KR20140101946A

KR20140101946A - lift pin assembly

Info

Publication number: KR20140101946A
Application number: KR1020130015193A
Authority: KR
Inventors: 홍남기
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-02-13
Filing date: 2013-02-13
Publication date: 2014-08-21

Abstract

According to an embodiment of the present invention, a lift pin assembly and a substrate treatment apparatus having the same are provided. The lift pin assembly comprises a housing which provides a space therein and whose upper and lower part are open; a lift pin whose upper area is positioned to protrude upward from the space and which supports a substrate; an elastic member which provides elastic force to the lift pin. Therefore, damage to the substrate when the substrate is being loaded or unloaded can be minimized.

Description

Lift pin assembly}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리프트핀 어셈블리 및 이를 가지는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a lift pin assembly and a substrate processing apparatus having the same.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정들이 단계별로 진행된다. 각각의 공정은 서로 상이한 장치에서 진행되며, 반송로봇은 기판을 각각의 장치 간에 반송한다. 또한 각각의 장치에는 반송로봇으로부터 기판을 인수받거나 인계하는 리프트핀 어셈블리가 제공된다. 이때 리프트핀 어셈블리에는 기판을 반송로봇으로부터 인수받거나 반송로봇으로 인계하기 위한 리프트핀이 제공된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes are performed step by step. Each process is performed in a different device, and the transfer robot carries the substrate between the respective devices. Further, each of the devices is provided with a lift pin assembly for taking or taking over the substrate from the carrier robot. At this time, the lift pin assembly is provided with a lift pin for receiving the substrate from the carrying robot or transferring it to the carrying robot.

일반적으로 기판의 로딩 시에는 리프트핀(2)이 지지플레이트(4)로부터 위로 승강되고, 반송로봇으로부터 기판을 인수받는다. 또한 기판의 언로딩 시에는 리프트핀(2)이 승강되어 지지플레이트(4)에 놓여진 기판을 들어 올리고, 반송로봇은 리프트핀(2)으로부터 기판을 인수한다. 도1은 일반적인 리프트핀 어셈블리을 보여주는 장치의 일 예로서, 리프트핀(2)은 베이스(6)에 고정결합되고 베이스(6)는 구동기(미도시)에 의해 리프트핀(2)과 함께 승강된다.Generally, when the substrate is loaded, the lift pins 2 are lifted up from the support plate 4, and the substrate is taken over by the transport robot. When the substrate is unloaded, the lift pins 2 are lifted and raised to lift the substrate placed on the support plate 4, and the carrier robot takes over the substrate from the lift pins 2. [ 1 is an example of an apparatus showing a general lift pin assembly wherein a lift pin 2 is fixedly coupled to a base 6 and a base 6 is lifted together with a lift pin 2 by a driver (not shown).

그러나 리프트핀(2)이 기판과 접촉 시 리프트핀(2)의 승강속도로 인한 충격으로 인해 기판의 저면에는 스크래치가 발생되거나, 기판이 정위치에서 이탈될 수 있다. 이로 인해 리프트핀(2)은 기판의 안정성을 위해 느린 속도로 승강되어야 한다.However, due to the impact due to the lift speed of the lift pins 2 when the lift pins 2 are in contact with the substrate, scratches may be generated on the bottom surface of the substrate, or the substrate may be detached from the correct position. As a result, the lift pins 2 have to be moved up and down at a slow speed for stability of the substrate.

본 발명은 기판의 로딩 및 언로딩 시 기판의 충격을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention provides an apparatus capable of minimizing the impact of a substrate upon loading and unloading the substrate.

또한 본 발명은 기판의 로딩 및 언로딩 속도를 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus for improving the loading and unloading speed of a substrate.

본 발명의 실시예는 리프트핀 어셈블리 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 리프트핀 어셈블리는 내부에 공간을 제공하며, 상부 및 하부가 개방된 하우징, 상부영역이 상기 공간으로부터 위로 돌출되도록 위치되고, 기판을 지지하는 리프트핀, 그리고 상기 리프트핀에 탄성력을 제공하는 탄성부재를 포함한다.An embodiment of the present invention provides a lift pin assembly and a substrate processing apparatus having the lift pin assembly. The lift pin assembly provides a space therein and includes an upper and lower open housing, an upper region positioned to protrude upwardly from the space, a lift pin for supporting the substrate, and an elastic member for providing an elastic force to the lift pin .

상기 탄성부재의 탄성력을 조절하는 탄성력조절부재를 더 포함하되, 상기 탄성력조절부재는 상기 공간에서 상기 탄성부재를 지지하는 지지판 및 상기 지지판에 고정결합되고, 상기 지지판의 높이를 조절하는 조절핀을 포함할 수 있다. 상부 영역이 상기 공간에 삽입되고, 상기 리프트핀과 대향되게 위치되는 스토퍼를 더 포함할 수 있다, 상기 스토퍼는 상기 하우징에 대해 상대높이를 조절가능하도록 상기 하우징에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다. 상기 스토퍼의 하부영역은 상기 공간으로부터 아래로 돌출되고, 상기 스토퍼의 하부영역의 높이를 측정하는 높이측정부재를 더 포함할 수 있다. 상기 조절핀의 하부영역은 상기 공간으로부터 아래로 돌출되고, 상기 조절핀의 하부영역의 높이를 측정하는 높이측정부재를 더 포함할 수 있다.The elastic force adjusting member includes a support plate for supporting the elastic member in the space, and an adjusting pin fixedly coupled to the support plate and adjusting the height of the support plate. can do. The stopper may be provided with a bolt fastened to the housing so as to be adjustable in height relative to the housing. The stopper may be provided with an upper portion inserted into the space, and a stopper positioned opposite to the lift pin. The lower region of the stopper may further include a height measuring member protruding downward from the space and measuring a height of the lower region of the stopper. The lower region of the adjusting pin may protrude downward from the space and may further include a height measuring member for measuring the height of the lower region of the adjusting pin.

기판처리장치는 내부에 기판을 열처리 하는 베이크 챔버, 상기 베이크 챔버 내에 기판을 지지하도록 위치되고, 상면에 상하방향으로 핀홀이 형성되는 지지플레이트, 그리고 상기 핀홀을 통해 상기 기판을 승강시키는 리프트핀 어셈블리를 포함하되, 상기 리프트핀 어셈블리는 상기 지지플레이트의 아래에 위치되고, 상하방향으로 관통홀이 형성되는 베이스, 상기 관통홀에 삽입 결합되고, 내부에 공간을 제공하며, 상부 및 하부가 개방된 하우징, 상기 베이스를 상하방향으로 이동시키는 구동기, 상부영역이 상기 공간으로부터 돌출되도록 위치되고, 상기 지지플레이트에 기판을 로딩 또는 언로딩시키는 리프트핀, 그리고 상기 리프트핀에 탄성력을 제공하는 탄성부재를 포함한다.The substrate processing apparatus includes a bake chamber for heat-treating a substrate therein, a support plate positioned in the bake chamber for supporting the substrate, the support plate having a pinhole formed in a vertical direction on the upper surface thereof, and a lift pin assembly for moving the substrate through the pinhole Wherein the lift pin assembly includes a base positioned below the support plate and having a through hole formed in an up and down direction, a housing inserted into the through hole, providing a space therein, A driver for moving the base in an up and down direction, a lift pin positioned to protrude from the space in an upper region and loading or unloading the substrate to the support plate, and an elastic member for providing an elastic force to the lift pin.

상기 탄성부재의 탄성력을 조절하는 탄성력조절부재를 더 포함하되, 상기 탄성력조절부재는 상기 탄성부재를 지지하는 지지판 및 상기 지지판에 고정결합되고, 상기 지지판의 높이를 조절하는 조절핀을 포함할 수 있다. 상부 영역이 상기 공간에 삽입되고, 상기 리프트핀과 대향되게 위치되는 스토퍼를 더 포함할 수 있다. 상기 스토퍼는 상기 하우징에 대해 상대높이를 조절가능하도록 상기 하우징에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다.The elastic force adjusting member may include a supporting plate for supporting the elastic member and an adjusting pin fixedly coupled to the supporting plate and adjusting the height of the supporting plate. . And a stopper inserted into the space and positioned opposite to the lift pin. The stopper may be provided with a bolt fastened to the housing so as to adjust a relative height with respect to the housing.

본 발명의 실시예에 의하면, 리프트핀의 아래에 제공된 탄성부재는 기판과 리프트핀 간의 충격을 최소화하므로, 기판의 로딩 및 언로딩 시 기판의 파손을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the elastic member provided under the lift pin minimizes the impact between the substrate and the lift pin, so that breakage of the substrate upon loading and unloading of the substrate can be minimized.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 탄성부재의 탄성력을 조절하는 탄성력조절부재가 제공되므로, 기판과 리프트핀 간의 충격량을 조절할 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the elastic force adjusting member for adjusting the elastic force of the elastic member is provided, the amount of impact between the substrate and the lift pin can be adjusted.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 스토퍼는 높이가 조절 가능하므로, 하우징 내에서 리프트핀의 최고높이와 최저높이 간의 거리를 조절하고, 이는 리프트핀에 가해진 충격이 탄성부재로 분산되는 시간을 조절할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, since the height of the stopper is adjustable, the distance between the highest height and the lowest height of the lift pin in the housing is adjusted, and this can adjust the time that the impact applied to the lift pin is dispersed to the elastic member have.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 리프트핀 간의 충격을 최소화하므로, 리프트핀의 승강속도를 향상시킬 수 있다.In addition, according to the embodiment of the present invention, since the impact between the substrate and the lift pin is minimized, the lift speed of the lift pin can be improved.

도1은 일반적인 리프트핀 어셈블리을 보여주는 단면도이다.
도2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도6는 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 'A'영역을 확대해 보여주는 단면도이다.
도8 내지 도10은 도6의 기판처리장치를 이용하여 기판을 언로딩하는 과정을 보여주는 단면도들이다.
도11은 도6의 기판처리장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a typical lift pin assembly;
Figure 2 is a top view of the substrate processing facility.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
Fig. 5 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
7 is an enlarged cross-sectional view of the 'A' region of FIG.
FIGS. 8 to 10 are cross-sectional views illustrating a process of unloading a substrate using the substrate processing apparatus of FIG.
11 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 2 내지 도 10을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. 2 through FIG.

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)에는 기판(W)을 열처리하는 기판처리장치가 제공된다. 도6는 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도6을 참조하면, 기판(W)처리장치는 가열유닛(421) 및 냉각유닛(422)을 포함한다. 가열유닛은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하기 위해 사용될 수 있다. The bake chamber 420 is provided with a substrate processing apparatus for heat-treating the substrate W. 6 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. Referring to Fig. 6, the substrate W processing apparatus includes a heating unit 421 and a cooling unit 422. Fig. The heating unit may include a prebake step of heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the substrate W before the photoresist is applied or a prebake step in which a photoresist is coated on the substrate W A soft bake process to be performed later, and the like.

가열유닛(421)은 가열플레이트(802), 히터(804), 그리고 리프트핀 어셈블리(810,830)를 포함한다. 가열플레이트(802)는 기판(W)을 지지하는 지지플레이트(802)로 제공된다. 가열플레이트(802)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 가열플레이트(802)의 상면에는 복수 개의 핀홀들이 형성된다. 예컨대, 핀홀들은 3 개로 제공될 수 있다. 핀홀들은 가열플레이트(802)의 상면 및 저면을 관통하도록 제공될 수 있다. 가열플레이트(802)의 상면 가장자리에는 가이드가 제공된다. 가이드는 기판(W)이 정위치에 놓여지도록 기판(W)의 위치를 안내한다. 가열플레이트(802)의 내부에는 히터(804)가 제공된다. 히터(804)는 외부에 위치된 전원과 연결된다. 히터(804)는 전원으로부터 전력을 인가받아 발열된다. 발열된 히터(804)는 가열플레이트(802)를 가열시키고, 이는 가열플레이트(802)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. 예컨대, 히터(804)는 열선으로 제공되거나, 인쇄된 발열체로 제공될 수 있다.The heating unit 421 includes a heating plate 802, a heater 804, and a lift pin assembly 810,830. The heating plate 802 is provided with a supporting plate 802 for supporting the substrate W. The heating plate 802 is provided to have a circular plate shape. A plurality of pinholes are formed on the upper surface of the heating plate 802. For example, pinholes may be provided in three. The pinholes may be provided to penetrate the upper surface and the lower surface of the heating plate 802. A guide is provided on the top edge of the heating plate 802. The guide guides the position of the substrate W so that the substrate W is in position. A heater 804 is provided inside the heating plate 802. The heater 804 is connected to an external power source. The heater 804 receives power from the power source and generates heat. The heated heater 804 heats the heating plate 802, which heats the substrate W placed on the heating plate 802. For example, the heater 804 may be provided as a heating wire or may be provided as a printed heating element.

리프트핀 어셈블리(810,830)는 도포부로봇과 가열플레이트(802) 간에 기판(W)을 전달하는 매개체로 기능한다. 도7은 도6의 'A'영역을 확대해 보여주는 단면도이다. 도7을 참조하면, 리프트핀 어셈블리(810,830)는 베이스(810), 구동기, 그리고 핀유닛(830)을 포함한다. 베이스(810)는 판 형상을 가지도록 제공된다. 베이스(810)는 가열플레이트(802)의 아래에 위치된다. 베이스(810)는 가열플레이트(802)와 이격되게 위치된다. 베이스(810)에는 복수 개의 관통홀들이 상하방향으로 형성된다. 관통홀의 상부영역은 하부영역에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 각각의 관통홀은 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 관통홀은 각각의 핀홀과 대향되게 제공된다. 예컨대, 관통홀들은 3 개로 제공될 수 있다. 구동기(미도시)는 베이스(810)를 상하방향으로 이동시킨다. 예컨대, 구동기(미도시)는 실린더 또는 모터로 제공될 수 있다. The lift pin assemblies 810 and 830 serve as intermediaries for transferring the substrate W between the applicator robot and the heating plate 802. 7 is an enlarged cross-sectional view of the 'A' region of FIG. Referring to FIG. 7, the lift pin assemblies 810 and 830 include a base 810, a driver, and a pin unit 830. The base 810 is provided to have a plate shape. The base 810 is positioned below the heating plate 802. The base 810 is spaced apart from the heating plate 802. In the base 810, a plurality of through holes are formed in the vertical direction. The upper region of the through hole is provided to have a larger diameter than the lower region. Each of the through holes is provided so as to have the same shape. Each through hole is provided so as to face each pin hole. For example, the through holes may be provided in three. A driver (not shown) moves the base 810 in the vertical direction. For example, a driver (not shown) may be provided as a cylinder or a motor.

핀유닛(830)은 관통홀에 설치된다. 핀유닛(830)은 복수 개로 제공되며, 각각의 관통홀에 하나의 핀유닛(830)이 제공된다. 핀유닛(830)은 하우징(832), 리프트핀, 스토퍼(836), 탄성부재(838), 그리고 탄성력 조절부재(840)를 포함한다. 하우징(832)은 관통홀의 상부영역에 삽입된다. 하우징(832)은 베이스(810)에 고정결합된다. 하우징(832)은 내부에 공간을 제공하며, 상부 및 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 하우징(832)은 그 내부공간의 상부영역이 하부영역에 비해 작은 직경을 가지도록 단차지게 제공된다. 하우징(832)의 개방된 상부영역은 핀홀(803)과 대향되게 위치되고, 개방된 하부영역는 관통홀과 대향되게 위치된다.The pin unit 830 is installed in the through hole. A plurality of pin units 830 are provided, and one pin unit 830 is provided in each through hole. The pin unit 830 includes a housing 832, a lift pin, a stopper 836, an elastic member 838, and an elasticity adjusting member 840. The housing 832 is inserted into the upper region of the through hole. The housing 832 is fixedly coupled to the base 810. The housing 832 provides a space therein, and has a tubular shape in which upper and lower portions are opened. The housing 832 is stepped so that the upper region of the inner space has a smaller diameter than the lower region. An open upper region of the housing 832 is positioned opposite the pinhole 803, and an open lower region is positioned opposite the through hole.

리프트핀(834)은 도포부 로봇으로부터 기판(W)을 직접 인수받거나 인계한다. 리프트핀(834)은 핀홀(803)에 삽입되고, 그 하단이 하우징(832)의 내부공간에 위치되도록 제공된다. 리프트핀(834)은 지지위치와 대기위치 간에 이동 가능하다. 여기서 지지위치는 리프트핀(834)의 상단이 핀홀(803)의 위 방향으로 돌출된 위치이고, 대기위치는 리프트핀(834)의 상단이 핀홀(803)에 삽입된 위치이다. 리프트핀(834)은 몸체(834a) 및 걸림턱(834b)을 가진다. 몸체(834a)는 그 길이방향이 상하방향을 향하는 핀 형상을 제공된다. 몸체(834a)의 상부영역은 핀홀(803)에 삽입되고, 하부영역은 하우징(832)의 내부공간에 삽입된다. 걸림턱(834b)은 몸체(834a)의 하부영역으로부터 외측방향으로 돌출되게 형성된다. 걸림턱(834b)은 하우징(832)의 단차진 영역과 대향되게 위치된다. 이에 따라 걸림턱(834b)은 하우징(832)의 단차진 영역에 걸리도록 제공된다. The lift pins 834 take over or take over the substrate W directly from the applicator robot. The lift pin 834 is inserted into the pinhole 803, and the lower end thereof is provided so as to be located in the inner space of the housing 832. The lift pin 834 is movable between a support position and a standby position. Here, the support position is a position where the upper end of the lift pin 834 protrudes upward from the pinhole 803, and the standby position is the position where the upper end of the lift pin 834 is inserted into the pinhole 803. [ The lift pin 834 has a body 834a and a latching jaw 834b. The body 834a is provided with a pin shape whose longitudinal direction is directed up and down. The upper region of the body 834a is inserted into the pinhole 803 and the lower region is inserted into the inner space of the housing 832. [ The latching jaw 834b is formed to protrude outward from the lower region of the body 834a. The latching jaw 834b is positioned to face the stepped region of the housing 832. [ So that the latching jaw 834b is provided so as to be caught in the stepped region of the housing 832. [

스토퍼(836)는 리프트핀(834)의 최저높이를 설정한다. 스토퍼(836)는 몸체와 대응되는 직경의 핀으로 제공될 수 있다. 스토퍼(836)는 그 길이방향이 상하방향으로 제공된다. 스토퍼(836)의 상단은 하우징(832)의 내부공간의 하부영역에 삽입되도록 베이스(810)의 관통홀의 하부영역에 삽입된다. 스토퍼(836)는 리프트핀(834)의 아래에서 리프트핀(834)과 대향되게 위치된다. 스토퍼(836)의 하단은 베이스(810)의 관통홀을 통해 베이스(810)의 외부로 돌출되게 위치된다. 스토퍼(836)는 하우징(832)에 고정결합된다. 예컨대, 스토퍼(836)는 하우징(832)에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다. 스토퍼(836)는 베이스(810) 및 하우징(832)에 대해 상대높이가 조절가능하도록 제공된다.The stopper 836 sets the lowest height of the lift pin 834. [ The stopper 836 may be provided with a pin having a diameter corresponding to the body. The stopper 836 is provided in the up and down direction in its longitudinal direction. The upper end of the stopper 836 is inserted into the lower region of the through hole of the base 810 so as to be inserted into the lower region of the inner space of the housing 832. The stopper 836 is positioned below the lift pin 834 and opposite the lift pin 834. The lower end of the stopper 836 is positioned so as to protrude to the outside of the base 810 through the through hole of the base 810. The stopper 836 is fixedly coupled to the housing 832. For example, the stopper 836 may be provided with a bolt that is fastened to the housing 832. The stopper 836 is provided so that the relative height with respect to the base 810 and the housing 832 is adjustable.

탄성부재(838)는 리프트핀(834)에 탄성력을 제공한다. 탄성부재(838)는 리프트핀(834)과 기판(W)이 서로 접촉 시 기판(W)에 가해지는 충격을 완화시키도록 리프트핀(834)에 완충제 역할을 한다. 일 예에 의하면, 탄성부재(838)는 스프링으로 제공될 수 있다. 탄성부재(838)의 상단은 리프트핀(834)의 걸림턱(834b)에 고정되고, 하단은 탄성력조절부재(840)의 지지판(843)에 고정된다. The elastic member 838 provides an elastic force to the lift pin 834. The elastic member 838 serves as a buffer for the lift pins 834 to mitigate the impact of the lift pins 834 and the substrate W on the substrate W when they are in contact with each other. According to one example, the elastic member 838 may be provided with a spring. The upper end of the elastic member 838 is fixed to the engagement step 834b of the lift pin 834 and the lower end thereof is fixed to the support plate 843 of the elastic force adjusting member 840. [

탄성력조절부재(840)는 탄성부재(838)의 탄성력을 조절한다. 탄성력조절부재(840)는 탄성부재(838)의 하단 위치를 조절하여 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 조절한다. 탄성력조절부재(840)는 지지판(843) 및 조절핀(844)을 포함한다. 지지판(843)은 판 형상으로 제공된다. 지지판(843)은 하우징(832)의 내부공간에서 탄성부재(838)의 하단을 지지한다. 조절핀(844)은 베이스(810) 및 하우징(832)에 대해 지지판(843)의 상대높이를 조절한다. 조절핀(844)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공된다. 조절핀(844)은 그 상단이 하우징(832)의 내부공간에 위치되고, 하단은 베이스(810)의 아래방향으로 돌출되도록 위치된다. 조절핀(844)의 상단은 지지판(843)과 고정결합된다. 예컨대, 조절핀(844)은 하우징(832)에 체결되는 볼트로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 지지판(843)의 높이가 높을수록 탄성부재(838)는 수축되고, 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 증가된다. 이와 반대로, 지지판(843)의 높이가 낮을수록 탄성부재(838)는 팽창되고, 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 줄어든다. The elastic force adjusting member 840 adjusts the elastic force of the elastic member 838. The elastic force adjusting member 840 adjusts the elastic force applied to the lift pin 834 by adjusting the lower end position of the elastic member 838. The elastic force regulating member 840 includes a supporting plate 843 and an adjusting pin 844. The support plate 843 is provided in a plate shape. The support plate 843 supports the lower end of the elastic member 838 in the inner space of the housing 832. The adjustment pin 844 adjusts the relative height of the support plate 843 relative to the base 810 and the housing 832. The adjustment pin 844 is provided with its longitudinal direction in the up and down direction. The upper end of the adjustment pin 844 is positioned in the inner space of the housing 832 and the lower end of the adjustment pin 844 is positioned to protrude downward from the base 810. The upper end of the adjustment pin 844 is fixedly coupled to the support plate 843. [ For example, the adjustment pin 844 may be provided with a bolt fastened to the housing 832. According to one example, the higher the height of the support plate 843, the more the elastic member 838 is contracted and the elastic force applied to the lift pin 834 is increased. Conversely, the lower the height of the support plate 843, the more the elastic member 838 is expanded and the elastic force applied to the lift pin 834 is reduced.

다음은 상술한 리프트핀 어셈블리(810,830)를 이용하여 기판(W)을 언로딩하는 과정에 대해 설명한다. 도7 내지 도9를 참조하면, 기판(W)에 대한 베이크공정이 완료되면, 베이스(810)는 구동기에 의해 승강된다. 이에 따라 리프트핀(834), 탄성부재(838), 그리고 스토퍼(836)는 함께 승강된다. 리프트핀(834)이 가열플레이트(802)에 놓인 기판(W)과 접촉되면, 기판(W)의 무게로 인해 리프트핀(834)에는 아래방향으로 힘이 가해진다. 이때 리프트핀(834)에 가해지는 힘은 탄성부재(838)에 의해 완충된다. 리프트핀(834)과 스토퍼(836) 간에 간격은 점진적으로 가까워지고, 리프트핀(834)과 스토퍼(836)가 접촉되면 리프트핀(834)은 기판(W)을 들어올린다. 리프트핀(834)이 지지위치로 위치되면, 도포부로봇(432)은 기판(W)을 리프트핀(834)으로부터 인수한다.Next, a process of unloading the substrate W using the lift pin assemblies 810 and 830 will be described. 7 to 9, when the baking process for the substrate W is completed, the base 810 is lifted by the actuator. Accordingly, the lift pin 834, the elastic member 838, and the stopper 836 are lifted and lowered together. When the lift pin 834 contacts the substrate W placed on the heating plate 802, the lift pin 834 is urged downward due to the weight of the substrate W. [ At this time, the force applied to the lift pin 834 is buffered by the elastic member 838. The distance between the lift pin 834 and the stopper 836 gradually approaches and the lift pin 834 lifts the substrate W when the lift pin 834 and the stopper 836 come into contact with each other. When the lift pin 834 is positioned at the support position, the application robot 432 takes over the substrate W from the lift pin 834. [

상술한 실시예에 의하면, 스토퍼(836)는 하우징(832) 및 베이스(810)에 대한 상대 높이가 조절 가능하도록 제공된다. 이로 인해 스토퍼(836)는 리프트핀(834)의 최저 높이를 조절할 수 있고, 이로 인해 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이가 조절된다. 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이 간의 거리는 멀어질수록 리프트핀(834)에 가해지는 충격량을 보다 많이 분산시킬 수 있다. 그러나 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이 간의 거리는 멀어질수록 기판(W)을 들어올리는 시간 또한 길어지므로, 작업자는 작업 환경에 맞게 리프트핀(834)의 최고높이와 최저높이 간의 거리를 조절할 수 있다.According to the above-described embodiment, the stopper 836 is provided so that the relative height to the housing 832 and the base 810 is adjustable. This allows the stopper 836 to adjust the lowest height of the lift pins 834, thereby adjusting the maximum height and the minimum height of the lift pins 834. The greater the distance between the maximum height and the minimum height of the lift pins 834, the more the amount of impact applied to the lift pins 834 can be dispersed. However, as the distance between the maximum height and the minimum height of the lift pin 834 increases, the time for lifting the substrate W is also longer, so that the operator can adjust the distance between the maximum height and the minimum height of the lift pin 834 .

상술한 실시예와 달리, 리프트핀 어셈블리(810,830)는 높이측정부재(900)를 더 포함할 수 있다. 높이측정부재(900)는 베이스(810)의 저면에서 스토퍼(836)의 하부영역과 인접하게 위치될 수 있다. 높이측정부재(900)는 스토퍼(836)의 하단의 높이를 측정하는 측정수단을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 작업자는 높이측정부재(900)를 통해 각각의 스토퍼(836)의 높이를 측정하고, 각각의 스토퍼(836)가 모두 동일한 높이를 가지도록 스토퍼(836)를 조정할 수 있다. 또한 스토퍼(836)와 리프트핀(834) 간의 간격을 조정할 수 있다.Unlike the above-described embodiment, the lift pin assemblies 810 and 830 may further include a height measuring member 900. The height measuring member 900 may be positioned adjacent the bottom region of the stopper 836 at the bottom of the base 810. [ The height measuring member 900 may include measuring means for measuring the height of the lower end of the stopper 836. [ According to an example, the operator can measure the height of each stopper 836 through the height measuring member 900 and adjust the stopper 836 such that each stopper 836 has the same height. The distance between the stopper 836 and the lift pin 834 can be adjusted.

또한 높이측정부재(900)는 조절핀(844)의 하단의 높이를 측정하는 측정수단을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 작업자는 높이측정부재(900)를 통해 각각의 조절핀(844)의 높이를 측정하고, 지지판(843)의 높이를 조정하여 리프트핀(834)에 가해지는 탄성력을 조절할 수 있다.The height measuring member 900 may also include measuring means for measuring the height of the lower end of the adjusting pin 844. [ The operator can measure the height of each adjustment pin 844 through the height measurement member 900 and adjust the height of the support plate 843 to adjust the elastic force applied to the lift pin 834 .

다시 도2 내지 도5를 참조하면, 냉각유닛(421)은 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하기 위해 사용된다. 냉각유닛은 냉각 플레이트 및 리프트 어셈블리를 포함한다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각플레이트는 하나의 베이크 챔버(420) 내에서 가열플레이트의 일측에 위치된다. 냉각플레이트는 기판을 지지하며, 내부에 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 냉각플레이트에는 복수 개의 핀홀이 형성되고, 각각의 핀홀에는 리프트핀 어셈블리가 제공된다. 냉각유닛의 리프트핀 어셈블리는 가열유닛의 리프트핀 어셈블리와 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.2 to 5, the cooling unit 421 is used to perform a cooling process or the like for cooling the substrate W after each heating process. The cooling unit includes a cooling plate and a lift assembly. In the cooling plate 421, the cooling plate is positioned at one side of the heating plate in one baking chamber 420. The cooling plate supports the substrate, and a cooling means (423) such as a cooling water or a thermoelectric element is provided therein. The cooling plate is provided with a plurality of pinholes, and each of the pinholes is provided with a lift pin assembly. Since the lift pin assembly of the cooling unit has the same configuration as the lift pin assembly of the heating unit, a description thereof will be omitted.

선택적으로 베이크 챔버들 중 일부에는 냉각유닛만을 제공되고, 다른 일부에는 가열유닛만이 제공될 수 있다. Optionally, only some of the bake chambers may be provided with cooling units, while others may be provided with only heating units.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470 and the development chambers 460 and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포모듈(401)의 베이크 챔버(470)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 of the developing module 402 has the same shape as that of the bake chamber 470 of the application module 401 and thus a detailed description thereof will be omitted. do. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the wafer. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only buffers and robots as described above without providing a chamber to perform a predetermined process on the wafer.

상술한 실시예에는 리프트핀 어셈블리(810,830)는 레지스트 도포 챔버(410)의 가열유닛(421) 또는 냉각유닛(422)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 리프트핀 어셈블리는 현상챔버(460)의 가열유닛(471) 또는 냉각유닛(472)에도 적용 가능하다. It is described that the lift pin assemblies 810 and 830 are provided in the heating unit 421 or the cooling unit 422 of the resist application chamber 410 in the above- However, the lift pin assembly is also applicable to the heating unit 471 or the cooling unit 472 of the developing chamber 460.

또한 리프트핀 어셈블리(810,830)는 리프트핀(834)을 이용하여 기판(W)을 로딩/언로딩 시 모두 적용 가능하다. 예컨대, 리프트핀 어셈블리는 식각공정, 증착공정, 그리고 애싱공정과 같은 플라즈마 처리공정에서 기판(W)을 지지하는 정전척에 제공될 수 있다.Further, the lift pin assemblies 810 and 830 can be applied to both the loading / unloading of the substrate W using the lift pins 834. For example, the lift pin assembly may be provided on an electrostatic chuck that supports the substrate W in a plasma processing process such as an etching process, a deposition process, and an ashing process.

832: 하우징 834: 리프트핀
836: 스토퍼 838: 탄성부재
840: 탄성력조절부재832: Housing 834: Lift pin
836: Stopper 838: Elastic member
840: elastic force adjusting member

Claims

A housing which provides a space therein and in which upper and lower portions are opened;
A lift pin positioned above the space to project upwardly from the space, the lift pin supporting the substrate;
And an elastic member for providing an elastic force to the lift pin.

The method according to claim 1,
Further comprising an elasticity adjusting member for adjusting elasticity of the elastic member,
The elastic force adjusting member
A support plate for supporting the elastic member in the space;
A lift pin assembly fixedly coupled to the support plate and configured to adjust a height of the support plate.