KR102046869B1 - Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate - Google Patents

Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate Download PDF

Info

Publication number
KR102046869B1
KR102046869B1 KR1020170058177A KR20170058177A KR102046869B1 KR 102046869 B1 KR102046869 B1 KR 102046869B1 KR 1020170058177 A KR1020170058177 A KR 1020170058177A KR 20170058177 A KR20170058177 A KR 20170058177A KR 102046869 B1 KR102046869 B1 KR 102046869B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
substrate
buffer
module
chamber
Prior art date
Application number
KR1020170058177A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180124204A (en
Inventor
이승한
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020170058177A priority Critical patent/KR102046869B1/en
Publication of KR20180124204A publication Critical patent/KR20180124204A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102046869B1 publication Critical patent/KR102046869B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 임시 보관하는 유닛 및 이를 가지는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정 유닛, 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛, 그리고 상기 공정 유닛과 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되, 상기 버퍼 유닛은 내부에 버퍼 공간을 가지는 하우징 및 상기 버퍼 공간에 위치되며, 기판이 놓이는 기판 지지 부재를 포함하되, 상기 기판 지지 부재는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트로부터 돌출되어 상기 기판을 지지하는 지지핀을 포함하되, 상기 지지핀은 상기 지지 플레이트에 대해 상하로 이동 가능도록 상기 지지 플레이트에 설치된다. 이로 인해 지지핀에 기판이 안착 시 기판에 가해지는 충격을 최소화할 수 있다.The present invention provides a unit for temporarily storing a substrate and an apparatus having the same. The substrate processing apparatus includes a processing unit for processing a substrate, a buffer unit for temporarily storing a substrate, and a transfer unit for transferring a substrate between the processing unit and the buffer unit, wherein the buffer unit includes a housing having a buffer space therein and the A substrate support member positioned in the buffer space and on which the substrate is placed, the substrate support member comprising a support plate and support pins protruding from the support plate to support the substrate, wherein the support pins are directed to the support plate; It is installed on the support plate to move up and down. This can minimize the impact on the substrate when the substrate is seated on the support pin.

Description

기판 지지 부재, 버퍼 유닛, 그리고 기판 처리 장치{Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate}Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate}

본 발명은 기판을 지지하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for supporting a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 이러한 공정들은 다시 복수의 공정 처리들을 포함하며, 각각의 공정 처리는 서로 다른 공정 처리 장치에서 진행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on the substrate through various processes such as photographing, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition. These processes in turn comprise a plurality of process treatments, each process being carried out in a different process treatment apparatus.

일반적으로 기판을 공정 처리 장치로 반송하기 전 또는 후에는 기판을 버퍼 유닛에 임시 보관한다. 버퍼 유닛에는 복수 개의 기판 지지 부재가 제공된다. 이에 따라 버퍼 유닛에는 복수 개의 기판들을 수용 가능하다.Generally, the substrate is temporarily stored in the buffer unit before or after the substrate is returned to the processing apparatus. The buffer unit is provided with a plurality of substrate supporting members. Accordingly, a plurality of substrates can be accommodated in the buffer unit.

도 1은 일반적인 버퍼 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 버퍼 유닛은 하우징, 지지 플레이트, 그리고 지지핀을 포함한다. 하우징에는 복수 개의 지지 플레이트들이 적층되게 위치되며, 각 지지 플레이트에는 지지핀이 설치된다. 지지핀은 지지 플레이트로부터 돌출되게 설치되며, 지지핀의 상단은 기판이 접촉되는 안착 영역으로 제공된다. 반송 로봇은 기판을 지지핀에 내려놓거나, 들어 올려 버퍼 유닛에 기판을 반출입시킨다.1 is a cross-sectional view showing a general buffer unit. Referring to FIG. 1, the buffer unit includes a housing, a support plate, and a support pin. A plurality of support plates are positioned to be stacked in the housing, and each support plate is provided with support pins. The support pin is installed to protrude from the support plate, and the upper end of the support pin serves as a seating area where the substrate is in contact. The transfer robot lowers or lifts the substrate onto the support pins to carry the substrate into and out of the buffer unit.

그러나 기판을 지지핀에 내려놓는 중에 기판과 지지핀 간에 충격이 발생된다. 이로 인해 기판은 정위치를 벗어나고, 슬립 현상이 발생된다. 반송 로봇이 슬립된 기판을 반출하기 위해 로봇의 아암을 투입하는 경우, 아암과 기판이 원치 않는 영역에서 부딪쳐 기판을 밀어낼 수 있으며 이는 기판의 손상시킨다.However, an impact is generated between the substrate and the support pin while the substrate is placed on the support pin. As a result, the substrate is out of position and a slip phenomenon occurs. When the transfer robot inserts the arm of the robot to take out the slipped substrate, the arm and the substrate may collide in an unwanted area and push the substrate, which damages the substrate.

또한 슬립된 기판은 반송 로봇에 제대로 안착되지 않으며, 반송하는 과정에서 낙하될 수 있다.In addition, the slipped substrate is not properly seated on the transfer robot, and may fall during the transfer.

본 발명은 기판이 지지핀에 안착되는 과정에서 발생되는 슬립을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention is to provide a device that can minimize the slip generated in the process of mounting the substrate to the support pin.

본 발명은 지지핀에 안착된 기판을 반출 시 기판의 손상을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention is to provide a device that can prevent damage to the substrate when taking out the substrate seated on the support pin.

본 발명의 실시예는 기판을 지지하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 공정 유닛, 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛, 그리고 상기 공정 유닛과 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되, 상기 버퍼 유닛은 내부에 버퍼 공간을 가지는 하우징 및 상기 버퍼 공간에 위치되며, 기판이 놓이는 기판 지지 부재를 포함하되, 상기 기판 지지 부재는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트로부터 돌출되어 상기 기판을 지지하는 지지핀을 포함하되, 상기 지지핀은 상기 지지 플레이트에 대해 상하로 이동 가능도록 상기 지지 플레이트에 설치된다. Embodiments of the present invention provide an apparatus for supporting a substrate. The substrate processing apparatus includes a processing unit for processing a substrate, a buffer unit for temporarily storing a substrate, and a transfer unit for transferring a substrate between the processing unit and the buffer unit, wherein the buffer unit includes a housing having a buffer space therein and the A substrate support member positioned in the buffer space and on which the substrate is placed, the substrate support member comprising a support plate and support pins protruding from the support plate to support the substrate, wherein the support pins are directed to the support plate; It is installed on the support plate to move up and down.

상기 지지 플레이트에는 복수의 지지홈들이 형성되고, 상기 지지핀은 상기 지지홈에 장착될 수 있다. A plurality of support grooves are formed in the support plate, and the support pins may be mounted in the support grooves.

상기 지지핀은 기판과 접촉되며 상기 지지홈의 외부에 위치되는 지지부, 상기 지지홈 내에 위치되는 삽입부, 그리고 상기 지지부와 상기 삽입부를 연결하는 연결부를 포함하되, 상기 지지 플레이트는 상기 지지홈의 상부에 위치되며 상기 연결부가 관통되는 홀이 형성된 걸림부를 더 구비하고, 상기 지지핀이 승하강시 상기 지지부의 하단 및 상기 삽입부의 상단은 상기 걸림부에 의해 그 이동이 제한되도록 제공될 수 있다. 상하 방향을 향하는 상기 삽입부의 길이는 상기 지지홈의 깊이보다 짧게 제공되고, 상기 삽입부는 상기 지지홈 내에서 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다. 상기 걸림부는 탄성 재질로 제공될 수 있다. The support pin is in contact with the substrate and includes a support portion positioned outside the support groove, an insertion portion located in the support groove, and a connecting portion connecting the support portion and the insertion portion, wherein the support plate is an upper portion of the support groove. Located at and positioned in the hole through which the connecting portion is penetrated, the lower end of the support and the upper end of the insertion portion when the support pin is raised and lowered may be provided so that its movement is limited by the locking portion. The length of the insertion part facing in the vertical direction may be provided to be shorter than the depth of the support groove, and the insertion part may be provided to be movable in the vertical direction in the support groove. The locking portion may be provided with an elastic material.

상기 지지 플레이트는 상기 지지홈 내로 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하되, 상기 삽입부는 상기 가스압에 의해 상기 지지홈 내에서 승강 가능하게 제공될 수 있다. 상기 지지홈들에 공급되는 가스의 유량 합은 상기 지지핀의 무게보다 크고, 기판의 무게보다 작은 값을 가질 수 있다. 상기 기판 지지 부재는 상기 버퍼 공간에서 상하 방향으로 적층되게 위치될 수 있다. The support plate may further include a gas supply unit supplying gas into the support groove, and the insertion part may be provided to be elevated in the support groove by the gas pressure. The sum of the flow rates of the gas supplied to the support grooves may be greater than the weight of the support pin and less than the weight of the substrate. The substrate supporting member may be positioned to be stacked in the vertical direction in the buffer space.

상기 지지 플레이트는 상기 지지홈 내에 제공되는 탄성체를 더 포함하되, 상기 삽입부는 상기 탄성체에 의해 상기 지지홈 내에서 승강 가능하게 제공될 수 있다. 상기 탄성체는 스프링을 포함하고, 상기 스프링의 일단은 상기 지지홈의 바닥면에 고정되고, 상기 스프링의 타단은 상기 탄성체의 저면에 고정될 수 있다. The support plate may further include an elastic body provided in the support groove, and the insertion portion may be provided to be elevated in the support groove by the elastic body. The elastic body includes a spring, one end of the spring may be fixed to the bottom surface of the support groove, the other end of the spring may be fixed to the bottom surface of the elastic body.

기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛은 내부에 버퍼 공간을 가지는 하우징 및 상기 버퍼 공간에 위치되며, 기판이 놓이는 기판 지지 부재를 포함하되, 상기 기판 지지 부재는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트로부터 돌출되어 상기 기판을 지지하는 지지핀을 포함하되, 상기 지지핀은 상기 지지 플레이트에 대해 상하로 이동 가능도록 상기 지지 플레이트에 설치된다. A buffer unit for temporarily storing a substrate includes a housing having a buffer space therein and a substrate support member positioned in the buffer space, and on which the substrate is placed, wherein the substrate support member protrudes from the support plate and the support plate to support the substrate. It includes a support pin for supporting, the support pin is installed on the support plate to be movable up and down with respect to the support plate.

상기 지지 플레이트에는 복수의 지지홈들이 형성되고, 상기 지지핀은 상기 지지홈에 장착되며, 상기 지지핀은 기판과 접촉되며 상기 지지홈의 외부에 위치되는 지지부, 상기 지지홈 내에 위치되는 삽입부, 그리고 상기 지지부와 상기 삽입부를 연결하는 연결부를 포함하되, 상기 지지 플레이트는 상기 지지홈의 상부에 위치되며 상기 연결부가 관통되는 홀이 형성된 걸림부를 더 구비하고, 상기 지지핀이 승하강시 상기 지지부의 하단 및 상기 삽입부의 상단은 상기 걸림부에 의해 그 이동이 제한되도록 제공될 수 있다. 상하 방향을 향하는 상기 삽입부의 길이는 상기 지지홈의 깊이보다 짧게 제공되고, 상기 삽입부는 상기 지지홈 내에서 상하 방향으로 이동 가능하게 제공될 수 있다. A plurality of support grooves are formed in the support plate, and the support pins are mounted in the support grooves, and the support pins are in contact with the substrate and are positioned outside the support grooves, and the insertion parts are located in the support grooves. And a connection part connecting the support part and the insertion part, wherein the support plate further includes a locking part formed at a top of the support groove and having a hole through which the connection part passes, and the support pin is lowered when the support pin moves up and down. And an upper end of the insertion part may be provided to limit movement of the insertion part. The length of the insertion part facing in the vertical direction may be provided to be shorter than the depth of the support groove, and the insertion part may be provided to be movable in the vertical direction in the support groove.

상기 지지 플레이트는 상기 지지홈 내로 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하되 상기 삽입부는 상기 가스압에 의해 상기 지지홈 내에서 승강 가능하게 제공될 수 있다. 상기 기판 지지 부재는 상기 버퍼 공간에서 상하 방향으로 적층되게 위치될 수 있다. The support plate may further include a gas supply unit supplying gas into the support groove, and the insertion part may be provided to be elevated in the support groove by the gas pressure. The substrate supporting member may be positioned to be stacked in the vertical direction in the buffer space.

기판을 지지하는 기판 지지 부재는 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트로부터 돌출되어 상기 기판을 지지하는 지지핀을 포함하되, 상기 지지핀은 상기 지지 플레이트에 대해 상하로 이동 가능도록 상기 지지 플레이트에 설치된다 .The substrate support member for supporting the substrate includes a support plate and a support pin protruding from the support plate to support the substrate, wherein the support pin is installed on the support plate so as to be movable up and down with respect to the support plate.

상기 지지 플레이트에는 복수의 지지홈들이 형성되고, 상기 지지핀은 상기 지지홈에 장착되며, 상기 지지핀은 기판과 접촉되며 상기 지지홈의 외부에 위치되는 지지부, 상기 지지홈 내에 위치되는 삽입부, 그리고 상기 지지부와 상기 삽입부를 연결하는 연결부를 포함하되, 상기 지지 플레이트는 상기 지지홈의 상부에 위치되며 상기 연결부가 관통되는 홀이 형성된 걸림부를 더 구비하고, 상기 지지핀이 승하강시 상기 지지부의 하단 및 상기 삽입부의 상단은 상기 걸림부에 의해 그 이동이 제한되도록 제공될 수 있다. 상기 지지 플레이트는 상기 지지홈 내로 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함하되, 상기 삽입부는 상기 가스압에 의해 상기 지지홈 내에서 승강 가능하게 제공될 수 있다. A plurality of support grooves are formed in the support plate, and the support pins are mounted in the support grooves, and the support pins are in contact with the substrate and are positioned outside the support grooves, and the insertion parts are located in the support grooves. And a connection part connecting the support part and the insertion part, wherein the support plate further includes a locking part formed at a top of the support groove and having a hole through which the connection part passes, and the support pin is lowered when the support pin moves up and down. And an upper end of the insertion part may be provided to limit movement of the insertion part. The support plate may further include a gas supply unit supplying gas into the support groove, and the insertion part may be provided to be elevated in the support groove by the gas pressure.

본 발명의 실시예에 의하면, 지지핀이 삽입되는 지지홈에는 가스가 공급된다. 이로 인해 지지핀에 기판이 안착 시 기판에 가해지는 충격을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, gas is supplied to the support groove into which the support pin is inserted. This can minimize the impact on the substrate when the substrate is seated on the support pin.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 지지핀의 연결부는 탄성 재질의 걸림부에 의해 둘러싸인다. 이로 인해 지지핀에 기판이 안착되어 연결부가 걸림부에 놓여지는 과정에서 기판의 충격을 2차 완화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the connecting portion of the support pin is surrounded by the engaging portion of the elastic material. As a result, the substrate may be seated on the support pin, and the impact of the substrate may be mitigated during the process of placing the connection part at the engaging portion.

도 1은 일반적인 버퍼 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 반송 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 지지핀 및 지지홈을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8에 기판이 안착된 지지핀을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 8의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a general buffer unit.
2 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the installation of FIG. 2 as viewed from the AA direction.
4 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 2 viewed in the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 2 as viewed from the CC direction.
6 is a perspective view showing the conveying unit of FIG. 2.
7 is a cross-sectional view illustrating the buffer unit of FIG. 2.
8 is a cross-sectional view illustrating the support pin and the support groove of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view illustrating a support pin on which a substrate is mounted in FIG. 8.
10 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of FIG. 8.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도 2 내지 도 10을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 10. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of elements in the figures has been exaggerated to emphasize clearer explanations.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment is connected to an exposure apparatus and used to perform an application process and a development process on a substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described.

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a view of the substrate processing equipment from the top, FIG. 3 is a view of the equipment of FIG. 2 from the AA direction, FIG. 3 is a view of the equipment of FIG. 2 from the BB direction, and FIG. 5 is a facility of FIG. Is a view from the CC direction.

도 2 내지 도 5을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 may include a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, an application and development module 400, and a second buffer module 500. ), The pre-exposure processing module 600, and the interface module 700. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 Are sequentially arranged in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which the 700 is disposed is called a first direction 12, and when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction 12 is called a second direction 14, and the first direction 12 and the second direction. A direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in the state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door in front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 containing substrates W is placed. The mounting table 120 is provided in plural, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1 four mounting blocks 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a height lower than that of the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 drives four axes so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. This has a possible structure. Index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. Arm 222 is provided in a stretchable and rotatable structure. The support 223 is disposed in the longitudinal direction along the third direction 16. Arm 222 is coupled to support 223 to be movable along support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 to be linearly movable along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are the coating and developing modules (described later). It is located at a height corresponding to the developing module 402 of 400. The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in a second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed in the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402, which will be described later, move the substrate W to the support 332 in the housing 331. It has openings (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be able to carry in or take out. The first buffer 320 has a structure generally similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. Arm 362 is coupled to support 363 so as to be linearly movable in a third direction 16 along support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the up or down direction. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 respectively cool the substrate W. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As shown in FIG. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) that positions the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 has the index robot 220 so that the developing robot 482 provided to the index robot 220 and the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W to the cooling plate 352. The provided direction and developing part robot 482 has an opening (not shown) in the provided direction. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 has an application module 401 and a development module 402. The application module 401 and the developing module 402 are arranged to partition into each other in layers. In one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)을 가진다. 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has an application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the application chamber 410 and the baking chamber 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of application chambers 410 may be provided, and a plurality of application chambers 410 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six application chambers 410 are provided is shown. A plurality of baking chambers 420 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in larger numbers.

반송 챔버(430)에는 기판을 반송하기 위한 반송 유닛(800)이 제공된다. 반송 유닛(800)은 베이크 챔버들(420), 도포 챔버들(410), 제 1 버퍼 모듈(310)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(510)의 제 1 버퍼(520) 간에 기판을 반송한다. 본 실시예에는 베이크 챔버들(420) 및 도포 챔버들(410) 각각이 기판을 공정 처리하는 공정 유닛으로 정의하고, 제 1 버퍼(320) 및 제 1 버퍼(520)를 기판이 임시 보관되는 버퍼 유닛(1000)으로 정의한다. 따라서 반송 유닛(800)은 공정 유닛들(410,420) 간에, 그리고 공정 유닛(410,420)과 버퍼 유닛(1000) 간에 기판(W)을 반송한다. 도 6은 도 2의 반송 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 6을 참조하면, 반송 유닛(800)은 로봇 이동 유닛(810,830) 및 반송 로봇(850)을 포함한다. 로봇 이동 유닛(810,830)은 수평 구동 부재(810) 및 수직 구동 부재(830)를 포함한다. The transfer chamber 430 is provided with a transfer unit 800 for transferring the substrate. The conveying unit 800 includes the bake chambers 420, the application chambers 410, the first buffer 320 of the first buffer module 310, and the first buffer of the second buffer module 510 described later ( The substrate is conveyed between 520. In the present embodiment, each of the baking chambers 420 and the application chambers 410 is defined as a process unit for processing a substrate, and the first buffer 320 and the first buffer 520 are buffers in which the substrate is temporarily stored. It is defined as the unit 1000. Thus, the transfer unit 800 carries the substrate W between the process units 410 and 420 and between the process units 410 and 420 and the buffer unit 1000. 6 is a perspective view showing the conveying unit of FIG. 2. Referring to FIG. 6, the transfer unit 800 includes robot moving units 810 and 830 and a transfer robot 850. The robot moving units 810 and 830 include a horizontal drive member 810 and a vertical drive member 830.

수평 구동 부재(810)는 수직 구동 부재(830)을 수평 방향으로 직선 이동시킨다. 예컨대, 수직 구동 부재(830)는 수평 구동 부재(810)에 의해 제1방향(12)으로 이동될 수 있다. 수평 구동 부재(810)는 상부 수평 프레임(812), 하부 수평 프레임(814), 그리고 지지 프레임(816)을 가진다. 상부 수평 프레임(812), 하부 수평 프레임(814), 그리고 지지 프레임(816)은 서로 조합되어 직사각의 링 형상을 가지도록 제공된다. 상부 수평 프레임(812)은 하부 수평 프레임(814)의 위에서 서로 마주보도록 위치된다. 상부 수평 프레임(812)과 하부 수평 프레임(814) 각각은 서로 평행한 길이 방향을 가진다. 예컨대, 상부 수평 프레임(812)과 하부 수평 프레임(814) 각각은 제1방향(12)을 향하는 길이방향을 가질 수 있다. 지지 프레임(816)은 상부 수평 프레임(812)과 하부 수평 프레임(814)이 고정되도록 서로를 연결시킨다. 지지 프레임(816)은 상부 수평 프레임(812)에 대해 수직한 길이 방향을 가진다. 예컨대, 지지 프레임(816)은 제3방향(16)을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다. 지지 프레임(816)은 상부 수평 프레임(812)과 하부 수평 프레임(814) 각각의 양 끝단으로부터 연장된다. The horizontal driving member 810 linearly moves the vertical driving member 830 in the horizontal direction. For example, the vertical driving member 830 may be moved in the first direction 12 by the horizontal driving member 810. The horizontal drive member 810 has an upper horizontal frame 812, a lower horizontal frame 814, and a support frame 816. The upper horizontal frame 812, the lower horizontal frame 814, and the support frame 816 are provided to be combined with each other to have a rectangular ring shape. The upper horizontal frame 812 is positioned to face each other above the lower horizontal frame 814. Each of the upper horizontal frame 812 and the lower horizontal frame 814 has a longitudinal direction parallel to each other. For example, each of the upper horizontal frame 812 and the lower horizontal frame 814 may have a longitudinal direction toward the first direction 12. The support frame 816 connects each other so that the upper horizontal frame 812 and the lower horizontal frame 814 are fixed. The support frame 816 has a longitudinal direction perpendicular to the upper horizontal frame 812. For example, the support frame 816 may have a longitudinal direction toward the third direction 16. The support frame 816 extends from both ends of each of the upper horizontal frame 812 and the lower horizontal frame 814.

수직 구동 부재(830)는 반송 로봇(850)의 이동을 제3방향(16)으로 안내한다.The vertical driving member 830 guides the movement of the transfer robot 850 in the third direction 16.

반송 로봇(850)은 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(850)은 직선 이동 및 회전 이동이 가능하다. 반송 로봇(850)의 직선 이동은 X축, Y축, 그리고 Z축(이하, 3축) 각각을 향하는 직선 이동을 포함한다. 회전 이동은 X축을 기준으로 회전(Roll), Y축을 기준으로 회전(Pitch), 그리고 Z축을 기준으로 회전(Yaw)되는 이동을 포함한다. 여기서 X축의 직선 이동은 핸드의 전진 또는 후진으로 정의한다. Y축은 상부에서 바라볼 때 X축과 수직한 방향으로 정의한다. Z축은 X축 및 Y축 각각에 대해 수직한 방향으로 정의한다. 반송 로봇의 3축 각각의 직선 이동 및 3축 각각의 회전 이동은 서로 상이한 구동 부재(미도시)에 의해 구동된다. 핸드는 반송 로봇에서 기판이 안착되는 영역을 의미한다.The transfer robot 850 carries the substrate W. As shown in FIG. The transfer robot 850 is capable of linear movement and rotational movement. The linear movement of the carrier robot 850 includes linear movement toward each of the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis (hereinafter, three axes). Rotational movement includes rotation about the X axis, pitch about the Y axis, and rotation about the Z axis. Here, the linear movement of the X axis is defined as forward or backward of the hand. The Y axis is defined in the direction perpendicular to the X axis when viewed from the top. The Z axis is defined as a direction perpendicular to each of the X and Y axes. The linear movement of each of the three axes of the transfer robot and the rotation movement of each of the three axes are driven by different driving members (not shown). The hand refers to an area where the substrate is seated in the carrier robot.

버퍼 유닛(1000)은 기판(W)을 임시 보관한다. 버퍼 유닛(1000)은 공정 유닛에 기판(W)을 반입하기 전 또는 반출 후에 기판(W)을 보관한다. 도 7은 도 2의 버퍼 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 버퍼 유닛(1000)은 하우징(1200), 및 기판 지지 부재(1400)를 포함한다. The buffer unit 1000 temporarily stores the substrate W. The buffer unit 1000 stores the substrate W before or after the substrate W is loaded into the processing unit. 7 is a cross-sectional view illustrating the buffer unit of FIG. 2. Referring to FIG. 7, the buffer unit 1000 includes a housing 1200 and a substrate support member 1400.

하우징(1200)은 내부에 버퍼 공간(1202)을 가지는 통 형상을 가진다. 제1방향(12)을 향하는 하우징(1200)의 전면 및 후면은 개방된 영역으로 제공된다. 즉 하우징(1200)은 서로 마주하는 양측면이 개방되게 제공된다. The housing 1200 has a cylindrical shape having a buffer space 1202 therein. The front and rear surfaces of the housing 1200 facing the first direction 12 are provided as open regions. That is, the housing 1200 is provided so that both sides facing each other are opened.

기판 지지 부재(1400)는 버퍼 공간(1202)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(1400)는 복수 개로 제공된다. 기판 지지 부재(1400)는 버퍼 공간(1202)에서 상하 방향으로 적층되게 위치된다. 이에 따라 버퍼 공간(1202)에 수용되는 기판들(W)은 상하 방향으로 적층되게 위치될 수 있다. 기판 지지 부재(1400)는 지지 플레이트(1420), 지지핀(1440), 그리고 충격 완화 부재(1600)를 포함한다. 도 8은 도 7의 지지핀 및 지지홈을 보여주는 단면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 지지 플레이트들(1420)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 지지 플레이트(1420)는 플레이트부(1422) 및 걸림부(1424)를 가진다. 플레이트부(1422)는 판 형상을 가진다. 플레이트부(1422)의 상면에는 복수의 지지홈들(1426)이 형성된다. 각각의 지지홈들(1426)은 플레이트부(1422) 내에 형성된 가스 유로(1428)에 연통되게 제공된다. 상부에서 바라볼 때 서로 인접하는 지지홈들(1426)은 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 지지홈들(1426)은 3 개일 수 있다. 걸림부(1424)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 걸림부(1424)는 지지홈(1426)에 위치된다. 걸림부(1424)는 지지홈(1426)보다 작은 내경을 가지도록 제공된다. 예컨대, 걸림부(1424)와 플레이트부(1422)는 서로 동일한 재질을 가지는 일체형으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 걸림부(1424)는 플레이트부(1422)에 장착될 수 있다.The substrate support member 1400 supports the substrate W in the buffer space 1202. The substrate supporting member 1400 is provided in plurality. The substrate support member 1400 is positioned to be stacked in the vertical direction in the buffer space 1202. Accordingly, the substrates W accommodated in the buffer space 1202 may be positioned to be stacked in the vertical direction. The substrate support member 1400 includes a support plate 1420, a support pin 1440, and a shock absorbing member 1600. 8 is a cross-sectional view illustrating the support pin and the support groove of FIG. 7. 7 and 8, the support plates 1420 are spaced apart from each other at equal intervals. The support plate 1420 has a plate portion 1422 and a locking portion 1424. The plate portion 1422 has a plate shape. A plurality of support grooves 1426 are formed on the upper surface of the plate portion 1422. Each of the support grooves 1426 is provided in communication with the gas flow path 1428 formed in the plate portion 1422. When viewed from the top, the support grooves 1426 adjacent to each other may be spaced apart at equal intervals. According to one example, the support grooves 1426 may be three. The engaging portion 1424 is provided to have an annular ring shape. The catching part 1424 is located in the supporting groove 1426. The locking portion 1424 is provided to have an inner diameter smaller than that of the supporting groove 1426. For example, the locking portion 1424 and the plate portion 1422 may be provided as a unitary body having the same material as each other. Optionally, the locking portion 1424 may be mounted to the plate portion 1422.

지지핀(1440)은 기판(W)을 직접 지지한다. 지지핀(1440)의 상단은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 제공된다. 지지핀(1440)들은 복수 개로 제공된다. 지지핀(1440)은 지지홈(1426)과 일대일 대응되는 개수로 제공될 수 있다. 지지홈들(1426) 각각에는 지지핀(1440)이 삽입되게 위치된다. 지지핀(1440)은 지지부(1442), 연결부(1444), 그리고 삽입부(1446)를 가진다. 지지부(1442)는 위에서 아래로 갈수록 직경이 가지는 형상을 가진다. 지지부(1442)는 위에서 아래로 갈수록 라운드진 형상을 가진다. 지지부(1442)의 하부 영역은 연결부(1444)에 비해 큰 직경을 가질 수 있다. 또한 지지부(1442)의 하부 영역은 걸림부(1424)의 내경보다 큰 직경을 가질 수 있다. 연결부(1444)는 지지부(1442)로부터 아래로 연장된다. 연결부(1444)는 상하 방향에 대해 동일한 직경을 가진다. 일 예에 의하면, 연결부(1444)는 걸림부(1424)의 내경보다 작은 직경을 가질 수 있다. 이에 따라 지지부(1442)는 지지홈(1426)으로부터 돌출되게 위치된다. 삽입부(1446)는 연결부(1444)로부터 아래로 연장된다. 삽입부(1446)는 연결부(1444) 및 걸림부(1424)의 내경에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 이에 따라 삽입부(1446)는 지지홈(1426)에 삽입되게 위치된다. 일 예에 의하면, 연결부(1444)의 끝단에서 삽입부(1446)의 끝단을 잇는 길이는 지지홈(1426)의 깊이보다 짧게 제공될 수 있다. 이에 따라 지지핀(1440)에 지지홈(1426)을 형성하는 플레이트부(1422)의 바닥면에 접촉되는 것을 방지할 수 있으며, 지지핀(1440)과 바닥면 간에 접촉으로 인해 지지핀(1440)에 가해지는 충격을 완화시킬 수 있다.The support pin 1440 directly supports the substrate (W). The upper end of the support pin 1440 is provided as a seating surface on which the substrate W is seated. The support pins 1440 may be provided in plurality. The support pins 1440 may be provided in a one-to-one correspondence with the support grooves 1426. Each of the support grooves 1426 is positioned to insert a support pin 1440. The support pin 1440 has a support 1442, a connection 1444, and an insert 1446. The support 1442 has a shape having a diameter from the top to the bottom. The support 1442 has a rounded shape from top to bottom. The lower region of the support 1442 may have a larger diameter than the connection 1444. In addition, the lower region of the support 1442 may have a diameter larger than the inner diameter of the locking portion 1424. The connector 1444 extends downwardly from the support 1442. The connection part 1444 has the same diameter with respect to the up-down direction. According to an example, the connection part 1444 may have a diameter smaller than the inner diameter of the locking part 1424. Accordingly, the support 1442 is positioned to protrude from the support groove 1426. Insertion 1446 extends downwardly from connection 1444. Insertion portion 1446 is provided to have a larger diameter than the inner diameter of the connecting portion 1444 and the locking portion 1424. Accordingly, the insertion unit 1446 is positioned to be inserted into the support groove 1426. According to one example, the length connecting the end of the insertion portion 1446 at the end of the connecting portion 1444 may be provided shorter than the depth of the support groove 1426. Accordingly, it is possible to prevent contact with the bottom surface of the plate portion 1422 forming the support groove 1426 in the support pin 1440, and the support pin 1440 due to the contact between the support pin 1440 and the bottom surface. It can alleviate the impact on.

충격 완화 부재(1600)는 지지핀(1440)에 기판(W)이 안착 시 발생되는 충격을 완화시킨다. 충격 완화 부재(1600)는 지지홈(1426)에 가스를 공급한다. 충격 완화 부재(1600)는 가스 공급 라인(1620) 및 제어기(1800)를 포함한다. 가스 공급 라인(1620)은 플레이트부들(1422) 각각의 가스 유로(1428)에 연결된다. 가스 공급 라인(1620)은 가스 유로(1428)에 가스를 공급한다. 가스 유로(1428)에 공급된 가스는 각각의 지지홈(1426)으로 공급된다. 지지홈(1426)에 공급된 가스는 지지핀(1440)을 완충시킨다.The shock absorbing member 1600 may mitigate an impact generated when the substrate W is seated on the support pin 1440. The shock absorbing member 1600 supplies gas to the support groove 1426. The shock absorbing member 1600 includes a gas supply line 1620 and a controller 1800. The gas supply line 1620 is connected to the gas flow path 1428 of each of the plate portions 1422. The gas supply line 1620 supplies gas to the gas flow path 1428. The gas supplied to the gas flow path 1428 is supplied to each of the supporting grooves 1426. The gas supplied to the support groove 1426 buffers the support pin 1440.

제어기(1800)는 가스 공급 라인(1620)에 설치된 밸브를 제어한다. 제어기(1800)는 각 지지홈(1426)에 공급되는 가스의 유량을 조절한다, 일 예에 의하면, 지지홈들(1426)에 공급되는 가스의 유량 합은 지지핀(1440)의 무게보다 크고, 지지핀(1440)과 기판(W)을 합한 무게보다 작은 값을 가질 수 있다. 이로 인해 기판(W)이 미지지된 상태의 지지핀(1440)은 승강 위치로 이동되고, 기판(W)이 지지된 지지핀(1440)은 하강 위치로 이동될 수 있다. 여기서 승강 위치는 도 9와 같이 지지핀(1440)의 삽입부(1446)가 걸림부(1424)에 접촉되는 위치이고, 하강 위치는 지지핀(1440)의 지지부(1442)가 걸림부(1424)에 접촉되는 위치일 수 있다. The controller 1800 controls a valve installed in the gas supply line 1620. The controller 1800 adjusts the flow rate of the gas supplied to each of the support grooves 1426. According to an example, the sum of the flow rates of the gas supplied to the support grooves 1426 is greater than the weight of the support pin 1440, The support pin 1440 and the substrate W may have a value smaller than the combined weight. As a result, the support pin 1440 in the state in which the substrate W is not supported may be moved to the lifted position, and the support pin 1440 in which the substrate W is supported may be moved to the lowered position. Here, the lifting position is a position where the insertion portion 1446 of the support pin 1440 contacts the locking portion 1424 as shown in FIG. 9, and the lowering position is the locking portion 1424 of the support portion 1442 of the support pin 1440. It may be a position in contact with.

상술한 실시예에 의하면, 걸림부(1424)와 플레이트부(1422)는 서로 동일한 재질로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 10과 같이 걸림부(1460)는 탄성 재질로 제공될 수 있다. 걸림부(1460)는 고무 재질로 제공될 수 있다. 이로 인해 지지핀(1440)이 하강 위치로 이동되고, 지지핀(1440)과 걸림부(1460) 간에 발생되는 충격을 완화시킬 수 있다.According to the above-described embodiment, the locking portion 1424 and the plate portion 1422 have been described as being provided with the same material. However, as illustrated in FIG. 10, the locking unit 1460 may be provided with an elastic material. The catching part 1460 may be provided with a rubber material. As a result, the support pin 1440 is moved to the lowered position, and the shock generated between the support pin 1440 and the engaging portion 1460 can be alleviated.

또한 본 실시예에는 버퍼 유닛(1000)을 제 1 버퍼(320) 및 제 1 버퍼(520)로 정의하였다. 그러나 버퍼 유닛(1000)은 이에 한정되지 않으며, 핀을 이용해 기판(W)을 지지하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.In addition, in the present exemplary embodiment, the buffer unit 1000 is defined as a first buffer 320 and a first buffer 520. However, the buffer unit 1000 is not limited thereto and may be variously applied as long as the device supports the substrate W using pins.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. 2 to 5 again, the application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresist used in each coating chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photo resist on the substrate W. As shown in FIG. The resist application chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 412 is provided to be rotatable. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tubular shape and can supply the photoresist to the center of the substrate W. FIG. Optionally, the nozzle 413 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 처리액을 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 처리액을 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the substrate (W). For example, the bake chambers 420 may include a prebake process or a treatment liquid in which the substrate W is heated to a predetermined temperature to remove organic substances or moisture from the surface of the substrate W before the treatment liquid is applied. A soft bake process or the like performed after coating on W) is performed, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or thermoelectric elements. The heating plate 422 is also provided with heating means 424 such as hot wires or thermoelectric elements. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the baking chambers 420 may have only a cooling plate 421 and others may have only a heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 감광막의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process of removing a part of the photosensitive film by supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. Include. The developing module 402 has a developing chamber 460, a baking chamber 470, and a conveying chamber 480. The developing chamber 460, the baking chamber 470, and the conveying chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the developing chamber 460 and the baking chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16. In the figure, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of baking chambers 470 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, the baking chamber 470 may alternatively be provided in larger numbers.

반송 챔버(480)는 기판(W)을 반송하기 위한 기판 반송 유닛(482)이 제공된다. 기판 반송 유닛(482)은 베이크 챔버들(470), 현상챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(310)의 제 2 버퍼(330) 및 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(510)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 반송한다. 현상모듈(402)의 기판 반송 유닛(482)은 도포모듈(401)의 기판 반송 유닛(1000)의 아래에 위치한다. The conveyance chamber 480 is provided with a substrate conveyance unit 482 for conveying the substrate W. As shown in FIG. The substrate transfer unit 482 includes the bake chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 310, and the second buffer module 510. The substrate W is transported between the second cooling chambers 540. The substrate transfer unit 482 of the developing module 402 is located under the substrate transfer unit 1000 of the coating module 401.

현상챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing chambers 460 all have the same structure. However, the types of the developer used in each of the developing chambers 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes the light irradiated region of the photoresist on the substrate W. At this time, the area irradiated with light in the protective film is also removed. Depending on the kind of photoresist that is optionally used, only the regions of the photoresist and the protective film to which light is not irradiated may be removed.

현상챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tubular shape and can supply the developer to the center of the substrate W. FIG. Optionally, the nozzle 463 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developing solution is supplied.

베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heat-treats the substrate (W). For example, the bake chambers 470 are heated after each bake process and a hard bake process for heating the substrate W after the developing process is performed and a post bake process for heating the substrate W before the developing process is performed. And a cooling process for cooling the finished substrate. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473, such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may each be provided in one bake chamber 470. Optionally, some of the baking chambers 470 may have only a cooling plate 471 and others may have only a heating plate 472.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement when viewed from the top.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600. In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W, such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 controls the frame 510, the buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560. Have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located in the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged along the third direction 16. As viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the conveyance chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401. The edge exposure chamber 550 is disposed spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 in a second distance 14.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is located between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process is performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes an edge of the substrates W on which the cooling process is performed in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W having been processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pretreatment module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the substrates W having been processed in the post-processing module 602, which will be described later, are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to the developing module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process, the exposure before and after processing module 600 may process a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the substrate W during the liquid immersion exposure. In addition, the pre and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after the exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure treatment module 600 may process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 includes a pretreatment module 601 and a post-processing module 602. The pretreatment module 601 performs a process of processing the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pretreatment module 601 and the aftertreatment module 602 are arranged to partition into one another. In one example, the pretreatment module 601 is located on top of the aftertreatment module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film applying chamber 610, a baking chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film applying chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the protective film applying chamber 610 and the baking chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film applying chambers 610 may be provided and disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of protective film applying chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of baking chambers 620 may be provided and disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of baking chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned side by side in the first direction 12 with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. The pretreatment robot 632 is located in the transfer chamber 630. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pretreatment robot 632 is provided between the protective film applying chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 described later. The substrate W is transferred. The pretreatment robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. Arm 634 is provided in a stretchable and rotatable structure. Arm 634 is coupled to support 635 to be linearly movable in a third direction 16 along support 635.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film on the substrate W to protect the resist film during the liquid immersion exposure. The protective coating chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 612 is provided to be rotatable. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tubular shape and can supply a protective liquid to the center of the substrate W. As shown in FIG. Optionally, the nozzle 613 has a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. As the protective liquid, a material having a low affinity with the photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying chamber 610 rotates the substrate W placed on the support plate 612 and supplies the protective liquid to the center area of the substrate W. FIG.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The baking chamber 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with cooling means 623, such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as hot wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may each be provided in one bake chamber 620. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only a heating plate 622 and others may have only a cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The aftertreatment module 602 has a cleaning chamber 660, a post exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. The cleaning chamber 660 may be provided in plural and may be disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 670 may be provided after the exposure, and may be disposed along the third direction 16 to layer each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned side by side in the first direction 12 with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 when viewed from the top. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. The post-processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second of the interface module 700 described below. The substrate W is transported between the buffers 730. The post-processing robot 682 provided to the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided to the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. As shown in FIG. The support plate 662 is provided to be rotatable. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the center region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may linearly or rotationally move from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process is performed using ultraviolet rays. The post-exposure bake process heats the substrate W to amplify an acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with heating means 674, such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673, such as cooling water or thermoelectric elements. In addition, a bake chamber may optionally be provided with only the cooling plate 671.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pretreatment module 601 and the post-treatment module 602 are provided to be completely separated from each other in the pre- and post-exposure processing module 600. In addition, the transfer chamber 630 of the pretreatment module 601 and the transfer chamber 680 of the post-treatment module 602 may be provided in the same size so as to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the protective film applying chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided in the same size to each other when completely overlapping each other when viewed from the top. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may be provided in the same size, so as to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and disposed to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601, and the second buffer 730 is disposed at a height corresponding to the postprocessing module 602. As viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the conveyance chamber 630 and the first direction 12 of the pretreatment module 601, and the second buffer 730 is the post-processing module 602. Are positioned to be arranged in a line along the conveyance chamber 630 and the first direction 12.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure generally similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the pretreatment module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the substrates W processed in the exposure apparatus 900 before moving to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 722. The housing 721 is a direction and pretreatment robot provided with an interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pretreatment robot 632 can carry or unload the substrate W into the support 722 into the housing 721. 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure generally similar to that of the first buffer 720. However, the housing 731 of the second buffer 730 has openings (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and the robot as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W.

Claims (18)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 처리하는 공정 유닛과;
기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛과;
상기 공정 유닛과 버퍼 유닛 간에 기판을 반송하는 반송 유닛을 포함하되,
상기 버퍼 유닛은,
내부에 버퍼 공간을 가지는 하우징과;
상기 버퍼 공간에 위치되며, 기판이 놓이는 기판 지지 부재를 포함하되,
상기 기판 지지 부재는,
복수의 지지홈들을 갖는 지지 플레이트;
기판과 접촉되며 상기 지지홈의 외부에 위치되는 지지부와; 상기 지지홈 내에 위치되는 삽입부와; 상기 지지부와 상기 삽입부를 연결하는 연결부를 갖는 지지핀; 및
상기 삽입부가 상기 지지홈 내에서 승강 가능하도록 상기 지지홈 내로 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고,
상기 지지 플레이트는 상기 지지홈의 상부에 위치되며 상기 연결부가 관통되는 홀이 형성된 그리고 탄성재질로 이루어지는 걸림부를 더 포함하며,
상기 지지핀이 승하강시 상기 지지부의 하단 및 상기 삽입부의 상단은 상기 걸림부에 의해 그 이동이 제한되도록 제공되는 기판 처리 장치.
In the apparatus for processing a substrate,
A processing unit for processing the substrate;
A buffer unit for temporarily storing a substrate;
A transfer unit for transferring a substrate between the process unit and the buffer unit,
The buffer unit,
A housing having a buffer space therein;
A substrate support member positioned in the buffer space and on which the substrate is placed;
The substrate support member,
A support plate having a plurality of support grooves;
A support part in contact with a substrate and positioned outside the support groove; An insertion part located in the support groove; A support pin having a connection portion connecting the support portion and the insertion portion; And
And a gas supply unit supplying gas into the support groove so that the insertion portion can be lifted and lowered in the support groove.
The support plate further includes a locking portion formed on an upper portion of the support groove and having a hole through which the connecting portion is formed and made of an elastic material.
And a lower end of the support part and an upper end of the insertion part when the support pin is lifted up and down so that movement of the support pin is limited by the locking part.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상하 방향을 향하는 상기 삽입부의 길이는 상기 지지홈의 깊이보다 짧게 제공되고, 상기 삽입부는 상기 지지홈 내에서 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The length of the insertion portion facing in the vertical direction is provided shorter than the depth of the support groove, the insertion portion is provided to be movable in the vertical direction in the support groove.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 지지홈들에 공급되는 가스의 유량 합은 상기 지지핀의 무게보다 크고, 기판의 무게보다 작은 값을 가지는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The sum of the flow rates of the gas supplied to the support grooves is greater than the weight of the support pin, the substrate processing apparatus having a value less than the weight of the substrate.
제7항에 있어서,
상기 기판 지지 부재는 상기 버퍼 공간에서 상하 방향으로 적층되게 위치되는 기판 처리 장치.
The method of claim 7, wherein
And the substrate support member is positioned to be stacked in the vertical direction in the buffer space.
삭제delete 삭제delete 기판을 임시 보관하는 버퍼 유닛에 있어서,
내부에 버퍼 공간을 가지는 하우징과;
상기 버퍼 공간에 위치되며, 기판이 놓이는 기판 지지 부재를 포함하되,
상기 기판 지지 부재는,
복수의 지지홈들을 갖는 지지 플레이트;
기판과 접촉되며 상기 지지홈의 외부에 위치되는 지지부와; 상기 지지홈 내에 위치되는 삽입부와; 상기 지지부와 상기 삽입부를 연결하는 연결부를 갖는 지지핀; 및
상기 삽입부가 상기 지지홈 내에서 승강 가능하도록 상기 지지홈 내로 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고,
상기 지지 플레이트는 상기 지지홈의 상부에 위치되며 상기 연결부가 관통되는 홀이 형성된 그리고 탄성재질로 이루어지는 걸림부를 더 포함하며,
상기 지지핀이 승하강시 상기 지지부의 하단 및 상기 삽입부의 상단은 상기 걸림부에 의해 그 이동이 제한되도록 제공되는 버퍼 유닛.
In the buffer unit for temporarily storing a substrate,
A housing having a buffer space therein;
A substrate support member positioned in the buffer space and on which the substrate is placed;
The substrate support member,
A support plate having a plurality of support grooves;
A support part in contact with a substrate and positioned outside the support groove; An insertion part located in the support groove; A support pin having a connection portion connecting the support portion and the insertion portion; And
And a gas supply unit supplying gas into the support groove so that the insertion portion can be lifted and lowered in the support groove.
The support plate further includes a locking portion formed on an upper portion of the support groove and having a hole through which the connecting portion is formed and made of an elastic material.
And a lower end of the support part and an upper end of the insertion part when the support pin is lifted up and down so that movement of the support pin is limited by the locking part.
삭제delete 제11항에 있어서,
상하 방향을 향하는 상기 삽입부의 길이는 상기 지지홈의 깊이보다 짧게 제공되고, 상기 삽입부는 상기 지지홈 내에서 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되는 버퍼 유닛.
The method of claim 11,
The length of the insertion portion facing in the vertical direction is provided shorter than the depth of the support groove, the insertion unit is provided to be movable in the vertical direction in the support groove.
삭제delete 제11항에 있어서,
상기 기판 지지 부재는 상기 버퍼 공간에서 상하 방향으로 적층되게 위치되는 버퍼 유닛.
The method of claim 11,
And the substrate supporting member is positioned to be stacked in the vertical direction in the buffer space.
기판을 지지하는 기판 지지 부재에 있어서,
복수의 지지홈들을 갖는 지지 플레이트;
기판과 접촉되며 상기 지지홈의 외부에 위치되는 지지부와; 상기 지지홈 내에 위치되는 삽입부와; 상기 지지부와 상기 삽입부를 연결하는 연결부를 갖는 지지핀; 및
상기 삽입부가 상기 지지홈 내에서 승강 가능하도록 상기 지지홈 내로 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하고,
상기 지지 플레이트는 상기 지지홈의 상부에 위치되며 상기 연결부가 관통되는 홀이 형성된 그리고 탄성재질로 이루어지는 걸림부를 더 포함하며,
상기 지지핀이 승하강시 상기 지지부의 하단 및 상기 삽입부의 상단은 상기 걸림부에 의해 그 이동이 제한되도록 제공되는 기판 지지 부재.
In a substrate support member for supporting a substrate,
A support plate having a plurality of support grooves;
A support part in contact with a substrate and positioned outside the support groove; An insertion part located in the support groove; A support pin having a connection portion connecting the support portion and the insertion portion; And
And a gas supply unit supplying gas into the support groove so that the insertion portion can be lifted and lowered in the support groove.
The support plate further includes a locking portion formed on an upper portion of the support groove and having a hole through which the connecting portion is formed and made of an elastic material.
And a lower end of the support part and an upper end of the insertion part when the support pin is lifted up and down so that movement thereof is limited by the locking part.
삭제delete 삭제delete
KR1020170058177A 2017-05-10 2017-05-10 Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate KR102046869B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170058177A KR102046869B1 (en) 2017-05-10 2017-05-10 Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170058177A KR102046869B1 (en) 2017-05-10 2017-05-10 Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180124204A KR20180124204A (en) 2018-11-21
KR102046869B1 true KR102046869B1 (en) 2019-11-21

Family

ID=64602352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170058177A KR102046869B1 (en) 2017-05-10 2017-05-10 Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102046869B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102283430B1 (en) * 2019-07-08 2021-07-28 세메스 주식회사 A support unit for supporting the wafer storage container
KR102397491B1 (en) 2021-10-19 2022-05-12 와이제이컴퍼니 주식회사 Manufacturing method of art fish cake using natural ingredients

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210400A (en) * 2005-01-25 2006-08-10 Tokyo Electron Ltd Cooling processing apparatus
KR100825967B1 (en) * 2006-11-03 2008-04-29 (주)리드 Interface unit, substrates treating apparatus and substrates temperature control method using the same
JP2012099787A (en) * 2010-10-07 2012-05-24 Tokyo Electron Ltd Heat treatment apparatus and heat treatment method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100968814B1 (en) * 2008-05-14 2010-07-08 세메스 주식회사 Lift pin structure and substrate treating apparatus with it

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210400A (en) * 2005-01-25 2006-08-10 Tokyo Electron Ltd Cooling processing apparatus
KR100825967B1 (en) * 2006-11-03 2008-04-29 (주)리드 Interface unit, substrates treating apparatus and substrates temperature control method using the same
JP2012099787A (en) * 2010-10-07 2012-05-24 Tokyo Electron Ltd Heat treatment apparatus and heat treatment method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180124204A (en) 2018-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101927699B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101166109B1 (en) Facility for treating substrates
KR20160017699A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR20220044052A (en) Cooling unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method using the same
KR102188354B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102046869B1 (en) Member for suppliyng a substrate, Buffer unit, and Apparatus for treating a substrate
KR102516725B1 (en) bake apparatus a having the unit and method processing substrate by using thereof
KR101769440B1 (en) Method for treating substrate
KR102324405B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102175074B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102000023B1 (en) Substrate treating apparatus
KR20160072545A (en) Apparatus for treating substrate
KR102224987B1 (en) Heat processing apparatus
KR102119683B1 (en) Home port, Apparatus and Method for treating substrate with the home port
KR101768518B1 (en) Transfer chamber, Apparatus for treating substrate, and method for trasnferring substrate
KR101914482B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20160081010A (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
KR101776018B1 (en) Method for heating a substrate and Apparatus for treating a substrate
KR101721148B1 (en) Nozzle, Apparatus for treating substrate and method for applying chemicals
KR102156897B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102037920B1 (en) Heating unit
KR20140101946A (en) lift pin assembly
KR20130056752A (en) Transfer robot
KR20180061536A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102343640B1 (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant