KR102359530B1 - Method and Apparatus for treating substrate, and Method for cleaning cup - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 액 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판 처리 방법은 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 단계 및 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상기 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수 컵을 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에는 세정 노즐이 상기 기판에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리한다. 이에 따라 처리 용기의 교체 및 탈착없이 세정 처리 공정을 수행할 수 있다.The present invention relates to a method and apparatus for liquid processing a substrate. The substrate processing method includes: a substrate processing step of supplying a processing liquid to a substrate supported by a substrate support unit; However, in the container cleaning step, a cleaning nozzle supplies a cleaning solution to the substrate, and each of the upper and lower surfaces of the recovery space is cleaned using the cleaning solution scattered from the substrate. Accordingly, the cleaning treatment process can be performed without replacement and detachment of the treatment vessel.

Figure R1020140157386
Figure R1020140157386

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 {Method and Apparatus for treating substrate, and Method for cleaning cup}Substrate processing method, substrate processing apparatus, and container cleaning method TECHNICAL FIELD

본 발명은 기판을 액 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for liquid processing a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 공정을 수행한다. In the manufacturing process of semiconductor devices and flat panel display panels, various processes such as photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed. Among these processes, photolithography, etching, ashing, and cleaning processes perform a process of liquid-treating the substrate by supplying a treatment liquid onto the substrate.

이 중 사진 공정는 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다. 도 1은 일반적인 기판 도포 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 기판 도포 장치는 기판 지지 유닛(2), 처리 용기(4), 그리고 노즐(6)을 포함한다. 기판 지지 유닛(2)은 기판을 지지 및 회전시키고, 처리 용기(4)는 기판 지지 유닛(6)을 감싸도록 제공된다. 기판 상에는 감광액이 공급되고, 사용된 처리액은 처리 용기(4)의 회수 공간을 통해 회수된다. 감광액은 점성을 가지는 케미칼로서, 회수되는 과정에서 처리 용기에 부착된다. 이로 인해 기판의 도포 공정이 수행된 후에는 처리 용기(4)를 세정 처리하기 위한 세정 공정이 수행되어야 한다.Among them, the photographic process includes a coating step, an exposure step, and a developing step. The coating step is a coating process in which a photoresist such as a photoresist is applied on a substrate, and a portion of the used photoresist is recovered through a processing vessel. 1 is a cross-sectional view showing a general substrate coating apparatus. Referring to FIG. 1 , a substrate application apparatus generally includes a substrate support unit 2 , a processing vessel 4 , and a nozzle 6 . The substrate support unit 2 supports and rotates the substrate, and the processing vessel 4 is provided to surround the substrate support unit 6 . A photosensitive liquid is supplied on the substrate, and the used processing liquid is recovered through the recovery space of the processing vessel 4 . The photoresist is a viscous chemical, and is attached to the processing container in the process of being recovered. For this reason, after the substrate application process is performed, a cleaning process for cleaning the processing container 4 must be performed.

이러한 세정 공정은 기판 도포 장치로부터 처리 용기를 탈착하여 작업자가 물리적으로 세정 처리해야 하며, 많은 시간이 소모된다. 또한 다량의 감광액에 의해 처리 용기가 오염되는 경우에는 그 처리 용기(4)를 교체해야 한다.This cleaning process requires an operator to physically clean the processing vessel by detaching it from the substrate coating device, and it consumes a lot of time. In addition, when the processing container is contaminated by a large amount of photoresist, the processing container 4 must be replaced.

한국 공개 특허 공보 제2012-0004921호Korean Patent Publication No. 2012-0004921

본 발명은 기판 도포 공정을 신속하게 수행할 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a method and apparatus capable of rapidly performing a substrate application process.

또한 본 발명은 처리 용기를 용이하게 세정 처리할 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a method and apparatus for easily cleaning a processing vessel.

또한 본 발명은 처리 용기의 수명을 연장시킬 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a method and apparatus capable of extending the lifespan of a processing vessel.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판 처리 방법은 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 단계 및 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상기 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수 컵을 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에는 세정 노즐이 상기 기판에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리한다. Embodiments of the present invention relate to a method and apparatus for liquid processing a substrate. The substrate processing method includes: a substrate processing step of supplying a processing liquid to a substrate supported by a substrate support unit; However, in the container cleaning step, a cleaning nozzle supplies a cleaning solution to the substrate, and each of the upper and lower surfaces of the recovery space is cleaned using the cleaning solution scattered from the substrate.

상기 용기 세정 단계는 상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 기판을 제1속도로 회전시키는 상부면 세정 단계 및 상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 기판을 상기 제1속도와 상이한 제2속도로 회전시키는 하부면 세정 단계를 포함하되, 상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공될 수 있다. The vessel cleaning step may include an upper surface cleaning step of rotating the substrate at a first speed so that the cleaning liquid is supplied to the upper surface, and a second speed different from the first speed, rotating the substrate so that the cleaning liquid is supplied to the lower surface. Including the rotating lower surface cleaning step, the second speed may be provided at a lower speed than the first speed.

이와 달리, 상기 용기 세정 단계는 상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계 및 상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되, 상기 제2유량은 상기 제1유량에 비해 적게 제공될 수 있다.In contrast, the container cleaning step includes an upper surface cleaning step of supplying the cleaning liquid at a first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the upper surface, and a first flow rate different from the first flow rate, so that the cleaning liquid is supplied to the lower surface. Including a lower surface cleaning step of supplying at two flow rates, the second flow rate may be provided less than the first flow rate.

또한 상기 용기 세정 단계는 상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계 및 상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되, 상기 상부면 및 상기 하부면 각각은 상부면 세정 단계 및 상기 하부면 세정 단계 각각에서 그 높이가 상이하게 위치될 수 있다.In addition, the container cleaning step may include an upper surface cleaning step of supplying the cleaning liquid at a first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the upper surface, and a second flow rate different from the first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the lower surface. Including a lower surface cleaning step of supplying to, the upper surface and each of the lower surface may be located at different heights in the upper surface cleaning step and the lower surface cleaning step, respectively.

상기 처리액은 감광액을 포함하고, 상기 세정액은 상기 감광액을 희석시키는 솔벤트를 포함할 수 있다. 상기 세정 노즐은 상기 기판의 저면으로 상기 세정액을 공급할 수 있다. The treatment solution may include a photoresist, and the cleaning solution may include a solvent for diluting the photoresist. The cleaning nozzle may supply the cleaning liquid to the bottom surface of the substrate.

기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수컵을 가지는 처리 용기, 세정액을 공급하여 상기 회수 공간에 잔류된 처리액을 세정 처리하는 세정 노즐을 가지는 용기 세정 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 회수컵을 세정 처리 시 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리한다. The substrate processing apparatus includes a substrate support unit for supporting and rotating a substrate, a liquid supply unit supplying a processing liquid on a substrate supported by the substrate support unit, and a recovery space surrounding the substrate support unit and collecting the processing liquid. a processing container having a recovery cup, a container cleaning unit having a cleaning nozzle for supplying a cleaning solution to clean the processing liquid remaining in the recovery space, and a controller controlling the substrate support unit, wherein the controller includes the recovery cup During the cleaning process, each of the upper and lower surfaces of the recovery space is cleaned by using the cleaning solution scattered from the substrate supported by the substrate support unit.

상기 회수컵은 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상단이 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 높게 위치되는 중간링 및 상기 중간 링의 아래에 위치되는 내측링을 포함할 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상기 기판이 놓이는 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트를 지지하는 회전축, 그리고 상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 구동기를 제어하여 상기 지지 플레이트의 회전 속도를 조절할 수 있다. The recovery cup surrounds the substrate support unit, and may include an intermediate ring with an upper end positioned higher than the substrate supported by the substrate support unit, and an inner ring positioned below the intermediate ring. The substrate support unit may include a support plate on which the substrate is placed, a rotation shaft supporting the support plate, and a driver rotating the rotation shaft, wherein the controller may control the driver to adjust a rotation speed of the support plate.

기판에 공급된 처리액을 회수하는 처리 용기를 세정 처리하는 방법은 세정 노즐이 상기 기판에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 처리액이 회수되는 회수 공간을 세정 처리하되, 상기 세정액은 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 순차적으로 세정 처리한다.In a method of cleaning a processing container for recovering a processing liquid supplied to a substrate, a cleaning nozzle supplies a cleaning liquid to the substrate, and cleaning the recovery space in which the processing liquid is recovered using the cleaning liquid scattered from the substrate, The cleaning solution sequentially cleans each of the upper and lower surfaces of the recovery space.

상기 상부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 하부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키되, 상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공될 수 있다. 상기 세정 노즐은 상기 기판의 저면으로 상기 세정액을 공급할 수 있다. When the upper surface is cleaned, the substrate is rotated at a first speed, and when the lower surface is cleaned, the substrate is rotated at a second speed, wherein the second speed is provided at a lower speed than the first speed can be The cleaning nozzle may supply the cleaning liquid to the bottom surface of the substrate.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 저면으로 세정액을 공급하고, 이로부터 비산된 세정액을 통해 처리 용기를 세정 처리한다. 이에 따라 처리 용기의 교체 및 탈착없이 세정 처리 공정을 수행할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a cleaning liquid is supplied to the bottom surface of the substrate, and the processing vessel is cleaned through the cleaning liquid scattered therefrom. Accordingly, the cleaning treatment process can be performed without replacement and detachment of the treatment vessel.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판 처리 공정 직후에 처리 용기의 세정 공정이 진행된다. 이로 인해 처리 용기에 감광액이 고착되기 전에 세정 처리하여 그 감광액을 보다 용이하게 세정 처리할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, the cleaning process of the processing vessel is performed immediately after the substrate processing process. For this reason, the photosensitive liquid can be cleaned more easily by performing a cleaning treatment before the photosensitive liquid is adhered to the processing container.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 주기적인 처리 용기의 세정 공정을 통해 처리 용기의 수명을 연장시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the life of the processing vessel may be extended through the periodic cleaning process of the processing vessel.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 6의 용기 세정 유닛을 이용하여 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view showing a substrate processing facility.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction AA.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the BB direction.
5 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the CC direction.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the application chamber of FIG. 2 .
7 to 9 are views illustrating a process of cleaning a processing container using the container cleaning unit of FIG. 6 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 2 내지 도 9를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing facility of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 9 .

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 as viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 from the BB direction, and FIG. 5 is the facility of FIG. is a view viewed from the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a first buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and a second buffer module 500 . ), a pre-exposure processing module 600 , and an interface module 700 . Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( A direction in which 700 is arranged is referred to as a first direction 12 , a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is referred to as a second direction 14 , and the first direction 12 and the second direction A direction each perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2, four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is provided in the shape of a substantially hollow rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a first buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of the 400). The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the first buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later apply the substrate W to the support 332 in the housing 331 . An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer than this in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Also, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350 .

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of the bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake chambers 420 , the resist application chambers 400 , the first buffer 320 of the first buffer module 300 , and the first of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 435 is coupled to support 436 so as to be movable linearly in third direction 16 along support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 액 공급 유닛(840), 처리 용기(850), 승강 유닛(870), 용기 세정 유닛(880), 그리고 제어기(890)을 포함한다.The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist application chamber 410 is provided as a substrate processing apparatus for applying a photoresist on the substrate W. The substrate processing apparatus 800 performs a liquid application process. The substrate processing apparatus 800 includes a housing 810 , an airflow providing unit 820 , a substrate support unit 830 , a liquid supply unit 840 , a processing container 850 , an elevation unit 870 , and a container cleaning unit 880 . ), and a controller 890 .

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810 . The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door (not shown) is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door closes the opening to seal the inner space 812 of the housing 810 . An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810 . The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816 . According to an example, the airflow provided in the processing vessel 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814 , and the airflow provided outside the processing vessel 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816 .

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a descending airflow in the inner space of the housing 810 . The airflow providing unit 820 includes an airflow supplying line 822 , a fan 824 , and a filter 826 . An airflow supply line 822 is connected to the housing 810 . The airflow supply line 822 supplies external air to the housing 810 . The filter 826 filters 826 the air provided from the airflow supply line 822 . The filter 826 removes impurities contained in the air. The fan 824 is installed on the upper surface of the housing 810 . A fan 824 is located in a central region on the top surface of the housing 810 . The fan 824 forms a downdraft in the interior space of the housing 810 . When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822 , the fan 824 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지 플레이트(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 지지 플레이트(832)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(832)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(832)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 선택적으로, 지지 플레이트(832)는 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. 회전축(834)은 지지 플레이트(832)의 아래에서 지지 플레이트(832)를 지지한다. 회전축(834)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 모터일 수 있다.The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810 . The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a support plate 832 , a rotation shaft 834 , and a driver 836 . The support plate 832 is provided to have a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the support plate 832 . The support plate 832 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. According to an example, the support plate 832 may chuck the substrate W by vacuum sucking the substrate W. When viewed from the top, the substrate W may be positioned so that its central axis coincides with the central axis of the support plate 832 . Optionally, the support plate 832 may be provided as an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. In addition, the support plate 832 may chuck the substrate W with a physical force. The rotation shaft 834 supports the support plate 832 under the support plate 832 . The rotation shaft 834 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the vertical direction. The rotating shaft 834 is provided to be rotatable about its central axis. The actuator 836 provides a driving force to rotate the rotation shaft 834 . For example, the driver 836 may be a motor.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 린스액 및 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 린스 노즐(842) 및 처리 노즐(844)을 포함한다. 린스 노즐(842)은 린스액 공급 라인(843)으로부터 린스액을 공급받고, 처리 노즐(844)은 처리액 공급 라인(845)으로부터 처리액을 공급받는다. 린스 노즐(842)은 기판(W) 상에 린스액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 린스액은 처리액을 희석시키는 액일 수 있다. 린스액은 솔벤트와 같은 용제이고, 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 린스 노즐(842)은 중앙 위치 및 가장자리 위치에서 린스액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 중앙 위치에서 처리액을 공급한다. 여기서 중앙 위치는 각 노즐(842,844)이 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치이고, 가장자리 위치는 린스 노즐(842)이 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 위치이다. The liquid supply unit 840 supplies a rinse liquid and a processing liquid on the substrate W. The liquid supply unit 840 includes a rinse nozzle 842 and a treatment nozzle 844 . The rinse nozzle 842 receives the rinse liquid from the rinse liquid supply line 843 , and the treatment nozzle 844 receives the treatment liquid from the treatment liquid supply line 845 . The rinse nozzle 842 supplies a rinse solution onto the substrate W, and the processing nozzle 844 supplies a treatment solution onto the substrate W. For example, the rinse solution may be a solution for diluting the treatment solution. The rinse liquid may be a solvent such as a solvent, and the treatment liquid may be a photosensitive liquid such as a resist. The rinse nozzle 842 supplies the rinse liquid at the center position and the edge position, and the treatment nozzle 844 supplies the treatment liquid at the center position. Here, the central position is a position where each of the nozzles 842 and 844 faces the central region of the substrate W, and the edge position is a position where the rinse nozzle 842 faces the edge region of the substrate W.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 회수 컵(860) 및 외측 컵(852)을 포함한다. 회수 컵(860)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 제공되며, 회수 공간(868)을 형성한다. 회수 공간(868)은 액 도포 공정에 사용된 처리액이 회수되는 공간으로 제공된다. 공간으로 제공된다. 외측 컵(852)은 회수 컵(860)을 감싸도록 제공된다. 회수 컵(860)과 외측 컵(852) 간에 사이 공간(859)은 하강 기류가 유입되는 공간으로 제공된다.The processing vessel 850 is located in the interior space 812 of the housing 810 . The processing vessel 850 provides a processing space therein. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes a recovery cup 860 and an outer cup 852 . The recovery cup 860 is provided to surround the substrate support unit 830 and forms a recovery space 868 . The recovery space 868 is provided as a space in which the treatment liquid used in the liquid application process is recovered. provided in space. An outer cup 852 is provided to surround the recovery cup 860 . A space 859 between the recovery cup 860 and the outer cup 852 is provided as a space into which the downdraft flow is introduced.

회수 컵(860)은 내측 링(862) 및 중간 링(864)을 포함한다. 내측 링(862)은 처리액이 외측 컵(852)에 형성된 회수 라인(855)으로 회수되도록 처리액의 회수 방향을 안내한다. 내측 링(862)은 회수되는 처리액이 내측 배기구에 유입되는 것을 방지한다. 내측 링(862)은 회전축을 감싸는 중공의 원판 형상으로 제공된다. 내측 링(862)의 상면은 라운드지게 제공된다. 내측 링(862)의 상면은 내측 영역과 외측 영역 각각이 서로 상이한 경사각을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 링(862)의 상면 외측 영역은 회전축으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되고, 상면 내측 영역은 회전축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 내측 링(862)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판의 측단부와 상하로 대응될 수 있다. 따라서 내측 링(862)의 외측 영역은 액 도포 공정에 사용된 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.The recovery cup 860 includes an inner ring 862 and an intermediate ring 864 . The inner ring 862 guides the recovery direction of the treatment liquid so that the treatment liquid is returned to the recovery line 855 formed in the outer cup 852 . The inner ring 862 prevents the recovered treatment liquid from flowing into the inner exhaust port. The inner ring 862 is provided in the shape of a hollow disk surrounding the rotation shaft. The upper surface of the inner ring 862 is provided to be rounded. The upper surface of the inner ring 862 is provided so that each of the inner region and the outer region has a different inclination angle from each other. According to an example, the upper surface outer region of the inner ring 862 may be provided to face a downward sloping direction as it goes away from the rotation axis, and the upper surface inner region may be provided to face an upward sloping direction as it moves away from the rotation axis. . A point where the outer region and the inner region of the inner ring 862 meet each other may correspond to the side end of the substrate in the upper and lower directions. Accordingly, the outer region of the inner ring 862 may be provided as a region through which the treatment liquid used in the liquid application process flows.

중간 링(864)은 외측 컵(852)의 내측면으로부터 상향 경사진 방향을 향하도록 연장된다. 중간 링(864)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛에 가까워진다. 중간 링(864)의 상단은 기판 지지 유닛에 놓인 기판보다 높게 위치된다. 중간 링(864)은 내측 링(862)의 위에 위치된다. 중간 링(864)은 내측 링(862)의 외측 영역과 대향되게 위치된다. 상술한 회수 공간(868)은 중간 링(864)의 저면과 내측 링(862)의 상면 외측 영역에 의해 형성된다. 중간 링(864)에는 복수의 유입홀들(866)이 형성된다. 유입홀들(866)은 중간 링(864)의 원주 방향을 따라 배열된다. 유입홀들(866)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 형성된다. 따라서 외측 컵(852)과 중간 링(864) 간에 사이 공간(859)으로 유입된 기류는 유입홀(866)을 통해 내측 배기구로 배기된다.The middle ring 864 extends from the inner surface of the outer cup 852 in an upwardly inclined direction. The intermediate ring 864 moves upwards closer to the substrate support unit. The top of the intermediate ring 864 is positioned higher than the substrate resting on the substrate support unit. The middle ring 864 is located above the inner ring 862 . The middle ring 864 is positioned opposite the outer region of the inner ring 862 . The recovery space 868 described above is formed by an area outside the bottom surface of the middle ring 864 and the top surface of the inner ring 862 . A plurality of inlet holes 866 are formed in the intermediate ring 864 . The inlet holes 866 are arranged along the circumferential direction of the intermediate ring 864 . The inlet holes 866 are formed to be spaced apart from each other at equal intervals. Accordingly, the airflow introduced into the space 859 between the outer cup 852 and the intermediate ring 864 is exhausted to the inner exhaust port through the inlet hole 866 .

외측 컵(852)은 기판 지지 유닛(830) 및 회수 컵(860)을 감싸는 컵 형상으로 제공된다. 외측 컵(852)은 바닥부(854), 측면부(856), 그리고 상면부(858)를 포함한다. 바닥부(854)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다. 바닥부(854)에는 회수 라인(855)이 형성된다. 회수 라인(855)은 회수 공간(868)을 통해 회수된 처리액 및 린스액을 외부의 액 재생 시스템(미도시)으로 제공한다. 측면부(856)는 중공을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 측면부(856)는 바닥부(854)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측면부(856)는 바닥부(854)로부터 위로 연장된다. 상면부(858)는 측면부(856)의 상단으로부터 연장된다. 상면부(858)는 기판 지지 유닛(830)에 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향한다. The outer cup 852 is provided in a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the recovery cup 860 . The outer cup 852 includes a bottom portion 854 , a side portion 856 , and a top portion 858 . The bottom portion 854 is provided in the shape of a disk having a hollow. A recovery line 855 is formed at the bottom 854 . The recovery line 855 provides the treatment liquid and the rinse liquid recovered through the recovery space 868 to an external liquid recovery system (not shown). The side portion 856 is provided in a cylindrical shape having a hollow. The side portion 856 extends in a vertical direction from the side end of the bottom portion 854 . A side portion 856 extends upwardly from the bottom portion 854 . The top portion 858 extends from the top of the side portion 856 . The upper surface portion 858 faces an upwardly inclined direction as it approaches the substrate support unit 830 .

승강 유닛(890)은 기판 지지 유닛(830)과 처리 용기(850) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(890)은 처리 용기(850)를 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 브라켓(872), 이동축(874), 그리고 구동 부재(876)를 포함한다. 브라켓(872)은 외측 컵(852)의 측면부(856)에 고정 결합된다. 이동축(874)은 브라켓(872)을 지지한다. 이동축(874)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 구동 부재(876)는 이동축(874)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 따라 브라켓(872)과 처리 용기(850)는 상하 방향으로 이동 가능하다.The elevation unit 890 adjusts a relative height between the substrate support unit 830 and the processing vessel 850 . The lifting unit 890 moves the processing container 850 up and down. The lifting unit 890 includes a bracket 872 , a moving shaft 874 , and a driving member 876 . The bracket 872 is fixedly coupled to the side portion 856 of the outer cup 852 . The moving shaft 874 supports the bracket 872 . The moving shaft 874 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the vertical direction. The driving member 876 moves the moving shaft 874 in the vertical direction. Accordingly, the bracket 872 and the processing container 850 are movable in the vertical direction.

용기 세정 유닛(880)은 처리 용기(850)를 세정 처리한다. 용기 세정 유닛(880)은 기판으로 세정액을 공급하고, 기판(W)으로부터 비산되는 세정액을 이용하여 회수 공간(868)을 세정 처리 한다. 용기 세정 유닛(880)은 세정 노즐(882) 및 세정액 공급 라인(884)을 포함한다. 세정 노즐(882)은 복수 개로 제공된다. 세정 노즐(882)들은 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 위치된다. 각각의 세정 노즐(882)은 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 세정 노즐(882)은 기판 지지 유닛(830)에 놓인 기판(W)보다 아래에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 세정 노즐(882)은 기판(W)과 대향되게 위치된다. 세정 노즐(882)의 토출구는 위를 향하도록 제공된다. 세정 노즐(882)의 토출구는 수직 방향에 대해 평행한 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 세정 노즐(882)은 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되게 위치될 수 있다. 세정 노즐(882)은 내측 배기구(814)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 선택적으로 세정 노즐(882)의 토출구는 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 세정 노즐(882)의 토출구는 기판 지지 유닛(830)의 회전축(834)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하게 제공될 수 있다. The container cleaning unit 880 cleans the processing container 850 . The container cleaning unit 880 supplies a cleaning liquid to the substrate, and cleans the recovery space 868 using the cleaning liquid scattered from the substrate W. The vessel cleaning unit 880 includes a cleaning nozzle 882 and a cleaning liquid supply line 884 . A plurality of cleaning nozzles 882 are provided. The cleaning nozzles 882 are positioned to surround the substrate support unit 830 . Each cleaning nozzle 882 is provided in combination with each other to have a ring shape. Each cleaning nozzle 882 is positioned below the substrate W placed on the substrate support unit 830 . The cleaning nozzle 882 is positioned to face the substrate W when viewed from the top. The discharge port of the cleaning nozzle 882 is provided to face upward. The discharge port of the cleaning nozzle 882 is provided to face a direction parallel to the vertical direction. According to an example, the cleaning nozzle 882 may be positioned to face the edge region of the substrate W. The cleaning nozzle 882 may be fixedly coupled to the upper end of the inner exhaust port 814 . Optionally, the discharge port of the cleaning nozzle 882 may be provided to face an upwardly inclined direction. The discharge port of the cleaning nozzle 882 may be provided in an upwardly inclined direction as it moves away from the rotation shaft 834 of the substrate support unit 830 .

세정액 공급 라인(884)은 린스액 공급 라인(843)으로부터 분기되는 분기 라인으로 제공된다. 따라서 세정액은 린스액으로 제공된다. 세정액은 솔벤트와 같이 감광액을 희석시키는 용제로 제공될 수 있다. 선택적으로 세정액 공급 라인(884)은 린스액 공급 라인과 독립된 별도의 라인으로 제공될 수 있다.The cleaning liquid supply line 884 is provided as a branch line branching from the rinse liquid supply line 843 . Accordingly, the cleaning liquid is provided as a rinse liquid. The cleaning solution may be provided as a solvent for diluting the photosensitive solution, such as a solvent. Optionally, the cleaning solution supply line 884 may be provided as a separate line independent of the rinse solution supply line.

제어기(890)는 세정액이 회수 공간(868)의 상부면 및 하부면 각각에 공급되도록 기판 지지 유닛(830)의 구동기(36)를 제어한다. 즉 세정액은 회수 공간(868)의 상부면에 해당되는 중간 링(864)의 저면과 회수 공간(868)의 하부면에 해당되는 내측 링(862)의 상면에 각각 공급된다. 제어기(890)는 기판의 회전 속도를 조절하여 비산되는 세정액의 탄착점을 제어한다. 제어기(890)는 세정액이 중간 링(864)의 저면에 공급되도록 기판(W)의 회전속도를 제1속도로 조절한다. 또한 제어기(890)는 세정액이 내측 링(862)의 상면에 공급되도록 기판(W)의 회전속도를 제2속도로 조절한다. 일 예에 의하면, 제2속도는 제1속도에 비해 저속으로 제공될 수 있다. 제1속도는 260 알피엠(RPM)이고, 제2속도는 65 알피엠(RPM)일 수 있다.The controller 890 controls the driver 36 of the substrate support unit 830 so that the cleaning liquid is supplied to each of the upper and lower surfaces of the recovery space 868 . That is, the cleaning liquid is supplied to the lower surface of the intermediate ring 864 corresponding to the upper surface of the recovery space 868 and the upper surface of the inner ring 862 corresponding to the lower surface of the recovery space 868 , respectively. The controller 890 controls the impact point of the scattering cleaning solution by adjusting the rotation speed of the substrate. The controller 890 adjusts the rotation speed of the substrate W to the first speed so that the cleaning solution is supplied to the bottom surface of the intermediate ring 864 . In addition, the controller 890 adjusts the rotation speed of the substrate W to a second speed so that the cleaning solution is supplied to the upper surface of the inner ring 862 . According to an example, the second speed may be provided at a lower speed than the first speed. The first speed may be 260 RPM, and the second speed may be 65 RPM.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 기판 처리 과정은 크게 기판 처리 단계 및 용기 세정 단계를 구분된다. 기판 처리 단계는 기판(W) 상에 처리액을 도포하는 단계이고, 용기 세정 단계는 처리 용기에 잔류된 처리액을 세정 처리하는 단계이다. Next, a process of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus will be described. The substrate processing process is largely divided into a substrate processing step and a container cleaning step. The substrate treatment step is a step of applying a treatment liquid on the substrate W, and the container cleaning step is a step of cleaning the treatment liquid remaining in the treatment vessel.

기판 처리 단계가 진행되면, 기판(W)은 기판 지지 유닛(830)에 의해 회전된다. 린스 노즐(842)은 중앙 위치에서 기판(W) 상에 린스액을 공급한다. 기판(W)의 상면이 린스액이 의해 젖힘 상태가 되면, 린스 노즐(842)은 대기 위치로 이동된다. 처리 노즐(844)은 중앙 위치로 이동되어 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 기판(W)의 처리액 도포 공정이 완료되면, 처리 용기(850)의 세정 공정이 수행된다.When the substrate processing step is performed, the substrate W is rotated by the substrate support unit 830 . The rinse nozzle 842 supplies a rinse liquid on the substrate W at a central position. When the upper surface of the substrate W is brought into a bent state by the rinse liquid, the rinse nozzle 842 is moved to the standby position. The processing nozzle 844 is moved to the central position to supply the processing liquid onto the substrate W. When the process of applying the treatment liquid to the substrate W is completed, the cleaning process of the processing container 850 is performed.

용기 세정 단계는 상부면 세정 단계 및 하부면 세정 단계를 포함한다. 상부면 세정 단계 및 하부면 세정 단계는 순차적으로 진행된다. 상부면 세정 단계가 진행되면, 린스 노즐(842) 및 처리 노즐(844)로부터 공급되는 린스액 및 처리액이 중단된다. 기판(W)은 제1속도로 회전되고, 세정 노즐(882)은 기판(W)의 저면 가장자리 영역으로 세정액을 공급한다. 기판(W)으로부터 비산된 세정액은 회수 공간(868)의 상부면인 중간 링(864)의 저면으로 공급되고, 세정액은 중간 링(864)에 잔류된 처리액을 제거한다. 이후 하부면 세정 단계가 진행되면, 기판(W)은 제2속도로 회전된다. 세정 노즐(882)은 기판(W)의 저면 가장자리 영역으로 세정액을 공급한다. 기판으로부터 비산된 세정액은 회수 공간(868)의 하부면인 내측 링(862)의 상면으로 공급되고, 세정액은 내측 링(862)에 잔류된 처리액을 제거한다. The vessel cleaning step includes a top surface cleaning step and a bottom surface cleaning step. The upper surface cleaning step and the lower surface cleaning step are sequentially performed. When the upper surface cleaning step is performed, the rinse liquid and the treatment liquid supplied from the rinse nozzle 842 and the treatment nozzle 844 are stopped. The substrate W is rotated at the first speed, and the cleaning nozzle 882 supplies a cleaning solution to the bottom edge region of the substrate W. The cleaning liquid scattered from the substrate W is supplied to the bottom surface of the intermediate ring 864 , which is the upper surface of the recovery space 868 , and the cleaning liquid removes the processing liquid remaining in the intermediate ring 864 . Thereafter, when the lower surface cleaning step is performed, the substrate W is rotated at the second speed. The cleaning nozzle 882 supplies the cleaning liquid to the bottom edge region of the substrate W. The cleaning liquid scattered from the substrate is supplied to the upper surface of the inner ring 862 that is the lower surface of the recovery space 868 , and the cleaning liquid removes the processing liquid remaining in the inner ring 862 .

본 실시예에는 기판(W)의 회전 속도를 조절하여 기판(W)으로부터 비산되는 세정액의 탄착점을 제어한다. 이에 따라 처리 용기의 탈착없이 처리 용기(850)를 세정 처리할 수 있다.In this embodiment, by controlling the rotation speed of the substrate (W), the impact point of the cleaning liquid scattered from the substrate (W) is controlled. Accordingly, the processing container 850 may be cleaned without detaching the processing container.

상술한 실시예에서 용기 세정 단계는 상부면 세정 단계 및 하부면 세정 단계가 순차적으로 진행되는 것으로 설명하였다. 그러나 용기 세정 단계는 하부면 세정 단계 및 상부면 세정 단계가 순차적으로 진행될 수 있다.In the above-described embodiment, the vessel cleaning step has been described as sequentially proceeding the upper surface cleaning step and the lower surface cleaning step. However, in the container cleaning step, the lower surface cleaning step and the upper surface cleaning step may be sequentially performed.

다음은 세정액의 탄착점을 조절하는 다른 실시예를 설명한다. 용기 세정 유닛(880)은 유량 조절 밸브(886)를 더 포함할 수 있다. 유량 조절 밸브(886)는 세정액 공급 라인(884)에 설치될 수 있다. 유량 조절 밸브(886)는 세정액의 토출 유량을 조절할 수 있다. 제어기(890)는 유량 조절 밸브(886)를 제어하여 세정액의 탄착점을 조절할 수 있다. 제어기(890)는 세정액이 중간 링(864)에 공급되도록 세정액의 토출 유량을 제1유량으로 조절할 수 있다. 제어기(890)는 세정액이 내측 링(862)에 공급되도록 세정액의 토출 유량을 제2유량으로 조절할 수 있다. 제2유량은 제1유량에 비해 적은 유량으로 제공될 수 있다.Next, another embodiment of adjusting the impact point of the cleaning liquid will be described. The vessel cleaning unit 880 may further include a flow control valve 886 . The flow control valve 886 may be installed in the cleaning solution supply line 884 . The flow rate control valve 886 may control the discharge flow rate of the cleaning liquid. The controller 890 may control the flow rate control valve 886 to adjust the impact point of the cleaning liquid. The controller 890 may adjust the discharge flow rate of the cleaning liquid to the first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the intermediate ring 864 . The controller 890 may adjust the discharge flow rate of the cleaning liquid to a second flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the inner ring 862 . The second flow rate may be provided at a smaller flow rate than the first flow rate.

세정액의 탄착점을 조절하는 또 다른 실시예에 의하면, 제어기(890)는 승강 유닛을 제어하여 비산되는 세정액의 탄착점을 조절할 수 있다. 제어기(890)는 세정액이 중간 링(864)에 공급되도록 처리 용기(850)를 제1높이로 조절할 수 있다. 이와 달리, 제어기(890)는 세정액이 내측 링(862)에 공급되도록 처리 용기(850)를 제2높이로 조절할 수 있다. 제2높이에 위치된 처리 용기(850)는 제1높이에 위치된 처리 용기(850)에 비해 높게 위치될 수 있다.According to another embodiment of adjusting the impact point of the cleaning liquid, the controller 890 may control the lifting unit to adjust the impact point of the scattered cleaning liquid. The controller 890 may adjust the processing vessel 850 to a first height such that the cleaning solution is supplied to the intermediate ring 864 . Alternatively, the controller 890 may adjust the processing vessel 850 to the second height so that the cleaning solution is supplied to the inner ring 862 . The processing vessel 850 located at the second height may be located higher than the processing vessel 850 located at the first height.

또한 상술한 본 실시예에는 세정 노즐(882)이 복수 개로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 세정 노즐(882)은 1 개로 제공될 수 있다. 세정 노즐(882)은 환형의 링 형상으로 제공되며, 상면에 복수의 토출구들이 형성될 수 있다. 각각의 토출구는 세정 노즐(882)의 원주 방향을 따라 형성될 수 있다.In addition, in the present embodiment described above, it has been described that a plurality of cleaning nozzles 882 are provided. However, one cleaning nozzle 882 may be provided. The cleaning nozzle 882 is provided in an annular ring shape, and a plurality of discharge ports may be formed on the upper surface. Each discharge port may be formed along the circumferential direction of the cleaning nozzle 882 .

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. Referring back to FIGS. 2 to 5 , the bake chamber 420 heat-treats the wafer (W). For example, the bake chambers 420 heat the wafer W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the wafer W or apply the photoresist to the wafer ( A soft bake process, etc. performed after coating on W) is performed, and a cooling process of cooling the wafer W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with heating means 424 such as a hot wire or thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421 , and other portions may include only the heating plate 422 .

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for removing a part of the photoresist by supplying a developer solution to obtain a pattern on the wafer W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the wafer W before and after the developing process includes The developing module 402 includes a developing chamber 460 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The development chamber 460 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 460 are provided, and a plurality of development chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470 , the developing chambers 460 , the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 , and the second buffer module 500 . The wafer W is transferred between the second cooling chambers 540 of the The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to move linearly in the first direction 12 . The developing unit robot 482 has a hand 484 , an arm 485 , a support 486 , and a pedestal 487 . The hand 484 is fixedly installed on the arm 485 . The arm 485 is provided in a telescoping structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 485 is coupled to support 486 to be linearly movable in third direction 16 along support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the support 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the type of developer used in each of the developing chambers 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes a region irradiated with light from the photoresist on the wafer W. At this time, the region irradiated with light among the protective film is also removed. Only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed according to the type of the selectively used photoresist.

현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a container 461 , a support plate 462 , and a nozzle 463 . The container 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned in the container 461 and supports the wafer W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the wafer W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developer to the center of the wafer W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the wafer W to which the developer is additionally supplied may be further provided in the developing chamber 460 .

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heats the wafer W. For example, the bake chambers 470 include a post-bake process of heating the wafer W before the development process is performed, a hard bake process of heating the wafer W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process for cooling the wafer is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 , and some may include only a heating plate 472 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400 , the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from above, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the wafer W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600 . Also, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the wafer W. The second buffer module 500 includes a frame 510 , a buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 . have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , the second cooling chamber 540 , the edge exposure chamber 550 , and the second buffer robot 560 are positioned in the frame 510 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401 . The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from above, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401 . The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the wafer W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the wafers W that have been processed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the wafer W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes edges of the wafers W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the wafers W before the wafers W, which have been processed in the edge exposure chamber 550 , are transferred to the pre-processing module 601 , which will be described later. The second cooling chamber 540 cools the wafers W before the wafers W, which have been processed in the post-processing module 602 to be described later, are transferred to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further include a buffer added to a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the wafers W that have been processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in an added buffer and then transferred to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of applying a protective film protecting the photoresist film applied to the wafer W during immersion exposure. Also, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the wafer W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of processing the wafer W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the wafer W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The pre-processing module 601 has a protective film application chamber 610 , a bake chamber 620 , and a transfer chamber 630 . The passivation layer application chamber 610 , the transfer chamber 630 , and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the passivation layer application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of passivation film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of passivation film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 620 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A pre-processing robot 632 is located in the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is installed between the protective film application chambers 610 , the bake chambers 620 , the buffer 520 of the second buffer module 500 , and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The wafer W is transferred. The pretreatment robot 632 has a hand 633 , an arm 634 , and a support 635 . The hand 633 is fixedly installed on the arm 634 . The arm 634 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The passivation film application chamber 610 applies a passivation film protecting the resist film on the wafer W during immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the wafer W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the wafer W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 has a circular tubular shape, and may supply a protective liquid to the center of the wafer W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid comprises a foaming material. As the protective liquid, a material having a low affinity for photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 612 .

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the wafer W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only a heating plate 622 , and some may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660 , a post-exposure bake chamber 670 , and a transfer chamber 680 . The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 may be provided and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes the cleaning chambers 660 , the post-exposure bake chambers 670 , the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 , and the second of the interface module 700 to be described later. The wafer W is transferred between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the wafer W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is positioned in the housing 661 and supports the wafer W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning solution onto the wafer W placed on the support plate 662 . As the cleaning solution, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies a cleaning solution to the central region of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 662 . Optionally, while the wafer W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the wafer W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the wafer W on which the exposure process has been performed using deep ultraviolet rays. The bake process after exposure heats the wafer W to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. Post exposure bake chamber 670 has heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with heating means 674 such as a hot wire or thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600 , the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the passivation layer application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the wafer W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . The first buffer 720 , the second buffer 730 , and the interface robot 740 are positioned in the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is the post-processing module 602 . The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transfers the wafer W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the wafers W, which have been processed in the pre-processing module 601 , before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the wafers W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One wafer W is placed on each support 722 . The housing 721 includes the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 with the interface robot 740 provided so that the wafer W can be loaded or unloaded on the support 722 into the housing 721 and the preprocessing robot ( 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the wafer.

다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing the process using the above-described substrate processing facility 1 will be described.

웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. The cassette 20 in which the wafers W are accommodated is placed on the mounting table 120 of the load port 100 . The door of the cassette 20 is opened by the door opener. The index robot 220 takes out the wafer W from the cassette 20 and transfers it to the second buffer 330 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다. The first buffer robot 360 transfers the wafer W stored in the second buffer 330 to the first buffer 320 . The applicator robot 432 takes out the wafer W from the first buffer 320 and transports it to the bake chamber 420 of the applicator module 401 . The bake chamber 420 sequentially performs pre-baking and cooling processes. The applicator robot 432 removes the wafer W from the bake chamber 420 and transports it to the resist coating chamber 410 . The resist coating chamber 410 applies photoresist on the wafer W. After that, when photoresist is applied on the wafer W, the applicator robot 432 transfers the wafer W from the resist coating chamber 410 to the bake chamber 420 . The bake chamber 420 performs a soft bake process on the wafer (W).

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The applicator robot 432 removes the wafer W from the bake chamber 420 and transports it to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 . A cooling process is performed on the wafer W in the first cooling chamber 530 . The wafer W, which has been processed in the first cooling chamber 530 , is transferred to the edge exposure chamber 550 by the second buffer robot 560 . The edge exposure chamber 550 performs a process of exposing an edge region of the wafer W. The wafer W that has been processed in the edge exposure chamber 550 is transferred to the buffer 520 by the second buffer robot 560 .

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다. The pre-processing robot 632 takes out the wafer W from the buffer 520 and transports it to the protective film application chamber 610 of the pre-processing module 601 . The passivation film application chamber 610 applies a passivation film on the wafer (W). Thereafter, the pre-processing robot 632 transfers the wafer W from the passivation film application chamber 610 to the bake chamber 620 . The bake chamber 620 performs heat treatment such as heating and cooling on the wafer W.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.The pre-processing robot 632 removes the wafer W from the bake chamber 620 and transfers it to the first buffer 720 of the interface module 700 . The interface robot 740 transfers the wafer from the first buffer 720 to the inversion unit 840 of the processing module 800 . The inversion unit 840 inverts the wafer so that the first side (pattern side) of the wafer faces downward. The inverted wafer is loaded on the spin chuck 810 , and the loaded wafer is chucked by the pin members 811a and 811b.

스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.An inert gas such as nitrogen gas is injected to the first surface of the wafer through the injection holes 852 formed in the support plate 812 of the spin chuck 810 , and thereafter, deionized water is transferred to the first surface of the wafer through the injection holes 852 . The same rinse aid is sprayed. The rinse liquid may be sprayed on the first surface of the wafer through the injection holes 852 together with the gas. Upon injection of the gas and/or the rinse liquid to the first surface of the wafer, the spin chuck 810 may be rotated or otherwise not rotated. Then, the rinse liquid spraying unit 860 sprays the rinse liquid on the second surface of the wafer.

이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다. Thereafter, the wafer is transferred from the processing module 800 to the first buffer 720 by the interface robot 740 and then transferred from the first buffer 720 to the exposure apparatus 900 . The exposure apparatus 900 performs an exposure process, for example, an immersion exposure process, on the first surface of the wafer. When the exposure process for the wafer W is completed in the exposure apparatus 900 , the interface robot 740 transfers the wafer W from the exposure apparatus 900 to the second buffer 730 .

후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.The post-processing robot 682 takes the wafer W out of the second buffer 730 and transports it to the cleaning chamber 660 of the post-processing module 602 . The cleaning chamber 660 performs a cleaning process by supplying a cleaning liquid to the surface of the wafer W. When the cleaning of the wafer W using the cleaning solution is completed, the post-processing robot 682 immediately takes the wafer W out from the cleaning chamber 660 and transports the wafer W to the bake chamber 670 after exposure. After exposure, the cleaning solution attached to the wafer W is removed by heating the wafer W in the heating plate 672 of the bake chamber 670, and at the same time, the acid generated in the photoresist is amplified to amplify the photoresist. The change in the properties of the resist is completed. The post-processing robot 682 transports the wafer W from the post-exposure bake chamber 670 to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 . Cooling of the wafer W is performed in the second cooling chamber 540 .

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다. The developing unit robot 482 takes the wafer W out of the second cooling chamber 540 and transfers it to the bake chamber 470 of the developing module 402 . The bake chamber 470 sequentially performs post-baking and cooling processes. The developing unit robot 482 takes the wafer W out of the bake chamber 470 and transports it to the developing chamber 460 . The developing chamber 460 supplies a developing solution onto the wafer W to perform a developing process. Thereafter, the developing unit robot 482 transfers the wafer W from the developing chamber 460 to the bake chamber 470 . The bake chamber 470 performs a hard bake process on the wafer (W).

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의 카세트(20)로 운반될 수 있다.The developing unit robot 482 removes the wafer W from the bake chamber 470 and transports it to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The cooling chamber 350 performs a process of cooling the wafer (W). The index robot 360 transfers the wafer W from the cooling chamber 350 to the cassette 20 . On the other hand, the developing unit robot 482 takes the wafer W out of the bake chamber 470 and transports it to the second buffer 330 of the first buffer module 300, and then the cassette (W) in the index robot 360. 20) can be transported.

본 실시예의 용기 세정 방법은 감광액과 같은 처리액을 세정 처리하는 방법으로 설명하였다. 그러나 본 실시예의 용기 세정 방법은 이에 한정되지 않으며, 액을 사용하고, 사용된 액을 회수하는 처리 용기(850)라면 다양하게 적용 가능하다.The container cleaning method of this embodiment has been described as a method of cleaning a treatment liquid such as a photosensitive liquid. However, the container cleaning method of the present embodiment is not limited thereto, and various applications are possible as long as the processing container 850 uses a liquid and recovers the used liquid.

830: 기판 지지 유닛 840: 액 공급 유닛
850: 처리 용기 860: 회수컵
868: 회수 공간 870: 승강 유닛
880: 용기 세정 유닛 882: 세정 노즐
890: 제어기830: substrate support unit 840: liquid supply unit
850: processing vessel 860: recovery cup
868: recovery space 870: elevating unit
880: vessel cleaning unit 882: cleaning nozzle
890: controller

Claims (12)

기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 단계와;
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상기 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수 컵을 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되,
상기 용기 세정 단계에는 세정 노즐이 상기 기판의 저면에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리하고,
상기 비산된 세정액의 탄착 위치는 상기 기판의 회전 속도의 조절을 통해 이루어지는 기판 처리 방법.a substrate processing step of supplying a processing liquid to the substrate supported by the substrate supporting unit;
and a container cleaning step of cleaning a recovery cup that surrounds the substrate support unit and has a recovery space in which the processing liquid is recovered,
In the container cleaning step, a cleaning nozzle supplies a cleaning liquid to the bottom surface of the substrate, and each of the upper and lower surfaces of the recovery space is cleaned using the cleaning liquid scattered from the substrate,
The method of processing the substrate is made by adjusting the rotation speed of the substrate to the location of the impact of the scattered cleaning solution. 제1항에 있어서,
상기 용기 세정 단계는,
상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 기판을 제1속도로 회전시키는 상부면 세정 단계와;
상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 기판을 상기 제1속도와 상이한 제2속도로 회전시키는 하부면 세정 단계를 포함하되,
상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The container cleaning step is
an upper surface cleaning step of rotating the substrate at a first speed so that the cleaning liquid is supplied to the upper surface;
a lower surface cleaning step of rotating the substrate at a second speed different from the first speed so that the cleaning liquid is supplied to the lower surface;
The second speed is provided at a lower speed than the first speed. 제1항에 있어서,
상기 용기 세정 단계는,
상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계와;
상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되,
상기 제2유량은 상기 제1유량에 비해 적게 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The container cleaning step is
an upper surface cleaning step of supplying the cleaning liquid at a first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the upper surface;
a lower surface cleaning step of supplying the cleaning liquid at a second flow rate different from the first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the lower surface,
The second flow rate is provided to be less than the first flow rate. 제1항에 있어서,
상기 용기 세정 단계는,
상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계와;
상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되,
상기 상부면 및 상기 하부면 각각은 상부면 세정 단계 및 상기 하부면 세정 단계 각각에서 그 높이가 상이하게 위치되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The container cleaning step is
an upper surface cleaning step of supplying the cleaning liquid at a first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the upper surface;
a lower surface cleaning step of supplying the cleaning liquid at a second flow rate different from the first flow rate so that the cleaning liquid is supplied to the lower surface,
The upper surface and the lower surface, respectively, have different heights in the upper surface cleaning step and the lower surface cleaning step, respectively. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 감광액을 포함하고,
상기 세정액은 상기 감광액을 희석시키는 솔벤트를 포함하는 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The treatment solution includes a photoresist,
The cleaning solution includes a solvent for diluting the photoresist. 삭제delete 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수컵을 가지는 처리 용기와;
세정액을 공급하여 상기 회수 공간에 잔류된 처리액을 세정 처리하는 세정 노즐을 가지는 용기 세정 유닛과;
상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 세정 노즐의 토출구는 상기 기판의 저면을 향하고,
상기 제어기는 상기 회수컵을 세정 처리 시 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리하고,
상기 제어기는 상기 기판의 회전 속도를 조절하여 상기 비산된 세정액의 탄착 위치를 조절하는 기판 처리 장치.a substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
a liquid supply unit supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit;
a processing container surrounding the substrate support unit and having a recovery cup having a recovery space in which a processing liquid is recovered;
a container cleaning unit having a cleaning nozzle for supplying a cleaning liquid and cleaning the processing liquid remaining in the recovery space;
a controller for controlling the substrate support unit;
The discharge port of the cleaning nozzle faces the bottom of the substrate,
The controller cleans each of the upper and lower surfaces of the recovery space using a cleaning solution scattered from the bottom surface of the substrate supported by the substrate support unit during cleaning of the recovery cup,
The controller controls a rotation speed of the substrate to adjust an impact position of the scattered cleaning solution. 제7항에 있어서,
상기 회수컵은,
상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상단이 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 높게 위치되는 중간링과;
상기 중간 링의 아래에 위치되는 내측링을 포함하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The recovery cup is
an intermediate ring surrounding the substrate support unit and having an upper end positioned higher than the substrate supported by the substrate support unit;
and an inner ring positioned below the intermediate ring. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 놓이는 지지 플레이트와;
상기 지지 플레이트를 지지하는 회전축과;
상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하되,
상기 제어기는 상기 구동기를 제어하여 상기 지지 플레이트의 회전 속도를 조절하는 기판 처리 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
The substrate support unit,
a support plate on which the substrate is placed;
a rotating shaft supporting the support plate;
Including a actuator for rotating the rotating shaft,
The controller controls the actuator to adjust the rotation speed of the support plate. 기판에 공급된 처리액을 회수하는 처리 용기를 세정 처리하는 방법에 있어서,
세정 노즐이 상기 기판의 저면으로 세정액을 공급하고, 상기 기판의 저면으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 처리액이 회수되는 회수 공간을 세정 처리하되,
상기 세정액은 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 순차적으로 세정 처리하고,
상기 비산된 세정액의 탄착 위치는 상기 기판의 회전 속도의 조절을 통해 이루어지는 용기 세정 방법.A method of cleaning a processing container for recovering a processing liquid supplied to a substrate, the method comprising:
A cleaning nozzle supplies a cleaning liquid to the bottom surface of the substrate, and cleaning the recovery space from which the processing liquid is recovered using the cleaning liquid scattered from the bottom surface of the substrate,
The cleaning solution sequentially cleans each of the upper and lower surfaces of the recovery space,
The container cleaning method is made by adjusting the rotation speed of the substrate at the location of the impact of the scattered cleaning solution. 제10항에 있어서,
상기 상부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고,
상기 하부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키되,
상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공되는 용기 세정 방법.11. The method of claim 10,
When the upper surface is cleaned, the substrate is rotated at a first speed,
When the lower surface is cleaned, the substrate is rotated at a second speed,
The second speed is a container cleaning method provided at a lower speed than the first speed. 삭제delete
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