KR20160141248A - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a method and apparatus for liquid-processing a substrate. A method for performing a liquid treatment on a substrate includes a first moving step of moving the falling point of process liquid while discharging the process liquid in a downwardly inclined direction on the substrate rotated from the nozzle and moving the falling point from the first region of the substrate to the second region of the substrate. In the first moving step, the movement of the falling point is performed by controlling the height of the nozzle. A part of the center part of the substrate can prevent a liquid layer having a different thickness compared to other regions from being formed.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for liquid-treating a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as photolithography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed for manufacturing semiconductor devices and flat panel display panels. Among these processes, the photolithography process sequentially performs the application, exposure, and development steps. The coating step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process for exposing a circuit pattern on a substrate having a photosensitive film formed thereon. The developing step is a step of selectively developing the exposed region of the substrate.

일반적으로 현상 공정은 노즐로부터 기판 상에 현상액과 같은 처리액을 공급하여 노광 처리 영역을 선택적으로 현상 처리한다. 현상 공정에 사용되는 노즐은 크게 스트림 노즐 및 슬릿 노즐 중 하나가 사용된다. 이 중 슬릿 노즐은 처리액을 액 커튼 방식으로 토출한다. 슬릿 노즐은 기판의 중앙부에서 가장자리부로 이동되면서 처리액을 토출한다. Generally, in the developing process, a treatment liquid such as a developing solution is supplied onto a substrate from a nozzle to selectively develop the exposed region. One of the nozzles used in the developing process is mainly a stream nozzle and a slit nozzle. Among them, the slit nozzle discharges the treatment liquid in a liquid curtain manner. The slit nozzle discharges the processing liquid while moving from the central portion to the edge portion of the substrate.

그러나 액 커튼 방식으로 토출되는 처리액은 기판에 대해 방향성을 가진다. 이에 따라 도 1 및 도 2와 같이, 기판(W)의 중심부 중 일부 영역(a)에는 다른 영역(b)에 비해 적은 양의 처리액이 공급된다. 이로 인해 기판(W)의 전체 영역에는 불균일한 액막이 형성되며, 이는 현상 공정의 불량을 야기한다.However, the processing liquid ejected by the liquid curtain method has directionality with respect to the substrate. Accordingly, as shown in Figs. 1 and 2, a small amount of the processing liquid is supplied to the partial region a of the center portion of the substrate W, as compared with the other region (b). As a result, a non-uniform liquid film is formed in the entire region of the substrate W, which causes defective development processes.

또한 처리액은 그 토출 경로가 기판의 중앙 영역에서 가장자리 영역으로 이동되는 중에 동일한 유량으로 공급된다. 이 결과, 처리액의 일부는 도 3과 같이, 기판(W)으로부터 되튀어 기판을 감싸는 처리 용기에 부착된다. 처리 용기에 부착된 처리액은 파티클로 반응하여 기판 및 주변 장치를 오염시킬 수 있다.Further, the treatment liquid is supplied at the same flow rate while the discharge path is moved from the central region to the edge region of the substrate. As a result, a part of the treatment liquid is adhered to the treatment vessel which wraps around the substrate from the substrate W as shown in Fig. The processing liquid adhered to the processing vessel may react with particles to contaminate the substrate and peripheral devices.

한국 공개 특허번호 제2009-0046719호Korean Published Patent No. 2009-0046719

본 발명은 액 커튼 방식으로 기판을 액 처리하는 과정에서 기판 상에 균일한 액막을 형성할 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.The present invention provides a method and apparatus capable of forming a uniform liquid film on a substrate in a process of liquid-processing a substrate by an liquid curtain method.

또한 본 발명은 기판을 액 처리하는 과정에서 기판으로부터 액이 비산되어 주변 장치를 오염시키는 것을 최소화할 수 방법 및 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a method and apparatus for minimizing contamination of a peripheral device by scattering liquid from a substrate during liquid processing of the substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 방법 및 장치를 제공한다. 기판을 액 처리하는 방법으로는 노즐로부터 회전되는 기판 상에 하향 경사진 방향으로 처리액을 토출하면서 상기 처리액의 탄착 지점을 이동시키되, 상기 탄착 지점을 이동시키는 것은 상기 기판의 제1영역에 상기 기판의 제2영역으로 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계를 포함하되, 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐의 높이를 조절하여 이루어진다. An embodiment of the present invention provides a method and apparatus for liquid processing a substrate. A method for performing a liquid treatment on a substrate includes moving a point of collision of the treatment liquid while discharging the treatment liquid in a downward inclined direction on a substrate rotated from a nozzle, And a first moving step of moving the collision point to a second area of the substrate, wherein movement of the colliding point in the first moving step is performed by adjusting the height of the nozzle.

상기 제1영역은 상기 기판의 중심으로부터 이격되는 영역이고, 상기 제2영역은 상기 기판의 중심에 대응되는 영역일 수 있다. 상기 탄착 지점을 이동시키는 것은, 상기 제1이동 단계 이후에 상기 제2영역에서 상기 기판의 제3영역으로 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 더 포함하되, 상기 제3영역은 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 영역일 수 있다. 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상이할 수 있다. 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공될 수 있다. 상기 노즐은 상기 제1영역에서 상기 제2영역을 향하는 방향으로 하향 경사지게 상기 처리액을 토출할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 노즐의 토출구는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 상기 처리액의 탄착 지점이 상기 제3영역에 가까워질수록 상기 처리액의 유량이 적어질 수 있다. The first region may be a region spaced apart from the center of the substrate, and the second region may be a region corresponding to the center of the substrate. Wherein moving the point of impact further comprises: a second moving step of moving the point of impact from the second area to a third area of the substrate after the first moving step, And may be an area corresponding to the edge area. The movement direction of the launching point in the first movement step may be different from the movement direction of the launching point in the second movement step. In the first movement step, the movement direction of the launching point and the movement direction of the launching point in the second movement step may be provided in directions perpendicular to each other. And the nozzle may discharge the treatment liquid in a downward slope in the direction from the first region toward the second region. The discharge port of the nozzle may be provided in a slit shape having a longitudinal direction parallel to the moving direction of the launching point in the second moving step. The closer the approaching point of the treatment liquid to the third region, the smaller the flow rate of the treatment liquid can be.

기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 액 공급 유닛을 제어하여 처리액의 탄착 지점을 이동시키는 제어기를 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액을 하향 경사진 방향을 토출하는 노즐 및 상기 노즐을 상하 방향으로 이동시키는 수직 구동 부재를 포함하고, 상기 제어기는 처리액이 토출되는 동안에 기판의 제1영역에서 상기 제2영역으로 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계를 수행하되, 상기 제어기는 상기 제1이동 단계에서 상기 수직 구동 부재를 제어한다.The substrate processing apparatus includes a processing vessel having a processing space therein, a substrate support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space, a liquid supply unit for discharging the processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, Wherein the liquid supply unit includes a nozzle for discharging the processing liquid in a downward inclined direction and a vertical driving member for moving the nozzle in the vertical direction, The controller performs a first moving step of moving the spot of treatment liquid from the first area of the substrate to the second area while the treatment liquid is being dispensed, .

상기 제어기는 상기 제1이동 단계 이후에, 상기 제2영역에서 상기 기판의 제3영역으로 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 더 수행하되, 상기 제1영역은 상기 기판의 중심으로부터 이격되는 영역이고, 상기 제2영역은 상기 기판의 중심에 대응되는 영역이며, 상기 제3영역은 기판의 가장자리 영역에 대응되는 영역으로 제공될 수 있다. Wherein the controller further performs a second moving step of moving the point of impact of the treatment liquid from the second area to a third area of the substrate after the first moving step, The second region is a region corresponding to the center of the substrate, and the third region is provided in a region corresponding to an edge region of the substrate.

상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공될 수 있다. 상기 노즐의 토출구는 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향을 향하는 방향으로 갈수록 하향 경사진 방향을 향하고, 상부에서 바라볼 때 상기 토출구는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. In the first movement step, the movement direction of the launching point and the movement direction of the launching point in the second movement step may be provided in directions perpendicular to each other. The ejection port of the nozzle is directed downwardly inclined in a direction toward the moving direction of the launching point in the first moving step and the ejecting opening is moved in the moving direction of the launching point in the second moving step And may be provided in a slit shape having a parallel longitudinal direction.

상기 액 공급 유닛은 상기 노즐을 상기 상하 방향과 수직한 방향으로 이동시키는 수평 구동 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 제2이동 단계에서 상기 수평 구동 부재를 제어할 수 있다. The liquid supply unit may further include a horizontal driving member for moving the nozzle in a direction perpendicular to the vertical direction, and the controller may control the horizontal driving member in the second moving step.

또한 기판을 액 처리하는 방법으로는, 노즐로부터 회전되는 기판 상에 처리액을 토출하면서 상기 처리액의 탄착 지점을 이동시키되, 상기 탄착 지점을 이동시키는 것은 상기 기판의 중심으로부터 이격된 제1영역에 상기 처리액의 토출을 시작하고, 이후에 상기 제1영역으로부터 상기 기판의 중심에 대응되는 제2영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계 및 상기 제2영역으로부터 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 제3영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 포함하되, 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 상이하다. In addition, as a method of performing the liquid processing of the substrate, it is also possible to move the collision point of the treatment liquid while discharging the treatment liquid onto the substrate rotated from the nozzle, and moving the collision point is performed in a first region spaced apart from the center of the substrate A first moving step of starting the ejection of the processing liquid and thereafter moving the positioning point of the processing liquid from the first area to a second area corresponding to the center of the substrate, And a second moving step of moving the launching point of the treatment liquid to a third area corresponding to the edge area, wherein the moving direction of the launching point and the moving point of the launching point in the second moving step in the first moving step The moving directions are different from each other.

상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공될 수 있다. 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 거리는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 거리보다 짧을 수 있다. 상기 노즐은 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향으로 하향 경사지게 상기 처리액을 토출할 수 있다. 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐을 상하 방향과 평행한 수직 방향으로 이동시켜 이루어질 수 있다. 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐을 상기 수직 방향과 수직한 수평 방향으로 이동시켜 이루어질 수 있다. 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐을 상기 수직 방향의 이동없이 이루어질 수 있다. 상기 노즐의 토출구는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. In the first movement step, the movement direction of the launching point and the movement direction of the launching point in the second movement step may be provided in directions perpendicular to each other. The movement distance of the launching point in the first movement step may be shorter than the movement distance of the launching point in the second movement step. The nozzle may discharge the treatment liquid in a downward sloping direction in the moving direction of the launching point in the first moving step. In the first movement step, the movement of the launching point may be performed by moving the nozzle in a vertical direction parallel to the vertical direction. In the second movement step, the movement of the collision point may be performed by moving the nozzle in a horizontal direction perpendicular to the vertical direction. In the second movement step, the movement of the collision point may be performed without moving the nozzle in the vertical direction. The discharge port of the nozzle may be provided in a slit shape having a longitudinal direction parallel to the moving direction of the launching point in the second moving step.

또한 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액을 토출하는 노즐 및 상기 노즐을 이동시키는 이동 유닛을 포함하고, 상기 제어기는 상기 기판의 중심으로부터 이격된 제1영역에 상기 처리액의 토출을 시작하고, 이후에 상기 제1영역으로부터 상기 기판의 중심에 대응되는 제2영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계 및 상기 제2영역으로부터 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 제3영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 순차적으로 수행하되, 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 상이하도록 상기 이동 유닛을 제어한다.The substrate processing apparatus further includes a processing vessel having a processing space therein, a substrate support unit for supporting and rotating the substrate in the processing space, a liquid supply unit for supplying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit, And a controller for controlling the supply unit, wherein the liquid supply unit includes a nozzle for discharging the processing liquid and a moving unit for moving the nozzle, wherein the controller controls the processing liquid A first moving step of moving the spot of the treatment liquid from the first area to a second area corresponding to the center of the substrate, and a second moving step of moving from the second area to the edge area of the substrate And a second movement step of moving the launching point of the treatment liquid to a corresponding third area in sequence, The moving direction of the launching point and the moving direction of the launching point in the second moving step are different from each other.

상기 제어기는 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공되도록 상기 이동 유닛을 제어할 수 있다. 상기 이동 유닛은 상기 노즐을 상하 방향과 평행한 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동 부재 및 상기 노즐을 상기 수직 방향과 수직한 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동 부재를 포함하되, 상기 제어기는 상기 제1이동 단계에서 상기 수직 구동 부재만을 제어하고, 상기 제2이동 단계에서 상기 수평 구동 부재만을 제어할 수 있다. 상기 노즐의 토출구는 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향을 따라 하향 경사진 방향을 향하고, 상부에서 바라볼 때 상기 토출구는 상기 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. The controller may control the mobile unit so that the moving direction of the launching point and the moving direction of the launching point in the second moving step are provided in directions perpendicular to each other in the first moving step. Wherein the moving unit includes a vertical driving member for moving the nozzle in a vertical direction parallel to the vertical direction and a horizontal driving member for moving the nozzle in a horizontal direction perpendicular to the vertical direction, Only the vertical driving member can be controlled in the second moving step, and only the horizontal driving member can be controlled in the second moving step. Wherein the discharge port of the nozzle is oriented in a downward inclined direction along the moving direction of the impact point in the first moving step and the discharge port is parallel to the moving direction of the impact point in the second moving step And may be provided in a slit shape having a longitudinal direction.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리액은 경사진 방향으로 토출되며, 처리액의 탄착 지점은 기판의 중심으로부터 이격된 위치에서 시작된다. 이에 따라 기판의 중심부 중 일부 영역이 다른 영역에 비해 상이한 두께의 액막이 형성되는 것을 방지할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the treatment liquid is discharged in an oblique direction, and the point of collision of the treatment liquid starts at a position spaced from the center of the substrate. Accordingly, it is possible to prevent a liquid film having a thickness different from that of other regions in a part of the central portion of the substrate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리액은 탄착 지점이 기판의 중심에서 가장자리 영역에 가까워질수록 그 유량이 적어진다. 이에 따라 기판으로부터 비산된 처리액이 주변 장치를 오염시키는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the flow rate of the treatment liquid becomes smaller as the point of collision approaches the edge region from the center of the substrate. Thus, it is possible to prevent the processing liquid scattered from the substrate from contaminating the peripheral device.

도 1은 일반적으로 기판 상에 공급된 처리액의 흐름을 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 상에 형성된 처리액의 액막을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 상에 공급된 처리액이 비산되는 것을 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 5는 도 4의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 4의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 4의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 8은 도 4의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 노즐 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 10 내지 도 13은 도 9의 노즐 유닛을 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 14는 도 13의 기판 상에서 처리액의 탄착 경로를 보여주는 평면도이다.
도 15는 도 14의 탄착 경로의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 16은 도 13의 탄착 경로의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan view generally showing the flow of a treatment liquid supplied on a substrate. Fig.
FIG. 2 is a plan view showing a liquid film of the treatment liquid formed on the substrate of FIG. 1; FIG.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing that the treatment liquid supplied on the substrate of Fig. 1 is scattered. Fig.
4 is a top view of a substrate processing facility according to an embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a cross-sectional view of the facility of Fig. 4 viewed in the AA direction.
Fig. 6 is a cross-sectional view of the facility of Fig. 4 viewed from the BB direction.
7 is a cross-sectional view of the installation of Fig.
8 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG.
FIG. 9 is a perspective view showing the nozzle unit of FIG. 8; FIG.
FIGS. 10 to 13 are views showing a process of processing a substrate using the nozzle unit of FIG.
Fig. 14 is a plan view showing the path of scratching of the treatment liquid on the substrate of Fig. 13; Fig.
15 is a plan view showing another embodiment of the collision path of Fig.
FIG. 16 is a plan view showing another embodiment of the collision path of FIG. 13. FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

이하 도 1 내지 도 16을 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 16. FIG.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이고, 도 5는 도 4의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이며, 도 6은 도 4의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 7은 도 4의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 4 is a plan view of the substrate processing equipment according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a view of the equipment of FIG. 4 viewed from the direction AA, FIG. 6 is a view of the equipment of FIG. Fig. 4 is a view of the facility of Fig. 4 viewed from CC direction.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 4 to 7, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the wafer W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process in which the wafer W is heated to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the wafer W before the photoresist is applied, A soft bake process is performed after coating the wafer W on the wafer W, and a cooling process for cooling the wafer W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(800)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(800)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(800)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process . The development module 402 has a development chamber 800, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. [ The development chamber 800, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 800 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 800 are provided and a plurality of developing chambers 800 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing chambers 800 are provided is shown. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(800), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470, the development chambers 800, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(800)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(800)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(800)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(800)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. 본 실시예에는 현상 챔버(800)가 기판(W)을 액 처리하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다. 도 8은 도 4의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 기판 지지 유닛(810), 처리 용기(820), 승강 유닛(840), 액 공급 유닛(850), 그리고 제어기(890)를 포함한다. The development chambers 800 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 800 may be different from each other. The development chamber 800 is provided with an apparatus for developing a substrate. The development chamber 800 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed. In this embodiment, the development chamber 800 is provided with a substrate processing apparatus 800 for liquid-processing the substrate W. 8 is a cross-sectional view showing the substrate processing apparatus of FIG. 8, the substrate processing apparatus 800 includes a substrate supporting unit 810, a processing vessel 820, a lift unit 840, a liquid supply unit 850, and a controller 890. [

기판 지지 유닛(810)은 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(810)은 지지 플레이트(813), 회전축(814), 그리고 구동기(814)를 포함한다. 지지 플레이트(813)의 상면에는 기판(W)을 지지하는 핀 부재들(811,812)이 결합된다. 핀 부재의 일부(811)는 기판(W)의 저면을 지지하고, 다른 일부(812)는 기판(W)의 측면을 지지한다. 회전축(814)은 그 길이방향이 상하방향을 향하는 원통 형상을 가지도록 제공된다. 회전축(814)은 지지 플레이트(813)의 저면에 결합된다. 구동기(814)는 회전축(814)에 회전력을 제공한다. 회전축(814)은 구동기(814)에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 지지 플레이트(813)는 회전축(814)과 함께 회전 가능하다. 회전축(814)은 구동기(814)에 의해 그 회전 속도가 조절되어 기판(W)의 회전 속도를 조절 가능하다. 예컨대, 구동기(814)는 모터일 수 있다. The substrate supporting unit 810 supports and rotates the substrate W. The substrate support unit 810 includes a support plate 813, a rotation axis 814, and a driver 814. On the upper surface of the support plate 813, pin members 811 and 812 for supporting the substrate W are coupled. A portion 811 of the pin member supports the bottom surface of the substrate W and another portion 812 supports the side surface of the substrate W. [ The rotary shaft 814 is provided so as to have a cylindrical shape whose longitudinal direction faces up and down. The rotary shaft 814 is coupled to the bottom surface of the support plate 813. The driver 814 provides a rotational force to the rotating shaft 814. [ The rotary shaft 814 is provided so as to be rotatable about a central axis by a driver 814. The support plate 813 is rotatable together with the rotation shaft 814. The rotating speed of the rotating shaft 814 is adjusted by the driving unit 814 so that the rotating speed of the substrate W can be adjusted. For example, the driver 814 may be a motor.

처리 용기(820)는 내부에 현상 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(820)는 현상 공정에서 사용된 처리액을 회수한다. 처리 용기(820)는 회수통(822) 및 회수 라인(830)을 포함한다. 회수통(822)은 수직벽(824), 바닥벽(826), 그리고 경사벽(828)을 포함한다. 수직벽(824)은 기판 지지 유닛(810)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 수직벽(824)은 기판 지지 유닛(810)과 이격되는 직경을 가지도록 제공된다. 수직벽(824)은 기판 지지 유닛(810)과 그 중심축이 일치하도록 위치된다. 바닥벽(826)은 수직벽(824)의 하단으로부터 연장된다. 바닥벽(826)은 기판 지지 유닛(810)의 중심축을 향하는 수평 방향을 향하도록 제공된다. 경사벽(828)은 수직벽(824)의 상단으로부터 연장된다. 경사벽(828)은 기판 지지 유닛(810)의 중심축과 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 선택적으로, 경사벽(828)은 수평 방향을 향하도록 제공될 수 있다.The processing vessel 820 provides a processing space in which a developing process is performed. The processing vessel 820 recovers the processing solution used in the developing process. The processing vessel 820 includes a recovery cylinder 822 and a recovery line 830. The recovery cylinder 822 includes a vertical wall 824, a bottom wall 826, and an inclined wall 828. The vertical wall 824 is provided to have an annular ring shape surrounding the substrate support unit 810. The vertical wall 824 is provided to have a diameter that is spaced apart from the substrate support unit 810. The vertical wall 824 is positioned so that its central axis coincides with the substrate support unit 810. The bottom wall 826 extends from the lower end of the vertical wall 824. The bottom wall 826 is provided so as to face in the horizontal direction toward the central axis of the substrate supporting unit 810. The slanted wall 828 extends from the top of the vertical wall 824. The inclined wall 828 is provided so as to face upwardly inclined as it approaches the central axis of the substrate supporting unit 810. [ Alternatively, the inclined wall 828 may be provided to face in the horizontal direction.

회수 라인(830)은 처리 공간으로 회수된 처리액을 외부로 배출한다. 회수 라인(830)은 바닥벽(826)에 연결된다. 배출된 처리액은 회수 라인(830)을 통해 외부의 재생 시스템으로 제공될 수 있다.The recovery line 830 discharges the processing liquid recovered to the processing space to the outside. The recovery line 830 is connected to the bottom wall 826. The discharged treatment liquid can be supplied to the external regeneration system through the recovery line 830. [

승강 유닛(840)은 처리 용기(820)와 기판 지지 유닛(810) 간의 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(840)은 처리 용기(820)를 상하 방향으로 이동시킨다. 승강 유닛(840)은 브라켓(842), 이동축(844), 그리고 구동기(846)를 포함한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)와 이동축(844)을 연결한다. 브라켓(842)은 처리 용기(820)의 수직벽(822)에 고정 설치된다. 이동축(844)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(844)의 상단은 브라켓(842)에 고정 결합된다. 이동축(844)은 구동기(846)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 처리 용기(820)는 이동축(844)과 함께 승강 이동이 가능하다. 예컨대, 구동기(846)는 모터일 수 있다.The lift unit 840 adjusts the relative height between the processing container 820 and the substrate supporting unit 810. The elevating unit 840 moves the processing vessel 820 in the vertical direction. The lifting unit 840 includes a bracket 842, a moving shaft 844, and a driver 846. The bracket 842 connects the processing vessel 820 and the moving shaft 844. The bracket 842 is fixed to the vertical wall 822 of the processing vessel 820. The moving shaft 844 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The upper end of the moving shaft 844 is fixedly coupled to the bracket 842. The moving shaft 844 is moved up and down by the actuator 846 and the processing vessel 820 is movable up and down together with the moving shaft 844. [ For example, the driver 846 may be a motor.

액 공급 유닛(850)은 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(850)은 이동 유닛(860) 및 노즐 유닛(870)을 포함한다. 이동 유닛(860)은 노즐 유닛(870)을 이동시킨다. 일 예에 의하면, 이동 유닛(860)은 노즐 유닛(870)을 수평 방향 및 수직 방향으로 이동시킬 수 있다. 이동 유닛(860)은 노즐 유닛(870)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐 유닛(870)이 기판 지지 유닛(810)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치이다. The liquid supply unit 850 supplies the treatment liquid onto the substrate W supported by the substrate holding unit 810. [ The liquid supply unit 850 includes a moving unit 860 and a nozzle unit 870. The moving unit 860 moves the nozzle unit 870. According to one example, the mobile unit 860 can move the nozzle unit 870 in the horizontal and vertical directions. The moving unit 860 moves the nozzle unit 870 to the process position and the standby position. Here, the processing position is a position where the nozzle unit 870 is opposed to the substrate W supported by the substrate supporting unit 810, and the standby position is a position out of the processing position.

이동 유닛(860)은 수평 구동 부재(862) 및 수직 구동 부재(863)를 포함한다. 수평 구동 부재(862)는 노즐 유닛(870)을 수평 방향으로 이동시킨다. 일 예에 의하면, 수평 구동 부재(862)는 노즐 유닛(870)을 제1방향(12)으로 직선 이동시킨다. 수평 구동 부재(862)는 가이드 레일(862)을 포함한다. 가이드 레일(862)은 처리 용기(820)의 일측에 위치된다. 가이드 레일(862)은 노즐 유닛(870)의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대, 가이드 레일(862)의 길이 방향은 제1방향(12)을 향하도록 제공될 수 있다. The mobile unit 860 includes a horizontal driving member 862 and a vertical driving member 863. The horizontal driving member 862 moves the nozzle unit 870 in the horizontal direction. According to one example, the horizontal drive member 862 linearly moves the nozzle unit 870 in the first direction 12. The horizontal drive member 862 includes a guide rail 862. The guide rails 862 are positioned on one side of the processing vessel 820. The guide rail 862 is provided so as to have a lengthwise direction parallel to the moving direction of the nozzle unit 870. For example, the longitudinal direction of the guide rail 862 may be provided so as to face the first direction 12.

수직 구동 부재(863)는 노즐 유닛(870)을 수직 방향인 상하 방향(16)으로 직선 이동시킨다. 수직 구동 부재(863)는 지지 아암(864), 브라켓(866), 그리고 승강축(868)을 포함한다. 지지 아암(864)은 노즐 유닛(870)을 지지한다. 지지 아암(864)은 바 형상을 가지도록 제공된다. 상부에서 바라볼 때 지지 아암(864)은 가이드 레일(862)과 수직한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 예컨대. 지지 아암(864)의 길이 방향은 제2방향(14)을 향하도록 제공될 수 있다. 지지 아암(864)의 일단에는 노즐 유닛(870)이 결합된다. 브라켓(866)은 가이드 레일(862)에 설치된다. 브라켓(866)은 가이드 레일(864) 내에 설치된 모터(미도시)에 의해 가이드 레일(862)의 길이 방향을 따라 직선 이동될 수 있다. 승강축(868)은 브라켓(866)과 지지 아암(864)을 서로 연결한다. 승강축(868)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 승강축(868)은 상하 방향에 대해 그 길이가 조절 가능하다. 승강축(868)의 상단에는 지지 아암(864)이 결합되고, 하단에는 브라켓(866)이 연결된다. 따라서 노즐 유닛(870), 지지 아암(864), 승강축(868), 그리고 브라켓(866)은 수평 구동 부재(862)에 의해 수평 방향으로 이동 가능하다. 노즐 유닛(870) 및 지지 아암(864)은 승강축(868)에 의해 수직 방향으로 이동 가능하다.The vertical driving member 863 linearly moves the nozzle unit 870 in the vertical direction 16, which is the vertical direction. The vertical drive member 863 includes a support arm 864, a bracket 866, and an elevation shaft 868. The support arm 864 supports the nozzle unit 870. The support arm 864 is provided to have a bar shape. The support arms 864 are provided so as to have a longitudinal direction perpendicular to the guide rails 862 when viewed from above. for example. The longitudinal direction of the support arm 864 may be provided to face the second direction 14. A nozzle unit 870 is coupled to one end of the support arm 864. The bracket 866 is mounted on the guide rail 862. The bracket 866 can be linearly moved along the longitudinal direction of the guide rail 862 by a motor (not shown) provided in the guide rail 864. The lifting shaft 868 connects the bracket 866 and the supporting arm 864 to each other. The lifting shaft 868 is provided so that its longitudinal direction is directed up and down. The lifting shaft 868 is adjustable in its length with respect to the vertical direction. A support arm 864 is coupled to the upper end of the lifting shaft 868, and a bracket 866 is connected to the lower end. Thus, the nozzle unit 870, the support arm 864, the lift shaft 868, and the bracket 866 are movable in the horizontal direction by the horizontal drive member 862. The nozzle unit 870 and the support arm 864 are movable in the vertical direction by the lift shaft 868.

노즐 유닛(870)은 다양한 종류의 액을 토출한다. 도 9는 도 8의 노즐 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 9를 참조하면, 노즐 유닛(870)은 지지 바디(872), 웨팅 노즐(874), 전 처리 노즐(876), 그리고 메인 노즐(878)을 포함한다. 지지 바디(872)는 웨팅 노즐(874), 전 처리 노즐(876), 그리고 메인 노즐(878)을 지지한다. 지지 바디(872)는 지지 아암(864)의 일단 저면에 고정 결합된다. 지지 바디(872)의 저면에는 웨팅 노즐(874), 전 처리 노즐(876), 그리고 메인 노즐(878) 각각이 고정 결합된다.The nozzle unit 870 discharges various kinds of liquid. FIG. 9 is a perspective view showing the nozzle unit of FIG. 8; FIG. 9, the nozzle unit 870 includes a support body 872, a wetting nozzle 874, a pretreatment nozzle 876, and a main nozzle 878. The support body 872 supports a wetting nozzle 874, a pretreatment nozzle 876, and a main nozzle 878. The support body 872 is fixedly coupled to the bottom surface of one end of the support arm 864. A wetting nozzle 874, a pretreatment nozzle 876, and a main nozzle 878 are fixedly coupled to the bottom surface of the support body 872, respectively.

전 처리 노즐(876)은 스트림 방식으로 처리액을 토출한다. 전 처리 노즐(876)은 제1밸브(876a)가 설치된 제1액 공급 라인(876b)에 연결된다. 전 처리 노즐(876)은 제1액 공급 라인(876b)으로부터 처리액을 공급받아 처리액을 토출한다. 전 처리 노즐(876)은 원 형상의 스트림 토출구를 가진다. 스트림 토출구는 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 전 처리 노즐(876)은 스트림 노즐(876)일 수 있다. 처리액은 현상액일 수 있다.The pretreatment nozzle 876 discharges the treatment liquid in a stream manner. The pretreatment nozzle 876 is connected to the first liquid supply line 876b provided with the first valve 876a. The pretreatment nozzle 876 receives the treatment liquid from the first liquid supply line 876b and discharges the treatment liquid. The pretreatment nozzle 876 has a circular stream discharge port. The stream discharge port is provided so as to face in the vertical downward direction. According to one example, the pretreatment nozzle 876 may be a stream nozzle 876. The treatment liquid may be a developer.

메인 노즐(878)은 액 커튼 방식으로 처리액을 토출한다. 메인 노즐(878)은 전 처리 노즐(876)의 일측에 위치된다. 메인 노즐(878)은 전 처리 노즐(876)에 대향되게 위치된다. 메인 노즐(878)은 제2밸브(878a)가 설치된 제2액 공급 라인(878b)에 연결된다. 제2액 공급 라인(878b)은 제1액 공급 라인(876b)으로부터 분기된 라인으로 제공된다. 메인 노즐(878)은 제2액 공급 라인(878b)으로부터 처리액을 공급받아 처리액을 토출한다. 메인 노즐(878)은 슬릿 형상의 슬릿 토출구를 가진다. 슬릿 토출구는 가이드 레일(862)과 평행한 길이 방향을 가진다. 슬릿 토출구는 제1방향(12)을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다. 슬릿 토출구는 메인 노즐(878)에서 전 처리 노즐(876)을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공된다. 슬릿 토출구는 기판(W)의 반경보다 짧은 길이를 가지도록 제공된다. 슬릿 토출구의 끝단은 스트림 토출구의 끝단에 비해 높게 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 메인 노즐(878) 및 전 처리 노즐(876)은 제2방향(14)을 따라 배치될 수 있다. 메인 노즐(878)은 슬릿 노즐(878)로 제공될 수 있다.The main nozzle 878 discharges the process liquid in a liquid curtain manner. The main nozzle 878 is located at one side of the pretreatment nozzle 876. The main nozzle 878 is positioned opposite the pretreatment nozzle 876. The main nozzle 878 is connected to a second liquid supply line 878b provided with a second valve 878a. The second liquid supply line 878b is provided as a line branched from the first liquid supply line 876b. The main nozzle 878 receives the process liquid from the second liquid supply line 878b and discharges the process liquid. The main nozzle 878 has a slit-shaped slit discharge port. The slit discharge port has a longitudinal direction parallel to the guide rail 862. The slit discharge port may have a longitudinal direction toward the first direction (12). The slit discharge port is provided at a downward slope in the direction from the main nozzle 878 toward the pretreatment nozzle 876. The slit discharge port is provided so as to have a length shorter than the radius of the substrate (W). The end of the slit discharge port can be located higher than the end of the stream discharge port. According to one example, the main nozzle 878 and the pretreatment nozzle 876 may be disposed along the second direction 14. The main nozzle 878 may be provided with a slit nozzle 878.

웨팅 노즐(874)은 스트림 방식으로 웨팅액을 토출한다. 웨팅 노즐(874)은 전 처리 노즐(876) 및 메인 노즐(878)에 인접하게 위치된다. 웨팅 노즐(874)은 전 처리 노즐(876)에 대해 제1방향(12)을 따라 배치된다. 웨팅 노즐(874)에는 제3밸브(874a)가 설치된 제3액 공급 라인(874b)이 연결된다. 웨팅 노즐(874)은 제3액 공급 라인(874b)으로부터 웨팅액을 공급받아 웨팅액을 토출한다. 웨팅 노즐(874)은 원 형상의 토출구를 가진다. 웨팅 노즐(874)의 토출구는 수직한 아래 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 웨팅액은 순수일 수 있다. The wetting nozzle 874 discharges the wetting liquid in a streaming manner. The wetting nozzle 874 is positioned adjacent to the pretreatment nozzle 876 and the main nozzle 878. The wetting nozzle 874 is disposed along the first direction 12 with respect to the pretreatment nozzle 876. A third liquid supply line 874b provided with a third valve 874a is connected to the wetting nozzle 874. The wetting nozzle 874 receives the wetting liquid from the third liquid supply line 874b and discharges the wetting liquid. The wetting nozzle 874 has a circular discharge port. The discharge port of the wetting nozzle 874 is provided so as to face in the vertical downward direction. According to one example, the wetting liquid may be pure water.

제어기(890)는 구동기(814) 및 액 공급 유닛(850)을 제어한다. 제어기(890)는 액 공급 유닛(850)의 각 밸브, 수평 구동 부재(862), 그리고 수직 구동 부재(863)를 제어하여 각 액의 토출 유량 및 각 액의 탄착 지점이 조절한다. 제어기(890)는 기판(W) 상에 웨팅액, 스트림 방식의 처리액, 그리고 액 커튼 방식의 처리액이 순차 공급되도록 각 밸브를 제어한다. 또한 제어기(890)는 기판(W) 상에 공급되는 액의 종류에 따라 기판(W)의 회전 속도가 상이하도록 구동기(814)를 제어할 수 있다. 일 예에 의하면, 제어기(890)는 웨팅 노즐(874)로부터 웨팅액이 공급되는 중에 기판(W)을 제1속도로 회전시키고, 전 처리 노즐(876)로부터 처리액이 공급되는 중에 기판(W)을 제2속도로 회전시키며, 메인 노즐(878)로부터 처리액이 공급되는 중에 기판(W)을 제3속도로 회전시킬 수 있다. 제2속도는 제1속도 및 제3속도보다 빠른 속도일 수 있다. 제3속도는 제1속도보다 빠른 속도일 수 있다. 선택적으로, 제1속도 및 제3속도는 제2속도보다 느리면서, 서로 동일한 속도로 제공될 수 있다. 또한 제어기(890)는 웨팅 노즐(874)의 웨팅액 및 전 처리 노즐(876)의 처리액 각각의 탄착 지점이 기판(W)의 중심에 공급되도록 액 공급 유닛(850)을 제어할 수 있다. 제어기(890)는 메인 노즐(878)의 처리액 탄착 지점이 기판(W)의 제1영역(A), 제2영역(B), 그리고 가장자리 영역(C)으로 순차 공급되도록 액 공급 유닛(850)을 제어할 수 있다. 여기서 제1영역(A)은 기판(W)의 중심으로부터 이격된 영역이고, 제2영역(B)은 기판(W)의 중심에 대응되는 영역으로 정의한다. 상부에서 바라볼 때 제1영역(A)에서 제2영역을 향하는 방향은 제2영역(B)에서 기판(W)의 가장자리 영역(C)을 향하는 방향과 수직하게 제공될 수 있다. 제1영역(A)과 제2영역(B) 간에 거리는 제2영역(B)과 기판(W)의 가장자리 영역(C) 간에 거리보다 짧을 수 있다. 제어기(890)는 처리액이 제1영역(A)에서 제2영역(B)으로 토출되도록 수직 구동 부재(863)을 제어할 수 있다.The controller 890 controls the driver 814 and the liquid supply unit 850. The controller 890 controls each valve of the liquid supply unit 850, the horizontal drive member 862, and the vertical drive member 863 to regulate the discharge flow rate of each liquid and the launching point of each liquid. The controller 890 controls each valve so that the wetting liquid, the stream-type treatment liquid, and the liquid curtain-type treatment liquid are sequentially supplied onto the substrate W. The controller 890 may control the driver 814 such that the rotation speed of the substrate W is different depending on the type of the liquid supplied onto the substrate W. [ The controller 890 rotates the substrate W at the first speed while the wetting liquid is being supplied from the wetting nozzle 874 and the substrate W is supplied while the processing liquid is being supplied from the pre- And the substrate W can be rotated at the third speed while the process liquid is being supplied from the main nozzle 878. [ The second speed may be faster than the first speed and the third speed. The third speed may be faster than the first speed. Optionally, the first speed and the third speed may be provided at the same speed as each other, being slower than the second speed. The controller 890 can also control the liquid supply unit 850 so that the spot of the wetting liquid of the wetting nozzle 874 and the spot of the treatment liquid of the pretreatment nozzle 876 are supplied to the center of the substrate W. [ The controller 890 controls the liquid supply unit 850 so that the process liquid deposition point of the main nozzle 878 is sequentially supplied to the first area A, the second area B, and the edge area C of the substrate W. [ Can be controlled. The first area A is an area spaced apart from the center of the substrate W and the second area B is defined as an area corresponding to the center of the substrate W. [ The direction from the first area A to the second area can be provided perpendicular to the direction toward the edge area C of the substrate W in the second area B. [ The distance between the first area A and the second area B may be shorter than the distance between the second area B and the edge area C of the substrate W. [ The controller 890 can control the vertical driving member 863 so that the processing liquid is discharged from the first area A to the second area B. [

다음은 상술한 기판 처리 장치(800)를 이용하여 기판(W)을 액 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)의 액 처리 방법은 크게 프리 웨팅 단계, 전 처리 단계, 그리고 메인 처리 단계를 포함한다. 프리 웨팅 단계, 전 처리 단계, 그리고 메인 처리 단계는 순차적으로 진행된다. 메인 처리 단계는 제1이동 단계 및 제2이동 단계를 포함한다. 도 10 내지 도 13을 참조하면, 기판 지지 유닛(810)에 기판(W)이 로딩되면, 노즐 유닛(870)은 대기 위치에서 공정 위치로 이동된다. 프리 웨팅 단계가 진행되면, 기판(W)은 제1속도로 회전되고, 웨팅 노즐(874)은 웨팅액을 기판(W)의 상면 중심에 토출한다. 토출된 웨팅액은 기판(W)의 상면 중심에 웨팅 액막을 형성한다. 웨팅 액막은 기판(W)의 원심력에 의해 전체 영역으로 확산되어 기판(W)을 젖음 상태로 전환시킨다. 프리 웨팅 단계가 완료되면, 전 처리 단계가 진행된다.Next, a method of liquid-treating the substrate W using the above-described substrate processing apparatus 800 will be described. The liquid processing method of the substrate W mainly includes a pre-wetting step, a pre-processing step, and a main processing step. The prewetting step, the preprocessing step, and the main processing step are sequentially performed. The main processing step includes a first moving step and a second moving step. 10-13, when the substrate W is loaded on the substrate support unit 810, the nozzle unit 870 is moved from the standby position to the process position. When the prewetting step is performed, the substrate W is rotated at the first speed, and the wetting nozzle 874 discharges the wetting liquid to the center of the upper surface of the substrate W. The discharged wetting liquid forms a wetting liquid film at the center of the upper surface of the substrate (W). The wetting liquid film is diffused into the entire area by the centrifugal force of the substrate W to convert the substrate W into a wet state. When the prewetting step is completed, the preprocessing step proceeds.

전 처리 단계에는 기판(W) 상에 스트림 방식으로 처리액을 공급한다. 기판(W)은 제2속도로 회전되고, 전 처리 노즐(876)은 기판(W)의 중심으로 처리액을 토출한다. 토출된 처리액은 웨팅 액막과 혼합되어 기판(W)의 전체 영역으로 확산된다. 기판(W)의 상면 전체 영역에 처리액 액막이 형성된다. 전 처리 단계가 완료되면, 메인 처리 단계가 진행된다.In the pretreatment step, the treatment liquid is supplied on the substrate W in a streamwise manner. The substrate W is rotated at a second speed, and the pretreatment nozzle 876 discharges the treatment liquid to the center of the substrate W. The discharged treatment liquid is mixed with the wetting liquid film and diffused into the entire area of the substrate W. A process liquid film is formed on the entire upper surface of the substrate W. When the preprocessing step is completed, the main processing step proceeds.

메인 처리 단계에는 기판(W) 상에 액 커튼 방식으로 처리액을 공급한다. 기판(W)은 제3속도로 회전되고, 메인 노즐(878)은 도 14와 같이, 기판(W)의 제1영역(A), 제2영역(B), 그리고 가장자리 영역(C)에 처리액을 순차 공급한다. 제1이동 단계에는 처리액을 제1영역(A)에서 제2영역(B)으로 토출한다. 메인 노즐(878)은 처리액의 탄착 지점이 이동되는 동안 처리액을 계속적으로 공급한다. 메인 노즐(878)은 제1영역(A)으로 처리액의 토출한다. 수직 구동 부재(863)에 의해 메인 노즐(88)이 승강 이동되고, 처리액의 탄착 지점이 제1영역(A)에서 제2영역(B)으로 이동된다.  In the main processing step, the processing liquid is supplied onto the substrate W in a liquid curtain manner. The substrate W is rotated at the third speed and the main nozzle 878 is rotated in the first area A, the second area B and the edge area C of the substrate W Liquid is supplied sequentially. In the first transfer step, the treatment liquid is discharged from the first area (A) to the second area (B). The main nozzle 878 continuously supplies the treatment liquid while the impact point of the treatment liquid is moved. The main nozzle 878 discharges the processing liquid to the first area A. [ The main nozzle 88 is moved up and down by the vertical driving member 863 and the point of collision of the process liquid is moved from the first area A to the second area B.

제2이동 단계에는 처리액을 제2영역(B)에서 기판의 가장자리 영역(C)으로 토출한다. 메인 노즐(878)은 수평 구동 부재(862)에 의해 수평 이동되고, 처리액의 탄착 지점은 제2영역(B)에서 가장자리 영역(C)으로 이동된다. 메인 노즐(878)은 처리액의 탄착 지점이 제2영역(B)에서 가장자리 영역(C)으로 이동되는 중에 그 토출 유량을 점차 감소시킨다. 선택적으로 메인 노즐(878)은 처리액의 탄착 지점이 기판(W)의 가장자리 영역(C)에 인접하면, 그 토출 유량을 감소시킬 수 있다.In the second transfer step, the treatment liquid is discharged from the second area (B) to the edge area (C) of the substrate. The main nozzle 878 is horizontally moved by the horizontal drive member 862 and the point of collision of the process liquid is moved from the second area B to the edge area C. The main nozzle 878 gradually decreases the discharge flow rate while the point of collision of the treatment liquid is moved from the second region B to the edge region C. [ Alternatively, the main nozzle 878 can reduce the discharge flow rate when the point of collision of the processing liquid is adjacent to the edge region C of the substrate W. [

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 도 15와 같이 메인 처리 단계에서 처리액의 탄착 지점은 제1영역(A)에서 제2영역(B)을 생략하고, 가장자리 영역(C)을 향해 일 방향으로 이동될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, as shown in FIG. 15, in the main processing step, the point of collision of the treatment liquid is performed in the first region A by omitting the second region B, Can be moved.

또한 본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 도 16과 같이 메인처리 단계에서 처리액의 탄착 지점은 제1영역(A) 이후에 가장자리 영역(C)을 향해 라운드진 방향으로 이동될 수 있다.Further, according to another embodiment of the present invention, as shown in Fig. 16, the point of collision of the processing liquid in the main processing step can be shifted toward the rounded direction toward the edge area C after the first area A.

상술한 실시예에는 하향 경사진 방향으로 토출되는 처리액을 기판(W)의 중심에 공급하지 않고, 제1영역(A)으로 공급한다. 이로 인해 기판(W)의 중앙 영역의 일부에 공급되는 처리액이 다른 일부에 공급되는 처리액보다 적거나 많이 공급되는 것을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, the processing liquid discharged in the downward inclined direction is supplied to the first region A without being supplied to the center of the substrate W. It is possible to prevent the processing liquid supplied to a part of the central region of the substrate W from being supplied in a smaller amount or more than the processing liquid supplied to the other part.

또한 처리액은 기판(W)의 가장자리 영역(C)에 인접하게 공급될수록 그 토출 유량이 적어진다. 이로 인해 기판(W)의 가장자리 영역(C)으로부터 비산된 처리액이 처리 용기(820)를 벗어나 주변 장치를 오염시키거나, 기판(W)을 역오염시키는 것을 방지할 수 있다.Further, as the process liquid is supplied adjacent to the edge region C of the substrate W, the discharge flow rate becomes smaller. This makes it possible to prevent the processing liquid scattered from the edge region C of the substrate W from escaping the processing container 820 and contaminating the peripheral device or reverse contamination of the substrate W. [

다시 도 4 내지 도 7을 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 4 to 7, the bake chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 731 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. Only the buffers and robots can be provided as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W in the interface module.

850: 액 공급 유닛 860: 이동 유닛
862: 수평 구동 부재 863: 수직 구동 부재
870 노즐 유닛 874: 웨팅 노즐
876: 전처리 노즐 878: 메인 노즐 850: liquid supply unit 860: mobile unit
862: horizontal driving member 863: vertical driving member
870 nozzle unit 874: wetting nozzle
876: Pretreatment nozzle 878: Main nozzle

Claims (25)

기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
노즐로부터 회전되는 기판 상에 하향 경사진 방향으로 처리액을 토출하면서 상기 처리액의 탄착 지점을 이동시키되,
상기 탄착 지점을 이동시키는 것은,
상기 기판의 제1영역에 상기 기판의 제2영역으로 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계를 포함하되,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐의 높이를 조절하여 이루어지는 기판 처리 방법.A method for liquid processing a substrate,
Moving the point of collision of the treatment liquid while discharging the treatment liquid in a downward inclined direction on the substrate rotated from the nozzle,
Moving the collision point may include:
And a first moving step of moving the impact point to a second area of the substrate in a first area of the substrate,
Wherein the movement of the launching point in the first movement step is controlled by adjusting the height of the nozzle. 제1항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 기판의 중심으로부터 이격되는 영역이고,
상기 제2영역은 상기 기판의 중심에 대응되는 영역인 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first region is an area spaced from the center of the substrate,
Wherein the second region is a region corresponding to the center of the substrate. 제2항에 있어서,
상기 탄착 지점을 이동시키는 것은,
상기 제1이동 단계 이후에 상기 제2영역에서 상기 기판의 제3영역으로 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 더 포함하되,
상기 제3영역은 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 영역인 기판 처리 방법.3. The method of claim 2,
Moving the collision point may include:
Further comprising: a second moving step of moving the point of collision from the second area to a third area of the substrate after the first moving step,
And the third region is an area corresponding to an edge region of the substrate. 제3항에 있어서,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상이한 기판 처리 방법.The method of claim 3,
Wherein the movement direction of the launching point in the first movement step is different from the movement direction of the launching point in the second movement step. 제4항에 있어서,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공되는 기판 처리 방법.5. The method of claim 4,
Wherein the moving direction of the launching point in the first moving step and the moving direction of the launching point in the second moving step are provided in directions perpendicular to each other. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은 상기 제1영역에서 상기 제2영역을 향하는 방향으로 하향 경사지게 상기 처리액을 토출하는 기판 처리 방법.6. The method according to any one of claims 3 to 5,
Wherein the nozzle discharges the processing liquid in a downward slope in the direction from the first area toward the second area. 제6에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 노즐의 토출구는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.In the sixth aspect,
Wherein the discharge port of the nozzle is provided in a slit shape having a longitudinal direction parallel to a moving direction of the colliding point in the second moving step when viewed from above. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액의 탄착 지점이 상기 제3영역에 가까워질수록 상기 처리액의 유량이 적어지는 기판 처리 방법.6. The method according to any one of claims 3 to 5,
And the flow rate of the processing liquid decreases as the impact point of the processing liquid approaches the third region. 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 토출하는 액 공급 유닛과;
상기 액 공급 유닛을 제어하여 처리액의 탄착 지점을 이동시키는 제어기를 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
처리액을 하향 경사진 방향을 토출하는 노즐과;
상기 노즐을 상하 방향으로 이동시키는 수직 구동 부재를 포함하고,
상기 제어기는,
처리액이 토출되는 동안에 기판의 제1영역에서 상기 제2영역으로 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계를 수행하되,
상기 제어기는 상기 제1이동 단계에서 상기 수직 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.A processing vessel having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting and rotating the substrate in the processing space;
A liquid supply unit for discharging the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
And a controller for controlling the liquid supply unit to move the point of collision of the treatment liquid,
The liquid supply unit includes:
A nozzle for discharging the treatment liquid in a downward inclined direction;
And a vertical driving member for vertically moving the nozzle,
The controller comprising:
Performing a first moving step of moving the spot of the treatment liquid from the first area of the substrate to the second area while the treatment liquid is being discharged,
Wherein the controller controls the vertical driving member in the first moving step. 제9항에 있어서,
상기 제어기는
상기 제1이동 단계 이후에, 상기 제2영역에서 상기 기판의 제3영역으로 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 더 수행하되,
상기 제1영역은 상기 기판의 중심으로부터 이격되는 영역이고,
상기 제2영역은 상기 기판의 중심에 대응되는 영역이며,
상기 제3영역은 기판의 가장자리 영역에 대응되는 영역으로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The controller
Further comprising: a second moving step of moving the spot of treatment liquid from the second area to a third area of the substrate after the first moving step,
Wherein the first region is an area spaced from the center of the substrate,
The second region is a region corresponding to the center of the substrate,
Wherein the third region is provided in a region corresponding to an edge region of the substrate. 제9항에 있어서,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the moving direction of the launching point in the first moving step and the moving direction of the launching point in the second moving step are provided in directions perpendicular to each other. 제11항에 있어서,
상기 노즐의 토출구는 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향을 향하는 방향으로 갈수록 하향 경사진 방향을 향하고, 상부에서 바라볼 때 상기 토출구는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The ejection port of the nozzle is directed downwardly inclined in a direction toward the moving direction of the launching point in the first moving step and the ejecting opening is moved in the moving direction of the launching point in the second moving step And is provided in a slit shape having a parallel longitudinal direction. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은
상기 노즐을 상기 상하 방향과 수직한 방향으로 이동시키는 수평 구동 부재를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 제2이동 단계에서 상기 수평 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.13. The method according to any one of claims 9 to 12,
The liquid supply unit
Further comprising a horizontal driving member for moving the nozzle in a direction perpendicular to the vertical direction,
Wherein the controller controls the horizontal driving member in the second moving step. 기판을 액 처리하는 방법에 있어서,
노즐로부터 회전되는 기판 상에 처리액을 토출하면서 상기 처리액의 탄착 지점을 이동시키되,
상기 탄착 지점을 이동시키는 것은,
상기 기판의 중심으로부터 이격된 제1영역에 상기 처리액의 토출을 시작하고, 이후에 상기 제1영역으로부터 상기 기판의 중심에 대응되는 제2영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계와;
상기 제2영역으로부터 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 제3영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 포함하되,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 상이한 기판 처리 방법.A method for liquid processing a substrate,
And moving the point of collision of the treatment liquid while discharging the treatment liquid onto the substrate rotated from the nozzle,
Moving the collision point may include:
And a second area corresponding to the center of the substrate, the first area being apart from the center of the substrate and starting to discharge the process liquid from the first area to a second area corresponding to the center of the substrate, A moving step;
And a second moving step of moving the spot of the treatment liquid from the second area to a third area corresponding to an edge area of the substrate,
Wherein the moving direction of the launching point and the moving direction of the launching point are different from each other in the first moving step and the second moving step. 제14항에 있어서,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공되는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
Wherein the moving direction of the launching point in the first moving step and the moving direction of the launching point in the second moving step are provided in directions perpendicular to each other. 제15항에 있어서,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 거리는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 거리보다 짧은 기판 처리 방법.16. The method of claim 15,
Wherein the movement distance of the launching point in the first movement step is shorter than the movement distance of the launching point in the second movement step. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향으로 하향 경사지게 상기 처리액을 토출하는 기판 처리 방법.17. The method according to any one of claims 14 to 16,
Wherein the nozzle discharges the processing liquid in a downward sloping direction in the moving direction of the launching point in the first moving step. 제17항에 있어서,
제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐을 상하 방향과 평행한 수직 방향으로 이동시켜 이루어지는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
Wherein the movement of the point of collision in the first movement step moves the nozzle in a vertical direction parallel to the vertical direction. 제18항에 있어서,
상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐을 상기 수직 방향과 수직한 수평 방향으로 이동시켜 이루어지는 기판 처리 방법.19. The method of claim 18,
Wherein the movement of the collision point in the second movement step moves the nozzle in a horizontal direction perpendicular to the vertical direction. 제19항에 있어서,
상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동은 상기 노즐을 상기 수직 방향의 이동없이 이루어지는 기판 처리 방법.20. The method of claim 19,
Wherein the movement of the collision point in the second movement step is performed without moving the nozzle in the vertical direction. 제19항에 있어서,
상기 노즐의 토출구는 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.20. The method of claim 19,
Wherein the ejection port of the nozzle is provided in a slit shape having a longitudinal direction parallel to a moving direction of the launching point in the second moving step. 내부에 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
처리액을 토출하는 노즐과;
상기 노즐을 이동시키는 이동 유닛을 포함하고,
상기 제어기는
상기 기판의 중심으로부터 이격된 제1영역에 상기 처리액의 토출을 시작하고, 이후에 상기 제1영역으로부터 상기 기판의 중심에 대응되는 제2영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제1이동 단계와;
상기 제2영역으로부터 상기 기판의 가장자리 영역에 대응되는 제3영역으로 상기 처리액의 상기 탄착 지점을 이동시키는 제2이동 단계를 순차적으로 수행하되,
상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 상이하도록 상기 이동 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.A processing vessel having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting and rotating the substrate in the processing space;
A liquid supply unit for supplying the processing liquid onto the substrate supported by the substrate supporting unit;
And a controller for controlling the liquid supply unit,
The liquid supply unit includes:
A nozzle for discharging the treatment liquid;
And a moving unit for moving the nozzle,
The controller
And a second area corresponding to the center of the substrate, the first area being apart from the center of the substrate and starting to discharge the process liquid from the first area to a second area corresponding to the center of the substrate, A moving step;
And a second movement step of moving the launching point of the treatment liquid from the second area to a third area corresponding to an edge area of the substrate,
Wherein the moving unit controls the moving unit so that the moving direction of the launching point and the moving direction of the launching point are different from each other in the first moving step and the second moving step. 제22항에 있어서,
상기 제어기는 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향은 서로 수직한 방향으로 제공되도록 상기 이동 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.23. The method of claim 22,
Wherein the controller controls the moving unit so that the moving direction of the launching point and the moving direction of the launching point in the second moving step are provided in directions perpendicular to each other in the first moving step. 제23항에 있어서,
상기 이동 유닛은,
상기 노즐을 상하 방향과 평행한 수직 방향으로 이동시키는 수직 구동 부재와;
상기 노즐을 상기 수직 방향과 수직한 수평 방향으로 이동시키는 수평 구동 부재를 포함하되,
상기 제어기는 상기 제1이동 단계에서 상기 수직 구동 부재만을 제어하고, 상기 제2이동 단계에서 상기 수평 구동 부재만을 제어하는 기판 처리 장치.24. The method of claim 23,
The mobile unit includes:
A vertical driving member for moving the nozzle in a vertical direction parallel to the vertical direction;
And a horizontal driving member for moving the nozzle in a horizontal direction perpendicular to the vertical direction,
Wherein the controller controls only the vertical driving member in the first moving step and controls only the horizontal driving member in the second moving step. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐의 토출구는 상기 제1이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향을 따라 하향 경사진 방향을 향하고, 상부에서 바라볼 때 상기 토출구는 상기 상기 제2이동 단계에서 상기 탄착 지점의 이동 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 슬릿 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
25. The method according to any one of claims 22 to 24,
Wherein the discharge port of the nozzle is oriented in a downward inclined direction along the moving direction of the launching point in the first moving step and the outlet is parallel to the moving direction of the launching point in the second moving step Wherein the substrate is provided in a slit shape having a longitudinal direction.
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