KR102533056B1 - Method and Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발은 기판을 액 처리하는 방법 및 장치를 제공한다. 처리액을 이용하여 기판 상에 액막을 형성하는 방법으로는, 상기 기판을 정방향으로 회전시키면서 상기 기판 상에 상기 처리액을 공급하는 제1공급 단계를 가지는 액 공급 단계 및 상기 기판을 정 방향과 반대되는 역방향으로 회전시키면서 상기 기판 상에 공급된 처리액을 확산하는 액 확산 단계를 포함한다. 이에 따라 기판 상에 평평한 액막을 형성할 수 있다. The present invention provides a method and apparatus for liquid treating a substrate. A method of forming a liquid film on a substrate using a processing liquid includes a liquid supplying step having a first supplying step of supplying the processing liquid onto the substrate while rotating the substrate in a forward direction, and rotating the substrate in the opposite direction to the forward direction. and a liquid diffusion step of spreading the treatment liquid supplied onto the substrate while rotating in a reverse direction. Accordingly, a flat liquid film can be formed on the substrate.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and Apparatus for treating substrate}Substrate treatment method and apparatus {Method and Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 액 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for liquid treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photo process sequentially performs coating, exposure, and development steps. The application process is a process of applying a photoresist such as a resist on the surface of a substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photoresist film is formed. The developing process is a process of selectively developing an exposed area of the substrate.

일반적으로 도포 공정은 기판 상에 액막을 형성 공정으로서, 시계 방향 및 반시계 방향 중 하나의 방향으로 회전되는 기판 상에 처리액을 도포한다. 이러한 경우에 기판 상에는 액막이 평평하지 못한 상태로 형성된다. In general, the application process is a process of forming a liquid film on a substrate, and a treatment liquid is applied on a substrate rotated in one of clockwise and counterclockwise directions. In this case, the liquid film is formed on the substrate in an uneven state.

특히 도 1과 같이, 패턴을 가지는 기판(W) 상에 감광막을 형성하는 경우에는 기판(W)의 회전 방향에 따라 그 감광막이 일측으로 쏠리는 현상이 발생된다.In particular, when a photoresist film is formed on a substrate W having a pattern as shown in FIG. 1 , a phenomenon in which the photoresist film is tilted to one side according to the rotation direction of the substrate W occurs.

한국 특허 공개 번호: 2009-0070602Korean Patent Publication No.: 2009-0070602

본 발명은 기판 상에 감광막을 평평하게 형성할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.The present invention is intended to provide a method capable of forming a photoresist film flat on a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 방법 및 장치를 제공한다. 처리액을 이용하여 기판 상에 액막을 형성하는 방법으로는, 상기 기판을 정방향으로 회전시키면서 상기 기판 상에 상기 처리액을 공급하는 제1공급 단계를 가지는 액 공급 단계 및 상기 기판을 정 방향과 반대되는 역방향으로 회전시키면서 상기 기판 상에 공급된 처리액을 확산하는 액 확산 단계를 포함한다. Embodiments of the present invention provide a method and apparatus for liquid treating a substrate. A method of forming a liquid film on a substrate using a processing liquid includes a liquid supplying step having a first supplying step of supplying the processing liquid onto the substrate while rotating the substrate in a forward direction, and rotating the substrate in the opposite direction to the forward direction. and a liquid diffusion step of spreading the treatment liquid supplied onto the substrate while rotating in a reverse direction.

상기 액 공급 단계는 상기 제1공급 단계 이후에 상기 기판을 상기 역방향으로 회전시키면서 상기 기판 상에 상기 처리액을 공급하는 제2공급 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제1공급 단계는 상기 기판을 제1공급 속도로 등속 회전시키는 등속 단계 및 상기 기판을 상기 제1공급 속도에서 제2공급 속도로 감속 회전시키는 감속 단계를 포함하고, 상기 제2공급 단계는 상기 기판을 상기 제2공급 속도에서 상기 제3공급 속도로 가속 회전시키는 가속 단계를 포함하되, 상기 제3공급 속도는 상기 제1공급 속도보다 낮은 속도로 제공될 수 있다. 상기 제1공급 속도는 1000 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)이고, 상기 제3공급 속도는 100 알피엠(RPM) 이하로 제공될 수 있다. 상기 처리액은 감광액을 포함할 수 있다. The liquid supplying step may further include a second supplying step of supplying the treatment liquid to the substrate while rotating the substrate in the reverse direction after the first supplying step. The first supply step includes a constant speed rotation of the substrate at a first supply speed and a deceleration step of rotating the substrate at a reduced speed from the first supply speed to a second supply speed, wherein the second supply step comprises the An acceleration step of accelerating and rotating the substrate from the second supply speed to the third supply speed, wherein the third supply speed may be provided at a lower speed than the first supply speed. The first supply speed may be 1000 RPM to 3000 RPM, and the third supply speed may be 100 RPM or less. The treatment liquid may include a photoresist.

또한 처리액을 이용하여 기판 상에 액막을 형성하는 방법으로는, 상기 기판 상에 상기 처리액을 공급하는 액 공급 단계 및 상기 기판 상에 공급된 처리액을 확산하는 액 확산 단계를 포함하되, 상기 액 공급 단계는 상기 기판을 정방향으로 회전시키는 제1공급 단계 및 상기 기판을 상기 정방향과 반대인 역방향으로 회전시키는 제2공급 단계를 포함한다. In addition, a method of forming a liquid film on a substrate using a processing liquid includes a liquid supplying step of supplying the processing liquid onto the substrate and a liquid diffusion step of diffusing the processing liquid supplied onto the substrate, The liquid supplying step includes a first supplying step of rotating the substrate in a forward direction and a second supplying step of rotating the substrate in a reverse direction opposite to the forward direction.

상기 액 확산 단계에는 상기 기판을 상기 역방향으로 회전시킬 수 있다. 상기 액 확산 단계는 상기 기판을 상기 역방향으로 회전시키는 제1확산 단계 및 상기 기판을 상기 정방향으로 회전시키는 제2확산 단계를 포함할 수 있다. 상기 제1공급 단계는 상기 기판을 제1공급 속도로 등속 회전시키는 등속 단계 및 상기 기판을 상기 제1공급 속도에서 제2공급 속도로 감속 회전시키는 감속 단계를 포함하고, 상기 제2공급 단계는 상기 기판을 상기 제2공급 속도에서 상기 제3공급 속도로 가속 회전시키는 가속 단계를 포함하되, 상기 제3공급 속도는 상기 제1공급 속도보다 낮은 속도로 제공될 수 있다. In the liquid diffusion step, the substrate may be rotated in the reverse direction. The liquid diffusion step may include a first diffusion step of rotating the substrate in the reverse direction and a second diffusion step of rotating the substrate in the forward direction. The first supply step includes a constant speed rotation of the substrate at a first supply speed and a deceleration step of rotating the substrate at a reduced speed from the first supply speed to a second supply speed, wherein the second supply step comprises the An acceleration step of accelerating and rotating the substrate from the second supply speed to the third supply speed, wherein the third supply speed may be provided at a lower speed than the first supply speed.

기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 상기 기판 지지 부재는 정방향 또는 역방향으로 회전시키는 회전 구동 부재, 상기 기판 지지 부재에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 기판을 정방향으로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제1공급 단계 및 기판을 상기 정방향과 반대되는 역방향으로 회전시키면서 기판 상에 공급된 처리액을 확산하는 액 확산 단계가 순차적으로 수행되도록 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어한다. A substrate processing apparatus includes a substrate support member for supporting a substrate, a rotation drive member for rotating the substrate support member in a forward or reverse direction, a liquid supply unit for supplying a processing liquid onto a substrate supported by the substrate support member, and the rotation drive. a controller for controlling the member and the liquid supply unit, wherein the controller includes a first supplying step of supplying a treatment liquid while rotating the substrate in a forward direction, and a process supplied to the substrate while rotating the substrate in a reverse direction opposite to the forward direction. The rotation driving member and the liquid supply unit are controlled so that the liquid diffusion step of spreading the liquid is sequentially performed.

상기 제어기는 상기 제1공급 단계 및 상기 액 확산 단계 사이에 기판을 역방향으로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제2공급 단계가 더 수행되도록 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. The controller may control the rotation driving member and the liquid supply unit to further perform a second supplying step of supplying the treatment liquid while rotating the substrate in a reverse direction between the first supplying step and the liquid spreading step.

또한 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 부재, 상기 기판 지지 부재는 정방향 또는 역방향으로 회전시키는 회전 구동 부재, 상기 기판 지지 부재에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 기판을 정방향으로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제1공급 단계 및 기판을 상기 정방향과 반대되는 역방향으로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제2공급 단계가 순차적으로 수행되도록 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어한다. In addition, the substrate processing apparatus includes a substrate support member for supporting a substrate, a rotation drive member for rotating the substrate support member in a forward or reverse direction, a liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate supported by the substrate support member, and the rotation. A driving member and a controller controlling the liquid supply unit, wherein the controller includes a first supplying step of supplying a treatment liquid while rotating the substrate in a forward direction and supplying a treatment liquid while rotating the substrate in a reverse direction opposite to the forward direction. The rotation driving member and the liquid supply unit are controlled so that the second supply step is sequentially performed.

상기 제어기는 상기 제2공급 단계 이후에, 기판을 상기 역방향으로 회전시켜 기판 상에 공급된 처리액을 확산시키는 액 확산 단계를 더 수행하도록 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 제2공급 단계 이후에, 기판을 상기 역방향으로 회전시켜 기판 상에 공급된 처리액을 확산시키는 제1액 확산 단계 및 기판을 상기 정방향으로 회전시켜 기판 상에 공급된 처리액을 확산시키는 제2액 확산 단계가 순차적으로 더 수행되도록 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. The controller may control the rotation driving member and the liquid supply unit to further perform a liquid diffusion process of spreading the treatment liquid supplied on the substrate by rotating the substrate in the reverse direction after the second supply process. After the second supplying step, the controller rotates the substrate in the reverse direction to diffuse the treatment liquid supplied on the substrate, and the controller rotates the substrate in the forward direction to spread the treatment liquid supplied on the substrate. The rotation driving member and the liquid supply unit may be controlled so that the second liquid diffusion step is sequentially performed.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 액막을 형성하는 과정에서 기판을 시계 방향으로 회전하고, 이후에 반시계 방향으로 회전한다. 이에 따라 기판 상에 평평한 액막을 형성할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, in the process of forming a liquid film on a substrate, the substrate is rotated clockwise, and then rotated counterclockwise. Accordingly, a flat liquid film can be formed on the substrate.

도 1은 일반적으로 기판 상에 형성된 액막을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 액 공급 유닛을 이용하여 기판 상에 액막을 형성하는 과정을 보여주는 표이다.
도 9는 도 8의 과정의 제2실시예를 보여주는 표이다.1 is a cross-sectional view showing a liquid film generally formed on a substrate.
2 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction AA.
4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the direction BB.
5 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 2 viewed from the CC direction.
6 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
7 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 6 .
FIG. 8 is a table showing a process of forming a liquid film on a substrate using the liquid supply unit of FIG. 7 .
FIG. 9 is a table showing a second embodiment of the process of FIG. 8 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the figures are exaggerated to emphasize clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment can be connected to an exposure device and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Below, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 2 내지 도 9를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.A substrate processing facility according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 2 to 9 .

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a view of a substrate processing facility viewed from above, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the A-A direction, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 2 viewed from the B-B direction, and FIG. 5 is the facility of FIG. 1 It is a view viewed from the C-C direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing facility 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, and a second buffer module 500. ), a pre- and post-exposure processing module 600, and an interface module 700. Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, before and after exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) is called a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is called a second direction 14, and the first direction 12 and the second Directions perpendicular to the direction 14 are referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a front open unified pod (FOUP) having a front door may be used as the cassette 20 .

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre- and post-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2 , four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty inside, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a height lower than that of the frame 310 of the first buffer module 300 described below. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210 . The index robot 220 is 4-axis driven so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. have this possible structure. The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a stand 224. The hand 221 is fixedly installed to the arm 222 . The arm 222 is provided with a structure that can be stretched and rotated. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 so as to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224 . The guide rail 230 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . Also, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided on the frame 210 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty inside, and is disposed between the index module 200 and the coating and developing module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned within the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are the coating and developing module ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of 400). The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. Each of the first buffer 320 and the second buffer 330 stores a plurality of substrates W temporarily. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed within the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing robot 482 of the developing module 402, which will be described later, form the substrate W on the support 332 in the housing 331. It has openings (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing robot 482 is provided so as to carry in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has openings in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the application robot 432 located in the application module 401 to be described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixedly installed to the arm 362 . The arm 362 is provided in a stretchable structure so that the hand 361 can move along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in an upward or downward direction. The first buffer robot 360 may simply be provided so that the hand 361 is driven in two axes along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. Each cooling chamber 350 cools the substrate W. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, a lift pin assembly (not shown) may be provided in the cooling chamber 350 to position the substrate W on the cooling plate 352 . The housing 351 is used by the index robot 220 so that the index robot 220 and the developing unit robot 482 provided in the developing module 402, which will be described later, carry in or take out the substrate W from the cooling plate 352. The provided direction and the development robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. Also, doors (not shown) may be provided in the cooling chamber 350 to open and close the aforementioned opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before an exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned into layers from each other. According to one example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling the substrate W before and after the process of applying the resist. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist coating chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transport chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of each are provided in the first direction 12 and the third direction 16 respectively. In the figure, an example in which six resist coating chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, a larger number of bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned parallel to the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a substantially rectangular shape. The application robot 432 includes the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to linearly move in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in an elastic structure so that the hand 434 can move in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(880)를 포함한다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 serves as a substrate processing apparatus for coating a photoresist on a substrate (W). The substrate processing apparatus 800 performs a liquid coating process. FIG. 6 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 2 , and FIG. 7 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 6 . Referring to FIGS. 6 and 7 , the substrate processing apparatus 800 includes a housing 810, an air flow supply unit 820, a substrate support unit 830, a processing container 850, an elevating unit 890, and a liquid supply unit. 840, and a controller 880.

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되어 개폐 가능하다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular tubular shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed on one side of the housing 810 . The opening functions as an entrance through which the substrate W is carried in and out. A door (not shown) is installed in the opening and can be opened and closed. An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810 . The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816 . According to an example, the airflow provided inside the processing container 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814 , and the airflow provided outside the processing vessel 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816 .

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.The airflow providing unit 820 forms a descending airflow in the inner space of the housing 810 . The airflow providing unit 820 includes an airflow supply line 822 , a fan 824 , and a filter 826 . An airflow supply line 822 is connected to the housing 810 . The air flow supply line 822 supplies external air to the housing 810 . A filter 826 filters air provided from the air flow supply line 822 . The filter 826 removes impurities contained in the air. The fan 824 is installed on the upper surface of the housing 810 . Fan 824 is located in a central region on the top surface of housing 810 . The fan 824 creates a downdraft in the interior space of the housing 810 . When air is supplied to the fan 824 from the air flow supply line 822, the fan 824 supplies air downward.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832) 및 회전 구동 부재(834,836)을 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810 . The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 832 and rotation driving members 834 and 836 . The spin chuck 832 serves as a substrate support member 832 for supporting a substrate. The spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The upper surface of the spin chuck 832 is in contact with the substrate W. The spin chuck 832 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. According to an example, the spin chuck 832 may chuck the substrate W by vacuum suctioning the substrate W. Optionally, the spin chuck 832 may be provided as an electrostatic chuck that chucks the substrate W using static electricity. Also, the spin chuck 832 may chuck the substrate W with physical force.

회전 구동 부재(834,836)는 스핀척(832)을 회전시킨다. 회전 구동 부재(834,836)은 회전축(834) 및 구동기(836)를 포함한다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation driving members 834 and 836 rotate the spin chuck 832 . The rotation drive members 834 and 836 include a rotation shaft 834 and an actuator 836 . A rotation shaft 834 supports the spin chuck 832 below the spin chuck 832 . The rotating shaft 834 is provided so that its longitudinal direction is directed upward and downward. The rotating shaft 834 is provided so as to be rotatable about its central axis. The driver 836 provides a driving force so that the rotating shaft 834 rotates. For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the inner space 812 of the housing 810 . The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 provides a processing space therein. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862 .

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotating shaft 834 . When viewed from above, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 . When viewed from the top, the upper surface of the inner cup 852 is provided such that the outer and inner areas thereof incline at different angles from each other. According to an example, the outer region of the inner cup 852 slopes downward as it moves away from the substrate support unit 830, and the inner region slopes upward as it moves away from the substrate support unit 830. provided to do A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. The outer region of the upper surface of the inner cup 852 is provided to be rounded. An area outside the upper surface of the inner cup 852 is provided concave downward. An outer region of the upper surface of the inner cup 852 may be provided as a region through which the treatment liquid flows.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852 . The outer cup 862 has a bottom wall 864 , a side wall 866 , a top wall 870 , and a slanted wall 870 . The bottom wall 864 is provided to have a hollow circular plate shape. A recovery line 865 is formed on the bottom wall 864 . The recovery line 865 recovers the treatment liquid supplied to the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The side wall 866 is provided to have a circular tubular shape surrounding the substrate support unit 830 . The side wall 866 extends from the side end of the bottom wall 864 in a vertical direction. Sidewall 866 extends upwardly from bottom wall 864 .

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends from the upper end of the side wall 866 toward the inside of the outer cup 862 . The inclined wall 870 is provided so as to be closer to the substrate support unit 830 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830 .

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 890 lifts and moves the inner cup 852 and the outer cup 862, respectively. The lifting unit 890 includes an inner moving member 892 and an outer moving member 894 . The inner moving member 892 moves the inner cup 852 up and down, and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 전처리액 및 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 가이드 부재(846), 아암(848), 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)을 포함한다. 가이드 부재(846)는 아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(846)을 포함한다. 가이드 레일(846)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 가이드 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(846)의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(846)에는 아암(848)이 설치된다. 아암(848)은 가이드 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(848)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(846)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(848)의 일단은 가이드 레일(846)에 장착된다. 아암(848)의 타단 저면에는 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)이 각각 설치된다. 상부에서 바라볼 때 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)은 가이드 레일(846)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)은 아암(848)과 함께 공정 위치 및 대기 위치로 이동 가능하다. 여기서 공정 위치는 각 노즐(842,844)이 기판(W)에 대향되는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 각 노즐(842,844)이 기판(W)의 중앙 영역으로 액을 공급할 수 있는 위치일 수 있다. 선택적으로 아암(848)은 길이 방향이 제3방향(16)을 향하는 수직축에 결합되어 회전될 수 있다.The liquid supply unit 840 supplies the pretreatment liquid and the treatment liquid onto the substrate (W). The liquid supply unit 840 includes a guide member 846 , an arm 848 , a pretreatment nozzle 842 and a main nozzle 844 . The guide member 846 includes a guide rail 846 that moves the arm 848 in a horizontal direction. A guide rail 846 is located on one side of the processing vessel. The guide rail 846 is provided so that its longitudinal direction is directed in the horizontal direction. According to one example, the longitudinal direction of the guide rail 846 may be provided to face a direction parallel to the first direction. An arm 848 is installed on the guide rail 846 . The arm 848 can be moved by a linear motor provided inside the guide rail 846 . The arm 848 is provided so as to orient in a longitudinal direction perpendicular to the guide rail 846 when viewed from above. One end of the arm 848 is mounted on the guide rail 846. A preprocessing nozzle 842 and a main nozzle 844 are respectively installed on the lower surface of the other end of the arm 848 . When viewed from above, the pretreatment nozzle 842 and the main nozzle 844 are arranged in a direction parallel to the longitudinal direction of the guide rail 846 . The pretreatment nozzle 842 and the main nozzle 844 are movable together with the arm 848 to a process position and a stand-by position. Here, the process position is a position where the nozzles 842 and 844 face the substrate W, and the standby position is defined as a position out of the process position. According to an example, the process location may be a location where each of the nozzles 842 and 844 can supply liquid to the central region of the substrate W. Optionally, the arm 848 can be rotated coupled to a vertical axis whose longitudinal direction is directed in the third direction 16 .

전처리 노즐(842)은 기판(W) 상에 전처리액을 공급하고, 메인 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 전처리액은 기판(W)의 표면을 소수성으로 변화시키는 액일 수 있다. 전처리액은 신나(Thinner)이고, 처리액은 소수성의 성질을 가지는 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844) 각각은 그 토출구가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. 전처리 노즐(842)은 전처리액 공급 라인으로부터 전처리액을 공급받는다. 전처리액 공급 라인에는 제1밸브가 설치되며, 제1밸브는 전처리액 공급 라인을 개폐한다. 메인 노즐(844)은 처리액 공급 라인으로부터 처리액을 공급받는다. 처리액 공급 라인에는 제2밸브가 설치되며, 제2밸브는 처리액 공급 라인을 개폐한다. 선택적으로, 전처리 노즐(842) 및 메인 노즐(844)은 서로 상이한 아암에 의해 지지될 수 있다. The pretreatment nozzle 842 supplies the pretreatment liquid onto the substrate W, and the main nozzle 844 supplies the treatment liquid onto the substrate W. For example, the pretreatment liquid may be a liquid that changes the surface of the substrate W to be hydrophobic. The pretreatment liquid may be thinner, and the treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist having hydrophobic properties. Each of the pretreatment nozzle 842 and the main nozzle 844 is provided so that its discharge port faces a vertical downward direction. The pretreatment nozzle 842 receives the pretreatment liquid from the pretreatment liquid supply line. A first valve is installed in the pretreatment liquid supply line, and the first valve opens and closes the pretreatment liquid supply line. The main nozzle 844 receives the treatment liquid from the treatment liquid supply line. A second valve is installed in the treatment liquid supply line, and the second valve opens and closes the treatment liquid supply line. Optionally, the pretreatment nozzle 842 and the main nozzle 844 may be supported by different arms.

제어기(880)는 회전 구동 부재(834,836) 및 액 공급 유닛(840)을 각각 제어한다. 제어기(880)는 전처리 공정 및 액막 형성 공정이 순차적으로 진행되도록 회전 구동 부재(834,836) 및 액 공급 유닛(840)을 제어한다. 일 예에 의하면, 전처리 공정은 기판(W)을 표면을 소수성 성질로 변화시키는 공정이고, 액막 형성 공정은 기판(W) 상에 액막을 형성하는 공정으로 제공될 수 있다. 액막 형성 공정은 액 공급 단계(A) 및 액 확산 단계(B)를 포함할 수 있다. 제어기(880)는 액 공급 단계(A) 및 액 확산 단계(B)에 따라 기판(W)을 정방향 또는 역방향으로 회전되도록 회전 구동 부재(834,836)를 제어할 수 있다. 여기서 정방향은 시계 방향이고, 역방향은 반시계 방향으로 정의한다. 또한 제어기(880)는 액 공급 단계(A) 및 액 확산 단계(B)에 따라 기판(W)의 회전 속도가 상이하도록 회전 구동 부재(834,836)를 제어할 수 있다.The controller 880 controls the rotation driving members 834 and 836 and the liquid supply unit 840, respectively. The controller 880 controls the rotation driving members 834 and 836 and the liquid supply unit 840 so that the pretreatment process and the liquid film forming process are sequentially performed. According to an example, the pretreatment process may be a process of changing the surface of the substrate (W) to a hydrophobic property, and the liquid film forming process may be provided as a process of forming a liquid film on the substrate (W). The liquid film forming process may include a liquid supplying step (A) and a liquid spreading step (B). The controller 880 may control the rotation driving members 834 and 836 to rotate the substrate W in a forward or reverse direction according to the liquid supplying step (A) and the liquid spreading step (B). Here, the forward direction is clockwise, and the reverse direction is defined as counterclockwise. In addition, the controller 880 may control the rotation driving members 834 and 836 so that the rotation speed of the substrate W is different according to the liquid supplying step (A) and the liquid spreading step (B).

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 액 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)의 액 처리 방법으로는 크게 전처리 공정 및 액막 형성 공정이 진행된다. 전처리 공정이 진행되면, 기판(W)은 반시계 방향으로 회전되고, 전처리 노즐(842)은 공정 위치로 이동된다. 전처리 노즐(842)은 기판(W)의 중앙 영역으로 전처리액을 공급한다. 전처리액은 기판(W)의 전체 영역으로 확산되어 그 표면을 성질을 변화시킨다. 전처리 공정이 완료되면, 액막 형성 공정이 수행된다. Next, a method of liquid processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. As a liquid processing method of the substrate W, a pretreatment process and a liquid film forming process are largely performed. When the pretreatment process proceeds, the substrate W is rotated counterclockwise, and the pretreatment nozzle 842 is moved to the process position. The pretreatment nozzle 842 supplies the pretreatment liquid to the central region of the substrate W. The pretreatment liquid is diffused over the entire area of the substrate W to change its surface properties. After the pretreatment process is completed, a liquid film forming process is performed.

액막 형성 공정에는 액 공급 단계(A) 및 액 확산 단계(B)가 순차적으로 진행된다. 액 공급 단계(A)는 기판(W) 상에 처리액을 공급하는 단계이고, 액 확산 단계(B)는 기판(W) 상에 공급된 처리액을 확산시키는 단계로 제공된다. 액 공급 단계(A)는 제1공급 단계(a1,a2) 및 제2공급 단계(a3)를 포함한다. 일 예에 의하면, 제1공급 단계(a1,a2)는 등속 단계(a1) 및 감속 단계(a2)를 포함하고, 제2공급 단계(a3)는 가속 단계를 포함할 수 있다. 제1공급 단계(a1,a2) 및 제2공급 단계(a3)는 기판(W)이 서로 상이한 방향으로 회전될 수 있다. 액 확산 단계(B)는 제1확산 단계 (b1,b2)및 제2확산 단계(b3)를 포함한다. 일 예에 의하면, 제1확산 단계(b1,b2)는 퍼들 단계(b1) 및 디퓨션 단계(b2)를 포함할 수 있다. In the liquid film forming process, a liquid supplying step (A) and a liquid spreading step (B) are sequentially performed. The liquid supplying step (A) is a step of supplying the processing liquid onto the substrate (W), and the liquid spreading step (B) is provided as a step of diffusing the supplied processing liquid onto the substrate (W). The liquid supply step (A) includes a first supply step (a 1 , a 2 ) and a second supply step (a 3 ). According to an example, the first supply step (a 1 , a 2 ) includes a constant speed step (a 1 ) and a deceleration step (a 2 ), and the second supply step (a 3 ) may include an acceleration step. . In the first supply steps (a 1 , a 2 ) and the second supply step (a 3 ), the substrate W may be rotated in different directions. The liquid diffusion step (B) includes a first diffusion step (b 1 , b 2 ) and a second diffusion step (b 3 ). According to an example, the first diffusion steps b 1 and b 2 may include a puddle step b 1 and a diffusion step b 2 .

도 8은 도 7의 액 공급 유닛을 이용하여 기판 상에 액막을 형성하는 과정을 보여주는 표이다. 도 8을 참조하면, 액 공급 단계(A)가 진행되고, 제1공급 단계(a1,a2)의 등속 단계(a1), 제1공급 단계(a1,a2)의 감속 단계(a2), 그리고 제2공급 단계(a3)의 가속 단계(a3)가 순차 진행된다. 등속 단계(a1), 감속 단계(a2), 그리고 가속 단계(a3)는 연속적으로 진행되며, 메인 노즐(844)로부터 처리액이 계속적으로 공급된다. 처리액은 기판(W)의 중앙 영역으로 공급된다. 등속 단계(a1)에는 기판(W)이 시계 방향으로, 그리고 제1공급 속도(V-1)로 회전된다. 감속 단계(a2)에는 기판(W)이 시계 방향으로 회전하되, 제1공급 속도(V-1)에서 제2공급 속도(V0)로 감속 회전된다. 가속 단계(a3)에는 기판(W)이 반시계 방향으로 회전하되, 제2공급 속도(V0)에서 제3공급 속도(V1)로 가속 회전된다. 일 예에 의하면, 제3공급 속도(V1)는 제1공급 속도(V-1)보다 낮은 속도일 수 있다. 제1공급 속도(V-1)는 1000 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)이고, 제2공급 속도(V0)는 0 일 수 이며, 제3공급 속도(V1)는 100 알피엠(RPM) 이하일 수 있다. FIG. 8 is a table showing a process of forming a liquid film on a substrate using the liquid supply unit of FIG. 7 . Referring to FIG. 8, a liquid supply step (A) is performed, a constant speed step (a 1 ) of the first supply step (a 1 , a 2 ), and a deceleration step (a 1 , a 2 ) of the first supply step ( a 2 ), and the acceleration step (a 3 ) of the second supply step (a 3 ) are sequentially performed. The constant speed step (a 1 ), the deceleration step (a 2 ), and the acceleration step (a 3 ) are continuously performed, and the treatment liquid is continuously supplied from the main nozzle 844 . The treatment liquid is supplied to the central region of the substrate W. In the constant speed step (a 1 ), the substrate (W) is rotated clockwise and at a first supply speed (V −1 ). In the deceleration step (a 2 ), the substrate (W) rotates in a clockwise direction, and is rotated at a reduced speed from the first supply speed (V −1 ) to the second supply speed (V 0 ). In the acceleration step (a 3 ), the substrate (W) rotates counterclockwise, and is accelerated from the second supply speed (V 0 ) to the third supply speed (V 1 ). According to an example, the third supply rate (V 1 ) may be a lower rate than the first supply rate (V -1 ). The first feed rate (V -1 ) is 1000 RPM to 3000 RPM (RPM), the second feed rate (V 0 ) is 0 days, and the third feed rate (V 1 ) is 100 RPM (RPM) ) or less.

액 공급 단계(A)가 완료되면, 처리액의 공급을 중지하고, 제1확산 단계(b1,b2)의 퍼들 단계(b1), 제1확산 단계의 디퓨션 단계(b2), 그리고 제2확산 단계(b3)가 순차 진행된다. 퍼들 단계(b1), 디퓨션 단계(b2), 그리고 제2확산 단계(b3)는 연속적으로 진행된다. 퍼들 단계(b1), 디퓨션 단계(b2), 그리고 제2확산 단계(b3)에는 기판(W)을 제2공급 단계(a3)와 동일한 방향으로 회전시킨다. 퍼들 단계(b1)에는 기판(W)을 제1확산 속도(V1)로 회전시키고, 디퓨션 단계(b2)에는 기판(W)을 제2확산 속도(V2)로 회전시키며, 제2확산 단계(b3)에는 기판(W)을 제3확산 속도(V1)로 회전시킨다. 일 예에 의하면, 제2확산 속도(V2)는 제1확산 속도(V1) 및 제3확산 속도(V1)에 비해 높은 속도일 수 있다. 제3공급 속도(V1), 제1확산 속도(V1), 그리고 제3확산 속도(V1)는 동일한 속도일 수 있다. 제3공급 속도(V1), 제1확산 속도(V1), 그리고 제3확산 속도(V1)는 100 알피엠(RPM) 내지 300 알피엠(RPM)일 수 있다.When the liquid supply step (A) is completed, the supply of the treatment liquid is stopped, the puddle step (b 1 ) of the first diffusion step (b 1 , b 2 ), the diffusion step (b 2 ) of the first diffusion step, And the second diffusion step (b 3 ) proceeds sequentially. The puddle step (b 1 ), the diffusion step (b 2 ), and the second diffusion step (b 3 ) are continuously performed. In the puddle step (b 1 ), the diffusion step (b 2 ), and the second diffusion step (b 3 ), the substrate W is rotated in the same direction as in the second supply step (a 3 ). In the puddle step (b 1 ), the substrate (W) is rotated at a first diffusion speed (V 1 ), and in the diffusion step (b 2 ), the substrate (W) is rotated at a second diffusion speed (V 2 ). In the second diffusion step (b 3 ), the substrate (W) is rotated at a third diffusion speed (V 1 ). According to an example, the second diffusion speed V 2 may be higher than the first diffusion speed V 1 and the third diffusion speed V 1 . The third supply speed (V 1 ), the first diffusion speed (V 1 ), and the third diffusion speed (V 1 ) may be the same speed. The third supply rate (V 1 ), the first diffusion rate (V 1 ), and the third diffusion rate (V 1 ) may be 100 RPM to 300 RPM (RPM).

본 실시예에는 액 공급 단계(A)의 제1공급 단계(a1,a2)에서 기판(W)을 시계 방향으로 회전시키고, 제2공급 단계(a3)에는 기판(W)을 반시계 방향으로 회전시킨다. 이에 따라 기판(W) 상에 공급되는 처리액은 일측으로 쏠리지 않고, 그 상면이 평평하게 유지될 수 있다.In this embodiment, in the first supply step (a 1 , a 2 ) of the liquid supply step (A), the substrate (W) is rotated clockwise, and in the second supply step (a 3 ), the substrate (W) is rotated counterclockwise. rotate in the direction Accordingly, the processing liquid supplied on the substrate W does not gravitate to one side, and the upper surface thereof can be maintained flat.

다음은 본 발명의 제2실시예에 대해 설명한다. 도 9를 참조하면, 제1공급 단계(a1,a2) 및 제2확산 단계(b3)에서 기판(W)을 시계 방향으로 회전시키고, 제2공급 단계(a3) 및 제1확산 단계(b1,b2)에서 기판(W)을 반시계 방향으로 회전시킨다. 이로 인해 액 확산 단계(B)에서 처리액이 일측이로 쏠리는 것을 방지할 수 있다.Next, a second embodiment of the present invention will be described. Referring to FIG. 9 , in the first supply step (a 1 , a 2 ) and the second diffusion step (b 3 ), the substrate W is rotated clockwise, and the second supply step (a 3 ) and the first diffusion step (b 3 ) occur. In steps b 1 and b 2 , the substrate W is rotated counterclockwise. Due to this, it is possible to prevent the treatment liquid from being concentrated on one side in the liquid diffusion step (B).

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. Referring back to FIGS. 2 to 5 , the bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 perform a pre-bake process of heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances or moisture from the surface of the substrate W before applying the photoresist or applying the photoresist to the substrate (W). W), a soft bake process or the like is performed after application, and a cooling process or the like of cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, a heating means 424 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 422 . The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be respectively provided in one bake chamber 420 . Optionally, some of the bake chambers 420 may have only a cooling plate 421 and some may have only a heating plate 422 .

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process of removing a portion of the photoresist by supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 460 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The developing chamber 460 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the developing chamber 460 and the baking chamber 470 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of each are provided in the first direction 12 and the third direction 16 respectively. In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, a larger number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned parallel to the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a substantially rectangular shape. The developing robot 482 includes the bake chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. Transferring the substrate (W) between the second cooling chamber 540 of the. The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12 . The developing robot 482 includes a hand 484, an arm 485, a support 486, and a stand 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a flexible structure so that the hand 484 can move in the horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . The arm 485 is coupled to the support 486 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. All of the developing chambers 460 have the same structure. However, the type of developer used in each developing chamber 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes the light-irradiated region of the photoresist on the substrate W. At this time, the light-irradiated region of the protective film is also removed. Depending on the type of photoresist that is selectively used, only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed.

현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a container 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The container 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned within the container 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies a developer onto the substrate W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developing solution to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and an outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 may be further provided in the developing chamber 460 to supply a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W additionally supplied with the developing solution.

베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process of cooling the wafer is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 472 . The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 and others may include only a heating plate 472 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from the top, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600 . In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process such as a cooling process or an edge exposure process on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560. have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. A buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 are positioned within the frame 510 . The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from above, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 of the application module 401 and the first direction 12 . The edge exposure chamber 550 is spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transports the substrate W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may have a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the wafers W on which the process has been performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which a process has been performed in the coating module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes the edges of the wafers W subjected to the cooling process in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W after the process in the edge exposure chamber 550 before being transported to the preprocessing module 601 to be described later. The second cooling chamber 540 cools the wafers W after a process in the post-processing module 602 to be described later before they are transported to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further have a buffer added at a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the wafers W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in an added buffer and then transported to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion lithography process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film to protect the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. Also, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using a chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of treating the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of treating the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned into layers from each other. According to one example, the pre-processing module 601 is located on top of the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The preprocessing module 601 includes a protective film application chamber 610 , a bake chamber 620 , and a transfer chamber 630 . The protective film application chamber 610 , the transfer chamber 630 , and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and arranged along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 620 are provided and arranged along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is located parallel to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A preprocessing robot 632 is positioned within the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is interposed between the protective film coating chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixedly installed on the arm 634. The arm 634 is provided in a structure that can be stretched and rotated. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film application chamber 610 applies a protective film on the substrate W to protect the resist film during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is positioned within the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 may have a circular tubular shape and supply the protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and an outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid contains a foamable material. A photoresist and a material having low affinity for water may be used as the protective liquid. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film coating chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612 .

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, a heating means 624 such as a hot wire or a thermoelectric element is provided on the heating plate 622 . The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be respectively provided in one bake chamber 620 . Optionally, some of the bake chambers 620 may include only a heating plate 622 and others may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a transfer chamber 680. The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 so as to form layers with each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned parallel to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a substantially square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is positioned within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second cooling chamber 540 of the interface module 700 described later. The substrate W is transported between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may have the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is positioned within the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662 . As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning solution to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662 . Optionally, while the substrate W is being rotated, the nozzle 663 may linearly or rotationally move from the center area to the edge area of the substrate W.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using far ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify an acid generated in the photoresist by exposure to complete a change in the properties of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, a bake chamber having only the cooling plate 671 may optionally be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre- and post-exposure processing module 600, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size and completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may be provided to have the same size and completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre- and post-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. A first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 are positioned within the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on top of each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 along the first direction 12, and the second buffer 730 is disposed in the post-processing module 602 It is positioned to be arranged in line with the transfer chamber 630 of the first direction 12.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W subjected to the process in the preprocessing module 601 before being moved to the exposure apparatus 900 . Also, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W after the process in the exposure apparatus 900 is moved to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed in the housing 721 and are spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 is a direction and pre-processing robot provided with the interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 can carry in or take out the substrate W from the support 722 into the housing 721 ( 632) has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 4531 of the second buffer 730 has openings (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only buffers and a robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on a wafer.

다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing a process using the substrate processing facility 1 described above will be described.

웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. The cassette 20 in which the wafers W are stored is placed on the mounting table 120 of the load port 100 . The door of the cassette 20 is opened by the door opener. The index robot 220 takes out the substrate W from the cassette 20 and transfers it to the second buffer 330 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 기판(W)을 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 기판(W)을 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 기판(W)을 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 기판(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 기판(W)을 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 기판(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W stored in the second buffer 330 to the first buffer 320 . The coating unit robot 432 takes out the substrate W from the first buffer 320 and transfers it to the bake chamber 420 of the coating module 401 . The bake chamber 420 sequentially performs pre-baking and cooling processes. The coating unit robot 432 takes out the substrate W from the bake chamber 420 and transfers it to the resist coating chamber 410 . The resist coating chamber 410 applies photoresist on the substrate W. After that, when the photoresist is coated on the substrate W, the coating unit robot 432 transfers the substrate W from the resist coating chamber 410 to the bake chamber 420 . The bake chamber 420 performs a soft bake process on the substrate W.

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 기판(W)을 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 기판(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 기판(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 기판(W)은 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The application robot 432 takes out the substrate W from the bake chamber 420 and transfers it to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 . A cooling process is performed on the substrate W in the first cooling chamber 530 . The substrate W processed in the first cooling chamber 530 is transported to the edge exposure chamber 550 by the second buffer robot 560 . The edge exposure chamber 550 performs a process of exposing the edge area of the substrate W. The substrate W after the processing in the edge exposure chamber 550 is transported to the buffer 520 by the second buffer robot 560 .

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 기판(W)을 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 기판(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 기판(W)을 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 기판(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다. The preprocessing robot 632 takes out the substrate W from the buffer 520 and transfers it to the protective film coating chamber 610 of the preprocessing module 601 . The protective film application chamber 610 applies a protective film on the substrate (W). Thereafter, the preprocessing robot 632 transfers the substrate W from the protective film application chamber 610 to the bake chamber 620 . The bake chamber 620 performs heat treatment on the substrate W, such as heating and cooling.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 기판(W)을 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.The preprocessing robot 632 takes out the substrate W from the bake chamber 620 and transfers it to the first buffer 720 of the interface module 700 . The interface robot 740 transfers the wafer from the first buffer 720 to the inverting unit 840 of the processing module 800 . The inverting unit 840 inverts the wafer so that the first surface (pattern surface) of the wafer faces downward. The inverted wafer is loaded onto the spin chuck 810, and the loaded wafer is chucked by pin members 811a and 811b.

스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.An inert gas such as nitrogen gas is sprayed to the first surface of the wafer through the spray holes 852 formed in the support plate 812 of the spin chuck 810, and then deionized water is sprayed onto the first surface of the wafer through the spray holes 852. The same rinse liquid is sprayed. The rinsing liquid may be sprayed onto the first surface of the wafer through the spray holes 852 together with the gas. When spraying gas and/or rinse liquid to the first surface of the wafer, the spin chuck 810 may be rotated or may not be rotated. Then, the rinsing liquid spraying unit 860 sprays the rinsing liquid on the second surface of the wafer.

이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 기판(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 기판(W)을 제 2 버퍼(730)로 운반한다. Thereafter, the wafer is transferred from the processing module 800 to the first buffer 720 by the interface robot 740 and then transferred from the first buffer 720 to the exposure apparatus 900 . The exposure apparatus 900 performs an exposure process, for example, an immersion exposure process, on the first surface of the wafer. When the exposure process for the substrate W is completed in the exposure apparatus 900 , the interface robot 740 transfers the substrate W from the exposure apparatus 900 to the second buffer 730 .

후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 기판(W)을 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 기판(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 기판(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 기판(W)을 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 기판(W)을 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 기판(W)의 가열에 의해 기판(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 기판(W)을 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 기판(W)의 냉각이 수행된다.The post-processing robot 682 takes out the substrate W from the second buffer 730 and transfers it to the cleaning chamber 660 of the post-processing module 602 . The cleaning chamber 660 supplies a cleaning liquid to the surface of the substrate W to perform a cleaning process. When the cleaning of the substrate W using the cleaning liquid is completed, the post-processing robot 682 immediately takes the substrate W out of the cleaning chamber 660 and transfers the substrate W to the post-exposure bake chamber 670 . After exposure, the substrate W is heated on the heating plate 672 of the bake chamber 670 to remove the cleaning solution attached to the substrate W, and at the same time amplify the acid generated in the photoresist so that the photoresist is formed. The change in the properties of the resist is completed. The post-processing robot 682 transfers the substrate W from the post-exposure bake chamber 670 to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 . The substrate W is cooled in the second cooling chamber 540 .

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 기판(W)을 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 기판(W)을 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 기판(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다. The developing unit robot 482 takes out the substrate W from the second cooling chamber 540 and transfers it to the bake chamber 470 of the developing module 402 . The bake chamber 470 sequentially performs post-baking and cooling processes. The developing unit robot 482 takes out the substrate W from the bake chamber 470 and transfers it to the developing chamber 460 . The developing chamber 460 supplies a developing solution to the substrate W to perform a developing process. Then, the developing unit robot 482 transfers the substrate W from the developing chamber 460 to the bake chamber 470 . The bake chamber 470 performs a hard bake process on the substrate W.

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 기판(W)을 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 기판(W)을 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 기판(W)을 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.
The developing robot 482 takes out the substrate W from the bake chamber 470 and transfers it to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The cooling chamber 350 performs a process of cooling the substrate W. The index robot 360 transfers the substrate W from the cooling chamber 350 to the cassette 20 . Unlike this, the developing unit robot 482 takes out the substrate W from the bake chamber 470 and transfers it to the second buffer 330 of the first buffer module 300, and then the cassette ( 20) can be transported.

832: 기판 지지 부재 834, 836: 회전 구동 부재
840: 액 공급 유닛 880: 제어기832: substrate support member 834, 836: rotation drive member
840: liquid supply unit 880: controller

Claims (14)

처리액을 이용하여 기판 상에 액막을 형성하는 방법에 있어서,
상기 기판을 정방향으로 회전시키면서 상기 기판 상에 상기 처리액을 공급하는 제1공급 단계를 가지는 액 공급 단계;
상기 기판 상에 공급된 처리액을 확산하는 액 확산 단계를 포함하되;
상기 액 확산 단계는,
상기 기판을 역방향으로 회전시키는 제1확산 단계와;
상기 기판을 정방향으로 회전시키는 제2확산 단계를 포함하는 기판 처리 방법.A method of forming a liquid film on a substrate using a treatment liquid,
a liquid supply step having a first supply step of supplying the processing liquid onto the substrate while rotating the substrate in a forward direction;
a liquid diffusion step of diffusing the treatment liquid supplied onto the substrate;
The liquid diffusion step,
a first diffusion step of rotating the substrate in a reverse direction;
A substrate processing method comprising a second diffusion step of rotating the substrate in a forward direction. 제1항에 있어서,
상기 액 공급 단계는,
상기 제1공급 단계 이후에 상기 기판을 역방향으로 회전시키면서 상기 기판 상에 상기 처리액을 공급하는 제2공급 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The liquid supply step,
The substrate processing method further comprises a second supplying step of supplying the treatment liquid onto the substrate while rotating the substrate in a reverse direction after the first supplying step. 제2항에 있어서,
상기 제1공급 단계는,
상기 기판을 제1공급 속도로 등속 회전시키는 등속 단계와;
상기 기판을 상기 제1공급 속도에서 제2공급 속도로 감속 회전시키는 감속 단계를 포함하고,
상기 제2공급 단계는,
상기 기판을 상기 제2공급 속도에서 제3공급 속도로 가속 회전시키는 가속 단계를 포함하되,
상기 제3공급 속도는 상기 제1공급 속도보다 낮은 속도로 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 2,
The first supply step,
a constant speed step of rotating the substrate at a constant speed at a first supply speed;
A deceleration step of rotating the substrate at a reduced speed from the first feed speed to a second feed speed;
The second supply step,
An acceleration step of accelerating rotation of the substrate from the second supply speed to the third supply speed,
The third supply rate is provided at a rate lower than the first supply rate. 제3항에 있어서,
상기 제1공급 속도는 1000 알피엠(RPM) 내지 3000 알피엠(RPM)이고,
상기 제3공급 속도는 100 알피엠(RPM) 이하로 제공되는 기판 처리 방법.According to claim 3,
The first supply speed is 1000 RPM to 3000 RPM,
The third supply speed is provided at 100 RPM or less. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 감광액을 포함하는 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 4,
The substrate processing method of claim 1, wherein the processing liquid includes a photoresist. 처리액을 이용하여 기판 상에 액막을 형성하는 방법에 있어서,
상기 기판 상에 상기 처리액을 공급하는 액 공급 단계와;
상기 기판 상에 공급된 처리액을 확산하는 액 확산 단계를 포함하되,
상기 액 확산 단계는,
상기 기판을 역방향으로 회전시키는 제1확산 단계와;
상기 기판을 정방향으로 회전시키는 제2확산 단계를 포함하는 기판 처리 방법.A method of forming a liquid film on a substrate using a treatment liquid,
a liquid supplying step of supplying the processing liquid onto the substrate;
A liquid diffusion step of diffusing the treatment liquid supplied onto the substrate;
The liquid diffusion step,
a first diffusion step of rotating the substrate in a reverse direction;
A substrate processing method comprising a second diffusion step of rotating the substrate in a forward direction. 삭제delete 제6항에 있어서,
상기 액 공급 단계는,
상기 기판을 정방향으로 회전시키는 제1공급 단계와;
상기 기판을 상기 정방향과 반대인 역방향으로 회전시키는 제2공급 단계를 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 6,
The liquid supply step,
a first supply step of rotating the substrate in a forward direction;
and a second supply step of rotating the substrate in a reverse direction opposite to the forward direction. 제8항에 있어서,
상기 제1공급 단계는,
상기 기판을 제1공급 속도로 등속 회전시키는 등속 단계와;
상기 기판을 상기 제1공급 속도에서 제2공급 속도로 감속 회전시키는 감속 단계를 포함하고,
상기 제2공급 단계는,
상기 기판을 상기 제2공급 속도에서 제3공급 속도로 가속 회전시키는 가속 단계를 포함하되,
상기 제3공급 속도는 상기 제1공급 속도보다 낮은 속도로 제공되는 기판 처리 방법.
According to claim 8,
The first supply step,
a constant speed step of rotating the substrate at a constant speed at a first supply speed;
A deceleration step of rotating the substrate at a reduced speed from the first feed speed to a second feed speed;
The second supply step,
An acceleration step of accelerating rotation of the substrate from the second supply speed to the third supply speed,
The third supply rate is provided at a rate lower than the first supply rate.
 삭제delete 삭제delete 기판을 지지하는 기판 지지 부재와;
상기 기판 지지 부재는 정방향 또는 역방향으로 회전시키는 회전 구동 부재와;
상기 기판 지지 부재에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는 기판을 정방향으로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제1공급 단계 및 기판을 상기 정방향과 반대되는 역방향으로 회전시키면서 처리액을 공급하는 제2공급 단계; 상기 제2공급 단계 이후에 기판을 상기 역방향으로 회전시켜 기판 상에 공급된 처리액을 확산시키는 제1액 확산단계 및 기판을 상기 정방향으로 회전시켜 기판 상의 공급된 처리액을 확산시키는 제2액 확산 단계가 순차적으로 수행되도록 상기 회전 구동 부재 및 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.


a substrate support member for supporting the substrate;
The substrate support member includes a rotation driving member for rotating forward or reverse;
a liquid supply unit supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support member;
Including a controller for controlling the rotation driving member and the liquid supply unit,
The controller includes a first supplying step of supplying a processing liquid while rotating the substrate in a forward direction and a second supplying step of supplying a processing liquid while rotating the substrate in a reverse direction opposite to the forward direction; After the second supply step, a first liquid diffusion step of spreading the treatment liquid supplied on the substrate by rotating the substrate in the reverse direction, and a second liquid diffusion step of spreading the treatment liquid supplied on the substrate by rotating the substrate in the forward direction. A substrate processing apparatus that controls the rotation drive member and the liquid supply unit so that steps are sequentially performed.


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