KR102415320B1 - Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 감광액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 상기 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지판, 상기 안착면에 형성된 진공홀에 진공압을 제공하는 감압 부재, 그리고 상기 안착면에 형성된 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 포함한다. 이는 기판에 토출된 감광액의 온도는 함께 조절되며, 감광막의 두께를 조절할 수 있다. The present invention provides an apparatus and method for supporting a substrate. A substrate processing apparatus includes a substrate supporting unit supporting a substrate and a liquid supply unit supplying a photosensitive solution to a substrate supported by the substrate supporting unit, wherein the substrate supporting unit includes a supporting plate having a seating surface on which the substrate is mounted, the seating It includes a pressure reducing member for providing a vacuum pressure to the vacuum hole formed on the surface, and a fluid supply member for supplying a fluid to the fluid hole formed on the seating surface. In this case, the temperature of the photoresist discharged to the substrate is controlled together, and the thickness of the photoresist can be controlled.

Description

기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법{Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate}A substrate supporting unit, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method TECHNICAL FIELD [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하는 기판을 지지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly to an apparatus and method for supporting a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photographic process sequentially performs application, exposure, and development steps. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. The developing process is a process of selectively developing an exposed region of the substrate.

일반적으로 도포 공정은 기판 상에 균일한 두께를 가지는 감광막을 형성하는 공정이다. 이에 따라 도포 공정에는 기판의 중앙 영역에 감광액을 공급하고, 기판을 회전시켜 감광액을 확산시킨다. 도 1은 일반적으로 기판을 지지하는 장치를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 기판 지지 장치의 평면도이다. 도 1 및 도2를 참조하면, 기판 지지 유닛은 지지판(2) 및 회전축(6)을 포함한다. 지지판(2)은 기판(W)의 반경보다 작은 직경을 가지는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지판(2)의 상면 중심에는 진공홀(4)이 형성된다. 진공홀(4)에는 음압이 제공되어 기판(W)과 지지판(2)을 서로 밀착 고정시킨다. In general, a coating process is a process of forming a photosensitive film having a uniform thickness on a substrate. Accordingly, in the coating process, the photoresist is supplied to the central region of the substrate, and the substrate is rotated to diffuse the photoresist. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an apparatus for generally supporting a substrate, and FIG. 2 is a plan view of the apparatus for supporting the substrate of FIG. 1 . 1 and 2 , the substrate support unit includes a support plate 2 and a rotation shaft 6 . The support plate 2 is provided in the shape of a circular plate having a diameter smaller than the radius of the substrate W. A vacuum hole 4 is formed in the center of the upper surface of the support plate 2 . A negative pressure is applied to the vacuum hole 4 to fix the substrate W and the support plate 2 in close contact with each other.

그러나 진공홀(4)로부터 제공되는 음압은 기판(W)의 중앙 영역을 지지판(2)으로 강하게 밀착시킨다. 이에 따라 기판(W)은 휨 현상이 발생되며, 그 중앙 영역과 가장자리 영역 간에 높이 차가 발생된다. 이러한 기판(W) 상에 감광막을 형성할 경우에는 불균일한 두께의 감광막이 형성되고, 이는 공정 불량을 야기한다.However, the negative pressure provided from the vacuum hole 4 strongly adheres the central region of the substrate W to the support plate 2 . Accordingly, the substrate W is warped, and a height difference is generated between the central region and the edge region. When a photoresist film is formed on the substrate W, a photoresist film having a non-uniform thickness is formed, which causes process defects.

본 발명은 기판 상에 균일한 막을 형성할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of forming a uniform film on a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 지지하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 감광액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 상기 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지판, 상기 안착면에 형성된 진공홀에 진공압을 제공하는 감압 부재, 그리고 상기 안착면에 형성된 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for supporting a substrate. A substrate processing apparatus includes a substrate supporting unit supporting a substrate and a liquid supply unit supplying a photosensitive solution to a substrate supported by the substrate supporting unit, wherein the substrate supporting unit includes a supporting plate having a seating surface on which the substrate is mounted, the seating It includes a pressure reducing member for providing a vacuum pressure to the vacuum hole formed on the surface, and a fluid supply member for supplying a fluid to the fluid hole formed on the seating surface.

상기 유체 공급 부재는 상기 유체홀에 연결되며, 상기 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 라인 및 상기 유체 공급 라인에 설치되며, 유체의 온도를 조절하는 온도 조절기를 포함한다. 상기 온도 조절기는 상기 유체를 가열하는 히터를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상기 안착면으로부터 위로 돌출되며, 기판과 직접 접촉되는 복수 개의 돌기들을 더 포함할 수 있다. 상기 유체홀은 상기 안착면의 중심에 위치되고, 상기 진공홀은 복수 개로 제공되며 상기 진공홀은 상기 안착면의 중심을 감싸도록 배열될 수 있다. 상기 유체홀은 복수 개로 제공되며, 상부에서 바라볼 때 복수 개의 상기 유체홀 중 일부는 상기 안착면의 중심에 위치되고, 다른 일부는 상기 안착면의 중심으로부터 이격되게 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 진공홀 및 상기 다른 일부는 상기 안착면의 원주 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다. 상기 안착면의 직경은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 반경보다 크고, 기판의 직경보다 작을 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상기 지지판을 지지하는 회전축 및 상기 회전축을 회전시키는 구동기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The fluid supply member is connected to the fluid hole, and includes a fluid supply line for supplying a fluid to the fluid hole, and a temperature controller installed on the fluid supply line to control the temperature of the fluid. The temperature controller may include a heater for heating the fluid. The substrate support unit may further include a plurality of protrusions that protrude upward from the seating surface and are in direct contact with the substrate. The fluid hole may be located at the center of the seating surface, the plurality of vacuum holes may be provided, and the vacuum holes may be arranged to surround the center of the seating surface. The fluid hole may be provided in plurality, and when viewed from above, some of the plurality of fluid holes may be located at the center of the seating surface, and other portions may be located spaced apart from the center of the seating surface. When viewed from the top, the vacuum hole and the other part may be alternately arranged along the circumferential direction of the seating surface. A diameter of the seating surface may be greater than a radius of the substrate supported by the substrate support unit and smaller than a diameter of the substrate. The substrate support unit may further include a rotation shaft supporting the support plate and a driver rotating the rotation shaft.

또한 기판에 감광액막을 형성하는 방법으로는 지지판의 안착면에 진공 흡착된 기판으로 감광액을 공급하되, 상기 안착면에 형성된 유체홀에는 유체가 공급된다. In addition, as a method of forming the photoresist film on the substrate, the photoresist is supplied to the substrate vacuum-adsorbed on the seating surface of the support plate, and the fluid is supplied to the fluid hole formed on the seating surface.

상기 유체는 기설정 온도로 가열되어 상기 기판의 온도를 조절할 수 있다. 상기 기판은 상기 안착면으로부터 위로 돌출된 복수 개의 돌기들에 의해 상기 안착면과 이격되게 위치될 수 있다. 상기 안착면의 직경은 상기 기판의 반경보다 크고, 상기 기판의 직경보다 작을 수 있다. The fluid may be heated to a preset temperature to adjust the temperature of the substrate. The substrate may be positioned to be spaced apart from the seating surface by a plurality of protrusions protruding upward from the seating surface. A diameter of the seating surface may be greater than a radius of the substrate and smaller than a diameter of the substrate.

또한 기판 지지 유닛은 상기 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지판, 상기 안착면에 형성된 진공홀에 진공압을 제공하는 감압 부재, 그리고 상기 안착면에 형성된 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 포함한다. In addition, the substrate support unit includes a support plate having a seating surface on which the substrate is mounted, a pressure reducing member providing vacuum pressure to a vacuum hole formed in the seating surface, and a fluid supplying member supplying a fluid to a fluid hole formed in the seating surface do.

상기 유체 공급 부재는 상기 유체홀에 연결되며, 상기 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 라인 및 상기 유체 공급 라인에 설치되며, 유체의 온도를 조절하는 온도 조절기를 포함할 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상기 안착면으로부터 위로 돌출되며, 기판과 직접 접촉되는 복수 개의 돌기들을 더 포함할 수 있다. 상기 유체홀은 상기 안착면의 중심에 위치되고, 상기 진공홀은 복수 개로 제공되며, 상기 진공홀은 상기 안착면의 중심을 감싸도록 배열될 수 있다. 상기 안착면의 직경은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 반경보다 크고, 기판의 직경보다 작을 수 있다.The fluid supply member may include a fluid supply line for supplying a fluid to the fluid hole and a temperature controller for regulating the temperature of the fluid, which is connected to the fluid hole and is installed on the fluid supply line. The substrate support unit may further include a plurality of protrusions that protrude upward from the seating surface and are in direct contact with the substrate. The fluid hole may be located at the center of the seating surface, the plurality of vacuum holes may be provided, and the vacuum holes may be arranged to surround the center of the seating surface. A diameter of the seating surface may be greater than a radius of the substrate supported by the substrate support unit and smaller than a diameter of the substrate.

본 발명의 실시예에 의하면, 지지판의 직경은 기판의 반경에 비해 크게 제공된다. 이로 인해 지지판과 기판 간에 밀착되는 면적이 넓어지며, 기판의 휨 현상을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the diameter of the support plate is provided to be large compared to the radius of the substrate. As a result, an area in close contact between the support plate and the substrate is increased, and warpage of the substrate can be prevented.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 지지판의 사이 공간에는 온도가 조절 가능한 유체를 공급한다. 유체의 온도는 기판에 전달되고, 이는 기판에 토출된 감광액의 온도는 함께 조절되며, 감광막의 두께를 조절할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, a temperature-controllable fluid is supplied to the space between the substrate and the support plate. The temperature of the fluid is transferred to the substrate, and the temperature of the photoresist discharged to the substrate is controlled together, and the thickness of the photoresist can be adjusted.

도 1은 일반적으로 기판을 지지하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 지지 장치의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 확대해 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 지지판을 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 9의 지지판에 제1온도의 유체를 공급하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 9의 지지판에 제2온도의 유체를 공급하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 10의 지지판의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 14는 도 9의 지지판의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an apparatus for generally supporting a substrate;
FIG. 2 is a plan view of the substrate support apparatus of FIG. 1 ;
3 is a plan view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 3 viewed from the direction AA.
5 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 3 viewed from the BB direction.
6 is a cross-sectional view of the facility of FIG. 3 viewed from the CC direction.
7 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 3 .
8 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 7 .
9 is an enlarged cross-sectional view of the substrate support unit of FIG. 8 .
FIG. 10 is a plan view showing the support plate of FIG. 9 .
11 is a cross-sectional view illustrating a process of processing a substrate by supplying a fluid of a first temperature to the support plate of FIG. 9 .
12 is a cross-sectional view illustrating a process of processing a substrate by supplying a fluid of a second temperature to the support plate of FIG. 9 .
13 is a plan view illustrating another embodiment of the support plate of FIG. 10 .
14 is a cross-sectional view showing another embodiment of the support plate of FIG. 9 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 원형의 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a circular semiconductor wafer or a substrate such as a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case in which a circular wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 3 내지 도 13을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, a substrate processing facility of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 13 .

도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 3 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 4 is a view of the facility of FIG. 3 viewed from the A-A direction, FIG. 5 is a view of the facility of FIG. 3 viewed from the B-B direction, and FIG. 6 is the facility of FIG. 3 is a view viewed from the C-C direction.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 3 to 6 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a first buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and a second buffer module 500 . ), a pre-exposure processing module 600 , and an interface module 700 . Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( A direction in which 700 is arranged is referred to as a first direction 12 , a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from above is referred to as a second direction 14 , and the first direction 12 and the second direction A direction each perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 2, four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is provided in the shape of a substantially hollow rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a first buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of the 400). The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the first buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later apply the substrate W to the support 332 in the housing 331 . An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer than this in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Also, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350 .

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 420 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of the bake chambers 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake chambers 420 , the resist application chambers 400 , the first buffer 320 of the first buffer module 300 , and the first of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 435 is coupled to support 436 so as to be movable linearly in third direction 16 along support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다. 도 7은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 형성 유닛(820), 기판 지지 유닛(900), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 제어기(880)를 포함한다. The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist application chamber 410 is provided as a substrate processing apparatus for applying a photoresist on the substrate W. The substrate processing apparatus 800 performs a liquid application process. 7 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 3 , and FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 3 . 7 and 8 , the substrate processing apparatus 800 includes a housing 810 , an airflow forming unit 820 , a substrate supporting unit 900 , a processing container 850 , an elevation unit 890 , and a liquid supply unit. 840 , and a controller 880 .

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 기판 처리 공정이 진행 시에는 개구가 차단되어 하우징(810)의 내부 공간(812)이 밀폐된다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular cylindrical shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810 . The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is in progress, the opening is blocked to seal the inner space 812 of the housing 810 . An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810 . The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816 . According to an example, the airflow provided in the processing vessel 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814 , and the airflow provided outside the processing vessel 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816 .

기류 형성 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 형성 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다. The airflow forming unit 820 forms a downdraft in the inner space of the housing 810 . The airflow forming unit 820 includes an airflow supply line 822 , a fan 824 , and a filter 826 . An airflow supply line 822 is connected to the housing 810 . The airflow supply line 822 supplies external air to the housing 810 . The filter 826 filters 826 the air provided from the airflow supply line 822 . The filter 826 removes impurities contained in the air. The fan 824 is installed on the upper surface of the housing 810 . A fan 824 is located in a central region on the top surface of the housing 810 . The fan 824 forms a downdraft in the interior space of the housing 810 . When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822 , the fan 824 supplies air in a downward direction.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the interior space 812 of the housing 810 . The processing vessel 850 provides a processing space in which the substrate W is processed. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862 .

내측 컵(852)은 기판 지지 유닛(900)의 회전축(970)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 회전축(970)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 회전축(970)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 970 of the substrate support unit 900 . When viewed from above, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 . When viewed from above, the upper surface of the inner cup 852 is provided such that its outer and inner regions are respectively inclined at different angles. According to an example, the outer region of the inner cup 852 faces a downwardly inclined direction as it moves away from the rotational shaft 970 , and the inner region of the inner cup 852 faces an upwardly inclined direction as it moves away from the rotational shaft 970 . A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. An area outside the upper surface of the inner cup 852 is provided to be rounded. The upper surface outer region of the inner cup 852 is provided concave downwards. An area outside the upper surface of the inner cup 852 may be provided as an area through which the treatment liquid flows.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(900) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(900)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 900 and the inner cup 852 . The outer cup 862 has a bottom wall 864 , a side wall 866 , a top wall 870 , and a sloped wall 870 . The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A return line 865 is formed in the bottom wall 864 . The recovery line 865 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The side wall 866 is provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 900 . The side wall 866 extends in a direction perpendicular to the side end of the bottom wall 864 . A sidewall 866 extends upwardly from the bottom wall 864 .

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(900)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(900)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends from the top of the sidewall 866 in an inward direction of the outer cup 862 . The inclined wall 870 is provided to be closer to the substrate support unit 900 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 900 .

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 890 moves the inner cup 852 and the outer cup 862 up and down, respectively. The lifting unit 890 includes an inner moving member 892 and an outer moving member 894 . The inner moving member 892 moves the inner cup 852 up and down, and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 전처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 가이드 부재(846), 아암(848), 전처리 노즐(842), 그리고 처리 노즐(844)을 포함한다. 가이드 부재(846)는 아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(846)을 포함한다. 가이드 레일(846)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 가이드 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(846)의 길이 방향은 제1방향(12)과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(846)에는 아암(848)이 설치된다. 아암(848)은 가이드 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 아암(848)과 가이드 레일(846)은 서로 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(848)의 일단은 가이드 레일(846)에 장착된다. 아암(848)의 타단 저면에는 전처리 노즐(842) 및 처리 노즐(844)이 각각 설치된다. 상부에서 바라볼 때 전처리 노즐(842) 및 처리 노즐(844)은 가이드 레일(846)의 길이 방향과 평행한 방향으로 배열된다. 선택적으로 아암(848)은 복수 개로 제공되며, 아암들(848) 각각에는 전처리 노즐(842) 및 처리 노즐(844)이 설치될 수 있다. 또한 아암(848)은 길이 방향이 제3방향을 향하는 회전축에 결합되어 회전될 수 있다.The liquid supply unit 840 supplies a treatment liquid and a pretreatment liquid on the substrate W. The liquid supply unit 840 includes a guide member 846 , an arm 848 , a pretreatment nozzle 842 , and a treatment nozzle 844 . The guide member 846 includes a guide rail 846 that moves the arm 848 in the horizontal direction. The guide rail 846 is located on one side of the processing vessel. The guide rail 846 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the horizontal direction. According to an example, the longitudinal direction of the guide rail 846 may be provided to face a direction parallel to the first direction 12 . An arm 848 is installed on the guide rail 846 . The arm 848 may be moved by a linear motor provided inside the guide rail 846 . When viewed from above, the arm 848 and the guide rail 846 are provided to face each other in a longitudinal direction perpendicular to each other. One end of the arm 848 is mounted on the guide rail 846 . A pretreatment nozzle 842 and a treatment nozzle 844 are respectively provided on the bottom surface of the other end of the arm 848 . When viewed from above, the pretreatment nozzle 842 and the treatment nozzle 844 are arranged in a direction parallel to the longitudinal direction of the guide rail 846 . Optionally, a plurality of arms 848 are provided, and a pretreatment nozzle 842 and a treatment nozzle 844 may be installed in each of the arms 848 . In addition, the arm 848 may be rotated by being coupled to a rotation shaft whose longitudinal direction faces the third direction.

전처리 노즐(842)은 기판(W) 상에 전처리액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 전처리액은 기판의 표면 성질을 변화시킬 수 있는 액일 수 있다. 전처리액은 처리액과 동일한 성질을 가질 수 있다. 전처리액은 기판의 표면을 소수성 성질로 변화시킬 수 있다. 전처리액은 신나(Thinner)이고, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 전처리 노즐(842)은 전처리액 공급 라인으로부터 전처리액을 공급받는다. 전처리액 공급 라인에는 제1밸브가 설치되며, 제1밸브는 전처리액 공급 라인을 개폐한다. 처리 노즐(844)은 처리액 공급 라인으로부터 처리액을 공급받는다. 처리액 공급 라인에는 제2밸브가 설치되며, 제2밸브는 처리액 공급 라인을 개폐한다. The pretreatment nozzle 842 supplies the pretreatment liquid onto the substrate W, and the treatment nozzle 844 supplies the treatment liquid onto the substrate W. For example, the pretreatment liquid may be a liquid capable of changing the surface properties of the substrate. The pretreatment liquid may have the same properties as the treatment liquid. The pretreatment solution may change the surface of the substrate into a hydrophobic property. The pretreatment liquid may be a thinner, and the treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist. The pretreatment nozzle 842 receives the pretreatment liquid from the pretreatment liquid supply line. A first valve is installed in the pretreatment liquid supply line, and the first valve opens and closes the pretreatment liquid supply line. The treatment nozzle 844 receives the treatment liquid from the treatment liquid supply line. A second valve is installed in the treatment liquid supply line, and the second valve opens and closes the treatment liquid supply line.

전처리 노즐(842) 및 처리 노즐(844) 각각은 기판(W)의 중앙 위치에 전처리액 및 처리액을 공급한다. 전처리 노즐(842) 및 처리 노즐(844) 각각은 그 토출구가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. 여기서 중앙 위치는 액의 공급 위치가 기판(W)의 중심에 대향되는 위치이다. 선택적으로 전처리 노즐(842)의 토출구는 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. Each of the pretreatment nozzle 842 and the treatment nozzle 844 supplies the pretreatment liquid and the treatment liquid to a central position of the substrate W. Each of the pretreatment nozzle 842 and the treatment nozzle 844 is provided such that its discharge port faces vertically downward. Here, the central position is a position where the liquid supply position is opposite to the center of the substrate W. Optionally, the discharge port of the pretreatment nozzle 842 may be provided to face a downwardly inclined direction.

기판 지지 유닛(900)은 처리 용기(850)의 처리 공간에 위치된다. 기판 지지 유닛(900)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(900)은 지지판(910), 회전축(970), 그리고 구동기(980)를 포함한다. The substrate support unit 900 is located in the processing space of the processing vessel 850 . The substrate support unit 900 supports and rotates the substrate W. The substrate support unit 900 includes a support plate 910 , a rotation shaft 970 , and a driver 980 .

도 9는 도 8의 기판 지지 유닛을 확대해 보여주는 단면도이고, 도 10은 도 9의 지지판을 보여주는 평면도이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 지지판(910)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지판(910)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 지지판(910)의 상면은 편평하며, 기판(W)이 안착되는 안착면으로 제공된다. 일 예에 의하면, 지지판(910)의 직경은 기판(W)의 반경보다 크고, 기판(W)의 직경보다 작을 수 있다. 지지판(910)의 안착면에는 돌기(912), 진공홀(932), 그리고 유체홀(920)이 형성된다. 돌기(912)는 복수 개로 제공된다. 각각의 돌기(912)들은 안착면으로부터 위로 돌출된다. 상부에서 바라볼 때 돌기(912)들은 안착면의 중심축을 중심으로 균등하게 위치된다. 각각의 돌기(912)는 그 상단이 모두 동일 높이를 가진다. 9 is an enlarged cross-sectional view of the substrate support unit of FIG. 8 , and FIG. 10 is a plan view illustrating the support plate of FIG. 9 . 9 and 10 , the support plate 910 is provided to have a circular plate shape. The support plate 910 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. The upper surface of the support plate 910 is flat, and serves as a seating surface on which the substrate W is seated. According to an example, the diameter of the support plate 910 may be greater than the radius of the substrate W and smaller than the diameter of the substrate W. A protrusion 912 , a vacuum hole 932 , and a fluid hole 920 are formed on the seating surface of the support plate 910 . A plurality of protrusions 912 are provided. Each of the protrusions 912 protrude upward from the seating surface. When viewed from the top, the projections 912 are equally positioned about the central axis of the seating surface. Each of the protrusions 912 has the same height as its upper ends.

진공홀(932)은 복수 개로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 각각의 진공홀(932)은 안착면의 중심보다 안착면의 측단에 가깝게 위치된다. 각각의 진공홀(932)은 안착면의 중심을 감싸도록 위치된다. 진공홀들(932)은 안착면의 원주 방향을 따라 배열된다. 서로 인접한 2 개의 진공홀들(932)은 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 지지판(910)의 내부에는 복수의 진공홀들(932)이 서로 통하는 흡착 유로가 형성된다. 흡착 유로에는 감압 부재가 연결된다. 감압 부재(936)는 흡착 유로에 진공압을 제공하고, 제공된 진공압은 각 진공홀(932)에 전달된다. 따라서 음압은 기판(W)과 지지판(910)의 사이 공간에 전달되어 기판(W)과 지지판(910)을 서로 밀착시킨다.A plurality of vacuum holes 932 are provided. When viewed from the top, each vacuum hole 932 is located closer to the side end of the seating surface than the center of the seating surface. Each vacuum hole 932 is positioned to surround the center of the seating surface. The vacuum holes 932 are arranged along the circumferential direction of the seating surface. Two vacuum holes 932 adjacent to each other are positioned to be spaced apart from each other at the same distance. An adsorption passage through which a plurality of vacuum holes 932 communicate with each other is formed in the support plate 910 . A pressure reducing member is connected to the adsorption passage. The pressure reducing member 936 provides a vacuum pressure to the adsorption passage, and the provided vacuum pressure is transmitted to each vacuum hole 932 . Accordingly, the negative pressure is transmitted to the space between the substrate W and the support plate 910 to bring the substrate W and the support plate 910 into close contact with each other.

유체홀(920)은 복수 개로 제공된다. 유체홀(920)의 일부는 안착면의 중심에 형성되고, 다른 일부는 안착면의 중심으로부터 이격되게 형성된다. 일 예에 의하면, 안착면의 중심에 형성되는 유체홀(922)(이하 제1홀)은 1개로, 그리고 안착면의 중심보다 측단에 가까운 영역에 형성되는 유체홀(924)(이하 제2홀)은 복수 개로 형성될 수 있다. 제2홀(924)은 진공홀(932)과 동일한 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 제2홀(924) 및 진공홀(932)은 안착면의 원주 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다. 지지판(910)의 내부에는 복수의 유체홀(920)들이 서로 통하는 유체 유로(926)가 형성된다. 유체 유로(926)에는 유체 공급 부재(940)가 연결된다. 선택적으로, 안착면의 가장자리 영역에 형성된 복수의 유체홀(920)들은 진공홀(932)보다 내측에 위치될 수 있다.A plurality of fluid holes 920 are provided. A part of the fluid hole 920 is formed in the center of the seating surface, and the other part is formed to be spaced apart from the center of the seating surface. According to an example, there is one fluid hole 922 (hereinafter, referred to as the first hole) formed in the center of the seating surface, and a fluid hole 924 (hereinafter, referred to as the second hole) formed in an area closer to the side end than the center of the seating surface. ) may be formed in plurality. The second hole 924 may be arranged along the same circumferential direction as the vacuum hole 932 . The second hole 924 and the vacuum hole 932 may be alternately arranged along the circumferential direction of the seating surface. A fluid flow path 926 through which a plurality of fluid holes 920 communicate with each other is formed in the support plate 910 . A fluid supply member 940 is connected to the fluid flow path 926 . Optionally, the plurality of fluid holes 920 formed in the edge region of the seating surface may be located inside the vacuum hole 932 .

유체 공급 부재(940)는 유체 유로(926)에 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급 부재(940)는 감압 부재(936)의 음압보다 적은 유량의 유체를 공급한다. 유체 공급 부재(940)는 유체 공급 라인(942) 및 온도 조절기(944)를 포함한다. 유체 공급 라인(942)은 유체 유로(926)에 연결된다. 유체 공급 라인(942)은 유체 유로(926)에 유체를 공급한다. 예컨대, 유체는 에어, 비활성 가스, 그리고 순수 중 하나일 수 있다. 온도 조절기(944)는 유체 공급 라인(942)에 설치된다. 온도 조절기(944)는 유체 공급 라인(942)을 통해 공급되는 유체의 온도를 조절한다. 온도 조절기(944)는 유체를 기설정 온도로 가열하는 히터일 수 있다.The fluid supply member 940 supplies a fluid to the fluid passage 926 . According to an example, the fluid supply member 940 supplies a fluid having a flow rate less than the negative pressure of the pressure reducing member 936 . The fluid supply member 940 includes a fluid supply line 942 and a temperature controller 944 . The fluid supply line 942 is connected to the fluid flow path 926 . The fluid supply line 942 supplies a fluid to the fluid passage 926 . For example, the fluid may be one of air, an inert gas, and pure water. The temperature controller 944 is installed in the fluid supply line 942 . The temperature controller 944 adjusts the temperature of the fluid supplied through the fluid supply line 942 . The temperature controller 944 may be a heater that heats the fluid to a preset temperature.

회전축(970)은 지지판(910)의 아래에서 지지판(910)을 지지한다. 회전축(970)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 회전축(970)의 상단은 지지판(910)의 저면 중심에 고정 결합된다. 회전축(970)은 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(980)는 회전축(970)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(980)는 회전축(970)의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation shaft 970 supports the support plate 910 under the support plate 910 . The rotation shaft 970 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the vertical direction. The upper end of the rotation shaft 970 is fixedly coupled to the center of the bottom surface of the support plate 910 . The rotating shaft 970 is provided to be rotatable about a central axis. The actuator 980 provides a driving force to rotate the rotation shaft 970 . For example, the driver 980 may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft 970 .

제어기(880)는 온도 조절기(944) 및 구동기(980)를 제어한다. 제어기(880)는 기판(W) 상에 감광막을 형성하는 과정에서 유체의 온도 및 기판(W)의 회전 속도를 조절를 제어할 수 있다. 일 예에 의하면, 제어기는 유체의 온도를 제1온도 또는 제2온도로 조절할 수 있다. 제1온도는 제2온도에 비해 낮은 온도일 수 있다. 기판(W)의 온도에 따라 기판(W) 상에 형성되는 감광막의 두께는 조절될 수 있다. 도 11 및 도 12를 참조하면, 제2온도의 유체가 공급된 기판(W)의 감광막은 제1온도의 유체가 공급된 기판(W)의 감광막에 비해 두꺼울 수 있다. 따라서 제어기(880)는 유체의 온도 및 기판(W)의 회전 속도를 제어하고, 감광막의 두께를 조절하는 과정에서 감광막이 영역 별로 균일하도록 제어할 수 있다.Controller 880 controls temperature controller 944 and driver 980 . The controller 880 may control the temperature of the fluid and the rotation speed of the substrate W in the process of forming the photosensitive film on the substrate W. According to an example, the controller may adjust the temperature of the fluid to the first temperature or the second temperature. The first temperature may be a lower temperature than the second temperature. The thickness of the photoresist layer formed on the substrate W may be adjusted according to the temperature of the substrate W. 11 and 12 , the photosensitive film of the substrate W to which the fluid of the second temperature is supplied may be thicker than the photosensitive film of the substrate W to which the fluid of the first temperature is supplied. Therefore, the controller 880 may control the temperature of the fluid and the rotation speed of the substrate W, and control the photoresist film to be uniform for each region in the process of adjusting the thickness of the photoresist film.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)에 액을 도포하는 방법을 설명한다. 기판(W)의 액 도포 방법은 크게 전처리 단계, 액 공급 단계, 그리고 액 확산 단계를 포함한다. 전처리 단계, 액 공급 단계, 그리고 액 확산 단계는 순차적으로 수행된다. 각 단계가 진행되는 동안 지지판(910)의 유체홀(920)로부터는 온도가 조절된 유체가 공급된다. 유체의 온도는 각 단계에 따라 상이하게 조절될 수 있다. 유체의 온도는 어느 하나의 단계가 진행되는 동안 상이하게 조절될 수 있다.Next, a method of applying a liquid to the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. The liquid application method of the substrate W largely includes a pretreatment step, a liquid supply step, and a liquid diffusion step. The pretreatment step, the liquid supply step, and the liquid diffusion step are sequentially performed. During each step, a temperature-controlled fluid is supplied from the fluid hole 920 of the support plate 910 . The temperature of the fluid may be adjusted differently according to each stage. The temperature of the fluid can be adjusted differently during either step.

전처리 단계가 진행되기에 앞서, 기판(W)은 지지판(910)의 돌기(912)에 놓여진다. 기판(W)과 지지판(910)은 중심축이 서로 일치하도록 위치된다. 각각의 진공홀(932)로부터 음압이 제공되면서, 기판(W)은 지지판(910)에 밀착된다. 또한 유체홀(920)로부터 유체가 공급됨에 따라 기판(W)의 온도가 조절된다.Prior to the pre-processing step, the substrate W is placed on the projection 912 of the support plate 910 . The substrate W and the support plate 910 are positioned so that their central axes coincide with each other. While negative pressure is provided from each vacuum hole 932 , the substrate W is in close contact with the support plate 910 . In addition, as the fluid is supplied from the fluid hole 920 , the temperature of the substrate W is adjusted.

전처리 단계에는 기판(W) 상에 전처리액을 공급한다. 전처리 단계가 진행되면, 기판(W)은 회전되고, 전처리 노즐(842)은 기판(W)의 중심과 대향되게 위치된다. 전처리 노즐(842)은 기판(W)의 중심으로 전처리액을 토출하여 기판(W)의 상면을 젖음 상태로 전환시킨다. 기판(W)의 표면은 전처리액에 의해 젖음 상태로 전환됨에 따라 표면 성질이 친수성에서 소수성으로 변화될 수 있다. In the pretreatment step, a pretreatment solution is supplied on the substrate W. When the pre-treatment step is performed, the substrate W is rotated, and the pre-treatment nozzle 842 is positioned to face the center of the substrate W. The pretreatment nozzle 842 discharges the pretreatment liquid to the center of the substrate W to convert the upper surface of the substrate W into a wet state. As the surface of the substrate W is converted to a wet state by the pretreatment solution, the surface properties may be changed from hydrophilicity to hydrophobicity.

액 공급 단계에는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 단계가 진행되면, 기판(W)은 전처리 단계에 비해 높은 속도로 회전되고, 처리 노즐(844)은 기판(W)의 중심과 대향되게 위치된다. 처리 노즐(844)은 기판(W)의 중심으로 처리액을 공급한다. In the liquid supply step, a processing liquid is supplied on the substrate W. When the liquid supply step is performed, the substrate W is rotated at a higher speed than in the pretreatment step, and the treatment nozzle 844 is positioned to face the center of the substrate W. The processing nozzle 844 supplies the processing liquid to the center of the substrate W.

액 확산 단계는 기판(W) 상에 공급된 처리액을 확산시킨다. 액 확산 단계에는 처리액막의 영역 별 두께가 서로 균일하도록 조절한다. In the liquid diffusion step, the processing liquid supplied on the substrate W is diffused. In the liquid diffusion step, the thickness of each area of the treatment liquid film is adjusted to be uniform with each other.

본 실시예에는 지지판(910)의 직경은 기판(W)의 반경보다 크게 제공된다. 이에 따라 종래에 기판(W)의 반경보다 작은 직경의 지지판(910)에 비해 기판(W)과 지지판(910) 간에 밀착 면적이 넓어지므로, 기판(W)의 밀착되지 않는 영역이 휘는 것을 최소화할 수 있다.In this embodiment, the diameter of the support plate 910 is provided to be larger than the radius of the substrate (W). Accordingly, since the adhesion area between the substrate W and the support plate 910 is wider than the support plate 910 having a diameter smaller than the radius of the substrate W in the prior art, it is possible to minimize the bending of the non-adherent area of the substrate W. can

또한 기판(W)과 지지판(910)의 사이 공간에 공급되는 유체는 온도가 조절된다. 유체의 온도는 기판(W)에 전달되고, 이는 기판(W)에 토출된 감광액의 온도는 함께 조절된다. 따라서 감광액의 온도를 조절하여 감광막의 두께를 조절할 수 있다. In addition, the temperature of the fluid supplied to the space between the substrate W and the support plate 910 is controlled. The temperature of the fluid is transferred to the substrate W, and the temperature of the photoresist discharged to the substrate W is controlled together. Accordingly, the thickness of the photosensitive film can be adjusted by controlling the temperature of the photoresist.

상술한 실시예에는 복수의 진공홀들(932)이 지지판(910)의 가장자리 영역에 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 13과 같이, 지지판(910)의 안착면에는 제1홀(922)을 대신하여 진공홀(932)이 형성될 수 있다. 이로 인해 진공홀들(932)은 지지판(910)의 중심 및 이를 감싸는 위치에 각각 형성될 수 있다. In the above-described embodiment, it has been described that the plurality of vacuum holes 932 are formed in the edge region of the support plate 910 . However, as shown in FIG. 13 , a vacuum hole 932 may be formed on the seating surface of the support plate 910 in place of the first hole 922 . For this reason, the vacuum holes 932 may be respectively formed at the center of the support plate 910 and a position surrounding the same.

또한 도 14와 같이, 기판 지지 유닛(900)은 돌기(912) 없이 기판을 진공 흡착할 수 있다. 이에 따라 지지판(910)의 안착면과 기판(W)은 서로 접촉되게 위치될 수 있다.Also, as shown in FIG. 14 , the substrate support unit 900 may vacuum-adsorb the substrate without the protrusion 912 . Accordingly, the seating surface of the support plate 910 and the substrate W may be positioned to be in contact with each other.

다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. Referring back to FIGS. 3 to 6 , the bake chamber 420 heats the substrate W. As shown in FIG. For example, the bake chambers 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W or apply the photoresist to the substrate ( A soft bake process, etc. performed after coating on W) is performed, and a cooling process of cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with heating means 424 such as a hot wire or thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421 , and other portions may include only the heating plate 422 .

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for removing a part of the photoresist by supplying a developer to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 460 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The development chamber 460 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 460 are provided, and a plurality of development chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six developing chambers 460 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake chambers 470 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake chambers 470 may be provided.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . A developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470 , the developing chambers 460 , the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 , and the second buffer module 500 . The substrate W is transferred between the second cooling chambers 540 of the The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to move linearly in the first direction 12 . The developing unit robot 482 has a hand 484 , an arm 485 , a support 486 , and a pedestal 487 . The hand 484 is fixedly installed on the arm 485 . The arm 485 is provided in a telescoping structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 485 is coupled to support 486 to be linearly movable in third direction 16 along support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the support 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the type of developer used in each of the developing chambers 460 may be different from each other. The developing chamber 460 removes a region irradiated with light from the photoresist on the substrate W. At this time, the region irradiated with light among the protective film is also removed. Only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed according to the type of the selectively used photoresist.

현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a container 461 , a support plate 462 , and a nozzle 463 . The container 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned in the container 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developer to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is additionally supplied may be further provided in the developing chamber 460 .

베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heats the substrate W. For example, the bake chambers 470 include a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process. A cooling process for cooling the wafer is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 , and some may include only a heating plate 472 .

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400 , the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. Also, when viewed from above, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the substrate W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600 . In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process, such as a cooling process or an edge exposure process, on the substrate W. The second buffer module 500 includes a frame 510 , a buffer 520 , a first cooling chamber 530 , a second cooling chamber 540 , an edge exposure chamber 550 , and a second buffer robot 560 . have The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , the second cooling chamber 540 , the edge exposure chamber 550 , and the second buffer robot 560 are positioned in the frame 510 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401 . The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the developing module 402 . The buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a line along the third direction 16 . When viewed from above, the buffer 520 is disposed along the transfer chamber 430 and the first direction 12 of the application module 401 . The edge exposure chamber 550 is disposed to be spaced apart from the buffer 520 or the first cooling chamber 530 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the substrate W between the buffer 520 , the first cooling chamber 530 , and the edge exposure chamber 550 . The second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520 . The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360 . The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the wafers W that have been processed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 cools the substrate W on which the process is performed in the application module 401 . The first cooling chamber 530 has a structure similar to that of the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 . The edge exposure chamber 550 exposes edges of the wafers W on which the cooling process has been performed in the first cooling chamber 530 . The buffer 520 temporarily stores the substrates W before the substrates W that have been processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pre-processing module 601 to be described later. The second cooling chamber 540 cools the wafers W before the wafers W, which have been processed in the post-processing module 602 to be described later, are transferred to the developing module 402 . The second buffer module 500 may further include a buffer added to a height corresponding to that of the developing module 402 . In this case, the wafers W that have been processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in an added buffer and then transferred to the developing module 402 .

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs an immersion exposure process, the pre-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film protecting the photoresist film applied to the substrate W during immersion exposure. In addition, the pre-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre-exposure processing module 600 may perform a post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure processing module 600 includes a pre-processing module 601 and a post-processing module 602 . The pre-processing module 601 performs a process of treating the substrate W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of treating the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the pre-processing module 601 is located above the post-processing module 602 . The pretreatment module 601 is provided at the same height as the application module 401 . The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402 . The pre-processing module 601 has a protective film application chamber 610 , a bake chamber 620 , and a transfer chamber 630 . The passivation layer application chamber 610 , the transfer chamber 630 , and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the passivation layer application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 interposed therebetween. A plurality of passivation film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of passivation film application chambers 610 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 620 are provided and are arranged along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of bake chambers 620 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12 . A pre-processing robot 632 is located in the transfer chamber 630 . The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pre-processing robot 632 is installed between the protective film application chambers 610 , the bake chambers 620 , the buffer 520 of the second buffer module 500 , and the first buffer 720 of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred. The pretreatment robot 632 has a hand 633 , an arm 634 , and a support 635 . The hand 633 is fixedly installed on the arm 634 . The arm 634 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 635 .

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The passivation film application chamber 610 applies a passivation film for protecting the resist film on the substrate W during immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611 , a support plate 612 , and a nozzle 613 . The housing 611 has a cup shape with an open top. The support plate 612 is positioned in the housing 611 and supports the substrate W. The support plate 612 is provided rotatably. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film on the substrate W placed on the support plate 612 . The nozzle 613 has a circular tubular shape, and may supply the protective liquid to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid comprises a foaming material. As the protective liquid, a material having a low affinity for photoresist and water may be used. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612 .

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622 . The cooling plate 621 is provided with cooling means 623 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 622 is provided with heating means 624 such as a heating wire or thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in one bake chamber 620 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may include only a heating plate 622 , and some may include only a cooling plate 621 .

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660 , a post-exposure bake chamber 670 , and a transfer chamber 680 . The cleaning chamber 660 , the transfer chamber 680 , and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake chamber 670 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 interposed therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 may be provided and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided, and may be disposed along the third direction 16 to form a layer on each other. Optionally, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 when viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post-processing robot 682 is located within the transfer chamber 680 . The post-processing robot 682 includes the cleaning chambers 660 , the post-exposure bake chambers 670 , the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 , and the second of the interface module 700 to be described later. The substrate W is transferred between the buffers 730 . The post-processing robot 682 provided in the post-processing module 602 may be provided in the same structure as the pre-processing robot 632 provided in the pre-processing module 601 .

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661 , a support plate 662 , and a nozzle 663 . The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is positioned in the housing 661 and supports the substrate W. The support plate 662 is provided rotatably. The nozzle 663 supplies a cleaning solution onto the substrate W placed on the support plate 662 . As the cleaning solution, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662 . Optionally, while the substrate W is rotated, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the center region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. After exposure, the bake chamber 670 heats the substrate W on which the exposure process has been performed using deep ultraviolet rays. In the post-exposure bake process, the substrate W is heated to amplify the acid generated in the photoresist by exposure to complete the change in the properties of the photoresist. Post exposure bake chamber 670 has heating plate 672 . The heating plate 672 is provided with heating means 674 such as a hot wire or thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with cooling means 673 such as cooling water or a thermoelectric element. In addition, optionally, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, in the pre-exposure processing module 600 , the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 may be provided to have the same size, so that they completely overlap each other when viewed from the top. In addition, the passivation layer application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size and to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 may have the same size and may be provided to completely overlap each other when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . The first buffer 720 , the second buffer 730 , and the interface robot 740 are positioned in the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is the post-processing module 602 . The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transfers the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 . The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560 .

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판들(W)이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W, which have been processed in the pre-processing module 601 , before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the post-processing module 602 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 includes the interface robot 740 and the pre-processing robot 632 in the direction and pre-processing robot ( 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . However, the housing 731 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and the direction in which the post-processing robot 682 is provided. As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the wafer.

880: 제어기 900: 기판 지지 유닛
910: 지지판 912: 돌기
920: 유체홀 932: 진공홀
936: 감압 부재 940: 유체 공급 부재880: controller 900: substrate support unit
910: support plate 912: projection
920: fluid hole 932: vacuum hole
936: pressure reducing member 940: fluid supply member

Claims (18)

기판을 지지하고, 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 감광액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 안착되는 안착면을 가지는 지지판과;
상기 안착면으로부터 위로 돌출되며, 기판과 직접 접촉되는 복수 개의 돌기들과;
상기 안착면에 형성된 진공홀에 진공압을 제공하는 감압 부재와;
상기 안착면에 형성된 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 포함하고,
상기 유체 공급 부재는,
상기 유체홀에 연결되며, 상기 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 라인과;
상기 유체 공급 라인에 설치되며, 유체의 온도를 조절하는 온도 조절기를 포함하며,
상기 온도 조절기는 상기 유체를 가열하는 히터를 포함하는 기판 처리 장치.a substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
a liquid supply unit supplying a photosensitive liquid to the substrate supported by the substrate support unit;
The substrate support unit,
a support plate having a seating surface on which the substrate is mounted;
a plurality of projections protruding upward from the seating surface and in direct contact with the substrate;
a pressure reducing member providing vacuum pressure to the vacuum hole formed on the seating surface;
A fluid supply member for supplying a fluid to the fluid hole formed on the seating surface,
The fluid supply member,
a fluid supply line connected to the fluid hole and supplying a fluid to the fluid hole;
It is installed in the fluid supply line and includes a temperature controller for controlling the temperature of the fluid,
The temperature controller includes a heater configured to heat the fluid. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 유체홀은 상기 안착면의 중심에 위치되고,
상기 진공홀은 복수 개로 제공되며,
상기 진공홀은 상기 안착면의 중심을 감싸도록 배열되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The fluid hole is located at the center of the seating surface,
The vacuum hole is provided in plurality,
The vacuum hole is arranged to surround the center of the seating surface substrate processing apparatus. 제5항에 있어서,
상기 유체홀은 복수 개로 제공되며,
상부에서 바라볼 때 복수 개의 상기 유체홀 중 일부는 상기 안착면의 중심에 위치되고, 다른 일부는 상기 안착면의 중심으로부터 이격되게 위치되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The fluid hole is provided in plurality,
When viewed from the top, some of the plurality of fluid holes are located at the center of the seating surface, and other portions are located apart from the center of the seating surface. 제6항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 진공홀 및 상기 다른 일부는 상기 안착면의 원주 방향을 따라 교대로 배열되는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
When viewed from above, the vacuum hole and the other portion are alternately arranged along a circumferential direction of the seating surface. 제5항에 있어서,
상기 안착면의 직경은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 반경보다 크고, 기판의 직경보다 작은 기판 처리 장치. 6. The method of claim 5,
A diameter of the seating surface is larger than a radius of the substrate supported by the substrate support unit and smaller than a diameter of the substrate. 삭제delete 기판에 감광액막을 형성하는 방법에 있어서,
회전하는 지지판의 안착면에 진공 흡착된 기판으로 감광액을 공급하되,
상기 안착면에 형성된 유체홀을 통해 기설정 온도로 가열된 유체가 상기 안착면에 진공 흡착된 기판으로 공급되고,
상기 기판은 상기 안착면으로부터 위로 돌출된 복수 개의 돌기들에 의해 상기 안착면과 이격되게 위치되는 기판 처리 방법.A method of forming a photoresist film on a substrate, the method comprising:
The photoresist is supplied to the substrate vacuum-adsorbed on the seating surface of the rotating support plate,
The fluid heated to a preset temperature is supplied to the substrate vacuum-adsorbed on the seating surface through the fluid hole formed on the seating surface,
The substrate is positioned to be spaced apart from the seating surface by a plurality of protrusions protruding upward from the seating surface. 삭제delete 삭제delete 제10항에 있어서,
상기 안착면의 직경은 상기 기판의 반경보다 크고, 상기 기판의 직경보다 작은 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
A diameter of the seating surface is greater than a radius of the substrate and smaller than a diameter of the substrate. 기판이 안착되는 안착면을 가지고,기판을 회전시키는 지지판과;
상기 안착면으로부터 위로 돌출되며, 기판과 직접 접촉되는 복수 개의 돌기들과,
상기 안착면에 형성된 진공홀에 진공압을 제공하는 감압 부재와;
상기 안착면에 형성된 유체홀에 상기 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 포함하고,
상기 유체 공급 부재는,
상기 유체홀에 연결되며, 상기 유체홀에 유체를 공급하는 유체 공급 라인과;
상기 유체 공급 라인에 설치되며, 유체의 온도를 조절하는 온도 조절기를 포함하고,
상기 온도 조절기는 상기 유체를 가열하는 히터를 포함하는 기판 지지 유닛.
a support plate having a seating surface on which the substrate is seated, and rotating the substrate;
a plurality of projections protruding upward from the seating surface and in direct contact with the substrate;
a pressure reducing member providing vacuum pressure to the vacuum hole formed on the seating surface;
And a fluid supply member for supplying the fluid to the fluid hole formed in the seating surface,
The fluid supply member,
a fluid supply line connected to the fluid hole and supplying a fluid to the fluid hole;
It is installed in the fluid supply line and includes a temperature controller for controlling the temperature of the fluid,
wherein the temperature controller includes a heater configured to heat the fluid.
 삭제delete 삭제delete 제14항에 있어서,
상기 유체홀은 상기 안착면의 중심에 위치되고,
상기 진공홀은 복수 개로 제공되며,
상기 진공홀은 상기 안착면의 중심을 감싸도록 배열되는 기판 지지 유닛.15. The method of claim 14,
The fluid hole is located at the center of the seating surface,
The vacuum hole is provided in plurality,
The vacuum hole is a substrate support unit arranged to surround the center of the seating surface. 제17항에 있어서,
상기 안착면의 직경은 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 반경보다 크고, 기판의 직경보다 작은 기판 지지 유닛.

18. The method of claim 17,
A diameter of the seating surface is greater than a radius of the substrate supported by the substrate support unit and smaller than a diameter of the substrate.
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JPH0778743A (en) * 1993-09-07 1995-03-20 Hiroshima Nippon Denki Kk Semiconductor manufacturing equipment
JPH10261579A (en) * 1997-03-21 1998-09-29 Matsushita Electron Corp Resist application device and method
JPH10294261A (en) * 1997-04-18 1998-11-04 Sony Corp Device for applying resist
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