KR102175074B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 처리액을 공급하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리방법은 하우징 내에 위치된 스핀헤드에 기판을 지지하는 로딩단계, 상기 스핀헤드에 의해 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제1처리액을 공급하는 제1액공급단계, 그리고 상기 기판의 상면에 제2처리액을 공급하는 제2액공급단계를 포함하되, 제1처리액은 제1상태 및 제2상태 각각으로 제공되고, 상기 제1상태 및 상기 제2상태는 제1처리액이 상기 기판으로부터 비산되는 거리가 서로 상이하게 제공된다.The present invention provides an apparatus and method for supplying a processing liquid onto a substrate. The substrate processing method includes a loading step of supporting a substrate on a spin head positioned in a housing, a first liquid supply step of rotating the substrate by the spin head and supplying a first processing liquid to an upper surface of the substrate, and the substrate And a second liquid supply step of supplying a second treatment liquid to the upper surface of, wherein the first treatment liquid is provided in a first state and a second state, respectively, and the first state and the second state are the first treatment liquid The distances scattered from the substrate are provided differently from each other.

Figure R1020130129406
Figure R1020130129406

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 처리액을 공급하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for supplying a processing liquid onto a substrate.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위한 공정으로는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등 다양한 공정들을 포함한다. 이 중 사진공정은 도포, 노광, 그리고 현상 공정을 포함하며, 도포공정에는 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이 수행된다.A process for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display includes various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning. Among these, the photographic process includes coating, exposure, and development processes, and the coating process includes a process of applying a photoresist, such as a photoresist, on a substrate.

일반적으로 도포공정은 기판 상에 신나를 공급하여 기판의 젖음성을 향상시키고, 이후에 감광액을 공급한다. 도포공정은 하우징 내에 위치된 기판을 일정한 속도로 회전되고, 그 기판 상에 신나 및 감광액을 공급한다. 감광액의 일부는 기판 상에 도포되고, 다른 일부는 기판의 원심력에 의해 하우징의 내측 통로를 통해 배출된다. 그러나 감광액이 배출되는 과정에서 일부는 하우징의 내측면에 부착되고, 시간이 경과됨에 따라 고착된다. 특히 감광액은 하우징의 내측 모서리영역 및 경사영역에 쉽게 부착된다. In general, in the coating process, a thinner is supplied on the substrate to improve the wettability of the substrate, and a photoresist is supplied thereafter. In the coating process, a substrate placed in the housing is rotated at a constant speed, and a thinner and a photoresist are supplied on the substrate. A part of the photoresist is applied on the substrate, and the other part is discharged through the inner passage of the housing by the centrifugal force of the substrate. However, in the process of discharging the photoresist, some of them adhere to the inner surface of the housing, and become fixed over time. In particular, the photoresist is easily attached to the inner edge area and inclined area of the housing.

이로 인해 하우징에 대해 주기적인 메인터넌스가 요구된다.This requires periodic maintenance of the housing.

본 발명은 하우징 내측에 부착되는 감광액을 세정할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of cleaning a photoresist attached to the inside of a housing.

또한 본 발명은 별도의 메인터넌스없이 하우징을 세정할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide an apparatus and method capable of cleaning a housing without separate maintenance.

본 발명의 실시예는 기판 상에 처리액을 공급하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리방법은 하우징 내에 위치된 스핀헤드에 기판을 지지하는 로딩단계, 상기 스핀헤드에 의해 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제1처리액을 공급하는 제1액공급단계, 그리고 상기 기판의 상면에 제2처리액을 공급하는 제2액공급단계를 포함하되, 제1처리액은 제1상태 및 제2상태에 따라 순차적으로 제공되고, 상기 제1상태 및 상기 제2상태는 제1처리액이 상기 기판으로부터 비산되는 거리가 서로 상이하게 제공된다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and method for supplying a processing liquid onto a substrate. The substrate processing method includes a loading step of supporting a substrate on a spin head positioned in a housing, a first liquid supply step of rotating the substrate by the spin head and supplying a first processing liquid to an upper surface of the substrate, and the substrate And a second liquid supply step of supplying a second treatment liquid to the upper surface of, wherein the first treatment liquid is sequentially provided according to the first state and the second state, and the first state and the second state are the first The distance at which the processing liquid is scattered from the substrate is provided differently from each other.

제1처리액은 신나이고, 제2처리액은 포토레지스트로 제공될 수 있다. 상기 제1액공급단계에는 상기 기판의 회전속도를 조절하여 제1처리액을 상기 제1상태 및 상기 제2상태로 제공할 수 있다. 상기 제1액공급단계에는 제1처리액의 유량을 조절하여 제1처리액을 상기 제1상태 및 상기 제2상태로 제공할 수 있다. 상기 제2액공급단계 이후에는 상기 기판의 가장자리영역에 제1처리액을 공급하는 제3액공급단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제1액공급단계 및 상기 제3액공급단계 각각에는 상기 기판의 저면으로 제1처리액을 더 공급할 수 있다.The first treatment liquid may be thinner, and the second treatment liquid may be provided as a photoresist. In the first liquid supply step, a first treatment liquid may be provided in the first state and the second state by adjusting the rotational speed of the substrate. In the first liquid supply step, the first treatment liquid may be provided in the first state and the second state by adjusting the flow rate of the first treatment liquid. After the second liquid supplying step, a third liquid supplying step of supplying the first treatment liquid to the edge region of the substrate may be further included. In each of the first liquid supply step and the third liquid supply step, a first treatment liquid may be further supplied to the bottom surface of the substrate.

또한 기판처리방법은 회수통 및 이의 내측에 위치된 안내벽을 가지는 하우징의 내에 위치된 스핀헤드에 기판을 지지하는 로딩단계, 상기 스핀헤드에 의해 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제1처리액을 공급하되, 공급된 제1처리액은 상기 기판으로부터 비산되어 상기 하우징의 내측면 및 상기 안내벽의 상면 각각에 액막을 형성하는 제1액공급단계, 그리고 상기 기판의 상면에 제2처리액을 공급하되, 제2처리액은 상기 기판으로부터 비산되어 상기 회수통 및 상기 안내벽의 사이공간으로 유입되어 배출되는 제2액공급단계를 포함한다.In addition, the substrate processing method includes a loading step of supporting a substrate on a spin head positioned in a housing having a recovery container and a guide wall positioned inside the substrate, rotating the substrate by the spin head, and rotating the substrate on the upper surface of the substrate. A first liquid supply step of supplying a treatment liquid, wherein the supplied first treatment liquid is scattered from the substrate to form a liquid film on each of the inner surface of the housing and the upper surface of the guide wall, and a second treatment on the upper surface of the substrate. And a second liquid supply step of supplying a liquid, wherein the second treatment liquid is scattered from the substrate and introduced into and discharged from the space between the recovery container and the guide wall.

상기 제1액공급단계에는 상기 기판의 회전속도를 조절하여 제1처리액이 상기 기판으로부터 비산되는 거리를 조절할 수 있다. 상기 제1액공급단계에는 제1처리액의 유량을 조절하여 제1처리액이 상기 기판으로부터 비산되는 거리를 조절할 수 있다. 제1처리액은 신나이고, 제2처리액은 포토레지스트로 제공될 수 있다.In the first liquid supply step, a distance at which the first treatment liquid is scattered from the substrate may be adjusted by adjusting the rotational speed of the substrate. In the first liquid supplying step, a distance at which the first treatment liquid is scattered from the substrate may be adjusted by adjusting the flow rate of the first treatment liquid. The first treatment liquid may be thinner, and the second treatment liquid may be provided as a photoresist.

기판처리장치는 회수통 및 이의 내측에 위치된 안내벽을 가지며, 상기 회수통과 상기 안내벽 사이에 처리액이 회수되는 회수공간을 제공하는 하우징, 상기 안내벽에 둘러싸이도록 상기 하우징 내에 위치되며, 기판을 지지하는 지지플레이트, 상기 지지플레이트를 회전시키는 구동부재, 상기 구동부재에 의해 회전되는 기판의 상면에 제1처리액을 공급하는 제1처리액공급부재, 상기 구동부재에 의해 회전되는 기판의 상면에 제2처리액을 공급하는 제2처리액공급부재, 그리고 상기 구동부재 및 상기 제1처리액공급부재를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 회수공간에 해당되는 회수통 및 안내벽에 액막을 형성하도록 기판으로부터 비산되는 제1처리액의 거리를 조절한다.The substrate processing apparatus has a recovery container and a guide wall positioned inside the housing, and provides a recovery space between the recovery container and the guide wall in which a treatment liquid is recovered, and is located in the housing so as to be surrounded by the guide wall. A support plate supporting the support plate, a driving member rotating the support plate, a first processing liquid supply member supplying a first processing liquid to an upper surface of a substrate rotated by the driving member, an upper surface of the substrate rotated by the driving member A second treatment liquid supply member for supplying a second treatment liquid to a second treatment liquid supply member, and a controller for controlling the driving member and the first treatment liquid supply member, wherein the controller is disposed in a collection container and a guide wall corresponding to the recovery space. The distance of the first treatment liquid scattered from the substrate is adjusted to form a liquid film.

상기 제어기는 상기 구동부재를 제어하여 기판의 회전속도를 제어하고, 상기 비산되는 제1처리액의 거리를 조절할 수 있다. 상기 제1처리액공급부재는 노즐, 상기 노즐에 제1처리액을 공급하는 상부 처리액공급라인, 그리고 상기 제1처리액공급라인에 설치되는 밸브를 포함하되, 상기 제어기는 상기 밸브를 제어하여 제1처리액의 유량을 제어하고, 상기 비산되는 제1처리액의 거리를 조절할 수 있다.The controller may control the driving member to control a rotational speed of the substrate, and may control a distance of the scattered first treatment liquid. The first treatment liquid supply member includes a nozzle, an upper treatment liquid supply line for supplying a first treatment liquid to the nozzle, and a valve installed in the first treatment liquid supply line, wherein the controller controls the valve The flow rate of the first treatment liquid may be controlled, and a distance of the scattered first treatment liquid may be adjusted.

본 발명의 실시예에 의하면, 감광액이 하우징의 내측면에 부착되기 전에 하우징의 내측면에 신나의 액막을 형성하므로, 감광액이 하우징에 부착되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, since a thin film is formed on the inner surface of the housing before the photoresist is attached to the inner surface of the housing, it is possible to prevent the photosensitive solution from adhering to the housing.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 신나가 공급되는 중에 기판의 회전속도를 가변하므로, 그 회전속도에 따라 비산되는 신나를 하우징의 내측면에 영역 별로 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the rotational speed of the substrate is varied while the thinner is being supplied, the thinner scattered according to the rotational speed can be provided for each area on the inner surface of the housing.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 신나의 유량을 조절하고, 그 유량에 따라 비산되는 신나를 하우징의 내측면에 영역 별로에 제공할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the flow rate of the thinner can be adjusted, and the thinner scattered according to the flow rate can be provided on the inner surface of the housing for each area.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도2는 도1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도3은 도1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도4는 도1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도5는 도1의 도포챔버에 제공되는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도6 내지 도9는 도5의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.1 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 1 viewed from the direction AA.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 1 as viewed from a BB direction.
4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 1 as viewed from a CC direction.
5 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the coating chamber of FIG. 1.
6 to 9 are views illustrating a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG. 5.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely describe the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. The following describes a case where a wafer is used as a substrate as an example.

도1 내지 도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도2는 도1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도3은 도1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도4는 도1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 1 to 9 are views schematically showing a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 2 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the AA direction, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the BB direction, and FIG. 4 is the facility of FIG. Is a view viewed from the CC direction.

도1 내지 도4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 1 to 4, the substrate processing facility 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500. ), a pre-exposure processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700 Are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( The direction in which 700) is arranged is called the first direction 12, the direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is called the second direction 14, and the first direction 12 and the second A direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open integrated pod (FOUP) having a door in the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of placement tables 120 are provided, and the placement tables 200 are arranged in a row along the second direction 14. In FIG. 1, four mounting tables 120 were provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided in a rectangular parallelepiped shape with an empty inside, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 is driven by four axes so that the hand 221 that directly handles the substrate W can move and rotate in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixedly installed on the arm 222. The arm 222 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. Support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be able to move linearly along the guide rail 230. Further, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided on the frame 210.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty inside, and is disposed between the index module 200 and the coating and developing module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are applied to a coating and developing module ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of 400). The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart by a predetermined distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 and the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate W is placed on each of the supports 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later attach the substrate W to the support 332 in the housing 331. An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in a direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 to be described later is provided. The number of supports 322 provided to the first buffer 320 and the number of supports 332 provided to the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided to the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided to the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixedly installed on the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be able to move linearly in the third direction 16 along the support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer than this in an upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven only in two axes along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. Each of the cooling chambers 350 cools the substrate W. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods, such as cooling using cooling water or cooling using a thermoelectric element, may be used. In addition, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350. The housing 351 includes the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided to the index robot 220 and the developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352. The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist onto the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The coating and developing module 400 has a substantially rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The coating module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned into layers therebetween. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The coating module 401 includes a process of applying a photoresist, such as a photoresist, to the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling to the substrate W before and after the resist coating process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist coating chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist application chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, unlike this, the number of bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, an application unit robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is the first of the bake chambers 420, the resist coating chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520. The guide rail 433 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to linearly move in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixedly installed on the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable structure to allow the hand 434 to move in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be able to move linearly along the support 436 in the third direction 16. The support 436 is fixedly coupled to the support 437, and the support 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판처리장치로 제공된다. 도5는 도1의 도포챔버에 제공되는 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 기판처리장치(800)는 기판지지유닛(810), 하우징(850), 승강유닛(880), 처리액공급유닛(900), 그리고 제어기(940)를 포함한다. All of the resist application chambers 410 have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist coating chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photo resist. The resist coating chamber 410 is provided as a substrate processing apparatus for coating a photoresist on the substrate W. 5 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the coating chamber of FIG. 1. Referring to FIG. 5, the substrate processing apparatus 800 includes a substrate support unit 810, a housing 850, an elevating unit 880, a processing liquid supply unit 900, and a controller 940.

기판지지유닛(810)은 기판을 지지 및 회전시킨다. 기판지지유닛(810)은 지지플레이트(820) 및 구동부재(830)를 포함한다. 지지플레이트(820)의 상면에는 기판을 지지하는 핀 부재들(822, 824)이 결합된다. 지지핀들(822)은 기판의 저면을 지지하고, 척핀들(824)은 기판의 측면을 지지한다. 지지플레이트(820)는 구동부재(830)에 의해 회전 가능하다. 구동부재(830)는 구동축(832) 및 구동기(834)를 포함한다. 구동축(834)은 지지플레이트(820)의 저면에 결합된다. 구동기(834)는 구동축(832)에 회전력을 제공한다. 예컨대, 구동기(834)는 모터일 수 있다. The substrate support unit 810 supports and rotates the substrate. The substrate support unit 810 includes a support plate 820 and a driving member 830. Pin members 822 and 824 supporting the substrate are coupled to the upper surface of the support plate 820. The support pins 822 support the bottom surface of the substrate, and the chuck pins 824 support the side surfaces of the substrate. The support plate 820 is rotatable by the driving member 830. The driving member 830 includes a driving shaft 832 and a driver 834. The drive shaft 834 is coupled to the bottom surface of the support plate 820. The driver 834 provides rotational force to the drive shaft 832. For example, the driver 834 may be a motor.

하우징(850)은 내부에 도포공정이 수행되는 처리공간을 제공한다. 하우징(850)은 그 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하우징(850)은 회수통(860) 및 안내벽(870)을 포함한다. 회수통(860)은 기판지지유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 안내벽(870)은 회수통(860)의 내측에서 기판지지유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 회수통(860)과 안내벽(870)의 사이공간은 처리액이 회수되는 회수공간(865)으로 제공한다. 회수통(860)의 저면에는 회수라인(868)이 연결된다. 회수라인(868)은 회수통(860)에 유입된 처리액을 외부로 배출한다. 배출된 처리액은 처리액 재생시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The housing 850 provides a processing space in which the coating process is performed. The housing 850 is provided in a cylindrical shape with an open top thereof. The housing 850 includes a recovery container 860 and a guide wall 870. The recovery container 860 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 810. The guide wall 870 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 810 inside the recovery container 860. The space between the recovery container 860 and the guide wall 870 is provided as a recovery space 865 in which the treatment liquid is recovered. A recovery line 868 is connected to the bottom of the recovery container 860. The recovery line 868 discharges the treatment liquid introduced into the recovery container 860 to the outside. The discharged treatment liquid can be reused through a treatment liquid regeneration system (not shown).

회수통(860)은 제1경사벽(862), 수직벽(864), 그리고 바닥벽(866)을 포함한다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제1경사벽(862)은 기판지지유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 수직벽(864)은 제1경사벽(862)의 하단으로부터 아래 방향으로 지면과 수직하게 연장된다. 바닥벽(866)은 수직벽(864)의 하단으로부터 기판지지유닛(810)의 중심축을 향하는 방향으로 수평하게 연장된다. The recovery container 860 includes a first inclined wall 862, a vertical wall 864, and a bottom wall 866. The first inclined wall 862 is provided to surround the substrate support unit 810. The first inclined wall 862 is provided to incline downward in a direction away from the substrate support unit 810. The vertical wall 864 extends vertically to the ground in a downward direction from the lower end of the first inclined wall 862. The bottom wall 866 extends horizontally from the lower end of the vertical wall 864 toward the central axis of the substrate support unit 810.

안내벽(870)은 제1경사벽(862)과 바닥벽(866) 사이에 위치된다. 안내벽(870)은 제2경사벽(872) 및 사이벽(874)을 포함한다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(810)을 둘러싸도록 제공된다. 제2경사벽(872)은 기판지지유닛(810)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지도록 제공된다. 제2경사벽(872)과 제1경사벽(862) 각각의 상단은 상하방향으로 일치되게 제공된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)의 상단으로부터 아래 방향으로 수직하게 연장된다. 사이벽(874)은 제2경사벽(872)과 바닥벽(866)을 연결한다.The guide wall 870 is positioned between the first inclined wall 862 and the bottom wall 866. The guide wall 870 includes a second inclined wall 872 and an intermediate wall 874. The second inclined wall 872 is provided to surround the substrate support unit 810. The second inclined wall 872 is provided to incline downward in a direction away from the substrate support unit 810. The upper ends of each of the second inclined wall 872 and the first inclined wall 862 are provided to be aligned in the vertical direction. The inter-wall 874 extends vertically downward from the upper end of the second inclined wall 872. The inter-wall 874 connects the second inclined wall 872 and the bottom wall 866.

승강유닛(880)은 하우징(850)을 상하 방향으로 승강시키며, 하우징(850)과 기판지지유닛(810) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강유닛(880)은 브라켓(882), 이동축(884), 그리고 구동기(886)를 포함한다. 브라켓(882)은 하우징(850)의 경사벽에 고정 설치된다. 브라켓(882)에는 구동기(886)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(884)이 고정 결합된다. The elevating unit 880 elevates the housing 850 in the vertical direction and adjusts the relative height between the housing 850 and the substrate support unit 810. The lifting unit 880 includes a bracket 882, a moving shaft 884, and a driver 886. The bracket 882 is fixedly installed on the inclined wall of the housing 850. A moving shaft 884 that is moved in the vertical direction by a driver 886 is fixedly coupled to the bracket 882.

처리액공급유닛(900)은 지지플레이트(820)에 로딩된 기판에 제1처리액 및 제2처리액을 공급한다. 처리액공급유닛(900)은 상부 제1처리액공급부재(910), 제2처리액공급부재(920), 그리고 하부 제1처리액공급부재(930)를 포함한다. 상부 제1처리액공급부재(910)는 기판의 상면에 제1처리액을 공급하고, 제2처리액공급부재(920)는 기판의 상면에 제2처리액을 공급한다. 하부 제1처리액공급부재(930)는 기판의 저면에 제1처리액을 공급한다. The processing liquid supply unit 900 supplies the first processing liquid and the second processing liquid to the substrate loaded on the support plate 820. The treatment liquid supply unit 900 includes an upper first treatment liquid supply member 910, a second treatment liquid supply member 920, and a lower first treatment liquid supply member 930. The upper first treatment liquid supply member 910 supplies the first treatment liquid to the upper surface of the substrate, and the second treatment liquid supply member 920 supplies the second treatment liquid to the upper surface of the substrate. The lower first treatment liquid supply member 930 supplies the first treatment liquid to the bottom surface of the substrate.

상부 제1처리액공급부재(910)는 지지축(911), 아암((913), 상부노즐(914), 그리고 상부 처리액공급라인(915)을 포함한다. 지지축(911)은 하우징(850)의 일측에 위치된다. 지지축(911)은 그 길이방향이 제3방향을 향하도록 제공된다. 지지축(911)은 구동기(미도시)에 의해 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 아암((913)은 지지축(911)의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장되게 제공된다. 지지축(911)의 끝단 저면에는 상부노즐(914)이 결합된다. 지지축(911)의 회전에 의해 상부노즐(914)은 공정위치 및 대기위치 간에 이동 가능하다. 여기서 공정위치는 상부노즐(914)이 하우징(850)과 대향되는 위치이고, 대기위치는 상부노즐(914)이 하우징(850)의 상부를 벗어난 위치이다. 상부 처리액공급라인(915)은 상부노즐(914) 및 처리액공급원(916)을 연결한다. 처리액공급원(916)에 채워진 제1처리액은 상부 처리액공급라인(915)을 통해 상부노즐(914)로 공급된다. 상부 처리액공급라인(915)에는 밸브(917)가 설치된다.The upper first treatment liquid supply member 910 includes a support shaft 911, an arm 913, an upper nozzle 914, and an upper treatment liquid supply line 915. The support shaft 911 includes a housing ( It is located on one side of 850. The support shaft 911 is provided so that its longitudinal direction faces in the third direction. The support shaft 911 is provided so as to be rotatable about its central axis by an actuator (not shown). The arm 913 is provided to extend in a vertical direction from the upper end of the support shaft 911. The upper nozzle 914 is coupled to the bottom of the end of the support shaft 911. In the rotation of the support shaft 911 Accordingly, the upper nozzle 914 can be moved between the process position and the standby position, where the process position is the position where the upper nozzle 914 faces the housing 850, and the standby position is the upper nozzle 914 is the housing 850 The upper treatment liquid supply line 915 connects the upper nozzle 914 and the treatment liquid supply source 916. The first treatment liquid filled in the treatment liquid supply source 916 is the upper treatment liquid supply line It is supplied to the upper nozzle 914 through 915. A valve 917 is installed in the upper treatment liquid supply line 915.

제2처리액공급부재(920)는 하우징(850)의 타측에 위치되며, 상부 제1처리액공급부재(910)와 동일한 형상을 가진다. 따라서 제2처리액공급부재(920)에 대한 상세한 설명은 생략한다.The second treatment liquid supply member 920 is located on the other side of the housing 850 and has the same shape as the upper first treatment liquid supply member 910. Therefore, a detailed description of the second treatment liquid supply member 920 will be omitted.

하부 제1처리액공급부재(930)는 하부노즐(932) 및 하부 처리액공급라인을 포함한다. 하부노즐(932)은 핀부재들(822, 824)에 의해 지지된 기판과 지지플레이트(820) 사이에 위치된다. 하부노즐들(932)은 복수 개로 제공되며, 지지플레이트(820)의 상면에 결합된다. 하부노즐들(932)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 하부노즐(932)은 지지플레이트(820)의 중심축을 기준으로 지지핀(822)보다 외측에 위치되고, 척핀(824)보다 내측에 위치된다. The lower first treatment liquid supply member 930 includes a lower nozzle 932 and a lower treatment liquid supply line. The lower nozzle 932 is positioned between the support plate 820 and the substrate supported by the pin members 822 and 824. The lower nozzles 932 are provided in plural and are coupled to the upper surface of the support plate 820. The lower nozzles 932 are provided to have an annular ring shape in combination with each other. When viewed from the top, the lower nozzle 932 is positioned outside the support pin 822 based on the central axis of the support plate 820 and is positioned inside the chuck pin 824.

예컨대, 제1처리액은 제2처리액의 확산을 돕는 케미칼일 수 있다. 제1처리액은 신나이고, 제2처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다.For example, the first treatment liquid may be a chemical that helps diffusion of the second treatment liquid. The first treatment liquid may be thinner, and the second treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist.

제어기(940)는 상부 제1처리액공급부재(910)의 밸브(917) 및 기판지지유닛(810)의 구동기(834)를 제어한다. 제어기(940)는 밸브(917) 및 구동기(834)를 제어하여 제1처리액의 유량 및 기판의 회전속도를 조절한다. 일 예에 의하면, 제어기(940)는 밸브(917) 및 구동기(834)를 제어하여 제1처리액을 제1상태 및 제2상태로 제공할 수 있다. 제1상태 및 제2상태는 제1처리액이 기판으로부터 비산되는 거리로 제공되며, 각각은 그 거리가 상이하게 제공될 수 있다. 제어기(940)는 구동기(8343)를 제어하여 기판의 회전속도를 제어하고, 제1처리액이 기판으로부터 비산되는 거리를 조절할 수 있다. 제어기(940)는 밸브(917)를 제어하여 제1처리액의 공급유량을 제어하고, 제1처리액이 기판으로부터 비산되는 거리를 조절할 수 있다. 제1처리액은 제1상태로 제공되어 제1경사벽(862) 및 수직벽(864)의 내측면에 액막을 형성하고, 제2상태로 제공되어 제2경사벽(872)의 상면에 액막을 형성할 수 있다.The controller 940 controls the valve 917 of the upper first processing liquid supply member 910 and the driver 834 of the substrate support unit 810. The controller 940 controls the valve 917 and the actuator 834 to adjust the flow rate of the first treatment liquid and the rotational speed of the substrate. According to an example, the controller 940 may control the valve 917 and the actuator 834 to provide the first treatment liquid in the first state and the second state. The first state and the second state are provided as a distance at which the first treatment liquid is scattered from the substrate, and each may be provided with a different distance. The controller 940 may control the driver 8339 to control the rotational speed of the substrate, and may control a distance at which the first processing liquid is scattered from the substrate. The controller 940 controls the valve 917 to control a supply flow rate of the first treatment liquid, and may control a distance at which the first treatment liquid is scattered from the substrate. The first treatment liquid is provided in a first state to form a liquid film on the inner surfaces of the first inclined wall 862 and the vertical wall 864, and provided in a second state to form a liquid film on the upper surface of the second inclined wall 872 Can be formed.

다음은 상술한 기판처리장치(800)를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다. 도6 내지 도9는 도5의 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 보여주는 도면들이다. 도 6 내지 도9를 참조하면, 기판지지유닛(810)에 기판이 로딩되고, 기판지지유닛(810)은 기판을 제1속도로 회전시킨다. 상부 노즐은 공정위치로 이동되어 기판의 상면 중앙영역에 제1처리액을 공급한다. 이와 동시에 하부 노즐은 기판의 저면 가장자리영역에 제1처리액을 공급한다. 기판의 양면 각각에 공급된 제1처리액은 기판으로부터 비산되어 회수통(860)의 제1경사벽(862) 및 수직벽(864)의 내측면에 액막을 형성한다. 이후 기판지지유닛(810)은 기판을 제1속도보다 낮은 제2속도로 회전시켜 제1처리액에 전달되는 원심력을 낮춘다. 제1처리액은 제1속도로 회전되는 기판으로부터 비산되어 안내벽(870)의 제2경사벽(872)의 상면에 액막을 형성한다. 제1처리액의 공급이 완료되면, 상부 제1처리액공급부재(910)는 대기위치로 이동되고, 제2처리액공급부재(920)가 공정위치로 이동된다. 제2처리액공급부재(920)는 기판의 상면 중앙영역에 제2처리액을 도포한다. 제2처리액의 일부는 기판 상에 도포막을 형성하고, 다른 일부는 회수통(860)과 안내벽(870) 사이공간을 통해 배출된다. 제2처리액의 공급이 완료되면, 상부 제1처리액공급부재(910)는 공정위치에서 기판의 상면 가장자리영역에 제1처리액을 공급하여 도포막의 일부를 제거한다. 이와 동시에 하부 제1처리액공급부재(930)는 기판의 저면 가장자리영역에 제1처리액을 공급한다. Next, a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 800 described above will be described. 6 to 9 are views illustrating a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG. 5. 6 to 9, a substrate is loaded into the substrate support unit 810, and the substrate support unit 810 rotates the substrate at a first speed. The upper nozzle is moved to the process position and supplies the first treatment liquid to the central area of the upper surface of the substrate. At the same time, the lower nozzle supplies the first treatment liquid to the edge region of the bottom surface of the substrate. The first processing liquid supplied to each of both surfaces of the substrate is scattered from the substrate to form a liquid film on the inner surfaces of the first inclined wall 862 and the vertical wall 864 of the recovery container 860. Thereafter, the substrate support unit 810 rotates the substrate at a second speed lower than the first speed to lower the centrifugal force transmitted to the first treatment liquid. The first treatment liquid is scattered from the substrate rotating at the first speed to form a liquid film on the upper surface of the second inclined wall 872 of the guide wall 870. When the supply of the first treatment liquid is completed, the upper first treatment liquid supply member 910 is moved to the standby position, and the second treatment liquid supply member 920 is moved to the process position. The second treatment liquid supply member 920 applies the second treatment liquid to the central region of the upper surface of the substrate. A part of the second treatment liquid forms a coating film on the substrate, and the other part is discharged through the space between the recovery container 860 and the guide wall 870. When the supply of the second treatment liquid is completed, the upper first treatment liquid supply member 910 supplies the first treatment liquid to the edge region of the upper surface of the substrate at the process position to remove a part of the coating film. At the same time, the lower first treatment liquid supply member 930 supplies the first treatment liquid to the edge region of the bottom surface of the substrate.

상술한 실시예에 의하면, 하우징(850)의 내측면에는 기판으로부터 비산된 제1처리액이 제공되고, 이후에 제2처리액이 제공된다. 이로 인해 제2처리액은 하우징(850)의 내측면에서 제1처리액과 혼합되어 그 부착력이 약화된다. 또한 부착력이 약화된 제2처리액에 다시 제1처리액이 제공됨에 따라 제2처리액은 고착되지 않고 제1처리액과 함께 회수라인(868)으로 배출된다.According to the above-described embodiment, the first treatment liquid scattered from the substrate is provided on the inner surface of the housing 850, and then the second treatment liquid is provided. As a result, the second treatment liquid is mixed with the first treatment liquid on the inner surface of the housing 850 and the adhesion thereof is weakened. In addition, as the first treatment liquid is again provided to the second treatment liquid whose adhesion is weakened, the second treatment liquid is not fixed and is discharged to the recovery line 868 together with the first treatment liquid.

상술한 실시예에는 기판의 회전속도를 점진적으로 낮춰 제1처리액을 하우징(850)의 내측면의 영역 별로 제공하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 반대로 기판의 회전속도를 점진적으로 높혀 비산되는 제1처리액이 제공되는 영역을 상이하게 조절할 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that the rotational speed of the substrate is gradually lowered to provide the first treatment liquid for each area of the inner surface of the housing 850. However, on the contrary, the rotational speed of the substrate may be gradually increased to differently control the area where the scattered first treatment liquid is provided.

또한 상부 제1처리액공급부재(910)의 밸브(917)를 제어하여 제1처리액의 유량을 조절할 수 있다. 제1처리액의 유량에 따라 비산되는 제1처리액이 제공되는 영역을 상이하게 조절할 수 있다. 선택적으로, 제1처리액이 공급되는 시간을 조절하여 하우징(850)의 내측면에 제공되는 제1처리액의 양을 늘릴 수 있다. 또한 하부 제1처리액공급부재(930)의 밸브(934)를 제어하여 제1처리액의 유량을 조절할 수 있다.In addition, by controlling the valve 917 of the upper first treatment liquid supply member 910, the flow rate of the first treatment liquid may be adjusted. The area where the scattered first treatment liquid is provided may be differently adjusted according to the flow rate of the first treatment liquid. Optionally, the amount of the first treatment liquid provided to the inner surface of the housing 850 may be increased by adjusting the time during which the first treatment liquid is supplied. In addition, the flow rate of the first treatment liquid may be adjusted by controlling the valve 934 of the lower first treatment liquid supply member 930.

다시 도1 내지 도4를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. Referring again to FIGS. 1 to 4, the bake chamber 420 heats the substrate W. For example, the bake chambers 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W, or use a photoresist as a substrate ( A soft bake process or the like performed after coating on W) is performed, and a cooling process or the like of cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. Further, the heating plate 422 is provided with a heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may have only the cooling plate 421 and some of the bake chambers 420 may have only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 is a developing process in which a part of the photoresist is removed by supplying a developer to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. Includes. The developing module 402 has a developing chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The developing chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the developing chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, unlike this, the bake chamber 470 may be provided in a larger number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, a developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned. The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the baking chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. Transfer the substrate (W) between the second cooling chamber 540 of. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing unit robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixedly installed on the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable structure to allow the hand 484 to move in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. All of the developing chambers 460 have the same structure. However, the types of developing solutions used in each developing chamber 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes a region irradiated with light among the photoresist on the substrate W. At this time, the region irradiated with light in the protective film is also removed. Depending on the type of photoresist that is selectively used, only the areas of the photoresist and the protective layer that are not irradiated with light may be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies a developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tubular shape and may supply a developer to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water may be further provided in the development chamber 460 to clean the surface of the substrate W supplied with the developer solution.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The baking chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 have a post bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process or the like of cooling the resulting substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 472. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only the cooling plate 471 and some of the bake chambers 470 may have only the heating plate 472.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the coating and developing module 400 and the pre-exposure processing module 600. In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process such as a cooling process or an edge exposure process on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. Have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located in the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. When viewed from the top, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 of the application module 401 and the first direction 12. The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transports the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a similar structure to the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W on which the process was performed in the coating module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process was performed in the coating module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes edges of the substrates W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to a pretreatment module 601 to be described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the substrates W processed in the post-processing module 602 to be described later are transferred to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to a height corresponding to the developing module 402. In this case, the substrates W processed by the post-processing module 602 may be temporarily stored in an added buffer and then transferred to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film to protect the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. In addition, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using a chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-treatment module 601 and the post-treatment module 602 are arranged to be partitioned into layers therebetween. According to one example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602. The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 includes a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. A plurality of bake chambers 620 are provided, and are disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned parallel to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. A pretreatment robot 632 is located in the transfer chamber 630. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pretreatment robot 632 is between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. Transfer the substrate W. The pretreatment robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixedly installed on the arm 634. The arm 634 is provided in a stretchable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 to allow linear movement along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film application chamber 610 applies a protective film to protect the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tubular shape, and a protective liquid can be supplied to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and a discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid contains a foamable material. As the protective solution, a photoresist and a material having a low affinity for water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 624 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 622. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622 and some of the bake chambers 620 may have only the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-treatment module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16. After exposure, a plurality of bake chambers 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers with each other. Optionally, after exposure, a plurality of bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned parallel to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 and in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transported between the buffers 730. The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. Water such as deionized water may be used as the cleaning liquid. The cleaning chamber 660 supplies a cleaning solution to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may linearly move or rotate from the center area to the edge area of the substrate W.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. After exposure, the bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. After exposure, the bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-treatment module 601 and the transfer chamber 680 of the post-treatment module 602 are provided in the same size, and may be provided to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film coating chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 before and after exposure. The interface module 700 includes a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are disposed to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is located at a height corresponding to the pre-processing module 601, and the second buffer 730 is disposed at a height corresponding to the post-processing module 602. When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a row along the transfer chamber 630 of the pretreatment module 601 and the first direction 12, and the second buffer 730 is the post-processing module 602 The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed by the preprocessing module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16. One substrate W is placed on each of the supports 722. The housing 721 is a direction and a pre-treatment robot 740 provided with the interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pre-treatment robot 632 can carry the substrate W into or out of the support 722 into the housing 721. 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in a direction in which the interface robot 740 is provided and a direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only buffers and robots may be provided to the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

850: 하우징 860: 회수통
870: 안내벽 910: 상부 제1처리액공급부재
920: 제2처리액공급부재 930: 하부 제1처리액공급부재850: housing 860: waste container
870: guide wall 910: upper first treatment liquid supply member
920: second treatment liquid supply member 930: lower first treatment liquid supply member

Claims (13)

하우징 내에 위치된 스핀헤드에 기판을 지지하는 로딩단계와;
상기 스핀헤드에 의해 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제1처리액을 공급하는 제1액공급단계와;
상기 기판의 상면에 제2처리액을 공급하는 제2액공급단계를 포함하되,
상기 제1액공급단계에서,
상기 제1처리액은 제1상태 또는 제2상태로 제공되고,
상기 제1상태 및 상기 제2상태는,
상기 제1처리액의 유량을 조절하여 상기 제1처리액이 상기 기판으로부터 비산되는 거리를 서로 상이하게 제공하는 기판처리방법.A loading step of supporting the substrate on a spin head positioned in the housing;
A first liquid supply step of rotating the substrate by the spin head and supplying a first processing liquid to an upper surface of the substrate;
Including a second liquid supply step of supplying a second treatment liquid to the upper surface of the substrate,
In the first liquid supply step,
The first treatment liquid is provided in a first state or a second state,
The first state and the second state,
A substrate processing method for providing a distance at which the first treatment liquid is scattered from the substrate to be different from each other by adjusting the flow rate of the first treatment liquid. 제1항에 있어서,
제1처리액은 신나이고, 제2처리액은 포토레지스트로 제공되는 기판처리방법


The method of claim 1,
Substrate treatment method in which the first treatment liquid is thinner and the second treatment liquid is provided as a photoresist


 제2항에 있어서,
상기 제1액공급단계에는 상기 기판의 회전속도를 조절하여 제1처리액을 상기 제1상태 및 상기 제2상태로 제공하는 기판처리방법.The method of claim 2,
In the first liquid supply step, a substrate processing method in which a first treatment liquid is provided in the first state and the second state by adjusting the rotation speed of the substrate. 삭제delete 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2액공급단계 이후에는 상기 기판의 가장자리영역에 제1처리액을 공급하는 제3액공급단계를 더 포함하는 기판처리방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
After the second liquid supply step, the substrate processing method further comprises a third liquid supply step of supplying the first treatment liquid to the edge region of the substrate. 제5항에 있어서,
상기 제1액공급단계 및 상기 제3액공급단계 각각에는 상기 기판의 저면으로 제1처리액을 더 공급하는 기판처리방법.The method of claim 5,
A substrate processing method of further supplying a first processing liquid to a bottom surface of the substrate in each of the first liquid supply step and the third liquid supply step. 회수통 및 이의 내측에 위치된 안내벽을 가지는 하우징의 내에 위치된 스핀헤드에 기판을 지지하는 로딩단계와;
상기 스핀헤드에 의해 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제1처리액을 공급하되, 제1처리액은 상기 기판으로부터 비산되어 상기 하우징의 내측면 및 상기 안내벽의 상면 각각에 액막을 형성하는 제1액공급단계와;
상기 기판의 상면에 제2처리액을 공급하되, 공급된 제2처리액은 상기 기판으로부터 비산되어 상기 회수통 및 상기 안내벽의 사이공간으로 유입되어 배출되는 제2액공급단계를 포함하고,
상기 제1액공급단계에서,
상기 제1처리액은 제1상태 또는 제2상태로 제공되고,
상기 제1상태 및 상기 제2상태는,
상기 제1처리액의 유량을 조절하여 상기 제1처리액이 상기 기판으로부터 비산되는 거리를 서로 상이하게 제공하는 기판처리방법.A loading step of supporting a substrate on a spin head positioned in a housing having a recovery container and a guide wall positioned on the inside thereof;
The substrate is rotated by the spin head, and a first treatment liquid is supplied to the upper surface of the substrate, and the first treatment liquid is scattered from the substrate to form a liquid film on each of the inner surface of the housing and the upper surface of the guide wall. A first liquid supply step;
Supplying a second treatment liquid to the upper surface of the substrate, wherein the supplied second treatment liquid is scattered from the substrate and flows into and discharges the space between the recovery container and the guide wall,
In the first liquid supply step,
The first treatment liquid is provided in a first state or a second state,
The first state and the second state,
A substrate processing method for providing a distance at which the first treatment liquid is scattered from the substrate to be different from each other by adjusting the flow rate of the first treatment liquid. 제7항에 있어서,
상기 제1액공급단계에는 상기 기판의 회전속도를 조절하여 제1처리액이 상기 기판으로부터 비산되는 거리를 조절하는 기판처리방법.The method of claim 7,
In the first liquid supplying step, the substrate processing method of controlling a distance at which the first treatment liquid is scattered from the substrate by adjusting the rotational speed of the substrate. 삭제delete 제7항 또는 제8항에 있어서,
제1처리액은 신나이고, 제2처리액은 포토레지스트로 제공되는 기판처리방법The method according to claim 7 or 8,
Substrate treatment method in which the first treatment liquid is thinner and the second treatment liquid is provided as a photoresist 회수통 및 이의 내측에 위치된 안내벽을 가지며, 상기 회수통과 상기 안내벽 사이에 처리액이 회수되는 회수공간을 제공하는 하우징과;
상기 안내벽에 둘러싸이도록 상기 하우징 내에 위치되며, 기판을 지지하는 지지플레이트와;
상기 지지플레이트를 회전시키는 구동부재와;
상기 구동부재에 의해 회전되는 기판의 상면에 제1처리액을 공급하는 제1처리액공급부재와;
상기 구동부재에 의해 회전되는 기판의 상면에 제2처리액을 공급하는 제2처리액공급부재와;
상기 구동부재 및 상기 제1처리액공급부재를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는 상기 회수공간에 해당되는 회수통 및 안내벽에 액막을 형성하도록 기판으로부터 비산되는 제1처리액의 거리를 조절하고,
상기 제1처리액공급부재는,
노즐과;
상기 노즐에 제1처리액을 공급하는 상부 처리액공급라인과;
상기 상부 처리액공급라인에 설치되는 밸브를 포함하되,
상기 제어기는 상기 밸브를 제어하여 제1처리액의 유량을 제어하고, 상기 비산되는 제1처리액의 거리를 조절하는 기판처리장치.A housing having a recovery container and a guide wall positioned inside the container and providing a recovery space between the recovery container and the guide wall in which a treatment liquid is recovered;
A support plate positioned in the housing so as to be surrounded by the guide wall and supporting the substrate;
A driving member that rotates the support plate;
A first processing liquid supply member for supplying a first processing liquid to an upper surface of the substrate rotated by the driving member;
A second processing liquid supply member for supplying a second processing liquid to an upper surface of the substrate rotated by the driving member;
Including a controller for controlling the driving member and the first treatment liquid supply member,
The controller controls the distance of the first treatment liquid scattered from the substrate so as to form a liquid film on the recovery container and the guide wall corresponding to the recovery space
The first treatment liquid supply member,
A nozzle;
An upper treatment liquid supply line for supplying a first treatment liquid to the nozzle;
Including a valve installed in the upper processing liquid supply line,
The controller controls the valve to control the flow rate of the first treatment liquid, and controls the distance of the scattered first treatment liquid. 제11항에 있어서,
상기 제어기는 상기 구동부재를 제어하여 기판의 회전속도를 제어하고, 상기 비산되는 제1처리액의 거리를 조절하는 기판처리장치.The method of claim 11,
The controller controls the driving member to control the rotational speed of the substrate, and adjusts the distance of the scattered first treatment liquid. 삭제delete
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