KR20180075084A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

Apparatus for treating substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20180075084A
KR20180075084A KR1020160179013A KR20160179013A KR20180075084A KR 20180075084 A KR20180075084 A KR 20180075084A KR 1020160179013 A KR1020160179013 A KR 1020160179013A KR 20160179013 A KR20160179013 A KR 20160179013A KR 20180075084 A KR20180075084 A KR 20180075084A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
buffer
module
chamber
plate
Prior art date
Application number
KR1020160179013A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101909183B1 (en
Inventor
조민우
최철민
김기훈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160179013A priority Critical patent/KR101909183B1/en
Publication of KR20180075084A publication Critical patent/KR20180075084A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101909183B1 publication Critical patent/KR101909183B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Provided is an apparatus for thermally treating a substrate. The substrate treating apparatus comprises: a chamber for providing a treatment space therein; a seating plate located in the treatment space and having a seating surface on which a substrate is seated; a heating member for heating the substrate seated on the seating plate; and a guide member for guiding the substrate so that the substrate is put on the seating surface. The guide member relieves a flow of air current induced into a space between the seating plate and an inner face of a housing. The substrate treating apparatus can minimize a flow rate of outdoor air coming into contact with the substrate since lower outdoor air comes into contact with the substrate just through a gap between the guide member and the seating plate.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판을 열 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for heat treating a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 증착 공정은 공정 가스를 기판 상에 증착하여 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Among these processes, a deposition and coating process is used as a process for forming a film on a substrate. In general, a deposition process is a process of depositing a process gas on a substrate to form a film, and a coating process is a process of applying a process liquid onto a substrate to form a liquid film.

이 중 도포 공정은 기판 상에 처리액을 도포하기 전후에 기판을 베이크 처리하는 과정을 포함한다. 베이크 처리 과정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도로 가열 처리하는 과정으로, 액막에 포함된 유기물이 제거된다.Among them, the coating step includes a step of baking the substrate before and after applying the treatment liquid on the substrate. The baking process is a process of heating the substrate to a process temperature in a closed space, and organic substances contained in the liquid film are removed.

도 1은 일반적인 베이크 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 베이크 장치는 챔버(2), 안착 플레이트(4), 리프트 핀(6), 그리고 히터(8)를 포함한다. 챔버(2) 내에는 안착 플레이트(4)가 위치되며, 안착 플레이트(4)에는 리프트 핀(6) 및 히터(8)가 제공된다. 히터(8)는 안착 플레이트(4)에 지지된 기판(W)을 가열하고, 리프트 핀(6)은 안착 플레이트(4)에 위치된 기판(W)을 들러 올리거나 내려 놓는다.1 is a sectional view showing a general baking apparatus. Referring to Fig. 1, the bake apparatus includes a chamber 2, a seating plate 4, a lift pin 6, and a heater 8. A seating plate 4 is placed in the chamber 2 and a lift pin 6 and a heater 8 are provided on the seating plate 4. The heater 8 heats the substrate W supported on the seating plate 4 and the lift pin 6 lifts or drops the substrate W placed on the seating plate 4.

히터(8)는 이를 구동하기 위한 전원이 연결되고, 리프트 핀(6)에는 이를 구동하기 위한 구동기가 연결된다. 전원 및 구동기는 챔버(2) 내부의 온도 영향을 최소화하기 위해 챔버(2)의 외부에 위치된다. 따라서 전원 및 구동기로부터 발생된 구동력은 챔버(2)의 하부에 형성된 개구를 통해 전달된다. The heater 8 is connected to a power source for driving the heater 8, and a driver for driving the heater 8 is connected to the lift pin 6. The power source and the actuator are located outside the chamber 2 in order to minimize the effect of temperature inside the chamber 2. Thus, the driving force generated from the power source and the actuator is transmitted through the opening formed in the lower portion of the chamber 2.

그러나 이러한 개구를 통해 챔버(2) 내에는 외부의 기류(이하 외기)가 유입되고, 이는 기판(W)을 열 손실을 발생시킨다. 특히 외기는 안착 플레이트(4)와 챔버(2)의 내측면의 사이 공간으로 다량 유입되며, 일부는 안착 플레이트(4)에 놓여진 기판(W)의 가장자리 영역에 접촉된다. However, external airflow (hereinafter referred to as ambient air) flows into the chamber 2 through these openings, which causes heat loss in the substrate W. Particularly, the outside air is introduced into the space between the seating plate 4 and the inner surface of the chamber 2 in a large amount, and a part of the outside air is brought into contact with the edge region of the substrate W placed on the seating plate 4.

이에 따라 기판(W)은 공정 온도보다 낮은 온도로 가열될 뿐만 아니라, 영역별 온도가 상이하며, 공정 불량을 야기한다.As a result, not only the substrate W is heated to a temperature lower than the process temperature, but also the temperature is different for each region, causing a process failure.

한국 공개 특허 2016-0039768Korean Patent Publication No. 2016-0039768

본 발명은 기판을 영역 별로 균일하게 가열 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of heating a substrate uniformly in each region.

또한 본 발명은 챔버 내에 유입되는 외기에 의해 기판의 일부 영역이 다른 영역에 비해 낮은 온도로 가열되는 것을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus capable of minimizing heating of a portion of a substrate to a lower temperature than other regions due to outside air introduced into the chamber.

본 발명의 실시예는 기판을 열 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 처리공간에 위치되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 안착 플레이트, 상기 안착 플레이트에 안착되는 기판을 가열하는 가열 부재, 그리고 상기 안착면에 기판이 놓이도록 기판을 안내하는 안내 부재를 포함하되, 상기 안내 부재는 상기 안착 플레이트와 상기 챔버의 내측면의 사이 공간에 유입된 기류의 흐름을 완화시킨다. An embodiment of the present invention provides an apparatus for heat treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber for providing a processing space therein, a mounting plate disposed in the processing space, the mounting plate having a mounting surface on which the substrate is mounted, a heating member for heating the substrate mounted on the mounting plate, Wherein the guide member alleviates the flow of the airflow introduced into the space between the seating plate and the inner surface of the chamber.

상기 안내 부재는 상기 사이 공간을 차단하는 가이드를 포함하되, 상기 가이드는 환형의 링 형상을 가지며, 상기 안착 플레이트보다 큰 외경으로 제공되는 링부 및 상기 링부의 내측면으로부터 연장되며, 상기 안착면의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 상면을 가지는 안내부를 포함할 수 있다. 상기 링부의 저면에는 홈이 형성되되, 상부에서 바라볼 때 상기 홈은 상기 사이 공간과 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 홈은 상기 링부의 원주 방향을 따라 길게 제공된 슬릿으로 제공될 수 있다. 상기 홈은 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 상기 홈은 복수 개로 제공되며, 복수 개의 상기 홈들은 상기 링부의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. Wherein the guide member includes a guide for blocking the space therebetween, the guide having an annular ring shape, a ring portion provided at an outer diameter larger than the seating plate, and a ring portion extending from an inner surface of the ring portion, And a guide portion having a downwardly inclined upper surface as it gets closer to the axis. A groove is formed in a bottom surface of the ring portion, and the groove may be positioned to overlap with the interspace when viewed from above. The groove may be provided with a slit provided elongated along the circumferential direction of the ring portion. The grooves may have an annular ring shape. The grooves may be provided in a plurality, and the grooves may be arranged along the circumferential direction of the ring portion.

상기 장치는 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함하되, 상기 챔버는 하부가 개방되며, 상면에 중심홀 및 주변홀이 형성되는 상부 바디 및 상부가 개방되며, 상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하고, 상기 배기 유닛은 상기 중심홀에 삽입되는 배기관 및 상기 처리 공간에 위치되며, 상기 배기관의 하단으로부터 연장되는 배기 플레이트, 그리고 상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다. The apparatus further includes an exhaust unit for evacuating the processing space, wherein the chamber is opened at an upper portion thereof, and an upper body and an upper portion, in which a center hole and a peripheral hole are formed, are opened, Wherein the exhaust unit includes an exhaust pipe inserted into the center hole and an exhaust plate located in the process space and extending from a lower end of the exhaust pipe, and a pressure-reducing member for reducing the pressure of the exhaust pipe .

상기 안내 부재는 상기 사이 공간에 위치되는 버퍼를 더 포함하되, 상기 버퍼는 상기 안착 플레이트의 외측면 또는 상기 챔버의 내측면으로부터 돌출될 수 있다. The guide member may further include a buffer positioned in the interspace, wherein the buffer may protrude from an outer surface of the seating plate or an inner surface of the chamber.

본 발명의 실시예에 의하면, 가이드는 안착 플레이트와 챔버의 내측면의 사이 공간을 차단한다. 이로 인해 하부 외기는 가이드와 안착 플레이트의 틈을 통해서만 기판에 접촉되므로, 기판에 접촉되는 외기의 유량을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the guide blocks the space between the seating plate and the inner surface of the chamber. As a result, the lower outside air comes into contact with the substrate only through the gap between the guide and the seating plate, so that the flow rate of the outside air contacting the substrate can be minimized.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 가이드의 저면에는 홈이 형성된다. 이로 인해 하부 외기는 그 흐름 경로가 홈을 지나는 과정에서 유속이 느려지며, 기판에 접촉되는 외기의 유량을 최소화할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, a groove is formed in the bottom surface of the guide. As a result, the flow rate of the lower outside air is slowed as the flow path passes through the grooves, and the flow rate of the outside air contacting the substrate can be minimized.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 버퍼는 사이 공간에 위치되어 하부 외기의 흐름을 간섭한다. 하부 외기는 버퍼에 의해 유속이 느려지며, 이는 기판에 접촉되는 외기의 유량을 최소화할 수 있다.Also according to an embodiment of the present invention, the buffer is located in the interspace and interferes with the flow of the lower ambient air. The lower outer atmosphere is slowed in flow rate by the buffer, which can minimize the flow rate of ambient air in contact with the substrate.

도 1은 일반적은 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 안착 플레이트 및 안내 부재를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 6의 가이드를 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 8의 가이드를 아래에서 바라본 도면이다.
도 10은 도 7의 하부 외기의 흐름 경로를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 9의 가이드의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 12는 도 10의 안내 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general baking apparatus. FIG.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
Fig. 5 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the CC direction.
6 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig.
7 is a plan view showing the seating plate and guide member of Fig. 6;
8 is a perspective view showing the guide of Fig.
9 is a view of the guide of FIG. 8 as viewed from below.
Fig. 10 is a view showing a flow path of the lower outer space of Fig. 7; Fig.
FIG. 11 is a view showing another embodiment of the guide of FIG. 9. FIG.
12 is a cross-sectional view showing another embodiment of the guide member of Fig.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 액막을 형성하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. However, this embodiment is applicable to various apparatuses for forming a liquid film. Hereinafter, a case where a circular wafer is used as the substrate will be described as an example.

도 2 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIGS. 2 through 12 are schematic views of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the AA direction, FIG. 4 is a view of the apparatus of FIG. 2 viewed from the BB direction, In the CC direction.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application unit 410, a bake unit 420, and a transfer chamber 430. The resist application unit 410, the bake unit 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist coating unit 410 and the bake unit 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of resist coating units 410 are provided, and a plurality of resist coating units 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six resist application units 410 are provided is shown. A plurality of bake units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 420 may be provided in more or less numbers.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The application unit robot 432 is connected to the bake units 420, the resist application units 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300 and the first buffer unit 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating units 410 all have the same structure. However, the types of the sensitizing solution used in the respective resist coating units 410 may be different from each other. For example, a chemical amplification resist may be used as the sensitizing solution. The resist coating unit 410 applies the photosensitive liquid onto the substrate W. [ The resist coating unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the sensitizing solution onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply the photosensitive liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photosensitive liquid is applied.

베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.The bake unit 800 heat-treats the substrate W. The bake unit 800 heat-treats the substrate W before and after applying the photosensitive liquid. The bake unit 800 can heat the substrate W to a predetermined temperature so as to change the surface properties of the substrate W before applying the photosensitive liquid and form a process liquid film such as an adhesive on the substrate W have. The bake unit 800 can heat-treat the photosensitive liquid film in a reduced-pressure atmosphere on the substrate W coated with the photosensitive liquid. The volatile substance contained in the photosensitive liquid film can be volatilized. In this embodiment, the bake unit 800 is described as a unit for performing the heat treatment on the photosensitive liquid film.

베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다. The bake unit 800 includes a cooling plate 820 and a heating unit 1000. The cooling plate 820 cools the substrate W heated by the heating unit 1000. The cooling plate 820 is provided in the shape of a circular plate. Inside the cooling plate 820, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the substrate W placed on the cooling plate 820 may be cooled to a temperature equal to or close to ambient temperature.

가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 열 처리한다. 가열 유닛(1000)은 기판(W)을 가열 처리하는 장치(1000)로 제공된다. 도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 가열 부재, 배기 유닛(1500), 그리고 안내 부재(1800)를 포함한다. The heating unit 1000 heat-treats the substrate W in an atmospheric pressure or lower pressure atmosphere. The heating unit 1000 is provided with an apparatus 1000 for heating the substrate W. 6 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig. 6, the substrate processing apparatus 1000 includes a chamber 1100, a substrate supporting unit 1300, a heating member, an exhaust unit 1500, and a guide member 1800. [

챔버(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-treating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided with an outer and an interrupted space. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1122) 및 주변홀(1124)이 형성된다. 중심홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기가 배기되는 배기홀(1122)로 기능한다. 주변홀(1124)은 복수 개로 제공되며, 상부 바디(1120)의 중심을 벗어난 위치에 형성된다. 주변홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류가 유입되는 유입홀(1124)로 기능한다. 주변홀들(1124)은 중심홀(1122)을 감싸도록 위치된다. 주변홀들(1124)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 주변홀(1124)은 4 개일 수 있다. 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. A center hole 1122 and a peripheral hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The center hole 1122 is formed at the center of the upper body 1120. The center hole 1122 functions as an exhaust hole 1122 through which the atmosphere of the process space 1110 is exhausted. The peripheral holes 1124 are provided in a plurality of locations and are formed at positions deviated from the center of the upper body 1120. The peripheral holes 1124 function as an inlet hole 1124 through which the external air flows into the processing space 1110. The peripheral holes 1124 are positioned to surround the center hole 1122. The peripheral holes 1124 are spaced apart from each other along the circumferential direction. According to one example, the number of the peripheral holes 1124 may be four. The external air flow may be air.

선택적으로, 주변홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공될 수 있다. 또한 외부의 기류는 비활성 가스일 수 있다.Alternatively, the peripheral holes 1124 may be provided in three or more than five. The external airflow may also be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with its top opened. The lower body 1140 is positioned below the upper body 1120. [ The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned such that their central axes coincide with each other with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned opposite to the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the shutoff position by the lifting member 1130 and the other is fixed in position. According to an example, the lower body 1140 is fixed in position, and the upper body 1120 can be moved between the open position and the shutoff position by the lifting member 1130. [ Here, the open position is a position where the processing space 1110 is opened by separating the upper body 1120 and the lower body 1140 from each other. The cutoff position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. A sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 seals a gap between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 may be an O-ring member 1160 having an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 안착 플레이트(1320) 및 핀 어셈블리(1340)를 포함한다. 안착 플레이트(1320)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 안착 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 안착 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 안착 가능하다. 안착 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 중앙 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 즉 안착 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 또한 안착 플레이트(1320)는 하부 바디보다 작은 직경을 가진다. 안착 플레이트(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 핀 홀들(1322)은 안착 플레이트(1320)의 상단에서 하단까지 연장되게 형성된다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. 안착 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The substrate supporting unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110. [ The substrate supporting unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a seating plate 1320 and a pin assembly 1340. The seating plate 1320 supports the substrate W in the processing space 1110. The seating plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the seating plate 1320 is capable of seating the substrate W. The center area including the center of the upper surface of the seating plate 1320 serves as a seating surface on which the substrate W is seated. The upper surface of the seating plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. [ The seating plate 1320 also has a smaller diameter than the lower body. A plurality of pin holes 1322 are formed on the seating surface of the seating plate 1320. The pin holes 1322 are arranged to surround the center of the seating surface when viewed from above. Each of the pin holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 1322 are spaced at equal intervals from each other. The pin holes 1322 are formed to extend from the upper end to the lower end of the seating plate 1320. For example, pin holes 1322 may be provided in three. The seating plate 1320 may be provided with a material containing aluminum nitride (AlN).

핀 어셈블리(1340)는 안착 플레이트(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착 플레이트(1320)에 안착시킨다. 핀 어셈블리(1340)는 리프트 핀(1342) 및 구동 부재(1344)를 포함한다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공된다. 각각의 리프트 핀(1342)은 길이 방향이 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 리프트 핀(1342)은 핀 홀(1322)의 깊이보다 긴 길이를 가진다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(1342)은 하부 바디(1140)를 관통되게 위치될 수 있다. 리프트 핀(1342)의 하단은 하부 바디(1140)의 외부에 위치될 수 있다. 리프트 핀(1342)은 핀 홀(1322)과 동일한 개수로 제공될 수 있다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동 가능하다.The pin assembly 1340 lifts the substrate W from the seating plate 1320 or places the substrate W on the seating plate 1320. The pin assembly 1340 includes a lift pin 1342 and a driving member 1344. A plurality of lift pins 1342 are provided. Each of the lift pins 1342 is provided in the shape of a pin whose longitudinal direction is directed upward and downward. The lift pin 1342 has a length longer than the depth of the pin hole 1322. According to one example, the lift pin 1342 may be positioned to penetrate the lower body 1140. The lower end of the lift pin 1342 may be located outside the lower body 1140. The lift pins 1342 may be provided in the same number as the pin holes 1322. Each pin hole 1322 is provided with a lift pin 1340. The lift pins 1340 are vertically movable.

구동 부재(1344)는 리프트 핀(1342)을 승강 이동시킨다. 구동 부재(1344)는 리프트 핀들(1342)을 동시에 이동시킨다. 구동 부재(1344)는 하부 바디(1140)의 아래에 위치된다. 구동 부재(1344)는 리프트 핀(1342)을 승강 위치 또는 하강 위치로 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면보다 높게 위치되는 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 핀 홀(1322) 내에 위치되는 위치로 정의한다. The driving member 1344 moves the lift pins 1342 up and down. The driving member 1344 moves the lift pins 1342 simultaneously. The driving member 1344 is positioned below the lower body 1140. The driving member 1344 moves the lift pin 1342 to the lifting position or the lifting position. The lift position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is positioned higher than the seating surface and the lowered position is defined as a position where the upper end of the lift pin 1342 is located in the pin hole 1322.

가열 부재(1400)는 안착 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 공정 온도로 가열 처리한다. 가열 부재(1400)는 안착 플레이트(1320)에 제공된다. 가열 부재(1400)는 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 복수 개의 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320)의 저면에 설치된다. 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 히터들은 안착 플레이트(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 안착 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 히터(1420)에는 챔버(1100) 외부에 위치된 전원(1440)이 연결된다. 전원(1440)은 각 히터(1420)에 전력을 제공한다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터들(1420)은 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 온도는 400℃ 이상일 수 있다. 선택적으로 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320) 내에 설치될 수 있다. The heating member 1400 heats the substrate W placed on the seating plate 1320 to the process temperature. The heating member 1400 is provided in the seating plate 1320. The heating member 1400 includes a plurality of heaters 1420. The plurality of heaters 1420 are installed on the bottom surface of the seating plate 1320. The heaters 1420 are located on the same plane. The heaters heat different areas of the seating plate 1320. An area of the seating plate 1320 corresponding to each heater 1420 as viewed from above may be provided in the heating zones. The temperature of each heater 1420 is independently adjustable. A heater 1420 is connected to a power source 1440 located outside the chamber 1100. A power supply 1440 provides power to each heater 1420. For example, the number of heating zones may be fifteen. The temperature of each heating zone is measured by a sensor (not shown). The heaters 1420 may be thermoelectric elements or hot wires. According to one example, the process temperature may be 400 ° C or higher. Optionally, the heaters 1420 may be installed in the seating plate 1320.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)을 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1520) 감압 부재(1540), 그리고 배기 플레이트(1560)를 포함한다. 배기관(1520)은 양단이 개방된 관 형상으로 제공된다. 배기관(1520)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)에 고정 결합된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)의 중심홀(1122)에 관통되게 위치된다. 배기관(1520)은 하단을 포함하는 하부 영역이 처리 공간(1110)에 위치되고, 상단을 포함하는 상부 영역이 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 즉 배기관(1520)의 상단은 상부 바디(1120)보다 높게 위치된다. 배기관(1520)에는 감압 부재(1540)가 연결된다. 감압 부재(1540)는 배기관(1520)을 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)은 배기관(1520)을 통해 배기될 수 있다.The exhaust unit 1500 exhausts the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1520, a pressure-reducing member 1540, and an exhaust plate 1560. The exhaust pipe 1520 is provided in a tubular shape with both open ends. The exhaust pipe 1520 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The exhaust pipe 1520 is fixedly coupled to the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 is positioned to penetrate the center hole 1122 of the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 is located in the processing space 1110 with the lower region including the lower end and the upper region including the upper portion is located outside the processing space 1110. That is, the upper end of the exhaust pipe 1520 is positioned higher than the upper body 1120. A decompression member 1540 is connected to the exhaust pipe 1520. The decompression member 1540 decompresses the exhaust pipe 1520. Accordingly, the processing space 1110 can be exhausted through the exhaust pipe 1520.

배기 플레이트(1560)는 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 흐름 방향을 안내한다. 배기 플레이트(1560)는 처리 공간(1110)에서 기류의 흐름 방향을 안내한다. 배기 플레이트(1560)는 통공(1620)을 가지는 판 형상으로 제공된다. 통공(1620)은 배기 플레이트(1560)의 중심에 형성된다. 배기 플레이트(1560)는 처리 공간(1110)에서 안착 플레이트(1320)의 상부에 위치된다. 배기 플레이트(1560)은 상부 바디(1120)와 대응되는 높이에 위치된다. 배기 플레이트(1560)는 안착 플레이트(1320)와 마주보도록 위치된다. 배기 플레이트(1560)는 통공(1620)에 배기관(1520)이 삽입되도록 위치된다. 예컨대, 통공(1620)은 배기관(1520)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 배기관(1520)은 배기 플레이트(1560)의 통공(1620)에 삽입 결합된다. 배기 플레이트(1560)는 배기관(1520)의 하단에 고정 결합된다. 배기 플레이트(1560)는 상부 바디(1120)의 내경보다 작은 외경을 가지도록 제공된다. 이에 따라 배기 플레이트(1560)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 형성된다. 처리 공간(1110)에 유입된 기류는 배기 플레이트(1560)에 의해 흐름 방향이 안내되고, 틈을 통해 공급된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 배기 플레이트(1560)는 주변홀(1124)과 중첩될 수 있다. 배기 플레이트(1560)는 안착 플레이트(1320)의 안착면보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다.The exhaust plate 1560 guides the flow direction of the airflow entering the processing space 1110. The exhaust plate 1560 guides the flow direction of the airflow in the processing space 1110. The exhaust plate 1560 is provided in the form of a plate having a through hole 1620. The through hole 1620 is formed at the center of the exhaust plate 1560. The exhaust plate 1560 is positioned above the seating plate 1320 in the processing space 1110. The exhaust plate 1560 is located at a height corresponding to the upper body 1120. The exhaust plate 1560 is positioned to face the seating plate 1320. The exhaust plate 1560 is positioned so that the exhaust pipe 1520 is inserted into the through hole 1620. For example, the through hole 1620 may have the same diameter as the exhaust pipe 1520. The exhaust pipe 1520 is inserted into the through hole 1620 of the exhaust plate 1560. The exhaust plate 1560 is fixedly coupled to the lower end of the exhaust pipe 1520. The exhaust plate 1560 is provided so as to have an outer diameter smaller than the inner diameter of the upper body 1120. Accordingly, a gap is formed between the side surface of the exhaust plate 1560 and the inner surface of the upper body 1120. The airflow introduced into the processing space 1110 is guided in the flow direction by the exhaust plate 1560, and is supplied through the gap. According to one example, the exhaust plate 1560 may overlap the peripheral hole 1124 when viewed from the top. The exhaust plate 1560 may be provided to have a larger diameter than the seating surface of the seating plate 1320.

안내 부재(1800)는 기판(W)이 안착면의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 안내한다. 또한 안내 부재(1800)는 안착면의 아래에서 처리 공간(1110)에 유입되는 기류(이하, 하부 외기)가 안착면에 안착된 기판(W)에 접촉되는 것을 최소화시킨다. 도 7은 도 6의 안착 플레이트 및 안내 부재를 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 6의 가이드를 보여주는 사시도이며, 도 9는 도 8의 가이드를 아래에서 바라본 도면이다. 도 7 내지 도 9를 참조하면, 안내 부재(1800)는 안착 플레이트(1320)와 하부 바디(1140)의 사이 공간에 유입된 외기의 흐름을 완화시킨다. 안내 부재(1800)는 가이드(1820)를 포함한다. 가이드(1820)는 환형의 링 형상을 가진다. 가이드(1820)는 안착 플레이트(1320)의 상면에 고정 결합된다. 가이드(1820)는 안착면보다 큰 내경을 가지고, 안착 플레이트(1320)보다 큰 외경을 가진다. 즉, 상부에서 바라볼 때 가이드(1820)의 외측면은 안착 플레이트(1320)와 하부 바디(1140)의 사이 공간에 중첩되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가이드(1820)는 상기 사이 공간을 차단할 수 있는 외경을 가질 수 있다. The guide member 1800 guides the substrate W so that the substrate W is placed in the correct position on the seating surface. Further, the guide member 1800 minimizes the contact of the airflow (hereinafter, lower outside air) flowing into the processing space 1110 below the seating surface to the substrate W placed on the seating surface. FIG. 7 is a plan view showing the seating plate and the guide member of FIG. 6, FIG. 8 is a perspective view showing the guide of FIG. 6, and FIG. 9 is a view of the guide of FIG. 8 from below. 7 to 9, the guide member 1800 relaxes the flow of the outside air introduced into the space between the seating plate 1320 and the lower body 1140. The guide member 1800 includes a guide 1820. The guide 1820 has an annular ring shape. The guide 1820 is fixedly coupled to the upper surface of the seating plate 1320. The guide 1820 has a larger inner diameter than the seating surface and has an outer diameter larger than the seating plate 1320. That is, the outer surface of the guide 1820 is positioned over the space between the seating plate 1320 and the lower body 1140 when viewed from above. According to one example, the guide 1820 may have an outer diameter that can block the interspace.

가이드(1820)는 링부(1822) 및 안내부(1824)를 포함한다. 링부(1822)는 환형의 링 형상을 가지며, 안내부(1824)는 링부(1822)의 내측면으로부터 안착면의 중심축에 가까워지는 방향으로 연장되게 제공된다. 안내부(1824)는 복수 개로 제공되며, 각각은 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 안내부들(1824)은 링부(1822)의 원주 방향을 따라 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내부(1824)는 3 개일 수 있다. 안내부(1824)의 상면은 안착면의 중심축에 가까워질수록 하향 경사지게 제공된다. 상부에서 바라볼 때 안내부(1824)는 안착면의 외측에 위치된다. 이로 인해 기판(W)이 안착면을 벗어나 안내부(1824)의 상면에 놓여지더라도, 기판(W)은 안내부(1824)의 상면을 타고 안착면에 놓여질 수 있다.The guide 1820 includes a ring portion 1822 and a guide portion 1824. The ring portion 1822 has an annular ring shape and the guide portion 1824 is provided to extend from the inner side of the ring portion 1822 toward the center axis of the seating surface. The guide portions 1824 are provided in a plurality of, and are spaced apart at equal intervals. The guide portions 1824 are positioned apart from each other in the circumferential direction of the ring portion 1822. [ According to one example, the number of the guide portions 1824 can be three. The upper surface of the guide portion 1824 is provided to be inclined downward as it approaches the center axis of the seating surface. The guide portion 1824 is positioned on the outer side of the seating surface. The substrate W can be placed on the seating surface while riding on the upper surface of the guide portion 1824 even if the substrate W is out of the seating surface and placed on the upper surface of the guide portion 1824. [

링부(1822)의 저면에는 홈(1823)이 형성된다. 홈(1823)이 형성된 위치는 안착 플레이트(1320)의 상면보다 높게 위치된다. 상부에서 바라볼 때 홈(1823)은 안착 플레이트(1320)와 하부 바디(1140)의 사이 공간에 중첩되게 위치된다. 홈(1823)은 링부(1822)와 대응되는 직경을 가지는 환형의 링 형상으로 제공된다. 홈(1823)은 사이 공간에 유입된 하부 외기의 흐름을 완화시킨다. A groove 1823 is formed on the bottom surface of the ring portion 1822. The position where the groove 1823 is formed is positioned higher than the upper surface of the seating plate 1320. The groove 1823 is positioned to overlap the space between the seating plate 1320 and the lower body 1140 when viewed from above. The groove 1823 is provided in an annular ring shape having a diameter corresponding to the ring portion 1822. [ The groove 1823 relaxes the flow of the lower outside air introduced into the interspace.

도 10은 도 7의 하부 외기의 흐름 경로를 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 하부 외기는 홈(1823)을 거치는 과정에서 그 흐름 경로가 길어지며, 유속이 낮아진다. 이로 인해 하부 외기가 링부(1822) 및 안착 플레이트(1320)의 틈을 통해 기판(W)과 접촉될지라도, 기판(W)에 접촉 가능한 하부 외기의 유량을 최소화할 수 있다.Fig. 10 is a view showing a flow path of the lower outer space of Fig. 7; Fig. Referring to FIG. 10, in the process of passing through the groove 1823, the lower outer atmosphere has a longer flow path and a lower flow velocity. The flow rate of the lower outer atmosphere which can be brought into contact with the substrate W can be minimized even if the lower outer atmosphere is brought into contact with the substrate W through the gap of the ring portion 1822 and the seating plate 1320. [

상술한 실시예에 의하면, 안착 플레이트(1320)와 하부 바디(1140) 간에 사이 공간은 가이드(1820)에 의해 차단되며, 하부 외기는 홈(1823)을 거치는 과정에서 유속이 낮아진다. 이로 인해 하부 외기의 일부가 가이드(1820) 및 안착 플레이트(1320)의 틈을 통해 기판(W)과 접촉될지라도, 기판(W)에 접촉되는 하부 외기의 유량을 최소화할 수 있다.The space between the seating plate 1320 and the lower body 1140 is blocked by the guide 1820 and the lower outer atmosphere is lowered in the course of passing through the groove 1823. [ The flow rate of the lower outside air contacting the substrate W can be minimized even if a part of the lower outside air is brought into contact with the substrate W through the gap of the guide 1820 and the seating plate 1320. [

상술한 실시예에는 링부(1822)의 저면에는 환형의 링 형상을 가지는 홈(1823)이 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 11과 같이, 홈(1823)은 복수 개로 제공되며, 각각은 호 형상을 가질 수 있다. 복수 개의 홈들(1823)은 링부(1822)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 위치될 수 있다. 즉, 홈들(1823)은 링부(1822)의 원주 방향을 따라 길게 제공된 슬릿 형상으로 제공될 수 있다.In the above-described embodiment, the annular ring-shaped groove 1823 is formed on the bottom surface of the ring portion 1822. However, as shown in Fig. 11, the grooves 1823 are provided in plural, and each may have a arc shape. The plurality of grooves 1823 may be positioned apart from each other along the circumferential direction of the ring portion 1822. That is, the grooves 1823 may be provided in the form of a slit provided along the circumferential direction of the ring portion 1822.

또한 도 12와 같이, 안내 부재(1800)는 버퍼(1826)를 더 포함할 수 있다. 버퍼(1826)는 사이 공간에 위치될 수 있다. 버퍼(1826)는 안착 플레이트(1320)의 외측면 및 하부 바디(1140)의 내측면 각각으로부터 돌출되게 제공될 수 있다. 이로 인해 사이 공간에 유입된 하부 외기의 흐름을 간섭하며, 하부 외기의 유속을 낮추고, 기판(W)에 접촉되는 하부 외기의 유량을 최소화시킬 수 있다. 선택적으로 버퍼(1826)는 안착 플레이트(1320)의 외측면 및 하부 바디(1140)의 내측면 중 어느 하나에만 제공될 수 있다.Also, as shown in FIG. 12, the guide member 1800 may further include a buffer 1826. Buffer 1826 may be located in the interim space. The buffer 1826 may be provided to protrude from the outer surface of the seating plate 1320 and the inner surface of the lower body 1140, respectively. This interferes with the flow of the lower outside air flowing into the interspace, lowering the flow rate of the lower outside air, and minimizing the flow rate of the lower outside air contacting the substrate (W). Optionally, the buffer 1826 may be provided only on either the outer surface of the seating plate 1320 and the inner surface of the lower body 1140.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 유닛(460)과 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 유닛(460)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 유닛(460)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.2 to 5, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process for removing a portion of the photoresist on the substrate W And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a development unit 460, a bake unit 470, and a transfer chamber 480. [ The developing unit 460, the bake unit 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The developing unit 460 and the bake unit 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing units 460 are provided, and a plurality of developing units 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing units 460 are provided is shown. A plurality of bake units 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 470 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 470 may be provided in a greater number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 유닛들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing robot 482 includes bake units 470, developing units 460, a second buffer 330 and a cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and a second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 유닛들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 유닛(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 유닛(460)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing units 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing units 460 may be different from each other. The developing unit 460 removes a region of the photoresist on the substrate W irradiated with light. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 유닛(460)은 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 유닛(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing unit 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing unit 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 유닛(800)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The bake unit 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake units 470 may include a post bake process in which the substrate W is heated before the development process is performed, a hard bake process in which the substrate W is heated after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake unit 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating plate 472 is provided with a heating means 474 such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be provided in a single bake unit 470, respectively. Optionally, some of the bake units 470 may include only the cooling plate 471, while others may only have the heating plate 472. [ Since the bake unit 470 of the developing module 402 has the same configuration as that of the bake unit 800 of the application module 401, detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 유닛(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 유닛(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 유닛(610)과 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 유닛(610)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 유닛(610)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The preprocessing module 601 has a protective film application unit 610, a bake unit 620, and a transfer chamber 630. The protective film application unit 610, the transfer chamber 630, and the bake unit 620 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The protective film applying unit 610 and the bake unit 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application units 610 are provided, and are arranged along the third direction 16 to form a layer with each other. Alternatively, a plurality of protective film application units 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake units 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, the plurality of bake units 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 유닛들(610), 베이크 유닛들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application units 610, the bake units 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 유닛(610)은 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 유닛(610)은 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 유닛(610)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film coating unit 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application unit 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying unit 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the supporting plate 612. [

베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake unit 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake unit 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake unit 620, respectively. Optionally, some of the bake units 620 may include only the heating plate 622, while others may only include the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake unit 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake unit 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake unit 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake units 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake units 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, the post-exposure bake units 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake unit 670 uses the deep ultraviolet light to heat the substrate W subjected to the exposure process. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake unit 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake unit 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake unit having only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 유닛(610)과 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film application unit 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake unit 620 and the post-exposure bake unit 670 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

1100: 챔버 1320: 안착 플레이트
1340: 핀 어셈블리 1400: 가열 부재,
1500: 배기 유닛 1800: 안내 부재
1820: 가이드 1822: 링부
1824: 안내부 1840: 버퍼1100: chamber 1320: seating plate
1340: pin assembly 1400: heating element,
1500: exhaust unit 1800: guide member
1820: Guide 1822: Rings
1824: Information section 1840: Buffer

Claims (8)

내부에 처리공간을 제공하는 챔버와;
상기 처리공간에 위치되며, 기판이 안착되는 안착면을 가지는 안착 플레이트와;
상기 안착 플레이트에 안착되는 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 안착면에 기판이 놓이도록 기판을 안내하는 안내 부재를 포함하되,
상기 안내 부재는 상기 안착 플레이트와 상기 챔버의 내측면의 사이 공간에 유입된 기류의 흐름을 완화시키는 기판 처리 장치.A chamber for providing a processing space therein;
A seating plate located in the processing space and having a seating surface on which the substrate is seated;
A heating member for heating a substrate placed on the seating plate;
And a guide member for guiding the substrate so that the substrate is placed on the seating surface,
Wherein the guide member alleviates the flow of the airflow introduced into the space between the seating plate and the inner surface of the chamber. 제1항에 있어서,
상기 안내 부재는,
상기 사이 공간을 차단하는 가이드를 포함하되,
상기 가이드는
환형의 링 형상을 가지며, 상기 안착 플레이트보다 큰 외경으로 제공되는 링부와;
상기 링부의 내측면으로부터 연장되며, 상기 안착면의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 상면을 가지는 안내부를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The guide member
And a guide for blocking the interspace,
The guide
A ring portion having an annular ring shape and provided with an outer diameter larger than that of the seating plate;
And a guide portion extending from the inner surface of the ring portion and having a downwardly inclined upper surface toward the center axis of the seating surface. 제2항에 있어서,
상기 링부의 저면에는 홈이 형성되되,
상부에서 바라볼 때 상기 홈은 상기 사이 공간과 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
A groove is formed in the bottom surface of the ring portion,
Wherein the groove is positioned to overlap the interspace when viewed from above. 제3항에 있어서,
상기 홈은 상기 링부의 원주 방향을 따라 길게 제공된 슬릿으로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the groove is provided as a long slit provided along the circumferential direction of the ring portion. 제4항에 있어서,
상기 홈은 환형의 링 형상을 가지는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the groove has an annular ring shape. 제4항에 있어서,
상기 홈은 복수 개로 제공되며,
복수 개의 상기 홈들은 상기 링부의 원주 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The grooves are provided in plural,
Wherein the plurality of grooves are arranged along the circumferential direction of the ring portion. 제1항에 있어서,
상기 장치는,
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함하되,
상기 챔버는,
하부가 개방되며, 상면에 중심홀 및 주변홀이 형성되는 상부 바디와;
상부가 개방되며, 상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하고,
상기 배기 유닛은.
상기 중심홀에 삽입되는 배기관과;
상기 처리 공간에 위치되며, 상기 배기관의 하단으로부터 연장되는 배기 플레이트와;
상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The apparatus comprises:
Further comprising an exhaust unit for exhausting the processing space,
The chamber may comprise:
An upper body having a bottom open and having a center hole and a peripheral hole formed on an upper surface thereof;
And a lower body coupled to the upper body to form the processing space therein,
The exhaust unit includes:
An exhaust pipe inserted into the center hole;
An exhaust plate located in the processing space and extending from a lower end of the exhaust pipe;
Further comprising a pressure-reducing member for reducing the pressure of the exhaust pipe. 제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 안내 부재는,
상기 사이 공간에 위치되는 버퍼를 더 포함하되,
상기 버퍼는 상기 안착 플레이트의 외측면 또는 상기 챔버의 내측면으로부터 돌출되는 기판 처리 장치.

8. The method according to any one of claims 2 to 7,
The guide member
And a buffer positioned in the interspace,
Wherein the buffer protrudes from an outer surface of the seating plate or an inner surface of the chamber.

KR1020160179013A 2016-12-26 2016-12-26 Apparatus for treating substrate KR101909183B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160179013A KR101909183B1 (en) 2016-12-26 2016-12-26 Apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160179013A KR101909183B1 (en) 2016-12-26 2016-12-26 Apparatus for treating substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180075084A true KR20180075084A (en) 2018-07-04
KR101909183B1 KR101909183B1 (en) 2018-10-17

Family

ID=62913251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160179013A KR101909183B1 (en) 2016-12-26 2016-12-26 Apparatus for treating substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101909183B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397419A (en) * 2019-08-19 2021-02-23 细美事有限公司 Substrate processing apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260022A (en) * 2008-04-16 2009-11-05 Sokudo Co Ltd Substrate treatment unit, and substrate treatment apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112397419A (en) * 2019-08-19 2021-02-23 细美事有限公司 Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR101909183B1 (en) 2018-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101958636B1 (en) Apparatus for supporting substrate, System for treating substrate, and Method for treating substrate
KR101605721B1 (en) Bake apparatus and Apparatus for treating substrate
KR102188354B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102099116B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102397846B1 (en) Apparatus for treating a substrate
KR101935945B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101914483B1 (en) Apparatus for heating substrate
KR20190004494A (en) Apparatus for treating substrate
KR20160017780A (en) Substrate treating apparatus and method
KR101935940B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101909183B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20190042839A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102224987B1 (en) Heat processing apparatus
KR102444878B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101909481B1 (en) Bake unit, Apparatus and method for treating substrate with the unit
KR101870655B1 (en) Apparatus for treatinf substrate
KR102403200B1 (en) Unit for supporting substrate, Apparatus for treating substrate, and Method for treating substrate
KR102037919B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102037915B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20180054948A (en) Apparatus anf Method for treating substrate
KR101870651B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR101885101B1 (en) Apparatus for treatinf substrate
KR101985751B1 (en) Apparatus for supporting substrate, System for treating substrate, and Method for treating substrate
KR101966812B1 (en) Apparatus and Method for treating a substrate
KR102013669B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant