KR101966812B1 - Apparatus and Method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부 공간에 기류가 유입되는 유입홀이 형성되는 챔버, 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재, 상기 내부 공간을 기류 도입 공간 및 처리 공간으로 구획하며, 상기 기류 도입 공간 및 상기 처리 공간에 각각 연통되는 제1상부홀 및 제2상부홀을 가지는 구획판, 그리고 상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀을 개방 또는 차단하여 기류의 흐름 경로를 조절하는 기류 조절 유닛을 포함한다. 이로 인해 처리 공간의 영역 별 기류 유량을 조절 가능하다.The present invention provides an apparatus and a method for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber in which an inlet hole for introducing an airflow into the inner space is formed, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the inner space, a heating member for heating the substrate supported by the substrate supporting unit, And a partition plate having a first upper hole and a second upper hole communicating with the airflow introduction space and the processing space, respectively, and partitioning the first upper hole and the second upper hole into a space and a processing space, And an airflow regulating unit for regulating the flow path of the airflow. This makes it possible to control the flow rate of the air flow for each region of the processing space.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating a substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 증착 공정은 공정 가스를 기판 상에 증착하여 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Among these processes, a deposition and coating process is used as a process for forming a film on a substrate. In general, a deposition process is a process of depositing a process gas on a substrate to form a film, and a coating process is a process of applying a process liquid onto a substrate to form a liquid film.

기판 상에 막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크 처리하는 과정이 진행된다. 베이크 처리 과정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하거나 작업자에 따라 기판의 영역 별 온도를 조절한다.The substrate is baked before and after the film is formed on the substrate. The baking process is a process of heating the substrate at a process temperature or more in a closed space, and the entire region of the substrate is heated to a uniform temperature or the temperature of the region of the substrate is adjusted according to the operator.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 베이크 처리 장치의 내부에는 기판(W)의 외측부로부터 외부의 기류(이하, 외기)가 유입된다. 이로 인해 기판(W)의 외측 영역에는 외기가 우선적으로 접촉되고, 기판(W)의 내측 영역과 접촉된 후, 챔버(2)의 상부 영역을 통해 배기된다. 1 is a sectional view showing a general bake processing apparatus. Referring to Fig. 1, an outside air flow (hereinafter referred to as outside air) flows from the outside of the substrate W into the inside of the bake processing apparatus. Thus, the outer region of the substrate W is preferentially contacted with the outer region, is contacted with the inner region of the substrate W, and then exhausted through the upper region of the chamber 2.

이로 인해 베이크 처리 장치(2)의 유입구에 인접한 영역 및 배기 영역은 외기의 유량이 높은 반면, 상기 인접한 영역이나 상기 배기 영역으로부터 멀리 이격되는 영역은 외기의 유량이 상대적으로 낮다. 이에 따라 베이크 처리 장치(2)의 내부 공간(4)의 영역 별 외기 유량은 각각 상이하며, 그 외기의 유량에 따라 기판(W)의 온도는 상이해진다. 따라서 베이크 처리 장치(2) 내에 유입되는 기류의 유량을 조절할 수 있는 수단을 필요로 한다.Thus, the region adjacent to the inlet of the bake processing apparatus 2 and the exhaust region have a relatively high flow rate of the outside air, while the region remote from the adjacent region or the exhaust region has a relatively low flow rate of the outside air. Accordingly, the external air flow rates of the internal space 4 of the bake processing apparatus 2 are different from each other, and the temperature of the substrate W differs according to the flow rate of the external air. Therefore, a means for adjusting the flow rate of the airflow introduced into the bake processing apparatus 2 is required.

본 발명은 기판 처리 공간의 영역 별 기류 유량을 균일하게 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for uniformly controlling the airflow rate of each region of a substrate processing space.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부 공간에 기류가 유입되는 유입홀이 형성되는 챔버, 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재, 상기 내부 공간을 기류 도입 공간 및 처리 공간으로 구획하며, 상기 기류 도입 공간 및 상기 처리 공간에 각각 연통되는 제1상부홀 및 제2상부홀을 가지는 구획판, 그리고 상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀을 개방 또는 차단하여 기류의 흐름 경로를 조절하는 기류 조절 유닛을 포함한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber in which an inlet hole for introducing an airflow into the inner space is formed, a substrate supporting unit for supporting the substrate in the inner space, a heating member for heating the substrate supported by the substrate supporting unit, And a partition plate having a first upper hole and a second upper hole communicating with the airflow introduction space and the processing space, respectively, and partitioning the first upper hole and the second upper hole into a space and a processing space, And an airflow regulating unit for regulating the flow path of the airflow.

상기 제1상부홀은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 배열되고, 상기 제2상부홀은 복수 개로 제공되며, 상기 제1상부홀을 감싸도록 배열될 수 있다. The first upper holes are provided in a plurality and are arranged to have a ring shape in combination with each other, and the second upper holes are provided in a plurality of numbers, and may be arranged to surround the first upper holes.

상기 기류 조절 유닛은 상기 구획판의 상부 또는 하부에 위치되는 기류 조절판 및 상기 기류 조절판을 회전시키는 구동 부재를 포함하되, 상기 기류 조절판에는 복수 개의 제1조절홀들 및 상기 제1조절홀들을 감싸도록 배열되는 복수 개의 제2조절홀들이 형성될 수 있다. The airflow regulating unit includes an airflow regulating plate positioned above or below the partition plate and a driving member for rotating the airflow regulating plate, wherein the airflow regulating plate is provided with a plurality of first adjusting holes and a plurality of second adjusting holes A plurality of second adjustment holes to be arranged can be formed.

상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀은 각각 상기 구획판의 반경 방향에 대해 일치되게 배열되고, 상기 제1조절홀과 상기 제2조절홀은 각각 상기 기류 조절판의 반경 방향에 대해 서로 엇갈리게 배열될 수 있다. The first upper hole and the second upper hole are arranged so as to coincide with the radial direction of the partition plate, respectively, and the first adjustment hole and the second adjustment hole are arranged staggered with respect to the radial direction of the airflow control plate, .

선택적으로, 상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀은 상기 구획판의 반경 방향에 대해 서로 엇갈리게 배열되고, 상기 제1조절홀과 상기 제2조절홀은 상기 기류 조절판의 반경 방향에 대해 서로 일치되게 배열될 수 있다. Alternatively, the first upper hole and the second upper hole may be staggered with respect to the radial direction of the partition plate, and the first adjustment hole and the second adjustment hole may coincide with each other with respect to the radial direction of the airflow control plate. Lt; / RTI >

상기 기류 조절판은 상기 구동 부재에 의해 제1위치, 제2위치, 그리고 공정 위치로 이동되되, 상기 제1위치는 상기 제1상부홀과 상기 제1조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되고 상기 제2상부홀과 상기 제2조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 엇갈리는 위치이고, 상기 제2위치는 상기 제2상부홀과 상기 제2조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되고 상기 제1상부홀과 상기 제1조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 엇갈리는 위치이며, 상기 공정 위치는 상기 제1상부홀과 상기 제1조절홀이 상부에서 바라볼 때 일부가 서로 중첩되고 상기 제2상부홀과 상기 제2조절홀이 상부에서 바라볼 때 일부가 서로 중첩될 수 있다. Wherein the airflow control plate is moved by the driving member to a first position, a second position, and a process position, wherein the first position overlaps the first upper hole and the first adjustment hole when viewed from above, Wherein the second upper hole and the second adjustment hole intersect with each other when viewed from above, and the second position overlaps the second upper hole and the second adjustment hole when viewed from above, Holes and the first adjusting holes are staggered from each other when viewed from above, and the process position is such that a part of the first upper hole and the first adjusting hole overlap each other when viewed from above, When the second adjustment holes are viewed from above, a part of them overlap each other.

상기 장치는 상기 기류 조절 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간의 영역 별 기류의 유량이 균일하도록 상기 기류 조절판을 상기 제1위치, 상기 제2위치, 또는 상기 공정 위치로 회전시킬 수 있다. 상기 구획판은 중앙에 통공이 형성되고, 상기 장치는 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 상기 통공을 통해 상기 처리 공간의 분위기가 배기되도록 상기 구획판에 결합되는 배기관 및 상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 포함할 수 있다. 상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀은 상기 구획판의 상면에 형성되고, 상부에서 바라볼 때 상기 구획판의 저면에는 상기 제1상부홀에 중첩되게 위치되는 제1하부홀과 상기 제2상부홀에 중첩되게 위치되는 제2하부홀이 형성되며, 상기 구획판의 내부에는 상기 제1상부홀과 상기 제1하부홀을 연결하는 제1유로 및 상기 제2상부홀과 상기 제2하부홀을 연결하는 제2유로가 형성되되, 상기 제1유로 및 상기 제2유로는 기류의 흐름 경로를 우회시킬 수 있다. 상기 가열 부재는 상기 기판 지지 유닛에 제공되며 기판을 가열하는 하부 히터 및 상기 제1유로에 제공되며, 상기 제1유로에 흐르는 기류를 가열하는 상부 히터를 포함할 수 있다. Wherein the apparatus further comprises a controller for controlling the airflow regulating unit, wherein the controller controls the airflow regulating plate to the first position, the second position, or the process position so that the flow rate of the airflow per area of the processing space is uniform. . Wherein the partition plate has a through hole at the center thereof and the apparatus further includes an exhaust unit for exhausting the processing space, wherein the exhaust unit is coupled to the partition plate so that the atmosphere of the processing space is exhausted through the through hole And a decompression member for decompressing the exhaust pipe. Wherein the first upper hole and the second upper hole are formed on an upper surface of the partition plate and have a first lower hole positioned on the bottom surface of the partition plate so as to overlap the first upper hole, A second lower hole positioned to overlap with the upper hole, wherein a first flow path connects the first upper hole and the first lower hole, and a second flow path connecting the second upper hole and the second lower hole, And the first flow path and the second flow path can bypass the flow path of the air flow. The heating member may include a lower heater provided in the substrate supporting unit and heating the substrate, and an upper heater provided in the first flow path and heating the airflow flowing in the first flow path.

상기 장치를 이용하여 기판을 열 처리하는 방법은 상기 처리 공간의 영역 별 기류의 유량이 균일하도록 상기 기류 조절판을 이동시켜 상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀의 개방률을 조절하는 것을 포함한다. The method for heat-treating a substrate using the apparatus includes moving the airflow control plate so that the flow rate of the airflow for each region of the processing space is uniform so as to adjust the opening ratio of the first upper hole and the second upper hole.

상부에서 바라볼 때 상기 제1상부홀과 대응되는 상기 처리 공간의 제1영역에는 제1유량의 기류가 형성되고, 상기 제2상부홀과 대응되는 상기 처리 공간의 제2영역에는 제2유량의 기류가 형성되되, 상기 제1유량이 상기 제2유량보다 크면 상기 제1상부홀의 개방률을 줄이고, 상기 제2유량이 상기 제1유량보다 크면 상기 제2상부홀의 개방률을 줄일 수 있다. A first flow rate air flow is formed in a first region of the processing space corresponding to the first upper hole when viewed from above and a second region of the processing space corresponding to the second upper hole is formed in a first region of the processing space corresponding to the second flow rate An open rate of the first upper hole may be reduced if the first flow rate is greater than the second flow rate, and an open rate of the second upper hole may be reduced if the second flow rate is greater than the first flow rate.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간에는 제1상부홀과 제2상부홀을 통해 기류가 유입되며, 제1상부홀 및 제2상부홀의 개방비가 조절 가능하다. 이로 인해 처리 공간의 영역 별 기류 유량을 조절 가능하다.According to the embodiment of the present invention, an air flow is introduced into the processing space through the first upper hole and the second upper hole, and the opening ratio of the first upper hole and the second upper hole can be adjusted. This makes it possible to control the flow rate of the air flow for each region of the processing space.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간의 영역 별 기류 유량을 균일하게 조절하여, 기판의 영역 별 온도차를 최소화할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to minimize the temperature difference for each region of the substrate by uniformly controlling the flow rate of the air flow for each region of the processing space.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다
도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 하부 히터 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 6의 기류 조절판을 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 6의 구획판 및 기류 조절판의 일부를 보여주는 사시도이다.
도 10 및 도 11은 기류 조절판의 위치에 따른 처리 공간의 영역 별 기류의 유량을 보여주는 도면들이다.
도 12는 도 9의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 13은 도 9의 또 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.1 is a sectional view showing a general bake processing apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the direction AA.
Fig. 4 is a view of the equipment of Fig. 2 viewed from the BB direction. Fig.
5 is a view of the equipment of FIG. 2 viewed from the CC direction
6 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig.
FIG. 7 is a plan view showing the lower heater and the seating plate of FIG. 6;
8 is a plan view showing the airflow regulating plate of Fig.
FIG. 9 is a perspective view showing a part of the partition plate and the airflow control plate of FIG. 6; FIG.
FIGS. 10 and 11 are views showing the flow rate of the airflow in each region of the processing space according to the position of the airflow regulating plate. FIG.
12 is a perspective view showing another embodiment of Fig.
13 is a perspective view showing still another embodiment of FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 밀폐된 기판 처리 공간에 기류가 형성되는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. However, the present embodiment is applicable to various apparatuses in which an airflow is formed in a closed substrate processing space. Hereinafter, a case where a circular wafer is used as the substrate will be described as an example.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view of the plant of FIG. 2 viewed from the direction A-A, FIG. 4 is a view of the plant of FIG. 2 viewed from the direction of B-B, and FIG. 5 is a view of the plant of FIG. 2 viewed from the direction of C-C.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 2 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application unit 410, a bake unit 420, and a transfer chamber 430. The resist application unit 410, the bake unit 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist coating unit 410 and the bake unit 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of resist coating units 410 are provided, and a plurality of resist coating units 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six resist application units 410 are provided is shown. A plurality of bake units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 420 may be provided in more or less numbers.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The application unit robot 432 is connected to the bake units 420, the resist application units 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300 and the first buffer unit 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating units 410 all have the same structure. However, the types of the sensitizing solution used in the respective resist coating units 410 may be different from each other. For example, a chemical amplification resist may be used as the sensitizing solution. The resist coating unit 410 applies the photosensitive liquid onto the substrate W. [ The resist coating unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the sensitizing solution onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply the photosensitive liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photosensitive liquid is applied.

베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.The bake unit 800 heat-treats the substrate W. The bake unit 800 heat-treats the substrate W before and after applying the photosensitive liquid. The bake unit 800 can heat the substrate W to a predetermined temperature so as to change the surface properties of the substrate W before applying the photosensitive liquid and form a process liquid film such as an adhesive on the substrate W have. The bake unit 800 can heat-treat the photosensitive liquid film in a reduced-pressure atmosphere on the substrate W coated with the photosensitive liquid. The volatile substance contained in the photosensitive liquid film can be volatilized. In this embodiment, the bake unit 800 is described as a unit for performing the heat treatment on the photosensitive liquid film.

베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다. The bake unit 800 includes a cooling plate 820 and a heating unit 1000. The cooling plate 820 cools the substrate W heated by the heating unit 1000. The cooling plate 820 is provided in the shape of a circular plate. Inside the cooling plate 820, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the substrate W placed on the cooling plate 820 may be cooled to a temperature equal to or close to ambient temperature.

가열 유닛(1000)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 처리 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 6은 도 2의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 가열 유닛(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 가열 부재(1400), 구획판(1600), 배기 유닛(1500), 기류 조절 유닛(1700), 그리고 제어기(1900)를 포함한다. The heating unit 1000 is provided to the substrate processing apparatus 1000 for heating the substrate W. [ The heating unit 1000 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at a normal pressure or lower. 6 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig. 6, the heating unit 1000 includes a chamber 1100, a substrate supporting unit 1300, a heating member 1400, a partition plate 1600, an exhaust unit 1500, an airflow regulating unit 1700, And a controller 1900.

챔버(1100)은 기판(W)을 가열 처리하는 내부 공간(1110)을 제공한다. 내부 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides an internal space 1110 for heat-treating the substrate W. The inner space 1110 is provided as a space that is blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1122) 및 주변홀(1124)이 형성된다. 중심홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 주변홀(1124)은 중심홀(1122)을 감싸도록 형성된다. 주변홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심축을 중심으로 대칭되게 형성된다. 중심홀(1122)은 내부 공간(1110)의 분위기가 배기되는 배기홀(1122)로 기능하고, 주변홀(1124)은 내부 공간(1110)에 외부의 기류가 유입되는 유입홀(1122)로 기능한다. 일 예에 의하면, 주변홀(1124)은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 중심홀(1122)을 감싸는 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 주변홀들(1124)은 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. A center hole 1122 and a peripheral hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The center hole 1122 is formed at the center of the upper body 1120. The peripheral hole 1124 is formed so as to surround the center hole 1122. The peripheral holes 1124 are formed symmetrically about the center axis of the upper body 1120. The center hole 1122 functions as an exhaust hole 1122 through which the atmosphere of the internal space 1110 is discharged and the peripheral hole 1124 functions as an inlet hole 1122 through which the external air flows into the internal space 1110 do. According to one example, the plurality of peripheral holes 1124 are provided, and may be arranged to have a ring shape that surrounds the center hole 1122 in combination with each other. The peripheral holes 1124 may be spaced apart at equal intervals.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with its top opened. The lower body 1140 is positioned below the upper body 1120. [ The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form an inner space 1110. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned such that their central axes coincide with each other with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned opposite to the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 내부 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 내부 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the shutoff position by the lifting member 1130 and the other is fixed in position. According to an example, the lower body 1140 is fixed in position, and the upper body 1120 can be moved between the open position and the shutoff position by the lifting member 1130. [ Here, the open position is a position where the upper body 1120 and the lower body 1140 are separated from each other and the inner space 1110 is opened. The cut-off position is a position where the inner space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. A sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 seals a gap between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 may be an O-ring member 1160 having an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

기판 지지 유닛(1300)은 내부 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 안착 플레이트(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 도 7은 도 6의 히터 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 안착 플레이트(1320)는 내부 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 안착 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 안착 플레이트(1320)의 상면에는 기판(W)이 안착 가능하다. 안착 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 안착 플레이트(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322) 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 안착 플레이트(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착 플레이트(1320)에 안착시킨다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the inner space 1110. The substrate supporting unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140. The substrate support unit 1300 includes a seating plate 1320 and a lift pin 1340. 7 is a plan view showing the heater and the seating plate of Fig. 6 and 7, the seating plate 1320 supports the substrate W in the inner space 1110. The seating plate 1320 is provided in a circular plate shape. The substrate W is seated on the upper surface of the seating plate 1320. The area including the center of the upper surface of the seating plate 1320 functions as a seating surface on which the substrate W is seated. A plurality of pin holes 1322 are formed on the seating surface of the seating plate 1320. The pin holes 1322 are arranged to surround the center of the seating surface when viewed from above. Each of the pin holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 1322 are spaced at equal intervals from each other. Each pin hole 1322 is provided with a lift pin 1340. The lift pins 1340 are provided to move up and down. The lift pin 1340 lifts the substrate W from the seating plate 1320 or seats the substrate W on the seating plate 1320. For example, pin holes 1322 may be provided in three.

가열 부재(1400)는 상부 히터(1440) 및 하부 히터(1420)를 포함한다. 상부 히터(1440)는 구획판(1600)의 제1상부홀(1622)을 통해 유입되는 기류를 가열한다. 상부 히터(1440)는 구획판(1600)에 위치된다. 하부 히터(1420)는 안착 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열한다. 하부 히터(1420)는 안착 플레이트(1320)의 내부에 위치된다. 하부 히터(1420)는 복수 개로 제공된다. 각각의 하부 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320) 내에 위치된다. 각각의 하부 히터(1420)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 하부 히터(1420)는 안착 플레이트(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 하부 히터(1420)에 대응되는 안착 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 하부 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 하부 히터(1420)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 선택적으로 하부 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320)의 저면에 장착될 수 있다.The heating member 1400 includes an upper heater 1440 and a lower heater 1420. The upper heater 1440 heats the airflow flowing through the first upper hole 1622 of the partition plate 1600. The upper heater 1440 is located in the partition plate 1600. The lower heater 1420 heats the substrate W placed on the seating plate 1320. The lower heater 1420 is located inside the seating plate 1320. A plurality of lower heaters 1420 are provided. Each of the bottom heaters 1420 is positioned within the seating plate 1320. Each of the lower heaters 1420 is located on the same plane. Each lower heater 1420 heats different areas of the seating plate 1320. An area of the seating plate 1320 corresponding to each lower heater 1420 as viewed from above may be provided in the heating zones. The temperature of each lower heater 1420 is independently adjustable. For example, the number of heating zones may be fifteen. The temperature of each heating zone is measured by a sensor (not shown). The lower heater 1420 may be a thermoelectric element or a hot wire. Alternatively, the lower heaters 1420 may be mounted on the underside of the seating plate 1320.

배기 유닛(1500)은 내부 공간(1110)을 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1520) 및 감압 부재(1540)을 포함한다. 배기관(1520)은 양단이 개방된 관 형상으로 제공된다. 배기관(1520)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)의 중심홀(1122)에 관통되게 위치된다. 배기관(1520)은 중심홀(1122)보다 작은 직경을 가진다. 배기관(1520)은 하단을 포함하는 하부 영역이 내부 공간(1110)에 위치되고, 상단을 포함하는 상부 영역이 내부 공간(1110)의 외부에 위치된다. 즉 배기관(1520)의 하단은 상부 바디(1120)의 상면보다 낮게 위치되고, 배기관(1520)의 상단은 상부 바디(1120)보다 높게 위치된다. 배기관(1520)에는 감압 부재(1540)가 연결된다. 감압 부재(1540)는 배기관(1520)을 감압한다. 이에 따라 내부 공간(1110)의 분위기는 배기관(1520)을 통해 배기될 수 있다.The exhaust unit 1500 exhausts the internal space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1520 and a pressure reducing member 1540. The exhaust pipe 1520 is provided in a tubular shape with both open ends. The exhaust pipe 1520 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The exhaust pipe 1520 is positioned to penetrate the center hole 1122 of the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 has a smaller diameter than the center hole 1122. The lower end of the exhaust pipe 1520 is located in the inner space 1110 and the upper region including the upper end is located outside the inner space 1110. The lower end of the exhaust pipe 1520 is positioned lower than the upper surface of the upper body 1120 and the upper end of the exhaust pipe 1520 is positioned higher than the upper body 1120. A decompression member 1540 is connected to the exhaust pipe 1520. The decompression member 1540 decompresses the exhaust pipe 1520. Accordingly, the atmosphere in the inner space 1110 can be exhausted through the exhaust pipe 1520.

구획판(1600)은 챔버(1100)의 내부 공간(1110)을 구획한다. 구획판(1600)은 안착 플레이보다 높은 위치에서 안착 플레이트(130)와 대향되게 위치된다. 구획판(1600)은 내부 공간(1110)을 상부 공간(1110a)과 하부 공간(1110b)으로 구획한다. 상부 공간(1110a)은 외부의 기류가 도입되는 기류 도입 공간(1110a)으로 기능하고, 하부 공간(1110b)은 기판(W)을 열 처리하는 처리 공간(1110b)으로 기능한다. 구획판(1600)은 중심에 통공(1610)을 가지는 원형의 판 형상을 가지며, 측면이 챔버(1100)에 고정 결합된다. 구획판(1600)의 통공에는 배기관(1520)이 삽입 결합된다. 예컨대, 통공(1610)은 배기관(1520)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 구획판(1600)은 배기관(1520)의 하단에 고정 결합된다. The partition plate 1600 defines an inner space 1110 of the chamber 1100. The partition plate 1600 is positioned opposite the seating plate 130 at a higher position than the seating plate. The partition plate 1600 divides the inner space 1110 into an upper space 1110a and a lower space 1110b. The upper space 1110a functions as an airflow introduction space 1110a through which an external airflow is introduced and the lower space 1110b functions as a processing space 1110b through which a substrate W is subjected to heat processing. The partition plate 1600 has a circular plate shape having a through hole 1610 at the center, and the side surface is fixedly coupled to the chamber 1100. An exhaust pipe 1520 is inserted into the through hole of the partition plate 1600. For example, the through hole 1610 may have the same diameter as the exhaust pipe 1520. The partition plate 1600 is fixedly coupled to the lower end of the exhaust pipe 1520.

구획판(1600)의 상면에는 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)이 형성된다. 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)은 각각 기류 도입 공간(1110a) 및 처리 공간(1110b)에 연통되게 제공된다. 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)은 각각 복수 개로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1상부홀들(1622)은 배기관(1520)을 감싸도록 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지게 배열된다. 제2상부홀들(1642)은 제1상부홀들(1622)을 감싸도록 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지게 배열된다. 즉 제2상부홀(1642)은 제1상부홀(1622)에 비해 배기관(1520)에 더 멀게 위치된다. 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)은 반경 방향에 대해 일치되게 배열된다. 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)은 각각 라운드진 슬릿 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제2상부홀(1642)은 제1상부홀(1622)에 비해 큰 개방 면적을 가지도록 형성될 수 있다. 선택적으로 제1상부홀(1622)과 제2상부홀(1642)은 동일한 개방 면적을 가지도록 형성될 수 있다.A first upper hole 1622 and a second upper hole 1642 are formed on the upper surface of the partition plate 1600. The first upper hole 1622 and the second upper hole 1642 are provided so as to communicate with the airflow introduction space 1110a and the process space 1110b, respectively. The first upper hole 1622 and the second upper hole 1642 are provided in plural numbers, respectively. The first upper holes 1622 are arranged so as to surround the exhaust pipe 1520 and have an annular ring shape. The second upper holes 1642 are arranged so as to surround the first upper holes 1622 and have an annular ring shape. That is, the second upper hole 1642 is located farther from the exhaust pipe 1520 than the first upper hole 1622. The first upper hole 1622 and the second upper hole 1642 are aligned in the radial direction. The first upper hole 1622 and the second upper hole 1642 are each provided in a rounded slit shape. The second upper hole 1642 may be formed to have a larger opening area than the first upper hole 1622 when viewed from above. Alternatively, the first upper hole 1622 and the second upper hole 1642 may be formed to have the same opening area.

구획판(1600)의 저면에는 제1하부홀(1624) 및 제2하부홀(1644)이 형성된다. 제1하부홀(1624)은 제1상부홀(1622)과 동일 개수로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제1상부홀(1622)과 제1하부홀(1624)은 서로 중첩되게 위치된다. 제2하부홀(1644)은 제2상부홀(1642)과 동일 개수로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제2상부홀(1642)과 제2하부홀(1644)은 서로 중첩되게 위치된다. A first lower hole 1624 and a second lower hole 1644 are formed on the bottom surface of the partition plate 1600. The first lower holes 1624 are provided in the same number as the first upper holes 1622. The first upper hole 1622 and the first lower hole 1624 are overlapped with each other when viewed from above. The second lower holes 1644 are provided in the same number as the second upper holes 1642. The second upper hole 1642 and the second lower hole 1644 are overlapped with each other when viewed from above.

구획판(1600)의 내부에는 제1유로(1626) 및 제2유로(1646)가 형성된다. 제1유로(1626)는 제1상부홀(1622)과 제1하부홀(1624)을 연장시킨다. 제1유로(1626)는 복수 개로 제공되며, 서로 일치되게 위치되는 제1상부홀(1622)과 제1하부홀(1624)을 연장시킨다. 제1유로(1626)는 제1상부홀(1622)에서 제1하부홀(1624)로 흐르는 기류의 흐름 경로를 우회시킨다. 제1유로(1626)들 각각에는 상부 히터(1440)가 설치된다. 상부 히터(1440)는 제1유로(1626)를 통해 처리 공간(1110b)으로 공급되는 기류의 온도를 높힐 수 있다. 제2유로(1646)는 제2상부홀(1642)과 제2하부홀(1644)을 연장시킨다. 제2유로(1646)는 복수 개로 제공되며, 서로 일치되게 위치되는 제2상부홀(1642)과 제2하부홀(1644)을 연장시킨다. 제2유로(1646)는 제2상부홀(1642)에서 제2하부홀(1644)로 흐르는 기류의 흐름 경로를 우회시킨다. A first flow path 1626 and a second flow path 1646 are formed in the partition plate 1600. The first flow path 1626 extends the first upper hole 1622 and the first lower hole 1624. The first flow path 1626 is provided with a plurality of first flow paths 1626, and extends the first upper hole 1622 and the first lower hole 1624 which are coincident with each other. The first flow path 1626 bypasses the flow path of the airflow flowing from the first upper hole 1622 to the first lower hole 1624. An upper heater 1440 is installed in each of the first flow paths 1626. The upper heater 1440 can raise the temperature of the airflow supplied to the processing space 1110b through the first flow path 1626. [ The second flow path 1646 extends the second upper hole 1642 and the second lower hole 1644. The second flow path 1646 is provided in plural and extends the second upper hole 1642 and the second lower hole 1644 which are positioned in coincidence with each other. The second flow path 1646 bypasses the flow path of the airflow flowing from the second upper hole 1642 to the second lower hole 1644.

기류 조절 유닛(1700)은 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)을 개방 또는 차단하여 기류의 흐름 경로를 조절한다. 기류 조절 유닛(1700)은 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)의 개방률을 조절한다. 일 예에 의하면, 기류 조절 유닛(1700)은 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)의 개방비를 조절할 수 있다. 제1상부홀(1622)의 개방 면적이 커지면 제2상부홀(1642)의 개방 면적이 작아지고, 제1상부홀(1622)의 개방 면적이 작아지면 제2상부홀(1642)의 개방 면적이 커질 수 있다.The airflow regulating unit 1700 regulates the flow path of the airflow by opening or closing the first upper hole 1622 and the second upper hole 1642. The air flow regulating unit 1700 regulates the opening ratio of the first upper hole 1622 and the second upper hole 1642. According to an example, the airflow regulating unit 1700 can adjust the opening ratio of the first upper hole 1622 and the second upper hole 1642. When the opening area of the first upper hole 1622 is increased, the opening area of the second upper hole 1642 is decreased. When the opening area of the first upper hole 1622 is decreased, Can be large.

기류 조절 유닛(1700)은 기류 조절판(1720) 및 구동 부재(1740)를 포함한다. 도 8은 도 6의 기류 조절판을 보여주는 평면도이고, 도 9는 도 6의 구획판 및 기류 조절판의 일부를 보여주는 사시도이다. 도 8 및 도 9를 참조하면, 기류 조절판(1720)은 환형의 링 형상을 가지는 판으로 제공된다. 기류 조절판(1720)은 구획판(1600)에 적층되게 위치된다. 기류 조절판(1720)에는 제1조절홀(1722) 및 제2조절홀(1724)이 형성된다. 제1조절홀(1722)은 제1상부홀(1622)에 일치되거나 엇갈리도록 배열된다. 제1조절홀(1722)은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열된다. 제2조절홀(1724)은 제2상부홀(1642)에 일치되거나 엇갈리도록 배열된다. 제2조절홀(1724)은 복수 개로 제공되며, 제1조절홀(1722)을 감싸도록 배열된다. 제2조절홀(1724)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열된다. 제1조절홀(1722)과 제2조절홀(1724)은 반경 방향에 대해 서로 엇갈리게 배열된다. 즉, 기류 조절판(1720)의 중심으로부터 수평 방향으로 연장되는 임의의 직선은 제1조절홀(1722) 및 제2조절홀(1724) 중 하나에 대응된다. 예컨대, 제1조절홀(1722)은 제1상부홀(1622)과 동일한 개방 면적을 가지고, 제2조절홀(1724)은 제2상부홀(1642)과 동일한 개방 면적을 가질 수 있다. The airflow regulating unit 1700 includes an airflow regulating plate 1720 and a driving member 1740. FIG. 8 is a plan view showing the airflow control plate of FIG. 6, and FIG. 9 is a perspective view showing a part of the airflow control plate of FIG. 6; 8 and 9, the airflow regulating plate 1720 is provided as a plate having an annular ring shape. The airflow regulating plate 1720 is placed in a stacked state on the partition plate 1600. [ The air flow regulating plate 1720 is provided with a first adjusting hole 1722 and a second adjusting hole 1724. [ The first adjustment holes 1722 are arranged to be aligned with or staggered with the first upper holes 1622. The first adjustment holes 1722 are provided in a plurality and are arranged so as to have an annular ring shape in combination with each other. The second adjustment holes 1724 are arranged to be aligned or staggered with the second upper holes 1642. A plurality of second adjustment holes 1724 are provided and are arranged to surround the first adjustment holes 1722. The second adjustment holes 1724 are arranged so as to have an annular ring shape in combination with each other. The first adjustment hole 1722 and the second adjustment hole 1724 are arranged to be offset from each other in the radial direction. That is, any straight line extending in the horizontal direction from the center of the airflow regulating plate 1720 corresponds to one of the first adjusting hole 1722 and the second adjusting hole 1724. For example, the first adjustment hole 1722 may have the same opening area as the first upper hole 1622, and the second adjustment hole 1724 may have the same opening area as the second upper hole 1642.

구동 부재(1740)는 기류 조절판(1720)은 회전시킨다. 구동 부재(1740)는 기류 조절판(1720)을 제1위치, 제2위치, 그리고 공정 위치로 이동시킨다. 여기서 상기 제1위치는 제1상부홀(1622)과 제1조절홀(1722)이 서로 일치되고, 제2상부홀(1642)과 제2조절홀(1724)이 서로 불일치되는 위치이다. 제2위치는 제2상부홀(1642)과 제2조절홀(1724)이 서로 일치되고 제1상부홀(1622)과 제1조절홀(1722)이 서로 불일치되는 위치이다. 공정 위치는 제1상부홀(1622)의 일부와 제1조절홀(1722)의 일부가 서로 일치되고 제2상부홀(1642)의 일부와 제2조절홀(1724)의 일부가 서로 일치되는 위치이다. 일 예에 의하면, 기판(W)을 가열 처리하는 공정 중에는 기류 조절판(1720)을 공정 위치로 회전시킬 수 있다.The driving member 1740 rotates the airflow regulating plate 1720. The driving member 1740 moves the airflow regulating plate 1720 to the first position, the second position, and the process position. The first position is a position in which the first upper hole 1622 and the first adjustment hole 1722 are aligned with each other and the second upper hole 1642 and the second adjustment hole 1724 are disagreed with each other. The second position is a position in which the second upper hole 1642 and the second adjustment hole 1724 are aligned with each other and the first upper hole 1622 and the first adjustment hole 1722 are disagreed with each other. The process position is a position where a part of the first upper hole 1622 and a part of the first adjusting hole 1722 are aligned with each other and a part of the second upper hole 1642 and a part of the second adjusting hole 1724 coincide with each other to be. According to one example, the airflow regulating plate 1720 can be rotated to the process position during the process of heating the substrate W. [

제어기(1900)는 기류 조절 유닛(1700)을 제어한다. 제어기(1900)는 처리 공간(1110b)의 영역 별 기류의 유량이 균일하도록 구동 부재(1740)를 제어한다. 작업자는 제어기(1900)를 제어하여 기판(W)의 가열 처리 영역을 확인하고, 처리 공간(1110b)의 영역 별 기류의 유량을 조절 가능하다. 작업자는 제1상부홀(1622)의 개방률 및 제2상부홀(1642)의 개방률을 조절하여 처리 공간(1110b)의 영역 별 기류 유량을 조절할 수 있다.The controller 1900 controls the airflow regulating unit 1700. The controller 1900 controls the driving member 1740 so that the flow rate of the airflow of each region of the processing space 1110b is uniform. The operator can control the controller 1900 to check the heat treatment area of the substrate W and adjust the flow rate of the air flow for each area of the processing space 1110b. The operator can adjust the airflow rate of each region of the processing space 1110b by adjusting the opening ratio of the first upper hole 1622 and the opening ratio of the second upper hole 1642. [

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 안착 플레이트(130)에 기판(W)이 놓여지면, 상부 바디(1120)는 차단 위치로 이동되고, 처리 공간(1110b)은 외부로부터 밀폐된다. 기판(W)은 하부 히터(1420)에 의해 가열되고, 챔버(1100)의 외부 기류는 유입홀(1124)을 통해 기류 도입 공간(1110a)으로 유입되고, 제1상부홀(1622) 또는 제2상부홀(1642)을 통해 처리 공간(1110b)으로 공급된다. 기판(W) 상에 잔류되는 유기물을 기류와 함께 배기관(1520)으로 배기된다. 제1상부홀(1622)과 대응되는 처리 공간(1110b)의 제1영역에는 제1유량의 기류가 형성되고, 제2상부홀(1642)과 대응되는 처리 공간(1110b)의 제2영역에는 제2유량의 기류가 형성된다. 제1유량 및 제2유량은 동일하게 제공되도록 제1상부홀(1622)의 개방률과 제2상부홀(1642)의 개방률을 조절한다. 예컨대, 제1유량이 제2유량보다 크게 제공되면, 도 10과 같이 제1상부홀(1622)의 개방률을 줄이고 제2상부홀(1642)의 개방률을 늘릴 수 있다. 이와 달리 제2유량이 제1유량보다 크게 제공되면, 도 11과 같이 제1상부홀(1622)의 개방률을 늘리고 제2상부홀(1642)의 개방률을 줄일 수 있다.Next, a process of processing the substrate W using the above-described substrate processing apparatus will be described. When the substrate W is placed on the seating plate 130, the upper body 1120 is moved to the shutting position and the processing space 1110b is sealed from the outside. The substrate W is heated by the lower heater 1420 and the external airflow of the chamber 1100 flows into the airflow introduction space 1110a through the inlet hole 1124 and flows into the first upper hole 1622 or the second And is supplied to the processing space 1110b through the upper hole 1642. [ The organic matter remaining on the substrate W is exhausted to the exhaust pipe 1520 together with the air flow. A first flow rate of airflow is formed in the first region of the processing space 1110b corresponding to the first upper hole 1622 and a second region of the processing space 1110b corresponding to the second upper hole 1642 is formed in the second region of the processing space 1110b. 2 flow rate is formed. The opening ratio of the first upper hole 1622 and the opening ratio of the second upper hole 1642 are adjusted so that the first flow rate and the second flow rate are the same. For example, when the first flow rate is greater than the second flow rate, the opening ratio of the first upper hole 1622 can be reduced and the opening ratio of the second upper hole 1642 can be increased as shown in FIG. Alternatively, if the second flow rate is greater than the first flow rate, the opening ratio of the first upper hole 1622 may be increased and the opening ratio of the second upper hole 1642 may be reduced as shown in FIG.

상술한 실시예에 의하면, 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)은 반경 방향에 대해 서로 일치되도록 배열되고, 제1조절홀(1722) 및 제2조절홀(1724)은 반경 방향에 대해 서로 불일치되도록 배열되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 12와 같이, 제1상부홀(1622) 및 제2상부홀(1642)은 반경 방향에 대해 서로 불일치되고, 제1조절홀(1722) 및 제2조절홀(1724)은 반경 방향에 대해 일치되게 배열될 수 있다.According to the above-described embodiment, the first upper hole 1622 and the second upper hole 1642 are arranged so as to coincide with each other in the radial direction, and the first adjustment hole 1722 and the second adjustment hole 1724 are arranged in the radial direction Direction and the direction is inconsistent with each other. However, as shown in FIG. 12, the first upper hole 1622 and the second upper hole 1642 are disagreed with respect to each other in the radial direction, and the first adjustment hole 1722 and the second adjustment hole 1724 are radially Can be arranged coincidentally.

또한 도 13과 같이, 기류 조절판(1720a)의 조절홀(1722a)은 제1상부홀(1622)과 제2상부홀(1624)을 합한 것보다 큰 개방 면적을 가질 수 있다.13, the adjustment hole 1722a of the airflow regulating plate 1720a may have a larger opening area than the sum of the first upper hole 1622 and the second upper hole 1624. [

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 유닛(460)과 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 유닛(460)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 유닛(460)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.2 to 5, the developing module 402 includes a developing process for supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W to remove a part of the photoresist, and a developing process for removing a portion of the photoresist on the substrate W And a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate. The development module 402 has a development unit 460, a bake unit 470, and a transfer chamber 480. [ The developing unit 460, the bake unit 470, and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. The developing unit 460 and the bake unit 470 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. A plurality of developing units 460 are provided, and a plurality of developing units 460 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six developing units 460 are provided is shown. A plurality of bake units 470 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 470 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 470 may be provided in a greater number.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 유닛들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 480, the developing robot 482 and the guide rail 483 are positioned. The delivery chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing robot 482 includes bake units 470, developing units 460, a second buffer 330 and a cooling chamber 350 of the first buffer module 300 and a second buffer module 500, And the second cooling chamber 540 of the second cooling chamber 540. The guide rail 483 is arranged such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing sub-robot 482 has a hand 484, an arm 485, a supporting stand 486, and a pedestal 487. The hand 484 is fixed to the arm 485. The arm 485 is provided in a stretchable configuration to allow the hand 484 to move in a horizontal direction. The support 486 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 485 is coupled to the support 486 such that it is linearly movable along the support 486 in the third direction 16. The support table 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 유닛들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 유닛(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 유닛(460)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing units 460 all have the same structure. However, the types of developers used in the respective developing units 460 may be different from each other. The developing unit 460 removes a region of the photoresist on the substrate W irradiated with light. At this time, the area of the protective film irradiated with the light is also removed. Depending on the type of selectively used photoresist, only the areas of the photoresist and protective film that are not irradiated with light can be removed.

현상 유닛(460)은 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 유닛(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing unit 460 has a housing 461, a support plate 462, and a nozzle 463. The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is located in the housing 461 and supports the substrate W. [ The support plate 462 is rotatably provided. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462. The nozzle 463 has a circular tube shape and can supply developer to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 463 may be provided with a slit. Further, the developing unit 460 may further be provided with a nozzle 464 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is supplied.

현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 유닛(472)을 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 유닛(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 유닛(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 유닛(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 유닛(800)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. The bake unit 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. [ For example, the bake units 470 may include a post bake process in which the substrate W is heated before the development process is performed, a hard bake process in which the substrate W is heated after the development process is performed, And a cooling step for cooling the substrate W is performed. The bake unit 470 has a cooling plate 471 or a heating unit 472. The cooling plate 471 is provided with a cooling means 473 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or the heating unit 472 is provided with a heating means 474 such as a heating wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating unit 472 may be provided in one bake unit 470, respectively. Optionally, some of the bake units 470 may include only the cooling plate 471, while others may only include the heating unit 472. [ Since the bake unit 470 of the developing module 402 has the same configuration as that of the bake unit 800 of the application module 401, detailed description thereof will be omitted.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The second buffer module 500 is provided as a path through which the substrate W is transferred between the coating and developing module 400 and the pre- and post-exposure processing module 600. The second buffer module 500 performs a predetermined process on the substrate W such as a cooling process or an edge exposure process. The second buffer module 500 includes a frame 510, a buffer 520, a first cooling chamber 530, a second cooling chamber 540, an edge exposure chamber 550, and a second buffer robot 560 I have. The frame 510 has a rectangular parallelepiped shape. The buffer 520, the first cooling chamber 530, the second cooling chamber 540, the edge exposure chamber 550, and the second buffer robot 560 are located within the frame 510. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550 are disposed at a height corresponding to the application module 401. The second cooling chamber 540 is disposed at a height corresponding to the development module 402. The buffer 520, the first cooling chamber 530, and the second cooling chamber 540 are sequentially arranged in a row along the third direction 16. The buffer 520 is disposed along the first direction 12 with the transfer chamber 430 of the application module 401. [ The edge exposure chamber 550 is spaced a certain distance in the second direction 14 from the buffer 520 or the first cooling chamber 530.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The second buffer robot 560 carries the substrate W between the buffer 520, the first cooling chamber 530, and the edge exposure chamber 550. A second buffer robot 560 is positioned between the edge exposure chamber 550 and the buffer 520. The second buffer robot 560 may be provided in a structure similar to that of the first buffer robot 360. The first cooling chamber 530 and the edge exposure chamber 550 perform a subsequent process on the substrates W that have been processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 cools the substrate W processed in the application module 401. The first cooling chamber 530 has a structure similar to the cooling chamber 350 of the first buffer module 300. The edge exposure chamber 550 exposes its edge to the substrates W that have undergone the cooling process in the first cooling chamber 530. [ The buffer 520 temporarily stores the substrate W before the substrates W processed in the edge exposure chamber 550 are transported to a preprocessing module 601 described later. The second cooling chamber 540 cools the substrates W before the processed substrates W are transferred to the developing module 402 in the post-processing module 602 described later. The second buffer module 500 may further have a buffer added to the height corresponding to the development module 402. In this case, the substrates W processed in the post-processing module 602 may be temporarily stored in the added buffer and then conveyed to the developing module 402.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and post-exposure processing module 600 may process a process of applying a protective film for protecting the photoresist film applied to the substrate W during liquid immersion exposure, when the exposure apparatus 900 performs the liquid immersion exposure process. In addition, the pre- and post-exposure processing module 600 may perform a process of cleaning the substrate W after exposure. In addition, when the coating process is performed using the chemically amplified resist, the pre- and post-exposure processing module 600 can process the post-exposure bake process.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 유닛(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 유닛(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 유닛(610)과 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 유닛(610)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 유닛(610)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The pre-exposure post-processing module 600 has a pre-processing module 601 and a post-processing module 602. The pre-processing module 601 performs a process of processing the substrate W before the exposure process, and the post-process module 602 performs a process of processing the substrate W after the exposure process. The pre-processing module 601 and the post-processing module 602 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the preprocessing module 601 is located on top of the post-processing module 602. The preprocessing module 601 is provided at the same height as the application module 401. The post-processing module 602 is provided at the same height as the developing module 402. The preprocessing module 601 has a protective film application unit 610, a bake unit 620, and a transfer chamber 630. The protective film application unit 610, the transfer chamber 630, and the bake unit 620 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The protective film applying unit 610 and the bake unit 620 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 630 therebetween. A plurality of protective film application units 610 are provided, and are arranged along the third direction 16 to form a layer with each other. Alternatively, a plurality of protective film application units 610 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of bake units 620 are provided and are disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, the plurality of bake units 620 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 유닛들(610), 베이크 유닛들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The transfer chamber 630 is positioned in parallel with the first cooling chamber 530 of the second buffer module 500 in the first direction 12. In the transfer chamber 630, a pre-processing robot 632 is located. The transfer chamber 630 has a generally square or rectangular shape. The preprocessing robot 632 is connected between the protective film application units 610, the bake units 620, the buffer 520 of the second buffer module 500 and the first buffer 720 of the interface module 700, The substrate W is transferred. The preprocessing robot 632 has a hand 633, an arm 634, and a support 635. The hand 633 is fixed to the arm 634. The arm 634 is provided with a retractable structure and a rotatable structure. The arm 634 is coupled to the support 635 so as to be linearly movable along the support 635 in the third direction 16.

보호막 도포 유닛(610)은 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 유닛(610)은 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 유닛(610)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective film coating unit 610 applies a protective film for protecting the resist film on the substrate W during liquid immersion exposure. The protective film application unit 610 has a housing 611, a support plate 612, and a nozzle 613. The housing 611 has a cup shape with its top opened. The support plate 612 is located in the housing 611 and supports the substrate W. [ The support plate 612 is rotatably provided. The nozzle 613 supplies a protective liquid for forming a protective film onto the substrate W placed on the supporting plate 612. The nozzle 613 has a circular tube shape and can supply the protective liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 613 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 613 may be provided with a slit. In this case, the support plate 612 may be provided in a fixed state. The protective liquid includes a foamable material. The protective liquid may be a photoresist and a material having a low affinity for water. For example, the protective liquid may contain a fluorine-based solvent. The protective film applying unit 610 supplies the protective liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the supporting plate 612. [

베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The bake unit 620 heat-treats the substrate W coated with the protective film. The bake unit 620 has a cooling plate 621 or a heating plate 622. The cooling plate 621 is provided with a cooling means 623 such as a cooling water or a thermoelectric element. Or heating plate 622 is provided with a heating means 624, such as a hot wire or a thermoelectric element. The heating plate 622 and the cooling plate 621 may be provided in a single bake unit 620, respectively. Optionally, some of the bake units 620 may include only the heating plate 622, while others may only include the cooling plate 621.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The post-processing module 602 has a cleaning chamber 660, a post-exposure bake unit 670, and a delivery chamber 680. The cleaning chamber 660, the transfer chamber 680, and the post-exposure bake unit 670 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the cleaning chamber 660 and the post-exposure bake unit 670 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 680 therebetween. A plurality of cleaning chambers 660 are provided and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of cleaning chambers 660 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of post-exposure bake units 670 are provided, and may be disposed along the third direction 16 to form layers. Alternatively, a plurality of post-exposure bake units 670 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The transfer chamber 680 is positioned in parallel with the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500 in the first direction 12 as viewed from above. The transfer chamber 680 has a generally square or rectangular shape. A post processing robot 682 is located in the transfer chamber 680. The post-processing robot 682 is connected to the cleaning chambers 660, the post-exposure bake units 670, the second cooling chamber 540 of the second buffer module 500, and the second And transfers the substrate W between the buffers 730. The postprocessing robot 682 provided in the postprocessing module 602 may be provided with the same structure as the preprocessing robot 632 provided in the preprocessing module 601. [

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The cleaning chamber 660 cleans the substrate W after the exposure process. The cleaning chamber 660 has a housing 661, a support plate 662, and a nozzle 663. The housing 661 has a cup shape with an open top. The support plate 662 is located in the housing 661 and supports the substrate W. [ The support plate 662 is rotatably provided. The nozzle 663 supplies the cleaning liquid onto the substrate W placed on the support plate 662. As the cleaning liquid, water such as deionized water may be used. The cleaning chamber 660 supplies the cleaning liquid to the central region of the substrate W while rotating the substrate W placed on the support plate 662. Optionally, while the substrate W is rotating, the nozzle 663 may move linearly or rotationally from the central region of the substrate W to the edge region.

노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다. The post-exposure bake unit 670 uses the deep ultraviolet light to heat the substrate W subjected to the exposure process. The post-exposure baking step heats the substrate W and amplifies the acid generated in the photoresist by exposure to complete the property change of the photoresist. The post-exposure bake unit 670 has a heating plate 672. The heating plate 672 is provided with a heating means 674 such as a hot wire or a thermoelectric element. The post-exposure bake unit 670 may further include a cooling plate 671 therein. The cooling plate 671 is provided with a cooling means 673 such as a cooling water or a thermoelectric element. Further, a bake unit having only a cooling plate 671 may be further provided.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 유닛(610)과 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the pre-processing module 601 and the post-processing module 602 in the pre-exposure processing module 600 are provided to be completely separated from each other. The transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 and the transfer chamber 680 of the postprocessing module 602 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the protective film application unit 610 and the cleaning chamber 660 may be provided to have the same size as each other and be provided so as to completely overlap each other when viewed from above. In addition, the bake unit 620 and the post-exposure bake unit 670 are provided in the same size and can be provided so as to completely overlap each other when viewed from above.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the exposure pre- and post-processing module 600 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located within the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the preprocessing module 601 and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the postprocessing module 602. The first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the preprocessing module 601 while the second buffer 730 is arranged in the postprocessing module 602, Are arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the transfer chamber 630. [

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The interface robot 740 is spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 carries the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730 and the exposure apparatus 900. The interface robot 740 has a structure substantially similar to that of the second buffer robot 560.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the preprocessing module 601 before they are transferred to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the processed substrates W in the exposure apparatus 900 before they are transferred to the post-processing module 602. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 722. The housing 721 is movable in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the interface robot 740 and the preprocessing robot 632 transfer the substrate W to and from the support table 722, 632 are provided with openings (not shown) in the direction in which they are provided. The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720. However, the housing 4531 of the second buffer 730 has an opening (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in a direction in which the postprocessing robot 682 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and robots as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

1600: 구획판 1622: 제1상부홀
1624: 제1하부홀 1626: 제1유로
1642: 제2상부홀 1644: 제2하부홀
1646: 제2유로 1700: 기류 조절 유닛
1720: 기류 조절판 1740: 구동 부재1600: partition plate 1622: first upper hole
1624: first lower hole 1626: first flow path
1642: second upper hole 1644: second lower hole
1646: Second flow path 1700: Air flow control unit
1720: air flow regulating plate 1740: driving member

Claims (12)

내부 공간에 기류가 유입되는 유입홀이 형성되는 챔버와;
상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 내부 공간을 기류 도입 공간 및 처리 공간으로 구획하는 구획판을 구비하되,
상기 구획판에는, 상기 기류 도입 공간에 연통되는 상부홀, 상기 처리 공간에 연통되는 하부홀, 그리고 상기 상부홀과 상기 하부홀을 연결하며 상기 상부홀을 통해 유입된 기류의 흐름 경로를 우회시키는 우회유로가 형성되는 기판 처리 장치.A chamber in which an inflow hole through which an airflow flows is formed in an inner space;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the internal space;
A heating member heating the substrate supported by the substrate supporting unit;
And a partition plate that divides the internal space into an airflow introduction space and a processing space,
The partition plate is provided with an upper hole communicating with the airflow introduction space, a lower hole communicating with the processing space, and a bypass which connects the upper hole and the lower hole and bypasses the flow path of the airflow introduced through the upper hole Wherein a flow path is formed. 제1항에 있어서,
상기 구획판에는 상기 우회 유로에 흐르는 기류를 가열하는 상부 히터가 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the partition plate is provided with an upper heater for heating an airflow flowing in the bypass flow path. 제1항에 있어서,
상기 우회유로는,
상기 상부홀로 유입된 기류가 상기 구획판의 반경 방향과 평행한 제1방향으로 이동한 뒤, 상기 제1방향의 반대 방향인 제2 방향으로 이동하여 상기 하부홀을 통해 상기 처리 공간으로 유입되도록 형성되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The bypass channel
The airflow introduced into the upper hole moves in a first direction parallel to the radial direction of the partition plate and then moves in a second direction opposite to the first direction and flows into the processing space through the lower hole And the substrate processing apparatus. 내부 공간에 기류가 유입되는 유입홀이 형성되는 챔버와;
상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 내부 공간을 기류 도입 공간 및 처리 공간으로 구획하며, 상기 기류 도입 공간에 각각 연통되는 제1상부홀 및 제2상부홀을 가지는 구획판과;
상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀을 개방 또는 차단하여 기류의 흐름 경로를 조절하는 기류 조절 유닛을 포함하며,
상기 제1상부홀은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 배열되고,
상기 제2상부홀은 복수 개로 제공되며, 상기 제1상부홀을 감싸도록 배열되며,
상기 기류 조절 유닛은,
상기 구획판의 상부 또는 하부에 위치되는 기류 조절판과;
상기 기류 조절판을 회전시키는 구동 부재를 포함하되,
상기 기류 조절판에는 복수 개의 제1조절홀들 및 상기 제1조절홀들을 감싸도록 배열되는 복수 개의 제2조절홀들이 형성되며,
상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀은 각각 상기 구획판의 반경 방향에 대해 일치되게 배열되고,
상기 제1조절홀과 상기 제2조절홀은 각각 상기 기류 조절판의 반경 방향에 대해 서로 엇갈리게 배열되는 기판 처리 장치.A chamber in which an inflow hole through which an airflow flows is formed in an inner space;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the internal space;
A heating member heating the substrate supported by the substrate supporting unit;
A partition plate having a first upper hole and a second upper hole which divide the internal space into an airflow introduction space and a processing space and communicate with the airflow introduction space;
And an airflow regulating unit for regulating the flow path of the airflow by opening or closing the first upper hole and the second upper hole,
Wherein the first upper holes are provided in a plurality and are arranged to have a ring shape in combination with each other,
Wherein the second upper holes are provided in plural and are arranged to surround the first upper holes,
The airflow regulating unit includes:
An air flow regulating plate positioned above or below the partition plate;
And a driving member for rotating the airflow control plate,
Wherein the airflow control plate is formed with a plurality of first adjustment holes and a plurality of second adjustment holes arranged to surround the first adjustment holes,
The first upper hole and the second upper hole are arranged so as to coincide with the radial direction of the partition plate,
Wherein the first adjustment hole and the second adjustment hole are arranged alternately with respect to a radial direction of the airflow control plate. 내부 공간에 기류가 유입되는 유입홀이 형성되는 챔버와;
상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
상기 내부 공간을 기류 도입 공간 및 처리 공간으로 구획하며, 상기 기류 도입 공간에 각각 연통되는 제1상부홀 및 제2상부홀을 가지는 구획판과;
상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀을 개방 또는 차단하여 기류의 흐름 경로를 조절하는 기류 조절 유닛을 포함하며,
상기 제1상부홀은 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 배열되고,
상기 제2상부홀은 복수 개로 제공되며, 상기 제1상부홀을 감싸도록 배열되며,
상기 기류 조절 유닛은,
상기 구획판의 상부 또는 하부에 위치되는 기류 조절판과;
상기 기류 조절판을 회전시키는 구동 부재를 포함하되,
상기 기류 조절판에는 복수 개의 제1조절홀들 및 상기 제1조절홀들을 감싸도록 배열되는 복수 개의 제2조절홀들이 형성되며,
상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀은 상기 구획판의 반경 방향에 대해 서로 엇갈리게 배열되고,
상기 제1조절홀과 상기 제2조절홀은 상기 기류 조절판의 반경 방향에 대해 서로 일치되게 배열되는 기판 처리 장치.A chamber in which an inflow hole through which an airflow flows is formed in an inner space;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the internal space;
A heating member heating the substrate supported by the substrate supporting unit;
A partition plate having a first upper hole and a second upper hole which divide the internal space into an airflow introduction space and a processing space and communicate with the airflow introduction space;
And an airflow regulating unit for regulating the flow path of the airflow by opening or closing the first upper hole and the second upper hole,
Wherein the first upper holes are provided in a plurality and are arranged to have a ring shape in combination with each other,
Wherein the second upper holes are provided in plural and are arranged to surround the first upper holes,
The airflow regulating unit includes:
An air flow regulating plate positioned above or below the partition plate;
And a driving member for rotating the airflow control plate,
Wherein the airflow control plate is formed with a plurality of first adjustment holes and a plurality of second adjustment holes arranged to surround the first adjustment holes,
Wherein the first upper hole and the second upper hole are staggered with respect to a radial direction of the partition plate,
Wherein the first adjustment hole and the second adjustment hole are arranged to coincide with each other with respect to a radial direction of the airflow control plate. 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 기류 조절판은 상기 구동 부재에 의해 제1위치, 제2위치, 그리고 공정 위치로 이동되되,
상기 제1위치는 상기 제1상부홀과 상기 제1조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되고 상기 제2상부홀과 상기 제2조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 엇갈리는 위치이고,
상기 제2위치는 상기 제2상부홀과 상기 제2조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되고 상기 제1상부홀과 상기 제1조절홀이 상부에서 바라볼 때 서로 엇갈리는 위치이며,
상기 공정 위치는 상기 제1상부홀과 상기 제1조절홀이 상부에서 바라볼 때 일부가 서로 중첩되고 상기 제2상부홀과 상기 제2조절홀이 상부에서 바라볼 때 일부가 서로 중첩되는 기판 처리 장치.The method according to claim 4 or 5,
The airflow control plate is moved to the first position, the second position, and the process position by the driving member,
Wherein the first position is a position where the first upper hole and the first adjusting hole overlap with each other when viewed from above and the second upper hole and the second adjusting hole are staggered from each other when viewed from above,
The second position is a position where the second upper hole and the second adjusting hole overlap with each other when viewed from above and the first upper hole and the first adjusting hole are staggered from each other when viewed from above,
Wherein the process position is a substrate process in which a part of the first upper hole and the first control hole overlap each other when viewed from above and a part of the second upper hole and the second control hole overlap each other when viewed from above, Device. 제6항에 있어서,
상기 장치는,
상기 기류 조절 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
상기 제어기는 상기 처리 공간의 영역 별 기류의 유량이 균일하도록 상기 기류 조절판을 상기 제1위치, 상기 제2위치, 또는 상기 공정 위치로 회전시키는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
The apparatus comprises:
Further comprising a controller for controlling the airflow regulating unit,
Wherein the controller rotates the airflow regulating plate to the first position, the second position, or the process position so that the flow rate of the airflow per area of the processing space is uniform. 제7항에 있어서,
상기 구획판은 중앙에 통공이 형성되고,
상기 장치는 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 더 포함하되,
상기 배기 유닛은,
상기 상기 통공을 통해 상기 처리 공간의 분위기가 배기되도록 상기 구획판에 결합되는 배기관과;
상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 포함하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The partition plate has a through hole at the center thereof,
The apparatus further includes an exhaust unit for exhausting the processing space,
The exhaust unit includes:
An exhaust pipe coupled to the partition plate to exhaust the atmosphere of the processing space through the through hole;
And a pressure-reducing member for reducing the pressure of the exhaust pipe. 제8항에 있어서,
상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀은 상기 구획판의 상면에 형성되고,
상부에서 바라볼 때 상기 구획판의 저면에는 상기 제1상부홀에 중첩되게 위치되는 제1하부홀과 상기 제2상부홀에 중첩되게 위치되는 제2하부홀이 형성되며,
상기 구획판의 내부에는 상기 제1상부홀과 상기 제1하부홀을 연결하는 제1유로 및 상기 제2상부홀과 상기 제2하부홀을 연결하는 제2유로가 형성되되,
상기 제1유로 및 상기 제2유로는 기류의 흐름 경로를 우회시키는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The first upper hole and the second upper hole are formed on the upper surface of the partition plate,
A first lower hole overlapped with the first upper hole and a second lower hole positioned to overlap with the second upper hole are formed on a bottom surface of the partition plate when viewed from above,
A first flow path connecting the first upper hole and the first lower hole and a second flow path connecting the second upper hole and the second lower hole are formed in the partition plate,
Wherein the first flow path and the second flow path bypass the flow path of the air flow. 제9항에 있어서,
상기 가열 부재는,
상기 기판 지지 유닛에 제공되며 기판을 가열하는 하부 히터와;
상기 제1유로에 제공되며, 상기 제1유로에 흐르는 기류를 가열하는 상부 히터를 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The heating member
A lower heater provided in the substrate supporting unit and heating the substrate;
And an upper heater provided in the first flow path for heating an airflow flowing in the first flow path. 제6항의 장치를 이용하여 기판을 열 처리하는 방법에 있어서,
상기 처리 공간의 영역 별 기류의 유량이 균일하도록 상기 기류 조절판을 이동시켜 상기 제1상부홀 및 상기 제2상부홀의 개방률을 조절하는 기판 처리 방법.A method for heat treating a substrate using the apparatus of claim 6,
And controlling the opening ratio of the first upper hole and the second upper hole by moving the airflow control plate so that the flow rate of the airflow of each region of the processing space is uniform. 제11항에 있어서,
상부에서 바라볼 때 상기 제1상부홀과 대응되는 상기 처리 공간의 제1영역에는 제1유량의 기류가 형성되고, 상기 제2상부홀과 대응되는 상기 처리 공간의 제2영역에는 제2유량의 기류가 형성되되,
상기 제1유량이 상기 제2유량보다 크면 상기 제1상부홀의 개방률을 줄이고,
상기 제2유량이 상기 제1유량보다 크면 상기 제2상부홀의 개방률을 줄이는 기판 처리 방법.
12. The method of claim 11,
A first flow rate air flow is formed in a first region of the processing space corresponding to the first upper hole when viewed from above and a second region of the processing space corresponding to the second upper hole is formed in a first region of the processing space corresponding to the second flow rate Airflow is formed,
If the first flow rate is larger than the second flow rate, the opening ratio of the first upper hole is reduced,
Wherein the opening ratio of the second upper hole is reduced if the second flow rate is larger than the first flow rate.
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