KR20140101946A - lift pin assembly - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리프트핀 어셈블리 및 이를 가지는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a lift pin assembly and a substrate processing apparatus having the same.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정들이 단계별로 진행된다. 각각의 공정은 서로 상이한 장치에서 진행되며, 반송로봇은 기판을 각각의 장치 간에 반송한다. 또한 각각의 장치에는 반송로봇으로부터 기판을 인수받거나 인계하는 리프트핀 어셈블리가 제공된다. 이때 리프트핀 어셈블리에는 기판을 반송로봇으로부터 인수받거나 반송로봇으로 인계하기 위한 리프트핀이 제공된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes are performed step by step. Each process is performed in a different device, and the transfer robot carries the substrate between the respective devices. Further, each of the devices is provided with a lift pin assembly for taking or taking over the substrate from the carrier robot. At this time, the lift pin assembly is provided with a lift pin for receiving the substrate from the carrying robot or transferring it to the carrying robot.
일반적으로 기판의 로딩 시에는 리프트핀(2)이 지지플레이트(4)로부터 위로 승강되고, 반송로봇으로부터 기판을 인수받는다. 또한 기판의 언로딩 시에는 리프트핀(2)이 승강되어 지지플레이트(4)에 놓여진 기판을 들어 올리고, 반송로봇은 리프트핀(2)으로부터 기판을 인수한다. 도1은 일반적인 리프트핀 어셈블리을 보여주는 장치의 일 예로서, 리프트핀(2)은 베이스(6)에 고정결합되고 베이스(6)는 구동기(미도시)에 의해 리프트핀(2)과 함께 승강된다.Generally, when the substrate is loaded, the
그러나 리프트핀(2)이 기판과 접촉 시 리프트핀(2)의 승강속도로 인한 충격으로 인해 기판의 저면에는 스크래치가 발생되거나, 기판이 정위치에서 이탈될 수 있다. 이로 인해 리프트핀(2)은 기판의 안정성을 위해 느린 속도로 승강되어야 한다.However, due to the impact due to the lift speed of the
본 발명은 기판의 로딩 및 언로딩 시 기판의 충격을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention provides an apparatus capable of minimizing the impact of a substrate upon loading and unloading the substrate.
또한 본 발명은 기판의 로딩 및 언로딩 속도를 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus for improving the loading and unloading speed of a substrate.
본 발명의 실시예는 리프트핀 어셈블리 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 리프트핀 어셈블리는 내부에 공간을 제공하며, 상부 및 하부가 개방된 하우징, 상부영역이 상기 공간으로부터 위로 돌출되도록 위치되고, 기판을 지지하는 리프트핀, 그리고 상기 리프트핀에 탄성력을 제공하는 탄성부재를 포함한다.An embodiment of the present invention provides a lift pin assembly and a substrate processing apparatus having the lift pin assembly. The lift pin assembly provides a space therein and includes an upper and lower open housing, an upper region positioned to protrude upwardly from the space, a lift pin for supporting the substrate, and an elastic member for providing an elastic force to the lift pin .
상기 탄성부재의 탄성력을 조절하는 탄성력조절부재를 더 포함하되, 상기 탄성력조절부재는 상기 공간에서 상기 탄성부재를 지지하는 지지판 및 상기 지지판에 고정결합되고, 상기 지지판의 높이를 조절하는 조절핀을 포함할 수 있다. 상부 영역이 상기 공간에 삽입되고, 상기 리프트핀과 대향되게 위치되는 스토퍼를 더 포함할 수 있다, 상기 스토퍼는 상기 하우징에 대해 상대높이를 조절가능하도록 상기 하우징에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다. 상기 스토퍼의 하부영역은 상기 공간으로부터 아래로 돌출되고, 상기 스토퍼의 하부영역의 높이를 측정하는 높이측정부재를 더 포함할 수 있다. 상기 조절핀의 하부영역은 상기 공간으로부터 아래로 돌출되고, 상기 조절핀의 하부영역의 높이를 측정하는 높이측정부재를 더 포함할 수 있다.The elastic force adjusting member includes a support plate for supporting the elastic member in the space, and an adjusting pin fixedly coupled to the support plate and adjusting the height of the support plate. can do. The stopper may be provided with a bolt fastened to the housing so as to be adjustable in height relative to the housing. The stopper may be provided with an upper portion inserted into the space, and a stopper positioned opposite to the lift pin. The lower region of the stopper may further include a height measuring member protruding downward from the space and measuring a height of the lower region of the stopper. The lower region of the adjusting pin may protrude downward from the space and may further include a height measuring member for measuring the height of the lower region of the adjusting pin.
기판처리장치는 내부에 기판을 열처리 하는 베이크 챔버, 상기 베이크 챔버 내에 기판을 지지하도록 위치되고, 상면에 상하방향으로 핀홀이 형성되는 지지플레이트, 그리고 상기 핀홀을 통해 상기 기판을 승강시키는 리프트핀 어셈블리를 포함하되, 상기 리프트핀 어셈블리는 상기 지지플레이트의 아래에 위치되고, 상하방향으로 관통홀이 형성되는 베이스, 상기 관통홀에 삽입 결합되고, 내부에 공간을 제공하며, 상부 및 하부가 개방된 하우징, 상기 베이스를 상하방향으로 이동시키는 구동기, 상부영역이 상기 공간으로부터 돌출되도록 위치되고, 상기 지지플레이트에 기판을 로딩 또는 언로딩시키는 리프트핀, 그리고 상기 리프트핀에 탄성력을 제공하는 탄성부재를 포함한다.The substrate processing apparatus includes a bake chamber for heat-treating a substrate therein, a support plate positioned in the bake chamber for supporting the substrate, the support plate having a pinhole formed in a vertical direction on the upper surface thereof, and a lift pin assembly for moving the substrate through the pinhole Wherein the lift pin assembly includes a base positioned below the support plate and having a through hole formed in an up and down direction, a housing inserted into the through hole, providing a space therein, A driver for moving the base in an up and down direction, a lift pin positioned to protrude from the space in an upper region and loading or unloading the substrate to the support plate, and an elastic member for providing an elastic force to the lift pin.
상기 탄성부재의 탄성력을 조절하는 탄성력조절부재를 더 포함하되, 상기 탄성력조절부재는 상기 탄성부재를 지지하는 지지판 및 상기 지지판에 고정결합되고, 상기 지지판의 높이를 조절하는 조절핀을 포함할 수 있다. 상부 영역이 상기 공간에 삽입되고, 상기 리프트핀과 대향되게 위치되는 스토퍼를 더 포함할 수 있다. 상기 스토퍼는 상기 하우징에 대해 상대높이를 조절가능하도록 상기 하우징에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다.The elastic force adjusting member may include a supporting plate for supporting the elastic member and an adjusting pin fixedly coupled to the supporting plate and adjusting the height of the supporting plate. . And a stopper inserted into the space and positioned opposite to the lift pin. The stopper may be provided with a bolt fastened to the housing so as to adjust a relative height with respect to the housing.
본 발명의 실시예에 의하면, 리프트핀의 아래에 제공된 탄성부재는 기판과 리프트핀 간의 충격을 최소화하므로, 기판의 로딩 및 언로딩 시 기판의 파손을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the elastic member provided under the lift pin minimizes the impact between the substrate and the lift pin, so that breakage of the substrate upon loading and unloading of the substrate can be minimized.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 탄성부재의 탄성력을 조절하는 탄성력조절부재가 제공되므로, 기판과 리프트핀 간의 충격량을 조절할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the elastic force adjusting member for adjusting the elastic force of the elastic member is provided, the amount of impact between the substrate and the lift pin can be adjusted.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 스토퍼는 높이가 조절 가능하므로, 하우징 내에서 리프트핀의 최고높이와 최저높이 간의 거리를 조절하고, 이는 리프트핀에 가해진 충격이 탄성부재로 분산되는 시간을 조절할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the height of the stopper is adjustable, the distance between the highest height and the lowest height of the lift pin in the housing is adjusted, and this can adjust the time that the impact applied to the lift pin is dispersed to the elastic member have.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 리프트핀 간의 충격을 최소화하므로, 리프트핀의 승강속도를 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the impact between the substrate and the lift pin is minimized, the lift speed of the lift pin can be improved.
도1은 일반적인 리프트핀 어셈블리을 보여주는 단면도이다.
도2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도6는 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 'A'영역을 확대해 보여주는 단면도이다.
도8 내지 도10은 도6의 기판처리장치를 이용하여 기판을 언로딩하는 과정을 보여주는 단면도들이다.
도11은 도6의 기판처리장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a typical lift pin assembly;
Figure 2 is a top view of the substrate processing facility.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
Fig. 5 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
7 is an enlarged cross-sectional view of the 'A' region of FIG.
FIGS. 8 to 10 are cross-sectional views illustrating a process of unloading a substrate using the substrate processing apparatus of FIG.
11 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.
이하 도 2 내지 도 10을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. 2 through FIG.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist
베이크 챔버(420)에는 기판(W)을 열처리하는 기판처리장치가 제공된다. 도6는 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도6을 참조하면, 기판(W)처리장치는 가열유닛(421) 및 냉각유닛(422)을 포함한다. 가열유닛은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하기 위해 사용될 수 있다. The
가열유닛(421)은 가열플레이트(802), 히터(804), 그리고 리프트핀 어셈블리(810,830)를 포함한다. 가열플레이트(802)는 기판(W)을 지지하는 지지플레이트(802)로 제공된다. 가열플레이트(802)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 가열플레이트(802)의 상면에는 복수 개의 핀홀들이 형성된다. 예컨대, 핀홀들은 3 개로 제공될 수 있다. 핀홀들은 가열플레이트(802)의 상면 및 저면을 관통하도록 제공될 수 있다. 가열플레이트(802)의 상면 가장자리에는 가이드가 제공된다. 가이드는 기판(W)이 정위치에 놓여지도록 기판(W)의 위치를 안내한다. 가열플레이트(802)의 내부에는 히터(804)가 제공된다. 히터(804)는 외부에 위치된 전원과 연결된다. 히터(804)는 전원으로부터 전력을 인가받아 발열된다. 발열된 히터(804)는 가열플레이트(802)를 가열시키고, 이는 가열플레이트(802)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. 예컨대, 히터(804)는 열선으로 제공되거나, 인쇄된 발열체로 제공될 수 있다.The
리프트핀 어셈블리(810,830)는 도포부로봇과 가열플레이트(802) 간에 기판(W)을 전달하는 매개체로 기능한다. 도7은 도6의 'A'영역을 확대해 보여주는 단면도이다. 도7을 참조하면, 리프트핀 어셈블리(810,830)는 베이스(810), 구동기, 그리고 핀유닛(830)을 포함한다. 베이스(810)는 판 형상을 가지도록 제공된다. 베이스(810)는 가열플레이트(802)의 아래에 위치된다. 베이스(810)는 가열플레이트(802)와 이격되게 위치된다. 베이스(810)에는 복수 개의 관통홀들이 상하방향으로 형성된다. 관통홀의 상부영역은 하부영역에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 각각의 관통홀은 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 관통홀은 각각의 핀홀과 대향되게 제공된다. 예컨대, 관통홀들은 3 개로 제공될 수 있다. 구동기(미도시)는 베이스(810)를 상하방향으로 이동시킨다. 예컨대, 구동기(미도시)는 실린더 또는 모터로 제공될 수 있다. The
핀유닛(830)은 관통홀에 설치된다. 핀유닛(830)은 복수 개로 제공되며, 각각의 관통홀에 하나의 핀유닛(830)이 제공된다. 핀유닛(830)은 하우징(832), 리프트핀, 스토퍼(836), 탄성부재(838), 그리고 탄성력 조절부재(840)를 포함한다. 하우징(832)은 관통홀의 상부영역에 삽입된다. 하우징(832)은 베이스(810)에 고정결합된다. 하우징(832)은 내부에 공간을 제공하며, 상부 및 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(832)은 그 내부공간의 상부영역이 하부영역에 비해 작은 직경을 가지도록 단차지게 제공된다. 하우징(832)의 개방된 상부영역은 핀홀(803)과 대향되게 위치되고, 개방된 하부영역는 관통홀과 대향되게 위치된다.The
리프트핀(834)은 도포부 로봇으로부터 기판(W)을 직접 인수받거나 인계한다. 리프트핀(834)은 핀홀(803)에 삽입되고, 그 하단이 하우징(832)의 내부공간에 위치되도록 제공된다. 리프트핀(834)은 지지위치와 대기위치 간에 이동 가능하다. 여기서 지지위치는 리프트핀(834)의 상단이 핀홀(803)의 위 방향으로 돌출된 위치이고, 대기위치는 리프트핀(834)의 상단이 핀홀(803)에 삽입된 위치이다. 리프트핀(834)은 몸체(834a) 및 걸림턱(834b)을 가진다. 몸체(834a)는 그 길이방향이 상하방향을 향하는 핀 형상을 제공된다. 몸체(834a)의 상부영역은 핀홀(803)에 삽입되고, 하부영역은 하우징(832)의 내부공간에 삽입된다. 걸림턱(834b)은 몸체(834a)의 하부영역으로부터 외측방향으로 돌출되게 형성된다. 걸림턱(834b)은 하우징(832)의 단차진 영역과 대향되게 위치된다. 이에 따라 걸림턱(834b)은 하우징(832)의 단차진 영역에 걸리도록 제공된다. The lift pins 834 take over or take over the substrate W directly from the applicator robot. The
스토퍼(836)는 리프트핀(834)의 최저높이를 설정한다. 스토퍼(836)는 몸체와 대응되는 직경의 핀으로 제공될 수 있다. 스토퍼(836)는 그 길이방향이 상하방향으로 제공된다. 스토퍼(836)의 상단은 하우징(832)의 내부공간의 하부영역에 삽입되도록 베이스(810)의 관통홀의 하부영역에 삽입된다. 스토퍼(836)는 리프트핀(834)의 아래에서 리프트핀(834)과 대향되게 위치된다. 스토퍼(836)의 하단은 베이스(810)의 관통홀을 통해 베이스(810)의 외부로 돌출되게 위치된다. 스토퍼(836)는 하우징(832)에 고정결합된다. 예컨대, 스토퍼(836)는 하우징(832)에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다. 스토퍼(836)는 베이스(810) 및 하우징(832)에 대해 상대높이가 조절가능하도록 제공된다.The
탄성부재(838)는 리프트핀(834)에 탄성력을 제공한다. 탄성부재(838)는 리프트핀(834)과 기판(W)이 서로 접촉 시 기판(W)에 가해지는 충격을 완화시키도록 리프트핀(834)에 완충제 역할을 한다. 일 예에 의하면, 탄성부재(838)는 스프링으로 제공될 수 있다. 탄성부재(838)의 상단은 리프트핀(834)의 걸림턱(834b)에 고정되고, 하단은 탄성력조절부재(840)의 지지판(843)에 고정된다. The
탄성력조절부재(840)는 탄성부재(838)의 탄성력을 조절한다. 탄성력조절부재(840)는 탄성부재(838)의 하단 위치를 조절하여 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 조절한다. 탄성력조절부재(840)는 지지판(843) 및 조절핀(844)을 포함한다. 지지판(843)은 판 형상으로 제공된다. 지지판(843)은 하우징(832)의 내부공간에서 탄성부재(838)의 하단을 지지한다. 조절핀(844)은 베이스(810) 및 하우징(832)에 대해 지지판(843)의 상대높이를 조절한다. 조절핀(844)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공된다. 조절핀(844)은 그 상단이 하우징(832)의 내부공간에 위치되고, 하단은 베이스(810)의 아래방향으로 돌출되도록 위치된다. 조절핀(844)의 상단은 지지판(843)과 고정결합된다. 예컨대, 조절핀(844)은 하우징(832)에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 지지판(843)의 높이가 높을수록 탄성부재(838)는 수축되고, 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 증가된다. 이와 반대로, 지지판(843)의 높이가 낮을수록 탄성부재(838)는 팽창되고, 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 줄어든다. The elastic
다음은 상술한 리프트핀 어셈블리(810,830)를 이용하여 기판(W)을 언로딩하는 과정에 대해 설명한다. 도7 내지 도9를 참조하면, 기판(W)에 대한 베이크공정이 완료되면, 베이스(810)는 구동기에 의해 승강된다. 이에 따라 리프트핀(834), 탄성부재(838), 그리고 스토퍼(836)는 함께 승강된다. 리프트핀(834)이 가열플레이트(802)에 놓인 기판(W)과 접촉되면, 기판(W)의 무게로 인해 리프트핀(834)에는 아래방향으로 힘이 가해진다. 이때 리프트핀(834)에 가해지는 힘은 탄성부재(838)에 의해 완충된다. 리프트핀(834)과 스토퍼(836) 간에 간격은 점진적으로 가까워지고, 리프트핀(834)과 스토퍼(836)가 접촉되면 리프트핀(834)은 기판(W)을 들어올린다. 리프트핀(834)이 지지위치로 위치되면, 도포부로봇(432)은 기판(W)을 리프트핀(834)으로부터 인수한다.Next, a process of unloading the substrate W using the
상술한 실시예에 의하면, 스토퍼(836)는 하우징(832) 및 베이스(810)에 대한 상대 높이가 조절 가능하도록 제공된다. 이로 인해 스토퍼(836)는 리프트핀(834)의 최저 높이를 조절할 수 있고, 이로 인해 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이가 조절된다. 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이 간의 거리는 멀어질수록 리프트핀(834)에 가해지는 충격량을 보다 많이 분산시킬 수 있다. 그러나 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이 간의 거리는 멀어질수록 기판(W)을 들어올리는 시간 또한 길어지므로, 작업자는 작업 환경에 맞게 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이 간의 거리를 조절할 수 있다.According to the above-described embodiment, the
상술한 실시예와 달리, 리프트핀 어셈블리(810,830)는 높이측정부재(900)를 더 포함할 수 있다. 높이측정부재(900)는 베이스(810)의 저면에서 스토퍼(836)의 하부영역과 인접하게 위치될 수 있다. 높이측정부재(900)는 스토퍼(836)의 하단의 높이를 측정하는 측정수단을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 작업자는 높이측정부재(900)를 통해 각각의 스토퍼(836)의 높이를 측정하고, 각각의 스토퍼(836)가 모두 동일한 높이를 가지도록 스토퍼(836)를 조정할 수 있다. 또한 스토퍼(836)와 리프트핀(834) 간의 간격을 조정할 수 있다.Unlike the above-described embodiment, the
또한 높이측정부재(900)는 조절핀(844)의 하단의 높이를 측정하는 측정수단을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 작업자는 높이측정부재(900)를 통해 각각의 조절핀(844)의 높이를 측정하고, 지지판(843)의 높이를 조정하여 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 조절할 수 있다.The
다시 도2 내지 도5를 참조하면, 냉각유닛(421)은 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하기 위해 사용된다. 냉각유닛은 냉각 플레이트 및 리프트 어셈블리를 포함한다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각플레이트는 하나의 베이크 챔버(420) 내에서 가열플레이트의 일측에 위치된다. 냉각플레이트는 기판을 지지하며, 내부에 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 냉각플레이트에는 복수 개의 핀홀이 형성되고, 각각의 핀홀에는 리프트핀 어셈블리가 제공된다. 냉각유닛의 리프트핀 어셈블리는 가열유닛의 리프트핀 어셈블리와 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.2 to 5, the
선택적으로 베이크 챔버들 중 일부에는 냉각유닛만을 제공되고, 다른 일부에는 가열유닛만이 제공될 수 있다. Optionally, only some of the bake chambers may be provided with cooling units, while others may be provided with only heating units.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The
현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포모듈(401)의 베이크 챔버(470)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The
상술한 실시예에는 리프트핀 어셈블리(810,830)는 레지스트 도포 챔버(410)의 가열유닛(421) 또는 냉각유닛(422)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 리프트핀 어셈블리는 현상챔버(460)의 가열유닛(471) 또는 냉각유닛(472)에도 적용 가능하다. It is described that the
또한 리프트핀 어셈블리(810,830)는 리프트핀(834)을 이용하여 기판(W)을 로딩/언로딩 시 모두 적용 가능하다. 예컨대, 리프트핀 어셈블리는 식각공정, 증착공정, 그리고 애싱공정과 같은 플라즈마 처리공정에서 기판(W)을 지지하는 정전척에 제공될 수 있다.Further, the
832: 하우징 834: 리프트핀
836: 스토퍼 838: 탄성부재
840: 탄성력조절부재832: Housing 834: Lift pin
836: Stopper 838: Elastic member
840: elastic force adjusting member
Claims (2)
상부영역이 상기 공간으로부터 위로 돌출되도록 위치되고, 기판을 지지하는 리프트핀과;
상기 리프트핀에 탄성력을 제공하는 탄성부재를 포함하는 리프트핀 어셈블리.A housing which provides a space therein and in which upper and lower portions are opened;
A lift pin positioned above the space to project upwardly from the space, the lift pin supporting the substrate;
And an elastic member for providing an elastic force to the lift pin.
상기 탄성부재의 탄성력을 조절하는 탄성력조절부재를 더 포함하되,
상기 탄성력조절부재는,
상기 공간에서 상기 탄성부재를 지지하는 지지판과;
상기 지지판에 고정결합되고, 상기 지지판의 높이를 조절하는 조절핀을 포함하는 리프트핀 어셈블리.
The method according to claim 1,
Further comprising an elasticity adjusting member for adjusting elasticity of the elastic member,
The elastic force adjusting member
A support plate for supporting the elastic member in the space;
A lift pin assembly fixedly coupled to the support plate and configured to adjust a height of the support plate.
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KR1020130015193A KR20140101946A (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | lift pin assembly |
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KR1020130015193A KR20140101946A (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | lift pin assembly |
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KR20140101946A true KR20140101946A (en) | 2014-08-21 |
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ID=51747009
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KR1020130015193A KR20140101946A (en) | 2013-02-13 | 2013-02-13 | lift pin assembly |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110047779A (en) * | 2018-01-15 | 2019-07-23 | 细美事有限公司 | Equipment for processing a substrate |
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- 2013-02-13 KR KR1020130015193A patent/KR20140101946A/en not_active Application Discontinuation
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US11282720B2 (en) | 2018-01-15 | 2022-03-22 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |