는 제1 유전 블록을 포함한다.The shield structure according to an embodiment of the present invention for solving the above problem relates to a shield structure disposed to surround the side of the electrostatic chuck on which the substrate is seated, the first shield part disposed adjacent to one side of the electrostatic chuck, of the electrostatic chuck And a second shield part disposed adjacent to the other side and a first dielectric block positioned between the first shield part and the second shield part.
상기 제1 쉴드 파트의 일단과 상기 제2 쉴드 파트의 일단은 서로 마주하도록 배치되며, 상기 제1 쉴드 파트의 일단에는 상기 제1 유전 블록의 일측을 수용하는 제1 수용 공간이 형성되고, 상기 제2 쉴드 파트의 일단에는 상기 제1 유전 블록의 타측을 수용하는 제2 수용 공간이 형성될 수 있다.One end of the first shield part and one end of the second shield part are disposed to face each other, and one end of the first shield part is formed with a first accommodation space accommodating one side of the first dielectric block. A second accommodation space may be formed at one end of the second shield part to accommodate the other side of the first dielectric block.
상기 제1 쉴드 파트의 일단은 상기 제1 수용 공간의 천정을 형성하는 제1 돌출단을 포함하고, 상기 제2 쉴드 파트의 일단은 상기 제2 수용 공간의 천정을 형성하는 제2 돌출단을 포함하며, 상기 제1 돌출단과 상기 제2 돌출단은 상호 인접하게 배치될 수 있다.One end of the first shield part includes a first protruding end that forms a ceiling of the first accommodating space, and one end of the second shield part includes a second protruding end that forms a ceiling of the second accommodating space. The first protrusion and the second protrusion may be adjacent to each other.
상기 제1 쉴드 파트의 일단은 상기 제1 수용 공간의 바닥면을 형성하는 제1 돌출단을 포함하고, 상기 제2 쉴드 파트의 일단은 상기 제2 수용 공간의 바닥면을 형성하는 제2 돌출단을 포함하며, 상기 제1 돌출단과 상기 제2 돌출단은 상호 인접하게 배치될 수 있다.One end of the first shield part includes a first protruding end that forms a bottom surface of the first accommodating space, and one end of the second shield part forms a second protruding end that forms a bottom surface of the second accommodating space. The first protrusion and the second protrusion may be disposed adjacent to each other.
상기 제1 유전 블록은 상기 정전척의 높이보다 낮은 높이를 갖도록 형성될 수 있다.The first dielectric block may be formed to have a height lower than that of the electrostatic chuck.
상기 정전척은 측부에 내측으로 함몰 형성된 홈부를 포함하고, 상기 홈부에 설치되는 제2 유전 블록을 더 포함할 수 있다.The electrostatic chuck may include a groove portion recessed inwardly in a side portion, and may further include a second dielectric block installed in the groove portion.
상기 제1 쉴드 파트의 일단과 상기 제2 쉴드 파트의 일단은 상기 제2 유전 블록의 일면 상에서 서로 인접하도록 배치될 수 있다.One end of the first shield part and one end of the second shield part may be disposed to be adjacent to each other on one surface of the second dielectric block.
상기 제1 유전 블록과 상기 제2 유전 블록은 일체로 형성될 수 있다.The first dielectric block and the second dielectric block may be integrally formed.
상기 정전척은 하부 전극의 상부에 위치하며, 상기 제1 쉴드 파트 및 상기 제2 쉴드 파트는 상기 정전척의 측방으로 노출된 상기 하부 전극의 상부면을 덮도록 배치될 수 있다.The electrostatic chuck is positioned above the lower electrode, and the first shield part and the second shield part may be disposed to cover the upper surface of the lower electrode exposed to the side of the electrostatic chuck.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판이 수용되는 처리실 및 상기 처리실 내에 구비되어 상기 기판이 안착되는 정전척을 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이며, 정전척의 일측에 인접 배치되는 제1 쉴드 파트, 상기 정전척의 타측에 인접 배치되는 제2 쉴드 파트 및 상기 제1 쉴드 파트 및 상기 제2 쉴드 파트 사이에 위치하여 플라즈마 처리 과정에서 발생한 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 상기 제1 쉴드 파트와 상기 제2 쉴드 파트의 사이의 틈새로 유입되는 것을 차단하는 제1 유전 블록을 포함한다. The plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention for solving the above problems relates to a plasma processing apparatus including a processing chamber in which a substrate to be processed is accommodated and an electrostatic chuck provided in the processing chamber and on which the substrate is seated. Plasma and plasma by-products generated during the plasma treatment process are disposed between the first shield part disposed adjacent to one side of the chuck, the second shield part disposed adjacent to the other side of the electrostatic chuck, and the first shield part and the second shield part. And a first dielectric block that blocks a flow into a gap between the first shield part and the second shield part.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.According to embodiments of the present invention has at least the following effects.
플라즈마 처리 과정에서 발생한 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 정전척을 둘러싸는 쉴드 파트의 틈새로 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.Plasma and plasma by-products generated during the plasma treatment process can be effectively prevented from entering the gap of the shield part surrounding the electrostatic chuck.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척 및 쉴드 구조체를 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척을 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 및 쉴드 구조체를 도시한 측면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 쉴드 구조체를 도시한 분해 사시도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 및 쉴드 구조체를 도시한 측면도이다.
도 8은 도 7의 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.
도 9는 도 7의 쉴드 구조체의 다른 실시예를 도시한 분해 사시도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 및 쉴드 구조체를 도시한 측면도이다.
도 11은 도 10의 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.
도 12는 도 10의 쉴드 구조체의 다른 실시예를 도시한 분해 사시도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척 및 쉴드 구조체의 결합 관계를 도시한 도면이다.
도 14 내지 도 17은 도 13의 결합 관계를 갖는 본 발명의 다른 실시예에 따른 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척 및 쉴드 구조체의 결합 관계를 도시한 도면이다.
도 19 내지 도 22는 도 18의 결합 관계를 갖는 본 발명의 다른 실시예에 따른 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.1 is a view schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view illustrating an electrostatic chuck and a shield structure of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating an electrostatic chuck of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a side view illustrating a lower electrode and a shield structure of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is an exploded perspective view showing a part of the shield structure according to an embodiment of the present invention.
6 is an exploded perspective view showing a shield structure according to another embodiment of the present invention.
7 is a side view illustrating a lower electrode and a shield structure of the plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an exploded perspective view illustrating a part of the shield structure of FIG. 7.
FIG. 9 is an exploded perspective view showing another embodiment of the shield structure of FIG. 7.
10 is a side view illustrating a lower electrode and a shield structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is an exploded perspective view illustrating a portion of the shield structure of FIG. 10. FIG.
12 is an exploded perspective view showing another embodiment of the shield structure of FIG. 10.
FIG. 13 is a view illustrating a coupling relationship between an electrostatic chuck and a shield structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
14 to 17 are exploded perspective views showing a part of the shield structure according to another embodiment of the present invention having a coupling relationship of FIG.
18 is a view illustrating a coupling relationship between an electrostatic chuck and a shield structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
19 to 22 are exploded perspective views showing a part of the shield structure according to another embodiment of the present invention having a coupling relationship of FIG.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 개략도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 본 발명에 도시된 각 도면에 있어서 각 구성 요소들은 설명의 편의를 고려하여 다소 확대 또는 축소되어 도시된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.In addition, the embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional and / or schematic views, which are ideal illustrations of the invention. Accordingly, shapes of the exemplary views may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. In addition, each component in each drawing shown in the present invention may be shown to be somewhat enlarged or reduced in view of the convenience of description. Like reference numerals refer to like elements throughout.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 쉴드 구조체 및 플라즈마 처리 장치를 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings for describing the shield structure and the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10)의 내부로 공정 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시켜, 챔버(10) 내부에 위치하는 기판(S)을 처리하는 공정이 진행되는 장치이다.The
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10), 정전척(20), 하부 전극(30), 안테나(40), 창(50), 쉴드 구조체(100) 등을 포함한다.As shown in FIG. 1, the
챔버(10)는 내부에 정전척(20), 하부 전극(30), 안테나(40), 창(50), 쉴드 구조체(100)가 설치되는 공간이 형성된 밀폐 구조로 형성된다. 챔버(10)는 내벽이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어질 수 있다.The
도 1에 도시된 바와 같이, 하부 전극(30)은 챔버(10) 내부의 하부에 위치하고, 정전척(20)은 하부 전극(30)의 상면에 위치한다. 정전척(20)은 챔버(10) 내부로 반입된 피처리 기판(S)을 지지하도록 구성되며, 하부 전극(30)은 플라즈마의 이온이 기판(S)으로 끌려 오도록, 급전선(61)을 통해 바이어스용 고주파 전원(62)과 전기적으로 연결된다. 바이어스용 고주파 전원(62)은 6MHz의 고주파 전력을 하부 전극(30)에 인가할 수 있다.As shown in FIG. 1, the
바이어스용 고주파 전원(62)과 하부 전극(30) 사이에는 정합기(63)가 구비될 수 있다. 정합기(63)는 급전선(61)을 통해 바이어스용 고주파 전원(62)과 하부 전극(30) 사이에서 임피던스 정합을 수행할 수 있다. A matching
한편, 챔버(10) 내부의 상부에는 창(50)이 설치된다. 창(50)은 챔버(10) 내의 상부 공간을 안테나(40)가 설치되는 안테나 설치 공간과 플라즈마가 생성되는 처리 공간으로 구획할 수 있다. 따라서, 창(50)은 안테나 설치 공간의 바닥임과 동시에 처리 공간의 천정이 될 수 있다.On the other hand, the
창(50)은 세라믹, 석영 등의 유전체로 이루어지거나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 도전체로 이루어질 수 있다. 창(50)은 처리실과 안테나실을 구획한다.The
처리실은 피처리 기판(S)이 수용되는 공간으로서, 상술한 정전척(20), 하부 전극(30) 등이 설치되는 공간이다.The processing chamber is a space in which the substrate S is to be accommodated, and is a space in which the above-described
안테나실은 안테나(40)가 설치되는 공간이며, 안테나(40)는 창(50)의 상부에는 설치된다.The antenna chamber is a space where the
안테나(40)는 급전선(71)을 통해 고주파 전원(72)으로부터 고주파 전력을 공급받는다. 고주파 전원(72)은 13.56MHz의 고주파 전력을 안테나로 공급할 수 있다.The
안테나(40)와 고주파 전원(72) 사이에는 정합기(73)가 구비되며, 정합기(73)는 급전선(71)을 통해 고주파 전원(72)과 안테나(40) 사이에서 임피던스 정합을 수행할 수 있다.A matching
고주파 전원(72)으로부터 공급된 고주파 전력이 안테나(40)에 인가되면, 창(50)을 통해 처리 공간 내에 유도 전계가 생성되고, 유도 전계에 의해 처리 공간으로 공급된 처리 가스는 플라즈마화되어 유도 결합 플라즈마가 생성된다.When the high frequency power supplied from the high
도 1에 도시되지는 않았지만, 챔버(10)에는 외부로부터 공급된 처리 가스를 처리 공간으로 전달하는 가스 유로 및 샤워 헤드가 설치될 수 있다. 또한, 챔버(10)의 측벽에는 피처리 기판(S)이 반입/반출되는 게이트가 형성될 수 있다.Although not shown in FIG. 1, the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척 및 쉴드 구조체를 도시한 평면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척을 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 및 쉴드 구조체를 도시한 측면도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.2 is a plan view showing an electrostatic chuck and shield structure of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a plan view showing an electrostatic chuck of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, 4 is a side view illustrating a lower electrode and a shield structure of the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an exploded perspective view showing a part of the shield structure according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)에서 정전척(20)은 하부 전극(30)의 상부에 위치하고, 쉴드 구조체(100)는 정전척(20)의 측부를 둘러싸도록 배치되며, 동시에 정전척(20)의 측방으로 노출되는 하부 전극(30)의 상부면을 덮도록 배치된다.1 and 2, in the
정전척(20)은 피처리 기판(S)이 안착되는 영역을 제공함과 동시에 피처리 기판(S)을 고정시킨다. 이를 위해 정전척(20)은 피처리 기판(S)의 형상과 대응하는 형상을 가질 수 있다.The
본 실시예에서는 직사각형의 피처리 기판(S)을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)를 예로 설명하고 있으므로, 정전척(20)은 상면이 대략 사각형의 형상을 갖도록 형성될 수 있다.In the present embodiment, since the
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 정전척(20)은 측부에 내측으로 함몰 형성된 홈부(21)를 포함한다.As shown in Figures 2 and 3, the
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(100)는, 쉴드 파트(120, 130, 140, 150), 제1 유전 블록(160) 및 제2 유전 블록(110)을 포함한다.As shown in FIGS. 2 to 4, the
제2 유전 블록(110)은 정전척(20)의 홈부(21)에 각각 삽입되도록 설치된다. 제2 유전 블록(110)이 홈부(21)에 설치된 상태에서, 정전척(20)과 제2 유전 블록(110)의 조립체는 상면이 직사각형의 형상이 될 수 있으며, 전체적으로 직육면체의 형상이 될 수 있다.The second dielectric blocks 110 are installed to be respectively inserted into the
본 실시예에서 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)는 4개의 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)로 구성된다. 하지만 실시예에 따라 2개의 쉴드 파트, 3개의 쉴드 파트 또는 5개 이상의 쉴드 파트로 구성될 수도 있다.In the present embodiment, the
설명의 편의를 위해, 이하에서는 4개의 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)로 구성되는 예를 기준으로 설명하며, 각 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)는 제1 쉴드 파트(120), 제2 쉴드 파트(130), 제3 쉴드 파트(140), 제4 쉴드 파트(150)로 지칭한다.For convenience of explanation, hereinafter, the description will be made based on an example of four
도 2에 도시된 바와 같이 각 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)는 정전척(20)의 각 코너를 감싸도록 설치되며, 4개의 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)가 모두 조립된 상태에서는 정전척(20)의 측부를 전방위에서 둘러싸도록 형성된다.As shown in FIG. 2, each
각 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)는 정전척(20)의 측면과 인접하도록 설치되며, 각 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)의 일단 및 타단은 제2 유전 블록(110)의 일면(정전척(20)의 측면과 나란한 면) 상에 위치한다.Each
도 4에 도시된 바와 같이, 제1 유전 블록(160)은 상호 인접하는 쉴드 파트(120, 130, 140, 150) 사이에 위치한다.As shown in FIG. 4, the first
도 5는 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)와 제1 유전 블록(160)의 배치 관계에 대해 구체적으로 설명하기 위해, 쉴드 조립체(100) 중, 제1 쉴드 파트(120), 제2 쉴드 파트(130) 및 제1 유전 블록(160)을 도시하였다.FIG. 5 is a view illustrating the arrangement relationship between the
도 5에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(120)는 정전척(20)의 일측 코너를 둘러싸도록 전체적으로 대략 L자 형상을 갖는다.As shown in FIG. 5, the
제1 쉴드 파트(120)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(123, 124)과, 제1 수용 공간(123, 124)의 천정을 형성하는 제1 돌출단(121, 122)이 형성된다.At one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(130)는 정전척(20)의 타측 코너를 둘러싸도록 전체적으로 대략 L자 형상을 갖는다.The
제2 쉴드 파트(130)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(133, 134)과, 제2 수용 공간(133, 134)의 천정을 형성하는 제2 돌출단(131, 132)이 형성된다.At one end and the other end of the
제1 쉴드 파트(120)의 일단(121, 123)은 제2 쉴드 파트(130)의 일단(131, 133)과 서로 마주하며, 제1 쉴드 파트(120)의 일단에 형성된 제1 돌출단(121)과 제2 쉴드 파트(130)의 일단에 형성된 제2 돌출단(131)은 서로 인접하도록 설치된다. 제1 쉴드 파트(120)의 일단에 형성된 제1 돌출단(121)과 제2 쉴드 파트(130)의 일단에 형성된 제2 돌출단(131)은 제2 유전 블록(110)의 일면 상에서 서로 인접하도록 설치된다.One
제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(120)의 일단에 형성된 제1 수용 공간(123)과 제2 쉴드 파트(130)의 일단에 형성된 제2 수용 공간(133)이 형성하는 공간에 설치된다. 이를 위해 제1 유전 블록(160)의 높이(도 4를 기준으로 상하방향 길이)는 정전척(20)의 높이 보다 낮게 형성될 수 있다.The first
제1 유전 블록(160) 및 제2 유전 블록(110)은 세라믹과 같은 유전체(dielectic)로 형성되며, 플라즈마 처리 과정에서 발생한 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 제1 쉴드 파트(120)와 제2 쉴드 파트(130)의 사이의 틈새로 유입되는 것을 차단한다.The first
도 5에 도시되지는 않았지만, 제1 쉴드 파트(120), 제4 쉴드 파트(150) 및 제1 유전 블록(160) 사이의 배치 관계, 제2 쉴드 파트(130), 제3 쉴드 파트(140) 및 제1 유전 블록(160) 사이의 배치 관계, 제3 쉴드 파트(140), 제4 쉴드 파트(150) 및 제1 유전 블록(160) 사이의 배치 관계는 도 2, 도 4 및 도 5를 통해 쉽게 유추할 수 있으므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.Although not shown in FIG. 5, an arrangement relationship between the
본 실시예에 따른 쉴드 구조체(100)는 복수의 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)를 통해 정전척(20)의 측면 및 정전척(20)의 측방으로 노출된 하부 전극(30)의 상부면을 커버하여 보호하면서, 제1 유전 블록(160) 및 제2 유전 블록(110)을 사용하여 제1 쉴드 파트(120)와 제2 쉴드 파트(130)의 사이의 틈새로 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.
이하에서는, 다른 실시예에 따른 쉴드 구조체에 대해 설명한다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하고, 전술한 실시예와 공통되는 부분은 그 설명을 생략한다.Hereinafter, a shield structure according to another embodiment will be described. For convenience of description, parts similar to the above-described embodiments use the same reference numerals, and parts common to the above-described embodiments will not be described.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 쉴드 구조체를 도시한 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view showing a shield structure according to another embodiment of the present invention.
도 6에 도시된 쉴드 구조체(100a)는, 전술한 쉴드 구조체(100)와 비교하여, 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되는 차이가 있다. 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로 수직 단면이 대략 L자 형상이 되는 유전 블록이 될 수 있다.The
제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(100a)는 제2 유전 블록(110)이 정전척(20)의 홈부(21)에 위치하고, 제1 유전 블록(160)이 하부 전극(30)의 상면에 안착되도록 설치한 이후, 쉴드 파트(120, 130, 140, 150)들을 각각 설치하는 방식으로 설치할 수 있다.Since the first
제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로, 전술한 쉴드 구조체(100)에 비해, 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110) 사이의 틈새가 존재하지 않게 되어, 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 유입되는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.Since the first
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 및 쉴드 구조체를 도시한 측면도이고, 도 8은 도 7의 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 7 is a side view illustrating a lower electrode and a shield structure of the plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an exploded perspective view illustrating a part of the shield structure of FIG. 7.
도 7 및 도 8에 도시된 쉴드 구조체(200)는, 전술한 쉴드 구조체(100)와 비교하여, 쉴드 파트(220, 230, 240, 250)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.The
도 8에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(220)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(223, 224)과, 제1 수용 공간(223, 224)의 바닥면을 형성하는 제1 돌출단(221, 222)이 형성된다.As shown in FIG. 8, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(230)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(233, 234)과, 제2 수용 공간(233, 234)의 바닥면을 형성하는 제2 돌출단(231, 232)이 형성된다.At one end and the other end of the
도 7에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(220)와 제2 쉴드 파트(230)가 설치된 상태에서, 제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(220)의 일단에 형성된 제1 돌출단(221)의 상부 및 제2 쉴드 파트(230)의 일단에 형성된 제2 돌출단(231)의 상부에 안착되도록 설치된다.As shown in FIG. 7, in a state where the
도 7 및 도 8에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(220), 제2 쉴드 파트(230) 및 제1 유전 블록(160)을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(200) 역시 제1 쉴드 파트(220) 및 제2 쉴드 파트(230)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.7 and 8 illustrate the
또한, 도 8에 도시된 상태와 유사하게, 제1 쉴드 파트(220)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(230)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.In addition, similar to the state shown in FIG. 8, between the
도 9는 도 7의 쉴드 구조체의 다른 실시예를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 9 is an exploded perspective view showing another embodiment of the shield structure of FIG. 7.
도 9에 도시된 쉴드 구조체(200a)는, 전술한 쉴드 구조체(200)와 비교하여, 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되는 차이가 있다. 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로 수직 단면이 대략 L자 형상이 되는 유전 블록이 될 수 있다.The
제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(200a)는, 쉴드 파트(220, 230, 240, 250)가 설치된 이후, 제2 유전 블록(110)을 정전척(20)의 홈부(21)로 삽입시키며 제1 유전 블록(160)이 각 쉴드 파트(220, 230, 240, 250)의 돌출단(221, 231)의 상면에 안착되도록 하는 방식으로 설치할 수 다.Since the first
제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로, 전술한 쉴드 구조체(200)에 비해, 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110) 사이의 틈새가 존재하지 않게 되어, 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 유입되는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.Since the first
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 하부 전극 및 쉴드 구조체를 도시한 측면도이고, 도 11은 도 10의 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 10 is a side view illustrating the lower electrode and the shield structure of the plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is an exploded perspective view illustrating a part of the shield structure of FIG. 10.
도 10 및 도 11에 도시된 쉴드 구조체(300)는, 전술한 쉴드 구조체(100, 200)와 비교하여, 쉴드 파트(320, 330, 340, 350)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.The
도 11에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(320)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(323, 324), 제1 수용 공간(323, 324)의 천정을 형성하는 제1 상부 돌출단(321a, 322a) 및 제1 수용 공간(323, 324)의 바닥면을 형성하는 제1 하부 돌출단(321b, 322b)이 형성된다.As shown in FIG. 11, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(330)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(333, 334), 제2 수용 공간(333, 334)의 천정을 형성하는 제2 상부 돌출단(331a, 332a) 및 제2 수용 공간(333, 334)의 바닥면을 형성하는 제2 하부 돌출단(331b, 332b)이 형성된다.At one end and the other end of the
도 10에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(320)와 제2 쉴드 파트(330)가 설치된 상태에서, 제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(320)의 일단에 형성된 제1 수용 공간(323) 및 제2 쉴드 파트(330)의 일단에 형성된 제2 수용 공간(333) 내에 삽입되도록 설치된다.As shown in FIG. 10, in a state in which the
도 10 및 도 11에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(320), 제2 쉴드 파트(330) 및 제1 유전 블록(160)을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(300) 역시 제1 쉴드 파트(320) 및 제2 쉴드 파트(330)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.10 and 11 illustrate the
또한, 도 11에 도시된 상태와 유사하게, 제1 쉴드 파트(320)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(320)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.In addition, similar to the state shown in FIG. 11, between the
도 12는 도 10의 쉴드 구조체의 다른 실시예를 도시한 분해 사시도이다.12 is an exploded perspective view showing another embodiment of the shield structure of FIG. 10.
도 12에 도시된 쉴드 구조체(300a)는, 전술한 쉴드 구조체(300)와 비교하여, 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되는 차이가 있다. 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로 수직 단면이 대략 T자 형상이 되는 유전 블록이 될 수 있다.The
제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(300a)는, 제2 유전 블록(110)이 정전척(20)의 홈부(21)에 위치하면서 하부 전극(30)의 상면에 안착되도록 설치한 이후, 제1 유전 블록(160)이 각 쉴드 파트(320, 330, 340, 350)의 수용 공간(323, 324, 333, 334)으로 삽입되도록 쉴드 파트(320, 330, 340, 350)들을 각각 설치하는 방식으로 설치할 수 있다.Since the first
제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110)이 일체로 구성되므로, 전술한 쉴드 구조체(300)에 비해, 제1 유전 블록(160)과 제2 유전 블록(110) 사이의 틈새가 존재하지 않게 되어, 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 유입되는 것을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.Since the first
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척 및 쉴드 구조체의 결합 관계를 도시한 도면이다.FIG. 13 is a view illustrating a coupling relationship between an electrostatic chuck and a shield structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척(20b)는, 도 3에 도시된 실시예에 따른 정전척(20)과 달리, 홈부(21)가 형성되지 않고, 직사각형의 형상을 갖는다.As shown in FIG. 13, the
따라서, 본 실시예들에 따른 쉴드 구조체(100b, 200b, 300b, 400b, 도 14 내지 도 17 참고)는 제2 유전 블록(110)을 포함하지 않는다.Thus, the
이하에서는, 도 13의 결합 관계를 갖는 실시예들에 따른 쉴드 구조체(100b, 200b, 300b, 400b)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
도 14 내지 도 17은 도 13의 결합 관계를 갖는 본 발명의 다른 실시예에 따른 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.14 to 17 are exploded perspective views showing a part of the shield structure according to another embodiment of the present invention having a coupling relationship of FIG.
도 14에 도시된 쉴드 구조체(100b)는, 전술한 쉴드 구조체(100)와 비교하여, 쉴드 파트(120b, 130b, 140b, 150b)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 14에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(120b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(123b), 제1 수용 공간(123b)의 천정을 형성하는 제1 상부 돌출단(121a) 및 제1 수용 공간(123b)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(121b)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(121b)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.As shown in FIG. 14, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(130b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(133b), 제2 수용 공간(133b)의 천정을 형성하는 제2 상부 돌출단(131a) 및 제2 수용 공간(133b)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(131b)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(131b)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.At one end and the other end of the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(120b)와 제2 쉴드 파트(130b)의 일단 및 타단의 하방 외측 코너에 삽입되는 방식으로 설치된다.Therefore, the first
도 14에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(120b), 제2 쉴드 파트(130b) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(100b) 역시 제1 쉴드 파트(120b) 및 제2 쉴드 파트(130b)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트(140b), 제4 쉴드 파트(150b)를 포함한다(도 13 참고).In FIG. 14, only the
도 13은 도 14의 쉴드 구조체(100b)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(100b) 및 정전척(20b)의 저면을 표현한 것이 되며, 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(120b)와 제4 쉴드 파트(150b) 사이, 제2 쉴드 파트(130b)와 제3 쉴드 파트(140b) 사이, 제3 쉴드 파트(140b)와 제4 쉴드 파트(150b) 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 13 represents the bottom surfaces of the
도 15에 도시된 쉴드 구조체(200b)는, 전술한 쉴드 구조체(100b)와 비교하여, 쉴드 파트(220b, 230b)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 15에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(220b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(223b), 제1 수용 공간(223b)의 바닥면을 형성하는 제1 하부 돌출단(221a) 및 제1 수용 공간(223b)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(221b)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(221b)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.As shown in FIG. 15, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(230b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(233b), 제2 수용 공간(233b)의 바닥면을 형성하는 제2 하부 돌출단(231a) 및 제2 수용 공간(233b)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(231b)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(231b)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.At one end and the other end of the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(220b)와 제2 쉴드 파트(230b)의 일단 및 타단의 상방 외측 코너에 삽입되는 방식으로 설치된다.Accordingly, the first
도 15에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(220b), 제2 쉴드 파트(230b) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100b)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(200b) 역시 제1 쉴드 파트(220b) 및 제2 쉴드 파트(230b)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.In FIG. 15, only the
도 13은 도 15의 쉴드 구조체(200b)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(200b) 및 정전척(20b)의 상면을 표현한 것이 되며, 도 13에 도시된 바와 유사하게, 제1 쉴드 파트(220b)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(230b)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 13 is a representation of the top surfaces of the
도 16에 도시된 쉴드 구조체(300b)는, 전술한 쉴드 구조체(100b)와 비교하여, 쉴드 파트(320b, 330b)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 16에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(320b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(323b), 제1 수용 공간(323b)의 천정을 형성하는 제1 상부 돌출단(321a), 제1 수용 공간(323b)의 바닥면을 형성하는 제1 하부 돌출단(321b) 및 제1 수용 공간(323b)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(321c)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(321c)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.As shown in FIG. 16, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(330b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(333b), 제2 수용 공간(333b)의 천정을 형성하는 제2 상부 돌출단(331a), 제2 수용 공간(333b)의 바닥면을 형성하는 제2 하부 돌출단(331b) 및 제2 수용 공간(333b)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(331c)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(331c)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.At one end and the other end of the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(320b)와 제2 쉴드 파트(330b)의 일단 및 타단의 외측 중앙에 삽입되는 방식으로 설치된다.Therefore, the first
도 15에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(320b), 제2 쉴드 파트(330b) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100b)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(300b) 역시 제1 쉴드 파트(320b) 및 제2 쉴드 파트(330b)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.In FIG. 15, only the
도 13은 도 16의 쉴드 구조체(300b)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(300b) 및 정전척(20b)의 수평 단면을 표현한 것이 되며, 도 13에 도시된 바와 유사하게, 제1 쉴드 파트(320b)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(330b)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 13 is a representation of a horizontal cross section of the
도 17에 도시된 쉴드 구조체(400b)는, 전술한 쉴드 구조체(100b)와 비교하여, 쉴드 파트(420b, 430b)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 17에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(420b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(423b) 및 제1 수용 공간(423b)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(421b)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(421b)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.As shown in FIG. 17, one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(430b)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(433b) 및 제2 수용 공간(433b)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(431b)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(431b)은 제1 유전 블록(160)과 정전척(20b)의 사이에 위치하도록 형성된다.At one end and the other end of the
본 실시예에 따른 쉴드 구조체(400b)의 쉴드 파트(420b, 430b)는, 전술한 쉴드 구조체(100b, 200b, 300b)와 비교하여, 상부 돌출단 및/또는 하부 돌출단이 형성되지 않는다.In the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(420b)와 제2 쉴드 파트(430b)의 일단 및 타단의 외측에 삽입되는 방식으로 설치된다.Therefore, the first
도 17에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(420b), 제2 쉴드 파트(430b) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100b)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(400b) 역시 제1 쉴드 파트(420b) 및 제2 쉴드 파트(430b)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.In FIG. 17, only the
도 13은 도 17의 쉴드 구조체(400b)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(400b) 및 정전척(20b)의 상면 또는 하면을 표현한 것이 되며, 도 13에 도시된 바와 유사하게, 제1 쉴드 파트(420b)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(430b)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 13 illustrates the top or bottom surfaces of the
도 14 내지 도 17에 도시된 실시예에 따른 쉴드 구조체(100b, 200b, 300b, 400b)는 쉴드 파트의 단부에 제1 유전 블록(160)이 삽입되는 수용 공간의 측벽을 형성하는 측부 돌출단이 형성되므로, 제1 유전 블록(160)과 쉴드 파트의 틈새로 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.14 to 17, the
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 정전척 및 쉴드 구조체의 결합 관계를 도시한 도면이다.18 is a view illustrating a coupling relationship between an electrostatic chuck and a shield structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 18에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 쉴드 조립체는, 도 13에 도시된 실시예에 따른 쉴드 조립체와 달리, 제1 유전 블록(160)이 정전척(20b)와 접하도록 설치된다.As shown in FIG. 18, in the shield assembly of the plasma processing apparatus according to the present embodiment, unlike the shield assembly according to the embodiment shown in FIG. 13, the first
이하에서는, 도 18의 결합 관계를 갖는 실시예들에 따른 쉴드 구조체(100c, 200c, 300c, 400c)에 대해 설명한다.Hereinafter, the
도 19 내지 도 22는 도 18의 결합 관계를 갖는 본 발명의 다른 실시예에 따른 쉴드 구조체 중 일부를 도시한 분해 사시도이다.19 to 22 are exploded perspective views showing a part of the shield structure according to another embodiment of the present invention having a coupling relationship of FIG.
도 19에 도시된 쉴드 구조체(100c)는, 전술한 쉴드 구조체(100b)와 비교하여, 쉴드 파트(120c, 130c, 140c, 150c)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 19에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(120c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(123c), 제1 수용 공간(123c)의 천정을 형성하는 제1 상부 돌출단(121a) 및 제1 수용 공간(123c)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(121c)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(121c)은 제1 쉴드 파트(120c)의 외측면을 형성한다.As shown in FIG. 19, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(130c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(133c), 제2 수용 공간(133c)의 천정을 형성하는 제2 상부 돌출단(131a) 및 제2 수용 공간(133c)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(131c)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(131c)은 제2 쉴드 파트(130c)의 외측면을 형성한다.At one end and the other end of the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 정전척(20b)의 측면과 접하도록, 제1 쉴드 파트(120c)와 제2 쉴드 파트(130c)의 일단 및 타단의 하방 내측 코너에 삽입되는 방식으로 설치된다.Therefore, the first
도 19에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(120c), 제2 쉴드 파트(130c) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(100c) 역시 제1 쉴드 파트(120c) 및 제2 쉴드 파트(130c)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트(140c), 제4 쉴드 파트(150c)를 포함한다(도 18 참고).In FIG. 19, only the
도 18은 도 19의 쉴드 구조체(100c)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(100c) 및 정전척(20b)의 저면을 표현한 것이 되며, 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(120c)와 제4 쉴드 파트(150c) 사이, 제2 쉴드 파트(130c)와 제3 쉴드 파트(140c) 사이, 제3 쉴드 파트(140c)와 제4 쉴드 파트(150c) 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 18 represents the bottom surfaces of the
도 20에 도시된 쉴드 구조체(200c)는, 전술한 쉴드 구조체(100c)와 비교하여, 쉴드 파트(220c, 230c)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 20에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(220c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(223c), 제1 수용 공간(223c)의 바닥면을 형성하는 제1 하부 돌출단(221a) 및 제1 수용 공간(223c)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(221c)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(221c)은 제1 쉴드 파트(220c)의 외측면을 형성한다.As shown in FIG. 20, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(230c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(233c), 제2 수용 공간(233c)의 바닥면을 형성하는 제2 하부 돌출단(231a) 및 제2 수용 공간(233c)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(231c)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(231c)은 제2 쉴드 파트(230c)의 외측면을 형성한다.At one end and the other end of the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 정전척(20b)의 측면과 접하도록, 제1 쉴드 파트(220c)와 제2 쉴드 파트(230c)의 일단 및 타단의 상방 내측 코너에 삽입되는 방식으로 설치된다.Accordingly, the first
도 20에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(220c), 제2 쉴드 파트(230c) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100c)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(200c) 역시 제1 쉴드 파트(220c) 및 제2 쉴드 파트(230c)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.20 illustrates only the
도 18은 도 20의 쉴드 구조체(200c)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(200c) 및 정전척(20b)의 상면을 표현한 것이 되며, 도 18에 도시된 바와 유사하게, 제1 쉴드 파트(220c)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(230c)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 18 is a representation of the top surfaces of the
도 21에 도시된 쉴드 구조체(300c)는, 전술한 쉴드 구조체(100c)와 비교하여, 쉴드 파트(320b, 330b)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 21에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(320c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(323c), 제1 수용 공간(323c)의 천정을 형성하는 제1 상부 돌출단(321a), 제1 수용 공간(323c)의 바닥면을 형성하는 제1 하부 돌출단(321b) 및 제1 수용 공간(323c)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(321d)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(321d)은 제1 쉴드 파트(320c)의 외측면을 형성한다.As shown in FIG. 21, at one end and the other end of the
제2 쉴드 파트(330c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(333c), 제2 수용 공간(333c)의 천정을 형성하는 제2 상부 돌출단(331a), 제2 수용 공간(333c)의 바닥면을 형성하는 제2 하부 돌출단(331b) 및 제2 수용 공간(333c)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(331d)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(331d)은 제2 쉴드 파트(330c)의 외측면을 형성한다.At one end and the other end of the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 정전척(20b)의 측면과 접하도록, 제1 쉴드 파트(320c)와 제2 쉴드 파트(330c)의 일단 및 타단의 내측 중앙에 삽입되는 방식으로 설치된다.Therefore, the first
도 21에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(320c), 제2 쉴드 파트(330c) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100c)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(300c) 역시 제1 쉴드 파트(320c) 및 제2 쉴드 파트(330c)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.In FIG. 21, only the
도 18은 도 21의 쉴드 구조체(300c)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(300c) 및 정전척(20c)의 수평 단면을 표현한 것이 되며, 도 18에 도시된 바와 유사하게, 제1 쉴드 파트(320c)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(330c)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 18 is a representation of a horizontal cross section of the
도 22에 도시된 쉴드 구조체(400c)는, 전술한 쉴드 구조체(100c)와 비교하여, 쉴드 파트(420c, 430c)의 형상 및 제1 유전 블록(160)의 조립 위치가 상이하다.In the
도 22에 도시된 바와 같이, 제1 쉴드 파트(420c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 일측을 수용하는 제1 수용 공간(423c) 및 제1 수용 공간(423c)의 측벽을 형성하는 제1 측부 돌출단(421c)이 형성된다. 제1 측부 돌출단(421c)은 제1 쉴드 파트(420c)의 외측면을 형성한다.As illustrated in FIG. 22, one side and the other end of the
제2 쉴드 파트(430c)의 일단 및 타단에는 제1 유전 블록(160)의 타측을 수용하는 제2 수용 공간(433c) 및 제2 수용 공간(433c)의 측벽을 형성하는 제2 측부 돌출단(431c)이 형성된다. 제2 측부 돌출단(431c)은 제2 쉴드 파트(430c)의 외측면을 형성한다.At one end and the other end of the
본 실시예에 따른 쉴드 구조체(400c)의 쉴드 파트(420c, 430c)는, 전술한 쉴드 구조체(100c, 200c, 300c)와 비교하여, 상부 돌출단 및/또는 하부 돌출단이 형성되지 않는다.In the
따라서, 제1 유전 블록(160)은 제1 쉴드 파트(420c)와 제2 쉴드 파트(430c)의 일단 및 타단의 내측에 삽입되는 방식으로 설치된다.Therefore, the first
도 22에는 설명의 편의를 위해 제1 쉴드 파트(420c), 제2 쉴드 파트(430c) 및 제1 유전 블록(160)만을 도시하였으나, 전술한 쉴드 구조체(100c)와 유사하게, 본 실시예에 따른 쉴드 구조체(400c) 역시 제1 쉴드 파트(420c) 및 제2 쉴드 파트(430c)와 유사한 형상을 갖는 제3 쉴드 파트, 제4 쉴드 파트를 포함한다.In FIG. 22, only the
도 18은 도 22의 쉴드 구조체(400c)가 정전척(20b)을 둘러싸도록 조립된 상태에서 쉴드 구조체(400c) 및 정전척(20c)의 상면 또는 하면을 표현한 것이 되며, 도 18에 도시된 바와 유사하게, 제1 쉴드 파트(420c)와 제4 쉴드 파트 사이, 제2 쉴드 파트(430c)와 제3 쉴드 파트 사이, 제3 쉴드 파트와 제4 쉴드 파트 사이에도 제1 유전 블록(160)이 배치된다.FIG. 18 represents the top or bottom surfaces of the
도 19 내지 도 22에 도시된 실시예에 따른 쉴드 구조체(100c, 200c, 300c. 400c)는 쉴드 파트의 단부에 제1 유전 블록(160)이 삽입되는 수용 공간의 측벽을 형성하는 측부 돌출단이 형성되므로, 제1 유전 블록(160)과 쉴드 파트의 틈새로 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.19 to 22, the
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
1: 플라즈마 처리 장치 10: 챔버
20, 20b: 정전척 21: 홈부
30: 하부 전극 40: 안테나
50: 창 61, 71: 급전선
62, 72: 고주파 전원 63, 73: 정합기
100. 100a, 100b, 100c, 200, 200a, 200b, 200c, 300, 300a, 300b, 300c, 400b, 400c: 쉴드 구조체 110: 제2 유전 블록
120, 120b, 120c, 130, 130b, 130c, 140, 140b, 140c, 150, 150b, 150c, 220, 220b, 220c, 230, 230b, 230c, 240, 250, 320, 320b, 320c, 330, 330b, 330c, 340, 350, 420b, 420c, 430b, 430c: 쉴드 파트
121, 122, 221, 222: 제1 돌출단 121a, 321a, 322a: 제1 상부 돌출단
121b, 121c, 221b, 221c, 321c, 321d, 421b: 제1 측부 돌출단
123, 123b, 123c, 124, 223, 223b, 223c, 224, 323, 323b, 323c, 324, 423b, 423c: 제1 수용 공간 131, 132, 231, 232: 제2 돌출단
131a, 331a, 332a: 제2 상부 돌출단
131b, 131c, 231b, 231c, 331c, 331d, 431b: 제2 측부 돌출단
133, 133b, 133c, 134, 233, 233b, 233c, 234, 333, 333b, 333c, 334, 433b, 433c: 제2 수용 공간 160: 제1 유전 블록
221a, 321b, 322b: 제1 하부 돌출단 231a, 331b, 332b: 제2 하부 돌출단
S: 피처리 기판1: plasma processing apparatus 10: chamber
20, 20b: electrostatic chuck 21: groove
30: lower electrode 40: antenna
50:
62, 72: high
100a, 100b, 100c, 200, 200a, 200b, 200c, 300, 300a, 300b, 300c, 400b, 400c: shield structure 110: second dielectric block
120, 120b, 120c, 130, 130b, 130c, 140, 140b, 140c, 150, 150b, 150c, 220, 220b, 220c, 230, 230b, 230c, 240, 250, 320, 320b, 320c, 330, 330b, 330c, 340, 350, 420b, 420c, 430b, 430c: shield parts
121, 122, 221, 222:
121b, 121c, 221b, 221c, 321c, 321d, 421b: first side protrusion
123, 123b, 123c, 124, 223, 223b, 223c, 224, 323, 323b, 323c, 324, 423b, 423c:
131a, 331a, and 332a: second upper protrusion end
131b, 131c, 231b, 231c, 331c, 331d, and 431b: second side protrusion
133, 133b, 133c, 134, 233, 233b, 233c, 234, 333, 333b, 333c, 334, 433b, 433c: second accommodation space 160: first genetic block
221a, 321b, and 322b: first
S: substrate to be processed
Claims (10)
정전척의 일측에 인접 배치되는 제1 쉴드 파트;
상기 정전척의 타측에 인접 배치되는 제2 쉴드 파트; 및
상기 제1 쉴드 파트 및 상기 제2 쉴드 파트 사이에 위치하는 제1 유전 블록;을 포함하고,
상기 제1 쉴드 파트의 일단과 상기 제2 쉴드 파트의 일단은 서로 마주하도록 배치되며,
상기 제1 쉴드 파트의 일단에는 상기 제1 유전 블록의 일측을 수용하는 제1 수용 공간이 형성되고,
상기 제2 쉴드 파트의 일단에는 상기 제1 유전 블록의 타측을 수용하는 제2 수용 공간이 형성되는, 쉴드 구조체.A shield structure arranged to surround a side of an electrostatic chuck on which a substrate is seated,
A first shield part disposed adjacent to one side of the electrostatic chuck;
A second shield part disposed adjacent to the other side of the electrostatic chuck; And
And a first dielectric block positioned between the first shield part and the second shield part.
One end of the first shield part and one end of the second shield part are disposed to face each other,
One end of the first shield part is formed with a first accommodation space for receiving one side of the first dielectric block,
Shield structure of one end of the second shield part is formed with a second accommodation space for receiving the other side of the first dielectric block.
상기 제1 쉴드 파트의 일단은 상기 제1 수용 공간의 천정을 형성하는 제1 돌출단을 포함하고,
상기 제2 쉴드 파트의 일단은 상기 제2 수용 공간의 천정을 형성하는 제2 돌출단을 포함하며,
상기 제1 돌출단과 상기 제2 돌출단은 상호 인접하게 배치되는, 쉴드 구조체.The method of claim 1,
One end of the first shield part includes a first protruding end forming a ceiling of the first accommodation space,
One end of the second shield part includes a second protruding end forming a ceiling of the second accommodation space,
The first protrusion and the second protrusion is disposed adjacent to each other, the shield structure.
상기 제1 쉴드 파트의 일단은 상기 제1 수용 공간의 바닥면을 형성하는 제1 돌출단을 포함하고,
상기 제2 쉴드 파트의 일단은 상기 제2 수용 공간의 바닥면을 형성하는 제2 돌출단을 포함하며,
상기 제1 돌출단과 상기 제2 돌출단은 상호 인접하게 배치되는, 쉴드 구조체.The method of claim 1,
One end of the first shield part includes a first protruding end forming a bottom surface of the first accommodation space,
One end of the second shield part includes a second protruding end forming a bottom surface of the second accommodation space,
The first protrusion and the second protrusion is disposed adjacent to each other, the shield structure.
상기 제1 유전 블록은 상기 정전척의 높이보다 낮은 높이를 갖도록 형성되는, 쉴드 구조체.The method of claim 1,
The first dielectric block is formed to have a height lower than a height of the electrostatic chuck.
상기 정전척은 측부에 내측으로 함몰 형성된 홈부를 포함하고,
상기 홈부에 설치되는 제2 유전 블록을 더 포함하는, 쉴드 구조체.The method of claim 1,
The electrostatic chuck includes a recessed portion recessed inwardly in the side portion,
The shield structure further comprises a second dielectric block installed in the groove portion.
상기 제1 쉴드 파트의 일단과 상기 제2 쉴드 파트의 일단은 상기 제2 유전 블록의 일면 상에서 서로 인접하도록 배치되는, 쉴드 구조체.The method of claim 6,
One end of the first shield part and one end of the second shield part are disposed adjacent to each other on one surface of the second dielectric block.
상기 제1 유전 블록과 상기 제2 유전 블록은 일체로 형성되는, 쉴드 구조체.The method of claim 7, wherein
The first dielectric block and the second dielectric block are integrally formed.
상기 정전척은 하부 전극의 상부에 위치하며, 상기 제1 쉴드 파트 및 상기 제2 쉴드 파트는 상기 정전척의 측방으로 노출된 상기 하부 전극의 상부면을 덮도록 배치되는, 쉴드 구조체.The method of claim 1,
The electrostatic chuck is located above the lower electrode, the first shield part and the second shield part is disposed to cover the upper surface of the lower electrode exposed to the side of the electrostatic chuck.
정전척의 일측에 인접 배치되는 제1 쉴드 파트;
상기 정전척의 타측에 인접 배치되는 제2 쉴드 파트; 및
상기 제1 쉴드 파트 및 상기 제2 쉴드 파트 사이에 위치하여 플라즈마 처리 과정에서 발생한 플라즈마 및 플라즈마 부산물이 상기 제1 쉴드 파트와 상기 제2 쉴드 파트의 사이의 틈새로 유입되는 것을 차단하는 제1 유전 블록;을 포함하고,
상기 제1 쉴드 파트의 일단과 상기 제2 쉴드 파트의 일단은 서로 마주하도록 배치되며,
상기 제1 쉴드 파트의 일단에는 상기 제1 유전 블록의 일측을 수용하는 제1 수용 공간이 형성되고,
상기 제2 쉴드 파트의 일단에는 상기 제1 유전 블록의 타측을 수용하는 제2 수용 공간이 형성되는, 플라즈마 처리 장치.A plasma processing apparatus comprising a processing chamber in which a substrate to be processed is accommodated and an electrostatic chuck provided in the processing chamber to seat the substrate,
A first shield part disposed adjacent to one side of the electrostatic chuck;
A second shield part disposed adjacent to the other side of the electrostatic chuck; And
A first dielectric block positioned between the first shield part and the second shield part to block the plasma and plasma by-products generated during the plasma treatment process from entering the gap between the first shield part and the second shield part; Including;
One end of the first shield part and one end of the second shield part are disposed to face each other,
One end of the first shield part is formed with a first accommodation space for receiving one side of the first dielectric block,
One end of the second shield part is formed with a second accommodation space for receiving the other side of the first dielectric block, the plasma processing apparatus.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170145618A KR102022458B1 (en) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | Shield structure and plasma processing apparatus using the same |
| CN201821771299.0U CN209087763U (en) | 2017-11-02 | 2018-10-30 | Shielding construction body and plasma processing apparatus comprising the shielding construction body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170145618A KR102022458B1 (en) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | Shield structure and plasma processing apparatus using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190050257A KR20190050257A (en) | 2019-05-10 |
| KR102022458B1 true KR102022458B1 (en) | 2019-09-18 |
Family
ID=66581008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170145618A KR102022458B1 (en) | 2017-11-02 | 2017-11-02 | Shield structure and plasma processing apparatus using the same |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102022458B1 (en) |
| CN (1) | CN209087763U (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028073A (en) * | 2008-06-19 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | Focus ring and plasma processing device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200238126Y1 (en) | 1998-09-14 | 2002-11-21 | 현대반도체 주식회사 | Shield ring structure for lcd glass manufacturing etch system |
| KR100752936B1 (en) * | 2005-07-25 | 2007-08-30 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Plasma shielding device of plasma processing apparatus |
| JP5248038B2 (en) * | 2007-05-22 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | Mounting table and plasma processing apparatus using the same |
| KR101282554B1 (en) * | 2010-07-20 | 2013-07-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Shield member, components thereof and substrate mounting table comprising shield member |
-
2017
- 2017-11-02 KR KR1020170145618A patent/KR102022458B1/en active IP Right Grant
-
2018
- 2018-10-30 CN CN201821771299.0U patent/CN209087763U/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010028073A (en) * | 2008-06-19 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | Focus ring and plasma processing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190050257A (en) | 2019-05-10 |
| CN209087763U (en) | 2019-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6114252A (en) | Plasma processing tools, dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers | |
| KR101887160B1 (en) | Reaction chamber and semi-conductor processing device | |
| CN110349830B (en) | Plasma system and filtering device applied to plasma system | |
| CN106057616A (en) | Edge ring for bevel polymer reduction | |
| KR102022458B1 (en) | Shield structure and plasma processing apparatus using the same | |
| KR20140004724U (en) | High performance and long lasting edge ring for process of silicon substrates | |
| CN107578975B (en) | Reaction chamber and semiconductor processing equipment | |
| KR102022459B1 (en) | Shield structure and plasma processing apparatus using the same | |
| KR101246857B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| TWI741439B (en) | Plasma processing device | |
| JP2023513225A (en) | Tunability of edge plasma density for tilt control | |
| US10079133B2 (en) | Plasma processing device | |
| US20100230050A1 (en) | Plasma generating apparatus | |
| KR101522633B1 (en) | Vaccum processing apparatus | |
| CN207183210U (en) | Reaction chamber and semiconductor processing equipment | |
| US9318349B2 (en) | Plasma chamber top piece assembly | |
| CN105489463B (en) | Pre-cleaning cavity and semiconductor processing equipment | |
| KR20120122274A (en) | Method of manufacturing electrostatic chuck, electrostatic chuck and plasma processing apparatus | |
| CN113871281B (en) | Plasma processing apparatus | |
| TWM584538U (en) | Semiconductor manufacturing equipment and O-ring thereof | |
| KR100520229B1 (en) | Dry etching apparatus for semiconductor | |
| CN115917702A (en) | Wear compensating confinement ring | |
| KR20230097406A (en) | Substrate processing apparatus including edge ring assemble and substrate processing method using same | |
| KR20050120862A (en) | Apparatus for etching substitute | |
| JP2022011432A (en) | Matching circuit and plasma processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |