KR101769440B1 - Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 원 형상의 스트림 토출구를 가지고, 스트림 방식으로 처리액을 토출하는 스트림 노즐 및 슬릿 형상의 슬릿 토출구를 가지고, 액 커튼 방식으로 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 가진다. 이에 따라 스트림 노즐 및 슬릿 노즐 각각을 이용하여 액 처리 시 발생되는 단점을 상호 보완할 수 있다.An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for liquid-treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate supporting unit for supporting a substrate and a liquid supplying unit for discharging the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit, wherein the liquid supplying unit has a circular stream discharge port, And a slit nozzle which has a slit-shaped slit discharge port for discharging the treatment liquid and discharges the treatment liquid in the liquid curtain system. Accordingly, it is possible to complement the disadvantages of the liquid treatment using the stream nozzle and the slit nozzle.

Description

기판 처리 방법{Method for treating substrate}[0001] The present invention relates to a method for treating substrate,

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-treating a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as photolithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed for manufacturing semiconductor devices and flat panel display panels. Among these processes, the photolithography process sequentially performs the application, exposure, and development steps. The coating step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process for exposing a circuit pattern on a substrate having a photosensitive film formed thereon. The developing step is a step of selectively developing the exposed region of the substrate.

일반적으로 현상 공정은 노즐로부터 기판 상에 현상액을 공급하여 노광 처리 영역을 선택적으로 현상 처리한다. 현상 공정에 사용되는 노즐은 크게 스트림 노즐 및 슬릿 노즐 중 하나가 사용된다. 스트림 노즐은 원형의 토출구를 가지며, 슬릿 노즐은 슬릿 형상의 토출구를 가진다. Generally, a developing process is a process of selectively developing an exposed region by supplying a developer from a nozzle onto a substrate. One of the nozzles used in the developing process is mainly a stream nozzle and a slit nozzle. The stream nozzle has a circular discharge port, and the slit nozzle has a slit-shaped discharge port.

각각의 노즐을 이용하여 기판을 액 처리하는 경우에는 서로 상반된 단점이 나타난다. 스트림 노즐을 이용하여 기판을 액 처리하는 경우에는 슬릿 노즐에 비해 현상액의 액막을 얇게 형성한다. 이로 인해 스트림 노즐을 이용하는 경우에는 슬릿 노즐에 비해 그 현상 공정의 소모 시간이 길다. 또한 슬릿 노즐을 이용하여 기판을 액 처리하는 경우에는 스트림 노즐에 비해 기판의 얼룩이 더 형성된다. 이로 인해 슬릿 노즐을 이용하는 경우에는 스트림 노즐에 비해 그 현상 효율이 떨어질 수 있다.When the substrate is subjected to the liquid processing using the respective nozzles, there are disadvantages which are incompatible with each other. When a substrate is subjected to liquid processing using a stream nozzle, the liquid film of the developer is formed thinner than the slit nozzle. Therefore, when stream nozzles are used, the consumption time of the developing process is longer than that of slit nozzles. In addition, when the substrate is subjected to the liquid treatment using the slit nozzle, the substrate is more uneven than the stream nozzle. Therefore, when the slit nozzle is used, the developing efficiency may be lower than that of the stream nozzle.

본 발명은 기판의 액 처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method capable of improving the efficiency of a liquid processing process of a substrate.

또한 본 발명은 스트림 노즐 및 슬릿 노즐을 이용하여 기판을 액 처리하는 경우에 발생되는 각각의 단점을 보완할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and method for compensating for the disadvantages of a liquid nozzle using a stream nozzle and a slit nozzle.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 원 형상의 스트림 토출구를 가지고, 스트림 방식으로 처리액을 토출하는 스트림 노즐 및 슬릿 형상의 슬릿 토출구를 가지고, 액 커튼 방식으로 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 가진다. An embodiment of the present invention provides an apparatus and a method for liquid-treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a substrate supporting unit for supporting a substrate and a liquid supplying unit for discharging the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit, wherein the liquid supplying unit has a circular stream discharge port, And a slit nozzle which has a slit-shaped slit discharge port for discharging the treatment liquid and discharges the treatment liquid in the liquid curtain system.

상기 액 공급 유닛은 상기 스트림 노즐 및 상기 슬릿 노즐이 장착되는 지지 바디를 더 포함할 수 있다. 상기 슬릿 토출구는 제1방향을 향하는 길이 방향을 가지며, 상기 슬릿 노즐 및 상기 스트림 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 배치될 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 웨팅액을 토출하며, 상기 스트림 노즐에 대해 상기 제1방향을 따라 배치되도록 상기 지지 바디에 지지되는 웨팅 노즐을 더 포함할 수 있다. 상기 슬릿 토출구의 길이는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 반경보다 짧을 수 있다. 상기 슬릿 토출구는 상기 스트림 노즐을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공될 수 있다. 상기 슬릿 토출구의 끝단은 상기 스트림 토출구의 끝단보다 높게 위치될 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 제1밸브가 설치되며, 상기 스트림 노즐에 처리액을 공급하는 제1액 공급 라인 및 제2밸브가 설치되며, 상기 슬릿 노즐에 처리액을 공급하는 제2액 공급 라인을 더 포함하고, 상기 기판 처리 장치는 상기 제1밸브 및 상기 제2밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 스트림 노즐로부터 처리액을 토출시키고, 이후에 상기 슬릿 노즐로부터 처리액을 토출시킬 수 있다. 상기 액 공급 유닛은 제3밸브가 설치되며, 상기 웨팅 노즐에 웨팅액을 공급하는 제3액 공급 라인을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 스트림 노즐이 처리액을 토출하기 이전에, 상기 웨팅 노즐로부터 웨팅액을 토출시킬 수 있다. The liquid supply unit may further include a support body on which the stream nozzle and the slit nozzle are mounted. The slit discharge port has a longitudinal direction toward the first direction, and the slit nozzle and the stream nozzle may be disposed along a second direction perpendicular to the first direction when viewed from above. The liquid supply unit may further include a wetting nozzle which discharges the wetting liquid and is supported on the support body so as to be disposed along the first direction with respect to the stream nozzle. The length of the slit ejection opening may be shorter than the radius of the substrate supported by the substrate supporting unit. The slit discharge port may be provided to be inclined downward in the direction toward the stream nozzle. And the end of the slit discharge port may be positioned higher than the end of the stream discharge port. Wherein the liquid supply unit is provided with a first valve, a first liquid supply line and a second valve for supplying the treatment liquid to the stream nozzle, and a second liquid supply line for supplying the treatment liquid to the slit nozzle Wherein the substrate processing apparatus further includes a controller for controlling the first valve and the second valve, wherein the controller discharges the processing liquid from the stream nozzle, and then discharges the processing liquid from the slit nozzle . Wherein the liquid supply unit further comprises a third liquid supply line provided with a third valve and supplying a wetting liquid to the wetting nozzle, wherein the controller controls the liquid supply unit to discharge the liquid from the wetting nozzle The wetting liquid can be discharged.

기판을 액 처리하는 방법으로는 스트림 노즐이 상기 기판 상에 스트림 방식으로 상기 처리액을 공급하는 전 처리 단계 및 슬릿 노즐이 상기 기판 상에 액 커튼 방식으로 상기 처리액을 공급하는 메인 처리 단계를 포함한다. As a method of performing the liquid processing of the substrate, a process step in which the stream nozzle feeds the process liquid on the substrate in a stream manner and a main process step in which the slit nozzle supplies the process liquid on the substrate in an liquid curtain manner do.

상기 전 처리 단계에는 상기 처리액을 수직 아래 방향으로 토출하고, 상기 메인 처리 단계에는 상기 처리액을 하향 경사진 방향을 토출할 수 있다. 상기 전 처리 단계 및 상기 메인 처리 단계 각각에는 상기 기판의 동일 지점에 처리액을 토출할 수 있다. 상기 전 처리 단계가 진행되기 전에는 웨팅 노즐이 상기 기판 상에 웨팅액을 공급하는 프리 웨팅 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 웨팅 단계에는 상기 기판 상에 웨팅액에 의한 웨팅 액막을 형성하고, 상기 전 처리 단계에는 상기 웨팅 액막이 위치된 영역으로 처리액을 토출하여 웨팅액과 처리액의 혼합액을 상기 기판 상에 확산시킬 수 있다. 상기 프리 웨팅 단계에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 전 처리 단계에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키며, 상기 메인 처리 단계에는 상기 기판을 제3속도로 회전시키되, 상기 제2속도는 상기 제1속도 및 상기 제3속도에 비해 빠른 속도로 제공될 수 있다. 상기 제3속도는 상기 제2속도에 비해 빠른 속도로 제공될 수 있다. In the pre-treatment step, the treatment liquid is discharged in a vertically downward direction, and the main treatment step can discharge the treatment liquid in a downward inclined direction. The processing liquid may be discharged to the same point on the substrate in each of the pre-processing step and the main processing step. And a pre-wetting step in which the wetting nozzle supplies the wetting liquid onto the substrate before the pre-processing step proceeds. The wetting liquid film is formed on the substrate by the wetting liquid on the substrate, and in the pre-processing step, the mixed liquid of the wetting liquid and the treatment liquid is diffused onto the substrate by discharging the treatment liquid to the region where the wetting liquid film is located . Wherein the pre-wetting step rotates the substrate at a first speed, the pre-processing step rotates the substrate at a second speed, the main processing step rotates the substrate at a third speed, And may be provided at a higher speed than the first speed and the third speed. The third speed may be provided at a higher speed than the second speed.

기판을 현상 처리하는 방법으로는, 스트림 노즐이 상기 기판 상에 스트림 방식으로 상기 현상액을 공급하는 전 처리 단계 및 슬릿 노즐이 상기 기판 상에 액 커튼 방식으로 상기 현상액을 공급하는 메인 처리 단계를 포함한다. As a method of developing the substrate, a pre-processing step in which the stream nozzle supplies the developing solution in a stream manner onto the substrate and a main processing step in which the slit nozzle supplies the developing solution on the substrate in an liquid curtain manner .

상기 전 처리 단계에는 상기 처리액을 수직 아래 방향으로 토출하고, 상기 메인 처리 단계에는 상기 처리액을 하향 경사진 방향을 토출할 수 있다. 상기 전 처리 단계가 진행되기 전에는, 웨팅 노즐이 상기 기판 상에 웨팅액을 공급하는 프리 웨팅 단계를 더 포함하되, 상기 프리 웨팅 단계에는 상기 기판 상에 웨팅액에 의한 웨팅 액막을 형성하고, 상기 전 처리 단계에는 상기 웨팅 액막이 위치된 영역으로 처리액을 토출하여 웨팅액과 처리액의 혼합액을 상기 기판 상에 확산시킬 수 있다. In the pre-treatment step, the treatment liquid is discharged in a vertically downward direction, and the main treatment step can discharge the treatment liquid in a downward inclined direction. Further comprising a pre-wetting step of supplying a wetting liquid onto the substrate before the pre-processing step proceeds, wherein the pre-wetting step forms a wetting liquid film on the substrate by the wetting liquid, In the treatment step, the treatment liquid is discharged to the region where the wetting liquid film is located, and a mixed liquid of the wetting liquid and the treatment liquid can be diffused onto the substrate.

기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛은 원 형상의 스트림 토출구를 가지고, 스트림 방식으로 처리액을 토출하는 스트림 노즐 및 슬릿 형상의 슬릿 토출구를 가지고, 액 커튼 방식으로 처리액을 토출하는 슬릿 노즐을 가질 수 있다. The liquid supply unit for supplying the liquid on the substrate has a circular stream discharge port, and has a stream nozzle for discharging the treatment liquid in a stream system and a slit discharge port in the form of a slit, and a slit nozzle Lt; / RTI >

상기 스트림 노즐 및 상기 슬릿 노즐이 장착되는 지지 바디를 더 포함하되, 상기 슬릿 토출구는 제1방향을 향하는 길이 방향을 가지며, 상기 슬릿 노즐 및 상기 스트림 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 배치될 수 있다. 상기 슬릿 토출구는 상기 스트림 노즐을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공될 수 있다. 웨팅액을 토출하며, 상기 스트림 노즐에 대해 상기 제1방향으로 배치되도록 상기 지지 바디에 지지되는 웨팅 노즐을 더 포함할 수 있다. Wherein the slit nozzles and the stream nozzles have a longitudinal direction that is perpendicular to the first direction and a vertical direction when viewed from the top, Can be arranged along one second direction. The slit discharge port may be provided to be inclined downward in the direction toward the stream nozzle. And a wetting nozzle that discharges the wetting liquid and is supported on the support body so as to be disposed in the first direction with respect to the stream nozzle.

본 발명의 실시예에 의하면, 스트림 노즐의 스트림 방식으로 기판을 액 처리한 후에 슬릿 노즐의 액 커튼 방식으로 기판을 액 처리한다. 이에 따라 스트림 노즐 및 슬릿 노즐 각각을 이용하여 액 처리 시 발생되는 단점을 상호 보완할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, after the substrate is subjected to the liquid treatment by the stream nozzle method, the substrate is subjected to the liquid treatment by the liquid curtain method of the slit nozzle. Accordingly, it is possible to complement the disadvantages of the liquid treatment using the stream nozzle and the slit nozzle.

본 발명의 실시예에 의하면, 액 커튼 방식으로 기판을 액 처리하기 이전에, 스트림 방식으로 기판을 액 처리하여 액막을 형성한다. 이로 인해 액 커튼 방식으로 기판을 액 처리하는 중에 기판에 얼룩이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, before the substrate is subjected to the liquid processing by the liquid curtain method, the substrate is subjected to a liquid treatment in a streaming manner to form a liquid film. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of unevenness on the substrate during liquid processing of the substrate by the liquid curtain method.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 액막이 형성된 기판 상에 액 커튼 방식으로 기판을 액 처리한다. 이로 인해 기판 상에는 스트림 방식보다 두꺼운 액막을 형성할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the substrate is liquid-treated on the substrate on which the liquid film is formed in the liquid curtain system. This makes it possible to form a liquid film thicker than the stream type on the substrate.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 5의 노즐 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 5의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9 내지 도 11은 도 8의 기판 처리 과정을 보여주는 도면들이다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a cross-sectional view of the equipment of Fig. 1 viewed from the direction AA.
3 is a cross-sectional view of the equipment of FIG. 1 viewed from the BB direction.
4 is a cross-sectional view of the installation of FIG. 1 viewed in the CC direction.
5 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
6 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG.
7 is a perspective view showing the nozzle unit of Fig.
8 is a flowchart showing a process of processing a substrate using the substrate processing apparatus of FIG.
9 to 11 are views showing the substrate processing process of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 1 내지 도 11을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11. FIG.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이며, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 1 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the direction AA, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 1 is a view of the equipment of Fig. 1 viewed from the CC direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 1 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the wafer W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process in which the wafer W is heated to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the wafer W before the photoresist is applied, A soft bake process is performed after coating the wafer W on the wafer W, and a cooling process for cooling the wafer W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(800)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(800)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(800)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 402 has a development chamber 800, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. [ The development chamber 800, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 800 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 800 are provided and a plurality of developing chambers 800 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing chambers 800 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(800), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470, the development chambers 800, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(800)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(800)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(800)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(800)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. 본 실시예에는 현상 챔버(800)가 기판(W)을 액 처리하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다. 도 5는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 6은 도 5의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 그리고 제어기(890)를 포함한다. The development chambers 800 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 800 may be different from each other. The development chamber 800 is provided with an apparatus for developing a substrate. The development chamber 800 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed. In this embodiment, the development chamber 800 is provided with a substrate processing apparatus 800 for liquid-processing the substrate W. FIG. 5 is a sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 1, and FIG. 6 is a plan view showing the substrate processing apparatus of FIG. 5 and 6, the substrate processing apparatus 800 includes a substrate supporting unit 810, a processing vessel 820, a lift unit 840, a liquid supply unit 850, and a controller 890 .

기판 지지 유닛(810)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(813), 회전축(814), 그리고 구동 부재(815)를 포함한다. 지지 플레이트(813)의 상면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들(811,812)이 결합된다. 핀 부재의 일부(811)는 기판(W)의 저면을 지지하고, 다른 일부(812)는 기판(W)의 측면을 지지한다. 회전축(814)은 그 길이방향이 상하방향을 향하는 원통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(814)은 지지 플레이트(813)의 저면에 결합된다. 구동 부재(815)는 회전축(814)에 회전력을 제공한다. 회전축(814)은 구동 부재(815)에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 지지 플레이트(813)는 회전축(814)과 함께 회전 가능하다. 회전축(814)은 구동 부재(815)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동 부재(815)는 모터일 수 있다. The substrate supporting unit 810 supports and rotates the substrate W. The substrate support unit 810 includes a support plate 813, a rotation shaft 814, and a driving member 815. On the upper surface of the support plate 813, pin members 811 and 812 for supporting the substrate W are coupled. A portion 811 of the pin member supports the bottom surface of the substrate W and another portion 812 supports the side surface of the substrate W. [ The rotary shaft 814 is provided so as to have a cylindrical shape whose longitudinal direction faces up and down. The rotary shaft 814 is coupled to the bottom surface of the support plate 813. The driving member 815 provides rotational force to the rotating shaft 814. The rotary shaft 814 is provided so as to be rotatable about the central axis by the driving member 815. [ The support plate 813 is rotatable together with the rotation shaft 814. The rotating speed of the rotating shaft 814 is adjusted by the driving member 815 so that the rotating speed of the substrate W can be adjusted. For example, the driving member 815 may be a motor.

처리 용기(820)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(820)는 현상 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 처리 용기(820)는 회수통(822) 및 회수 라인(830)을 포함한다. 회수통(822)은 수직벽(824), 바닥벽(826), 그리고 경사벽(828)을 포함한다. 수직벽(824)은 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 수직벽(824)은 기판 지지 유닛(810)과 이격되는 직경을 가지도록 제공된다. 수직벽(824)은 기판 지지 유닛(810)과 그 중심축이 일치하도록 위치된다. 바닥벽(826)은 수직벽(824)의 하단으로부터 연장된다. 바닥벽(826)은 기판 지지 유닛(810)의 중심축을 향하는 수평 방향을 향하도록 제공된다. 경사벽(828)은 수직벽(824)의 상단으로부터 연장된다. 경사벽(828)은 기판 지지 유닛(810)의 중심축과 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 선택적으로, 경사벽(828)은 수평 방향을 향하도록 제공될 수 있다.The processing vessel 820 provides a processing space in which a developing process is performed. The processing vessel 820 recovers the processing solution used in the developing process. The processing vessel 820 includes a recovery cylinder 822 and a recovery line 830. The recovery cylinder 822 includes a vertical wall 824, a bottom wall 826, and an inclined wall 828. The vertical wall 824 is provided to have an annular ring shape surrounding the substrate support unit 810. The vertical wall 824 is provided to have a diameter that is spaced apart from the substrate support unit 810. The vertical wall 824 is positioned so that its central axis coincides with the substrate support unit 810. The bottom wall 826 extends from the lower end of the vertical wall 824. The bottom wall 826 is provided so as to face in the horizontal direction toward the central axis of the substrate supporting unit 810. The slanted wall 828 extends from the top of the vertical wall 824. The inclined wall 828 is provided so as to face upwardly inclined as it approaches the central axis of the substrate supporting unit 810. [ Alternatively, the inclined wall 828 may be provided to face in the horizontal direction.

회수 라인(830)은 처리 공간으로 회수된 처리액을 외부로 배출한다. 회수 라인(830)은 바닥벽(826)에 연결된다. 배출된 처리액은 회수 라인(830)을 통해 외부의 재생 시스템으로 제공될 수 있다.The recovery line 830 discharges the processing liquid recovered to the processing space to the outside. The recovery line 830 is connected to the bottom wall 826. The discharged treatment liquid can be supplied to the external regeneration system through the recovery line 830. [

승강 유닛(840)은 처리 용기(820)와 기판 지지 유닛(810) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(840)은 처리 용기(820)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛(840)은 브라켓(842), 이동축(844), 그리고 구동기(846)를 포함한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)와 이동축(844)을 연결한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)의 수직벽(822)에 고정 설치된다. 이동축(844)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(844)의 상단은 브라켓(842)에 고정 결합된다. 이동축(844)은 구동기(846)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(820)는 이동축(844)과 함께 승강 이동이 가능하다. 예컨대, 구동기(846)는 모터일 수 있다.The lift unit 840 adjusts the relative height between the processing container 820 and the substrate supporting unit 810. The elevating unit 840 moves the processing vessel 820 in the vertical direction. The lifting unit 840 includes a bracket 842, a moving shaft 844, and a driver 846. The bracket 842 connects the processing vessel 820 and the moving shaft 844. The bracket 842 is fixed to the vertical wall 822 of the processing vessel 820. The moving shaft 844 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The upper end of the moving shaft 844 is fixedly coupled to the bracket 842. The moving shaft 844 is moved up and down by the actuator 846 and the processing vessel 820 is movable up and down together with the moving shaft 844. [ For example, the driver 846 may be a motor.

액 공급 유닛(850)은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 이동 유닛(860) 및 노즐 유닛(870)을 포함한다. 이동 유닛(860)은 노즐 유닛(870)을 일 방향으로 직선 이동시킨다. 일 예에 의하면, 이동 유닛(860)은 노즐 유닛(870)을 제1방향(12)으로 직선 이동시킬 수 있다. 이동 유닛(860)은 노즐 유닛(870)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐 유닛(870)이 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. 이동 유닛(860)은 가이드 레일(862) 및 지지 아암(864)을 포함한다. 가이드 레일(862)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 가이드 레일(862)은 노즐 유닛(870)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 가이드 레일(862)의 길이 방향은 제1방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. 지지 아암(864)은 노즐 유닛(870)을 지지한다. 지지 아암(864)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 지지 아암(864)은 가이드 레일(862)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 지지 아암(864)의 길이 방향은 제2방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 지지 아암(864)의 일단에는 노즐 유닛(870)이 결합된다. 지지 아암(864)의 타단은 가이드 레일(862)에 설치된다. 따라서 지지 아암(864) 및 노즐 유닛(870)은 가이드 레일(862)의 길이 방향을 따라 함께 이동 가능하다. The liquid supply unit 850 supplies the treatment liquid onto the substrate W supported by the substrate holding unit 810. [ The liquid supply unit 850 includes a moving unit 860 and a nozzle unit 870. The moving unit 860 linearly moves the nozzle unit 870 in one direction. According to one example, the mobile unit 860 can linearly move the nozzle unit 870 in the first direction 12. The moving unit 860 moves the nozzle unit 870 to the process position and the standby position. Here, the processing position is a position where the nozzle unit 870 is opposed to the substrate W supported by the substrate supporting unit 810, and the standby position is a position out of the processing position. The mobile unit 860 includes a guide rail 862 and a support arm 864. The guide rails 862 are located on one side of the processing vessel. The guide rail 862 is provided so as to have a lengthwise direction parallel to the moving direction of the nozzle unit 870. For example, the longitudinal direction of the guide rail 862 may be provided so as to face the first direction 12. The support arm 864 supports the nozzle unit 870. The support arm 864 is provided to have a bar shape. The support arms 864 are provided so as to have a longitudinal direction perpendicular to the guide rails 862 when viewed from above. for example. The longitudinal direction of the support arm 864 may be provided to face the second direction 14. A nozzle unit 870 is coupled to one end of the support arm 864. The other end of the support arm 864 is provided on the guide rail 862. Thus, the support arm 864 and the nozzle unit 870 are movable together along the lengthwise direction of the guide rail 862.

노즐 유닛(870)은 다양한 종류의 액을 토출한다. 도 7은 도 5의 노즐 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 7을 참조하면, 노즐 유닛(870)은 지지 바디(872), 웨팅 노즐(874), 전 처리 노즐(876), 그리고 메인 노즐(878)을 포함한다. 지지 바디(872)는 웨팅 노즐(874), 전 처리 노즐(876), 그리고 메인 노즐(878)을 지지한다. 지지 바디(872)는 지지 아암(864)의 일단 저면에 고정 결합된다. 지지 바디(872)의 저면에는 웨팅 노즐(874), 전 처리 노즐(876), 그리고 메인 노즐(878) 각각이 고정 결합된다.The nozzle unit 870 discharges various kinds of liquid. 7 is a perspective view showing the nozzle unit of Fig. Referring to FIG. 7, the nozzle unit 870 includes a support body 872, a wetting nozzle 874, a pretreatment nozzle 876, and a main nozzle 878. The support body 872 supports a wetting nozzle 874, a pretreatment nozzle 876, and a main nozzle 878. The support body 872 is fixedly coupled to the bottom surface of one end of the support arm 864. A wetting nozzle 874, a pretreatment nozzle 876, and a main nozzle 878 are fixedly coupled to the bottom surface of the support body 872, respectively.

전 처리 노즐(876)은 스트림 방식으로 처리액을 토출한다. 전 처리 노즐(876)은 제1밸브(876a)가 설치된 제1액 공급 라인(876b)에 연결된다. 전 처리 노즐(876)은 제1액 공급 라인(876b)으로부터 처리액을 공급받아 처리액을 토출한다. 전 처리 노즐(876)은 원 형상의 스트림 토출구를 가진다. 스트림 토출구는 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 전 처리 노즐(876)은 스트림 노즐(876)일 수 있다. 처리액은 현상액일 수 있다.The pretreatment nozzle 876 discharges the treatment liquid in a stream manner. The pretreatment nozzle 876 is connected to the first liquid supply line 876b provided with the first valve 876a. The pretreatment nozzle 876 receives the treatment liquid from the first liquid supply line 876b and discharges the treatment liquid. The pretreatment nozzle 876 has a circular stream discharge port. The stream discharge port is provided so as to face in the vertical downward direction. According to one example, the pretreatment nozzle 876 may be a stream nozzle 876. The treatment liquid may be a developer.

메인 노즐(878)은 액 커튼 방식으로 처리액을 토출한다. 메인 노즐(878)은 전 처리 노즐(876)의 일측에 위치된다. 메인 노즐(878)은 전 처리 노즐(876)에 대향되게 위치된다. 메인 노즐(878)은 제2밸브(878a)가 설치된 제2액 공급 라인(878b)에 연결된다. 제2액 공급 라인(878b)은 제1액 공급 라인(876b)으로부터 분기된 라인으로 제공된다. 메인 노즐(878)은 제2액 공급 라인(878b)으로부터 처리액을 공급받아 처리액을 토출한다. 메인 노즐(878)은 슬릿 형상의 슬릿 토출구를 가진다. 슬릿 토출구는 가이드 레일(862)과 평행한 길이 방향을 가진다. 슬릿 토출구는 제1방향(12)을 향하는 방향을 가질 수 있다. 슬릿 토출구는 메인 노즐(878)에서 전 처리 노즐(876)을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 슬릿 토출구는 기판(W)의 반경보다 짧은 길이를 가지도록 제공된다. 슬릿 토출구의 끝단은 스트림 토출구의 끝단에 비해 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 메인 노즐(878) 및 전 처리 노즐(876)은 제2방향(14)을 따라 배치될 수 있다. 메인 노즐(878)은 전 처리 노즐(876)과 동일 지점에 처리액이 토출되도록 하향 경사진 슬릿 토출구를 가질 수 있다. 메인 노즐(878)은 슬릿 노즐로 제공될 수 있다.The main nozzle 878 discharges the process liquid in a liquid curtain manner. The main nozzle 878 is located at one side of the pretreatment nozzle 876. The main nozzle 878 is positioned opposite the pretreatment nozzle 876. The main nozzle 878 is connected to a second liquid supply line 878b provided with a second valve 878a. The second liquid supply line 878b is provided as a line branched from the first liquid supply line 876b. The main nozzle 878 receives the process liquid from the second liquid supply line 878b and discharges the process liquid. The main nozzle 878 has a slit-shaped slit discharge port. The slit discharge port has a longitudinal direction parallel to the guide rail 862. The slit discharge port may have a direction toward the first direction (12). The slit discharge port is provided at a downward slope in the direction from the main nozzle 878 toward the pretreatment nozzle 876. The slit discharge port is provided so as to have a length shorter than the radius of the substrate (W). The end of the slit discharge port is located higher than the end of the stream discharge port. According to one example, the main nozzle 878 and the pretreatment nozzle 876 may be disposed along the second direction 14. The main nozzle 878 may have a downward sloping slit discharge port so as to discharge the treatment liquid at the same point as the front treatment nozzle 876. The main nozzle 878 may be provided with a slit nozzle.

웨팅 노즐(874)은 스트림 방식으로 웨팅액을 토출한다. 웨팅 노즐(874)은 전 처리 노즐(876) 및 메인 노즐(878)에 인접하게 위치된다. 웨팅 노즐(874)은 전 처리 노즐(876)에 대해 제1방향(12)을 따라 배치된다. 웨팅 노즐(874)에는 제3밸브(874a)가 설치된 제3액 공급 라인(874b)이 연결된다. 웨팅 노즐(874)은 제3액 공급 라인(874b)으로부터 웨팅액을 공급받아 웨팅액을 토출한다. 웨팅 노즐(874)은 원 형상의 토출구를 가진다. 웨팅 노즐(874)의 토출구는 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 웨팅액은 순수일 수 있다. The wetting nozzle 874 discharges the wetting liquid in a streaming manner. The wetting nozzle 874 is positioned adjacent to the pretreatment nozzle 876 and the main nozzle 878. The wetting nozzle 874 is disposed along the first direction 12 with respect to the pretreatment nozzle 876. A third liquid supply line 874b provided with a third valve 874a is connected to the wetting nozzle 874. The wetting nozzle 874 receives the wetting liquid from the third liquid supply line 874b and discharges the wetting liquid. The wetting nozzle 874 has a circular discharge port. The discharge port of the wetting nozzle 874 is provided so as to face in the vertical downward direction. According to one example, the wetting liquid may be pure water.

제어기(890)는 구동 부재(814), 제1밸브(876a), 제2밸브(878a), 그리고 제3밸브(874a)를 제어한다. 제어기(890)는 기판(W) 상에 웨팅액 및 처리액이 순차적으로 공급되도록 각 밸브를 독립 제어한다. 제어기(890)는 전 처리 노즐(876) 및 메인 노즐(878)이 순차적으로 처리액을 토출하도록 제1밸브(876a) 및 제2밸브(878a)를 독립 제어한다. 또한 제어기(890)는 기판(W) 상에 공급되는 액의 종류에 따라 기판(W)의 회전 속도가 상이하도록 구동 부재(814)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(890)는 웨팅 노즐(874)로부터 웨팅액이 공급되는 중에 기판(W)을 제1속도로 회전시키고, 전 처리 노즐(876)로부터 처리액이 공급되는 중에 기판(W)을 제2속도로 회전시키며, 메인 노즐(878)로부터 처리액이 공급되는 중에 기판(W)을 제3속도로 회전시킬 수 있다. 제2속도는 제1속도 및 제3속도보다 빠른 속도일 수 있다. 제3속도는 제1속도보다 빠른 속도일 수 있다. 제1속도는 10RPM이고, 제2속도는 20RPM이며, 제3속도는 15RPM일 수 있다. 선택적으로, 제1속도 및 제3속도는 제2속도보다 느리면서, 서로 동일한 속도로 제공될 수 있다. The controller 890 controls the driving member 814, the first valve 876a, the second valve 878a, and the third valve 874a. The controller 890 independently controls each valve so that the wetting liquid and the treatment liquid are sequentially supplied onto the substrate W. The controller 890 independently controls the first valve 876a and the second valve 878a so that the pretreatment nozzle 876 and the main nozzle 878 successively discharge the process liquid. The controller 890 also controls the driving member 814 such that the rotational speed of the substrate W is different depending on the type of the liquid supplied onto the substrate W. [ The controller 890 rotates the substrate W at the first speed while the wetting liquid is being supplied from the wetting nozzle 874 and the substrate W is supplied while the processing liquid is being supplied from the pre- And the substrate W can be rotated at the third speed while the process liquid is being supplied from the main nozzle 878. [ The second speed may be faster than the first speed and the third speed. The third speed may be faster than the first speed. The first speed may be 10 RPM, the second speed may be 20 RPM, and the third speed may be 15 RPM. Optionally, the first speed and the third speed may be provided at the same speed as each other, being slower than the second speed.

다음은 상술한 기판 처리 장치(800)를 이용하여 기판(W)을 액 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)의 액 처리 방법은 크게 프리 웨팅 단계, 전 처리 단계, 그리고 메인 처리 단계를 포함한다. 프리 웨팅 단계, 전 처리 단계, 그리고 메인 처리 단계는 순차적으로 진행된다. 도 8 내지 도 11을 참조하면, 기판 지지 유닛(810)에 기판(W)이 로딩되면, 노즐 유닛(870)은 대기 위치에서 공정 위치로 이동된다. 프리 웨팅 단계가 진행되면, 기판(W)은 제1속도로 회전되고, 웨팅 노즐(874)은 웨팅액을 기판(W)의 상면 중앙 영역에 토출한다. 토출된 웨팅액은 기판(W)의 상면 중앙 영역에 웨팅 액막을 형성한다. 본 실시예에는 웨팅 액막이 기판(W)의 중앙 영역에 형성되는 것으로 설명하였으나, 기판(W)의 전체 영역에 형성될 수 있다. 이에 따라 기판(W)은 웨팅액에 의해 젖음 상태로 전환된다. 프리 웨팅 단계가 완료되면, 전 처리 단계가 진행된다. 전 처리 단계가 진행되면, 기판(W)을 제2속도로 회전시킨다. 전 처리 노즐(876)은 웨팅 액막이 형성된 기판(W)의 중앙 영역으로 처리액을 토출한다. 토출된 처리액은 웨팅 액막과 혼합되어 기판(W)의 전체 영역으로 확산된다. 기판(W)의 상면 전체 영역에 제1두께를 가지는 처리액 액막이 형성된다. 이후 전 처리 단계가 완료되면, 메인 액 처리 단계가 진행된다. 전 처리 노즐(876)은 처리액 토출을 중단하고, 기판(W)은 제3속도로 회전된다. 메인 노즐(878)은 기판(W)의 상면 중앙 영역에 처리액을 공급한다. 기판(W)의 상면 전체 영역에는 제1두께보다 두꺼운 제2두께를 가지는 처리액 액막이 형성된다.Next, a method of liquid-treating the substrate W using the above-described substrate processing apparatus 800 will be described. The liquid processing method of the substrate W mainly includes a pre-wetting step, a pre-processing step, and a main processing step. The prewetting step, the preprocessing step, and the main processing step are sequentially performed. 8 to 11, when the substrate W is loaded on the substrate supporting unit 810, the nozzle unit 870 is moved from the standby position to the process position. When the prewetting step is performed, the substrate W is rotated at the first speed, and the wetting nozzle 874 discharges the wetting liquid to the central region of the upper surface of the substrate W. The discharged wetting liquid forms a wetting liquid film in the central region of the upper surface of the substrate W. [ Although the wetting liquid film is described as being formed in the central region of the substrate W in the present embodiment, it may be formed in the entire region of the substrate W. Thus, the substrate W is converted into the wet state by the wetting liquid. When the prewetting step is completed, the preprocessing step proceeds. When the preprocessing step proceeds, the substrate W is rotated at the second speed. The pretreatment nozzle 876 discharges the treatment liquid to the central region of the substrate W on which the wetting liquid film is formed. The discharged treatment liquid is mixed with the wetting liquid film and diffused into the entire area of the substrate W. A process liquid film having a first thickness is formed on the entire upper surface of the substrate W. [ When the preprocessing step is completed, the main liquid processing step proceeds. The pre-processing nozzle 876 stops dispensing the process liquid, and the substrate W is rotated at the third speed. The main nozzle 878 supplies the processing liquid to the central region of the upper surface of the substrate W. [ On the entire upper surface of the substrate W, a process liquid film having a second thickness that is thicker than the first thickness is formed.

상술한 실시예에는 메인 처리 단계가 진행되기 전에 전 처리 단계를 진행한다. 전 처리 단계에는 기판(W) 상에는 스트림 방식으로 처리액이 공급되며, 처리액 액막을 형성한다. 이로 인해 메인 처리 단계에서 액 커튼 방식으로 처리액을 공급하는 중에 얼룩이 발생되는 것을 최소화할 수 있다. In the above-described embodiment, the preprocessing step is performed before the main processing step proceeds. In the pretreatment step, the treatment liquid is supplied on the substrate W in a streaming manner to form a treatment liquid film. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of unevenness during the supply of the processing liquid in the liquid curtain system in the main processing step.

또한 메인 처리 단계에는 액 커튼 방식을 이용하여 전 처리 단계보다 두꺼운 처리액 액막을 형성한다. 따라서 기판(W) 상에는 전 처리 단계보다 다량의 처리액이 제공되며, 이는 기판(W)의 액 처리 과정에 대한 소요 시간을 단축시킬 수 있다.Also, in the main processing step, a thick liquid process liquid film is formed using the liquid curtain method. Therefore, a larger amount of the processing liquid than the pre-processing step is provided on the substrate W, which can shorten the time required for the liquid processing process of the substrate W.

다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. Referring again to FIGS. 1-4, the bake chamber 470 of the development module 402 heat-treats the substrate W. As shown in FIG. For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 731 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. Only the buffers and robots can be provided as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W in the interface module.

850: 액 공급 유닛 860: 이동 유닛
870: 노즐 유닛 874: 웨팅 노즐
876: 전 처리 노즐 878: 메인 노즐850: liquid supply unit 860: mobile unit
870: nozzle unit 874: wetting nozzle
876: Pretreatment nozzle 878: Main nozzle

Claims (23)

기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판 상에 처리액을 토출하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
원 형상의 스트림 토출구를 가지고, 스트림 방식으로 상기 처리액을 토출하는 스트림 노즐과;
슬릿 형상의 슬릿 토출구를 가지고, 액 커튼 방식으로 상기 처리액을 토출하는 슬릿 노즐과;
상기 스트림 노즐 및 상기 슬릿 노즐이 장착되는 지지 바디를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 슬릿 토출구는 기판의 회전 방향의 접선 방향과 수직한 제1방향을 향하는 길이 방향을 가지며,
상기 슬릿 노즐 및 상기 스트림 노즐은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향과 수직한 제2방향을 따라 배치되고,
상기 슬릿 토출구는 상기 스트림 노즐을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 기판 처리 장치를 이용하여 상기 기판을 현상 처리하는 방법에 있어서,
상기 처리액은 현상액을 포함하고,
상기 스트림 노즐이 상기 기판 상에 스트림 방식으로 상기 현상액을 공급하는 전 처리 단계와;
상기 전 처리 단계 이후에, 상기 슬릿 노즐이 상기 기판 상에 액 커튼 방식으로 상기 현상액을 공급하는 메인 처리 단계를 포함하되,
상기 전 처리 단계에 공급되는 상기 현상액과 상기 메인 처리 단계에 공급되는 상기 현상액은 동일 액인 기판 처리 방법.A substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
And a liquid supply unit for discharging the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit,
The liquid supply unit includes:
A stream nozzle having a circular stream discharge port for discharging the treatment liquid in a streaming manner;
A slit nozzle having a slit-shaped slit discharge port for discharging the treatment liquid in a liquid curtain system;
And a support body on which the stream nozzle and the slit nozzle are mounted,
The slit discharge port has a longitudinal direction toward a first direction perpendicular to the tangential direction of the rotation direction of the substrate,
Wherein the slit nozzle and the stream nozzle are disposed along a second direction perpendicular to the first direction as viewed from above,
Wherein the slit ejection opening is sloped downward in a direction toward the stream nozzle, the method comprising the steps of:
Wherein the treatment liquid comprises a developer,
A pre-processing step in which the stream nozzle supplies the developer on the substrate in a streamwise manner;
And a main processing step in which, after the pre-processing step, the slit nozzle supplies the developer on the substrate in a liquid curtain manner,
Wherein the developer supplied to the pre-processing step and the developer supplied to the main processing step are the same liquid. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 지지 바디에 장착되며 웨팅액을 토출하는 웨팅 노즐을 더 포함하되,
상기 전 처리 단계가 진행되기 전에는,
상기 웨팅 노즐이 상기 기판 상에 상기 웨팅액을 공급하는 프리 웨팅 단계를 더 포함하되,
상기 프리 웨팅 단계에는 상기 기판 상에 상기 웨팅액에 의한 웨팅 액막을 형성하고,
상기 전 처리 단계에는 상기 웨팅 액막이 위치된 영역으로 상기 처리액을 토출하여 상기 웨팅액과 상기 처리액의 혼합액을 상기 기판 상에 확산시키는 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
The liquid supply unit includes:
Further comprising a wetting nozzle mounted on the support body for ejecting the wetting liquid,
Before the pre-processing step proceeds,
Further comprising a pre-wetting step in which the wetting nozzle supplies the wetting liquid onto the substrate,
Wherein the wetting liquid film is formed on the substrate by the wetting liquid,
Wherein the pretreatment step diffuses the mixed solution of the wetting liquid and the treatment liquid onto the substrate by discharging the treatment liquid to a region where the wetting liquid film is located. 제4항에 있어서,
상기 프리 웨팅 단계에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고,
상기 전 처리 단계에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키고,
상기 메인 처리 단계에는 상기 기판을 제3속도로 회전시키되,
상기 제2속도는 상기 제1속도 및 상기 제3속도에 비해 빠른 속도로 제공되는 기판 처리 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the prewetting step rotates the substrate at a first speed,
Wherein the pre-processing step rotates the substrate at a second speed,
Wherein the main processing step rotates the substrate at a third speed,
Wherein the second speed is provided at a faster rate than the first speed and the third speed. 삭제delete 제5항에 있어서,
상기 제3속도는 상기 제2속도에 비해 빠른 속도로 제공되는 기판 처리 방법.




6. The method of claim 5,
Wherein the third speed is provided at a faster rate than the second speed.




삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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