KR20160017707A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

An embodiment of the present invention provides an apparatus for treating a substrate. The apparatus for treating a substrate includes: a housing for providing a treatment space therein; a cover which can be attached to the housing to open and close the treatment space; a driving member for elevating the cover; and a measurement member for measuring a mounted state of the cover on one side of the driving member. The driving member includes: an arm supporting the cover; a driving axis supporting the arm; and a driver for moving the driving axis in a vertical direction. The measurement member includes: a measurement block which is provided to surround the driving axis, and is located at different height according to the mounted state of the cover; and a measurement sensor which measures the height of the measurement block. A magnetic member is provided on the cover and the measurement block, separately. Thus, when the cover is installed in the driving member, the position of the measurement block is changed, and the installation of the cover can be sensed.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위해 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.Various processes such as photolithography, etching, deposition, ion implantation, and cleaning are performed to manufacture a semiconductor device. Among these processes, photolithography plays an important role in achieving high integration of semiconductor devices in a process for forming a pattern.

사진공정은 크게 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열 처리하는 과정으로, 가열 플레이트에 놓인 기판을 히터로부터 제공된 열로 인해 그 기판을 열 처리한다. The photolithography process consists largely of a coating process, an exposure process, and a development process, and a baking process is performed before and after the exposure process. The baking process is a process of heat-treating the substrate, in which the substrate placed on the heating plate is heat-treated by the heat supplied from the heater.

도 1은 일반적으로 기판을 열 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 열 처리 장치(2)는 하우징(4), 커버(6), 그리고 가열 플레이트(8)를 포함한다. 하우징(4) 내에는 기판(W)을 열 처리 하는 내부 공간이 제공된다. 커버(6)는 내부 공간을 개폐하도록 하우징(4)에 탈착 가능하다. 가열 플레이트(8)는 하우징(4)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지하고, 지지된 기판(W)을 열 처리한다. 커버(6)는 하우징(4)에 장착 및 탈착되어 내부 공간을 연속적으로 차단 및 개방하며, 다량의 기판(W)을 열 처리한다. 커버(6)는 구동 부재(10)에 의해 승강 이동하며 그 열 처리 공간을 개폐한다. 구동 부재(10)의 일측에는 측정 센서(미도시)가 위치된다. 측정 센서(미도시)는 구동 부재(10)의 높이를 측정하여 커버(6)의 위치를 판단한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a cross-sectional view generally showing a device for heat treating a substrate. Referring to FIG. 1, the heat treatment apparatus 2 includes a housing 4, a cover 6, and a heating plate 8. An internal space for heat-treating the substrate W is provided in the housing 4. The cover (6) is detachable to the housing (4) to open and close the inner space. The heating plate 8 supports the substrate W in the inner space of the housing 4 and thermally processes the supported substrate W. [ The cover 6 is attached to and detached from the housing 4 to continuously cut off and open the inner space and heat a large amount of the substrate W. [ The cover 6 is moved up and down by the driving member 10 to open and close the heat treatment space. A measurement sensor (not shown) is located at one side of the driving member 10. A measurement sensor (not shown) measures the height of the driving member 10 to determine the position of the cover 6. [

그러나 장치의 오작동으로 인해 구동 부재에 커버가 미장착되거나, 비정상 위치에 놓여진 상태에서 구동될 수 있다. 이에 따라 기판의 열 처리 공정은 그 내부 공간이 개방된 상태에서 진행되고, 공정 불량을 발생시킨다.However, the cover may not be attached to the driving member due to malfunction of the apparatus, or may be driven in a state in which it is placed in an abnormal position. As a result, the heat treatment process of the substrate proceeds in a state where the inner space thereof is open, resulting in a process failure.

한국 특허 등록번호 제10-1099613호Korean Patent Registration No. 10-1099613

본 발명은 커버가 비정상적으로 장착된 상태에서 공정이 진행되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus capable of preventing the process from proceeding in a state where the cover is abnormally mounted.

또한 본 발명은 구동 부재에 커버의 위치를 감지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus for detecting the position of a cover on a driving member.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징, 상기 처리 공간을 개폐하도록 상기 하우징에 탈착 가능한 커버, 상기 커버를 승강 이동시키는 구동 부재, 그리고 상기 구동 부재의 일측에서 상기 커버의 안착 상태를 측정하는 측정 부재를 포함하되, 상기 구동 부재는 상기 커버를 지지하는 아암, 상기 아암을 지지하는 구동축, 그리고 상기 구동축을 상하 방향으로 이동시키는 구동기를 포함하고, 상기 측정 부재는 상기 구동축을 감싸도록 제공되며, 상기 커버의 안착 상태에 따라 상이한 높이에 위치되는 측정 블럭 및 상기 측정 블럭의 높이를 측정하는 측정 센서를 포함한다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a housing for providing a processing space therein, a cover detachable to the housing to open and close the processing space, a driving member for moving the cover up and down, and a cover for measuring the seating state of the cover at one side of the driving member Wherein the driving member includes an arm for supporting the cover, a driving shaft for supporting the arm, and a driver for moving the driving shaft in a vertical direction, wherein the measuring member is provided to surround the driving shaft, A measurement block positioned at a different height according to a seating state of the cover, and a measurement sensor measuring a height of the measurement block.

상기 안착 상태는 미장착 상태 및 장착 상태를 포함하되, 상기 미장착 상태는 상기 커버가 상기 아암으로부터 탈착된 상태이고, 상기 장착 상태는 상기 커버가 상기 아암에 장착된 상태로 제공될 수 있다. 상기 장착 상태는 차단 상태 및 개방 상태를 포함하되, 상기 차단 상태는 상기 커버가 상기 처리 공간을 외부로부터 차단하도록 상기 하우징에 장착되는 상태이고, 상기 개방 상태는 상기 커버가 상기 처리 공간을 외부와 통하도록 상기 하우징에 탈착되는 상태로 제공될 수 있다. 상기 구동축은 상기 아암과 결합되는 이동축, 그리고 상기 이동축을 감싸는 고정축을 포함하되, 상기 고정축의 외경은 상기 측정 블럭의 내경보다 크게 제공될 수 있다. 상기 이동축의 외경은 상기 측정 블럭의 내경보다 작게 제공될 수 있다. 상기 측정 블럭은 상기 아암의 아래에 위치될 수 있다. 상기 측정 부재는 상기 커버에 제공되는 제1자성 부재 및 상기 측정 블럭에 제공되며, 상기 제1자성 부재와 인력이 작용하는 제2자성 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 제1자성 부재는 상기 장착 상태의 상기 커버에서 상기 측정 블럭과 대향되게 위치될 수 있다. 상기 미장착 상태에서 상기 측정 블럭은 제1위치에 위치되고, 상기 장착 상태에서 상기 측정 블럭은 제2위치에 위치되되, 상기 측정 센서는 상기 제1위치에 위치되는 상기 측정 블럭을 감지하는 하부 센서 및 상기 제2위치에 위치되는 상기 측정 블럭을 감지하는 중간센서를 포함하고, 상기 하부 센서 및 상기 상부 센서로부터 전달된 정보를 근거로 상기 안착 상태를 판단하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 상기 처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛 내에 위치되며, 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판을 열 처리하는 열 처리 부재를 더 포함할 수 있다. The seating state includes an uninstalled state and a mounted state, wherein the uncovered state is a state in which the cover is detached from the arm, and the mounting state is provided in a state in which the cover is mounted on the arm. Wherein the mounting state includes a cut-off state and an open state, wherein the cut-off state is a state in which the cover is mounted on the housing so as to block the processing space from the outside, To be detached from the housing. The driving shaft includes a moving shaft coupled with the arm, and a fixed shaft surrounding the moving shaft. The outer diameter of the fixed shaft may be larger than the inner diameter of the measuring block. The outer diameter of the moving shaft may be smaller than the inner diameter of the measuring block. The measurement block may be positioned below the arm. The measurement member may further include a first magnetic member provided on the cover and a second magnetic member provided on the measurement block, the second magnetic member acting on the first magnetic member. The first magnetic member may be positioned opposite the measurement block in the cover in the mounted state. Wherein the measurement block is located at a first position in the non-mounted state and the measurement block is located at a second position in the mounted state, wherein the measurement sensor comprises a lower sensor for sensing the measurement block located at the first position, And an intermediate sensor for sensing the measurement block positioned at the second position, and the controller for determining the seating state based on the information transmitted from the lower sensor and the upper sensor. A substrate supporting unit disposed in the processing space, the substrate supporting unit supporting the substrate, and a heat treatment member positioned in the substrate supporting unit, the heat treating member heat treating the substrate placed on the substrate supporting unit.

본 발명의 실시예에 의하면, 커버 및 측정 블럭 각각에는 자성 부재가 제공된다. 이로 인해 커버가 구동 부재에 장착 시 측정 블럭은 그 위치가 변경되고, 커버의 장착 여부를 감지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, each of the cover and the measuring block is provided with a magnetic member. Therefore, when the cover is mounted on the driving member, the position of the measuring block is changed, and it is possible to detect whether or not the cover is mounted.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 커버의 안착 상태를 측정하는 측정 센서는 종래에 구동 부재를 측정하기 위한 센서로 제공된다. 이로 인해 별도의 추가 장치 없이 커버의 안착 상태를 측정할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the measurement sensor for measuring the seating state of the cover is conventionally provided as a sensor for measuring the driving member. As a result, the seating state of the cover can be measured without a separate additional device.

도 1은 일반적으로 기판을 열 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7는 도 6의 가열 플레이트 내부에 제공된 열 처리 부재를 보여주는 수평 단면도이다.
도 8은 도 6의 커버를 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 6의 구동 부재를 보여주는 사시도이다.
도 10 내지 도 12은 도 8의 커버의 안착 상태에 따라 상이한 높이를 가지는 측정 블럭을 보여주는 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a cross-sectional view generally showing a device for heat treating a substrate.
Figure 2 is a top view of the substrate processing facility.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
Fig. 5 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig.
7 is a horizontal sectional view showing a heat treatment member provided inside the heating plate of Fig.
8 is a perspective view showing the cover of Fig.
Fig. 9 is a perspective view showing the driving member of Fig. 6; Fig.
10 to 12 are sectional views showing measurement blocks having different heights according to the seating state of the cover of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 2 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIGS. 2 through 12 are schematic views of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 1, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist application chamber 410 and the bake chamber 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the figure, six resist coating chambers 410 are provided. A plurality of bake chambers 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 420 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 420 may be provided in a greater number.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 is connected to the bake chambers 420, the resist application chambers 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300, and the first buffer module 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating chambers 410 all have the same structure. However, the types of the photoresist used in each of the resist coating chambers 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photoresist on the substrate W. [ The resist coating chamber 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply photoresist to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating chamber 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. The bake chamber 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake chambers 420 may be formed by a prebake process for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic substances and moisture on the surface of the substrate W, A soft bake process is performed after coating the substrate W on the substrate W, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed.

베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(422) 및 가열 유닛(421)을 포함한다. 냉각 플레이트(422)는 가열 유닛(421)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(422)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(422)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(422)는 가열된 기판(W)을 상온으로 냉각시킬 수 있다.The bake chamber 420 includes a cooling plate 422 and a heating unit 421. The cooling plate 422 cools the substrate W heated by the heating unit 421. The cooling plate 422 is provided in the form of a circular plate. Inside the cooling plate 422, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the cooling plate 422 can cool the heated substrate W to room temperature.

가열 유닛(421)은 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(421)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(800)로 제공된다. 도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 가열 플레이트(820), 열 처리 부재(830), 커버(840), 구동 부재(860), 측정 부재(880), 그리고 제어기(890)를 포함한다. The heating unit 421 heat-processes the substrate W. The heating unit 421 is provided to the substrate processing apparatus 800 for heating the substrate W. [ 6 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig. 6, the substrate processing apparatus 800 includes a housing 810, a heating plate 820, a heat treatment member 830, a cover 840, a driving member 860, a measuring member 880, (890).

하우징(810)은 냉각 플레이트(422)의 일측에 위치된다. 하우징(810)은 내부에 기판(W)의 가열 처리하는 처리 공간(812)을 제공한다. 하우징(810)은 상부가 개방된 통 형상을 가지도록 제공된다. 가열 플레이트(820)는 하우징(810)의 처리 공간(812)에 위치된다. 가열 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(820)의 상면은 기판(W)이 놓이는 지지 영역으로 제공된다. 가열 플레이트(820)의 상면에는 복수 개의 핀 홀(822)들이 형성된다. 각각의 핀 홀(822)은 가열 플레이트(820)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀(822)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(822)에는 리프트핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀(미도시)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 예컨대, 핀 홀(822)들은 3 개로 제공될 수 있다. The housing 810 is located at one side of the cooling plate 422. The housing 810 provides a processing space 812 for heating the substrate W therein. The housing 810 is provided so as to have a tubular shape with an open top. The heating plate 820 is located in the processing space 812 of the housing 810. The heating plate 820 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the heating plate 820 is provided with a supporting region where the substrate W is placed. On the upper surface of the heating plate 820, a plurality of pin holes 822 are formed. Each pinhole 822 is spaced apart along the circumferential direction of the heating plate 820. The pin holes 822 are spaced at equal intervals from each other. Each pin hole 822 is provided with a lift pin (not shown). The lift pins (not shown) are provided to move up and down. For example, pin holes 822 may be provided in three.

열 처리 부재(830)는 가열 플레이트(820)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 도 7는 도 6의 가열 플레이트 내부에 제공된 열 처리 부재를 보여주는 수평 단면도이다. 도 7을 참조하면, 열 처리 부재(830)는 복수 개의 히터(830)를 포함한다. 각각의 히터(830)는 가열 플레이트(820)의 내부에 위치된다. 각각의 히터(830)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(830)는 가열 플레이트(820)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 각 히터(830)에 대응되는 가열 플레이트(820)의 영역들은 히팅존들로 제공된다. 예컨대 히팅존들은 15개 일 수 있다. 예컨대, 히터(830)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.The heat treatment member 830 heats the substrate W placed on the heating plate 820 to a preset temperature. 7 is a horizontal sectional view showing a heat treatment member provided inside the heating plate of Fig. Referring to FIG. 7, the heat treatment member 830 includes a plurality of heaters 830. Each heater 830 is located inside the heating plate 820. Each heater 830 is located on the same plane. Each heater 830 heats different areas of the heating plate 820. The areas of the heating plate 820 corresponding to the respective heaters 830 are provided to the heating zones. For example, the heating zones may be fifteen. For example, the heater 830 may be a thermoelectric element or a hot wire.

커버(840)는 하우징(810)의 처리 공간(812)을 개폐한다. 도 8은 도 6의 커버를 보여주는 사시도이다. 도 8을 참조하면, 커버(840)는 바디(842) 및 지지대(844)를 포함한다. 바디(842)는 하우징(810)에 탈착 가능하도록 제공된다. 바디(842)는 하우징(810)에 장착되어 그 처리 공간(812)을 외부로부터 차단할 수 있다. 바디(842)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바디(842)에는 배기홀(843)이 형성된다. 배기홀(843)은 바디(842)의 중심축과 대응되게 형성된다. 처리 공간(812)의 분위기 및 처리 공간(812)에서 발생된 파티클은 배기홀(843)을 통해 외부로 배기된다. The cover 840 opens and closes the processing space 812 of the housing 810. 8 is a perspective view showing the cover of Fig. 8, the cover 840 includes a body 842 and a support 844. The body 842 is detachably provided to the housing 810. The body 842 may be mounted to the housing 810 to block the processing space 812 from the outside. The body 842 is provided to have a circular plate shape. An exhaust hole 843 is formed in the body 842. The exhaust hole 843 is formed so as to correspond to the central axis of the body 842. The atmosphere in the processing space 812 and the particles generated in the processing space 812 are exhausted to the outside through the exhaust hole 843.

지지대(844)는 바디(842)가 구동 부재(860)에 장착되도록 바디(842)를 지지한다. 지지대(844)는 제1지지부(844a), 제2지지부(844b), 그리고 연결부(844c)를 가진다. 제1지지부(844a)는 바디(842)의 일측 가장자리 영역을 지지한다. 제1지지부(844a)는 바디(842)의 일측 가장자리 영역으로부터 길게 연장된다. 제2지지부(844b)는 바디(842)의 타측 가장자리 영역을 지지한다. 제2지지부(844b)는 바디(842)의 타측 가장자리 영역으로부터 길게 연장된다. 제2지지부(844b)는 제1지지부(844a)와 평행한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 제2지지부(844b)는 제1지지부(844a)에 대향되게 위치된다. 제2지지부(844b)는 제1지지부(844a)와 동일 높이에 위치된다. 연결부(844c)는 제1지지부(844a)의 끝단과 제2지지부(844b)의 끝단을 서로 연결한다. 상부에서 바라볼 때 연결부(844c)는 제1지지부(844a) 및 제2지지부(844b) 각각에 대해 수직한 길이방향을 가진다. 따라서 상부에서 바라볼 때 서로 조합된 제1지지부(844a), 제2지지부(844b), 그리고 연결부(844c)는 'ㄷ' 자 형상을 가지도록 제공된다. The support 844 supports the body 842 such that the body 842 is mounted to the drive member 860. The support 844 has a first support 844a, a second support 844b, and a connection 844c. The first support portion 844a supports one side edge region of the body 842. The first support portion 844a extends long from one side edge region of the body 842. [ The second support portion 844b supports the other side edge region of the body 842. [ The second support portion 844b extends elongated from the other side edge region of the body 842. The second support portion 844b is provided so as to have a longitudinal direction parallel to the first support portion 844a. The second support portion 844b is positioned to face the first support portion 844a. The second support portion 844b is located at the same height as the first support portion 844a. The connection portion 844c connects the end of the first support portion 844a and the end of the second support portion 844b to each other. The connecting portion 844c has a longitudinal direction perpendicular to each of the first supporting portion 844a and the second supporting portion 844b. Accordingly, the first supporting portion 844a, the second supporting portion 844b, and the connecting portion 844c, which are combined with each other when viewed from above, are provided to have a "C" shape.

구동 부재(860)는 커버(840)를 승강 이동시킨다. 도 9는 도 6의 구동 부재를 보여주는 사시도이다. 도 9를 참조하면, 구동 부재(860)는 커버(840)를 차단 위치 및 개방 위치로 이동시킨다. 여기서 차단 위치는 하우징(810)의 처리 공간(812)이 외부로부터 차단되도록 커버(840)가 하우징(810)에 장착되는 위치이다. 개방 위치는 하우징(810)의 처리 공간(812)이 외부와 통하도록 커버(840)가 하우징(810)으로부터 탈착되는 위치이다. 일 예에 의하면, 개방 위치에 위치된 커버(840)는 차단 위치에 위치된 커버(840)보다 높게 위치될 수 있다. 구동 부재(860)는 아암(862), 구동축(870), 그리고 구동기(876)를 포함한다. 아암(862)은 커버(840)의 지지대(844)를 상하 방향으로 이동시킨다. 아암(862)에는 지지대(844)가 탈착 가능하도록 제공된다. 아암(862)은 제1암부(862a), 제2암부(862b), 그리고 연결암부(862c)를 가진다. 제1암부(862a)는 바 형상을 가지도록 제공된다. 제1암부(862a)는 그 길이방향이 제1지지부(844a)와 평행하게 제공된다. 제1암부(862a)에는 제1지지부(844a)가 안착 가능하다. 제2암부(862b)는 바 형상을 가지도록 제공된다. 제2암부(862b)는 제1암부(862a)와 평행한 길이방향을 가지도록 제공된다. 제2암부(862b)는 제1암부(862a)에 대향되게 위치된다. 제2암부(862b)는 제1암부(862a)와 동일 높이에 위치된다. 제2암부(862b)에는 제2지지부(844b)가 안착 가능하다. 연결암부(862c)는 제1암부(862a) 및 제2암부(862b)를 서로 연결한다. 상부에서 바라볼 때 연결암부(862c)는 제1암부(862a) 및 제2암부(862b) 각각에 대해 수직한 길이방향을 가진다. 따라서 상부에서 바라볼 때 서로 조합된 제1암부(862a), 제2암부(862b), 그리고 연결암부(862c)는 'ㄷ' 자 형상을 가지도록 제공된다.The driving member 860 moves the cover 840 up and down. Fig. 9 is a perspective view showing the driving member of Fig. 6; Fig. 9, the driving member 860 moves the cover 840 to the blocking position and the open position. The blocking position is a position at which the cover 840 is mounted to the housing 810 so that the processing space 812 of the housing 810 is blocked from the outside. The open position is a position at which the cover 840 is detached from the housing 810 so that the processing space 812 of the housing 810 communicates with the outside. According to one example, the cover 840 located in the open position may be positioned higher than the cover 840 located in the shut-off position. The drive member 860 includes an arm 862, a drive shaft 870, and a driver 876. The arm 862 moves the support 844 of the cover 840 in the vertical direction. A support 844 is provided on the arm 862 so as to be detachable. The arm 862 has a first arm portion 862a, a second arm portion 862b, and a connecting arm portion 862c. The first arm portion 862a is provided to have a bar shape. The first arm portion 862a is provided in parallel with the first support portion 844a in the longitudinal direction thereof. The first support portion 844a can be seated on the first arm portion 862a. The second arm portion 862b is provided so as to have a bar shape. The second arm portion 862b is provided so as to have a longitudinal direction parallel to the first arm portion 862a. And the second arm portion 862b is positioned to face the first arm portion 862a. The second arm portion 862b is located at the same height as the first arm portion 862a. And the second support portion 844b can be seated on the second arm portion 862b. The connecting arm portion 862c connects the first arm portion 862a and the second arm portion 862b to each other. The connection arm portion 862c has a longitudinal direction perpendicular to the first arm portion 862a and the second arm portion 862b. Therefore, the first arm portion 862a, the second arm portion 862b, and the connecting arm portion 862c, which are combined with each other when viewed from above, are provided to have a "C" shape.

구동축(870)은 아암(862)을 지지한다. 구동축(870)은 구동기(876)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다. 구동축(870)이 상하 방향으로 이동됨에 따라 아암(862) 및 이에 장착된 커버(840)는 함께 상하 방향으로 이동 가능하다. 구동축(870)은 이동축(872) 및 고정축(874)을 포함한다. 이동축(872)은 그 길이방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 이동축(872)은 연결암부(862c)의 저면에 고정 결합된다. 선택적으로 이동축(872)은 제1암부(862a) 또는 제2암부(862b)에 고정 결합될 수 있다. 이동축(872)은 구동기(876)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다. 이동축(872)이 이동됨에 따라 커버(840)는 개방 위치 및 차단 위치로 이동 가능하다. 고정축(874)은 그 위치가 고정된다. 고정축(874)은 이동축(872)을 감싸는 중공의 통 형상으로 제공된다. 고정축(874)은 중심축이 이동축(872)과 일치하도록 위치된다. 고정축(874)의 내경은 이동축(872)의 외경보다 크게 제공된다. 고정축(874)의 상단은 이동축(872)의 상단보다 낮게 제공된다.The drive shaft 870 supports the arm 862. The drive shaft 870 is vertically movable by a driver 876. [ As the drive shaft 870 moves in the vertical direction, the arm 862 and the cover 840 mounted thereon are movable together in the vertical direction. The driving shaft 870 includes a moving shaft 872 and a fixed shaft 874. The moving shaft 872 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The moving shaft 872 is fixedly coupled to the bottom surface of the connecting arm portion 862c. Alternatively, the moving shaft 872 may be fixedly coupled to the first arm portion 862a or the second arm portion 862b. The movable shaft 872 is movable in the vertical direction by the driver 876. As the moving shaft 872 is moved, the cover 840 is movable to the open position and the blocking position. The fixed shaft 874 is fixed in its position. The fixed shaft 874 is provided in the form of a hollow cylinder surrounding the moving shaft 872. The fixed shaft 874 is positioned so that the central axis coincides with the movable shaft 872. [ The inner diameter of the fixed shaft 874 is provided larger than the outer diameter of the movable shaft 872. [ The upper end of the fixed shaft 874 is provided lower than the upper end of the movable shaft 872.

측정 부재(880)는 커버(840)의 안착 상태를 측정한다. 여기서 안착 상태는 미장착 상태 및 장착 상태를 포함한다. 미장착 상태는 아암(862)에 커버(840)가 장착되지 않거나, 커버(840)가 아암(862)에서 정위치에 위치되지 않은 상태이고, 장착 상태는 커버(840)가 정위치에 위치되도록 아암(862)에 장착된 상태로 정의한다. 장착 상태는 차단 상태 및 개방 상태를 포함한다. 여기서 차단 상태는 커버(840)가 차단 위치에 위치된 상태이고, 개방 상태는 커버(840)가 개방 위치에 위치된 상태로 정의한다. 따라서 측정 부재(880)는 커버(840)의 안착 상태를 미장착 상태, 차단 상태, 그리고 개방 상태로 측정한다.The measurement member 880 measures the seating state of the cover 840. Here, the seating state includes an uninstalled state and a mounted state. The unfolded condition is such that the cover 840 is not mounted on the arm 862 or the cover 840 is not positioned in the correct position on the arm 862 and the mounting condition is such that the cover 840 is in the correct position, (862). The mounting state includes a blocking state and an open state. Here, the blocking state is defined as the state in which the cover 840 is located in the blocking position, and the opening state is defined as the state in which the cover 840 is positioned in the open position. Therefore, the measuring member 880 measures the seating state of the cover 840 in an uninstalled state, a blocked state, and an opened state.

도 10 내지 도 12은 도 8의 커버의 안착 상태에 따라 상이한 높이를 가지는 측정 블럭을 보여주는 단면도이다. 도 10 및 도 12를 참조하면, 측정 부재(880)는 측정 블럭(882), 자성 부재(884,885), 그리고 측정 센서(886)를 포함한다. 측정 블럭(882)은 커버(840)의 안착 상태에 따라 그 위치가 상이하게 변경된다. 측정 블럭(882)은 안착 상태에 따라 그 높이가 변경된다. 측정 블럭(882)은 이동축(872)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 측정 블럭(882)의 내경은 이동축(872)의 외경보다 크고, 고정축(874)의 외경보다 작게 제공된다. 따라서 측정 블럭(882)은 이동축(872)을 감싸며, 고정축(874)의 상단에 놓여지도록 제공된다. 10 to 12 are sectional views showing measurement blocks having different heights according to the seating state of the cover of FIG. 10 and 12, the measurement member 880 includes a measurement block 882, magnetic members 884 and 885, and a measurement sensor 886. The position of the measurement block 882 is changed according to the seating state of the cover 840. The height of the measurement block 882 is changed according to the seating state. The measurement block 882 is provided in the form of an annular ring surrounding the movement axis 872. The inner diameter of the measurement block 882 is larger than the outer diameter of the moving shaft 872 and smaller than the outer diameter of the fixed shaft 874. [ Thus, the measuring block 882 is wrapped around the moving shaft 872 and is provided to rest on the top of the fixed shaft 874. [

자성 부재(884,885)는 커버(840)의 안착 상태에 따라 측정 블럭(882)의 위치가 상이하도록 커버(840)와 측정 블럭(882) 간에 자력을 형성한다. 자성 부재(884,885)는 제1자석(885) 및 제2자석(884)을 포함한다. 제1자석(885)은 커버(840)에 제공되고, 제2자석(884)은 측정 블럭(882)에 제공된다. 제1자석(885) 및 제2자석(884)은 서로 인력이 작용하도록 제공될 수 있다. 제1자석(885)은 커버(840)의 지지대(844)에 제공된다. 제1자석(885)은 커버(840)가 아암(862)에 장착된 상태에서 구동축(870)과 대향되게 위치된다. 고정축(874)에 놓여진 측정 블럭(882)은 제1자석(885)에 의해 그 위치가 변경된다. 일 예에 의하면, 측정 블럭(882)은 고정축(874)에 놓여진 제1위치(h1)에서 제2자석(884)에 의해 제2위치(h2) 및 제3위치(h3)로 이동될 수 있다. 측정 블럭(882)은 커버(840)의 차단 상태에서 제2위치(h2)로 이동되고, 개방 상태에서 제3위치(h3)로 이동될 수 있다. 제3위치(h3)는 제2위치(h2)에 비해 높은 위치이고, 제2위치(h2)는 제1위치(h1)에 비해 높은 위치로 제공될 수 있다.The magnetic members 884 and 885 form a magnetic force between the cover 840 and the measurement block 882 such that the position of the measurement block 882 is different depending on the seating state of the cover 840. [ The magnetic elements 884,885 include a first magnet 885 and a second magnet 884. A first magnet 885 is provided in the cover 840 and a second magnet 884 is provided in the measurement block 882. The first magnet 885 and the second magnet 884 may be provided so that attraction forces act on each other. The first magnet 885 is provided in a support 844 of the cover 840. The first magnet 885 is positioned opposite the drive shaft 870 with the cover 840 mounted on the arm 862. The measurement block 882 placed on the fixed shaft 874 is changed in position by the first magnet 885. [ According to one example, the measurement block 882 can be moved by the second magnet 884 to the second position h2 and the third position h3 at the first position h1 placed on the fixed axis 874 have. The measurement block 882 may be moved from the blocked state of the cover 840 to the second position h2 and from the open position to the third position h3. The third position h3 may be higher than the second position h2 and the second position h2 may be provided higher than the first position h1.

측정 센서(886)는 구동 부재(860)의 일측에서 측정 블럭(882)의 위치를 감지한다. 측정 센서(886)는 제1위치(h1), 제2위치(h2), 그리고 제3위치(h3) 각각에 위치된 측정 블럭(882)을 감지한다. 예컨대, 측정 센서(886)는 레벨 센서로 제공될 수 있다. 측정 센서(886)는 하부 센서(886a), 중간 센서(886b), 그리고 상부 센서(886c)를 포함한다. 하부 센서(886a), 중간 센서(886b), 그리고 상부 센서(886c)는 아래에서 위를 향하는 방향을 따라 순차적으로 위치된다. 하부 센서(886a), 중간 센서(886b), 그리고 상부 센서(886c)는 서로 이격되게 위치된다. 하부 센서(886a)는 제1위치(h1)와 대응되는 높이에서 제1위치(h1)의 측정 블럭(882)을 감지하고, 커버(840)의 미장착 상태를 감지한다. 중간 센서(886b)는 제2위치(h2)와 대응되는 높이에서 제2위치(h2)의 측정 블럭(882)을 감지하고, 커버(840)의 차단 상태를 감지한다. 상부 센서(886c)는 제3위치(h3)와 대응되는 높이에서 제3위치(h3)의 측정 블럭(882)을 감지하고, 커버(840)의 개방 상태를 감지한다. The measurement sensor 886 senses the position of the measurement block 882 at one side of the drive member 860. The measurement sensor 886 senses the measurement block 882 located in the first position h1, the second position h2 and the third position h3, respectively. For example, the measurement sensor 886 may be provided as a level sensor. The measurement sensor 886 includes a lower sensor 886a, an intermediate sensor 886b, and an upper sensor 886c. The lower sensor 886a, the intermediate sensor 886b, and the upper sensor 886c are sequentially positioned along the downward direction. The lower sensor 886a, the intermediate sensor 886b, and the upper sensor 886c are spaced apart from each other. The lower sensor 886a senses the measurement block 882 at the first position h1 at a height corresponding to the first position h1 and detects the unfolded state of the cover 840. [ The intermediate sensor 886b senses the measurement block 882 at the second position h2 at a height corresponding to the second position h2 and senses the blocking state of the cover 840. [ The upper sensor 886c senses the measurement block 882 at the third position h3 at a height corresponding to the third position h3 and senses the open state of the cover 840. [

제어기(890)는 측정 부재(880)로부터 전달된 정보를 근거로 하여 커버(840)의 안착 상태를 판단한다. 제어기(890)는 커버(840)의 안착 상태가 불량 상태라고 판단되면 알람을 발생한다. 일 예에 의하면, 커버(840)가 아암(862)에 장착된 이후에 하부 센서(886a)가 커버(840)를 감지하면, 제어기(890)는 알람을 발생한다. 또한 기판(W)의 공정 처리가 진행되는 중에 하부 센서(886a) 또는 상부 센서(886c)가 커버(840)를 감지하면, 제어기(890)는 알람을 발생한다. 또한 공정이 완료되어 기판(W)을 처리 공간(812)의 외부로 반출 및 반입하기 위해 커버(840)를 차단 위치에서 개방 위치로 이동시킨다. 이때 하부 센서(886a) 및 중간 센서(886b)가 커버(840)를 감지하면, 제어기(890)는 알람을 발생한다.The controller 890 determines the seating state of the cover 840 based on the information transmitted from the measuring member 880. The controller 890 generates an alarm when it is determined that the seating state of the cover 840 is in a bad state. According to one example, when the lower sensor 886a senses the cover 840 after the cover 840 is mounted on the arm 862, the controller 890 generates an alarm. When the lower sensor 886a or the upper sensor 886c senses the cover 840 while the processing of the substrate W is being performed, the controller 890 generates an alarm. The process is also completed and the cover 840 is moved from the cutoff position to the open position in order to carry the substrate W out of the process space 812 and carry it. At this time, when the lower sensor 886a and the intermediate sensor 886b sense the cover 840, the controller 890 generates an alarm.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.2 to 5, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process for removing a portion of the photoresist on the substrate W And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a development chamber 460, a bake chamber 470, and a transfer chamber 480. The development chamber 460, the bake chamber 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing chambers 460 are provided, and a plurality of developing chambers 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six development chambers 460 are provided. A plurality of bake chambers 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, six bake chambers 470 are provided. Alternatively, however, the bake chamber 470 can be provided in greater numbers.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The development robot 482 is connected to the bake chambers 470 and the development chambers 460 and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and the second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing chambers 460 may be different from each other. The development chamber 460 removes a region of the photoresist on the substrate W where light is irradiated. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The development chamber 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing chamber 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포 모듈(401)의 베이크 챔버와 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.The bake chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake chambers 470 may include a post-bake process for heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process for heating the substrate W after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in one bake chamber 470, respectively. Optionally, some of the bake chambers 470 may have only a cooling plate 471, while the other may have only a heating plate 472. [ Since the bake chamber 470 of the developing module 402 has the same configuration as the bake chamber of the application module 401, detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The pretreatment module 601 has a protective film application chamber 610, a bake chamber 620, and a transfer chamber 630. The protective film application chamber 610, the transfer chamber 630, and the bake chamber 620 are sequentially disposed along the second direction 14. The protective film application chamber 610 and the bake chamber 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application chambers 610 are provided and are arranged along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of protective film application chambers 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake chambers 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of bake chambers 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application chambers 610, the bake chambers 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film applying chamber 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application chamber 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film application chamber 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 612.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake chamber 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake chamber 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake chamber 620, respectively. Optionally, some of the bake chambers 620 may have only the heating plate 622, while others may only have the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake chamber 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake chamber 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Accordingly, the cleaning chamber 660 and the post-exposure baking chamber 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake chambers 670 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake chambers 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, post-exposure bake chambers 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake chamber 670 heats the substrate W subjected to the exposure process using deep UV light. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake chamber 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake chamber 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake chamber having only the cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. In addition, the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the post-processing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. Further, the protective film application chamber 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap with each other when viewed from above. Further, the bake chamber 620 and the post-exposure bake chamber 670 are provided in the same size, and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

810: 하우징 840: 커버
860: 구동 부재 862: 아암
870: 구동축 876: 구동기
880: 측정 부재 882: 측정 블럭
886: 측정 센서
810: Housing 840: Cover
860: driving member 862:
870: drive shaft 876:
880: Measuring member 882: Measuring block
886: Measuring sensor

Claims (10)

내부에 처리 공간을 제공하는 하우징과;
상기 처리 공간을 개폐하도록 상기 하우징에 탈착 가능한 커버와;
상기 커버를 승강 이동시키는 구동 부재와;
상기 구동 부재의 일측에서 상기 커버의 안착 상태를 측정하는 측정 부재를 포함하되,
상기 구동 부재는,
상기 커버를 지지하는 아암과;
상기 아암을 지지하는 구동축과;
상기 구동축을 상하 방향으로 이동시키는 구동기를 포함하고,
상기 측정 부재는,
상기 구동축을 감싸도록 제공되며, 상기 커버의 안착 상태에 따라 상이한 높이에 위치되는 측정 블럭과;
상기 측정 블럭의 높이를 측정하는 측정 센서를 포함하는 기판 처리 장치.
A housing for providing a processing space therein;
A cover detachable from the housing to open and close the processing space;
A driving member for moving the cover up and down;
And a measuring member for measuring a seating state of the cover at one side of the driving member,
Wherein the driving member comprises:
An arm for supporting the cover;
A drive shaft for supporting the arm;
And a driver for moving the drive shaft in the vertical direction,
Wherein the measuring member comprises:
A measurement block provided to surround the drive shaft and positioned at different heights according to a seating state of the cover;
And a measurement sensor for measuring a height of the measurement block.
제1항에 있어서,
상기 안착 상태는 미장착 상태 및 장착 상태를 포함하되,
상기 미장착 상태는 상기 커버가 상기 아암으로부터 탈착된 상태이고,
상기 장착 상태는 상기 커버가 상기 아암에 장착된 상태로 제공되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The seating state includes an unattached state and a mounted state,
Wherein the uninstalled state is a state in which the cover is detached from the arm,
Wherein the mounting state is provided with the cover mounted on the arm.
제2항에 있어서,
상기 장착 상태는 차단 상태 및 개방 상태를 포함하되,
상기 차단 상태는 상기 커버가 상기 처리 공간을 외부로부터 차단하도록 상기 하우징에 장착되는 상태이고,
상기 개방 상태는 상기 커버가 상기 처리 공간을 외부와 통하도록 상기 하우징에 탈착되는 상태로 제공되는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the mounting state includes a blocking state and an open state,
Wherein the blocking state is a state in which the cover is mounted to the housing to block the processing space from the outside,
Wherein the open state is provided so that the cover is detached from the housing to communicate with the processing space.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 구동축은,
상기 아암과 결합되는 이동축과;
상기 이동축을 감싸는 고정축을 포함하되,
상기 고정축의 외경은 상기 측정 블럭의 내경보다 크게 제공되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 2 or 3,
The drive shaft
A moving shaft coupled with the arm;
And a fixed shaft surrounding the moving shaft,
Wherein an outer diameter of the fixed shaft is larger than an inner diameter of the measurement block.
제4항에 있어서,
상기 이동축의 외경은 상기 측정 블럭의 내경보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein an outer diameter of the moving shaft is smaller than an inner diameter of the measuring block.
제5항에 있어서,
상기 측정 블럭은 상기 아암의 아래에 위치되는 기판 처리 장치,
6. The method of claim 5,
Wherein the measuring block comprises a substrate processing apparatus positioned below the arm,
제6항에 있어서,
상기 측정 부재는,
상기 커버에 제공되는 제1자성 부재와;
상기 측정 블럭에 제공되며, 상기 제1자성 부재와 인력이 작용하는 제2자성 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the measuring member comprises:
A first magnetic member provided on the cover;
And a second magnetic member provided in the measurement block, the second magnetic member acting on the first magnetic member with an attraction force.
제7항에 있어서,
상기 제1자성 부재는 상기 장착 상태의 상기 커버에서 상기 측정 블럭과 대향되게 위치되는 기판 처리 장치.
8. The method of claim 7,
And the first magnetic member is located opposite the measurement block in the cover in the mounted state.
제8항에 있어서,
상기 미장착 상태에서 상기 측정 블럭은 제1위치에 위치되고,
상기 장착 상태에서 상기 측정 블럭은 제2위치에 위치되되,
상기 측정 센서는,
상기 제1위치에 위치되는 상기 측정 블럭을 감지하는 하부 센서와;
상기 제2위치에 위치되는 상기 측정 블럭을 감지하는 중간센서를 포함하고,
상기 하부 센서 및 상기 상부 센서로부터 전달된 정보를 근거로 상기 안착 상태를 판단하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
In the non-mounted state, the measurement block is located in the first position,
Wherein in the mounted state the measuring block is located in a second position,
The measurement sensor includes:
A lower sensor for sensing the measurement block located at the first position;
And an intermediate sensor for sensing the measurement block located in the second position,
And a controller for determining the seating state based on information transmitted from the lower sensor and the upper sensor.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛 내에 위치되며, 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판을 열 처리하는 열 처리 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.



4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A substrate supporting unit, disposed in the processing space, for supporting the substrate;
Further comprising: a heat treatment member located in the substrate support unit, for heat treating the substrate placed on the substrate support unit.



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