KR102324405B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하며, 상면에 복수의 핀홀들이 형성되는 지지플레이트, 상기 지지플레이트의 내부에서 기판을 가열하는 히터, 그리고 상기 지지플레이트에 놓이는 기판을 승강 및 하강이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되, 핀 어셈블리는 상기 핀홀들 각각에 제공되는 리프트핀 및 상기 리프트핀을 승강위치와 상기 승강위치보다 아래의 공정위치로 이동시키는 핀구동부재를 포함하되, 상기 승강위치 및 상기 공정위치 각각은 상기 리프트핀의 상단이 상기 지지플레이트의 상면보다 위에 배치되는 위치로 제공된다. 기판은 리프트핀에 의해 지지된 채로 열처리 공정이 수행되므로, 기판의 높이를 용이하게 조절할 수 있다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for thermally treating a substrate. A substrate processing apparatus includes a chamber providing a processing space therein, a support plate supporting a substrate in the processing space and having a plurality of pinholes formed on an upper surface thereof, a heater heating the substrate inside the support plate, and the support plate. A pin assembly for lifting and lowering a substrate to be placed, wherein the pin assembly includes a lift pin provided in each of the pinholes and a pin driving member for moving the lift pin to a lifting position and a process position lower than the lifting position However, each of the lifting position and the process position is provided at a position where the upper end of the lift pin is disposed above the upper surface of the support plate. Since the heat treatment process is performed while the substrate is supported by the lift pins, the height of the substrate can be easily adjusted.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Apparatus and Method for treating substrate

본 발명은 기판을 건조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for drying a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for heat treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정들이 단계별로 진행된다. 각각의 공정은 서로 상이한 장치에서 진행되며, 반송로봇은 기판을 각각의 장치 간에 반송한다. 또한 각각의 장치에는 반송로봇으로부터 기판을 인수받거나 인계하는 핀 어셈블리가 제공된다. 이때 핀 어셈블리에는 기판을 반송로봇으로부터 인수받거나 반송로봇으로 인계하기 위한 리프트핀이 제공된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes are performed step by step. Each process is carried out in different devices, and the transport robot transports the substrate between each device. In addition, each device is provided with a pin assembly for receiving or taking over the substrate from the transfer robot. At this time, the pin assembly is provided with a lift pin for receiving or handing over the substrate to the transfer robot.

일반적으로 기판을 지지하는 지지플레이트에는 이를 상하방향으로 관통하는 핀홀들이 형성된다. 핀홀들 각각에는 리프트핀이 제공되며, 이는 승하강 이동하여 기판을 지지플레이트에 안착시킨다. 기판은 지지플레이트의 상면에 형성된 지지볼에 놓여진다. 도1은 일반적으로 기판을 베이크 처리하는 장치를 보여주는 평면도이다. 도1을 참조하면, 지지볼(4)은 지지플레이트(2)의 상면과 기판이 직접 접촉되는 것을 방지한다. 이는 기판이 지지플레이트(2)에 의해 그 온도가 급상승되거나, 충격에 의해 크랙이 발생되는 것을 방지하기 위함이다. 또한 기판 상에 형성된 액막이 지지플레이트(2)에 부착되어 지지플레이트(2) 또는 그 다음에 반입될 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다. In general, pinholes penetrating the support plate in the vertical direction are formed in the support plate for supporting the substrate. Each of the pinholes is provided with a lift pin, which moves up and down to seat the substrate on the support plate. The substrate is placed on a support ball formed on the upper surface of the support plate. 1 is a plan view showing an apparatus for generally baking a substrate. Referring to FIG. 1 , the support ball 4 prevents the upper surface of the support plate 2 from being in direct contact with the substrate. This is to prevent the substrate from rapidly increasing in temperature by the support plate 2 or from generating cracks due to impact. Also, it is possible to prevent the liquid film formed on the substrate from adhering to the support plate 2 to contaminate the support plate 2 or a substrate to be loaded thereafter.

그러나 지지볼(4)은 접착제에 의해 지지플레이트(2)에 고정된다. 이는 반복되는 열처리 공정에 의해 떨어지고, 이에 대한 메인터넌스를 지속적으로 수행해야 한다. 또한 지지볼(4)은 그 높이가 고정되게 제공된다. 이로 인해 최초에 세팅된 높이값을 변경하는 것이 어렵다.However, the support ball 4 is fixed to the support plate 2 by an adhesive. It is dropped by repeated heat treatment process, and maintenance for it must be continuously performed. In addition, the support ball 4 is provided with a fixed height. Due to this, it is difficult to change the initially set height value.

본 발명은 열처리 공정 시 기판의 높이를 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of adjusting the height of a substrate during a heat treatment process.

또한 본 발명은 기판을 열처리하는 장치에 대한 유지보수가 용이한 장치 및 방법을 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for easy maintenance of an apparatus for heat-treating a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하며, 상면에 복수의 핀홀들이 형성되는 지지플레이트, 상기 지지플레이트의 내부에서 기판을 가열하는 히터, 그리고 상기 지지플레이트에 놓이는 기판을 승강 및 하강이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되, 핀 어셈블리는 상기 핀홀들 각각에 제공되는 리프트핀 및 상기 리프트핀을 승강위치와 상기 승강위치보다 아래의 공정위치로 이동시키는 핀구동부재를 포함하되, 상기 승강위치 및 상기 공정위치 각각은 상기 리프트핀의 상단이 상기 지지플레이트의 상면보다 위에 배치되는 위치로 제공된다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for thermally treating a substrate. A substrate processing apparatus includes a chamber providing a processing space therein, a support plate supporting a substrate in the processing space and having a plurality of pinholes formed on an upper surface thereof, a heater heating the substrate inside the support plate, and the support plate. A pin assembly for lifting and lowering a substrate to be placed, wherein the pin assembly includes a lift pin provided in each of the pinholes and a pin driving member for moving the lift pin to a lifting position and a process position lower than the lifting position However, each of the lifting position and the process position is provided at a position where the upper end of the lift pin is disposed above the upper surface of the support plate.

상기 히터가 지지플레이트에 놓여진 기판을 가열하도록 상기 히터에 전력을 제공하는 외부전원 및 공정모드 및 대기모드에 따라 상기 핀 어셈블리 및 상기 외부전원을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 공정모드에는 상기 리프트핀을 상기 공정위치로 이동시키고, 상기 히터에 전력에 제공할 수 있다. 상기 처리공간에 기판을 반입 및 반출시키는 반송로봇을 더 포함하되, 상기 대기모드에는 상기 반송로봇으로부터 기판을 인수 또는 인계하도록 상기 리프트핀을 상기 승강위치로 이동시킬 수 있다. 상기 핀 구동부재는 상기 핀홀들 각각에 제공되는 리프트핀의 상단이 동일한 높이를 가지도록 각각의 상기 리프트핀을 동시 이동될 수 있다. and an external power supply for providing power to the heater so that the heater heats the substrate placed on the support plate, and a controller for controlling the pin assembly and the external power source according to a process mode and a standby mode, wherein the lift pin is in the process mode can be moved to the process position, and provide electric power to the heater. It further includes a transport robot for loading and unloading the substrate into the processing space, wherein in the standby mode, the lift pin can be moved to the lifting position to take over or take over the substrate from the transport robot. The pin driving member may simultaneously move each of the lift pins so that upper ends of the lift pins provided in each of the pin holes have the same height.

선택적으로 상기 리프트핀은 상기 지지플레이트의 중앙영역에 위치되는 중앙핀 및 상기 지지플레이트의 가장자리영역에 위치되는 엣지핀을 포함하되, 상기 구동부재는 상기 중앙핀을 상기 승강위치 및 상기 공정위치로 이동시키고, 상기 엣지핀을 상기 공정위치 및 상기 공정위치보다 아래인 상기 하강위치로 이동시키되, 상기 공정모드에는 상기 리프트핀이 상기 공정위치로 이동되고, 상기 대기모드에는 상기 중앙핀이 승강위치, 그리고 상기 엣지핀이 하강위치로 이동될 수 있다.Optionally, the lift pin includes a center pin positioned in a central region of the support plate and an edge pin positioned in an edge region of the support plate, wherein the driving member moves the central pin to the elevating position and the process position. and move the edge pin to the process position and to the lowering position lower than the process position, wherein the lift pin is moved to the process position in the process mode, and the center pin is moved to the lifting position in the standby mode, and The edge pin may be moved to a lowered position.

지지플레이트에 놓여지는 기판을 가열 처리하는 방법으로는, 상기 지지플레이트의 내부에 제공된 히터가 상기 기판을 가열하는 기판가열단계를 포함하되, 상기 기판가열단계에는 상기 지지플레이트의 상면에 형성된 핀홀에 제공된 리프트핀이 공정위치로 이동되어 상기 기판을 상기 지지플레이트의 상면과 이격되게 위치되도록 지지한다. A method of heat-processing a substrate placed on a support plate, comprising: a substrate heating step in which a heater provided in the support plate heats the substrate, wherein the substrate heating step is provided in a pinhole formed on the upper surface of the support plate The lift pins are moved to the process position to support the substrate so as to be spaced apart from the upper surface of the support plate.

상기 기판가열단계 전에는 상기 리프트핀이 상기 공정위치보다 높은 승강위치로 이동하여 반송로봇으로부터 상기 기판을 인수하는 기판지지단계를 포함할 수 있다.Before the substrate heating step, the lift pin may include a substrate support step of moving the lift pin to an elevated position higher than the process position to receive the substrate from the transfer robot.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판은 리프트핀에 의해 지지된 채로 열처리 공정이 수행되므로, 기판의 높이를 용이하게 조절할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the heat treatment process is performed while the substrate is supported by the lift pins, the height of the substrate can be easily adjusted.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 리프트핀은 지지플레이트에 고정되어 손상되는 구성이 아니므로, 그 수명이 길고, 이에 대한 유지보수가 용이하다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the lift pin is not fixed to the support plate and is not damaged, its lifespan is long, and maintenance thereof is easy.

도1은 일반적으로 기판을 베이크 처리하는 장치를 보여주는 평면도이다.
도2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도6는 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 지지플레이트를 보여주는 평면도이다.
도8은 공정위치에 위치되는 도6의 리프트핀을 보여주는 단면도이다.
도9는 대기위치에 위치되는 도6의 리프트핀을 보여주는 단면도이다.
도10은 대기위치에 위치되는 도8의 리프트핀의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a plan view showing an apparatus for generally baking a substrate.
2 is a view of the substrate processing facility as viewed from above.
FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 as viewed from the AA direction.
FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 as viewed from the BB direction.
5 is a view of the equipment of FIG. 2 viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
7 is a plan view showing the support plate of FIG.
Fig. 8 is a cross-sectional view showing the lift pin of Fig. 6 positioned in a process position;
Fig. 9 is a cross-sectional view showing the lift pin of Fig. 6 positioned in a standby position;
Fig. 10 is a cross-sectional view showing another embodiment of the lift pin of Fig. 8 positioned in a standby position;

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 2 내지 도 10을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing facility of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 10 .

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction, and FIG. 5 is the facility of FIG. is a view viewed from the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a first buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and a second buffer module 500 . ), a pre-exposure processing module 600 , and an interface module 700 . Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( A direction in which 700 is arranged is referred to as a first direction 12 , a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is referred to as a second direction 14 , and the first direction 12 and the second direction A direction each perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2, four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is provided in the shape of a substantially hollow rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 for directly handling the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . This has a possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . Also, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided in the frame 210 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a first buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is positioned at a height corresponding to the developing module 402 of the 400 . The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the first buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later apply the substrate W to the support 332 in the housing 331 . An opening (not shown) is provided in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure, such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in an upward or downward direction than this. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only driven in two axes along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353 , various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have openings (not shown) in the provided direction. Also, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the aforementioned opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The coating and developing module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake chambers 420 , the resist application chambers 400 , the first buffer 320 of the first buffer module 300 , and the first of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies photoresist on the substrate W. The resist application chamber 410 has a housing 411 , a support plate 412 , and a nozzle 413 . The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is positioned in the housing 411 and supports the substrate W. The support plate 412 is provided rotatably. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412 . The nozzle 413 has a circular tubular shape and may supply a photoresist to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 414 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photoresist is applied may be further provided in the resist coating chamber 410 .

베이크 챔버(420)에는 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(420)는 가열유닛(421) 및 냉각유닛(422)을 포함한다. 가열유닛은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하기 위해 사용될 수 있다. In the bake chamber 420 , the substrate W is heat-treated. The bake chamber 420 includes a heating unit 421 and a cooling unit 422 . The heating unit heats the substrate (W) to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate (W), or a photoresist is applied on the substrate (W). It may be used to perform a soft bake process performed later.

가열유닛(421)은 기판을 가열 처리하는 기판처리장치(800)로 제공된다. 도6은 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이고, 도7은 도6의 지지플레이트를 보여주는 평면도이다. 기판처리장치(800)는 열처리챔버(810), 지지플레이트(822), 히터(826), 핀 어셈블리(830), 그리고 제어기를 포함한다. 열처리챔버(810)는 내부에 기판을 가열 처리하는 처리공간(812)을 제공한다. 열처리챔버(810)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구(814)는 기판이 처리공간에 반출입되는 입구로서 기능한다. 열처리챔버(810)의 하부벽에는 배기홀(816)이 형성된다. 처리공간에 발생된 공정부산물은 배기홀(816)을 통해 외부로 배기된다. 배기홀(816)에는 배기부재(818)가 연결된다. 지지플레이트(822)는 열처리챔버(810)의 내부 공간에서 기판을 지지한다. 지지플레이트(822)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지플레이트(822)의 상면에는 복수 개의 핀홀들(823)이 형성된다. 예컨대, 핀홀들(823)은 9 개로 제공될 수 있다. 핀홀들(823)은 지지플레이트(822)의 중앙영역에 3 개, 그리고 가장자리영역에 6 개로 제공될 수 있다. 각각의 핀홀(823)은 원형으로 제공된다. 각각의 핀홀(823)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 지지플레이트(822)의 가장자리영역에 형성된 핀홀들(823)은 지지플레이트(822)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀홀들(823)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다.The heating unit 421 is provided to the substrate processing apparatus 800 for heat processing the substrate. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2 , and FIG. 7 is a plan view showing the support plate of FIG. 6 . The substrate processing apparatus 800 includes a heat treatment chamber 810 , a support plate 822 , a heater 826 , a fin assembly 830 , and a controller. The heat treatment chamber 810 provides a processing space 812 for heat-processing the substrate therein. An opening is formed in one wall of the heat treatment chamber 810 . The opening 814 functions as an inlet through which the substrate is transported into and out of the processing space. An exhaust hole 816 is formed in the lower wall of the heat treatment chamber 810 . Process by-products generated in the processing space are exhausted to the outside through the exhaust hole 816 . An exhaust member 818 is connected to the exhaust hole 816 . The support plate 822 supports the substrate in the inner space of the heat treatment chamber 810 . The support plate 822 is provided to have a circular plate shape. A plurality of pinholes 823 are formed on the upper surface of the support plate 822 . For example, nine pinholes 823 may be provided. Three pinholes 823 may be provided in the central region of the support plate 822 and six in the edge region. Each pinhole 823 is provided in a circular shape. Each pinhole 823 is provided so that its longitudinal direction faces the third direction. The pinholes 823 formed in the edge region of the support plate 822 are spaced apart from each other in the circumferential direction of the support plate 822 . The pinholes 823 are spaced apart from each other at equal intervals.

지지플레이트(822)의 내부에는 히터(826)가 제공된다. 히터(826)는 외부에 위치된 외부전원과 연결된다. 히터(826)는 외부전원으로부터 전력을 인가받아 발열된다. 발열된 히터(826)는 지지플레이트(822)를 가열시키고, 이는 지지플레이트(822)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. 예컨대, 히터(826)는 열선으로 제공되거나, 인쇄된 발열체로 제공될 수 있다.A heater 826 is provided inside the support plate 822 . The heater 826 is connected to an external power source located outside. The heater 826 receives power from an external power source to generate heat. The heated heater 826 heats the support plate 822 , which heats the substrate W placed on the support plate 822 . For example, the heater 826 may be provided as a heating wire or a printed heating element.

가이드(824)는 지지플레이트(822)에 기판이 정위치에 놓이도록 기판을 안내한다. 가이드(824)는 복수 개로 제공된다. 각각의 가이드(824)는 지지플레이트(822)의 상면 가장자리에 위치된다. 각각의 가이드(824)는 그 상면이 지지플레이트(822)의 중심축과 가까울수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 가이드(824)는 지지플레이트(822)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드들(824)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 가이드들(824)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 가이드(824)와 지지플레이트(822)의 중심축 간의 거리는 핀홀(823)과 지지플레이트(822)의 중심축 간의 거리보다 멀게 제공된다. The guide 824 guides the substrate to place the substrate in place on the support plate 822 . A plurality of guides 824 are provided. Each guide 824 is located at the top edge of the support plate 822 . Each of the guides 824 is provided so that its upper surface faces a downwardly inclined direction as it is closer to the central axis of the support plate 822 . Each of the guides 824 are positioned to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the support plate 822 . The guides 824 are positioned equally spaced apart from each other. The guides 824 are provided in combination with each other to have an annular ring shape. The distance between each guide 824 and the central axis of the support plate 822 is greater than the distance between the pinhole 823 and the central axis of the support plate 822 .

핀 어셈블리(830)는 리프트핀(832) 및 핀 구동부재(835)를 포함한다. 리프트핀(832)은 각각의 핀홀(823)에 제공된다. 예컨대, 리프트핀(832)은 핀홀(823)과 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 리프트핀(832)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 리프트핀(832)은 그 상단이 지지플레이트(822)의 상면보다 위에 위치된다. 리프트핀(832)의 상단은 기판의 저면을 지지하는 지지영역으로 제공된다. 리프트핀(832)의 하단은 지지플레이트(822)의 아래에 위치되도록 제공된다.The pin assembly 830 includes a lift pin 832 and a pin driving member 835 . A lift pin 832 is provided in each pinhole 823 . For example, the lift pins 832 are provided in one-to-one correspondence with the pinholes 823 . The lift pins 832 are provided so that their longitudinal direction faces the third direction. The lift pin 832 has an upper end positioned above the upper surface of the support plate 822 . The upper end of the lift pin 832 serves as a support area for supporting the bottom surface of the substrate. The lower end of the lift pin 832 is provided to be positioned below the support plate 822 .

핀 구동부재(835)는 리프트핀(832)을 승강이동 또는 하강이동시킨다. 핀구동부재는 리프트핀(832)을 승강위치 및 공정위치로 이동시킨다. 승강위치 및 공정위치 각각은 리프트핀(832)의 상단이 지지플레이트(822)의 상면보다 높게 제공되는 위치이다. 승강위치는 공정위치에 비해 높은 위치로 제공된다. The pin driving member 835 moves the lift pin 832 up/down or down. The pin driving member moves the lift pin 832 to the elevating position and the process position. Each of the lifting position and the process position is a position in which the upper end of the lift pin 832 is provided higher than the upper surface of the support plate 822 . The lifting position is provided at a higher position than the process position.

핀 구동부재(835)는 바디(836) 및 모터(838)를 포함한다. 바디(836)는 각각의 리프트핀(832)을 지지한다. 각각의 리프트핀(832)은 그 하단이 바디(836)에 고정결합된다. 모터(838)는 바디(836)를 승강이동 또는 하강이동시킨다. 바디(836)가 승하강 이동됨에 따라 각각의 리프트핀(832)은 승강위치 및 공정위치로 동시 이동된다. 예컨대, 공정위치에 위치된 리프트핀(832)은 기판이 지지플레이트(822)로부터 제1거리(0.1mm 내지 1mm)만큼 이격되게 제공될 수 있다. 승강위치에 위치되는 리프트핀(832)은 기판이 열처리챔버(810)의 개구(814)에 대향되도록 제공할 수 있다.The pin driving member 835 includes a body 836 and a motor 838 . A body 836 supports each lift pin 832 . The lower end of each lift pin 832 is fixedly coupled to the body 836 . The motor 838 moves the body 836 up and down or down. As the body 836 is moved up and down, each lift pin 832 is simultaneously moved to the lift position and the process position. For example, the lift pins 832 positioned in the process position may be provided so that the substrate is spaced apart from the support plate 822 by a first distance (0.1 mm to 1 mm). The lift pins 832 positioned in the lifting position may be provided so that the substrate faces the opening 814 of the heat treatment chamber 810 .

제어기는 리프트핀(832)의 위치가 상이하도록 핀 구동부재(835) 및 외부전원을 제어한다. 공정모드 및 대기모드에 따라 리프트핀(832)의 위치를 제어한다. 여기서 공정모드는 히터(826)에 의해 기판을 가열처리하는 모드로 정의한다. 대기모드는 처리공간에 기판이 제공되지 않거나, 처리공간에 기판을 반출입하기 위한 모드로 정의한다. 도 8 및 도9를 참조하면, 공정모드에는 기판을 지지하는 리프트핀(832)이 공정위치로 이동되도록 핀 구동부재(835)를 제어한다. 리프트핀(832)은 기판과 지지플레이트(822) 간에 제1간격(D1) 이격되게 이동된다. 리프트핀(832)이 공정위치로 이동되면, 히터(826)에 전력을 제공하여 리프트핀(832)에 지지된 기판을 가열하도록 한다. 대기모드에는 공정위치에 위치된 리프트핀(832)이 승강위치로 승강 이동된다. 리프트핀(832)은 기판과 지지플레이트(822) 간에 제2간격(D2) 이격되게 이동된다. 승강위치에 위치되면, 도포부로봇(432)은 리프트핀(832)으로부터 기판을 인수한다.The controller controls the pin driving member 835 and the external power source so that the positions of the lift pins 832 are different. The position of the lift pin 832 is controlled according to the process mode and the standby mode. Here, the process mode is defined as a mode in which the substrate is heat-processed by the heater 826 . The standby mode is defined as a mode in which the substrate is not provided in the processing space or the substrate is transported into and out of the processing space. 8 and 9 , in the process mode, the pin driving member 835 is controlled so that the lift pins 832 supporting the substrate are moved to the process position. The lift pins 832 are moved to be spaced apart from each other by a first interval D 1 between the substrate and the support plate 822 . When the lift pins 832 are moved to the process position, electric power is supplied to the heater 826 to heat the substrate supported by the lift pins 832 . In the standby mode, the lift pin 832 positioned at the process position is moved up and down to the elevating position. The lift pins 832 are moved to be spaced apart from each other by a second interval D 2 between the substrate and the support plate 822 . When positioned in the lifting position, the applicator robot 432 takes over the substrate from the lift pins 832 .

상술한 실시예와 달리, 리프트핀(832)은 그 위치에 따라 높이가 상이하게 제공될 수 있다. 도10과 같이 리프트핀(832)은 중앙핀(833) 및 엣지핀(834)을 포함할 수 있다. 중앙핀(833)은 지지플레이트(822)의 중앙영역에 위치되는 핀홀(823)에 제공될 수 있다. 엣지핀(834)은 지지플레이트(822)의 가장자리영역에 위치되는 핀홀(823)에 제공될 수 있다. 예컨대, 중앙핀(833)은 3 개, 그리고 엣지핀(834)은 6 개로 제공될 수 있다. 핀 구동부재(840, 850)는 중앙핀(833) 및 엣지핀(834)은 서로 상이한 높이로 이동시킬 수 있다. 중앙핀(833)은 중앙구동부재(850)에 의해 승강 및 하강이동되고, 엣지핀(834)은 엣지구동부재(840)에 의해 승강 및 하강이동될 수 있다. 중앙구동부재(850)는 중앙핀(833)을 공정위치 및 승강위치로 이동시킬 수 있다. 엣지구동부재(840)는 엣지핀(834)을 공정위치 및 하강위치로 이동시킬 수 있다. 중앙핀(833)의 공정위치와 엣지핀(834)의 공정위치는 동일한 높이를 가지도록 제공될 수 있다. 엣지핀(834)의 하강위치는 공정위치에 비해 낮은 위치를 가지도록 제공될 수 있다. 하강위치는 엣지핀(834)의 상단이 핀홀(823)에 제공되는 위치일 수 있다. 공정모드에는 중앙핀(833) 및 엣지핀(834)이 공정위치로 이동될 수 있다. 대기모드에는 중앙핀(833)이 승강위치로 이동되고, 엣지핀(834)이 하강위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 엣지핀(834)은 대기모드에서 공정위치에 위치될 수 있다.Unlike the above-described embodiment, the lift pins 832 may be provided with different heights depending on their positions. As shown in FIG. 10 , the lift pin 832 may include a center pin 833 and an edge pin 834 . The center pin 833 may be provided in the pinhole 823 located in the central region of the support plate 822 . The edge pin 834 may be provided in the pinhole 823 located in the edge region of the support plate 822 . For example, three center pins 833 and six edge pins 834 may be provided. The pin driving members 840 and 850 may move the center pin 833 and the edge pin 834 to different heights. The center pin 833 may be moved up and down by the center driving member 850 , and the edge pin 834 may be moved up and down by the edge driving member 840 . The central driving member 850 may move the central pin 833 to the process position and the lifting position. The edge driving member 840 may move the edge pin 834 to the process position and the lowering position. The process position of the center pin 833 and the process position of the edge pin 834 may be provided to have the same height. The lowered position of the edge pin 834 may be provided to have a lower position than the process position. The descending position may be a position where the upper end of the edge pin 834 is provided in the pinhole 823 . In the process mode, the center pin 833 and the edge pin 834 may be moved to the process position. In the standby mode, the center pin 833 may be moved to the lifting position, and the edge pin 834 may be moved to the lowering position. Optionally, the edge pin 834 may be positioned at a process position in the standby mode.

다시 도2 내지 도5를 참조하면, 냉각유닛(421)은 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하기 위해 사용된다. 냉각유닛은 냉각 플레이트 및 리프트 어셈블리를 포함한다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각플레이트는 하나의 베이크 챔버(420) 내에서 지지플레이트(822)의 일측에 위치된다. 냉각플레이트는 기판을 지지하며, 내부에 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 냉각플레이트에는 복수 개의 핀홀이 형성되고, 각각의 핀홀에는 핀어셈블리(830)가 제공된다. 냉각유닛의 핀어셈블리는 가열유닛의 핀어셈블리(830)와 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.Referring back to FIGS. 2 to 5 , the cooling unit 421 is used to perform a cooling process of cooling the substrate W after each heating process. The cooling unit includes a cooling plate and a lift assembly. The cooling plate 421 is located on one side of the support plate 822 in one bake chamber 420 . The cooling plate supports the substrate, and cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element is provided therein. A plurality of pinholes are formed in the cooling plate, and a pin assembly 830 is provided in each pinhole. Since the fin assembly of the cooling unit has the same configuration as the fin assembly 830 of the heating unit, a description thereof will be omitted.

선택적으로 베이크 챔버들 중 일부에는 냉각유닛만을 제공되고, 다른 일부에는 가열유닛만이 제공될 수 있다. Optionally, only a cooling unit may be provided in some of the bake chambers, and only a heating unit may be provided in some other bake chambers.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for removing a part of the photoresist by supplying a developer solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 460 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The development chamber 460 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 460 are provided, and a plurality of development chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the figure, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470 , the developing chambers 460 , the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 , and the second buffer module 500 . The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540 of the The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to move linearly in the first direction 12 . The developing unit robot 482 has a hand 484 , an arm 485 , a support 486 , and a pedestal 487 . The hand 484 is fixedly installed on the arm 485 . The arm 485 is provided in a telescoping structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 485 is coupled to support 486 to be linearly movable in third direction 16 along support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the support 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the type of developer used in each developing chamber 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes a region irradiated with light from the photoresist on the substrate W. At this time, the region irradiated with light among the protective film is also removed. Only a region to which no light is irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed according to the type of the selectively used photoresist.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a housing 461 , a support plate 462 , and a nozzle 463 . The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developer to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is additionally supplied may be further provided in the developing chamber 460 .

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포모듈(401)의 베이크 챔버(470)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. Since the bake chamber 470 of the developing module 402 has the same shape as the bake chamber 470 of the application module 401 , a detailed description thereof will be omitted. The bake chamber 470 heat-treats the substrate W do. For example, the bake chambers 470 include a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process for cooling the wafer is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a heating wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 , and some may include only a heating plate 472 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400 , the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from above, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600 . In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510 , a buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 . have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , the second cooling chamber 540 , the edge exposure chamber 550 , and the second buffer robot 560 are positioned in the frame 510 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401 . The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401 . The edge exposure chamber 550 is spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the substrate W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes edges of the substrates W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W before the substrates W, which have been processed in the edge exposure chamber 550 , are transferred to the pre-processing module 601 , which will be described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W, which have been processed in the post-processing module 602 to be described later, before being transferred to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the substrates W on which the process is performed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of applying a protective film protecting the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. In addition, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of treating the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of treating the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned between each other. According to an example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The pretreatment module 601 includes a passivation layer application chamber 610 , a bake chamber 620 , and a transfer chamber 630 . The passivation layer application chamber 610 , the transfer chamber 630 , and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the passivation layer application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of passivation film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of passivation film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 620 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A pre-processing robot 632 is located in the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is installed between the protective film application chambers 610 , the bake chambers 620 , the buffer 520 of the second buffer module 500 , and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The pretreatment robot 632 has a hand 633 , an arm 634 , and a support 635 . The hand 633 is fixedly installed on the arm 634 . The arm 634 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The passivation layer application chamber 610 applies a passivation layer for protecting the resist film during immersion exposure on the substrate W. The protective film application chamber 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is positioned in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 has a circular tubular shape, and may supply the protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid comprises a foaming material. As the protective liquid, a material having a low affinity for photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612 .

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only a heating plate 622 , and some may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660 , a post-exposure bake chamber 670 , and a transfer chamber 680 . The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 may be provided and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes the cleaning chambers 660 , the post-exposure bake chambers 670 , the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 , and the second of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning solution onto the substrate W placed on the support plate 662 . As the cleaning solution, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662 . Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using deep ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with heating means 674 such as a hot wire or thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a bake chamber having only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600 , the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the passivation layer application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may be provided to have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . The first buffer 720 , the second buffer 730 , and the interface robot 740 are positioned in the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is the post-processing module 602 . The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transfers the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W, which have been processed in the pre-processing module 601 , before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 has the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 in the housing 721 so that the substrate W can be carried in or out of the support 722 into or out of the housing 721. The direction and the pre-processing robot ( 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the wafer.

상술한 실시예에는 핀 어셈블리(830)는 레지스트 도포 챔버(410)의 가열유닛(421) 또는 냉각유닛(422)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 핀 어셈블리(830)는 현상챔버(460)의 가열유닛(471) 또는 냉각유닛(472)에도 적용 가능하다. In the above-described embodiment, it has been described that the fin assembly 830 is provided to the heating unit 421 or the cooling unit 422 of the resist coating chamber 410 . However, the fin assembly 830 is also applicable to the heating unit 471 or the cooling unit 472 of the developing chamber 460 .

822: 지지플레이트 826: 히터
830: 핀 어셈블리 823: 핀홀
832: 리프트핀 835: 핀 구동부재822: support plate 826: heater
830: pin assembly 823: pinhole
832: lift pin 835: pin driving member

Claims (7)

내부에 처리공간을 제공하는 챔버와;
상기 처리공간에서 기판을 지지하며, 상면에 복수의 핀홀들이 형성되는 지지플레이트와;
상기 지지플레이트의 내부에서 기판을 가열하는 히터와;
상기 지지플레이트에 놓이는 기판을 승강 및 하강 이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되,
핀 어셈블리는,
상기 핀홀들 각각에 제공되는 리프트핀과;
상기 리프트핀을 승강위치와, 상기 승강위치보다 아래의 공정위치로 이동시키는 핀 구동부재를 포함하되,
상기 승강위치 및 상기 공정위치 각각은 상기 리프트핀의 상단이 상기 지지플레이트의 상면보다 위에 배치되는 위치로 제공되고,
상기 리프트핀은,
상기 지지플레이트의 중앙 영역에 위치되는 중앙핀과; 및
상기 지지플레이트의 가장자리 영역에 위치되는 엣지핀을 포함하고,
상기 중앙핀과 상기 엣지핀은 공정모드 및 대기모드에 따라 위치가 제어되고,
상기 공정모드에서 상기 중앙핀과 상기 엣지핀은 상기 공정위치로 이동되고,
상기 대기모드에서 상기 중앙핀은 상기 승강위치로 이동되고, 상기 엣지핀은 상기 공정위치 보다 낮은 위치인 하강위치로 이동되고,
상기 리프트핀이 상기 공정위치에 위치될 때, 상기 리프트핀의 상단은 상기 지지플레이트의 상면보다 높은 위치에 위치되고,
상기 엣지핀이 상기 하강위치에 위치될 때, 상기 엣지핀의 상단은 상기 핀홀 내에 위치되는 기판처리장치.a chamber providing a processing space therein;
a support plate supporting the substrate in the processing space and having a plurality of pinholes formed thereon;
a heater for heating the substrate inside the support plate;
Comprising a pin assembly for lifting and lowering the substrate placed on the support plate,
pin assembly,
a lift pin provided in each of the pinholes;
a pin driving member for moving the lift pin to a lifting position and a process position lower than the lifting position;
Each of the lifting position and the process position is provided in a position where the upper end of the lift pin is disposed above the upper surface of the support plate,
The lift pin is
a central pin positioned in the central region of the support plate; and
It includes an edge pin located in the edge region of the support plate,
The position of the center pin and the edge pin is controlled according to the process mode and the standby mode,
In the process mode, the center pin and the edge pin are moved to the process position,
In the standby mode, the center pin is moved to the elevating position, and the edge pin is moved to a lowered position lower than the process position,
When the lift pin is positioned at the process position, the upper end of the lift pin is positioned at a position higher than the upper surface of the support plate,
When the edge pin is positioned in the lowered position, an upper end of the edge pin is positioned in the pinhole. 제1항에 있어서,
상기 히터가 지지플레이트에 놓여진 기판을 가열하도록 상기 히터에 전력을 제공하는 외부전원과;
상기 공정모드 및 상기 대기모드에 따라 상기 핀 어셈블리 및 상기 외부전원을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 공정모드에는 상기 리프트핀을 상기 공정위치로 이동시키고, 상기 히터에 전력에 제공하는 기판처리장치.According to claim 1,
an external power supply providing power to the heater so that the heater heats the substrate placed on the support plate;
A controller for controlling the pin assembly and the external power source according to the process mode and the standby mode,
In the process mode, the substrate processing apparatus moves the lift pin to the process position and provides electric power to the heater. 제2항에 있어서,
상기 처리공간에 기판을 반입 및 반출시키는 반송로봇을 더 포함하되,
상기 대기모드에는 상기 반송로봇으로부터 기판을 인수 또는 인계하도록 상기 리프트핀을 상기 승강위치로 이동시키는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Further comprising a transport robot for loading and unloading the substrate into the processing space,
In the standby mode, the substrate processing apparatus moves the lift pin to the lifting position to receive or take over the substrate from the transfer robot. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 핀 구동부재는 상기 핀홀들 각각에 제공되는 리프트핀의 상단이 동일한 높이를 가지도록 각각의 상기 리프트핀을 동시 이동되는 기판처리장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The pin driving member is a substrate processing apparatus for simultaneously moving the respective lift pins so that upper ends of the lift pins provided in each of the pinholes have the same height. 제1항에 있어서,
상기 중앙핀을 상기 승강위치 및 상기 공정위치로 이동시키는 중앙구동부재와, 상기 엣지핀을 상기 공정위치 및 상기 하강위치로 이동시키는 엣지구동부재를 더 포함하는 기판처리장치.According to claim 1,
The substrate processing apparatus further comprising: a central driving member for moving the center pin to the elevating position and the process position; and an edge driving member for moving the edge pin to the process position and the lowering position. 지지플레이트에 놓여지는 기판을 가열 처리하는 방법에 있어서,
상기 지지플레이트의 내부에 제공된 히터가 상기 기판을 가열하는 기판가열단계를 포함하되,
상기 기판가열단계에는 상기 지지플레이트의 중앙영역에 형성되는 핀홀에 제공되는 중앙핀과, 상기 지지플레이트의 가장자리영역에 형성되는 핀홀에 제공되는 엣지핀이 공정위치로 이동되어 상기 기판을 상기 지지플레이트의 상면과 이격되게 위치되도록 지지하고,
상기 기판가열단계 전에는,
상기 중앙핀은 상기 공정위치보다 높은 위치인 승강위치로 이동되고, 상기 엣지핀은 상기 공정위치보다 낮은 위치인 하강위치로 이동되어 반송로봇으로부터 상기 기판을 인수하는 기판지지단계를 포함하되,
상기 엣지핀이 상기 하강위치에 위치될 때, 상기 엣지핀의 상단은 상기 핀홀 내에 위치되는 기판처리방법.A method of heat-treating a substrate placed on a support plate, the method comprising:
Including a substrate heating step in which a heater provided in the support plate heats the substrate,
In the step of heating the substrate, the center pin provided in the pinhole formed in the central region of the support plate and the edge pin provided in the pinhole formed in the edge region of the support plate are moved to the process position to move the substrate to the support plate. Support so as to be spaced apart from the upper surface,
Before the substrate heating step,
The center pin is moved to an elevated position that is higher than the process position, and the edge pin is moved to a lowered position that is lower than the process position, comprising a substrate supporting step of taking over the substrate from the transfer robot,
When the edge pin is positioned in the lowered position, the upper end of the edge pin is positioned in the pinhole. 삭제delete
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