KR20130056752A

KR20130056752A - Transfer robot

Info

Publication number: KR20130056752A
Application number: KR1020110122502A
Authority: KR
Inventors: 한기원; 유인철
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2011-11-22
Filing date: 2011-11-22
Publication date: 2013-05-30
Also published as: KR101895403B1

Abstract

PURPOSE: A transfer robot is provided to prevent particles from being leaked to the outside by cleaning the particles using a cleaning member. CONSTITUTION: A support frame(924) supports an arm. A first vertical guide(930) is combined with one end of the support frame to vertically move the support frame. The first vertical guide includes a vertical frame(932), a driving member(934) to vertically move one end of the support frame, and a sealing belt(940). The sealing belt seals a hole(933) of the vertical frame and is arranged between a rotary belt(936) and an inner sidewall of the vertical frame. A cleaning member(945) cleans the inside of the first vertical guide.

Description

Transfer robot}

본 발명은 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세정부재를 가지는 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer robot and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a transfer robot having a cleaning member and a substrate processing apparatus having the same.

반도체소자 및 평판 디스플레이를 제조하기 위해서, 포토리소그라피 및 세정 등의 다양한 공정들이 진행된다. 이러한 공정들은 서로 독립된 공간을 가지는 챔버들 내에서 진행되며, 공정의 순서에 맞게 기판을 각각의 챔버로 반송하는 반송로봇이 제공된다.In order to manufacture semiconductor devices and flat panel displays, various processes such as photolithography and cleaning are performed. These processes are carried out in chambers having independent spaces from each other, and a transport robot for transporting the substrate to each chamber is provided in the order of the processes.

일반적으로 기판의 공정 처리는 대기에 분진과 같은 파티클이 제거된 클린 상태를 요구한다. 그러나 각각의 공정이 진행되는 챔버의 내부가 클린 상태일지라도, 기판을 반송하는 중에 발생되는 파티클로 인해 기판의 공정 불량이 발생된다. 파티클은 주로 기판을 반송하는 장치에서 발생되며, 보다 상세하게는 장치에 동력을 전달하는 구동부재에서 부품과 부품 간의 마찰로 인해 다량 발생된다. In general, the processing of the substrate requires a clean state in which particles such as dust are removed to the atmosphere. However, even if the inside of the chamber in which each process proceeds is in a clean state, the process defect of the substrate is generated due to the particles generated during the conveyance of the substrate. Particles are mainly generated in the apparatus for conveying the substrate, and more particularly in a large amount due to the friction between the components in the drive member for transmitting power to the apparatus.

도 1은 일반적인 반송로봇의 일 예를 보여준다. 도 1에 의하면, 지지프레임은 수직프레임 내에 배치된 구동부재에 의해 상하로 이동된다. 구동부재는 풀리 및 구동벨트의 조합의 의해 회전되고, 풀리가 회전됨에 따라 구동벨트와 풀리 간에는 갈림이 발생된다. 이로 인해 구동부재에서는 파티클이 발생되고, 이들은 홀을 통해 수직프레임의 외부로 빠져나와 기판이 위치되는 대기에 노출된다.1 shows an example of a general transport robot. According to Figure 1, the support frame is moved up and down by a drive member disposed in the vertical frame. The drive member is rotated by a combination of the pulley and the drive belt, and the separation occurs between the drive belt and the pulley as the pulley is rotated. As a result, particles are generated in the driving member, and they exit through the holes to the outside of the vertical frame and are exposed to the atmosphere where the substrate is located.

이를 해결하고자 수직프레임의 홀을 실링하는 실링벨트는 수직프레임 내에서 구동부재를 감싸도록 제공된다. 그러나 실링벨트의 내측면에 쌓인 파티클은 실링벨트가 회전됨에 따라 실링벨트와 함께 이동되고, 그 파티클은 수직프레임의 외부로 빠져나와 기판 상에 부착된다.In order to solve this problem, a sealing belt sealing the hole of the vertical frame is provided to surround the driving member in the vertical frame. However, particles accumulated on the inner surface of the sealing belt are moved together with the sealing belt as the sealing belt is rotated, and the particles are pulled out of the vertical frame and attached to the substrate.

한국 공개특허 10-2005-0080314호Korean Patent Publication No. 10-2005-0080314

본 발명은 기판을 반송하는 과정에서 발생되는 파티클로 인해 공정 불량이 발생되는 것을 최소화하고자 한다.The present invention is intended to minimize the process defects caused by the particles generated in the process of conveying the substrate.

또한 본 발명은 반송 로봇 내에서 발생된 파티클이 외부로 유출되는 것을 최소화하고자 한다.In addition, the present invention is intended to minimize the outflow of particles generated in the transport robot to the outside.

본 발명의 실시예는 세정부재를 가지는 반송로봇 및 이를 가지는 기판처리장치를 제공한다. 반송로봇은 기판이 놓이는 아암, 상기 아암을 지지하는 지지 프레임, 상기 지지 프레임을 상하방향으로 이동시키도록 상기 지지프레임의 일단에 결합되는 제1수직가이드, 그리고 상기 제1수직가이드의 내부를 세정하는 세정부재를 포함하되, 상기 제1수직가이드는 일측면에 상기 지지프레임의 일단이 삽입되도록 상하방향으로 제공되는 슬릿 형상의 홀이 형성되는 수직 프레임과; 상기 수직 프레임의 내부에 위치되고, 상기 지지프레임의 일단을 상하로 이동시키는 구동부재와; 일면에 상기 지지프레임의 일단이 관통되는 개구가 형성되어 상기 지지 프레임과 함께 상하방향으로 이동되고, 상기 구동부재를 감싸도록 배치되며, 상기 홀을 실링하는 실링벨트를 포함하되; 상기 세정부재는 상기 실링벨트의 내측면에 부착된 파티클을 제거하는 것을 포함한다.An embodiment of the present invention provides a transfer robot having a cleaning member and a substrate processing apparatus having the same. The transport robot cleans an arm on which a substrate is placed, a support frame for supporting the arm, a first vertical guide coupled to one end of the support frame to move the support frame in a vertical direction, and the inside of the first vertical guide. A vertical frame including a cleaning member, wherein the first vertical guide is formed with a slit-shaped hole provided in an up-and-down direction such that one end of the support frame is inserted into one side thereof; A driving member positioned inside the vertical frame and moving one end of the support frame up and down; An opening through which one end of the support frame penetrates is formed on one surface thereof, and is moved up and down with the support frame, and is disposed to surround the driving member, and includes a sealing belt sealing the hole; The cleaning member includes removing particles attached to the inner surface of the sealing belt.

상기 세정부재는 상기 홀보다 아래에 설치될 수 있다. 상기 제1수직가이드와 서로 이격되게 배치되고, 상기 지지프레임의 타단에 결합되는 제2수직가이드를 더 포함할 수 있다. 상기 세정부재는 상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되는 브러시를 포함할 수 있다.The cleaning member may be installed below the hole. The first vertical guide may be spaced apart from each other, and may further include a second vertical guide coupled to the other end of the support frame. The cleaning member may include a brush that contacts the inner surface of the sealing belt when the sealing belt is rotated.

기판처리장치는 반송부 및 기판을 공정 처리하고, 상기 반송부의 일측 또는 양측에 위치되는 복수 개의 공정 챔버들을 포함하되, 상기 반송부는 길이방향이 일방향을 따라 제공되는 가이드레일 및 상기 가이드레일을 따라 상기 일방향으로 직선 이동 가능하고, 상기 공정 챔버들 간에 기판을 반송하는 반송로봇을 포함하되, 상기 반송로봇은 기판이 놓이는 아암, 상기 아암을 지지하는 지지 프레임, 상기 지지 프레임을 상하방향으로 이동시키도록 상기 지지프레임의 일단에 결합되는 수직가이드, 상기 수직가이드의 내부를 세정하는 세정부재를 포함하되, 상기 수직가이드는 일측면에 상기 지지프레임의 일단이 삽입되도록 상하방향으로 제공되는 슬릿 형상의 홀이 형성되는 수직 프레임, 상기 수직 프레임의 내부에 위치되고, 상기 지지프레임의 일단을 상하로 이동시키는 구동부재, 그리고 일면에 상기 지지프레임의 일단이 관통되는 개구가 형성되어 상기 지지 프레임과 함께 상하방향으로 이동되고, 상기 구동부재를 감싸도록 배치되며, 상기 홀을 실링하는 실링벨트를 포함하되, 상기 세정부재는 상기 실링벨트의 내측면에 부착된 파티클을 제거하는 것을 포함한다.The substrate treating apparatus may process a conveying part and a substrate, and include a plurality of process chambers positioned at one side or both sides of the conveying part, wherein the conveying part is provided along a guide rail and the guide rail, the longitudinal direction of which is provided along one direction. A transport robot is linearly movable in one direction and includes a transport robot for transporting a substrate between the process chambers, wherein the transport robot includes an arm on which the substrate is placed, a support frame for supporting the arm, and the support frame to move in a vertical direction. A vertical guide coupled to one end of the support frame, comprising a cleaning member for cleaning the inside of the vertical guide, the vertical guide is formed with a slit-shaped hole provided in the vertical direction so that one end of the support frame is inserted into one side Vertical frame is located inside the vertical frame, one end of the support frame A driving member for moving up and down, and an opening through which one end of the support frame penetrates is formed, and is moved up and down together with the support frame, and is disposed to surround the driving member, and a sealing belt for sealing the hole. Including, but the cleaning member includes removing the particles attached to the inner surface of the sealing belt.

상기 세정부재는 상기 홀보다 아래에 고정설치될 수 있다. 상기 세정부재는 상기 실링벨트가 회전 시 상기 실링벨트의 내측면에 접촉되는 브러시를 포함할 수 있다.The cleaning member may be fixedly installed below the hole. The cleaning member may include a brush that contacts the inner surface of the sealing belt when the sealing belt is rotated.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 반송하는 과정에서 발생되는 파티클로 인해 공정 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the occurrence of process defects due to the particles generated in the process of conveying the substrate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 반송 로봇 내에서 발생된 파티클이 외부로 유출되는 것을 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the outflow of particles generated in the transfer robot to the outside.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 1의 반송부를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 수직 가이드 및 세정부재를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 수직 가이드 및 세정부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a view of the substrate processing equipment from above.
FIG. 2 is a view of the installation of FIG. 1 as viewed from the AA direction. FIG.
FIG. 3 is a view of the installation of FIG. 1 viewed in the BB direction. FIG.
4 is a view of the installation of FIG. 1 as viewed from the CC direction.
FIG. 5 is a perspective view illustrating the carrier of FIG. 1. FIG.
6 is a cross-sectional view illustrating the vertical guide and the cleaning member of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the vertical guide and the cleaning member of FIG. 6.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도 1 내지 도 7을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 7 attached hereto. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facility of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment is connected to an exposure apparatus and is used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 설비(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비(1)를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 1 to 4 are views schematically showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. 1 is a view of the substrate processing equipment 1 from above, FIG. 2 is a view of the equipment 1 of FIG. 1 viewed from the AA direction, and FIG. 3 is a view of the equipment 1 of FIG. 1 viewed from the BB direction. 4 is the figure which looked at the installation 1 of FIG. 1 from the CC direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 1 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

웨이퍼(W)는 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The wafer W is moved in the state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 accommodating wafers W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 1, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 웨이퍼(W)를 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the wafer W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is a four-axis drive system in which the hand 221 directly handling the wafer W is movable in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 웨이퍼들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 웨이퍼(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of wafers W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One wafer W is placed on each support 332. In the housing 331, the index robot 220, the first buffer robot 360, and the developing unit robot 482 of the developing module 402 described later move the wafer W to the support 332 in the housing 331. It has openings (not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and the direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be able to carry in or take out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 웨이퍼(W)를 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the wafer W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 웨이퍼(W)를 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 웨이퍼(W)가 놓이는 상면 및 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 웨이퍼(W)를 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chambers 350 cool the wafers W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the wafer W is placed and a cooling means 353 for cooling the wafer W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the wafer W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 described later can carry the wafers W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 웨이퍼(W)를 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the wafer W before the exposure process and a process of developing the wafer W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 웨이퍼(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송부(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송부(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송부(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a step of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the wafer W and a heat treatment step such as heating and cooling for the wafer W before and after the resist application step. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer unit 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer unit 430 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the resist coating chamber 410 and the baking chamber 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the carrier 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송부(910)는 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 따라 위치된다. 반송부(910)는 반송챔버(912), 도포부 로봇(920), 그리고 가이드 레일(960)를 가진다. 반송챔버(912)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 반송챔버(912) 내에는 도포부 로봇(920) 및 가이드 레일(960)이 놓인다. 도 5는 도 1의 도포부 로봇 및 가이드 레일을 보여주는 사시도이다. 도 5를 참조하면, 도포부 로봇(920)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 버퍼(520) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 도포부 로봇(920)은 아암(922), 지지프레임(924), 수직가이드(930), 세정부재(945), 그리고 보조가이드(950)를 가진다. 웨이퍼(W)는 아암(922) 상에 놓여진다. 아암(922)은 수평 방향으로 신축 가능한 구조를 가진다. 아암(922)은 지지프레임(924)에 회전 가능하도록 설치된다. 지지프레임(924)은 아암(922)을 지지한다. 지지프레임(924)은 그 길이방향이 대체로 제 1 방향으로 제공된 바 형상을 가진다.The conveying section 910 is located in the longitudinal direction along the first direction 12. The conveyer 910 has a conveyance chamber 912, an applicator robot 920, and a guide rail 960. The conveying chamber 912 has a generally rectangular shape. An applicator robot 920 and a guide rail 960 are placed in the transfer chamber 912. 5 is a perspective view illustrating the applicator robot and the guide rail of FIG. 1. Referring to FIG. 5, the applicator robot 920 may include baking chambers 420, resist coating chambers 400, a first buffer 320 of the first buffer module 300, and a second buffer module to be described later. The wafer W is transferred between the first buffers 520 of 500. The applicator robot 920 has an arm 922, a support frame 924, a vertical guide 930, a cleaning member 945, and an auxiliary guide 950. Wafer W is placed on arm 922. Arm 922 has a structure that is stretchable in the horizontal direction. Arm 922 is mounted to the support frame 924 to be rotatable. Support frame 924 supports arm 922. The support frame 924 has a bar shape in which the longitudinal direction thereof is generally provided in the first direction.

수직가이드(930)는 지지프레임(924)을 상하방향으로 이동시킨다. 도 6은 도 5의 수직 가이드 및 세정부재를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면. 수직가이드(930)는 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)를 가진다. 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)는 지지프레임(924)을 사이에 두고 서로 대향되게 배치된다. 지지프레임(924)의 양 끝단은 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)에 각각 결합된다. 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b) 각각은 수직프레임(932), 구동부재(934), 그리고 실링벨트(940)를 가진다. The vertical guide 930 moves the support frame 924 in the vertical direction. 6 is a cross-sectional view illustrating the vertical guide and the cleaning member of FIG. 5. Referring to FIG. 6. The vertical guide 930 has a first vertical guide 930a and a second vertical guide 930b. The first vertical guide 930a and the second vertical guide 930b are disposed to face each other with the support frame 924 interposed therebetween. Both ends of the support frame 924 are coupled to the first vertical guide 930a and the second vertical guide 930b, respectively. Each of the first vertical guide 930a and the second vertical guide 930b has a vertical frame 932, a driving member 934, and a sealing belt 940.

수직프레임(932)은 그 길이방향이 제 3 방향으로 제공된다. 수직프레임(932)은 그 일면에 홀(933)이 형성된다. 홀(933)은 제 3 방향으로 긴 슬릿형상으로 제공된다. 지지프레임(924)의 일단은 홀(933)에 삽입된다. 지지프레임(924)의 일단은 홀(933)의 길이방향을 따라 제 3 방향으로 이동 가능하다.The vertical frame 932 is provided in a longitudinal direction thereof in a third direction. In the vertical frame 932, a hole 933 is formed on one surface thereof. The holes 933 are provided in the form of slits elongated in the third direction. One end of the support frame 924 is inserted into the hole 933. One end of the support frame 924 is movable in the third direction along the longitudinal direction of the hole 933.

구동부재(934)는 수직프레임(932)의 내부에 배치된다. 구동부재(934)는 지지프레임(924)을 제 3 방향으로 이동시킨다. 구동부재(934)는 풀리(935) 및 회전벨트(936)의 조합으로 제공될 수 있다. 풀리(935)는 2 개가 상하방향으로 대향되게 배치된다. 회전벨트(936)는 풀리(935)들을 동시에 감싸도록 배치된다. 회전벨트(936)의 일측면은 지지프레임(924)의 일단과 고정 결합된다. 회전벨트(936)는 풀리(935)의 구동에 의해 회전 가능하다. 지지프레임(924)은 회전벨트(936)의 회전과 함께 제 3 방향으로 이동된다.The driving member 934 is disposed inside the vertical frame 932. The driving member 934 moves the support frame 924 in the third direction. The driving member 934 may be provided as a combination of the pulley 935 and the rotating belt 936. Two pulleys 935 are disposed to face each other in the vertical direction. Rotating belt 936 is arranged to surround the pulleys (935) at the same time. One side of the rotating belt 936 is fixedly coupled to one end of the support frame 924. The rotating belt 936 is rotatable by the driving of the pulley 935. The support frame 924 is moved in the third direction with the rotation of the rotating belt 936.

실링벨트(940)는 수직프레임(932)의 홀(933)을 실링한다. 실링벨트(940)는 수직프레임(932)의 내부에서 발생되는 파티클이 수직프레임(932)의 홀(933)을 통해 외부로 유출되는 것을 방지한다. 실링밸트(940)는 수직프레임(932)의 내측벽과 회전밸트(936)의 사이에 배치된다. 실링벨트(940)는 복수 개의 프리롤러(942)를 동시에 감싸도록 제공된다. 일 예에 의하면, 프리롤러(942)는 4 개로 제공될 수 있다. 각각의 프리폴러(942)는 수직프레임(932)의 내부 모서리와 인접하게 고정 설치된다. 실링벨트(940)는 그 일면이 수직프레임(932)의 홀(933)과 대향되도록 제공된다. 실링벨트(940)의 일면은 홀(933)과 인접하게 배치된다. 홀(933)과 대향되는 실링벨트(940)는 일면에 개구(941)가 형성된다. 개구(941)에는 지지프레임(924)의 일단이 관통된다. 일 예에 의하면, 개구(941)의 크기는 지지프레임(924)의 일단과 동일하거나 조금 크게 제공된다. 실링벨트(940)는 지지프레임(924)이 구동부재(934)에 의해 이동됨에 따라 회전가능하다.The sealing belt 940 seals the holes 933 of the vertical frame 932. The sealing belt 940 prevents particles generated inside the vertical frame 932 from leaking out through the holes 933 of the vertical frame 932. The sealing belt 940 is disposed between the inner wall of the vertical frame 932 and the rotating belt 936. The sealing belt 940 is provided to simultaneously wrap the plurality of prerollers 942. According to one example, four prerollers 942 may be provided. Each pre-folder 942 is fixedly installed adjacent to the inner edge of the vertical frame 932. The sealing belt 940 is provided so that one surface thereof faces the hole 933 of the vertical frame 932. One surface of the sealing belt 940 is disposed adjacent to the hole 933. An opening 941 is formed in one surface of the sealing belt 940 opposite to the hole 933. One end of the support frame 924 penetrates through the opening 941. According to one example, the size of the opening 941 is provided to be equal to or slightly larger than one end of the support frame 924. The sealing belt 940 is rotatable as the support frame 924 is moved by the driving member 934.

세정부재(945)는 실링벨트(940)의 내측면을 세정한다. 세정부재(945)는 실링벨트(940)의 내측에 위치된다. 세정부재(945)는 수직프레임(924)의 홀(933)보다 아래에 설치될 수 있다. 일 예에 의하면, 세정부재(945)는 브러시(945)로 제공될 수 있다. 브러시(945)는 실링벨트(940)의 내측면에 접촉되게 배치된다. 브러시(945)는 실링벨트(940)가 회전 시 그 내측면에 부착된 파티클을 긁어낸다. The cleaning member 945 cleans the inner surface of the sealing belt 940. The cleaning member 945 is located inside the sealing belt 940. The cleaning member 945 may be installed below the hole 933 of the vertical frame 924. In one example, the cleaning member 945 may be provided as a brush 945. The brush 945 is disposed to contact the inner surface of the sealing belt 940. The brush 945 scrapes off the particles attached to the inner surface of the sealing belt 940 as it rotates.

이와 달리 세정부재(946)는 도 7과 같이 실링벨트(940)의 내측면에 접촉되는 블레이드(946)로 제공될 수 있다. 블레이드(946)는 실링벨트(940)가 회전 시 그 내측면에 부착된 파티클을 긁어낼 수 있다.Alternatively, the cleaning member 946 may be provided as a blade 946 in contact with the inner surface of the sealing belt 940 as shown in FIG. The blade 946 can scrape particles attached to the inner side of the sealing belt 940 when it rotates.

또한 세정부재(945)는 진공압을 제공하여 실링벨트(940)의 내측면에 부착된 파티클을 진공흡입할 수 있다.In addition, the cleaning member 945 may provide a vacuum pressure to vacuum suction the particles attached to the inner surface of the sealing belt 940.

또한 세정부재(945)는 세정액을 분사하여 실링벨트(940)의 내측면을 세정하는 노즐일 수 있다.In addition, the cleaning member 945 may be a nozzle for cleaning the inner surface of the sealing belt 940 by spraying the cleaning liquid.

다시 도 5를 참조하면, 보조가이드(950)는 서로 이격된 제1수직가이드(930a) 및 제2수직가이드(930b)를 연결한다. 보조가이드(950)는 각각의 수직가이드(930a,930b)가 고속으로 이동 시 제1수직가이드(930a)와 제2수직가이드(930b)가 서로 다른 속도로 이동되는 것을 방지한다. 보조가이드(950)는 상부 보조프레임(950a)과 하부 보조프레임(950b)을 가진다. 상부 보조프레임(950a)의 양단 저면은 수직가이드들(930a,930b) 각각의 상단과 고정 결합된다. 하부 보조프레임(950b)의 양단 상면은 수직가이드들(930a,930b) 각각의 하단과 고정 결합된다. Referring back to FIG. 5, the auxiliary guide 950 connects the first vertical guide 930a and the second vertical guide 930b spaced apart from each other. The auxiliary guide 950 prevents the first vertical guide 930a and the second vertical guide 930b from moving at different speeds when the vertical guides 930a and 930b move at high speed. The auxiliary guide 950 has an upper auxiliary frame 950a and a lower auxiliary frame 950b. Bottom surfaces of both ends of the upper auxiliary frame 950a are fixedly coupled to upper ends of each of the vertical guides 930a and 930b. Upper surfaces of both ends of the lower auxiliary frame 950b are fixedly coupled to lower ends of each of the vertical guides 930a and 930b.

가이드 레일(960)은 도포부 로봇(920)을 직선 이동시킨다. 가이드 레일(960)은 하부 가이드(962) 및 상부 가이드(972)를 가진다. 하부 가이드(962)는 하부 수평레일(964), 하부 브라켓(966), 그리고 구동기(미도시)를 가진다. 하부 수평레일(964)은 반송챔버(912)의 바닥면에 설치된다. 하부 수평레일(964)은 그 길이방향이 제 1 방향을 따라 제공된다. 하부 수평레일(964) 상에는 하부 브라켓(966)이 설치된다. 하부 브라켓(966)은 하부 수평레일(964)의 길이방향을 따라 직선 이동 가능하게 설치된다. 하부 브라켓(966)은 하부 보조프레임(950b)과 결합된다. 구동기(미도시)는 하부 브라켓(966)이 직선 이동되도록 동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(미도시)는 모터일 수 있다.The guide rail 960 linearly moves the applicator robot 920. Guide rail 960 has a lower guide 962 and an upper guide 972. The lower guide 962 has a lower horizontal rail 964, a lower bracket 966, and a driver (not shown). The lower horizontal rail 964 is installed on the bottom surface of the transfer chamber 912. The lower horizontal rail 964 is provided in the longitudinal direction along the first direction. The lower bracket 966 is installed on the lower horizontal rail 964. The lower bracket 966 is installed to be linearly movable along the longitudinal direction of the lower horizontal rail 964. The lower bracket 966 is coupled to the lower auxiliary frame 950b. A driver (not shown) powers the lower bracket 966 to move linearly. For example, the driver (not shown) may be a motor.

상부 가이드(972)는 도포부 로봇(920)의 직선 이동을 안내한다. 상부 가이드(972)는 상부 수평레일(974) 및 상부 브라켓(976)을 가진다. 상부 수평레일(974)은 반송챔버(912)의 상면에 설치된다. 상부 수평레일(974)은 하부 수평레일(964)과 상하로 마주보도록 배치된다. 상부 수평레일(974)은 그 길이방향이 제 1 방향을 따라 제공된다. 상부 수평레일(974) 상에는 상부 브라켓(976)이 설치된다. 상부 브라켓(976)은 상부 수평레일(974)의 길이방향을 따라 직선 이동 가능하게 설치된다. 상부 브라켓(975)은 상부 보조프레임(950b)과 결합된다. The upper guide 972 guides the linear movement of the applicator robot 920. The upper guide 972 has an upper horizontal rail 974 and an upper bracket 976. The upper horizontal rail 974 is installed on the upper surface of the conveyance chamber 912. The upper horizontal rail 974 is disposed to face the lower horizontal rail 964 up and down. The upper horizontal rail 974 is provided in the longitudinal direction along the first direction. The upper bracket 976 is installed on the upper horizontal rail 974. The upper bracket 976 is installed to be linearly movable along the longitudinal direction of the upper horizontal rail 974. The upper bracket 975 is coupled to the upper auxiliary frame 950b.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the wafer W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the wafer W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the wafer W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the wafer W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the wafer W coated with the photoresist.

베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 420 heat-treats the wafer (W). For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process in which the wafer W is heated to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the wafer W before the photoresist is applied, A soft bake process is performed after coating the wafer W on the wafer W, and a cooling process for cooling the wafer W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with a cooling means 423 such as a cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with a heating means 424, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in a single bake chamber 420, respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421, and the other portions may include only the heating plate 422.

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing module 402 includes a developing process of supplying a developing solution to obtain a pattern on the wafer W to remove a part of the photoresist and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the wafer W before and after the developing process . The development module 402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송부(480)는 그 길이방향이 제 1 방향(12)을 따라 제공된다. 반송부(480)는 반송챔버, 현상부 로봇(482), 그리고 가이드 레일(483)을 가진다. 반송챔버는 그 내부에 현상부 로봇 및 가이드 레일이 놓인다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상 모듈의 반송부는 도포부 모듈의 반송부와 동일한 구조를 가질 수 있다.The conveyance part 480 is provided in the longitudinal direction along the 1st direction 12. The conveying unit 480 has a conveying chamber, a developing unit robot 482, and a guide rail 483. The conveying chamber has a developing robot and a guide rail therein. The developing unit robot 482 includes the bake chambers 470, the developing chambers 460, the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300, and the second buffer module 500. The wafers W are transferred between the second cooling chambers 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The conveyance part of the developing module may have the same structure as that of the conveyance part of the application part module.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the wafer W irradiated with light. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the wafer (W). The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the wafer W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the wafer W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided as a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the wafer W to which the developer is supplied.

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. The bake chamber 470 heat-treats the wafer W. For example, the bake chambers 470 are heated after each bake process and a hard bake process that heats the wafer W after the post-baking process that heats the wafer W before the developing process is performed, and after the developing process is performed. And a cooling step of cooling the finished wafer. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the development module 402 may have the same chamber arrangement as viewed from above.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a passage through which the wafer W is transported between the application and development module 400 and the pre-exposure processing module 600. In addition, the second buffer module 500 performs a predetermined process on the wafer W, such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 transfers the wafer W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the wafers W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the wafer W on which the process is performed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the wafers W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. The buffer 520 temporarily stores the wafer W before the wafers W having been processed in the edge exposure chamber 550 are transferred to the pretreatment module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the wafers W before the wafers W processed in the post-processing module 602 described below are conveyed to the developing module 402. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the wafers W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then transferred to the developing module 402. [

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. When the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process, the exposure before and after processing module 600 may process a process of applying a protective film that protects the photoresist film applied to the wafer W during the liquid immersion exposure. In addition, the pre and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the wafer W after the exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pretreatment module 601 performs a process of processing the wafer W before performing the exposure process, and the post-processing module 602 performs a process of processing the wafer W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The pretreatment robot 632 is provided between the protective film applying chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500, and the first buffer 720 of the interface module 700 described later. The wafer W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film on the wafer W to protect the resist film during the liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the wafer (W). The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the wafer W placed on the support plate 612. The nozzle 613 has a circular tubular shape and can supply a protection liquid to the center of the wafer W. As shown in FIG. Optionally, the nozzle 613 has a length corresponding to the diameter of the wafer W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided as a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying chamber 610 rotates the wafer W placed on the support plate 612 and supplies the protective liquid to the center area of the wafer W. FIG.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The baking chamber 620 heat-treats the wafer W on which the protective film is applied. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 includes cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, a second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and a second of the interface module 700 described below. The wafer W is transported between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the wafer W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the wafer W. As shown in FIG. The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the wafer W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the center region of the wafer W while rotating the wafer W placed on the support plate 662. Optionally, while the wafer W is being rotated, the nozzle 663 can be moved linearly or rotationally from the center region of the wafer W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the wafer W on which the exposure process is performed using far ultraviolet rays. The post-exposure bake process heats the wafer W to amplify an acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the wafer W between the pre-exposure processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the wafer W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the wafers W processed in the pretreatment module 601 before they are moved to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the wafers W processed in the exposure apparatus 900 before moving to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One support W is placed on each support 722. The housing 721 is a direction and pretreatment robot provided with an interface robot 740 so that the interface robot 740 and the pretreatment robot 632 can carry or unload the wafer W into the support 722 into the housing 721. 632 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only buffers and robots as described above without providing a chamber to perform a predetermined process on the wafer.

다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.Next, an example of performing the process using the substrate processing equipment 1 described above will be described.

웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다. The cassette 20 in which the wafers W are accommodated is placed on the mounting table 120 of the load port 100. The door of the cassette 20 is opened by the door opener. The index robot 220 removes the wafer W from the cassette 20 and transports the wafer W to the second buffer 330.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다. The first buffer robot 360 carries the wafer W stored in the second buffer 330 to the first buffer 320. The application robot 432 takes the wafer W from the first buffer 320 and transfers the wafer W to the bake chamber 420 of the application module 401. The bake chamber 420 sequentially performs a pre-bake and a cooling process. The application part robot 432 removes the wafer W from the bake chamber 420 and transfers it to the resist application chamber 410. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the wafer W. [ After the photoresist is applied onto the wafer W, the application robot 432 transfers the wafer W from the resist application chamber 410 to the bake chamber 420. The bake chamber 420 performs a soft bake process on the wafer W. [

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.The applicator robot 432 removes the wafer W from the bake chamber 420 and transfers the wafer W to the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500. A cooling process is performed on the wafer W in the first cooling chamber 530. The wafer W on which the process is performed in the first cooling chamber 530 is transferred to the edge exposure chamber 550 by the second buffer robot 560. The edge exposure chamber 550 performs a process of exposing the edge region of the wafer W. The wafer W, which has been processed in the edge exposure chamber 550, is transferred to the buffer 520 by the second buffer robot 560.

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다. The pretreatment robot 632 removes the wafer W from the buffer 520 and transports the wafer W to the protective film applying chamber 610 of the pretreatment module 601. The protective film applying chamber 610 applies a protective film on the wafer (W). The pretreatment robot 632 then transfers the wafer W from the passivation coating chamber 610 to the bake chamber 620. The bake chamber 620 performs heat treatment on the wafer W such as heating and cooling.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.The preprocessing robot 632 removes the wafer W from the baking chamber 620 and transfers the wafer W to the first buffer 720 of the interface module 700. The interface robot 740 carries the wafer from the first buffer 720 to the inversion unit 840 of the processing module 800. The inversion unit 840 inverts the wafer so that the first surface (pattern surface) of the wafer faces downward. The inverted wafer is loaded on the spin chuck 810, and the loaded wafer is chucked by the fin members 811a, 811b.

스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.Inert gas such as nitrogen gas is injected into the first surface of the wafer through the injection holes 852 formed in the support plate 812 of the spin chuck 810, and then deionized water is injected into the first surface of the wafer through the injection holes 852. Rinse liquid such as is injected. The rinse liquid may be injected along with the gas to the first surface of the wafer through the injection holes 852. Upon injection of gas and / or rinse liquid onto the first side of the wafer, the spin chuck 810 may be rotated or otherwise not rotated. The rinse liquid injection unit 860 injects the rinse liquid onto the second surface of the wafer.

이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다. The wafer is then transferred from the processing module 800 to the first buffer 720 by the interface robot 740 and then to the exposure apparatus 900 from the first buffer 720. The exposure apparatus 900 performs an exposure process, for example, a liquid immersion exposure process, on the first surface of the wafer. When the exposure process is completed on the wafer W in the exposure apparatus 900, the interface robot 740 transfers the wafer W to the second buffer 730 in the exposure apparatus 900.

후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.The post-processing robot 682 removes the wafer W from the second buffer 730 and transports the wafer W to the cleaning chamber 660 of the post-processing module 602. The cleaning chamber 660 supplies a cleaning liquid to the surface of the wafer W to perform a cleaning process. After the cleaning of the wafer W using the cleaning liquid is completed, the post-processing robot 682 immediately removes the wafer W from the cleaning chamber 660 and transports the wafer W to the post-exposure bake chamber 670. In the heating plate 672 of the bake chamber 670 after the exposure, the cleaning liquid adhered to the wafer W is removed by heating the wafer W, and at the same time, the acid generated in the photoresist is amplified, thereby The property change of the resist is completed. The post-processing robot 682 carries the wafer W from the post-exposure bake chamber 670 to the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500. Cooling of the wafer W is performed in the second cooling chamber 540.

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다. The developing unit robot 482 removes the wafer W from the second cooling chamber 540 and transfers the wafer W to the baking chamber 470 of the developing module 402. The bake chamber 470 sequentially performs post bake and cooling processes. The developing robot 482 takes the wafer W from the bake chamber 470 and transfers it to the developing chamber 460. [ The developing chamber 460 supplies a developing solution on the wafer W to perform a developing process. The developing robot 482 then transfers the wafer W from the developing chamber 460 to the bake chamber 470. [ The bake chamber 470 performs a hard bake process on the wafer W. [

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의해 카세트(20)로 운반될 수 있다.The developing unit robot 482 removes the wafer W from the bake chamber 470 and transports the wafer W to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The cooling chamber 350 performs a process of cooling the wafer (W). The index robot 360 carries the wafers W from the cooling chamber 350 to the cassette 20. In contrast, the developing unit robot 482 removes the wafer W from the bake chamber 470 and transports the wafer W to the second buffer 330 of the first buffer module 300, and then the cassette ( 20).

다음은 상술한 기판처리설비(1)의 다양한 변형 예들을 예시한다. The following exemplifies various modifications of the substrate processing facility 1 described above.

도포 및 현상 모듈(400)은 서로 층으로 구획된 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에 도포 챔버, 현상 챔버, 베이크 챔버, 그리고 반송 챔버들이 제공될 수 있다. 이 경우, 제 1 버퍼 모듈(300)에 제 1 버퍼(320), 제 1 버퍼 로봇(360)은 제공되지 않을 수 있다.The application and development module 400 may include only one module instead of the application module 401 and the development module 402 partitioned into layers. In this case, the application chamber, the development chamber, the bake chamber, and the transfer chambers may be provided in one module. In this case, the first buffer 320 and the first buffer robot 360 may not be provided to the first buffer module 300.

또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 제공되지 않고, 노광 전후 처리 모듈(600)과 도포 및 현상 모듈(400)이 인접하게 배치될 수 있다.In addition, the second buffer module 500 may not be provided, and the pre-exposure processing module 600 and the coating and developing module 400 may be disposed adjacent to each other.

또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 서로 층으로 구획된 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602) 대신 하나의 모듈만을 구비할 수 있다. 이 경우, 하나의 모듈 내에, 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670)가 모두 제공될 수 있다.In addition, the pre-exposure before and after processing module 600 may include only one module instead of the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 partitioned into layers. In this case, in one module, the protective film applying chamber 610, the bake chamber 620, the cleaning chamber 660, and the post-exposure bake chamber 670 may all be provided.

또한, 세정 챔버(660)에는 세정액을 공급하는 노즐 이외에 추가적으로 건조 가스를 공급하는 노즐을 더 제공될 수 있다. 이 경우, 노광 후 베이크 챔버(670)에서 웨이퍼(W)의 가열이 이루어지기 전에 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액을 제거할 수 있다. In addition, the cleaning chamber 660 may be further provided with a nozzle for supplying a dry gas in addition to the nozzle for supplying a cleaning liquid. In this case, the cleaning liquid attached to the wafer W may be removed before the wafer W is heated in the baking chamber 670 after exposure.

또한, 노광 장치(900)가 액침 노광 방식 이외의 방식으로 공정을 수행하는 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 제공되지 않을 수 있다.In addition, when the exposure apparatus 900 performs the process by a method other than the liquid immersion exposure method, the pre-exposure processing module 600 may not be provided.

또한, 에지 노광 챔버(550)는 인터페이스 모듈(700)에 제공될 수 있다. 또한, 에지 노광 공정은 웨이퍼 상에 보호막을 도포하는 공정 이후에 수행되거나, 노광 공정과 웨이퍼를 세정하는 공정 사이에 수행되거나, 노광 후 베이크 공정과 현상 공정 사이에 수행될 수 있다.In addition, the edge exposure chamber 550 may be provided to the interface module 700. In addition, the edge exposure process may be performed after the process of applying a protective film on the wafer, between the exposure process and the process of cleaning the wafer, or may be performed between the post-exposure bake process and the development process.

920: 도포부 로봇 922: 아암
924: 지지 프레임 930: 수직가이드
932: 수직 프레임 934: 구동부재
940: 실링벨트 945: 세정부재
960: 가이드 레일920: coating unit robot 922: arm
924: support frame 930: vertical guide
932: vertical frame 934: drive member
940: sealing belt 945: cleaning member
960: guide rail

Claims

An arm on which the substrate is placed;
A support frame for supporting the arm;
A first vertical guide coupled to one end of the support frame to move the support frame in a vertical direction;
A cleaning member for cleaning the inside of the first vertical guide;
The first vertical guide,
A vertical frame having a slit-shaped hole provided in an up and down direction so that one end of the support frame is inserted into one side thereof;
A driving member positioned inside the vertical frame and moving one end of the support frame up and down;
An opening through which one end of the support frame penetrates is formed on one surface thereof, and is moved up and down with the support frame, and is disposed to surround the driving member, and includes a sealing belt sealing the hole;
The cleaning member is a transfer robot, characterized in that for removing the particles attached to the inner surface of the sealing belt.

The method of claim 1,
The cleaning member,
Carrying robot, characterized in that the sealing belt comprises a brush in contact with the inner surface of the sealing belt when rotating.